I. I. S.

ELECTRONICA BUCURE$TI SERVICE

BULETIN TEHN:IC Nr.3

TIPURI SI FAMILII DE TRANZISTOARE CU GERMANIU

,

TIPURI SI FAMILII DE TRANZISTOARE CU SILICIU

, .

PENTRU UZ INTERN

Autor: ing. EUGEN STATNIC

Tiparul executat sub comanda nr, 143 la Intreprinderea poligraflca "Cr~ana", Gradea str. Moscovei nr. 5

CUPRINS

I. Tipuri ~i familii de tranzistoare cu germaniu

1. Tranzistoare aliate PNP de mica putere

2. Tranzistoare aliate NPN de micii putere .

3. Tranzistoare aliate Ge PNP ~i NPN de medie putere Perechi complementare PNPjNPN

4. Tranzistoare Cll Ge PNP aliate, de putere

5. Tranzistoare drift pentru FI ~i RF

II. Tipuri ~i familii de tranzistoare cu siliciu

A. Tranzistoare Si PNP §i NPN de AF ~i comutafie de mica

B. Tranzistoare Sf NPN ~i PNP de medie ~tere

C. Tranzistoare Si NPN pentru etaje finale video

D. Tranzistoare Si de inaltii frecvenfii

5
5
11
14
17
20
26
30
puiere 31
43 56 61

1. Tranzistoare universale de RF ~i FI-MA-MF 63

2. Tranzistoare pentru frecvenja Intermediara video-sunet TV 70

3. Tranzistoare de FIF ~i UIF . . . 76

E. Tranzistoare de putere AF # !>oleiaj 83

Intr-un buletin tehnic anterior s-a tratat tehnologia tranzlstoarelor, function area si analiza parametrilor principali care caracterizeazii tranzistoarele. Tot in acel buletin s-au analizat condittile Ilmlta de functionare: tensiuni, curenti, temperatura joncjlunii ~i puterea disipatii a tranzistoarelor. Un capitol special s-a rezervat tranzistoarelor de putere cu siliciu. Cunostintele din ace! buletin sint necesare pentru insustrca materialului din prezentul buletin tehnic.

I. TIPURI ~I F AMILII DE TRANZISTOARE CU GERMANIU

Vorn analiza int ii tranzistoarele eu gcrrnaniu, care, asa cum am aratat in capitolul de cunostinte, privind tehnologia, pot fi aliate sau drift. Avem citeva familii de tranzistoare cu germanin:

1. Tranzistoare aliate de joasa Irecventa (AF) ~i mica putere (PNP si NPN).

2. Tranzistoare aliate de joasa frecventa si medie putere (PNP ~i NPN).

3. Tranzistoare aliate 'de putere, pentru audiofrecventa (EFT ~i AD).

4. Tranzistoare drift, pentru frecventa intermediara ~i radioIrecventa L, M, S (EFT 317-319).

1. TRANZISTOARE ALIATE PNP. DE MICA PUTERE

De peste 15 ani se produce cunoscuta familie de tranzistoare EFT 351, 352, 353 ~i EFT 321, 322, 323, ambele serii rezult.ind din aceeasj productie. Seria EFT 350 era destinata etajelor de sernnal mic ~i pentru aceasta, sortarea se facea la curentl mici de colector (1 -5 mA) iar seria EFT 320 pentru etajele finale de midi putere, era sortata la curenti de 100 -200 m A, De fapt erau aceleasi tranzistoare: de pilda EFT 352 cu EFT 322, doar ca la EFT 322 se putea conta mai mult pe conservarea amplificarii ~ la curenti m ari,

Este cunoscut ca aceste excelente tranzistoare au Iost dupa anul 1965 sortate si insemnale ~i dupa tensiune, tranzistoarele fiind notate cu litere (B sau C) care evidentiau clasa de tensiune, astfcl, de exemplu:

EFT 322 EFT 322 B EFT 322 C

..... tensiunea UcBo=24 V UcBo=18 V Ucno=12 V.

"

5

Ulterior, din anul 1970, s-a purees Ia 0 codificare noua a tranzistoarelor pe baza unor criterii mai rationale care tin seama de fabricatie, de dispersia inerenta a principalilor parametri: tensiunea ~i amplifiearea de eurent la Ic=100 mA.

Asa cum este usor de Inteles, din fabricatie rezulta tranzistoare eu 0 tensiune UCBO cuprinsa intre 10 V ~i 60 V, eu 0 anumita distributie de proeentaje, ea de pilda:

2% tranzistoare eu UCBo~10 V
13% tranzistoare cu UcBo=10+18 V
18% tranzistoare eu UcBo=18+24 V
20% tranzistoare en UcBo=24+32 V
25% tranzistoare en UcBo=32-48 V
10% tranzistoare eu UcBo=48 -60 V
2% tranzistoare en UcBo=60 V. Reprezentarea grafiea a aeestei distributii arata ca in fig. 1, in care trastndu-se si 0 linie medie infa~uditoare, se obtine "clopotnl lui Gauss", care nu este altceva dectt 0 lege sau 0 functie de probabilitate (distributie gausiana),

: I

25 .-- j---I-

2.0 I 1/

- - - : - - 1 ~ _

15 j: t

-i- -- - --:- - \- - - - - -

10 - - -/- -,- -- __ - - __ ~_

j I

5 --/- -- _:- - --;_- - - \._ --

I I

UC&o (V)

10 20 30 ItO

50 60

Fig. 1

La fel si amplifiearea de curent (~, h2le,) are 0 distributie gausiana lntre ~=10 ... 15 ~i ~=1f>0 ... 300. Dar ~i frecventa de taiere f T, eare pentru familia de tranzistoare aliate de AF, este tipic 1,5 MHz, variaza de la tip la tip Intre 1 fji 2 MHz.

6

Stirn din capitolul de tehnologie ca daca fronturile de aliere s-au apropiat mai mult, baza rezulta subtire, deci tensiunea de strapungere va fi mica, frecventa de taiere mai marc, amplificarea f3 mai mare.

Codificarca tranzistoarelor dupa tensiunea U eBO:

12 V -s seria 300 adica EFT 301-EFT 302-EFT 303 18 V...-Tseria 310 adica EFf 311 -EFf 312 -EFf 313 24 V...-Tseria 320 adica EFT 321-EFT 322-E:FT 323 32 V -sseria 330 adica EFT 331-EFT 332-EFT 333 48 V -s seria 340 adica EFT 341 -EFT 342 -EFT 343

respectiv:

UeBo ~ 12 V (12 18 V) pentru seria 301-302-303

UeBo ~ 18 V (18 24 V) " ,,311-312-313

UeBo ~ 24 V (24 32 V) " ,,321---- 322-323

UeRo~32 V (32 48 V)" 331-332--333

UeBo~48 V (peste 48 V) " ,,341-342-343

Seria de tranzistoare EFT 351-353 a disparut din Dona codificare. Dupa amplificare, in cadrul fiecarei serii avem terminatia 1, 2 sau 3 cu urmatoarea semnificatie:

1-+~=17 45

2-+~=35 65

3-+~=55 200

(rosu 20 -30 si portocaliu 30 -40) (galben 40 -50 sl verde 50 -60) (albastru 60-75; violet 75-100; alb

100 -150.

Astfel, toate tranzistoarele terminate cu 1 (EFT 311, 321, 331, 341) au amplificarea de curent cea mai mica, cuprinsa intre 17 -45, iar cele terminate cu 3 au amplificarea mare, cuprinsa intre 60 :;;i 200 la curentul 1e=100 rnA.

Stirn deci acum ca tensiunea este exprimata de cifra a doua, iar amplificarea de cifra a treia. Punctul de culoare, in m asura in care apare pe un tranzistor aliat de AF, precizeaza m ai exact amplificarea cu urmatoarea codificare:

rosu 20 - 30(15 - 35) portocaliu 30 - 40(25 - 45)

galben 40 - 50(35 - 55)

verde 50- 60(45- 65)

albastru 60 - 75(55 - 80)

violet 75-100(70-110)

alb 100-150(85-180).,

7

In paranteze sint aratate abaterile fata de categorie care se explica prin imprecizia masuratorii atunci cind s-a Iacut sort area, temperatura de m asurare ~i chiar deriva (modificarea sau evolutia parametrului in timp),

In afar a de tensiune si amplificare de curent, mai trebuie luate

in considerare urmatoarele limite privind puterea si curentul:

P d -puterea disipata la I amhianta de 25°C=250 m W 10M -curentul maxim de col ector (de virf)=250 rnA .

• Privind puierea pe care 0 pol disipa iranzistoarele din aceastii [emilie, trebuie precizaie rezisteniele iermice: RthJ-c (jonctiune-capsula) ~i RtM-a (jonctiune-aer arnbiant) precum Eji temperatura admisa a j onctiunii:

RtIlJ-c= 80°C/W = 0,08°C/m W RtllJ_a=300°C/W =0,3°C/m W.

T}maz=85°C

Se reaminteste corelatia dintre temperatura jonctiunii, puterea disipata ~i temperatura ambianta:

TJ=Ta+Pd' Rtlli-a.

Astfel la la=25°C, cind Pd=200 mW; 100 mW; 25 mW, tranzistorul fiind plasat in aer linistit, se calculeaza temperatura j onctiunii:

Cu 200 mW 1'j=25 +0,2' 300 =25+60=85°C. Cu 100 mW TJ=25+0,1'300 =25+30=55°C. Cu 25 rnW 1'}=25+25 ·0,33=33°C.

Vom putea calcula usor cit este puterea disipata admisa daca tranzistorul (fara radiator) se afla la temperatura ambianta de 55°C (de exemplu intr-un televizor):

P -- 7'1-7'~ _ 85-55 _ 30 --01 W

d- - _- -, •

R'hl-G 300 300

Folosind 0 aripioara de racire cu suprafata de 4 em", avind un colier de contact cu capsula, rezistenta termica scade de la 300°C/W (0,3°C/m W) cca 180°C/W, adica 0, 18°C/m W. (rezistenta termica a radiatorului este de cca 100°C/W, astfel ca impreuna cu RtIlJ_c=80°C/W, fac impreuna 180°C/W).

'8

Cu aceasta aripioara se poate lncarca tranzistorul In Ta=55°C,

eu:

P = 85-55 = 30 =166 rnW.

a 180 180

So. retinem insii cii la Pa= 166 mW,joncfiunea va [i. [carle caldii: 85°C!

• Depasirea eurentului de 250 rnA nu distruge tranzistoruI, cu conditia ea puterea disipata sa nu depaseasca Pa de 150 rnW, eu alte euvinte, scurt tirnp tranzistorul poate suporta ehiar 400 rnA dad U c s nu depaseste 0,3 -0,4 V .

• Amplifiearea de eurent seade pe masura ee creste eurentul, fiind eu 30-35% rnai midi Ia le=250 rnA, deeitla le=10 -20 rnA,

300%

- - - - - - -f ---

1]=25°'

_O~------;-------1-------+-~~Ic

~OO lOO 300 (mA)

Fig. 2

dar este [curie marc aiunci cind temperatura jonciiunii creste peste 60°C. In fig. 2 se arata variatia procentuala a Ie eu eurentul si temperatura.

Periculoasa este zona de ternperaturi a [onctiunii peste 60°C, cind datorita proceselor din tranzislor, amplificarea de eurenL

9

(~, h21) creste de 2 -3 ori ~i conduce la ambalarea termica a tranzistorului si la rapida lui distrugere .

• Coneluzie: puierea disipata a tranzistorului din familia EFT 311 ... 353, nu are voie sa depa*easca niciodaiii 100 m WI Binetnteles ca aceasta conditie se pune atunci cind se urm areste o functionare ahsolut sigura a circuitelor.

In practica, tranzistoarele din familia aceasta sint folosite ca preamplifieatoare de AF, etaje defazoare ~i etaje finale in clasa B.

In etajele preamplificatoare puterea disipata nu depaseste, de obicei, 5 -10 m W, aeeste etaje lucrind la 0 tensiune de 5 -10 V ~i un curent de lueru de 0,5 -2 m A,

In Iunctie de defazor (driver), lncarcarea poate fi de 50 -80 m W, ca de cxemplu la RR Select unde T8 are 10=12 rnA ~i UcE=5 V (Pd=60 mW).

Tranzistorul T8 EFr 322 esLe destul de solicitat atunci eind aparatul este plasat la 0 temperatura ambianta de 35°e. In interiorul aparatului, in zona lui T8, temperatura este de eea 48°e, iar temperatura jonctiunii atinge 66°e, eeea ee se calculeaza eu relatia amintita:

Tj=Ta+Pd• Rt"J_a=48+60.0,3=66°e.

In etajele finale. problema Incarcarii termiee este mai delicata. Este eunoseut ea randamentul teoretic al unui etaj final in eI. B'este de 78 %. Dar in realitate etajele finale nu lucreaza "eurat" in cl. B ci in cl. AB. deoareee au un eurent de polarizare de 3 ... 10 m A, in scopul evitarii distorsiunilor de treeere (de tip (3).

Din aceasta cauz a randamentul unui etaj final uzual este de 65-67%:

"i)C1B=65-67%

Inseamna ea un etaj final de AF eare da in difuzor 0 putere de 0,65 W. consuma de la sursa de aliment are 1 W. Puterea diferenta:

palfm-p, •• =Pd=l W -0,65 W=0,35 W.

de 0,35 W va fi disipata pe eele 2 tranzistoare finale, in mod egal cite 175 m W, ceea ee, inca nu depaseste admisibilul pentru tranzistoarele acestei familii (180 m W la temperatura ambianta de 45°C).

10

Sa nu se uite ca numai curentul de polarizare de 5 -10 rnA in carca cu 25 -50 m W un tranzistor din etajele finale.

Puterea de iesire a etajelor finale in cl. B cu tranzistoare din familia de AF, nu poate deci depasi 0,6-0,7 W, (cazul aparatelor Mamaia, Albatros). Pentru siguranta, in aceste aparate, tranzistoarele sint montate pe mici radiatoare, care dau posibilitate ca tranzistorul sa poata disipa 200 -220 m W la to = 55°C.

2. TRANZISTOARE ALIATE NPN, DE MICA PUTERE

Este mai dificila fabricarea unui tranzistor NPN cu Ge decit a unui PNP cu Ge. Dar eIiminarea transformatoarelor de iesire ~i de defazare, din receptoarele mid, nu este posibila fara crearea unei perechi complementare asa cum este perechea:

EFT 323 +EFT 373

PNP NPN

o pereche de tranzistoare complementare se poate forma din 2 tranzistoare cu caracteristici electrice cit mai apropiate, mai ales in ceea ce priveste:

I} caracteristica Ie= f( U BE) 2) caracteristica hZl1!= f(I e}.

Identitatea caracteristicilor de excitatie Ie= f( U BE) este necesara pentru a asigura curenti egali de colector la cele doua tranzistoare, atunci cind pe baza acestora se aplica tensiunea de audiofrecventa de la etaj ul defazor.

Caracteristica hZ1E= f(Ie} este importanta la orice etaj final, tot pentru a asigura curenti egali de colector, mai ales la excursii mari de curent .

• Tipica pentru tranzistoarele 'NPN este scaderea pronuntata a amplificiirii de curent la curenti mari de colector, asa cum se arata in fig. 3.

Situatia este caracteristica ~i pentru perechile complementare AC 180/181, AC 184/185, EFT 367/377, AC 187/188 ~i in general pentru toate tranzistoarele complementare aliate eu germaniu.

Amplifiearea poate diferi cu eel mult 15-25% la cele 2 tranzistoare; la acest ordin de marime, reactia negativa corecteaza dife-

11

renta de b21, astfel crt dlstorsiunlle semnalului de ]0. iesire se situeaza sub 10%.

Se adopta uneori 0 astfel de imperechere incit Ia curentli mici ~i mijlocii, amplificarea tranzistorului NPN sa fie cu 20 -25% m ai

~T+------r----~~~ O'f+------+--~~---+--

05
I
r~ Ie
011 0,1 ql~ -:I,i QZ 0.2'
Fig. 3 mare, adica eu 0 euloare mai sus decit amplificarea tranzistorului PNP; datorita scaderii mai mari a lui h21E la curenti mari, amplifiearea tipului NPN nu va fi declt cu 15 -20% mai mica declt cea a tranzistorului PNP. Aceasta se vede bine in fig. 4 in care se arata earaeteristiciIe reale h21E= {(Ic) 10. 0 pereche EFT 323 alb astru -EFT 373 violet fat a de 0 pcreche EFT 323 violet - EFf 373 violet.

Se vede din fig. 4 a ca "desperecherea" volta cu 0 culoare, conduce la caraeteristici mai apropiate in zona curentilor mari de colcctor (0,25 A) in limp ce imperechcrea la culoare asigura 0 identitate m ai buna pina la cca 65% din'Ic max (0,15 A). Se arata mai j os ~i caracteristica distorsiunilor la acelasi amplificator echipat cu perechea A si cu perechea B, la care excursia maxima de curent ICM=0,2 A.

Se observa ea la perechea A, diferenta amplificarilor este mai mare la curenti de 50 -100 rnA ~i ca urmare distorsiunile ]a puteri mici sint de 2 ... 3%, obtinindu-sc 10% distorsiuni la puterea de 0,35 W. Cu perechea B, Ia care diferenta amplificarilor Ia curenti mici este relativ mica, se obtin distorsiuni de 0,5 -1 % la puteri ptna la 0,2 W, dar puterea cu 10% distorsiuni este de 0,3 W deoarece la peste 0,2 A, vezi fig. 4 h, diferentele de ~ sint importante, mergind ptna la 50%.

12

Cum Ia tranzistoarele NPN de tipul EFT 373, amplifiearea este cuprinsa intre 50 si 150, impereeherea se face eu tranzistoare EFT 322 ~i EFT 323. lntrucit Ia RR aIimentate eu tensiune mica este posihila utilizarea ~i a tranzistoarelor de 18 ~i 12 V, este uzuala

0,05 0,' a,IS 0,2.

a

Fig. 4

to q ,

1

" 6

It a t

c.~~~~~ __ ~~~+-~~

Fig, 5

si imperecherea lui EFT 373 eu tranzistoare EFT 312/313 ~i ehiar EFT 302/303. irnportanta Iiind cIasa de amplifieare de curent si nu tensiunca UCBO sau UCEO'

13

Exact aceleasi probleme de imperechere se pun la perechea complementara AC 180 K +AC 181 K, unde este posibila imperecherea tranzistorului PNP AC 180 K eu un tranzistor NPN AC 181 K de 0 clasa superioara ea amplificare, de exemplu AC 180 K VI cu AC 181 K VII sau AC 180 K IV eu AC 181 K V.

3. TRANZISTOARE ALIATE Ge PNP ~I NPN DE MEDIE PUTERE

In aceasta categorie intra 2 familii moderne de tranzistoare aliate:

PNP: AC 180 K, AC 180, AC 182, AC 184, EFT 367 NPN: AG 181 K, AC 181, AC 183, AC 185, EFT 377.

Capi de serie in aceste familii sint tranzistoarele: PNP-AC 180K, ~i NPN-AC 181 K.

Tipic pentru aceste tranzistoare este curentul de coleetor maxim admis de 1,5 -2 A, datorita unei foarte bune cedari a caldurii de Ia jonctlune la capsula, asigurata prin "eonstruetia" interioara a sistemului. Tranzistoarele AC 180 K ~i AC 181 K au 0 rezistenta termica jonctiune-capsula Rellle de eel mult 30°C/W. Cu alte euvinte at unci clnd tranzistorul AG 180 K este inciircai cu 1 W, jonciiunea este mai calda dedi supraia!« exterioard a capsulei cu eel mull 30oG, dar numai 'in situaiia cind prism a metalled K a capsulei esie montatii pe un radiator metalic.

Daca lnsa tranzistorul AC 180 K sau AC 181 K se afla liber, nefixat de vre-un radiator, rezistenta termica Intre jonctiune ~i ambianta R,lIJ_ ~ 170°CjW, face ca tranzistorul sa nu poata disipa mai mult de 300-320 mW.

o alta caracteristica a tranzistoarelor de medie putere este conseniarea amplificiirii de curent ptna Ia 1,5 A Ia tipul PNP AC 180 K si ptna la eea 1 A la tipul NPN AC 181 K, asa cum se arata in fig. 6.

Dar deoarece caracteristiea amplifieiirii de eurent este diferita la cele doua tranzistoare, fiind mai cazatoare la tipul NPN, imperecherea pentru etajele finale complementare se face in 2 puncte: Ia 50 mA ~i 600 mA. Chiar sortarea tranzistoarelor dupa

14

clasele de amplificare ~ (sau hUE) se face la curentul de 600 rnA, astfel,

clasa IV V VI' ii' VII VIII j

h21E 20 -65 50 -100 75 -150 125 -250 200 -400.

Se vede in fig. 6 ca daca un tranzistor AC 181 K are la lo= =600 rnA hZ1B=65 (deci face parte din clasa V) acesla are la 10=

0)

Fig, 6

=50mAunh21E- de cca 100. La L1Jl PNP-AC 180 K, Cilldh21E 600mA = = 65, se lntelege ca h21E 50 rnA va fi de cca 70, deoarece ~ nu scade asa de mult. Imperecherea are Ioc in principal Ia 600 m A, unde h2lE nu are voie sa difere cu mai mull de 25% (de Ia PNP la NPN).

Cu aceasta imperechcre se obtine un paralelism acceptabil lntre cele 2 tranzistoare ~i ca urmare un nivel mic de distorsiuni. • Problema care mai apare este ca tranzistoarele NPN au 0 caracteristica de transfer mai "lene~a" in sensul ca este necesara 0 tensiune de "deschidere" U BE mai mare decit la tipurile PNP.

Astfcl pentru ca prin "traseul" colector-emitor sa curga 600 rnA, este necesara la AC 180 K 0 tensiune de cca 0,45 V, in timp ce (vezi fig. 7 b) tipul NPN AC 181 K "cere" 0,55 V. Altfel spus, 0 tensiune U BE de 0,4 V Iorteaza prin AC 180 K un curent de baz a de cca 5 rnA, in timp ce la AC 181 K curcntul bazei va Ii de 3 rnA.

15

Cum tnsa amplificarea lui AC 181 K este en cca 30% mai mare decit la AC 180 K, in domeniullOO-500 rnA, se ajunge la curenti pe colector relativ aproplati in zona unde cele 2 tranzistoare par neimperecheate, daca privim caracteristicile din fig. 7 a.

N ecazul apare la curenti mai mati de 600 rnA, unde pe de 0 parte scade hUB (~) ~i reduce curentul Ie. iar pe de alta parte curen-

I

NP~ AC 181.1( ~

,.-:

___ ,-,.' ~h70

20

0,1

O,eA

a)

Fig. 7

tul Ie tinde sa fie mai mic datorita tensiunii U BE, insuficienta pentru excitarea tranzistorului NPN. De aceea etajele cu tranzistoare complementare se dimensioneaza astfel ea ICM (curentul de virf de colector) sa nu depaseasca cu mult valoarea curentului de imperechere, deci nu mult peste 0,6 A).

o compensare mai corecta a dezavantajelor tranzistorului NPN, se obtine luind tranzistorul NPN la 0 clasa de amplificare mai mare decit tipul PNP, lucru mentionat inca odata atunci cind s-a analizat perechea EFT 323/373.

*

Din Iabricatia curenta tranzistoarele se sorteaza Intr-o anumita ordine care permite departaj area ~i a unor tranzistoare foarte bune, pentru etaje finale de putere mai mica sau pentru etaje prefinale san preamplificatoare.

16

AC 180 EFT 367 AC i84 AC 182

Astfel, din tehnoiogia de medie puiere PNP se obiin lipurile:

AC 180 K -tranzistor eu conservarea hUE ptna la 1,5 A (eu radia-

tor K prism a.)

-identic eu AC 180 K, dar fara radiatorul prisma.

-tranzistor cu conservarea hUE ptna la 1 A, fara prism a K.

-tranzistor cu conservarea hUE pina la 0,5 A, Hira prisma.

-tranzistor cu hUE mare plna la 0,2-0,3 A (prefi-

nal de calitate).

Din tehnologia de medie puiere N PN se obtin iipurile:

AC 181 K-tranzistor ell h21E=f (Ic) acceptabila p lna la 1 prisma K.

AC 181 -tranzistor identic, dar fara radiatorul K.

EFf 377

A; cu

AC 185 AC 183

-tranzistor ell eonservare acceptabila plna la 0,5, A, fara prisma.

-Conservarea hUE plna la eca 0,3 A, rara radiator prism a.

-Tranzistor eu hUE mare ptna la 0,1-0,2 A (prefinal

de ealitate).

Pereehi complemeniare PNPINPN

Acestea se pot forma din tranzistoare eu conservare asemanatoare a amplificarii, Deoarece lnsa h2lB la tipurile NPN seade mult eu cresterea Ie, etajele finale se proiecteaza astfel ineit I CM* (valoarea de virf a eurentului Ie din etajul final) sa nu depaseasca 0 anumita valoare rezonabila,

AC 180 K +AC 181 K EFT 367 +EFT 377 AC 184 +AC 185 EFT 323 +EFf 373

ICM=0,8-+-1 A ' I cM=0,4-+-0,5 A I cM=0,25-+-0,3 A IcM=0,25 A

Pies maa:~3 W P, •• ma2l~1,15 W p ••• ma",~0,7 W P,u masQ60,5 W.

* Pe tranzistoarele destinate pereehilor eomplementare se ana, in af'ara de eodul ~i elasa de amplifieare, un numar compus din 2 cifre, care semnifica clasa de Imperechere: astfel stnt pereche toate tranzistoarele care au aceiasi cifra de Imperechere (PNP sau NPN).

Tranzistoarele PNP si NPN ali ate din familia AF de mica ~i medie putere stnt prezentate, pentru 0 mai usoara depistare ~i eomparare lntr-un tabel eomun:

2 - Bulet1n tebD1c Dr. I

17

1 __ .,....-_1 --------- - ------ ----;--.---7--------\-~-------

.S ";

<.l e

I

;;

<l}e ...

I

I

I~ ....

I I

I'- \~

... C';)

I

>t:l C';)

I

I'...

1 __ +-_1 __ -;-_+- ····_ .-------- ----7---+---7----c-------- - -.--

18

.1')00 l ..... 0 r ..... ... ...

I I I

11':1\('')0 ... eo e

II II II ..-.:~U

o 'f) C't

..-.:

...

.,...,:: .~ N

i3"::

-

8

...

I o ...

I ~

2'

19

ETAJE FINALE CL.B IUM U.tLlM Ba(di!) p •• , •• s P,,, 10'1(, P,,, 1%·
(max)
EFT 323+EFT 373 0,25 A 6V 8.0 O,45W 0,35 W O,25W
EFT 367 + EFT 377 0,5 A 9V 8D 1,15 W 0,9 W O,75W
6V 8.0 0,5 W 0,4 W 0,3 W
AC 184+AC 185 0,25 A -- --
12 V 24.Q 0,7 W 0,6 W 0,5 W
9V 4.Q 2,1 W 1,75W 1,6 W
AC 180 K+AC 181 K 1 A -_
12 V 5.Q 3 W 2,5 W 2 W
AC 180K+AC 180K 1,5 A 15 V 5.Q 4,5 W 3,9 W 3 W 4. TRANZISTOARE CU Ge, PNP, ALIATE, DE PUTERE

Programul IPRS of era 0 serie de tranzistoare de putere, destinate etajelor de audiofrecventa, unele in capsula mare T03, iar altele in capsula mai mica SOT9 (tipurile AD 152, AD 155).

Avem trei familii de tranzistoare dupa marimea curentului de col ector:

1) IcM= 2A AD 152, AD 155
2) IcM= 3A AD 130, 131, 132; AD 149; EFT 212, 213.
214; EFT 250,
3) IcM=10A ASZ 15, 16, 17, 18. Pentru retinerea parametrilor principali am intocmit tabelul de mai jos:

20

~ I ~ I ~ I M I M I M I sis Is 1;-

~ I ~ I g I ~ I gl g-------l g I ~ I ~ I g

~ I ~ I ~ I g I ~ I g r § I ~--I gf@ I--~--I-~----ll-~-T-I-~---+-I-~--------ilr-----~-----;----I-~--i-I-~-------tr~ If-'~

.t:: .9

-

.S

od f

0;) c"

> ~ ~ ~ ~ ~ I 11') to- 000

~ ,~ I ~ I ~ I ~ I ~ I~ I~ I~ I~ ~ I ~ I ~ I ~ I ~ I ~I~----I~ I~ I~

8

....

gl

e

~

....

o <:

11') ~ to- CIO

...-I ....... 'I"""i T""'i

N N N N

CIl CIl CIl CIl

<: <: <: <:

o <:

21

TRANZISTOARE DE PUTERE DIN FABRICATIA ANIWR 1960-1970·

C in parantezi elite trecut tipul nou, inlocuitor)

I .S ~ € ~ E
>- .9- 'OJ s 'N' E C,)
'J'rnn'l.istor ~ ~ ., " s II: " ;;.,
"
'" r.l "" .... e ...
0-1 ~ ..," e ~ II II
'" ..,8 ~ .~ '" ~
~ '" ;;;,'" .. ." '" .. .. ~ .... r;. "'t.
:::. ""~ ;;;, ~ ..... ~It
-~-- •....... -.---- ..
EFT 212 PNP .'10 20 3 40 0,4 3 0,2 2 85 20W
*(I\D 130) 20-150
-- -- ---- - -- - -- --
EFT 21:1 PNP .j() :10 ::I 40 0,'1 3 0,2 2 85 20 W
"(AD 130) 20 --IW
.- -- -- - -- - -- - -- --
EFT 214 PNP (i0 ,10 :1 '10 0,4 3 0,2 2 85 20W
*(AD 1:U) 20--1;)0
- _. --- -- - - --
EFT 250 PNP 110 60 3 40 0,1 3 0,2 2 85 20W
*(AD 1:32) 20---150
--_ .. _-_ ..... __ .. • T'ranzistoarele AD 152 sl AD 155 admit un 1cM=2 A eu 0 eonservare buna a curentului ptna Ia 1 A ~i doar acceptabila spre curenti de 2 A, asa cum arata fig. 8 a.

Pentru fort area unui curent de 2 A, tensiunea UBE necesara este de eca 0,8 V eu dispersie cuprinsa intre 0,65 ~i 1,15 V. Avind 0 amplificare mai buna (hzu.:) tipul AD 155 se excita mai usor declt AD 152, neeesitind 0 putere mai mica a etajului prefinal, ceea ce se vede in fig. 8b .

• La un etaj final de putere cu 2 tranzistoare PNP, a carui schema simpliticata este aratata in Iig, 9, avem urmatoarele marimi caracteristice:

a) Tensiunea maxima la care este supus un tranzistor: U CEm",.= =0,5 UB'

UB

- -Uc

2 E &41 U

b) Curentul de virf de eolector: 1cM = ~ _B_

R,+RB - 2R.

22

Fig. 8

Fig. 9

/

23

c) Puterea de iesire maxima: P f., 111e:z;

P _ (UB-2· Ucz .",-2RBICJI U~

'.,mes- = ~ --

8(R.+ RB) lOR,

d) Puterea pierdut.a=s P dlsipata de ambele tranzistoare, are loc la 0,5 P,., me:z; ~i este data de relatia:

P,,=O,33· p,., me:z;+UB' 10 ""'0,37P,., me",'

e) Curentul continuu mediu absorb it Ia Pt., mll:Z; din sursa de alimentare:

1 rv 1,5' P, .... .., oma» = UB

• Cu aceste valori sa determinam m arimile principale ale etajului final (un canal) al RR "BUCUR" stiind ca tensiunea redresorului stabilizat, care alimenteaza etajul final, este de cca 22 V la 10=0,65 A ~i ea difuzorul are rezistenta in c.c, egala cu 4,5 .Q iar tranzistoarele AD 152 (AD 155) 0 tensiune de saturatie de 0,9 V la 1#:=2 A.

Se determina:

,

1 - 11-0,9 -2A P _ 22-2·0,9-2· 0,5: 2 ~ 18,2' -825 W

CM- 4,5+0,5 - fe, mll"'- 8(4,5+0,5) - 40 - ,

P ,,=0,33.8,25 +22.0,015=2,73 +0,33=3,06 W

P,,=I,53 W pe fiecare tranzistor 10 mil'" = 1,5·8,25/22=0,57 A .

• Tranzistorul AD 149 este utilizat in stabilizatorul de tensiune al TV portabil "Sport". Curentul care trece prin tranzistor este chiar consumul de cca 1,8 A al televizorului. Tensiunea UCB la bornele tranzistorului este variabila ~i anume: cca 5 V la Ure,ee= = 220 V, fiind diferenta dintre tensiunea de 15,5 V la bornele C 404 (2200 ELF) ~i tensiunea la iesirea stabilizatorului: 10,5 -10,8 V. La tensiunea de retea de 242 V, (+10%), tensiunea continua pe C 404 este de 17,1 V astfel ca UcE=17,1-10,5 ·6,6 V. In aceasta situatie Iirnita, puterea disipata de tranzistor este:

P,,=6,6.2=13,2 W.

24,

Stiind ca Rthf_c=2°CjW, rezulta ca jonctiunea este cu cca 30°C (2°CjW ·13 W = 26°C) mai caldli decit capsula. Temperatura capsulei este de cca 45°C atunci cind temperatura camerei este de 30°C; aceasta inseamna cli j onctiunea are cca 70°C, tranzistorul fiind aproape de limita superioara a temperaturii maxime admise (90°C).

* Inlocuirea tranzistorului AD 149 eu un tranzist~r din seria ASZ, de exemplu ASZ 16 sau ASZ 17, este 0 solutie pentru a asigura 0 mai mare Habilitate televizorului intrucit la 13 W, diferenta de temperatura jonctiune-capsula va fi doar de 20°C, deoarece R'lIfC= 1,5°CjW Ia seria ASZ.

Cu 0 pereehe de tranzistoare ASZ 15 se poate realiza un amplifieator de AF a carui putere §i principale date Ie putem usor deter-

mina:

a) Tensiunea de alimentare poate Ii de 30 -50 V deoarece

UCEo~60V. .

b) Curentul de virf lCM poate fi de 8 A dar in scopul Iunctionari intr-o zona mai lineara a earacteristieei h21E=f(Ic), admitem 5 A Alegem: UB=40 V §i lCM=5 A. Rezulta R, (difuzoruI) din relatia

leM:::::: UB sau R.= uB = ~ =4.0

2R 210M 2.5

Puterea maxima de iesire (fara rezistente de emitor de 0,5 .0) va fi:

rv ui 1600

Pce, maz = - = -- Q;o40 W.

10R, 40

Mai exact,

.. (40-2' 0,35-2'0,5·5)" =36 W 8(4+0,5)

deei: Pte, maz=36 W. (Ia care distorsiunile pot fi 13 -17%).

Se poate eonta ca Ia 25 W distorsiunile vor fi de ordinul a 2 -3%, eeea ee se verifica in practica. Curentul eontinuu necesar:

1,5' 36W

lo.naz= rv 1,35 A.

40V .

•

..

25

J

5. TRANZISTOARE DRIFT PENTRU FI ~I RF

Familia de tranzistoare drift euprinde tipurile EFT 317, EFT 319, EFJ' 320.

Al]a cum se stie, frecv enta de taiere f T a acestor tranzistoarc este de 30-40 MHz. Intelegem deci ea la f=30-40 MHz, amplifiearea ~ in eurent alternativ devine 1; eu alte euvinte la aeeste frecvente tranzistorul drift nu mai amplifies un semnal aplieat la intrare, deoareee raportul ~ dintre eurentul alternativ de colector l]i curentul alternativ al bazei este 1. Sa retinem ca:

La l=t- ~=Ic"" =1, deoarece fT=f'~l'

1B""

Pentru imediata comparatie, tranzistoarele moderne, succesoare ale tranzistoarelor drift, si anume familia BF 214 -BF 215 au fT=250 MHz.

Ca urmare, tranzistorul BF 214 va ave a la Irecventa de 30 MHz o amplifieare ~ in curent alternativ egala cu:

~....., = ( .. (MHz) = 250 f",J 8 deoareee fTr::::!.f • ~1

30 MHz 30

Aeeasta Insearnna de pilda eft 0 tensiune de FI de 1 mV (eu frecventa de 30 MHz) aplicata pe haza va "produce" in eireuitul de eoleetor 0 tensiune de FI de 8 mV.

Tranzistoarele EFf 317, 319, 320 pot insa functiona ea amplifieator in mod satistacator ptna la frecventa de ordinul a 10- 15 MHz, adica pina la cca 0,5 fT' ceea ce este valabil pentru toate tranzistoarele de Inalta frccventa.

Prima reflexie: tipurile BF 214 -215 avind fp=250 MHz, pot lucra satisfacator ptna la frecventa de eea 120 MHz, adica in gama de UUS sau in primele canale de televiziune (canalul 5 are max 100 MHz), dar nu la 200-300 MHz (canalele 6-12 de TV) [Aviz eelor ee lnlocuiesc pe BF 200 (fT= 500 MHz) cu BF 214 (f'1'= = 250 MHz) in selectorul de canale TV) .

• Intr-un etaj de FI-MA tranzistorul drift EFT 319 este ins a aproape egal eu tranzistorul BF 214, deoareee la f=0,5 MHz cste putin important daca frccventa fT a tranzistorului este de 50 ori sau 500 ori mai mare declt f de lucru. Si aceasta deoarece panta S sau (Y21) a unui tranzistor de lnalta frecventa este cam la fel

26

de mare attt timp cit frecventa de lucru este de 10 ori mai midi decit fT, asa cum se vede din fig. 10, unde pina 1a cca 0,1 fT panta este constanta lji egala cu 35 rnA/V (la 10= 1 rnA).

i--~-----35mA/" 10. Ic= 11114'

151

J ~)

I

O,fj-r

Fig. 10

Altii sint factorii care vor influenta asupra ampliflcarii de FI lji anume rezistentele de intrare ~i de ieslre, care sint cu atit mai mari cu cit tranzistorul estc mai bun.

~---Au ---...-t

Fig. 11

Pentru a intelege cum parametrii y ai unui tranzistor influenteaza amplificarea unui etaj de FI, vom prezenta schema electrica simplificata a acestuia (fig. 11):

n= WI =20 W.

1 Ro=-- 2r.CB.

Rs=Ro II R22 II Rll·n2 Au= S· R.

n

27

Din eei patru parametri y (eu 8 eomponente) ne intereseaza,

in prima analiza, numai 3 eomponente sau mariml:

Ru=rezistenta de intrare in schema eu emitorul eomun (EC) R22=rezistenta de ieslre

Y21s=moduIuI admitantei de transfer sau panta S.

Luam cele 2 tranzistoare diseutate: EFT 319 ~i BF 214 eu urmatorii parametri Ia UcE=10 V, Ic=l rnA ~i {=0,5 MHz:

__ I EFT 319 I BF 214 I
Ru 1 2 Kf!
R" 300 1 000 Kf!
S 35 '10-' 35· 10-' A/V Uzual avem: Co=lnF (l'lD-'F) Qo=90 455

Bo= - =5 KHz 90

1

Ro= =32,103 (32 Kil)

6,28 • 1 . 10-8 • 5 . 10'

Deci In gol, fara tranzistoarele T 1 ~i T 11 eoneetate la eireuitul aeordat, reztstenta Ia rezonanta Ro a eireuitului de FI este de 32 Kil.

Coneetind tranzistorul Tl in punctul A rezistenta de iesire R22 (de 0,3 Mil la EFT 319 si de 1 Mil Ia BF 214) va amortiza un pic circuitul aeordat, rezultlnd: .

la 319 R=32 Kill1300 Kil-+29 KQ (90% din 32 xo deei Q,=81) la 214 R=32 xn I 1 MQ-+31 Kil (97% din 32 KQ deci Qs=87).

Deci factorul de ealitate seade de la 90 Ia 87 in eazuIIui BF 214 ~i la 81 in cazul lui EFT 319, iar banda de trecere creste eu 3% ~i respeetiv 10%.

Coneetind tranzistorul Ta, rezistenta de intrare Ru a aeestuia va amortiza ~i ea eireuitul aeordat de FI, dar prin intermediul raportului de transform are n=20, astfel ea Ru este transpus eu n2 Ia cireuitul aeordat: n1l=400.

28

Ca urmare amortizarea datorita Ru va fi:

la 319: Rn=n2Rll=400·1=400 KO la 214: Rn=n2Rl1=400'2=800 KO.

Rezulta deci Rs'

la 319 la 214

Ra=32 KO II 300 KO II 400 KO=27 KO Rs=32 KO II 1 MO II 800 KO=30 KO.

Cu aceasta calculam amplificarea etajului:

Au>=' 27'103'35'10-0-=47,3 ori (33,7 dB) 20

30 • 10' . 35" 10-1

Au= =52,5 ori (34,2 dB)

20

care rezulta eu 0,5 dB mai mare in cazul Iolosirii tranzistorului BF 214, ceea ce este cu totul nesemnificativ.

Concluzii: CD pentru FI -MA (455 KHz), tranzistoarele drift EFT 319 sint excelente, chiar daca rezisteuta de iesire este mai mica (de ordinul a 100 -200 K la EFT 319 verde F sau 319 alhastru E); ~ Este deci clar ea inlocuirea tranzistoarelor din ultimul etaj de FI nu este critica chiar daca amplificarea de curent continuu ~ are valori mici, de 10 -20, deoarece panta este cea care conteaza 1}i nu ~. Q) folosirea in FI a tranzistoarelor EFT 317 s i EFT 320 este posihila in Ioeul tipurilor EFT 319, deoarece Ia r == =0,5 MHz, e.; RZ2 ~i S sint identici.

Tot asa ins a trebuie sa nu se uite ea in etajul at doilea de FI, care este comandat de RAA, este necesara folosirea unui tranzfstor cu ~ mare (amplificarea de c.c.) ca si la EFT 319 albastru, Tip inlocuitor poate fi EFT 317 sau EFT 320 eu ~ mai mare de 50 sau un tranzistor EFT 319 verde ales ca sa aiba ~> 50 .

• In etajele de RF UI:. ~i UM (0,15 -1,6 MHz) tranzistoarele EFT 319, verde, verde F sau albastru, albastru E, fac foarte bine Iunctia de mixer autooseilant fara sa se observe modificari ale senaibilitatii (ampliflcaril).

• In postul de mixer autooscilant de un de scurte, sau de oscilator de seurte, Inlocuirea tranzistoarelor mal bune (317) prin 319 se poate face numai prln incercarea aptitudinii exem plarului in cauza de a oscila la 0 tensiune de alimentare de 50% dill

la 319

la 214

29

tensiunea nominala (cazul RR AIfa, Milcov, cu US, etc). Aceasta deoarece in postul de oscilator, parametrii m asurahili nu pot fi corelati usor cu conditiile in care este pus tranzistorul sa oscileze (cuplajul de rcactie, dispersia ~i tolcrantele montajului etc).

Trebuie jnsa mentionat ca tranzistoarele drift 317 -319 vor dispare in anii urm atori din aparatele noi deoarece tehnologia planara face posihila fabricarea unor tranzistoarc superioare si tehnic ~i sub aspectul economic.

*

Cu aceasta se inchcie capitolul tranzistoarelor cu germaniu. S-a ciiuta: in permanentii ca volumul de cunostinie $i informaiii sa fie astje! prezeniat inctt sa fie uti! $i pentru iranzisioarele cu siliciu $i mal ales penlru lnleleqerea coreciii $i pe a cole simplii a mulier probletne.

*

* *

II. TIPURI ~I FAMILn DE TRANZISTOARE CU SILICIU

Procesul de inform are si de cunoastere trebuie sa se concentreze de acurn in mod special asupra tranzistoarelor moderne Cll care deja lucram ~i care se VOl' generaliza in scurt timp .

• Cunoastem acurn doar citeva tipuri de tranzistoare cu siliciu mai rasptndite: BC 107 -108 -109; BF 214 -215; BF 200; BF 167-173; BF 178 sau tipurile BF 182-183 care au si iesit deja din uz. Apar in aceste zile pc agenda, tranzistoarele de UIF BF 180 si BF 181. Toate acestea sint tranzistoare NPN, majoritatca lor fiind ins a tranzistoare "mici", adica de 100 -200 rn W ~i de joasa tensiune (15 -45 V). Doar BF 178, excelent amplificator final videg__(mai bu~_g_eci!...J!l!J?f.!-: .. ?Q.Q).._g.ste un tranzistor de 160 V cu p~isipata de 2-3 W .

• A aparut de citeva luni 0 avalansa de tranzistoare complecL noi, a caror cunoastere dcterrnina munca de fiecare zi. Scopul acestui important capitol este prezentarea ~i clasificarea noilor tranzistoare ~i gruparea lor astfel incit sa devina la fel de usor de cunoscut ca ~i tipurile cu care slntem deja obisnuiti. VOl' intra in uz tranzistoarc NPN ~i PNP de putere mica, de medie putere,

30

de comutatie, tranzistoarc cu tcnsiuni pina la 1 500 V. Majoritatea covirsitoare a tranzistoarelor mici au deja capsula de plasticpe linia economiei de met.ale si ore masini de prelucrare - -?i chiar tranzistoarele de putere in plastic, vor domina pc cele in vechea ~i scumpa (de dona ori m ai scumpa decit structura) capsula din metal TO 3 .

• Inainte de a analiza fiecare familic de tranzistoare cu siliciu vom prezenta intr-un Label sin optic toate aceste familii, cu tipurile muIte ale fiecarei familii. Tipurile foarte multe se deosebesc in general prin capsula si extrem de putin sub aspectul parametrilor electrici, fiind in principiu intcrsanjahile. Dupa cum se va vedea in tabel, capsulele de plastic sint I?i cle diferite intre ele ;;i uneori ehiar ordinea terminalelor este alta, deoarece capsula depinde de coustructia interioara a suportului metalic pc care este Iixat sistem ul (struc tura).

A. TRANZISTOARE Si PNP ~I NPN DE AF ~I COMUTA'fIE, DE MICA PUTERE

Sint foarte eunoscute ptna acum tranzistoarele NPN cu siliciu Be 107 -Be 108-Be 109 utilizate in etajele de audiofrecventa ale radioreceptoarelor precum I?i in etajele cele mai diverse (de audiofrecventa, de comutatie sau prefinale video) ale tclevizoarelor.

1. TRANZISTOARE NPN

Familia Be 107 -108 -109, in capsula metalica TO 18, se produce pe plan mcndial din anii 1965 -1966, de catre aproape toate firmele de semiconductoare: Philips cu sucursalele (Valvo, MBLE, Mullard, La Hadiotehnique) apoi Siemens, AEG-Telefunken. SESCOSEM, ATES-SGS, Texas Instruments, Motorola, Fairchild etc.).

In ullimii ani se Iabrica trauzistoare similare si echivalente tipurilor BC 107 -108 -109, dar in capsula de plastic. Dupa reznlvarea marilor probleme de impcrmeabilitate a matcrialului plastic, din care se toarna capsulele diodelor si trauzistoarelor, tehnologia in plastic a devcnit mai productive iar tranzistoarele in plastic mai ieftine eu 20 -40% decit echivalentele lor in metal.

31

1. TRANZISTOARE DE AF $1

CAPSULA METAL PLASTIC
UcBo=45 V BC107 BC 171
NPN UcBo=20 V BC108 BC172
AUDIO ~I COMUTA- UcBo=20 V BC109 BC 173
TIE
PL. EPITAXIALE F=3dB

~ -=100-1000 ,~ fgeB
ICM=2oo rnA
Iv =100 rnA
P" =0,2-0,3 W ~
''1' =150-300 MHZ'
F =2-10 dB
PNP CAPSULA METAL PLASTIC
AUDIO ~I COM UTA-
TIE UcBo=-45V BC 177 BC251
PL. EPITAXIALE
UvBo=-20V BC 178 BC252
UcEo=-20V BC179 BC253
F=3dB 2. TRANZISTOARE NPN $1

I I UOBO (V) I IT OEO (V) I Io (A)
BD 135 45 45 1
NPN
PL. EPITAXIAL BD 137 60 60 1
Rt~lc=10°C/W BD 139 80 80 1
--
BD 136 - 45 -45 1
PNP --
PL. EPITAXIAL BD 138 - 60 -60 1
R'''lc=10°C/W --
BD 140 - 80 -80 1 32

COMU'l'ATIE NPN $1 PNP ns MICA PUTERE

PLASTIC PLASTIC PLASTIC EPOXY PLASTIC
BC237 BC 147 BC 167 BC207 BC547
BC238 BC148 BC 168 BC208 BC548
BC239 BCl49 BC169 BC209 BC 549
6 £ 8 ~ ~ :::§fd
1f ~
~C g-E 'jB
6 0
, <! 8 a
PLASTIC PLASTIC PLASTIC EPOXY PLASTIC
BC 307 BC 157 BC257 BC204 BC 557
BC308 BC158 BC258 BC205 BC 558
BC 30!) BC159 BC259 BC206 BC559 PNP DE MEDIE PUTERE

I I I' ,. I IT (MHz) I
ICM (AI PI!. 'G=4S·C PiJ.oo(W) I'UE capsula
(WI
1,5 1 6 40-250 100 ~
1,5 1 6 40-160 100 "'
1,5 1 6 30-140 100 u'
@],f,
40-250
1,5 1 6 50 J.
..• I _:,,.' ~~~
1,5 1 6 40-160 50
,I'-'··~
1,5 1 6 30-140 50 3 - Buletin tehmc nr, 3

33

I I UCllO (V) I UCEO (V) I Ic(A)
ED 2:~3 45 ,15 2
NPN
EPIBAZA BD 2:35 60 60 2
R'hfc= 5"C/W --
BD237 100 80 2
--
ED 234 - 45 -45 2
PNP --
EPIBAZA BD236 - 60 --- 60 2
Rtblc= 5°C/W --
BD238 --100 -80 2 3. TRANZISTOARE NPN

I UCBO (V) I UCEO (V) I I ICM I cue typ IT (MHz)
UEDO (V) I {mAl (pF)
-_.
BF 177 100 100 5 50 2,7 120
BF178 160 160 5 50 2,7 120
BF 179A 180 185 5 50 2,7 120
--
BF 179 B 220 220 5 50 2,7 120
BF 179 C 250 250 5 50 2,7 120
BF257 160 160 5 100 4,2 90
BF258 250 250 5 100 4,2 90
BF300 300 300 5 100 4,2 90
BF457 160 160 5 200 4,7 90
--
BF458 250 250 5 200 4,7 90
--
EF459 300 300 5 200 4,7 9'b
._--- 34

Tabel (continuare)

-- -- ._---
5 1 20 30-250 3 ~~
5 .,.,.., 1 20 25-200 3
5 1 20 20-150 3
~1

5 1 20 30-250 3 _l
5 1 20 25-200 3
5 1 20 20-150 3 BC£ IT (MHz) I

capsula

FINALE VIDEO

B I Pa(mW) 1 U,hl' I Tim." "C P,.,"" (W) I
la 10 V/300 mA I~_ t.=·i5°C (OC/W) capsula
----
>30 500 50 150 2,2 f~C
>25 500 50 150 2,2
>20 500 50 150 2,2
>20 500 50 150 2,2 TOJ9
t--l ~i, 5"1-
>20 500 50 150 2,2 6,G 1 1;
>25 700 :10 175 3,5
f
>25 700 30 175 3,5
>25 700 30 175 3,5 ¢O.s
>25 1000 10 150 8 11
--
>25 1000 10 150 8
>25 1000 10 150 8
. B c £ 35

Capsulele de plastic sint foarte difcrite ca forma si doar din aceasta cauza apar multe tipuri de tranzistoare, care in fapt sint echivalente sau chiar identice, precum cele de m ai jos:

45 V BC 107= BC 147=BC 167=BC 207=BC 237=

=BC 547=BC 171

20 V BC 108=BC 148=BCf168=BC 208=BC 238= =BC 548=BC 172

20 V BC 109=BC 149=BC 169=BC 209=BC 239= =BC 549=BC 173.

Proprietatlle prlncipale ale acestei familii de tranzistoare, planar epitaxiale, vor fi analizate in cele ce urmeaza:

A. Puterea disipaUi.

La temperatura amhianta de 45°C, toate tipurile pot disipa eel putin 200 mW, Pd=200 m W. Unele tipuri in plastic au Pd=250 mW (BC 171, 172, 173; BC 237, 238, 239; BC 167, HjS, 169) iar tipurile in metal tot cca 250 mW. Hezistenta termica intre jonctiune ~i mediul ambiant este, la aceste tranzistoare, RtllJ_a.=O,5°C/W. Nu se recomanda ca aceste tranzistoare sa fie utilizate la puteri mai marl de 150 mW pentru ca temperatura j onctiunii sa nu depaseasca niciodata 125°C. In acest fel se asigura fiabilitatea in timp a acestor tranzistoare. Daca tranzistorul lucreaza intr-o temperatura ambianta de 75"C, puterea maxima ce 0 va putea disipa se determinii cu relatia cunoscuta:

Pd= TJ .. a~-Ta=125-75 =100 mW

Rt_J-a 0,5

Deci, in locuri .xalde" ca, de exetnplu, in teleoizoare, 100 m W este puterea maxima la care pot (i inciircaie aceste tranztstoare.

B. Tensiunile maxime

Din 0 singura Iabricatie se sorteaza, dupa tensiunea V CBO, 2

grupe de tranzistoare, astfel:

a) cele cu VCBO> 50 V ~ adica tipul BC 107

b) cele cu V CBO> 30 V ~ adica tipurile BC 108 :;;i BC 109

c) din grupa de 30 V se sorteaza tranzistoarele cu zgomot Ioarte mic obtinlndu-se tipul BC 109, restul devenind tranzistoarele cele mai comune, adica BC 108.

Stirn ca tensiunea V CEO este mai mica decit tensiunea V CBO cu 10-30%; la BC107 avem UCBo~50 V iar UCEo~45 V, in timp ce la BC 108 UCBo~30 V iar UCBo~20 V.

36

Tensiunea UBE norm ala este de 0,6-0,7 V. Tensiunea inversa ce poate fi aplicata intre E ~i B adica U BB este in general de 5 V; depasirea acestei tensiuni conduce la distrugerea jonctiunii emitor-baza.

L: BC 107, 147, 167, 207, 237, 547, 171 . BC 108, 148, 168, 208, 238, 548, 172 ~lBC 109, 149, 169, 209, 239, 549, 173

UcBa UcBa UBBa 50 V 45 V 6 V 30V 20V 5V 30 V 20 V 5 V.

C. Cureniii admi*i

Curentul continuu de colector Ic este de 100 m A; Ic= 1 00 rnA. Curentul de virf maxim admis, de orice forma ar fi acesta:

IcM=200 rnA.

Curentul maxim admis al bazei (continuu sau de virf):

Is=50mA

Curentii reziduali (inversi) sint foarte puternic dependenti de temperatura, dar sint extrem de micie

1 nA (l'lO-eA) la ~,=25°C Curentul leBo: la UcB=20 V

D. Amplificarea de cureni.

Tipic pentru toate tranzistoarele planar epitaxiale este dependenta de curent a amplificarli, asa cum se arata in fig. 12 din care se citeste usor esentialul: amplificarea este mai mica la curenti mici (de 0,1 ... 1 rnA) si creste de 2 -3 ori cu cresterea curentului, fiind maxima pe la 10 -20 rnA. Cele 3 grupee

grupa A ~=220 tipic, (125 .•. 260) domeniu de dispersie

grupa B ~=330 ", (240 .•. 500) " " "

grupa C ~=600 ,,' (450 ... 900) " " "

prezinta ,0 dispersie relativ mare. De exemplu doua tranzistoare BC 238 din grupa B adlca BC 238 B, pot avea unul 0 amplificare ~ de 250 iar celalalt de 450, deoareee dispersia admisa pentru grupa Beste de 240 ... 500). Doua tranzistoare din grupa C pot avea unul ~=500 iar altul 900 .

• Trebuie reamintit ~i faptul ca amplificarea de eurent (~) depinde foarte mult de temperatura [onctiunii, asa cum se vede in fig. 13.

37

2D"I-:.o"~-.Y '- __ -H -=-gr _ju A

,OIJl '7"':....__--1 o..;.;_:_::_:_ _ __.4...!=.20 raJ

~'2mA ImA

IOm4

foomJ

Fig. 12

1_~7~~~~_......,;;:_xt.i=IOO~ 1"7"'~-:t;d,~~--~s..;tj' 25°C

1o.~'(~--~1~----~------t--JC

III IlJomj

Fig. 13

A~a de exemp1u, un tranzistor din grupa C, BC 108 C, care are 1a ts=25°C si Ic=2 rnA ~=500, va ave a la t1= 100°C deja 0 amplificare ~=650 iar la temperatura jonctiunii de 150aC (limita de Iunctionare), ~=950 .

• Tranzistoare1e de tensiune ridicata (BC 107) avtnd baza mai groasa, au implicit 0 amplificare mai mica: BC 107 nu are grupa C. Tot asa tranzistoru1 BC 109 nu are grupa A.

E. Proprietiitile de frecvenfii ale [amiliei BC 107, 108, 109 Frecventa de taiere f Teste de 150 ... 300 MHz, deoarece rezistenta bazei rbb' este mica iar capacitatea colectorul ui este doar de 3+5 pF. Cu toate ca f Teste mare totusi aceste tranzisioare nu pot fi utilizate in amplificaioore de RF sau F I, deoarece capacitatea dintre co1ector si haza, care este de fapt capacitatea de reactie C12 este de ordinul a 3 -4 pF ~i nu de 0,5 -1 pF. Aceste tranzistoare pot fi insa oscilatoare foarte bune plna la Irecventa de ordinul a 200 MHz.

Frecventa de taiere f T depinde de curentu1 Ie, ca In curba din fig. 14.

300

Ic(rnA) fDO

Fig. 14

Se vede ca la 0,1-0,2 rnA fT=40-50 MHz, la 1-2 rnA este de ordinul a 150-200 MHz, are un maxim la 300-350 MHz atunci clnd Ic=10-30 rnA si scade la 120-150 MHz clnd curentul depaseste 50 rnA.

39

F. Proprietdii de comutatie

Cataloagele nu indica la aceste tranzistoare parametrii de cornutatie; cunoscind capacitatile CCB=3 -5 pF ~i CEB=8 -10 pF ~i rezistentele r11 si r22, se pot calcula parametrii de comutatie, calcule ce se verifica in practica, Reamintim acesti parametri, folosind fig. 15.

Ie

----- C o/t)ondo?e 6o-ro

--L--+-:~ __ t.

td) I.!t.

Fig. 15

ta=timpul de Int.irziere (delay lime) 5 25 ns

tr=timpul de crestere (rise time) 50 100 ns

t.=timpul de stocare (storage time) =100 300 ns

tl=timpul de cadere (fall time) = 50 150 ns.

Avind timpul de conectare (La -H,) de ordinul a 100 ns (0,1 fJ-s) ~i

Limpul de deconectare (t8 -HI) de ordinul a 300 -500 ns (0,3-0,5 fJ-s) este evident cli aceste tranzistoare pot fi utilizate in etaje de comutatie cu impulsuri de ordinul microsecundelor sau zecilor de microsecunde, cum ar fi:

- sincroseparator de TV; amplificator de impulsuri;

poarta cu coincidenta (in RAA); amplilicator de semnal complex video; oscilator de baleiaj orizontal .

• Privind timpii de comutatie ta, i.; t, ~i il trehuie mentionat di acestia depind in mare masura de schema electrica a etajului, Marirea impulsului de cornanda pe baz a produce marirea curentului de colector. Cu cit curentul Ic este mai mare eu atit timpii fa ~i t, vor fi mai mici; tranzistorul reactioneaza mai "iute".

40

La manrea impulsului de blocarc, creste curentul 1B2 care curge din baza spre exterior (evaeuindu-se astfel sarcina din baza) ~i ea urmare timpul de deconectare (is +tl) se scurteaza, 0 concluzie care se poate tragc de aici, este eii pentru a ohtine flaneuri mai abrupte la procesul de comutatie, tranzistorul trehuie sa fie comandat cu irnpulsuri de amplitudine marc .

• Timpii de comutatie mai depind ~i de durata impulsurilor de com anda. Doar atunci cind durata impulsurilor de eom anda este de eel putin 10 ori mai mare decit timpii de comutatie, timpii de comutatie id, i.; t, ~i i, ram in constanti. La un impuls de comanda rnai scurt creste in special timpul de stocare is. Dad durata impulsului de com anda este comparabila cu timpul de conectare (id +ir), tranzistorul "nu are" timpul necesar ea Ie sa creases la valoarea sa maxima 1e= ~. 1 B, iar tranzistorul nu ajunge la saturatie ~i ca urmare procesul de com utatie nu se desavirseste. Situatia poate fi privita in doua feluri: fie ca tranzistorul este prca lent pentru comutarea uu or impulsuri foarte scurte fie ca procesul de comutatie este prea rapid pentru tranzistorul dat.

2. TRANZISTOARE PNP DE MICA PUTERE

Ptna acum Uzina Electronica a utilizat, in clteva circuite, tranzistoare din familia PNP, Be 177 - Be 178 -Be 179, care slnt cotnplementare tranzistoarelor NPN Be 107 -Be 108 -Be 109 analizate in capitolul precedent.

Prin complemeniare intelegem ca toti parametrii de tensiune, curent, amplificare si Irecventa sint identici sau foarte apropiati si ca doar conductibilitatea (NPN sau PNP) difera, astfel di perechi complemeniure pot forma urmatoarele tranzistoare:

NPN Be 107 -Be 177 PNP

" Be 108 -Be 178 "

" Be 109 -Be 179 "

Evident ca 0 pereche complementara Be 108 -Be 178 Lrebuie formaU.i c,u tranzistoare din aceeasi clasa de ampliticarc:

BC 108 B-BC 178 B.

Percchile complemcntare de astfel de trauzistoure nu se folosese inca in etaje de audiolrecventa ci in uncle circuite simctrice de comutatie, cum ar fi de pilda oscilatorul de baleiaj vertical din televizorul portabil "SPORT".

Ca si la familia de tranzistoare NPN Be 107 -108 -109, tranzistoarele in capsula metalica Be 177 -178 -179, au echivalente

41

in capsula din plastic, identice sau aproapc identicc electric ~i din punct de vedere al utilizani:

45 V: BC 177=BC 157=BC 257=BC 307=BC 557= =BC 204=BC 251

20 V: BC 178=BC 158=BC 258=BC 308=BC 558= =BC 205=BC 252

20 V; BC 179=BC 159=BC 259=BC 309=BC 559=

=BC 206=BC 253.

Parametrii electrici sint similari cu ai familiei NPN, adica:

A. Puterea disipata. P a=0,2 -0,25 W la ta=45°C.

B. Tensiuni ~i curenti valori-limita.

leBO (20V)
c e c I
Tipul tranzietorului PNP. '" ~ '"
i:l~ .. ..... ~
i:l i:l ~ ::a 2O·C 125°C
I I I ..... ..... ~
. _--------
Be 177, 157, 257, 307, 557,204, Be 251 50 45 5 100 200 100 50 5
- - - - - -- --
Be 178, 158, 258, 308, 558,205, Be 252 30 25 5 100 200 100 50 5
- - - -- - -- --
Be 179, 159, 259, 309, 559, 206, Be 253 25 20 5 100 200 100 50 5
- - - - - _- --
B : A=125 ... 260; B=240-500; v v V rnA rnA rnA nA (.LA
VI=75-150.
------ C. Amplificarea de curent, La tranzistoarele PNP este in general mai midi decit Ia tranzistoarele NPN. Avem 3 clase de amplificare:

cIasa VI: ~=100 (tipic) cu dispersia intre 75 150

clasa A: ~=220 " "" 125 260

clasa B: ~=330 " " " ,,240 500.

Foarte putine tranzistoare PNP de mica putere au clasa de

amplificare C (~=500-900).

Amplificarea ~ a acestor tranzistoare este ca si la cele NPN: tipurile de tensiunc ridicata au ~ mai mic iar cele de tensiune

redusa au ~ mare: ID

BC 177, 157, 257, 307,557,204,251: ~= 75 ... 250 ~

(clasa VI si clasa A) \mtr '

BC 178, 158, 258, 308, 558, 205, 252: ~= 75 ... 500 ~

(clasele VI, A ~i B eventual C) "

BC 179, 159, 259, 309, 559,206,253: ~=125 ... 500

(cIasele A, B ~i C). c c B

42

• Proprietatile de frecventa si comutatie sint ea ~i ale tranzistoarelor eomplementare de tip NPN.

Trebuie mentionai ca [abricarea traruisioarelor planar epitaxiole de tip PNP este mai dificWi dedi a transistaarelor NPN; de aeeea tratuistoarele PNP sint mai scutnpe $i au 0 rasptndire mai micii, Se [olosesc de reguM numai acolo unde nu se poate iniocmi circuiiul dorit cu tranzistoare NPN .

• AUe tranzistoare planar epiiaxiale de audiofrecoentii *i comutatie. In Cehoslovacia si V.R.S.S. se Iahrica tranzistoare planar epitaxiale eehivalente sau asemanatoare eu ecle international standardizate prezentate ptna aeum. Vom enumera unele dintre aeestea in tabelul de mai jos iar eonexiuniIe in figura de sus:

Tipul I T~a sa~l~--I I Conexluni I Echivalent I Inlocultor
firma
KC507 TESLA 20 100 250 ... 900 E, B, C BCI07 BC 171
KC508 .. 20 100 250 ... 900 E, B, C BC 108 BC 172
KC509 .. 45 100 125 ... 500 E, B, 0- BC 109 BC 173
KT 315A UHSS 20 100 20 .. 9O} - BC 108A
KT315 .. 15 100 70 ... 350 ECB - BC 108A,B
KT 315 B .. 30 100 20 ... 90 - BC 107A
KT315 .. 25 100 70 ... 350 - BC 108A,B B. TRANZISTOARE Si NPN ~I PNP DE MEDIE PUTERE

1. FAMILIA BD135-BD136

Tehnologia planar-epitaxiala face posihila produeerea unor tranzistoarc de medie putere, asemanatoare ea perform ante eu tranzistoarcle de medie putere eu germaniu AC 180 K -AC 181 K, destinate amplificatoarelor de AF eu puteri plna Ia 3 -4 W.

Spre deosehire de AC 180 K -181 K, familia BD 135 -BD 136 are:

- tensiuni de Iueru m ai mari: 45-80 V fata de 20-30 Vi

.43

TabeI de eehlvalente pentru tranzistoare fabricate de diferite firme americane, europene !;Ii japoneze

... _----_.
Tipul Firma Tara Echivnlcnt tnlocllitor
--_. -------
BC 113 SGS ItaIia BC 237 B BC 107 B
BC 115 " " BC 237 A BC 107 A
BC1l8 .. " BC237 A BC 107 A
Be 129 Telefunken IU<'G Be 237 BC 107
BC rso " .. BC238 Be 108
BC1:H .. .. BC239 BC 109
BC 132 SGS Italia BC237 A BC 107 A
BC lS4 .. n BC 237 B BC 107B
BC 135 .. " BC237 A BC 107 A
BC 170 ITT HFG - BC 108
Be 181 Texas SUA BC 307 A BC 177 A
BC 182 .. " - BC 107
BC 183 .. n BC237 BC 107
BC 184 .. .. - BC 107
BG 186 Mullard Anglin BC 307 A Be 177 A
BC 187 " " BC 308 B Be 178 B
BC 196 Teleflffiken RFG BC258 BC 178
BC 197 n .. - Be 107
Be 198 .. .. - BC 108
BC 199 " " - BC 109
BC212 Texas SUA - BC 177
BC213 .. " Be 307 BC 177
BC214 " " - BC 177 44

Tabel (continuare)

Tipul I Firma I Tala I Echivalent I InJocuitor
BC 218 Iskra RSFJ BC237 A BC 107 A
BC220 SGS Italia BC237 A BC 107 A
BC224 Texas SUA BC 257 B BC 177 B
BC231 n n - BC 107
BC232 » n - BC 107
BC 23·1 Iskra HSFJ BC237 A BC 107 A
BC235 » " BC 237 B BC 107 B
BC 250 ITT HFG BC 308 BC 178
BC 260 " » BC 178 BC252
BC274 SESCOSEM Franta BC307 BC 177
BC275 " n BC 308 BC 178
BC 276 » " BC 309 BC 179
BC277 " " BC237 BC 107
BC278 n » BC238 BC 108
BC279 " " BC239 BC 109
BC 317 Motorola SUA BC237 BC 107·
BC 318 " n BC238 BC 108
BC 319 .. " BC 239 BC 109
BC320 Motorola SUA BC307 BC 177
BC 321 .. " BC308 BC 178
BC 322 " n llC 309 BC 179
BC 333 • BC238 BCI08
" "
BC334 " " BC308 BC 178
BC 335 " .. BC239 BCI09
BC 336 " " BC309 BC 179 45

Tabel (continuare)

I I r _.--- I
Tipu] Fimar Tara Echivaleut Inlocuitor
",---.-". ----- I
BC 347 " · BC237 BC 107
BC348 " .. BC237 BC 107
BC349 " " BC238 BC 108
BG 350 " " BC 307 BC 177
BC 351 " " BC 307 BC177
BC 352 " " BC 308 BC 178
BC 354 " " BC 308 BC 178
BC355 " .. BC 308 BC 178
Be :~58 " " BC 238 B BC 108 B
BC 385 Texas " BC237 BC 107
BC386 " " BC238 BCI08
BC407 Philips Olanda BC 237 BC 107
BC 408 .. " BC238 BC 108
BC409 .. · BG239 BC109
BC 413 Siemens F<2 dB U080=30 V (BC 109)
BC414 .. " UoEo=45V (BC 109)
BC 415 .. · U080=30 V (BC 179)
BC 416 " " UoEo=45 V (BC 179)
BC 417 CompeJec Franta BC 307 BC 177
BC418 " " BC 308 BC 178
BC 419 " " BC309 BC 179
BC437 Hitachi Japonia BC 237 BC 107
BC438 " " BC238 BC 108
BC439 " " BC239 BC 109 46

Tabel (continuare)

Tipul 1 __ - Firma I Tara I Eohivalent I tlllocllitor
I
.--------- --- ---_. ---------
BC467 , , BC 167 BC 107
BC468 " " BC 168 BC 108
BC469 " .. BC 169 BCI09
BC 512 Texas SUA BC 307 BC 177
BC 513 " " BC308 BC 178
BC514 " " BC309 BC 179
BC582 . " BC 237 BC 107
BC 583 . " BC238 BC 108
BC584 .. " BC239 BC 109
2 SA 499 Toshiba Japonia BC 177 BC251
2 SA 500 " " BC 178 BC252
2 SA 501 " " BC 179 BC253
2 SA 549 Hitachi " BC 178 BC252
2 SA 550 " " BC 177 BC253
2SA5M Matsushita " BC258 BC 178
2 SC 16 Toshiba " BC 107 A BC 237 A
2 SC 17 , " BC 107 A BC237 A
2 SC 18 " " BC 107 A BC237 A
2 SC 74 " " - BC 108 B
2 SC 103 " " BC 107 A BC237 A
2 SC 104 " " BC 107 A BC237 A
2 SC 105 " " BC 109 B BC 109 B
2 SC 170,
171 Fujitsu " BC 108 C BC238A
2 SC 318 Matsushita " BC 107 A BC 237 A 47

Tabel (continuare)

Tipul I Firma I Tara I F_,chivalent I Inlocuitor
I
2 SC 350 Hitachi ~ BC 107 B BC237 B
2 SC 361,
2, 3 Toshia ft BC 167 BC 107
KC547 Tesla Cehoslovacia HC 147 BC 107
KC548 " " HC 148 Be 108
KC 549 " " BC 149 BC 109 I
-
2 SC 368 Toshiba .Iaponia BC 168 B BC 108 B
2 SC 369 .. " BC 169 C Be 109 C
2 SC 370,
1, 2, 3 ~ " Be 167 BC 107
2 SC 400 " .. BC 107 BC 171
2 SC 528 Hitachi ft BC 168A BC 108A
2 SC 529 " " BC 167 BC 107
2 SC 530 ~ " BC 167 BC 107
2 SC 531 q. " BC 167 A BC 107 A
2 SC 533 " " BC 167 A BC 107 A
2 SC 587 Matsushita " Be 107 B BC 171 B
2 SC 619 Mitsubishi n BC 168A BC 108 A
2 SC 620 " .. BC 167 A BC 107 A
2 SC 710,1,2 ~ " BC 167 A BC 107 A puterea disipata mai mare: max. 6 W fata de max. 2,5 W; Irecventa de taiere mult mai marc: >50 MHz fata de 2 MHz comportarea mai slaba la curenti lc mari, deoarece ampli-

ficarea ~ seade pronuntat la curenti de peste 0,5 A.

- tensiune de saturatie mai mare U CB sal:: 1 V la lc= 1 A l a BD 135-136 fata de UCEsal=0,35 V Ia AC 180-181 (la lc=l A).

Tranzistoarele NPN sint: BD 135, BD 137, BD 139 (citra impara in simbol.

Tranzistoarele PNP sint: BD 136, BD 138, BD 140 (cifra para in simbol),

Formarea perechilor NPN -PNP se face la UcE=2 V si lc= = 150 rnA, admitindu-se 0 dilerenta maxima de 40% Intre amplificarile de curent ale ceIor doua tranzistoare.

Bl ~ 1,4 B,

48

Cei mai multi producatori, fae astfel impereeherca incit tranzistorul PNP sa aiba ampIifiearea mai mare iar eel NPN m ai mica pentru ca la curenti m ari (unde ~ la PNP seade mai pronuntat) amplificarile sa fie aproxim ativ egale.

60

Ie (A)

Fig. 16

Variatta tipica a amplifiearii eu curentul este aratata in fig. 16.

Se vede cur!l la tranzistoarelc NPN BD 135 -137 -139, ~ scade de la cca 100, cit este la 10=0,15 A, ptna la 50 -60 la 10=0,8 -1 A.

La tranzistoarele BD 136 -138 -140, ~=100 la 10=0,15 A si seade Ia 35 -40 la 10= 1 A.

La aeeste tranzistoare avern 3 clasc de:

cIasa 6 eu ~ tipie= 60 (40 100)

- elasa 10 cu ~ tipic=100 (63 160)

- clasa 16 eu ~ tipie=160 (100 250):

Simbolul eomplet estc de excmplu: BD 136/10, adica eu ~= =63 ... 160 (tipic 100).

Puierea disipati'i. a aeestor tranzistoare este definita de 3 marim i termice:

....: temperatura maxima admisa a jonctiunii: Tj maz=150°C;

4 - Buletin tehnic nr, 3

49

- rezistenta termica [onctiune-capsula R,hic=10°C/W.

- rezistenta termlca jonctiune-ambiant RthJa=100°C/W.

a) Cunoscind aceste valori, se poate determina ce putere poate disipa acest tranzistor Hira radiator:

de ex: la temperatura ambianta de 50°C, temperatura [one-

~iunii va atinge 150°C Ia 0 putere: Pd= Tl mo,,- To = 150-50 = 1 W.

RII•1a 100

b) Utiliz ind tranzistorul cu radiator, trebuie Sa se fina seama de rezistenia termicii dintre jonciiune §i capsula Rthic= 10°C/W, precum §i de rezisienia termicii Rthco dinire capsula ~~i radiator, care este [carte mare:

A. cca l°C/W cind tranzistorul este strtns, neizolat pe radiator.

B. cca 9°CfW clnd se pune 0 izolatie de 0,05 mm (de mica) ca izolatie.

C. cca 13°CfW cind se pune 0 iz olatie de 0,1 mm (de mica) ca izolatie.

D. cca 15°CfW cind se pune 0 izolatie de 0,1 mm poIicarbonat.

E. cca 5°CfW cind se utilizeaza cazul B, dar suprafata de contact se unge cu vaselina siliconica,

Dupa cum se vede din cifrele de mai sus, rezistenta termica Rthco (de contact) dintre capsula plata a tranzistorului ~i radiator, este comparabila cu rezistenta ce se opune evacuarii caldurii de la jonctiune plna la piesa metalica de contact a capsulei,

Ateniie! Colectorul este eoneciai la piesa metalicii de contact a capsulei,

Sa calculam temperatura jonctiunii in cazul unui tranzistor BD 136 incarcat cu 2 W in curent continuu, tranzistorul fiind montat pe un radiator care are R,hR=25°CfW (rezistenta termica a radiatorului), in cele 5 situatii: A, B, C, D, E, temperatura amhianta fiind 55°C. Se determina rezistenta termica totala:

R'h = R'hJe + R1hco + RthR

A. Rth=10+1 +25= 36°C/W

B. R,h=10+9+25=44°C/W

C. Rth=10+13+25=48°CfW

D. Rth=10+15+25=50°CfW

E. Rth=10+ 5+25=40°CfW.

50

''t' "..

Din formula Pa=~se obtine: Tj=Ta+Rt/"Pa rezultlnd Rt~

urmatoarele temperaturi Tj:

in situatia A: 127°C in situatia B: 143°C in situatia C: 151°C in situatia D: 155°C in situatia E: 135°C.

Din rezultatele de mai sus se trage concluzia ca numai solutiile A si E pot fi practic folosite, deoarece la celelalte solutii fie ca se depaseste fie di sintem foarte aproape de temperatura maxima a jonctiunii, Radiatorul de 25°C/W este 0 placa de aluminiu gros de 2 mm ~i S=20 em", (4 x5 cm); un radiator mai mare de ex. 8 X8 cm=64 em" ar avea 0 rezistenta termica de cca lOoC/W dar in conditii reale nu se Ioloseste un radiator asa de mare declt pentru o pereche de tranzistoare (cazul unui etaj final de AF).

Concluzie: Tranzistoarele din familia BD 135-136, avind 0 capsula mica cu suprafata redusa de contact pe radiator (0,5 em"), pot fi incarcate, in conditii practice - cu radiator i?i la ambianta de 25 -30°C - ptna la eel mult 3 -4 W. La puteri disipate mai marl, datorita rezistentei mari de contact intre capsula ~i radiator, Incalzirea jonctiunii poate depasi 140 -150°C ceea ce pune in pericol viata tranzistorului.

Utilizarea tranzistoarelor BD 135 -136, in amplificatoarele de

AF, este posibila la tensiuni mai marl de alimentare ce pot merge ptna la 0,8 -0,9 din tensiunea U CEO=' adica pin(la cca:

40 V pentru perechea BD 135 -136 care

50 V" "BD 137 -138 "

70 V" "BD 139 -140 "

auUcEo=45 V UcEo=60 V UcEo=80 V.

Pentru a obtine distorsiuni mici la puteri mari, curentul de colector de virf nu va depasi in nici un caz 1 A, de dorit I C v= =0,7-0,8 A. Hezistenta de sarcina (impedanta difuzorului) poate fi determinata cu relatia:

R ,.., 0,45 U AUM

8 -

Icy.

4·

51

de exemplu la 0 pereche BD 135 -136, cu tensiune de alimentare de 24 V se va folosi un difuzor cu impedanta Rs=0,45. 24 VjO,7 A ~ 16 ohmi. Puterea maxima a etajului final rezulta:

p ~ = (U,IL M-2V)' ~ 484 ~3,75 W

tes - 8 Rs 8.16

Puterea de iesire eu 5 -10% distorsiuni va fi de cca 3 W . • Un exemplu de aplicatie este etajul final de baleiaj vertical al televizorului portabil "Sport", unde perechea complementara BD 135-BD 136, asigura un curent de deflexie pe verticala de cca 0,6 Avv. Fiecare dintre tranzistoare lucreaza deei eu un curent de virf de cca 0,3 A. Tensiunea de alimentare este de +25 V, iar sarcina etajului este hohina de deflexie verticala cu R=16 ohmi ~i L=30 m H,

• In TV cu circuite integrate, un tranzistor BD 136 lucreaza ea stabilizator paralel pe bara de +13 V. Atunci cind etajul final de AF consuma putin (la volum mic), tranzistorul BD 136 consuma diferenta de eurent.

Schema electrica de principiu a acestui stabilizator este data ill fig. 17.

+ IJ,1-V

+2'V

(".

PLIIl

Fig. 17

De la bara de +28 V, prin R 811, se polarizeaza dioda zencr PL 13 Z cu un curent de eca 4,5 m A, astfel ca baza lui BD 1313 se aWi la 0 tensiune stabilizata de 13 V. Cum tensiunea UBE are valoarea de 0,7 V aproape constanta, rezulta di si tensiunea pe

52

emitor va fi stabilizata, A vind un tranzistor PNP Inseamna ca emitorul are 0,7 V in plus fata de baza, deci 13,7 V. Tot de la bara de +27 V, prin rezistenta 812, curge tot consumul modulelor alimentate la tcnsiunea de +13,7 V (selector, FI-VS, sunet, etc). Consumul modulului de sunet este variabil- intre 20 ~i 230 rnA in functie de volum ~i ar constitui 0 sarcina variabila pentru etajul final de linii, ceca ce este de nedorit (pentru a nu influenta lumina). Tranzistorul BD 136 eoneetat paralel eu toti eonsumatorii, preia diferenta de eurent atunei clnd etajul final de sunet eonsumii mai putln. Curentul prin BD 136 variaza lntre eea 20 rnA si 250 rnA. Daca nu ar fi R 810, puterea disipata ar fi de 13,7 XO,25 :::=3,5 W, adica destul de mult; eu R 810, puterea disipata de BD 136 nu depaseste 1,3 W deoareee la curenti mari puterea se imparte intre BD 136 ~i R 810.

2. }<'AMILIA BD 233-BD 235

Pentru a asigura 0 amplifieare suflcienta (50 -70) la curenti de ordinul a 0,5 -1 A, cum ~i 0 putere disipata mai mare, s-a creat o familie de tranzistoare de tip epi bazn, pentru amplifieatoare dar si pentru circuite de comutatie, superioara familiei BD 135 ... . . . 136.

Grupa NPN cuprinde tranzistoarele BD 233-BD 235-BD 237 Grupa PNP " " BD 234 - BD 236-BD 238 Fata de familia BD 135 ... 140, aceste tranzistoare au urm a-

toarele avantaje:

eurentul lc=2 A fata de 1 A; eurentul lcM= 5 A fata de 1,5 A;

tensiune de saturatie: <0,6 la lc= 1 A fat a de 1 V;

- rezistenta terrnica jonctiune-capsula: 5°CJW fata de lOOCjW deei puterea disipata maxima 20 W fata de 6 W. Dezavantaje: f'l' de3 -4 MHzfata de 50-70 MHzla BD 135 ... 140 .

• Tranzistoarele aces tea slnt rcalizate tot in capsula SOT 32, identlca eu eeea a seriei BD 135 ... 140.

Pereehile eomplementare: BD 233 -BD 234 cu U cEo=45 V BD 235-BD 236 cu UcEo=60 V BD 237 -BD 238 eu UcEo=80 V

53

se Iormeaza ea ~i la tranzistoarele BD 135 ... 140 la 1c=0,15 A ~i .UcE=2 V cu conditia ea BIIB2 ~ 1,4.

Caracterul variatiei arnplificarii ~ cu curentul este aratat in fig. 18.

B 80

fJ,2! 0,1

Fig. 18

De aid se vede di 0 imperechere avantajoasa este atunci cind tranzistorul PNP are Ia 1c=0,15 A 0 amplificare eu 20 -25% mai mare decit tranzistorul NPN, in scopul ca Ia curenti peste 0,5 A, earacteristieile ~=f(1c) sa se suprapuna.

3 FAMILIA BD 433 ••• 442

Ca 0 realizare exceptionala in tehnologia epibaza, trebuie prezentata 0 familie de tranzistoare in capsula SOT 32 (ea ~i BD 135-136) dar care au 1c=4 A; ICM=7 Ai Rt1l1e ~ 3,5°C/W ~i Pa",,=30 W:

Seria NPN euprinde tipurilc: BD 433, BD 435, BD 437, BD 439, BD 441

" BD 434, BD 436, BD 438, BD 440, BD-442

Seria PNP

"

54

Parametrii principali sint aratati in tabelul de mai jos:

I I BD43a! BD43511lD~~;-1 BD439 I B])44~ __ I __
UCBD= UeEo 22 32 45 60 80 V
-- -- -- -- -- --
UEBO 5 5 5 5 5 V
-- -- --- -- --
Ic 4 4 4 4 4 A
-- -- -- -- --
ICM 7 7 7 7 7 A
-- -- -- -- -- --
13 UoE=5 V
10=10 rnA >40 >40 >30 >20 >15
-_ - -- -- -- --
13 Ucs=1 V
10=0,5 A >85 >85 >85 >40 >40
-- -- -- -- -- --
13 UoB=l V
10=2 A >50 >50 >40 >25 >15
-- -- -- '---
1B=0,2 A Ic=2 A UeB .at 1>0,5 >0,5 1>0,6 >0,8 >0,8 V
-- -- --- -- -- -
l',=45°C lOBO la UeDo ,>0,1 <0,1 <0,1 <0,1 <0,1 mA
- I I BD434 I BD436 I BD4381~;~ I BD442 I
UOBO=UCED -22 -32 -45 -60 -80 V
-- -_ -_ -- --
UEDD -- 5 - 5 - 5 - 5 - 5 V
-- -- -- -- -_ --
10 4 4 4 4 4 A
-- -- - -- -- --
10M 7 7 7 7 7 A
-- -- -- -- --
13 UoE=-5V
10=10 mA >40 >40 >30 >20 >15
-- - -- -- --
13 UoE=-l V
10=0,5 A >85 >95 >85 >40 >40
-- -- - -- -- -
13 UoE=-l V
Ie=2 A >50 >50 >40 >25 >15
-- -- -- --
1D=0,2 A 1c=2 A UOE Bat < 0,5 < 0,5 < 0,6 < 0,8 < 0,8 V
-- >--.. _- - --
T,=45°C lOBo la UeRo <: 0,1 < 0,1 < 0,1 < 0,1 < 0,1 mA
._-----_. ----- 55

c. TRANZISTOARE Si NPN PENTRU ETAJE FINALE VIDEO

Etajul final video are sarcina de a amplifica semnalul video complex cu amplitudinea de 3 -4 V"" aplicat la intrare, plna la 0 amplitudine de 90 -100 VV". Semnalul video serveste apoi pentru com anda cinescopului, fie pe catod, fie pe grila de comanda (gl) a cinescopului. Aceasta deoarece, pentru un contrast foarte bun un cinescop de 110° :;;i diagonals de 50 -60 em, necesita pentru comanda sa pe catod - tinind seama sl de dispersia caracteristicilor sale electrice - 0 tensiune video de 70 -80 V, la care se adauga 20 -25% amplitudinea impulsurilor de stingere si sincronizare, ajungindu-se la 90-100 VVV. Ecartul de cca 100 V, 0 m arja de siguranta de 10% :;;i partea neliniara a caracteristicilor in zona de saturatie, face ca tensiunea de alimentare a etajului final video sa fie de cca 150 -180 V :;;i ca urmare tranzistorul final video trebuie sa reziste la 0 tensiune UOE de 150-200 V.

Pe de alta parte, pentru a asigura 0 amplificare de 25 -35 ori, la frecventa video de ordinul a 5 MHz, tranzistorul trebuie sa aiha o frecventa de taiere de eel putin 10 ori mai mare (fx» 50 MHz).

Stiind di rezistenta de sarcina a unui etaj final video este de 4 -5 K!l iar tensiunea de alimentare de 150-200 V, rezulta di in Iunctionare tranzistorul final video este strahatut de curenti de ordinul a 15-30 rnA. Dar curentul maxim de eolector 1CM trebuie sa fie de 2-3 ori mai mare, adica 50-100 rnA. Mai este necesar ea intre iesirea si intrarea tranzistorului sa existe 0 capacitate cit mai mica pentru a se asigura functionarea stahila la frecvente lnalte, Capacitatea de 2 -5 pF, intre colector :;;i haza, asigura stabiIitatea necesara. Rezumlnd, se pot considera urmatorii parametrii:

UCER=150-200 V

10M 50-100 rnA

fT 50-100 MHz

c-, ~ 5 pF

Pa 1. .. 3 w.

Realizarea acestor parametri (unii dintre ei contradictorii) este dificila iar tehnologia tranzistoarelor cu structuri mici :;;i de tensiune mare (200 V) este relativ complicata, chiar utilizind procedeele planar.

56

In fig. 19 se arata caracteristica dinamica 1c= f (U OE) in care se vede ca tensiunea de saturatie (de cot) este de cca 10 VIa 1c=15 rnA si ajunge la 20 V cind 1c=30 ,.,......35 rnA. Pe caracteristica este trasata dreapta de sarcina pentru Rs=4 K.n, ceea ce corespunde schemei

25 20 15 10 5

'fA 300pA

<, WOJA

"-

~--~,-{~)(A

,----:----~..,,_~ (aO p A ,.--- __ ~~l~~=~~)i.A Ucdv)

20 Ij{J 60 30 100 120 I~O ISO

Fig. 19

Au - Rs -= ~OO ::267.'

- R£ (SO I

A 80 . -~Dtl!OV

""u=r=26,7

Fig. 20

electrice simplificate a unui etaj final video. Sa determinam unele m arimi ale acestui etaj tipic:

U U 150-20

a) Curentul maxim de colector este 10= 1- rol = ~- =

~ ~ 4~

=32 rnA.

57

b) La curentul 10= 12,5 m A, lensiunea pe colector va fi:

Uo= UA -10' Rs=lS0 V -12,5 mA,,! KO=lS0-50=100 V. c) La curentul 10= 12,5 m A, tcnsiunca de emitor va fi:

UE=Io'RjO=12,5 mA·0,15KQ=1,88 V.

d) Tcnsiunea pe hazii va fi cu" cca 0,7 V mai mare decit pe emitor:

UB=UE+UBE=1,88+0,7~2,6 V.

Fara semnal video, curentul de lucru al etajului este maxim de cca 20 -25 rnA, stabilit prin polarizarea initiala, iar lensiunea de colector esle mica, totusi peste Ueal> deci > 25 V. Ctnd semnalul video complex negativ aplicat pe baza creste, curentul de lucru 10 va scade deoarece tranzistorul NPN, se deschidc c ind lensiunea pe baza este pozltiva ~i se inchide cind scmnalul este negativ. Scaz ind 10, scade caderea de tensiune pe Rs ~i ca urmare Vo creste. Se obtine astfel pe colector un sem nal video complex de polaritate schimhata al carui amplitudine este maxima (virf la virf) atunci cind SVC pe baza este maxim. La semnalul video maxim, curcntul tranzistorului final este minim, de ordinul a 10 mA iar tensiunea continua a colectorului este de cca 2/3. din tensiunea de alimentare.

c) Puterea disipatii pe tranzistor esLe data de produsul 10, V CF: ~i este maxima In absents semnalului ~i la tensiunea 0,5 V A = =0,5'150=75 V la care curentul 10 este de 18,8 rnA:

Pa m4x=VoE·lo=75·0,0187=1,4 W

adica 0 putere lnsemnata penlru un tranzistor rclativ mic (capsula T039)

Tipuri de trcnzistoate finale video

In cursul a 10 ani de perfectionare s-au dezvoltat 3 familii de tranzistoare finale video:

BF177-BF178-BFI79 cu VOEoI00-160-225V 10M= 50 rnA Paoo=1,7 W

BF 257 -BF 258 -BF 259 cu V CEO 160 -250 -300 V lc1I1=100 rnA Paoo=3,5 W

BF 457 -BF 458 -BF 459 cu U CEO 160 -250 -300 V

lc1I1=200 rnA Pdoo=8 W.

58

Primele doua famiIii sinl in capsula TO 39 !}i seamana Intre ele, diferenta este doar la curcntul maxim de coleetor si la capacitatea de reactie. Familia BF 457-8-9 este in capsula SOT 32 identic a eu familia BD 135-136!}i difera de BF 257-8-9 prin curentul maxim admis ~i puterea disipata. DealLfcl cele trei familii se deosebese esential prin puterea disipata, data m ai [os in difcritc conditii de racire Iji la temperaturi ohisnuite de exploatare.

BF 177.8.91 ~~. 25~::.91 Bl? 45708091 --------_. --
modul de rilcire
1,7 W 2,1 W 2,8 W cu radiator de 18 em" (30°C/W)
1,2 W 1,35 W 1,5 W cu radiator de 8 em" (60°C/W)
0,6 W 0,7 W 1 W fara radiator, Ia ia~~45°C
0,'15 W 0,55 W 0,75 W fiirii radiator, Ia ia=70°C Dupa cum se vede, Hira radiator tranzistoarele video pot disipa doar 0,5 -0,8 W, jonctiunea iucalzindu-se eu eea 100°C peste temperatura mediului ambiant.

Cu un mic radiator de cca 5 em" strins direct pc capsula, tranzistorul video poate disipa 0,8-1 W. Aeeasla este eazul de utilizare in TV portabil Sport unde Pd '"':: 0,8 W. Pentru 0 mai buna racire (pentru ea temperatura jonctiunii sa nn treaca de 125°C) radiatorul trebuie sa fie mai mare. Practic, pnterea disipata maxima a unui tranzistor final video este eea din rindul 1 al tahelului: 1,7 W la BF 178; 2,1 W Ia BF 258 ~i eea 2,8 W Ia BF 458, asigurindu-se integritatea tranzistorului.

• Tranzistoarcle BF 257-8-:-9 si BF 457-8-9 se utilizeaza si in altc etaje in TV, ca de exernplu in postul de preamplifieator-defazor de linii pentru B.O. al TV en tranzistorul final BU 205 (TV eu CI), sau in stabilizatoare de tensinne. De exemplu in etajul defazor de linii lucreaza tranzistorul BF 258, ea in fig. 21, intr-un amplifieator de impulsuri eu sarcina inductiva constituita din transformatornl defazor cu raportul 25/1. Pe baza, tranzistorul

59

este eomandat eu impulsuri dreptunghiulare de 28 fJ.S pozitiv ~i 36 fJ.S pauza, In coleetor se ohtine 0 tensiune cu acelasi earaeter dar de polaritate inversata ~i anume 28 fJ.s pauza ~i 36 fJ.spozitiv. Tensiunea din seeundarul transformatorului defazor va bloca timp de 28 fJ.S tranzistorul final BU 205 ~i iI va aduee in conductie timp de 36 fJ.S.

Fig. 21

Curentul mediu prin BF 258 este de 20 mA, iar tensiunea continua pe coleetor de +60 V. Ca urmare, puterea disipata este de 1,2 W. tranzistorul necesitind un radiator de 6 -8 em", pentru a lucra "Ia rece" adica eu jonctiunea avind sub 100°C.

In TV color, in amplificatoarele finale de culoare rosu (R), verde (V) ~i albastru (A), se vor utiliza tranzistoare BF 258-9 ~i BF 458-9.

Traruisloore video slriiuu:

Tipuri europene mai vechi ~i tipuri amerieane :;;i japoneze de mai larga circulatie, ce pot fi lnlocuite eu tipurile standardizate BF 178-179-257-258-259-457-458-459 sint enumerate mai jos:

BF 108 (SESCOSEM) BF 109 (VALVO)

BF 110 (TELEFUNKEN) BF 111 (SIEMENS)

BF 114 (SIEMENS)

BF 117 (lNTERMET ALL) BF 118 (INTERMETALL)

60

BF 119 (lNl'ERMETALL) BF 137 (ITT)

BF 140 (SESCOSEM) BF 156 (SGS)

BF 157 (SGS)

BF 174 (SGS)

BF 186 (PHILIPS)

BF 292 (SGS) BF 294 (SGS)

BF 297 (TEXAS) BF 298 (TEXAS) BF 299 (TEXAS) BF 305 (ATES)

BF 335 (PHILIPS, VALVO)

BF 336 " "

BF 337 " "

BF 411 (TELEFUNKEN)

BR412 "

BF413 "

BF 456 (TEXAS)

2 SC 58 «MATSUSHITA) 2 SC 70 (TOSHIBA)

2 SC 154 (HITACHI)

2 SC 470 (SONY)

2 SC 727 (FUJ ITSU) 2 SC 728 (FUJITSU)

2 SC 1012 (MATSUSHITA) 2 SC 1033 "

2 SC 1056 (SONY)

2SCI059 "

2 SC 1062 (NIPPON)

2 SC 1088 (MATSUSHITA) 2 SC 1089 "

2 SC 1124 (SONY)

2 SC 1127 "

2 SC 1168 (TOSHIBA) 2 SC 1235 (SANYO)

2 SC 1279 (NIPPON) 2 SC 1447 (TOSHIBA) 2 SC 1505, 1506, 1507 MJ 420, MJ 421

MJ 3201, MJ 3202 MJE 340, MJE 341 MJE 344, MJE 3738

MJE 3739 ... (MOTOROLA) PN 5964, PN 5965

SE 7001, SE 7002

SE 7015, SE 7016

SE 7017, SE 7055

SE 7056 .•. (FAIRCHILD)

D. TRANZISTOARE Si DE INALTA FRECVEN'fA

.Pentru toate etajele care amplifica semnale relativ mici, ell frecventa mceptnd de la 0,15 MHz ~i ptna la 900 MHz, s-au dezvoltat tranzistoare de Inalta frecventa ell silieiu, tranzistoare ce se Iabrica in tehnologia planara ~i planar-epitaxiala.

Tranzistoarele de inalta frecventa cu germaniu se fahrica in tehnologia mesa care permite obtinerea unor tranzistoare cu proprietati exceptionale.

Tranzistoarele cu siliciu, pentru in alta frecventa, slut prezentate sinoptic in tabela A ee urmeaza acestui text si care euprinde tipurile fabricate ~i utilizate in R.S.R.

Principalele etaje de Inalta frecventa dill radioelectronica de larg consum, in care se folosesc tranzistoarele de I.F., slnt enumerate mai jos, eu Irecventele de lucru:

1 -amplificator de radiofrecventa pentru UL, UM, US f=0,15-20 MHz

6J

2 -oscilator peutru UL, UM, US . . .

{=0,6 -21 MHz

3 -mixer autooscilant pentru UL, UM, US

{=0,6 -21 MHz 4 -amplificator de frecventa intermcdiara MA(AFI -MA). . . f=455 KHz 5 -amplificator de Irecvenl.a iutermediara MF(AFI -MP) . . . f=1O,7 MIlz 6 -amplificator de Irccvcnta intermcdiarii sunet TV(API -S) . {=6,5 MHz 7 -amplificator de radiolrecventa MF(UUS)(RF-UUS) .... f=64-108 MHz 8 =oscilator (mixer) autooscilant de MF(UUS) . . . . . . . . f=75 -120 MHz 9 -amplificaLor de frecventii intermediara video-sunet TV. s . f=35 MHz 10 -amplificator de RF peutru selectoare FIF(RF -I" IF)

f=50 -230 MHz

11 -oscilalor in selectoarc PIF(osc. FIF)

t~87 -262 MHz

12 -mixer in selectoare FIF(mix. FIF)

(=50-260 MHz

13 -amplificaLor de RF in UIF(RF -UIF)

. . . ; . . . .

f=470 -860 MHz 14 -mixer autooscilaut in selectoare l.JIF(mix. U IF) . . . ;; . . f=500 -900 MHz 15 -amplificatoare de antena radio (UL. UM, US, UUS) . . . f=0,15-108 MHz

16 -amplificatoare de antena FIF(AA -FIP) 17 -amplificatoare de antena UIP(AA -UIP)

f=50 --230 MHz

f-470 -860 MHz

18-convertoare de canal UIFJFIP (CA-UIFJFIF) .

f=50-900 MHz.

Tranzistoarcle de inalta Irecventa se folosesc ~i in alte muIte etaje din aparatura profesionala de radiocomunicatii.

In Iunctie de domeniul de utilizare, tranzistorului i se ce~ anumite caracteristici ~i perform ante specifice, in asa fel inclt pentru etajul respectiv sa nu se Ioloseasca tranzistoare nepotrivite. De aceea s-au crcat [amilii de tranzistoare, distincte, din care rezulta de obicei prin sortare, dupa criterii bine stabilite, diferite tipuri,

62

Yom analiza pe rind famiIiile de tranzistoare dupa domeniul de utilizare. Intrucit un tranzistor este in general utilizabil in mai multe feluri de etaje, rezulta doar citeva familii cu proprietati specifice, anume asa cum apar in tabela sinoptica A.

Tabelele A lji B nu cuprind, binetnteles, toate tranzistoarele de inalta Irecventa care se Iabrica actualmente in lume, ci acele tranzistoare care sint fabricate in tara noastra, acelea care se utilizeaza in produsele romanesti, precum ~i cele mai cunoscute tipuri pe plan european.

1. TRANZISTOARE UNIVERSALE DE RF ~I FI-MA-MF

Etajele de lnalta Irecventa din radioreceptoare MA ~i MAjMF precnm ~i etajele de AFI-Sunet din televizoare, adica primele 8 tipuri de etaje enumerate, pot [i realizaie in eondilii de inalta calitate cu 0 sinqurt: familie de tranzisioare NPN: BF 214 -BF 215.

Caracteristica acestei familii slnt urm atoarele, date in ordinea

lmportantei:

a) capacitatea de reactie C12e= 0,5 -1pF.

b) [recoenta de iaiere fT=200-300 MHz.

c) tensiunea maxima UCE(UCB)=20 -25 V.

d) curentul maxim de col ector Ie ma",= 15 -30 m A,

e) puterea disipata Pd, ma",=120-200 mW.

Praciic orice transistor NPN cu siliciu care asigurd paratnetrii de mai sus, dar in special primii 2; Cue §i fT' poaie fi uiilizai in eele 8 tipuri de etaje enumerate, farO. modificarea polariziirii, sau a acordului circuiielor, adieu prin simpla inlocuire a tranzistorului,

Parametrii etajului respectiv nu se vor modifica esential; pot aparea mici diferente de amplificare, amplifieare de conversie de ordinul a ±2 -3 dB sau usoare modificari de caracteristicl de seleetivitate in etajele de FI datorita diferentelor mici ce totusi exista de la tip la tip in ceea ce priveste parametrii y •

• Transistoarele BF 214 ~i BF 215 produse de IPRS, rezulta din aceiasi Iabricatie, Prin sortare se face departajarea dupa amplificarea de curent B:

BF 214 are B= 150 (tipic) cu dispersie Intre 90 ~i 330. BF 215 are B= 70 (tipic) eu dispersie intre 40 ~i 165.

63

lo.l co
'" .~~ ~
'3
.,
Q.
.. '''-I ~
o
l::' ~ c.l
(yur) 0 I 0 I 0
"'.'" Or C\I C\I C\I
(A) 0 I 0 I 0
=« C'I C\I C\I
:).lIt-"l "I 0 I 0 I 0
'" C>:> M
C\\w) p cf ... ... ...
.-. ,.-.. ;:;;-
" .n .~
... ... ...
.:0.:: t\ t\ t\
! 0' 0' 0'
", "'" M
(·m ... ) J 0 I 0 I 0
0 0 0
00 .n C\I
(HP) d r- I ..., I ~-
(HP) "v ... I ..., I s--
... ... ...
(,dd) .,,;:) .~ I 0 I ...,
C\I M '"
ci 0 ci
zlIlII 0 I 0 I 0
0 0 0
oLJ e- '" .n
Z I z I z
'0 Q.. Q.. ~
,:.. Z Z
._-._._
0 ... 0
.eo 00 00 0
.... ,.... N
E-t ~ ~ ~
~
0
" ~ .~ ~
"'" Il: ;?1 Il:
" "
._ (;1
~~
g:g
~
f:I ~
;:; t;:; 1 ~ I ~ I ~

--+----: -------'i----

~ I ~ I ~ I ~ - I-"'------+--, ",--',i--M-'r .:

,.-.. ~ X
<t: ~
< ...... g
fS ~ Il:
(IJ [j) [j) (IJ
~ ~ ~ ~
1 I I I
t;:; ...... ...... ......
~ ~ ~ gig I ---g ofT I ~ I ~ -- I ~__ I ~ I ~ I ~ gig I ~ I ~ I ~ I g I -gT g I ~ I $

~ I ~-I-~ I ~ --T-~- I ~ I-r I--~ I __ ~ I____~~

o ""

---:::----;--.;---,::---+----';------- --+-------=------i~--!-------';....,-.,.___;~-I

g I § I g I § I g I ~ I § I § I'~ I ~

~ 1 ~ I -- ~-----I~ ------1 -~-----;I-~-~ -------+I- .... ---;.I-~---+l--~~----:..l-~-·--

I-~-i-I-~___+I-~__________+I-~----------!--I---~----] -- ~ I g I ~ I ~ 1_ ~

ci I ci 1 ~ I ~ I ~ 1 ~ I ~ -, ~ -I ~ j ~-

I~~~~I-~=-~I~~~~I-_~~~~-_~I:~~~~~I_--~~~---~I _~~~I_~_-_--~r---~-~I _~_I

~ I~ I~ I~ I~ I~ I~I~I~I~

-----~-~--_l__-~-+_-+_-I

I-___;!-------':--__!_--- -+--....!---+-------'---~-- ----

8

M M

I

o 0>

0'

It') ....

....

>:t.

5 - Buletln tehnic nr. 3

o ""'

o M

o '"

Amplificarea de curent B influenteaza ~i alti parametri: - Irecventa de taiere f p: la B mare, f p mare

la B mai mic, f p ceva mai mic

ca urmare BF 214 are fp mai mare decit BF 215.

- rezistenta de intrare rl1: B mare, IB mic, rIl mare

B mai mic, IB mai mare, ru ceva mai mic

deci BF 214 are rezistenta de intrare mai mare decit BF 215. - zgomotul propriu F: B mlc-s F mic; B mare, F mare. ca urmare, BF 215 are zgomot mai mic decit BF 214.

Parametrii: f p, rn ~i F nu depind insa liniar de B; mai degra/Jcl marimea B dli 0 informaiie pentru compararea a doui: tranzisioare de acela~i tip.

Bineinteles ca tranzistoarele din aceeasi familie mai sint sortate ~i dupa factorul de zgomot F, ca ~i dupa amplificarea de putere in aparate speciale de triere.

• Structuri de tranzistoare BF 214-215, incapsulate in plastic permit Iabricarea unor tranzistoare mai economice, cu parametrii aproape identici. Rezulta astfel tranzistoarele BF 254 ~i BF 255, la care doar capacitatea de reactie este ceva mai mare: 0,85 pF fata de 0,6 pF ~i aceasta din cauza capsulei de plastic.

• Structuri de BF 214-215 incapsulate in ra~ina epoxi permit obtinerea tranzistoarelor BF 233-BF 234-BF 235. In aceasta grupii:

BF 234 este egal cu BF 214

BF 235 este egal cu BF 215.

iar tipul BF 233 este, ca sa zicem asa, "restul" de la sortare, cu 0 dispersie mai larga de B (40 ... 350), foarte bun in oricare din cele 8 tipuri de etaje enumerate.

• Din tranzistoarele straine echivalente cu BF 214 -BF 215 se pot retine tranzistoarele BF 184-BF 185 fabricate de Philips, Valvo, Mullard, Siemens, incapsulate in metal, pre cum ~i iipurile BF 194 -BF 19'5 incapsulate in plastic (capsula fit-lock prismatica),

Se poate considera ca tranzistoarele NPN de mai jos slnt direct echivalente:

BF 214=BF 234=BF 254=BF 184=BF 194 (4 este caracteristic) BF 215=BF 235=BF 255=BF 185=BF 195 (5 este caracteristic).

66

• Tranzistoarele universale de mai sus slnt utilizate ~i ca oscilatoare in selectoarele FIF, unde frecventa de oscilatie maxima (canalul 12) este de 260 MHz. Se prefera tipul BF 214 (are (p mai mare) care poate osciIa dealtfel ptna la frecvente de ordinul a 500 MHz ~i aceasta pentru ca frecventa maxima de oscilatie este mult mai mare decit {p:

(max osc= 2 ... 3{ p.

• Pentru etajele de RF-UUS, unde problema sensibilitatii este direct legata de zgomotul propriu al tranzistorului, s-a elaborat un tranzistor planar-epitaxial mai perfection at, cu capacitate de reactie mai mica ~i amplificare mai mare la 100 MHz:

BF 314 NPN (Siemens) F=2dB(100 MHz) fp~550 MHz Cl2B ~0,13 pF.

• 0 familie noua de tranzistoare universalc de RF/FI, cu capacitate de reactie mica (0,33 pF) ~i cu {p mare (400-450 MHz) este BF 240 -BF 241 care pot fi utilizate pina in gama de UUS, unde in conditii de adaptare la zgomot asigura un zgomot foarte mic:F=1,6-+-2dB la 100 MHz, UoB=lO V, 10=1 m As! admitanta la intrare Y G opt=6,6 ms-j3,3 ms.

• Tipul BF 240 avind B mare este destinat etajelor de FI reglate prin RAA iar tipul BF 241 etajelor nereglate de FI cum ~i etajelor de RF L, M, S.

Acelasi lueru trehuie mentionat ~i pentru grupul BF 214/BF 215:

B mare-e Bf' 214/234/254/184/194 pentru etaje reglate prin RAA B mie -+BF 215/235/255/185/195 pentru etaje nereglate de RAA. • Esle cunoscut ca in etajele de FI MA ~i MF reglajul RAA se {ace prin reducerea curenlului de lueru al elajului, ceea ce provoaca reducerea paniei ~i ca urmare reducerea liniarii a ampliiiciirii,

La tranzistoarele cu B mare, reglajul prin RAA este eficace, deoarece pentru aceiasi redueere a tensiunii pe haza, scaderea ampliIicarii de tensiune a etajului este mai mare.

In tabelul C se dau parametrii Y pentru eiteva tranzistoare din familia universal a de RF -FI:

r--.·'-·Panta de amplifieare Y21 sau S exprimata in mS adica mA/V i este aproape proportionala cu eurentul de eolector, ptna la 3 -5 rnA.

Astfel daca la 1 mA S=35 rnA/V, la 2 mA S=65 mA/V iar la 3 m A S=90 rnA/V.

Totodata la cresterea eurentului, rezistenta de intrare rn si rezistenta de iesire r22 sead pronuntat (invers proportional cu cresterea Ic). Amplificarea de putere a tranzistoarelor din familia

5'

67

'l'ABELA C

U=10V; Ie=1 n1A 1=10,7I{Hz
Paramctrul Valoarea tipica
BF 2141 BF 215 BF 1941 BF 195 BF 240 IBF 241 (medic)
BF 254 BF255
---- .. ------.
TUf! KQ 3,5 2,2 3 2,1 2 1,5 2 kQ
Cu. pF 20 17 23 ~ ~ I--w- 20 pF
~ ~ ---:r;7 1,7 12';'8 2,6 ----r- 1 C,..=0,6 pF
cp, •• 0 ~ ~ --go- 90 90 90 900
-v.;:- ms 36 36 I~ ~ 36 36 36 rnA/V
<P21, 0 ---0-- -D- O 0 -D- O 00
rue I~ 300 450 ~ ~ 350 500 300 K!2
rsz: tpF -2- ---:r;7 1,6 1,6 1,2 1,4 1,8 pF

UeE=10V; Ie=1 IDA i=10.7 HM ..
Purametrul BE 2141 SF 215 BF 2S4IBE 255 BE 240 IBF 241 Valoarea ti picA
TIl" KQ 2,8 2 2,2 ~ 1,4 1,2 1,5 KQ
~ I~ """2()" 17 23 27 16 16 20 pF
~ _E__ ~ 35 00- 00- 20 20 C12.~0,6 pF
<P12. 0 go- ---go- ---go- 90 --go- 90 900
-v.;.- mS 35 35 35 35 I~ 35 35 rnA/V
~ 0 -5 ---5 -5 ~ -5 =-s- _50
T~af: ~ ~ 220 ~ ~ 320 430 200 KQ
c::- pF 2 1,7 1,"6 1";6 1:2 1,4 1,8 pF
---
Uoll=10 V; Io=l IDA i=100 MHz
Para!UIltrul BF 215 ~~ BF 2551 BF 240 BF 241lBF 814 Vuloure tipica
---
TUe Q 150 160 135 450 500 360 220 Q
--- --- --- --- -
TUb Q 33 33 33 30 30 28 30 n
--- i--- --- --- --- --- ---
CUo pF 0,6 0,6 0,9 0,3 0,3 0,24 0,6 pF"
~ pF 0,35 0,35 0,7 0,18 0,18 0,12 0,35 pF
-
y ... & mS 32 33 31 34 34 36 33 rnA/V
--- --- --- r
r2~t'b KQ 12 80 80 17 20 100 50 KQ 68

considerata la frecvente marl, apropiate de f Teste mai buna in sc~~a cu baza la masa (BM) decit in schema cu EM (vezi fig. 22) .

. Astfel in timp ce la frecvente sub 0,4 fp amplificarea in schema-'j EM este mult mai mare (25 -30 dB), la frccvente mai marl de 0,5 fT, I

, .

l

f

Fig. 22

amplificarea in schema EM scade la sub 12 dB, in timp ce schema BM mai asigura 0 amplificare de 8-10 dB la frecvente apropiate I de fp. <...»

" Lista de ecbiualenie

Pentru gasirea unor eventuali inlocuitori, se enumera mai jos tipuri de tranzistoare NPN universale de RF -Fl, echivalente cu tranzistoarele BF 214 -BF 215 -BF 233 -BF 234 -BF 235- - BF 254 -BF 255:

BF 115 (Philips) BF 175 (SGS) BF 229 (Telefunken)
BF 121 (ITT) BF 176 (SGS) BF 230 (Telefunken)
BF 125 (ITT) BF 189 (SESCOSEM) BF 273 (SGS-ATES)
BF 153 (SGS) BF 216 (Thorn) BF 274 (SGS-ATES)
BF158 (SGS) BF 217 (Thorn) BF 287 (SGS-ATES)
BF 160 (SGS) BF 218 (Thorn) BF 288 (SGS-ATES)
BF 162 (SGS) BF 219 (Thorn) BF 310 (Telefunken)
BF 163 (SGS) BF 220 (Thorn) BF 325 (Texas)
BF 164 (SGS) BF 226 (Thorn)
. BF 165 (SGS) BF 228 (Telefunken)
BF 368 (Motorola) BF 454 (SGS-ATES) 2 SC 384 (Toshiba)
BF 369 (Motorola) BF 455 (SGS-ATES) 2 SC 398 (Toshiba)
BF 373 (Motorola) BF 494 (Philips) 2 SC 399 (Toshiba)
BF 384 (Texas) BF 495 (Philips) 2 SC 535 (Hitachi)
BF 385 (Texas) BF 523 (Texas) 2 SC 657 (Sony)
BF 394 (Motorola) BF 594 (Texas) 2 SC 658 (Matsushita)
BF 395 (Motorola) BF 595 (Texas) 2 SC 738 (Matsushita) 69

2. TRANZISTOARE PENTRU FRECVEN'fA INTERMEDIARA VIDEO-SUNET TV

Tranzistoarele BF 167 si BF 173 stnt larg raspindtte si bine cunoscute pe plan mondial de cca 10 ani.

In ultimii ani, tipurile BF 167/173 cu capsula metalica au fost inlocuite cu tipurile BF 198 ~i BF 199 Cll capsula de plas tic, care sint echivalente cu tipurilc "mama", astfel:

BF 198=BF 167 pentru etajul prim reglat de RAA BF 199=BF 173 pentru etajele liniare de FI-VS.

Ambele tranzistoare au 0 capacitate de reactic C12e foarte re dusa, de ordinul a 0,2 -0,3 pF ~i' Irecvente de taiere mari, de ordinul 400 -600 MHz .

• La tranzistorul planar BF 167/BF 198 prin constructie !1i tehnologie s-a putut obtine 0 scadere foarte pronuntata a amplifi-

I H J B RiD.r\

BFI67

ft .. .lOmA

RI07 (OO..n.

f'2.0V

Sernnul de Intrarc I Ie (mA) I Un (V) I TJR (V) I Ue (V) UOE(V)
FS (Cani scmnul) 4 2,3 3 19,6 17,3
1,5 mV 8,5 4,8 5,5 19,2 14,4
semnal maxim. 10 5,5 u,2 19,0 13,5 Fig. 23

70

carii atunci ctnd curentul de col ector creste de la 4 -5 rnA In 9 -10 rnA. Scaderea de amplificare poate atinge 55 -60 dB (500 -1000 ori), datorita degradarii pantei si a Irecventei de taiere, simultan cu variatia rezistentelor de intrare si de iesire.

Acest efect puternic de. scadere a amplificarii se obtine m arind tensiunea pe baza tranzistorului, ceea ce Iorteaza pe de 0 parte cresterea curentului Ie iar pe de alta parte scaderea tensiunii U CEo

Reducerea amplificarii tranzistorului BF 167 (BF 198) se datoreste ~i cresterii curentului dar ~i scaderii tensiunii dintre colector ~i emitor. Reglajul de amplificare poate fi preponderent de curent sau preponderent de tensiune, aceasta depinzind de schema electrica a etajului prim de FI.

:.. Daca se privesc schemele electrice din Jig. 23 si 24, se ponte distinge di in schema prirnului elaj de FI-VS din televizoarele

RI07 mo »:

-i: 20V

u ~ A A = t 1(5 ... f 19 V

Semnalul la intrare TV I 10 (mA) I Vr,(V) I V]) (V) I Vo(V) I VOE(V)
FS (fara semnal) I 3,3 10,8 11,5 19,7 9
1,5 mV 5 16,3 17 10,5 3,2
Semnal maxim. [ 5,7 18,8 19,5 19,4 0,6 Fig. 24

71

seriei HlO avem un reglaj de curent al colectorului intre 4 rnA la semnal slab (sau fara semnal) ~i cca 10 rnA la semnal maxim.

La schema FI-VS al seriei H2 s-a adoptat un reglaj preponderent de tensiune: curentul variaza doar cu cca 2 rnA (intre 3,3 ~i 5,7 rnA) dar tensiunea VeE variaza Intre 9 V la semnal slab ~i aproape zero voltl la semnal maxim.

Transistorul planar-epitaxial BF 173JBF 199 are 0 tensiune de saturatie foarte mica (sub 1 V) ~i este anume construit pentru a asigura 0 mare tensiune de "excnrsie" deci tensiuni mari la iesirea AFI.

Acest tranzistor are capacitatea de reactie foarte mica (0,23- -0,3 pF) cum ~i 0 panta mare (cca 130-150 mA/V la lc=7 mA), ceea ce permite obtinerea unei amplificari deosebit de mari.

Tranzistoarele planar-epitaxiale obisnuite, preainta 0 capacitate de 0,6 -0,7 pF intre bad ~i colector, care constituie capacitatea

de reactie CIBE• De fapt aceasta capacitate se compune din 2 capacitati:

- capacitatea Cb'C (dintre baza ~i colector) a structurii tranzistorului propriuzis sau a sistemului (C8=capacitatea sistemului); - capacitatea de tip MOS datorata foliei metalizate de contactare a bazei (C,,= capacitatea contactarii) care este comparahila sau chiar de 2-3 ori mai mare declt C,.

Deci capacitatea de reactie CIBE se compune din 2 elemente:

CI2E=C, +Cc'

Reducerea lnfluentei C, (de contact) nu este usoara, dar este posibila in tehnologia planara, astfel inc it sa ram ina doar capacitatea propriuzisa, care poate fi redusa din constructia tranzistorului la cca 0,15 -0,2 pF.

Reducerea capacitatii de reactie se realizeaza cu un ecran integrat (realizat in cursul producerii tranzistorului) intre insula de folie metalica care constituie contactul hazel ~i zona colectorului. Acest ecran este conectat la cmitor astfeI cli el anuleaza practic capacitatea insulei de contactare a bazei fata de colector. Ecranul este de fapt un strat subtire de tip P obtinut prin difuzie in volumul de material semiconductor de tip N al colectorului. Prezenta

72

eleetrodului de ecranare "sparge" capacitatea suparatoare de tip MOS (Metal-Oxid-Semiconductor) in doua capacitati: una intre baza ~i emitor, iar alta intre eolector ~i emitor, reducind aproape la zero capacitatea parazita dintre colector ~i folia metalica de

folia de contact o emoif6torului

@

@

Fig. 25

contact a hazel. In fig. 25 se arata schema eleetrica a capacitatiler amintite:

a) tranzistor planar obisnuit, fara ecran, avind C. ~i Ce•

b) tranzistor cu ecran integrat (integrated screen); ecranul este legat electric Ia emitor I;li anuleaza capacitatea Cc dintre colector ~i haza.

c) sectiune prin tranzistor, unde se vede stratul ecran de tip P sub folia metalizata de contactare a bazei ~i care in afara figurii este legata electric Ia folia de contact a emitorului .

• Intrucit ecranul integrat este un strat de tip P realizat in materialul de tip N al colectorului, acest ecran poaie fi prioii 1i ca o jonciiune PN, deci 0 diodii conectaiii inire emiior ~i colector. Reprezentarea din fig. 26, chiar daca nu este exacta, ajuta la explicarea comportarii aparent curioase a tranzlstoarelor eu ecran integrat BF 167jBF 198 I;'i BF 173jBF 199, la incercarea cu ohmmetrul. Astfel aplicind ohmetrul cu plusul pe E I;li minusul pe C, un tranzistor obisnuit va indica co (blocat) in timp ce la un tranzistor cu ecran intern, ohmmetrul va indica 0 rezistenta de cca 100 n, cit este de fapt rezistenta stratului ecran de tip P.

73

• Tranzistoarele in plastic BF 198 ~i BF 199 nu se deosebesc esential de tranzistoarele cu capsula metalica BF 167 ~i BF 173. Capacitatea de reactie este ceva mai mare, astfel:

BF 167 : C12E=0,15 pF BF 198 : C12E=0,20 pF

II

BF 173 : C12e=0,23 pF BF 199 : Cue=0,30 pF.

Puterea disipata a tranzistoarelor in plastic estc mai mare:

BF 167: 130 rnW BF 1~)8; 280 mW

II

BF 173: 260 mW BF 199; 280 rnW.

Panla cstc rnai mare la tranzistoarele noi in plastic;

+ pe E, - pe C : blocat I I + pe E, - pe C : CONDUCE

~--------------------~

+ pe C, - pe E : blocat

BF 167: 95 mA/V BF 198 : 105 mA/V

II

BF 173 : 145 mA/V BF 199: 170 rnA/V.

Tranzistor NPN rcprezentat ca doua diode avlnd "zona P cornuna celor dooua diode.

Proba cu ohmmetrul:

+ pe B, - pe E : conduce :+ pe E, - pe B: blocat

+ pe B, - pe C : conduce + pe C, - pe B : blocat

74

6

Tranzistor NPN cu eeran intcgrat care contine 0 "dioda ecran" conectata intre colector ~i emitor.

Proba cu ohmmetrul:

+ pe B, - pe E : conduce + pe E, - pe B : blocat

+ pe B, - pe C : conduce + pe C, - pe B : blocat

+ pe C, - pe E : blocat

Fig. 26

• Parametrii principali Y ai tranzistoarelor de FI- VS sint dati in tabelul de mai jos:

I ---------- I
BF 167 BF lU8 BF 173 BF 199
Parametrul
10 V, 4 mA, 35 MHz 10 V, 7 mA 35 MHz
---- ------------ ------
rne !l 450 :310 220 220
C,,, pF 45 36 45 45
C", pF 0,15 0,20 0,23 0,30
Yu, mA/V 95(;;;.70) 105(>80) 145(>115) 170(>130)
<p,,. 0 -23 -20 -22 -22
rue K!l 33 20 15 12
C ... pF 1,2 1,3 2,1 1,8
AI> opl dB 42 42 42,5 43 Dupa cum se vede, tranzistoarele in plastic nu m ai au PIClOrusul de masa, Ordinea terminalelor permite tnlocuirea usoara a tranzistoarelor cu capsula metalica.

Inlocuirea trauzistorului BF 173 prin BF 1 Dfl nil puue nici 0 problema. Inlocuirea tranzistorului BF 167 prin BI' 198, arc un usor efecl de amortizare asupra circuitului acordat din coleclorul sau ~i 0 modificare a caracteristicii de RAA; amhele efecte nu conturba selectivitatea, stahilitatea sau calitatea imaginii.

EchilJalen(e

Inlocuirea tranzistoarelor enumerate mai jos prin tiputile BF167-198 sau BF173-199 este posibila in 99% din cazuri.

75

Nu se poate Jnsa garanta intotdeauna inlocuirea tranzistoarelor BF 167-198 sau BF 173-199 cu tranzistoarele de rnai jos:

Tranzistoare cu RAA(BF 167/198) Tranzistoare cu Ie fix(BF 173/199)

BF 127 (ITT) BF 123 (ITT)

BF196 (Valvo, Philips) BF158 (SGS)

BF 207 (Cosern) BF 159 (SGS)

BF 225 (Texas) BF 168 (Telefunken)

BF 251 (SGS-ATES) BF 197 (Valvo, Philips)

BF 329 (ATES) BF 208 (COSEM)

BF 367 (Motorola BF 223 (Telefunken)

BF 596 (Texas) BF 224 (Texas)

2 SC 250 (Fuji) BF 227 (Telefunken)

2 SC 377 (Toshiba) BF 237 (Texas)

2 SC 563 (Matsushita) BF 260 (ATES)

2 SC 785 (Toshiba) BF 271 (SGS-ATES)

2 SC 928 (Sonyo) BF 371 (Motorola)

2 SC 1187 (Nipon Electric) 2 SC 658 (Matsushita)

3. TBANZISTOARE DE FIF ~I UIF

Pentru dorneniul de frecventa de 200 -900 MHz s-au elaborat tranzistoare speciale cu frecuell(ii de Uiiere mare, capacitate de reaetie mica #. zgomot eft mai redus la frecventele acestui domeniu.

Exista tranzistoare PNP ~i NPN cu siIiciu sau gerrnaniu destinate folosirii in selectoarele de canale FIF (50 -230 MHz) ~i UIF (470-860 MHz).

In tara noastra se fabric a tranzistoare NPN de tip planar, cu siliciu ~i anurne familia BF 180, BF 181 ~i BF 200, care rezulta dintr-o singura Iabricatie, departajarea facindu-se prin sortare.

Caracteristica importanta a acestor tranzistoare 0 constituie posibilitatea reglarii amplificarii de putere ~i tensiune prin varierea curentului de coleetor

La curent de 2 ... 4 rnA aceste tranzistoare au arnplifiearea maxima; pe masura cresterii eurentului, ampIifiearea tranzistorului sea de, astfel ca la 10=8 -10 rnA, scaderea de ampIifieare este eu 30-35 dB (30-50 ori mai midi).

Scaderea amplificarii este eu attt mai pronuntata cu cit frecventa este rnai mare, asa cum se arata in fig. 27/a, in care se prezinta curbele de scadere a amplificarii pe m asura cresterii eurentului

761

AlI=fUC). Cele 3 curbe reprezinta variatia amplificarii la 3 frecvente tipice 100, 200, §i 600 MHz. Se vede ca pentru a reduce cu 20 dB (de 10 ori) amplificarca primului etaj din selectorul de canale, la f=100 MHz este necesara cresterea lui Ie ptna la 8,7 rnA in

-10

- 30

0)

UC ;<J .. (OV

b)

U~AS

I 't v 10 AI mo" (Ia semoc/ ~/o6) f {IV 10 J'f!mna/ I mare

Fig. 27

timp ce cu 0 crestere la 7,3 rnA, amplificarea scade de 10 ori la f=200 MHz. In fig, 27Jb se arata schema de c.c. a primului etaj din selectorul de FIF. Curentul de colector (emitor) produce 0 cadere de tensiune pe rezistenta RE= 1 KO, astfel ca emitorul este Ia tensiuneade 3 V cind Ic-:::::.IE=3 rnA. Tensiunea bazei este cu 0,7 V pozitiva fata de emitor, deoarece este tranzlstor NPN. Pe rezistenta RB de 2 -3 KO, mai apare 0 cadere de tensiune de cca 0,3 V produsa de curentuI bazei IB care este in medie de 0,1 rnA

UE=I'RB UCE=UC-UB

URAA=UB+O,3 V Lasemnalmicavem:Ic=3mA,UE=3V, UB=3 ... 7 V, UcE=9 V, URAA=+4 V.

La semnaI mare avem: Ic=10 m A, UE=10 V, UB=10,7 V, UcE=2 V, URAA.= +11 V .

• Reglajul de amplificare se bazeaza pe efectuI de autoaglomerare a curentului de emitor, din cauza suprafetei foarte mici a emitorului. Densitatea mare de curent in baza emitorului, pro-

77

LIMITE MAXIME
1'IP POL IT I I--~~- c re A" F
(MHz) UVBO Iv (pF) (dB) (dB)
(V) (rnA) (rnW)
---
AF 106 PNP 220 25 10 60 0,45 16 7
-- _- --
AF 109 R PNP 400 20 10 60 0,25 16,5 4,5
I- -- --
AI" 139 PNP 500 20 10 60 0,25 17,5 4
-- -- -- ---
AI" 139 15 5,2
-- -- --
AF139 11 7
-- -- -- --
AF 2:19 PNP 650 20 15 tiO 0,2:-1 21,5 3
-- -- -- --
AF239 18 4
-- -- -- ---
AF239 14 5,2
-- -- -- -- ----_ ---
AF 239 S PNP 780 20 15 60 0,2 22 2,7
-- -- --
AF239 S 19 3,6
-- -- --
AF 2:19 S 15 4,7
.. --. --
AI" 239 S 14 5,8
-- -- -- ---
All 240 PNP 50U 15 10 60 0,26 13 6,ri
-- -- --
AF267 PNP 780 20 10 1)0 0,4 1~,5 4
-- -- --
AF267 14 6
-- ---- -- ---
AF2ti7 12 6 78

TABELA B

Ja
UOI! I Io I I Rs Terminale FUNCTIA
(V) (rnA) MHz (1m)
10 3 200 0,9 EBCM A, Mix, Ose, FIF
10 2 200 0,9 EBCM Amp], RAA, FIF
10 2 200 0,9 EBCM Amp., RAA, FlF
10 1,5 500 1,4 EBCM Mix, osc, VIF
10 1,5 800 1,4 EBCM Amp], RAA, VIF
-
10 2 200 2,5 EBCM Ampl, RAA, FIF
10 2 500 2 EBCM Mix, osc, VIF
10 2 800 2 EBCM AmpI, RAA, VIF
10 2 200 2,5 EBCM Ampl, RAA,FIF
10 2 500 2 EBCM Mix, lise. UIF
10 2 800 2 EBCM AmpI, MA, VIF
10 .2 gOO 2 EBCM " " "
10 2 BOO .2 EBCM Mix. lise. VIF
10 .2 500 2 E Mix. osc, V IF
B
10 2 901) 2 Ampl, RAA, VIF
10 2 900 0,5 C Amp]. antenii. VIF
..... rv""'T 79

LIMITE MAXIME
TIP IT I Cro (:/l) F
POL (MHz) UCHo Ic I P,. (pF) (dB)
(V) (mA) (mW)
AF 279 PNP 780 15 10 60 0,42 16 5
-- -- -- -- ---
AF2BO PNP 550 15 10 60 0,-12 14 7
-- -- -- -- --
AF :167 PNP BOO 20 10 60 0,4 12 6
-- -- -- -- -- --- ---
AF 369 PNP 550 15 10 60 0,4 10,5 6,5
-- -- -- --
AF 379 PNP 1250 20 20 100 - 18 5
-- -- -- --
BF272A PNP 850 40 20 200 0,3 20 2,5
-- -- --
BF 272 A PNP 19 3
-- -- -- ---
BF272A PNP 15 3,5
-- -- --
BF 316 A PNP 600 40 20 200 0,3 12 5
-- -- -- -- --
BF509 PNP 700 40 20 200 0,5 18 1,8
-- -- -- --
BF506 PNP 400 40 20 200 0,5 17 2,5
-- -- --
BF479 PNP 1400 35 20 200 - 18 3,5
-- -- -- -- --
BF 679 P]\,'P 1000 35 15 200 0,3 15 3,5
-- -- --
BF6BO PNP 650 35 15 200 0,3 14 5,5 80

TABELA B (eontlnuare)

11\
UCE I Ic I I Rs Tcrminale FUNCTIA
MHz
(V) (mA) (KO)
10 2 800 2 Amp!. RAA, VIF
10 2 800 2 1,0 Mix. osc. VIF
2 Arnpl, RAA, VIF
10 900 0,5
C
10 2 900 0,5 Mix. osc. VIF
8 8 800 2 EBCM AMOL. LIN. FIF/UIF
10 3 200 2 EBCM Arnpl, RAA, FIF
10 3 500 2 EBCM Ampl. RAA, VIF
10 3 800 2 EBCM Arnpl. RAA, VIF
10 3 800 2 EBCM Mix. osc. V IF
10 3 200 2 EBC Ampl. RAA, FIF
.
10 3 200 2 EBC Mix. osc. FIF
10 10 800 2 ~ AMPL. LIN. FIF/UIF
B
10 3 800 2 AMPL. RAA, VIF
10 3 800 2 C Mix. osc. VIF 6 - Buletln tehnic nr. 3

81

voaca scaderea frecventei de taiere de cca 10 ori cum ~i redueerea puternica a reztstentei de iesire r22' Ca ~i la tranzistorul BF 167, reducerea tensiunii U CE contribuie de asemenea la reducerea amplificarli; reducerea tensiunii intre colector ~i emitor are loc pe seama cresterii potentialului emitorului de la 3 V la eca 10 V in timpul procesului de reglare .

• Departajarea celor 3 tranzistoare se face dupa criteriul amplificarii de putere la frecventa de 800 MHz. Cele mai bune tranzistoare iesite, se triaza apoi dupa factorul de zgomot F, rezultind tipul BF 180 care urmeaza a fi folosit ca amplificator de RF in selectoarele de UIF. Cele ale carer zgomot este ceva mai mare, devin fie tranzistoare BF 181 destinate etajului mixerfautooscilant al selectorului de UIF, fie tranzistoare BF 213 pentu acelas post.

Tipul BF 200 este "mezinul" familiei, putind lucra foarte bine la frecventele FIF (max 230 MHz adica de cca 3 ori mai putin

deeit fp). .

Parametrii de comparatie a aeestor 3 tranzlstoare slnt date in tabelul A (de la pagina 64). Panta, care este parametrul eel mai interesant la frecvcnte mari, este dat in tabelul de mai jos:

(MHz) I IYml mA!V
BF 180 I BF 181 I BF200
50 60 58 56
Punctul de fune-
tionare 200 55 54 52
UcB=10 V
1c = 2 rnA
500 40 37 33
800 30 27 24 Alte tranzistoare de inalta frecventa (FIF-VIF)

Pentru ca tehnicienii sa poata avea 0 vcdere de ansamblu asupra celor mai bune tranzistoare europene pentru VIF ~i FIF, am intocmit tabela B, In care sint prezentate cu parametrii comparabili, 0 serie mare de tip uri. Este yorba des pre tranzistoare PNP cu germaniu ~i tranzistoare PNP ~i NPN cu siliciu. Performantele sint specificate pentru Irecventa maxima ~i conditlile optime de utilizare.

82

Dintre tranzistoarele de FIF si UIF straine (din aparatura [aponeza TV) pot fi enumerate urmatoarele:

Inlocuibile prin AF 106:

2 SA 54, 2 SA 239, 2 SA 240 2 SA 242, 2 SA 243, 2 SA 246 2 SA 247, 2 SA 260, 2 SA 261 2 SA 262, 2 SA 263, 2 SA 264, 2 SA 265, 2 SA 292, 2 SA 293 2 SA 294, 2 SA 343, 2 SA 344 2 SA 345, 2 SA 346, 2 SA 3,47 2 SA 348, 2 SA 362, 2 SA 377, 2 SA 378, 2 SA 401, 2 SA 403 2 SA 434, ,2 SA 435, 2 SA 436 2 SA 437, 2 SA 438, 2 SA 463 2 SA 476, 2 SA 506, 2 SA 507 2 SA 508, 2 SA 525.

lnlocuibile prin IAF 139:

2 SA 161, 2 SA 162, 2 SA 163 2 SA 164, 2 SA 165, 2 SA 166 2 SA 229, 2 SA 230, 2 SA 238 2 SA 244, 2 SA 245, 2 SA 253 2SA 288, 2 SA 289, 2 SA 290, 2 SA 308, 2 SA 309, 2 SA 310 2 SA 419, 2 SA 420, 2 SA 421 2 SA 422, 2 SA 430, 2 SA 431 2 SA 432, 2 SA 440, 2 SA 447. 2 SA 454, 2 SA 455, 2 SA 456

E. TRANZISTOARE Si DE PUTERE PENTRU AUDIOFRECVENTA ~I BALEIAJ

Intr-un buletin tehnic anterior s-a prezentat tehnologia tranzistoarelor de putere cu siliciu. Cele patru familii tehnologice de tranzistoare - fiecare cu avantajele ~i dezavantajele sale - pre cum ~i cele mai representative tipuri sint date in acest capitol.

1. TRANZISTOARE SIl\IPLU DU'UZATE (HOMETAXIALE)

C aracteristicile principale ale acestor tranzistoare:

UcEo=40 70 V (foarte Tar 100-150 V)

Ic =10 30 A (uzual 10-15 A)

Pa =75 150 W

r; = 0,8... 1,5 MHZ (uzual 1 MHz)

Tranzistoarele simplu difuzate stnt toate de tip NPN si sint caracterizate de 0 exceptionala robustete, atit sub aspectul puterii disipate cit mai ales ca rez lstenta la strapungere (second breakdown).

Principalele tip uri de larga circulatie: BD 130; BD 141; BD 142; BDXI0, 11, 12,13, 23, 24, 40, 41, 50, 51, 60. 2 N 3055(BDX10);

83

2 N 3441; 2 N 3442; 2N 3371; 2N 3372; 2N 4347; 2N 4348; BDX70, 71, 72, 73, 74, 75.

In tara noastra, I.P.n.S.-Baneasa, fabric a tipul universal 2 N 3055 eu "derivatele" sale 2 N 3055 U; 2 N 3055 M: BD 142 etc. realizate eu strueturi in care baza este omogena ea rezistivitate in directie axiala (emitor spre colector).

Tranzistorul 2 N 3055 poate disipa 0 putere de 115 W in conditii de racire ldeala (eu radiator infinit, astfel ea temperatura eapsulei

sa nu depaseasca 25°C). .

In condiii: reale de rlicire, eu un radiator neruurat (extrus) auind a rezislenJii termicii de eea. 2°CjW, tranzisiorul 2 N 3055 poate disipa a putere de eea. 40 W; in aceastii situaiie temperatura joneJiunii atinge 180°C, limita superioarii admisii.

In tabelul D se prezinta parametrii limita ale eelor mai uzuale tranzistoare hometaxiale:

I uc;o I \EO I (~gt~) I ~T~~Ml~l -_.
D I p I~' I R I F
'l'ron<Listor del) J II' •
W 'C 'C/w MHz
{2N3055 100 60 70 ~1~17 20-70 117 200 1,5 1
-- - -- -
2N3055U 100 SO 90 15 15 7 30-200 150 200 1,17 O,S
- -- - - - 1- - -- -
2N3055V SO 60 70 15 20 7 20-150 150 200 1,17 O,S
-- -- - - - - -- -
2N3055M 120 90 100 S 10 5 20-50 117 200 1,5 1,5
-- - - - -- - -- --
BD142 50 45 50 15 20 7 20-120 117 200 1,5 1,3
-- -- sI13 - -- - -- -
BD141 140 120 130 5 20-70 117 200 1,5 1
-- - -- -
2N3442 160 140 150 10 15 7 20-200 117 200 1,5 O,S
-- -- -- - - - -- --
2N4347 140 120 130 5 10 3 20-70 100 200 1,75 1,2
-- -- - - - - -- -
2N3772 100 60 70 20 30 5 20-200 150 200 1,17 1
-- -- - -- - - - -
2N3771 50 40 45 30 30 7 20-200 150 200 1,17 O,S
-- -- - - -- - 1- -
2N3772 160 140 150 15 30 10 20-50 150 200 1,17 0,7
-- -- -- - - - -- -
2N434S 110 120 130 10 30 5 15-60 120 200 1,47 O,S 84

2. TRANZISTOARE CU BAZI EPITAXIAJ~1 (EPIBAZA) Caracteristicile principale ale acestor tranzistoare de tip NPN ~i PNP:

UcEo=20 ... 100 V Ic = 4 .•. 16 A

Prl =30 150 W

Fp = 3 10 MHz

Tranzistoarele epibaza Imhina calitatile tranzistoarelor simplu difuzate (robustete) :;;i cele ale tranzistoarelor tripludifuzate (freevente mai mari de lucru), utilizate foarte bine in amplificatoare Hi-Pi de AFt comutatie de putere, stabilizatoare de tensiune, baleiaj orizontal (ca tranzistor de atac) :;;i baleiaj vertical (finale in TV alb :;;i negru :;;i TV color). Tipuri reprezentative de tranzistoare epibaza sint:

NPN: BD 433; BD 435; BD 437; ED 430; BD 441;

(vezi pag. 54) PNP: BD 434; BD 436; BD 438; BD 440; ED 442;

Seria: BD 533; BD 535; BD 537 (NPN); BD 534; BD 536; BD 538 (PNP) are: UcEo=45-60-80 V; Ic=4 A; ICM=7 A si Pa=50 W, capsula 1'0-220 AB.

Cu tehnologia epibaza se Iabrica :;;i tranzistoare integrate de tip Darlington, de tip NPN, de tip PNP precum ~i complementare PNP+NPN.

c

C

1-'--- .-

I!

I

.

L. _ ._ . .1.'.0 __ .1

E

PNP

Fig. 28. Tranzisloare darlington

Tratuistoarele Darlington cuprind in capsula doua tranzistoare, 2 rezistente Iii 0 dioda antiparalela de protectie, asa cum se arata ill figura 28.

85

Amplificarea de curent continuu E este de ordinul a 1 000- 5000, Iiind aproape egala cu produsul amplificarilor de c.c. ale color doua tranzistoare eomponente:

B=B1·Bz

Astfel dad! Bl = 100 ... 200 (Tl fiind un trauzlstor mic asemanator unui BC 107), iar B2=20 ... 50 (T2 este un tranzistor de putere), amplificarea grupului Darlington rezulta:

B=(100 ... 200) X(20 ... 50)=2000 ... 10000

Ca urmare la un eurent de bazji IB=3 m A, la un Lranzistor ell B=3000, sc· obtine un curent de colector Ic=9 A.

Tipuri uzuale de tranzistoare Darlington:

NPN: BD 263; BD 267; ED 645; BD 647; BD 649; BD 675; BD 677; BD 679; BD 681; BDX63; BDX65; BDX67;

PNP: BD 262; BD 266; BD 646; BD 648; BD 650; BD 678; BD 680; BD 682; BDX62; BDX64; BDX66;

Tranzistoarele Darlington de putere se folosese preponderent in amplifiealoare Hi-Fi de AF, dar ~i in stabilizatoare de tensiunc.

Se dau mai jos in tabelul E parametrii unor tranzistoare epibaz a:

TABEL E.

BD262-B0263*

60 GO 1. 36 750 1,5 2,5

C(A) MHz Capsulii
._--_- ---
1,5 7 SOT32
T0126
- 10 T0220
3
- - I
3 10 T0220
- T0220
3 10
-
3 10 T0220
- ---
1,5 7 T0126
-
1,5 7 T0126
- -
1,5 7 T0126
- -
1,5 7 T0126
- -
3 12 T03
-
5 10 T03
-
10 8 T03 13D647-B0648 100 80 8 60 750 3 2

-------1-- -- --- - ------

B06-19·B0650 120 100 8 60 750 3 2

1------- --- -- ---- -- ----

45 ~_4 ~~~ 2,5

I_B_0_6_77_-_B_0_6_78 __ 1_60 __ '_60 4 _40 75_0 _1_,5 _2_,5

B0679-B0680 80 80 4 40 750 1,5 2,5

1------- ------ -- ---

I_B_0_68_1_-B_0_68_2 __ 100 100 _4 ~~~ 2,5

6060890100032

------------

BOX64-BDX65* '80 60 16 150 100010 2

-------_---

BOX66-BOX67* 60 60 16 150 100010 2

--------- -----

NOTA: Tranzistoarele BD 262, 263, 266, 267, BDX62, 63, 64, 65, 66 ~i 67 au 3 clase de tensiune. In tabelul E s-au trecut

B0675-B0676

------- ------ ------

B0266-B0267* 60 60 8 60 750 3 2

-- --_----- -- --

B0645-B0646 80 ()O 8 60 750 3 2

BDX62-BOX63*

fl6

tranzistoarele ell tensiunea cea mai midi. Celelaltc clase de tensinni sint evidentlato eu literele A !;Ii B, astfel:

BD 202-BD 263 UOEO= 60 V

BD 262 A-ED 263 A UCEO= 80 V

BD 262 B-BD 263 B UcEo=100 V

BDX62-BDX63 UCBO= 60 V

BDX62 A-BDX63 A UCEO= 80 V

BDX62 D-RDX63 B UcEo=100 V

BD 266 -BD 2G7 - 60 V BDX64 -BDX65 - GO V

BD 266 A-BD 267 A- 80 V BDX64 A-BDX65 A - 80 V

BD 266 B-BD 267 B-100 V BDX64 B-BDX65 B -100 V

BDX66-BDX67 UCEO= 60 V

BDX66 A-BDX67 A UCEO= 80 V

BDX66 B-BDXG7 B UcEo=100 V

3. TRANZISTOARE TRIPLU DIFUZATE (PENTRU BALEIAJ ORIZONTAL)

Caracteristicile esentiale ale acestei familii de tranzistoare alnt tensiunea mare de lucru, frecventa ridicata ~i viteza mare de comutatie.

Aceste tranzistoare sint destinate in special etajelor finale

de baleiaj orizontal ale televizoarelor portabiIe, stationare 1}i color:

UcEo=200 ... 2000 V

Ic 3. . • 10 A

Pa = 5... 15 W

fT = 5... 30 MHz.

Dintr-un numar enorm de tranzistoare tri lu difuzate, intereseaza tipurile mai uzuaIe:'~utilizate In e evizoarele moderne (toate NP~l:.~._:"- " .... " . "'<C"'~'" -._--

1. BD 406; BU 407; BD 408; BD 104; BD 109; BD 312; 2 SC 558; 2 SC 1617;

2. BD 204; BU 205; BD 206; BD 207; BD 208; BD 209; BDY 71;2 SD 200;

Grupa 1, cuprinde tranzistoarele cu tensiune maxima de ordinul a 250-350 V, care se folosesc in etajele finale de baleiaj orizontal alimentate la tensiunca de 25-32 V, in televizoare portabile, transportabile si stationare, Cum tensiunea maxima din timpul intoarcerii este de cca. 8 ori mai mare, decit tensiunea

87

de alimentare (accidental chiar de 10 ori), inseamna ca tranztstoarele din grupa 1 trebuie sa suporte in conditii de VCEV*' Tcnsiuni de 250-320 V.

Grupa 2, cuprind~.,!ranzistoare pentru baleiajul oriz ontal ali mentana 120-150 V ~i chiar 2OQ_Y,J.Id~1~'y'j.ZDru:e.le._alb-negru sau color.

Luind in considerare ~i aici raportul 10 intre tensiunea maxima de impuls in timpul intoarcerii.jtensiunca VCE n.ec~~a:ra este de 1 200-2000 V.

Puterea disipata a acestor tranzlstoare este relativ mica, mai ales la tranzistoarele din grupa de inaltii tensiune. Este de altfel de importanta exceptionala, 0 buna racire a tranzistoarelor de baleiaj, deoarece temperatura jonctiunii nu trebuie sa depascasca niciodata 80-85°C, aceasta pentru a se asigura fiabilitatea.

Parametrii tranzistoarelor triplu difuzate pentru haleiaj slnt

dati in tabelul F. •

• Unele din tranzistcarele modemede ~:O. ~gnJiI1.J!I:.~.aEs~la ~! 0 dloda antip~~alel~'I"c.aO~e jPB:P..~.E21~~_~.~d.~~...EE-!~J.!~}.~ .. qe_r$..£~p~:rare .

. Tranzistoarele B u 4 6 D !li B u 40-, Q.! .~~.~1iIl .. ~~~_L,~L diod;L de re£!.p~!~£~_~:yJg.e_nl~Jitm'in litera D. Dioda este dimcnsionata pentrii V R= 350 V ~i I D= 5 A la V F= 1 V. In figura 29, a se ara ta schema electrica a tranzistoarelor nu 406 D ~i BU 407 D.

C++

~

BU40il.D e

Ie ~. , e-I!I Ie

E 1 rs I

- £ I £

Ic ... Ia=IE 1<:=J:+1£

~4A+.,GA -2..\ o,'A.~?--4 +OtU

'-Ic/11"2,3 0ll.&inv::lc/r.

CONDUCTIE" NOIlMAL~ (DND. iNVERSA

•

& .•

I.

~

BUlt01+BA1S1R

Q.

c.

Fig. 29.

* Intrarea tranzistorului este blocata: in eazul tranzistoarelor NPN, intre E ~i B se aplicii. 0 tensiune de pclarizare inverse. de cca. 2 V eu plus pe E ~i minus pe B.

88

~ I ~ I ~ 1----+--~ I_~I_ co-+-l co~1 co ~ I ~ I ~

I~I~I~I~ el~l~ ctltilti ;r I ;i I ~ I ~ 1 ~ ~~--~- ~ I ~ I ~

~ I ~ I ~ I ~ I ~ '_~---i1_~-----;1,-----~_,_~---;-1_3----;-1_~_,_~

."

;n

....

I

It)

:10 co

\\ 1----1

It)

~

1 o ....

It)

~

I

o ....

o ....

." ....

-

o o o ....

89

• Familia de tranzistoare BU 204 ... 209 nrecurn si.tranzistorul BUY7l stnt de 0 "constructie"~u totul speci~ care asiaura ~i couductia inversa a curentului in colector. lufig. 29, b, se evidentiaza conductia normala ca la - orice tranzistor NPN cind curentul emitorului este eel mai mare dintre cei trei eurenti ~i iese din tranzistor. In situatia de conductie inversa. tranzistoflll BTl 205 joaca rolul diodei paralele de recuperaTe; curentul princil!l:!ls1t:.abate "tranzistorul prin ·onc iunea baza-c • . . norma III Imp ce§l ]onctiunea EB condu.ce invers un curent ceva mal mic. Pentru a conduce invers. trebuje ca emitoruJ sa fje puternie pozitiv fata de colector. Se £oate spune despre' BU 205 ca este un tranzlstor "simetric" care conduce in ambeJe sensnri, flic.i.n.d. sa fiu mal lie necesara dioda de' recuperare conectata antinaralel,

TrebUleITleritlonat elf tranzistoarele de inaWi tensiune de felul lui BU 205 sint extrem de pretentioase in ceea ce priveste comanda bazei, attt ca amplitudine cit ~i ca faza aceasta in scopul de a asigura golirea deplina de curent a tranzistorului pentru perioada de 12 [J.S cind are loc intoarcerea timp in care tranzistorul este supus la 0 tensiune de 1 000-1 200 V.

Prin tehnologie triplu difuzata se obtin si tranzistoare rapide de puteri sl tensiuni foarte marl, adica 300-400 V. 20-40 A, 150-250 W ~i totusi If (timp de cadere) de 0,5-1 [J.S.

Se prezinta mai jos unele serii de tranzistoare deosebite triplu difuzate (TD).

Ml'~SATD·1 BUX30 I DUX40 I BUX<U I BUX42 I BUX4S I BUX44 I
UCBO 90 125 200 250 325 400 V
._-
I, ,10 20 15 12 10 8 A.
r; 120 120 120 120 120 120 W
----- --- ----..----
if 0,3 0,4 0,8 0,8 1 1,2 I.L~
---
ru I nUX20 I BUX21 I BUX22 I BUX23 I BUX24 I
UCRIJ 125 200 250 325 400 I V
1 c 50 40 33 25 20 A i
r, 150 250 250 250 250 ,:--1
l f o.a 0.4 0,6 1.1 1,4 90

.- 0 c
0
0
.-"
t t ':. .. _,
•
E It
Eel 0 BeE
CAPSULA SOT82 I I CAPSULA
SAU T0126 CAPSULA T03 T0220AB
._--
BD135, 137, 139 i2N3050, BD141, BD142 BU4()6, BU407
BD136, 138. 140 2N3442, 2N4347. 2N4348 BU407D
'2N3771, 2N3722, 2N3773
BD645-BD646
BD433, 435, 437 BD647-BD648
BD434, 436, 438 BD130, BU120, BU126, BU312 BD649-BD650
BD439, BD441
BD440, 13D442
BD533-BD534
BDXI0, 11, 12, 13, 23, 24, 25 BD535-BD536
BD537-BD538
BD533, 535, 537 BDX40, 41, 50, 51. 60, 61, 62
BD534, 536, 538 BDX63, 64, 65, 66, 67, 68, 69
BDX71, 72, 73, 74, 75, 76, 77
.l3D675-BD676 BUXI0, 11, 12, 13, 14, 15, 16
BD677-BD678 BUX20, 21, 22, 23, 24, 25, 26
BD679-BD680 BUX39. 40, 41, 42, 43, 44, 45
BD681-BD682
BUY12, BUY18. BUY47, 4 " 57
BUY72, 73, 74, 74, 76, 77, 78,
BD262-BD263
BD233, 235, 237 BUI00, 102, 104, 105, 108. 109
BD234, 236, 238
BU204, 205, 206. 207, 208, 209
I Fig. 30.

4. TRANZIST9ARE PLANAR EPITAXIALE DE PUTERE Cronologic, in tehnologia planara s-au realizat primele tranzistoare rapide de putere pentru baleiajul orizontal, tranzistoare cu tensiuni UCER de ordinul a 200-300 V, cum au fost BUY 12, BU 100, BU 102 al carer mare dezavantaj era fragilitatea la tensiuni mari, in sarcina. Ulterior s-au dezvoltat tranzistoarele mult mai robustela strapungere BU 100 A; BU 125 S, BD 375, BD 377,. BD 379, BUY 18 S, BUY 47, BUY 48 etc.

Cum din tehnologie tranzistoarele PL-E au baza foarte subtire, proprietatile de frecventa sint superioare oricaror tranzistoare de putere, facindu-Ie apte pentru comutatie rapida, dar nu pentru baleiaj orizontal, De altfel frecventa de taiere a trauzistoarelor PL-E de putere este cuprinsa intre 50 !ji 100 MHz (simultan cu 5:_ 10 A ~i 200-300 V) iar timpii de com uta tie de 0,1-0,3 fLS.

Tranzistoarele de putere pentru etajele finale ale statiilor mobile de radiocomunicatii s int toate de tip planar-epitaxial.

La acestea in scopul de a asigura frecvente foarte mari de lueru baza are grosimi de ordinul a 1- 2 fL !ji ca urmare tensiunile de lucru slnt mici. 0 serie mare de tranzistoare pentru emitatoare cu SSB (banda laterala unica). FIF ~i UIP, au UCEO de ordinul a 20-40 V curenti m aximi de 2-15 A ~i frecvente limita de 150-900 }11Hz.

•

In Incheiere se prezinta in fig. 30, conexiunile terminale ale tranzistoarelor de putere enumerate in acest capitol.

• *

*