UNIWERSYTET LSKI

WYDZIA TECHNIKI
INSTYTUT INFORMATYKI

ZAKAD KOMPUTEROWYCH SYSTEMW
STEROWANIA






ELEKTRONIKA
ANALOGOWA

Konspekt wykadu dla studentw kierunkw
Wychowanie Techniczne
Informatyka







Prof. dr hab. in. Zygmunt Wrbel

Sosnowiec 1999r.




4



SPIS TRECI

INSTYTUT INFORMATYKI.........................................................................................................................3
KONSPEKT WYKADU DLA STUDENTW KIERUNKW.....................................................................................3
WYCHOWANIE TECHNICZNE...........................................................................................................................3
INFORMATYKA................................................................................................................................................3
ROZDZIA I. ELEKTRONICZNE ELEMENTY BIERNE........................................................................8
1.1. REZYSTORY.........................................................................................................................................8
1.2. KONDENSATORY..............................................................................................................................10
1.2.1. KONDENSATORY STAE........................................................................................................12
1.2.2. KONDENSATORY ZMIENNE..................................................................................................13
ROZDZIA II. MATERIAY PPRZEWODNIKOWE........................................................................15
2.1. MODEL PASMOWY...........................................................................................................................15
2.2. PPRZEWODNIK SAMOISTNY.....................................................................................................16
2.3. PPRZEWODNIK TYPU N I TYPU P..............................................................................................18
ROZDZIA III. PPRZEWODNIKOWE ELEMENTY BIERNE........................................................21
3.1. TERMISTOR........................................................................................................................................21
3.2. WARYSTORY.....................................................................................................................................22
ROZDZIA IV. ZCZE P-N ......................................................................................................................24
4.1. WARSTWA ZAPOROWA W ZCZU P-N. MODEL PASMOWY ZCZA.................................24
4.2. POLARYZACJA ZCZA P-N W KIERUNKU PRZEWODZENIA. ................................................26
4.3. POLARYZACJA ZCZA P-N W KIERUNKU ZAPOROWYM. .....................................................28
4.4. ZJAWISKO TUNELOWE....................................................................................................................30
ROZDZIA V. DIODY PPRZEWODNIKOWE....................................................................................32
5.1. DIODY PROSTOWNICZE..................................................................................................................34
5.2. DIODY STABILIZACYJNE (STABILITRONY) DIODY ZENERA..............................................36
5.3. DIODY POJEMNOCIOWE...............................................................................................................37
5.4. DIODY PRZECZAJCE ................................................................................................................39
5.5. DIODA TUNELOWA..........................................................................................................................40
ROZDZIA VI.TRANZYSTORY BIPOLARNE ........................................................................................42
6.1. PODZIA TRANZYSTORW BIPOLARNYCH. .............................................................................43
6.2. ZASADA DZIAANIA TRANZYSTORA. ........................................................................................43
6.3. UKADY PRACY TRANZYSTORA. ................................................................................................46
6.4. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA .................................................................47
6.4.1. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA PRACUJCEGO W
UKADZIE OB......................................................................................................................................48
6.4.2. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA PRACUJCEGO W UKADZIE
OE. ...........................................................................................................................................................49
6.5. STAN PRACY I PARAMETRY TRANZYSTORA. ...........................................................................50
6.6. SCHEMATY ZASTPCZE TRANZYSTORA ...................................................................................52
ROZDZIA VII. TRANZYSTORY POLOWE JFET..............................................................................54
7.1. TRANZYSTORY POLOWE ZCZOWE JFET. ...........................................................................55
7.2. ZASADA DZIAANIA TRANZYSTORA POLOWEGO JFET.........................................................55
7.3. PARAMETRY I CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORA POLOWEGO JEFT. ............................56
7.4 SCHEMAT ZASTPCZY TRANZYSTORA ZCZOWEGO. .........................................................58
7.5. TRANZYSTORY Z IZOLOWAN BRAMK MOSFET..................................................................60



5
7.5.1. ZASADA DZIAANIA TRANZYSTORA MIS (MOS). .......................................................... 60
7.6.CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORW MOSFET...................................................................... 62
ROZDZIA VIII. ELEKTRONICZNE ELEMENTY PRZECZAJCE............................................ 64
8.1. TRANZYSTOR JEDNOZCZOWY................................................................................................ 64
8.2. DYNISTOR.......................................................................................................................................... 67
8.3. DIAK.................................................................................................................................................... 68
8.4. TYRYSTOR......................................................................................................................................... 69
8.5. TRIAK.................................................................................................................................................. 70
ROZDZIA IX. ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE........................................................................ 72
9.1. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA........................................................................................ 72
9.1.1. WACIWOCI OPTYCZNE I ELEKTRYCZNE DIODY LED......................................... 75
9.2. FOTOREZYSTOR............................................................................................................................... 77
9.3. FOTODIODA....................................................................................................................................... 79
9.4. FOTOTRANZYSTOR......................................................................................................................... 81
9.5. FOTOTYRYSTOR............................................................................................................................... 84
9.6. TRANSOPTORY................................................................................................................................. 85
ROZDZIA X. WZMACNIACZE................................................................................................................ 89
10.1. PODSTAWOWE UKADY WZMACNIAJCE............................................................................. 91
10.2. UKAD O WSPLNYM EMITERZE WE....................................................................................... 92
10.3. UKAD O WSPLNYM KOLEKTORZE WC................................................................................ 95
10.4. UKAD O WSPLNEJ BAZIE WB ................................................................................................. 96
10.5. SPRZENIE ZWROTNE WE WZMACNIACZACH.................................................................... 97
10.6. WZMACNIACZE OPERACYJNE.................................................................................................. 100
10.7. WZMACNIACZ ODWRACAJCY............................................................................................... 103
10.8. WZMACNIACZ NIEODWRACAJCY ........................................................................................ 105
10.9. WTRNIK NAPICIOWY............................................................................................................. 106
10.10. WZMACNIACZ ODEJMUJCY.................................................................................................. 106
10.11. WZMACNIACZ SUMUJCY...................................................................................................... 108
10.12. WZMACNIACZ CAKUJCY INTEGRATOR....................................................................... 109
10.13. WZMACNIACZ RNICZKUJCY........................................................................................... 112
10.14. KONWERTER PRD NAPICIE ............................................................................................. 113
10.15. PRZESUWNIK FAZY................................................................................................................... 114
ROZDZIA XI. GENERATORY. .............................................................................................................. 116
11.1. GENERATORY NAPICIA SINUSOIDALNEGO........................................................................ 116
11.2. WZMACNIACZ JAKO GENERATOR. WARUNKI GENERACJI............................................... 117
11.3. PARAMETRY GENERATORW PRZEBIEGU SINUSOIDALNEGO....................................... 118
11.4. GENERATOR LC ZE SPRZENIEM ZWROTNYM.................................................................. 119
11.5. GENERATOR MEISSNERA.......................................................................................................... 119
11.6. GENERATOR Z MOSTKIEM WIENA.......................................................................................... 120
11.7. GENERATOR RC Z PRZESUWNIKIEM FAZY........................................................................... 123
ROZDZIA XII. MODULACJA I DEMODULACJA.............................................................................. 127
12.1. MODULACJA AMPLITUDY......................................................................................................... 128
12.1.1. MODULACJA STUPROCENTOWA I PRZEMODULOWANIE..................................... 130
12.2. MODULATORY AMPLITUDY..................................................................................................... 134
12.3. MODULACJA CZSTOTLIWOCI .............................................................................................. 135
12.4. MODULATORY CZSTOTLIWOCI (FM) ................................................................................. 139
12.5. DEMODULACJA............................................................................................................................ 140
ROZDZIA XIII. UKADY ZASILAJCE ............................................................................................. 143
13.1. PROSTOWNIKI............................................................................................................................... 144
13.2. PROSTOWNIK JEDNOPOWKOWY........................................................................................ 145
13.3. PROSTOWNIK DWUPOWKOWY........................................................................................... 146
13.4. DOBR DIOD PROSTOWNICZYCH STOSOWANYCH W PROSTOWNIKACH. ................... 148
13.5. PROSTOWNIK TYRYSTOROWY ................................................................................................ 150
13.6. STABILIZATORY........................................................................................................................... 150



6
13.7. STABILIZATOR Z DIOD ZENERA............................................................................................152
13.8. STABILIZATOR ZE SPRZENIEM ZWROTNYM....................................................................155
13.9. STABILIZATOR TRANZYSTOROWY.........................................................................................156
13.10. ZABEZPIECZENIA STABILIZATORW...................................................................................159
ROZDZIA XIV. PRZETWORNIKI ANALOGOWO-CYFROWE I CYFROWO- ANALOGOWE. 162
14.1. PRZETWORNIKI C/A......................................................................................................................162
14.2. PRZETWORNIKI A/C......................................................................................................................166
14.3. PODSTAWOWE CZONY PRZETWORNIKW.........................................................................167
BIBLIOGRAFIA..........................................................................................................................................169




7



8
Rozdzia I. ELEKTRONICZNE ELEMENTY BIERNE

Elementy bierne to kondensatory, rezystory i elementy indukcyjne.
Elementy, ktre s tego samego rodzaju maj wspln waciwo
podstawow a rne waciwoci drugorzdne. Czego przykadem mog by
rezystory. S one wykonywane z rnych materiaw i w zwizku z tym maj
inne zastosowania, nazwy oraz symbole graficzne.

1.1. REZYSTORY

Rezystory speniaj wiele podstawowych i pomocniczych funkcji w
ukadach elektronicznych. Poprzez rezystory doprowadza si odpowiednie
prdy zasilajce do elementw czynnych, rezystory peni rol elementw
stabilizujcych punkty pracy tranzystorw, lamp elektronowych a take su
do ksztatowania charakterystyki wzmacniaczy itp.

Rezystory dzielimy w zalenoci od:
cech funkcjonalnych na:
- rezystory
- potencjometry
- warystory
- magnetorezystory qaussotrony
charakterystyki prdowo napiciowej na:
- liniowe
- nieliniowe
stosowanego materiau oporowego na:
- drutowe
- niedrutowe

Rezystory liniowe dzielimy na stae i zmienne. W rezystorach
zmiennych mona zmienia wartoci rezystancji (rezystory nastawne lub
regulacyjne) lub stosunek podziau rezystancji (potencjometry). Rezystor
liniowy w normalnych warunkach pracy charakteryzuje si proporcjonaln
zalenoci napicia od prdu, tzn. jest spenione prawo Ohma (U = R*I przy
czym R = const).
Dla rezystorw nieliniowych warto rezystancji jest funkcj prdu
lub napicia.
Rezystory drutowe s wykonywane z drutu stopowego nawinitego na
ceramiczny waek lub rurk w postaci jednowarstwowego uzwojenia.
Rezystory niedrutowe s wykonane z materiau rezystywnego jako
rezystory warstwowe lub objtociowe.



9
W rezystorach warstwowych materia rezystywny jest umieszczony
na podou w postaci warstwy. Rezystory te mog by wglowe i
metalizowane.
W zalenoci od gruboci warstwy s rezystory cienkowarstwowe (> 1m) i
grubowarstwowe (< 1m).
Wykonuje si take rezystory objtociowe, w ktrych prd pynie
ca objtoci rezystora. Do ich budowy stosuje si organiczne lub
nieorganiczne materiay oporowe. Stosowane s gwnie w sprzcie
profesjonalnym, gdzie wytrzymuj due obcienia prdowe i mocy.

Klasyfikacja rezystorw



















Rys. 1.1. Klasyfikacja rezystorw.

Symbole rezystorw

a) b) c)







Rys. 1.2. Symbole rezystorw.
a) stay, b) zmienny (potencjometry), c) nastawny.
Rezystory
Liniowe Nieliniowe
Stae Zmienne
(potencjometry)
Niedrutowe Drutowe
Nieorganiczne
Nieliniowe
Warystory
Fotorezystory
Magneto -
rezystory
Termistory
Liniowe
Warstwowe
Stae
Objtociowe
Organiczne
Zmienne
(potencjometry)



10
Parametry rezystorw.

Rezystancja znamionowa, bdca wskanikiem wartoci
rezystancji. Podawana z najwikszym dopuszczalnym odchyleniem
rezystancji rzeczywistej od rezystancji znamionowej. Dopuszczalne
odchyki s zawarte w przedziale 0,1 20 %.
Moc znamionowa, ktra jest najwiksz dopuszczaln moc
moliw do wydzielenia w rezystorze. Moc ta jest zalena od
powierzchni rezystora, sposobu odprowadzenia ciepa, maksymalnej
dopuszczalnej temperatury pracy i temperatury otoczenia.
Napicie znamionowe, jest najwikszym dopuszczalnym
napiciem, ktre moe by przyoone do rezystora bez zmiany jego
waciwoci, a szczeglnie bez jego uszkodzenia. Wartoci
znamionowe napi dla wikszoci rezystorw wynosz od
kilkudziesiciu do kilkuset woltw.
Rezystory opisywane s wieloma wspczynnikami charakteryzujcymi
zmian rezystancji w funkcji temperatury, wilgotnoci, napicia itp.

1.2. KONDENSATORY

Kondensator stanowi ukad dwch lub wicej przewodnikw
(okadzin), odizolowanych warstw dielektryka, gromadzcy energi pola
elektrycznego.
Kondensatory maj pojemno sta (nienastawne) bd zmienn (nastawne).

Kondensatory mona podzieli w zalenoci od zastosowanego
dielektryka oraz od ich przeznaczenia na:
staonapiciowe (w obwodach napicia staego);
zmienno napiciowe;
impulsowe (w obwodach impulsowych o wikszych wartociach
prdu adowania i rozadowania);
biegunowe zwane polarnymi (pracuj przy jednym okrelonym
kierunku doprowadzonego napicia staego);
niebiegunowe zwane bipolarnymi (w obwodach napicia staego,
przy dowolnej jego biegunowoci);
zmiennej pojemnoci (do przestrajania obwodw rezonansowych).

Parametry kondensatorw.

pojemno znamionowa - C
N
wyraona w faradach, okrela
zdolno kondensatora do gromadzenia adunkw elektrycznych,
podawana na obudowie kondensatora;



11
napicie znamionowe U
N,
jest najwikszym napiciem, ktre
moe by przyoone trwale do kondensatora. Napicie to jest na
og sum napicia staego i wartoci szczytowej napicia
zmiennego;
tangens kta stratnoci tg , stosunek mocy czynnej
wydzielajcej si w kondensatorze przy napiciu sinusoidalnie
zmiennym o okrelonej czstotliwoci;
prd upywowy I
U
, prd pyncy przez kondensator, przy
doprowadzonym staym napiciu;
temperaturowy wspczynnik pojemnoci
C
, okrela wzgldn
zmian pojemnoci, zalen od zmian temperatury.

Podzia kondensatorw





Rys. 1.3. Podzia kondensatorw.




12

Rys. 1.4. Przykady budowy kondensatorw: a) papierowego zwijanego,
b) ceramicznego paskiego, c) ceramicznego rurkowego.

1.2.1. KONDENSATORY STAE

Podstawowe parametry jak pojemno znamionowa i napicie
znamionowe zale przed wszystkim od rodzaju zastosowanego w nich
dielektryka. Ze wzgldu na t zaleno dzielimy kondensatory na:

mikowe (symbol KM);
ceramiczne (KCP, KFP, KCR, KFR);
papierowe (KLMP, KSMP);
z tworzyw sztucznych (organiczne symbol KSF, MKSE, MKSF,
MKSP);
elektrolityczne (KEN, KEO, SM, E, T, UL, KERMS);
powietrzne.

Kondensatory mikowe. Uywa si moskwitu. Maj may
temperaturowy wspczynnik pojemnoci i may tangens kta stratnoci
dielektrycznej.

Kondensatory ceramiczne. Wykonywane z ceramiki alundowej,
rutylowej oraz steatytowej. Maj one ma warto kta stratnoci oraz duy
wspczynnik pojemnoci. Zalet jest dua pojemno znamionowa i mae
wymiary. Maj niewielkie wartoci indukcyjnoci wasnej, w zwizku z tym
mog by stosowane w obwodach wielkiej czstotliwoci oraz jako
pojemnoci sprzgajce.




13
Kondensatory papierowe. Maj mae wymiary przy duych
wartociach pojemnoci oraz duy wspczynnik stratnoci dielektrycznej.
Dielektrykiem jest bibua nasycona olejem syntetycznym, kondensatorowym
lub parafinowym.

Kondensatory z tworzyw sztucznych. Dielektrykiem moe by: folia
polistyrenowa, poliestrowa lub polipropylenowa. Rozrniamy kondensatory
takie jak:

a) Kondensatory polistyrenowe: maj may wspczynnik
temperaturowy pojemnoci, may tangens kta stratnoci oraz
stosowane s w ukadach pracujcych w zakresie wielkich
czstotliwoci.
b) Kondensatory poliestrowe: maj duy wspczynnik kta
stratnoci dielektrycznej, stosowane gwnie w ukadach napicia
staego lub zmiennego o maej czstotliwoci.
c) Kondensatory polipropylenowe: maj zblione waciwoci do
waciwoci kondensatorw poliestrowych, stosuje si je w
obwodach prdu zmiennego o czstotliwoci 50Hz.

Kondensatory elektrolityczne.
Ze wzgldu na uyty materia dzielimy na:

aluminiowe;
tantalowe;

Ze wzgldu na zastosowanie ukadu dzielimy na:

biegunowe;
niebiegunowe.

S stosowane w ukadach filtracji napicia zasilania i jako kondensatory
sprzgajce w ukadach maej czstotliwoci. Kondensatory elektrolityczne
maj due wartoci pojemnoci znamionowej. Wad natomiast jest duy prd
upywowy, ktrego warto ronie wraz ze wzrostem temperatury.
Kondensatory te maj okrelon biegunowo. Zmiana biegunw (elektrod)
powoduje zniszczenie kondensatora.

1.2.2. KONDENSATORY ZMIENNE

Kondensatory o zmiennej pojemnoci to kondensatory z dielektrykiem
powietrznym (symbol AM, FM) lub kondensatory ceramiczne dostrojcze
zwane trymerami (TCP).



14
Kondensator powietrzny zbudowany jest z dwch zespow
rwnolegych pytek (rotor i stator), ktre zmieniajc swe pooenie powoduj
zmian wartoci pojemnoci kondensatora. Charakter zmian pojemnoci
kondensatora zaley natomiast od pytek rotora i statora.
Ze wzgldu na charakter zmian wartoci pojemnoci, w zalenoci od kta
obrotu rotora, rozrniamy kondensatory o:

prostoliniowej zmianie pojemnoci;
prostoliniowej zmianie dugoci fali;
prostoliniowej zmianie czstotliwoci;
logarytmicznej zmianie pojemnoci.












Rys. 1.5. Charakterystyki kondensatorw zmiennych,
a) o prostoliniowej zmianie pojemnoci;
b) o prostoliniowej zmianie dugoci fali w obwodzie rezonansowym;
c) o prostoliniowej zmianie czstotliwoci w obwodzie rezonansowym.

Kondensatory obrotowe maj pojemnoci mniejsze ni 500pF natomiast
kondensatory nastawne, zwane trymerami, maj pojemnoci mniejsze ni
100pF.


C C
C
0 0 0



15
Rozdzia II. MATERIAY PPRZEWODNIKOWE

Pprzewodniki to materiay powszechnie stosowane do produkcji
elementw i ukadw elektronicznych.
Kady materia ma pewn warto rezystywnoci. W zalenoci od tej
wartoci dzielimy je na metale i niemetale (dielektryk, pprzewodnik),
rnice si waciwociami fizykochemicznymi.

Pprzewodniki obejmuj obszern grup materiaw, ktre ze wzgldu
na przewodnictwo elektryczne zajmuj porednie miejsce pomidzy metalami
a izolatorami. Pprzewodniki stanowi oddzieln klas substancji, gdy ich
przewodnictwo ma szereg charakterystycznych cech. Naley podkreli
odwrotn ni dla metali zaleno przewodnictwa elektrycznego od
temperatury. W dostatecznie niskich temperaturach pprzewodnik staje si
izolatorem. W szerokim zakresie temperatur przewodnictwo przewodnikw
szybko ronie wraz ze wzrostem temperatur. Drug wan cech
pprzewodnikw jest zmiana przewodnictwa elektrycznego w wyniku
niewielkich zmian ich skadu.

2.1. MODEL PASMOWY

Teoria pasmowa jest to teoria kwantowa opisujca stany
energetyczne elektronw w krysztale. W odrnieniu od atomw, w ktrych
dozwolone stany energetyczne elektronw stanowi zbir poziomw
dyskretnych, dozwolone elektronowe stany energetyczne w krysztaach maj
charakter pasm o szerokoci kilku elektronowoltw.
Elektronowolt (eV) jest to energia, jak uzyskuje elektron w wyniku
zmiany swojego potencjau o 1 V.














Rys. 2.1. Model energetyczny pasmowy pprzewodnika.
Pasmo przewodnictwa
Pasmo zabronione
Pasmo podstawowe
W
g
X
W



16
W temperaturze zera bezwzgldnego (T = 0K) najmniejsz energi maj
elektrony walencyjne. Pasmo odpowiadajce temu stanowi energetycznemu
nosi nazw pasma walencyjnego lub podstawowego i jest najniej
pooonym pasmem energetycznym (rys. 2.1). Powyej tego pasma ley
pasmo przewodnictwa, w ktrym znajduj si swobodne elektrony wyrwane
z sieci krystalicznej. Pomidzy tymi pasmami jest odstp, ktry nazwany jest
pasmem zabronionym lub przerw zabronion i oznacza si przez W
g
.
Warto W
g
okrela minimaln warto energii, ktra musi by dostarczona
elektronom, aby zostay one wyrwane z wiza atomowych sieci
krystalicznej. Szeroko t mierzy si w elektronowoltach (eV).

2.2. PPRZEWODNIK SAMOISTNY

Pprzewodnik samoistny jest to monokryszta pprzewodnika
pozbawionego defektw sieci krystalicznej i domieszek, czyli nie zawieraj
obcych atomw w sieci krystalicznej.

W pprzewodnikach ju w temperaturze 300 K (a nawet niszej)
pewna cz elektronw przechodzi do pasma przewodnictwa, pozostawiajc
miejsca nie obsadzone w pamie podstawowym. Miejsca te mog by
zajmowane przez elektrony usytuowane na niszych poziomach w tym
pamie (po otrzymaniu z zewntrz odpowiedniej energii).

Proces pojawiania si elektronw w pamie przewodnictwa i wolnych
miejsc (dziur) w pamie podstawowym pod wpywem wzrostu temperatury
nosi nazw generacji termicznej par dziur-elektron (rys. 2.2).

Dziur nazywa si dodatni nonik adunku, bdcy brakiem elektronu.
W pprzewodnikach o maych szerokociach pasma zabronionego generacja
termiczna par dziura-elektron jest uatwiona. Liczb nonikw w ciaach
staych wyraa si za pomoc gstoci lub koncentracji (liczba nonikw na
jednostk objtoci.

Liczba generowanych par, czyli ich koncentracja, jest tym wiksza, im
jest wsze pasmo zabronione danego pprzewodnika oraz im temperatura
monokrysztau jest wysza. Po pewnym czasie pobudzony elektron powraca
do stanu podstawowego z wyemitowaniem kwantu promieniowania. Taki
proces nazywamy rekombinacj (rys. 2.2).

redni czas jaki upywa midzy procesem generacji a procesem
rekombinacji nazywamy czasem ycia danego nonika (elektronu, dziury).





17














Rys. 2.2. Proces generacji i rekombinacji pary elektron dziura.
W
V
wierzchoek pasma podstawowego, W
c
dno pasma przewodnictwa, W
pr
energia
wyjcia elektronu z pprzewodnika.

W pprzewodniku samoistnym mamy do czynienia z generacj par
elektron-dziura, w zwizku z czym koncentracja elektronw i dziur jest taka
sama i nosi nazw koncentracji samoistnej. Zaleno koncentracji samoistnej
od temperatury przedstawiona jest na rysunku 2.3. Na tej charakterystyce
zaznaczono rwnie szeroko przerwy zabronionej danego pprzewodnika.





















Rys. 2.3. Zaleno koncentracji samoistnej pprzewodnika od temperatury.
1000/T
1
0
0
0

C





6
0
0

C





4
0
0

C





3
0
0

C





2
0
0

C





1
0
0

C






5
0

C







2
5

C

0,5
3,5 1/K
10
13
10
17
10
15
10
19
10
21
10
23
10
25
n
i
1,5 1 2,5 2
Rekombinacja
Generacja
W
pr
W
c
W
v
X
0
L
W
T >0 K
Foton

Foton




18
2.3. PPRZEWODNIK TYPU n I TYPU p
(pprzewodniki niesamoistne)

Pprzewodnik niesamoistny jest wwczas, gdy w sieci krystalicznej
monokrysztau zamiast atomw pierwiastka materiau pprzewodnikowego
znajduje si inny atom (np. w sieci krystalicznej krzemu znajduje si fosfor).
Powstaje wwczas tzw. pprzewodnik domieszkowany, a ten inny atom
nazywamy domieszk. Rozrniamy dwa rodzaje domieszek: donorow i
akceptorow.

Jeli na skutek nieregularnoci sieci krystalicznej w pprzewodniku
bd przewaa noniki typu dziurowego, to pprzewodnik taki nazywa
bdziemy pprzewodnikiem typu p (niedomiarowy). A gdy bd przewaa
noniki elektronowe, bdziemy nazywa je pprzewodnikami typu n
(nadmiarowy).

Pprzewodnik typu n uzyskuje si przez dodanie w procesie
wzrostu krysztau krzemu domieszki pierwiastka piciowartociowego (np.
antymon, fosfor). Niektre atomy krzemu zostan zastpione w sieci
krystalicznej atomami domieszki, zwanymi donorami (rys. 2.4).
















Rys. 2.4. Model sieci krystalicznej z domieszk atomw fosforu.

Kady atom domieszki ma pi elektronw walencyjnych, z ktrych cztery s
zwizane z ssiednimi atomami krzemu. A pity elektron jest wolny i moe
by atwo oderwany od atomu domieszki jonizujc dodatnio. Elektron
wwczas przechodzi do pasma przewodnictwa pprzewodnika. Atomy
domieszki w modelu pasmowym pprzewodnika znajduj si na tzw.
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
P
+5
Elektron
nadmiarowy



19
poziomie donorowym, ktry wystpuje w pobliu dna pasma przewodnictwa
pprzewodnika (rys. 2.5).















Rys. 2.5. Model pasmowy pprzewodnika krzemowego z domieszkami donorowymi.

W temperaturze pokojowej prawie wszystkie atomy domieszkowe zostay
zjonizowane. Oznacza to, e na poziomach donorowych nie ma ju
elektronw, gdy wszystkie przeszy do pasma przewodnictwa. Liczba
elektronw w pamie przewodnictwa jest znacznie wiksza ni dziur w
pamie podstawowym. Dlatego te te pierwsze nosz nazw nonikw
wikszociowych, a te drugie nonikw mniejszociowych.

Pprzewodnik typu p uzyskuje si przez zastpienie niektrych
atomw krzemu atomami pierwiastkw trjwartociowych (np. glinu, galu).
Na rysunku 2.6 przedstawiono model sieci krystalicznej krzemu z domieszk
atomw indu.














Rys. 2.6. Model sieci krystalicznej krzemu z domieszk atomw indu.
Pasmo podstawowe
Poziom donorowy
Pasmo przewodnictwa
(nadmiar elektronw)
Elektrony

X
W
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
Si
+4
In
+3
Dziura




20
Atom tej domieszki ma trzy elektrony walencyjne, zwizane z ssiednimi
atomami krzemu. Do wypenienia czwartego wizania ssiadujcego krzemu,
brakuje w sieci krystalicznej jednego elektronu i zostaje on uzupeniony przez
pobranie elektronu z jednego z ssiednich wiza, w ktrym powstaje dziura.
Atom pierwiastka trjwartociowego, zwanego akceptorem, po uzupenieniu
elektronu w nieprawidowym wizaniu (na skutek niedostatku adunkw
dodatnich w jdrze) staje si jonem ujemnym, wywoujc lokaln polaryzacj
krysztau.
Elektron ten przechodzi z pasma podstawowego pprzewodnika na poziom
akceptorowy, jonizujc tym samym ujemnie atom domieszki. Poziom
akceptorowy znajduje si w pobliu wierzchoka pasma podstawowego
pprzewodnika (rys.2.7).













Rys. 2.7. Model pasmowy pprzewodnika krzemowego z domieszkami akceptorowymi.

W temperaturze pokojowej wszystkie poziomy akceptorowe s zapenione
elektronami, ktre przeszy z pasma podstawowego. Na skutek tego liczba
dziur w pamie podstawowym jest wielokrotnie wiksza ni elektronw w
pamie przewodnictwa. W pprzewodniku typu p dziury w pamie
podstawowym s nonikami wikszociowymi, a elektrony w pamie
przewodnictwa nonikami mniejszociowymi.
W kadym pprzewodniku (niezalenie od koncentracji domieszek) w
stanie rwnowagi termicznej jest speniony warunek neutralnoci, tzn. w
kadym punkcie pprzewodnika wypadkowy adunek elektryczny jest rwny
zeru. Wszelkie zaburzenia warunku neutralnoci powoduj powstanie pola
elektrycznego, ktre przywraca stan rwnowagi elektrycznej.
Ustalenie si koncentracji nonikw na odpowiednim poziomie zachodzi w
wyniku rekombinacji, ktry rwnoway te generacj termiczn nonikw.

Pasmo podstawowe
(nadmiar dziur)

Poziom akceptorowy
Pasmo przewodnictwa
Dziury

X
W



21
Rozdzia III. PPRZEWODNIKOWE ELEMENTY BIERNE

3.1. TERMISTOR

Termistor jest elementem pprzewodnikowym, ktrego rezystancja
zaley od temperatury.
Zmiana wartoci rezystancji moe nastpi na skutek wzrostu temperatury
otoczenia termistora lub (i) wydzielonego w nim ciepa.
Termistor charakteryzuje si duym wspczynnikiem temperaturowym
rezystancji
T
. Wspczynnik ten okrela wzgldn zmian rezystancji
termistora przy zmianie temperatury o T, gdy T 0

T
R
R
T
T

=
1
;

Zalenie od wartoci i znaku wspczynnika
T
dzieli si na trzy grupy:
1. NTC o ujemnym wspczynniku temperaturowym rezystancji;
2. PTC o dodatnim wspczynniku temperaturowym rezystancji;
3. CTR o skokowej zmianie rezystancji.



















Rys.3.1. Charakterystyka napiciowo prdowa termistora.
1 Termistor NTC, 2 Termistor PTC, 3 Termistor CTR.



2
1
3
V
U
1
2
3
20 0 40 60 80 mA
I



22
Parametry termistora:

rezystancja nominalna;
temperaturowy wspczynnik rezystancji:

2
2kT
W
g
T
= .

Termistory s elementami wykonywanymi ze spiekw sproszkowanych
tlenkw metali. Stosuje si je:

do pomiaru temperatury metod oporow;
do pomiaru mocy w zakresie mikrofal;
do pomiaru cinienia;
do pomiaru gazu i poziomu cieczy;
w ukadach sygnalizacji, regulacji i stabilizacji temperatury;
do kompensacji temperaturowej ukadw elektronicznych.

3.2. WARYSTORY

Warystory s to rezystory wykonane z pprzewodnika, ktrych
rezystancja zaley od napicia doprowadzonego do ich zaciskw.
Warystory maj nieliniow charakterystyk napiciowo prdow, ktr
okrela wzr:

DI U = ,

w ktrym:
U napicie doprowadzone do warystora,
I prd pyncy przez warystor,
D rezystancja, ktrej warto jest rwna spadkowi napicia na
warystorze w wyniku przepywu prdu staego o wartoci 1A,
wspczynnik nieliniowoci.

Parametry charakteryzujce warystory:

Wspczynnik nieliniowoci, wyznaczony na podstawie pomiaru
spadkw napi (U
1
, U
2
) wywoanymi rnymi prdami (I
1
, I
2
),

2 1
2 1
2 1
2 1
/ lg
/ lg
lg lg
lg lg
I I
U U
I I
U U
=

= ;




23
jeli: 10
2
1
=
I
I
, to
U
U
1
lg = ;

warto zaley od materiau i technologii wykonania warystora;

napicie charakterystyczne spadek napicia na warystorze,
okrelany dla staej wartoci prdu pyncego przez niego;
moc znamionowa.




















Rys. 3.2. Charakterystyka napiciowo prdowa warystora.

Warystory wykonuje si z masy zoonej z proszku wglika krzemu
(karborundu) i ceramicznego spoiwa jako spiek.

Produkuje si dwa podstawowe typy warystorw:

walcowe (typu WN) o napiciu charakterystycznym 470 1300V,
dyskowe (typu WD) o napiciu charakterystycznym 8 330V.

Warystory stosuje si do zabezpieczania obwodw elektrycznych przed
przepiciami, do stabilizacji napicia, ochrony stykw, w ukadach
przetwornikw czstotliwoci itp.
- 20 - 10 10 20
- 50
- 100
50
100
U
V
mA I



24
Rozdzia IV. Zcze p-n

Dziaanie wikszoci elementw pprzewodnikowych opiera si na
wspdziaaniu zcza p-n i obszaru przelotowego (transportu), stanowicego
na og obszar pprzewodnika jednego rodzaju. Zcza umoliwiaj
wprowadzenie, odprowadzenie i sterowanie strumienia nonikw adunku.
Zcza mog by nastpujce: metal metal, pprzewodnik
pprzewodnik, dielektryk dielektryk, metal pprzewodnik oraz
dielektryk pprzewodnik. Najczciej wykorzystywane s zcza metal
pprzewodnik i pprzewodnik pprzewodnik.

4.1. WARSTWA ZAPOROWA W ZCZU p-n. MODEL PASMOWY
ZCZA.

Poczenie dwch krysztaw (monokrysztaw) ciaa staego
(pprzewodnik, metal) w ten sposb, e tworz one cisy kontakt nazywamy
zczem.
Zcze p-n stanowi warstw przejciow midzy obszarem
pprzewodnika typu p i pprzewodnika typu n. Domieszka akceptorowa w
obszarze typu p sprawia, e koncentracja dziur w tym obszarze jest wiksza
ni elektronw przewodnictwo dziurowe. Natomiast domieszka donorowa
w obszarze typu n prowadzi do przewagi elektronw w tym obszarze
przewodnictwo elektronowe. Dziury w obszarze p i elektrony w obszarze n
stanowi noniki wikszociowe. Przed zetkniciem kady z obszarw jest
elektrycznie obojtny, poniewa adunek dziur i elektronw zostaje
skompensowany adunkiem jonw domieszki umieszczonych w wzach
siatki krystalicznej.
W momencie zetknicia si pprzewodnika typu p i typu n, nastpuje
wzajemny przepyw nonikw. Rnica koncentracji nonikw adunku
powoduje ich przemieszczanie dyfuzj. Elektrony z obszaru
przyzczowego n dyfunduj do obszaru p; podobnie postpuj dziury z
obszaru przyzczowego p przechodz do obszaru n. W wyniku procesu
dyfuzji pyn prdy dyfuzyjne. Noniki przedostajce si do przeciwnych
obszarw staj si nadmiarowymi nonikami mniejszociowymi w tych
obszarach. Noniki te rekombinuj z nonikami wikszociowymi, ktre nie
przeszy na drug stron zcza. W wyniku tego w obszarze n powstaje
nadmiar adunku jonw dodatnich, a w obszarze p nadmiar adunku jonw
ujemnych. S to adunki jonw ulokowanych (nieruchomych) w wzach
siatki krystalicznej. W obszarach przyzczowych powstaje wic podwjna
warstwa nieskompensowanych adunkw. Nazywa si ona warstw
zaporow, obszarem adunku przestrzennego lub obszarem zuboonym,
gdzie nie praktycznie nonikw wikszociowych.



25
Po utworzeniu takiej warstwy przepyw nonikw wikszociowych zostaje
zahamowany, gdy adunek przestrzenny dodatni po stronie n bdzie
hamowa dalszy dopyw nonikw (dziur) dodatnich z obszaru p do n oraz
adunek ujemny po stronie p bdzie hamowa dalszy dopyw nonikw
(elektronw) ujemnych z obszaru n do p. tworzy si pole elektryczne
reprezentowane przez barier potencjau. Wysoko bariery, a wic rnica
potencjaw, nazywana napiciem dyfuzyjnym.

2
ln
i
d a
D
n
N N
q
kT
U = ; (4.1)
gdzie: q adunek elektronu; k- staa Boltzmanna; T- temperatura bezwzgldna;
N
a
, N
d
koncentracja akceptorw i donorw; n
i
koncentracja samoistna
pprzewodnika.

Gsto adunku nieskompensowanego po obu stronach bariery potencjau
jest rwna odpowiednim koncentracjom domieszek akceptorw i donorw
(N
a
, N
d
) w temperaturze pokojowej.
Pole elektryczne wytworzone przez adunek przestrzenny sprzyja
przepywowi nonikw mniejszociowych. Noniki mniejszociowe
(elektrony w obszarze p, dziury w obszarze n) powstaj w wyniku generacji
termicznej. Niektre z nich dyfunduj ku krawdziom warstwy zaporowej i
przechodz na drug stron. Oprcz prdw dyfuzyjnych nonikw
wikszociowych przez zcze pyn prdy unoszenia I
pu
i I
nu
nonikw
mniejszociowych. Kierunki tych prdw s przeciwne do kierunkw prdw
dyfuzyjnych.

a) b)













Rys. 4.1. Model pasmowy zcza.
a) przed utworzeniem, b) po utworzeniu.
n, p typ pprzewodnika, W
V
wierzchoek pasma podstawowego, W
C
dno pasma
przewodnictwa, W
F
poziom Fermiego, W
i
poziom samoistny, l
d
szeroko warstwy
zaporowej, U
D
napicie dyfuzyjne.
p
p
n n
W W
W
C
W
C
W
C
W
F
W
F
W
F
W
i
W
i
W
i
W
V W
V
W
V
U
D
l
d



26
W modelu pasmowym zcza powstaniu adunku przestrzennego
odpowiada przesuniecie pooenia pasm energetycznych (rys. 4.1). Rnica
poziomw jest proporcjonalna do napicia dyfuzyjnego. Naley zwrci
uwag na wystpowanie pewnego jednakowego i wsplnego poziomu dla obu
czci pprzewodnika. Jest to tzw. poziom Fermiego. Dla pprzewodnika
typu n poziom ten ley w grnej poowie pasma zabronionego, dla
pprzewodnika typu p w dolnej poowie pasma zabronionego. Poziom
Fermiego przesuwa si w kierunku pasma przewodnictwa (dla typu n) lub
podstawowego (dla typu p) przy wzrocie koncentracji domieszek.
W pprzewodniku samoistnym poziom ten umieszczany jest w modelu w
pobliu rodka pasma zabronionego.
Stan rwnowagi zcza wystpuje gdy liczba unoszonych nonikw
mniejszociowych jest rwna liczbie dyfundujcych nonikw
wikszociowych.

0 = +
pu pd
I I i 0 = +
nu nd
I I . (4.2)

Szeroko warstwy zaporowej d zaley od wartoci napicia
dyfuzyjnego i koncentracji domieszek w obu obszarach pprzewodnika (N
a
,
N
d
), jak rwnie od tego, czy zcze jest liniowe, czy te skokowe.

D
d a
d a
U
N N
N N
q
d
+
=
2
; (4.3)
gdzie:
=
r

0
przenikalno elektryczna pprzewodnika.
Najczciej szeroko warstwy zaporowej wynosi d = 0,1 0,5 m.

Jeeli koncentracja domieszek jednego z obszarw jest mniejsza ni
drugiego, to gbiej w obszar ten wnikn noniki adunku z obszaru
drugiego i szeroko d
2
> d
1
.

4.2. POLARYZACJA ZCZA p-n W KIERUNKU PRZEWODZENIA.

Polaryzacja to stan, jaki wystpuje w zczu pod wpywem przyoenia
z zewntrz rnych potencjaw do obydwu obszarw pprzewodnika.
Jeeli do pprzewodnika typu p przyoymy potencja dodatni, a do
pprzewodnika typu n potencja ujemny (rys.4.2a), wwczas mwimy, e
zcze jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Zmniejsza si bariera
potencjau (rys. 4.2b) do wartoci:

U U U
D F
= ; (4.4)

przy czym: U napicie zewntrzne, U
D
napicie dyfuzyjne.



27

Rys. 4.2. Zcze p-n spolaryzowane w kierunku przewodzenia.
a) polaryzacja zcza, b) model pasmowy, c) gsto nonikw, d) prdy dyfuzyjne.

Maleje szeroko warstwy zaporowej (we wzorze 4.3 naley zamiast U
D

podstawi U
D
U), malej adunek i natenie pola elektrycznego.
Zmniejszenie bariery potencjau powoduje wzrost prdu dyfuzyjnego, tj.
wzrost liczby dziur przechodzcych z obszaru p do obszaru n i elektronw
przechodzcych z obszaru n do obszaru p. Te dodatkowe noniki s nazywane
wstrzyknitymi nadmiarowymi nonikami mniejszociowymi p i n.
W chwili wprowadzenia przycigaj one noniki o przeciwnym znaku
wikszociowe w danym obszarze. Koncentracja nonikw nadmiarowych p
i n zmniejsza si zatem wykadniczo w miar oddalania si od warstwy
zaporowej w wyniku rekombinacji z nonikami wikszociowymi (rys. 4.2c).
Wskutek niejednakowej koncentracji, wstrzyknite noniki mniejszociowe



28
dyfunduj do obszarw o mniejszej koncentracji, a wic w kierunku
doprowadze. Jednoczenie od strony doprowadze napywaj nowe noniki
wikszociowe, wprowadzone przy polaryzacji zcza, zapewniajce
neutralizacj adunku wprowadzonego do poszczeglnych obszarw. Prdy
unoszenia I
pu
i I
nu
praktycznie zostaj niezmienne. W wyniku zwikszania
skadowej dyfuzyjnej prdu, w obwodzie zewntrznym pynie prd

(
(

|
|

\
|
=
(

\
|
= 1 exp 1 exp
T
sat sat
U
U
I
kT
qU
I I ; (4.5)

I
sat
prd nasycenia zcza, zaley od staych fizycznych materiaowych oraz
konstrukcyjnych zcza.

Symbol U
T
oznacza potencja termodynamiczny

q
kT
U
T
= ; (4.6)

wynoszcy ok. 26 mV przy T = 300K.

4.3. POLARYZACJA ZCZA p-n W KIERUNKU ZAPOROWYM.

Zcze jest spolaryzowane w kierunku zaporowym wtedy, gdy do
pprzewodnika typu n przyoymy potencja wyszy (plus), a do
pprzewodnika typu p niszy (minus) (rys. 4.3a).
Napicie zewntrzne ma kierunek zgodny z kierunkiem napicia U
D
.
Nastpuje dalszy odpyw swobodnych nonikw z obszaru otaczajcego
warstw zaporow. Zwiksza si szeroko i wzrasta bariera potencjau (rys.
4.3b).

U U U
D R
+ = ; (4.7)

Zwikszenie bariery potencjau powoduje zmniejszenie dyfuzji nonikw,
czyli zmniejszenie koncentracji nonikw wprowadzanych na drug stron
zcza (rys. 4.3c). Bariera ta nie stanowi przeszkody dla przepywu prdu
unoszenia prdu wstecznego. Jest on jednak niewielki 10
6
10
-12
A i
bardzo nieznacznie zaley od wartoci przyoonego napicia, zaley
natomiast od temperatury zcza i technologii jego wytwarzania. Zaleno
prdu I od napicia zewntrznego U przy polaryzacji w kierunku zaporowym
jest analogiczna z wzorem (4.5), z tym e przy polaryzacji w kierunku
przewodzenia napicie U jest dodatnie, a przy polaryzacji w kierunku
zaporowym jest ujemne. Charakterystyka prdowo napiciowa pokazana
zostaa na rysunku 4.4.



29

Rys. 4.3. Zcze p-n spolaryzowane w kierunku zaporowym.
a) polaryzacja zcza, b) model pasmowy, c) gsto nonikw.

Rys. 4.4. Charakterystyka prdowo napiciowa zcza p-n









30
4.4. ZJAWISKO TUNELOWE.

Zjawisko tunelowe wystpuje w zczach bardzo silnie
domieszkowanych, przy polaryzacji zcza w kierunku przewodzenia (rys.
4.5).

Rys. 4.5. Zjawisko tunelowe.

W modelu pasmowym, dno podstawowego pprzewodnika typu p jest
powyej wierzchoka pasma przewodnictwa pprzewodnika typu n.
Takie ustawienie pozwala na przejcie tunelowe nonikw z jednego
pprzewodnika (p) do drugiego (n), natomiast utrudnione jest w przeciwn
stron, nawet przy bardzo maym napiciu polaryzacji.
Na pocztku wzrost napicia polaryzujcego zcze w kierunku przewodzenia
powoduje wzrost prdu w zczu (odc.2). Zwikszajc dalej napicie
przewodzenia, prd tunelowy maleje do zera, poniewa podnosi si poziom
Wc w pprzewodniku typu n maleje napicie na warstwie zaporowej.
Pod wpywem zjawiska tunelowego coraz mniej nonikw moe przepywa
z obszaru p do n. W zwizku z czym powstaje na charakterystyce prdowo
napiciowej odcinek o ujemnej rezystancji dynamicznej (rys. 4.6, odc.3).










31

Rys. 4.6. Charakterystyka prdowo napiciowa zcz p-n ze zjawiskiem tunelowym.
1 Charakterystyka prdowo napiciowa zcza p-n. 2 Prd tunelowy.
3 odcinek charakterystyki o ujemnej rezystancji.





32
Rozdzia V. DIODY PPRZEWODNIKOWE

Dioda pprzewodnikowa to element wykonany z pprzewodnika,
zawierajcego jedno zcze najczciej p-n z dwiema kocwkami
wyprowadze.
Zczem nazywa si atomowo cisy styk dwch krysztaw ciaa
staego. Odlego midzy stykajcymi si obszarami jest porwnywalna z
odlegociami midzy atomami w krysztaach.
Diody s stosowane w ukadach analogowych i cyfrowych. W ukadach
analogowych wykorzystywana jest zaleno rezystancji dynamicznej od
napicia lub prdu wejciowego, lub te zmiany pojemnoci w funkcji
napicia. W ukadach cyfrowych istotne s waciwoci przeczajce diody.
Diody pprzewodnikowe stosuje si w ukadach prostowania prdu
zmiennego, w ukadach modulacji i detekcji, przeczania, generacji i
wzmacniania sygnaw elektrycznych.

Diody klasyfikujemy ze wzgldu na:
materia
- krzemowe
- germanowe
konstrukcj
- ostrzowe i warstwowe
- stopowe i dyfuzyjne
- mesa
- planarne i epiplanarne
struktur fizyczn zcza
- p-n
- MS
- Heterozcza
zastosowanie
- prostownicze
- uniwersalne
- impulsowe
- stabilitrony Zenera
- pojemnociowe warikapy i waraktory
- tunelowe
- mikrofalowe: detekcyjne i mieszajce
przebiegajce zjawiska
- Zenera
- Gunna
- lawinowe
- tunelowe



33


















Rys. 5.1. Podzia diod ze wzgldu na zastosowanie.

Rys. 5.2. Charakterystyki prdowo napiciowe diod.
1.Prostownicza (krzemowa). 2. Zenera (stabilitron). 3. Zwrotna (detekcyjna, mieszajca).
4. Tunelowa. Lini grub zaznaczono typowy obszar pracy kadej diody.




KRZEMOWE
GERMANOWE
PROSTOWNICZE
REDNIEJ I
DUEJ MOCY
PROSTOWNICZE
REDNIEJ I
DUEJ MOCY
DETEKCYJNE FOTODIODY DUEJ CZSTOTLIWOCI
LUMINENSCENCYJNE IMPULSOWE WARIKAPY I
WARAKTORY
ZENERA FOTODIODY
DIODY
PPRZEWODNIKOWE
MAEJ
MOCY
MAEJ
MOCY
MAEJ
CZSTOTLIWOCI



34
5.1. DIODY PROSTOWNICZE

Diody prostownicze s przeznaczone do prostowania napicia bd
prdu przemiennego o maej czstotliwoci. Prostowanie jest to przetwarzanie
prdu przemiennego na prd jednokierunkowy.
Diody zaczynaj przewodzi dopiero po przekroczeniu pewnej wartoci
napicia w kierunku przewodzenia. Dla diod krzemowych wynosi ona ok.
0,7V, a dla germanowych ok. 0,3 V. Diody prostownicze s stosowane w
ukadach prostowniczych urzdze zasilajcych, przeksztacajcych prd
zmienny w jednokierunkowy prd pulsujcy. W ukadzie prostowniczym
dioda spenia funkcj zaworu jednokierunkowego. Wykorzystuje si tutaj
waciwo polegajca na rnicy zdolnoci przewodzenia prdu w kierunku
wstecznym i w kierunku przewodzenia. Przez diod prostownicz na og
pyn due prdy w kierunku przewodzenia, dlatego te stosujemy diod
warstwow wykonan z krzemu.
Diody prostownicze maj ma rezystancj w kierunku przewodzenia rzdu
pojedynczych , co pozwala na uzyskanie duych sprawnoci prostowania.

Mamy diody prostownicze takie jak:

diody wysokiego napicia,
diody typowe,
diody mocy,
diody szybkiej mocy,
stos diodowy,

Parametry charakteryzujce diody prostownicze

napicie przewodzenia U
F,
przy okrelonym prdzie
przewodzenia,
prd wsteczny I
R
, przy okrelonym napiciu w kierunku
zaporowym,
czas ustalania si prdu wstecznego t,
pojemno C, przy okrelonym napiciu przewodzenia.

Dopuszczalne (graniczne) parametry:

maksymalny prd przewodzenia I
0
;
szczytowe napicie wsteczne U
RWM
;
parametr przecieniowy I
2
t, podawany dla diod mocy.




35
Diody prostownicze wykonuje si gwnie z krzemu. Warto prdu
pyncego przez diod spolaryzowan w kierunku przewodzenia jest 10
6
10
8

razy wiksza od wartoci prdu w kierunku zaporowym.

Diody prostownicze ze wzgldu na wydzielan w nich moc dzielimy na:

maej mocy (>1 W),
redniej mocy (1 10W),
duej mocy (<10 W),

a) b)













c)












Rys. 5.3. Dioda prostownicza.
a) symbol diody prostowniczej, b) charakterystyka prdowo napiciowa diody
prostowniczej rzeczywista, c) charakterystyka prdowo napiciowa diody
prostowniczej aproksymujca.
Gdzie: U
RWM
maksymalne napicie wsteczne, U
F
napicie przewodzenia, I
0

maksymalny prd przewodzenia.

(+)
(-)
I
U
0
I
F
U
R
U
RWM
I
0
0

U
F
(I
0
) U
F
I
R
I
R
(U
RWM
)



36
Diody, przez ktre pynie prd o wartoci wikszej ni 10 A maj
radiator, ktry odprowadza wydzielane ciepo do otoczenia. Gdy
zastosowanie radiatora jest niewystarczajce wtedy naley diod chodzi
wymuszonym opywem powietrza, a nawet specjaln ciecz. Jeeli chcemy
uzyska wikszy prd przewodzenia przy tym samym napiciu, to moemy
poczy diody rwnolegle. Jeli chcemy mie dodatkowo jednakowe prdy
pynce przez poszczeglne diody, to do kadej z nich doczamy szeregowo
rezystor o niewielkiej wartoci. Jeli chcemy zwikszy napicie wsteczne
przy tym samym prdzie, to w miejsce jednej diody wstawiamy kilka diod
poczonych szeregowo.

5.2. DIODY STABILIZACYJNE (STABILITRONY) DIODY
ZENERA

Diody Zenera to diody przeznaczone do stabilizacji lub ograniczenia
napicia. Diody stabilizacyjne pracuj przy polaryzacji w kierunku
zaporowym, charakteryzujc niewielkimi zmianami napicia pod wpywem
duych zmian prdu. Diody te stosuje si w ukadach stabilizacji napi, w
ogranicznikach amplitudy, w ukadach rde napicia odniesienia itp.

Parametry charakteryzujce diody stabilizacyjne

napicie stabilizacji - U
Z
,
prd stabilizacji I
Z
,
napicie przewodzenia U
F
, przy okrelonym prdzie
przewodzenia,
prd wsteczny diody I
R
, przy okrelonym napiciu wstecznym,
rezystancja dynamiczna r
Z
, ktrej warto zmienia si w
zalenoci od napicia stabilizacji:

Z
Z
Z
I
U
r

= ;

Rezystancja dynamiczna zaley od wartoci napicia stabilizacji i
prdu stabilizacji. Wynosi ona od kilku do kilkudziesiciu omw.
Minimaln rezystancj dynamiczn maj diody o napiciu
stabilizacji U
Z
= 6 8 V.
temperaturowy wspczynnik napicia stabilizacji
Uz
,


T
U
U
Z
Z
UZ

=
1
const I
Z
= ;



37
Zaley od napicia stabilizacji. Ma warto ujemn dla diod z
przebiciem Zenera (U
Z
< 5 V), a dodatni dla diod z przebiciem
lawinowym (U
Z
> 7 V).

a) b) c)








d)

Rys. 5.4. Dioda stabilizacyjna:
a) symbol diody stabilizacyjnej, b) Schemat zastpczy.
c) Schemat stabilizatora napicia z diod stabilizacyjn.
d) Charakterystyka prdowo napiciowa diody stabilizacyjnej.
Przy czym U
Z
napicie stabilizacji, U
F
napicie przewodzenia, I
R
prd wsteczny,
r
Z
rezystancja dynamiczna.

5.3. DIODY POJEMNOCIOWE

Diody pojemnociowe (warikapy i waraktory) pracuj przy polaryzacji
zaporowej, charakteryzujc si zmienn pojemnoci w funkcji przyoonego
napicia. Stosowane w ukadach powielania czstotliwoci, modulacji
czstotliwoci, we wzmacniaczach parametrycznych i w ukadach strojenia
obwodw rezonansowych wysokiej czstotliwoci za pomoc napicia.
Warikapy stosuje si do przestrajania obwodw rezonansowych.
Waraktory natomiast stosuje si w ukadach parametrycznych, we
wzmacniaczach lub powielaczach czstotliwoci oraz ukadach
mikrofalowych. Ze wzgldu na mae wymiary, du wytrzymao na udary i
r
Z
U
Z
R
DZ U
we U
wy
(+)
(-)



38
ma zaleno od zmian temperatury, mog one w wielu przypadkach
zastpi kondensatory zmienne lub ceramiczne.

a) b)














Rys. 5.5. Dioda pojemnociowa.
a) symbol diody pojemnociowej, b) charakterystyka pojemnociowo napiciowa diody
pojemnociowej.
Gdzie : U
RWM
maksymalne napicie wsteczne, C
max
pojemno okrelona przy
minimalnym napiciu, C
min
pojemno okrelona przy maksymalnym napiciu.

Parametry charakteryzujce diody pojemnociowe.

prd wsteczny I
R
, przy okrelonym napiciu zaporowym;
pojemno zcza C
j
, przy okrelonym napiciu wstecznym;
stosunek pojemnoci minimalnej C
min
do maksymalnej C
max
;
rezystancja szeregowa r
s
, przy okrelonym napiciu wstecznym,
lub dobro Q
c
(podaje si dla warikapw);
maksymalna czstotliwo f
c
(podaje si dla waraktorw);

Graniczne parametry diod:

maksymalne napicie wsteczne U
RWM
;
maksymalny prd przewodzenia I
0
(dla warikapw);
maksymalna moc P
tot
(dla waraktorw).
C
min
0

U
R
U
RWM
C
max
C
j
U

(+)
(-)



39
5.4. DIODY PRZECZAJCE

Do diod przeczajcych (impulsowych) zliczamy diody: tunelowe,
adunkowe, ostrzowe, Schottkyego.
Diody impulsowe wykorzystuje si w ukadach cyfrowych do przeczania
sygnaw; w ukadach impulsowych diody pracuj jako selektory impulsw.
Diody adunkowe i ostrzowe umoliwiaj formowanie impulsw
prostoktnych o bardzo krtkim czasie narastania i opadania.

Parametry charakteryzujce diody przeczajce:

pojemno diody C,
napicie przewodzenia U
F
,
prd wsteczny I
R
,
czas ustalania si prdu wstecznego t
rr.


Parametrem granicznym diody przeczajcej jest maksymalne napicie
wsteczne U
RWM
.

Rys. 5.6. Charakterystyki prdowo napiciowe.
1 dioda zwrotna, 2 dioda ostrzowa, 3 dioda Schottkyego.









40
5.5. DIODA TUNELOWA

Diody tunelowe s stosowane midzy innymi w przecznikach, we
wzmacniaczach o maych szumach i w generatorach mikrofalowych, ktre
wykorzystuj ujemn rezystancj diody, a take w wielu ukadach
impulsowych o duej szybkoci dziaania. Ujemna rezystancja wystpuje na
pewnym odcinku charakterystyki pokazanej na rysunku 5.7. Odcinek
charakterystyki I = f(U) w zakresie ktrego wystpuje rezystancja ujemna,
okrelony jest przez wsprzdne dwch punktw:

P = (I
p
, U
p
) punkt szczytu, V = (I
V
, U
V
) punkt doliny.

Dziaanie diody tunelowej oparte jest na zjawisku tunelowym.
Zjawisko to zostao omwione w rozdziale IV Zcze p-n .
Przy bardzo maych wartociach napi w kierunku przewodzenia
(ok.50mV- ok.350mV) prd zaczyna szybciej rosn ni w zwykej diodzie.
Przy wzrocie napicia do punktu P (punktu szczytu), prd zaczyna male a
osignie punkt V (punkt doliny). W tym zakresie dioda wykazuje rezystancje
ujemn. Dalszy wzrost napicia powoduje wzrost prdu. Charakterystyka
diody tunelowej pokrywa si z charakterystyk diody zwykej. W zalenoci z
czego wykonana jest dioda, punkt szczytu i punkt doliny przesuwa si w
prawo.

a) b)















Rys. 5.7. Dioda tunelowa.
a) symbol diody tunelowej, b) charakterystyka prdowo napiciowa diody tunelowej.
Gdzie: U
P
, U
FP
napicia w kierunku przewodzenia odpowiadajce prdowi szczytu(I
P
),
V punkt doliny i odpowiadajcy jej prd (I
V
) i napicie (U
V
).

(+)
(-) U

U
V U
FP
I
V
U
P
I
P
I

P
V



41
Parametry charakteryzujce diod tunelow:

napicie i prd punktu doliny U
V
, I
V
;
napicie i prd punktu szczytu U
P
, I
P
;
stosunek prdu szczytu do prdu doliny (nie jest on zawsze
podawany);
rezystancja dynamiczna r
z
(minimalna lub rednia);
pojemno warstwy zaporowej C
r


Parametrem dopuszczalnym jest maksymalny prd w kierunku przewodzenia
i w kierunku zaporowym.




42
Rozdzia VI.TRANZYSTORY BIPOLARNE

Tranzystorem bipolarnym zwany te warstwowym, stanowi
kombinacj dwch pprzewodnikowych zczy p-n, wytworzonych w jednej
pytce pprzewodnika. Procesy zachodzce w jednym zczu oddziauj na
drugie, a nonikami adunku elektrycznego s dziury i elektrony. Tranzystory
bipolarne wykonywane s najczciej z krzemu, rzadziej z germanu. Ze
wzgldu na kolejno uoenia warstw pprzewodnika rozrniamy:
tranzystory p-n-p (rys.6.1a),
tranzystory n-p-n (rys.6.1b).
Mog one by z:
jednorodn baz (dyfuzyjny),
niejednorodn baz (dryfytowy).
Zasada dziaania tranzystora n-p-n i p-n-p jest jednakowa, rnice wystpuj
tylko w polaryzacji zewntrznych rde napicia i kierunku przepywu
prdw.

Tranzystor bipolarny skada si z trzech obszarw o przeciwnym
typie przewodnictwa, co powoduje powstanie dwch zczy: p-n i n-p. W
tranzystorze bipolarnym poszczeglne obszary pprzewodnika maj swoj
nazw: B baza, E emiter, C kolektor. A zcza nazywa si
zczem emiterowym (zcze emiter-baza);
zczem kolektorowym (zcze baza-kolektor).
Struktura pprzewodnikowa tranzystora jest umieszczana w hermetycznie
zamknitej obudowie metalowej, ceramicznej lub plastykowej.
Obudowa ta chroni przed uszkodzeniami mechanicznymi, jak rwnie spenia
inne funkcje, np. w tranzystorach redniej i duej mocy umoliwia skuteczne
odprowadzenie ciepa.

a) b)










Rys. 6.1. Model struktury i symbole graficzne tranzystora bipolarnego.
a) p-n-p, b) n-p-n.
p n p
E B C
E
C
B
n p n
E B C
E C
B
B
E
C E
C
B



43
6.1. PODZIA TRANZYSTORW BIPOLARNYCH.

Ze wzgldu na wydzielan moc, tranzystory dzielimy na:

Maej mocy do 0,3 W.
redniej mocy do 5 W.
Duej mocy powyej 5 W, nawet do 300 W.

Ze wzgldu na maksymaln czstotliwo generacji, tranzystory dzielimy na:

Maej czstotliwoci do kilkudziesiciu MHz.
Wielkiej czstotliwoci nawet do kilku GHz.

6.2. ZASADA DZIAANIA TRANZYSTORA.

Dziaanie tranzystora bipolarnego rozpatrzymy na przykadzie
polaryzacji normalnej tranzystora, tzn. gdy zcze emiter-baza jest
spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a zcze baza-kolektor
spolaryzowane w kierunku zaporowym. Stan taki jest zapewniony, gdy
speniona jest zaleno midzy potencjaami na poszczeglnych elektrodach:

- V
E
< V
B
< V
C
dla tranzystora n-p-n;
- V
E
> V
B
> V
C
dla tranzystora p-n-p.

Na rysunku 6.2 pokazano rozpyw prdw i spadki napi midzy
poszczeglnymi elektrodami.

Rys. 6.2. Oznaczenie rozpywu prdu w tranzystorze i spadki napicia na nim.
I
B
prd bazy, I
C
prd kolektora, I
E
prd emitera, U
CE
napicie kolektor-emiter, U
BE

napicie baza-emiter, U
CB
napicie kolektor-baza, V
E
potencja emitera, V
B

potencja emitera, V
C
potencja kolektora.
n-p-n
p-n-p



44
Zasada dziaania tranzystora n-p-n.

Rys. 6.3. Zasada dziaania tranzystora n-p-n.
I
B
prd bazy, I
C
prd kolektora, I
CBO
zerowy prd kolektora, I
E
prd emitera, E
emiter, B baza, C kolektor.

W wyniku przyoenia napi do elektrod tranzystora, elektrony jako noniki
wikszociowe przechodz z emitera do bazy, gdzie staj si nonikami
mniejszociowymi i cz z nich rekombinuje z dziurami wprowadzanymi
przez kontakt bazy. Elektrony przechodzce przez zcze emiter-baza maj
okrelone prdkoci i jeeli obszar bazy jest wski, to prawie wszystkie
przejd do kolektora, gdzie stan si ponownie nonikami wikszociowymi i
zostan usunite z obszaru kolektora do obwodu zewntrznego.
Stosunek iloci nonikw (elektronw) przechodzcych do kolektora, do
iloci nonikw (elektronw) wstrzykiwanych z emitera do bazy, nazywamy
wspczynnikiem wzmocnienia prdowego i oznaczamy .
Jeeli zcze kolektor-baza jest spolaryzowane w kierunku zaporowym, tzn.
kolektor ma wyszy potencja ni baza, to pole elektryczne wystpujce w
tym zczu powoduje unoszenie nonikw z obszaru bazy do obszaru
kolektora. Warto prdu pyncego przez kolektor moe by regulowana
przez zmian wysokoci bariery zcza emiterowego, czyli przez zmian
napicia polaryzujcego zcze emiter-baza. Przez zcze baza-kolektor pynie
prd zwizany z polaryzacj, tzw. Prd zerowy kolektora I
CBO
. Pynie on
nawet wtedy gdy zcze baza-emiter nie jest spolaryzowane (I
E
= 0). Przez
tranzystor pynie rwnie prd zerowy I
CBO
, gdy I
B
= 0.



45
( ) ; 1
;
;
CEO E B
CBO E C
C B E
I I I
I I I
I I I
=
+ =
+ =

(6.1)

( ) 1 + = ; lub = 1 ; (6.2)

CEO B C
I I I + = . (6.3)

gdzie: - wspczynnik wzmocnienia prdowego (0,952 0,998), - wspczynnik
wzmocnienia prdowego, ktry jest stosunkiem iloci nonikw wstrzykiwanych do
kolektora do iloci nonikw w bazie ( = 20 850).

Tabela 6.1

Zwizki midzy prdami tranzystora

I
B
I
C
I
E
I
B
1 1 +
I
C
1

1
1 +

I
E
1
1 +

1 +
1


1)
B C E
I I I + = ; 2)
B E C
I I I = ; 3)
C E B
I I I = ;

E
C
I
I
= ;
B
C
I
I
= ;

1.
B C E
I I I + = ;
B
C
I
I
= ;
B C
I I = ;

B B E
I I I + = ;

( ) 1 + =
B E
I I ;




46
2.
B E C
I I I = ;
B
C
I
I
= ;

C
B
I
I = ;

C
E C
I
I I = ; ( )
E C
I I = +1 ;

( )
E C
I I = +1 ;
1 +
=

E C
I I ;

3.
C E B
I I I = ;
B E B
I I I = ; ( )
E B
I I = + 1 ;

+
=
1
E
B
I
I ;

4.
B C E
I I I + = ;

C
C E
I
I I + = ;

( )

1 +
=
C
E
I
I .

6.3. UKADY PRACY TRANZYSTORA.

Zalenie od doprowadzenia i wyprowadzenia sygnau rozrniamy trzy
sposoby wczenia tranzystora do ukadu:
ukad ze wsplnym emiterem OE (WE) ,
ukad ze wspln baz OB (WB),
ukad za wsplnym kolektorem OC (WC).

a) b) c)










Rys. 6.4. Ukady pracy tranzystora.
a) ze wsplnym emiterem (OE), b) ze wspln baz (OB.),
c) ze wsplnym kolektorem (OC).
B E
E
E
C
C
B
B
C
WE
WB WC



47
Wybr ukadu pracy tranzystora jest zaleny od przeznaczenia i rodzaju
zastosowanego tranzystora.

Tranzystor pracujcy w ukadzie OE charakteryzuje si:

duym wzmocnieniem prdowym (
B C
I I = ),
duym wzmocnieniem napiciowym,
duym wzmocnieniem mocy.

Napicie wyjciowe w ukadzie OE jest odwrcone w fazie o 180 w
stosunku do napicia wejciowego. Rezystancja wejciowa jest rzdu kilkuset
a wyjciowa wynosi kilkadziesit k.

Tranzystor pracujcy w ukadzie OB charakteryzuje si:

ma rezystancj wejciow,
bardzo du rezystancj wyjciow,
wzmocnienie prdowe blisko jednoci (
E C
I I = ).

Tranzystor w tym ukadzie pracuje przy bardzo duych czstotliwociach
granicznych.

Tranzystor pracujcy w ukadzie OC charakteryzuje si:

du rezystancj wejciow co ma istotne znaczenie we
wzmacniaczach maej czstotliwoci,
wzmocnieniem napiciowym rwnym jednoci,
duym wzmocnieniem prdowym (
B E
I I = +1 ).

6.4. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA

Waciwoci tranzystora opisuj rodziny charakterystyk statycznych i
parametry dynamiczne. Charakterystyki statyczne przedstawiaj zalenoci
midzy prdami: emiter, kolektora, bazy i napiciami: baza-emiter, kolektor-
emiter, kolektor-baza.

Rozrniamy cztery rodziny charakterystyk statycznych:

- wejciowa (U
1
= f (I
1
), przy U
2
= const),
- przejciowa (I
2
= f (I
1
), przy U
2
= const),
- wyjciowa (I
2
= f (U
2
), przy I
1
= const),
- zwrotna (U
1
= f (U
2
), przy I
1
= const).



48
Znajc dwie charakterystyki (wejciow i wyjciow) moemy wyznaczy
dwie pozostae. Posta charakterystyki wejciowej i wyjciowej jest taka
sama, jak charakterystyki zcza pprzewodnikowego spolaryzowanego w
kierunku przewodzenia i w kierunku zaporowym.

6.4.1. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA
PRACUJCEGO W UKADZIE OB.

Na rysunku 6.5 przedstawiono rodzin charakterystyk statycznych
tranzystora w ukadzie OB, w ktrym I
1
= I
E
, U
1
= U
EB
, I
2
= I
C
, U
2
= U
CB
.
Charakterystyki wejciowe w rzeczywistoci nie przecinaj si w jednym
punkcie, spowodowane jest to spadkiem napicia jakie istnieje na rezystancji
rozproszonej bazy r
bb
. Wystpujce przesunicie charakterystyk wzgldem
siebie jest zwizane ze zjawiskiem Earlyego modulacja szerokoci bazy.
Jest to tzw. oddziaywanie wsteczne w tranzystorze, ktre silniej wystpuje w
tranzystorach z jednorodn baz. Natomiast przesunicie charakterystyk
wyjciowych jest zwizane ze sterowaniem prdu kolektora przez prd
emitera.

Rys. 6.5. Charakterystyki statyczne tranzystora p-n-p w ukadzie OB.
Charakterystyka wyjciowa osiga nasycenie, nie jest paska lecz nieznacznie
wzrasta, co jest spowodowane modulacj efektywnej szerokoci bazy.



49
Charakterystyki przejciowe, to linie nachylone pod ktem - wspczynnik
wzmocnienia prdowego. Charakterystyki zwrotne powinny by liniami
prostymi, rwnolegymi do osi napicia U
CB
, jednak tak nie jest w wyniku
oddziaywania wstecznego w tranzystorze. Wpyw modulacji szerokoci bazy
jest tym silniejszy, im wikszy jest prd emitera.

6.4.2. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA
PRACUJCEGO W UKADZIE OE.

Na rysunku 6.6 przedstawiono rodzin charakterystyk statycznych
tranzystora w ukadzie OE, w ktrym I
1
= I
B
, U
1
= U
BE
, I
2
= I
C
,, U
2
= U
CE
.
Przesunicie charakterystyk wejciowych wzgldem siebie jest zwizane z
modulacj szerokoci bazy, natomiast przesunicie charakterystyk
wyjciowych jest spowodowane oddziaywaniem prdu bazy na prd
kolektora. Podobnie jak w ukadzie OB. Charakterystyki osigaj nasycenie, a
ich nachylenie nie jest stae, ale ronie. Jest wiksze ni w ukadzie OB, gdy
cz napicia U
CE
polaryzuje zcze emiter-baza.

Rys. 6.6. Charakterystyki statyczne tranzystora n-p-n w ukadzie OE.
Charakterystyka przejciowa jest lini prost o nachyleniu - wspczynnik
wzmocnienia prdowego. Charakterystyki zwrotne s podobne do
charakterystyk zwrotnych w ukadzie OB.




50
6.5. STAN PRACY I PARAMETRY TRANZYSTORA.

Tranzystor skada si z dwch zczy p-n, ktre mog by
spolaryzowane w kierunku przewodzenia jak i w kierunku zaporowym. W
zwizku z tym wyrniamy cztery stany pracy tranzystora (tab.6.2).

1. Aktywny.
2. Nasycenia.
3. Zatkania.
4. Inwersyjny.

Tabela 6.2

Stan pracy tranzystora i odpowiadajca
im polaryzacja zcza

Kierunki polaryzacji zczy tranzystora
Stan
tranzystora
zcze
emiter baza
zcze
kolektor baza
Zatkanie zaporowy zaporowy
Przewodzenie
aktywne
przewodzenia zaporowy
Nasycenie przewodzenia przewodzenia
Przewodzenie
inwersyjne
zaporowy przewodzenia

Tranzystor pracujcy w ukadach analogowych musi by w stanie aktywnym,
natomiast w ukadach cyfrowych w stanie zatkania lub nasycenia.

Parametry tranzystorw.

- Parametry statyczne. Parametry okrelajce zalenoci midzy
prdami i napiciami staymi doprowadzanymi do tranzystora
rezystancja rozproszenia bazy, wspczynnik wzmocnienia
prdowego, prdy zerowe. Umoliwiaj okrelenie punktu pracy
tranzystora.
- Parametry graniczne. Okrelaj dopuszczalne wartoci: napi,
prdw, temperatury i mocy, ktre mog wystpi w tranzystorze, a



51
ich przekroczenie spowoduje uszkodzenie lub zniszczenie
tranzystora.
- Parametry charakterystyczne. To typowe wartoci okrelajce
tranzystor prdy, napicia. Wspczynnik wzmocnienia
prdowego, rezystancja bazy, pojemnoci zczowe, pulsacja
graniczna.
- Parametry maksymalne. Najwiksze wartoci prdw lub napi.
W przypadku przekroczenia okrelonej wartoci gwatownie
pogarszaj si pozostae parametry tranzystora, ale nie nastpuje
jego uszkodzenie.
- Parametry dynamiczne. Okrelaj waciwoci tranzystora w
wybranym punkcie pracy, gdy zostanie on wysterowany
przemiennym napiciem lub prdem czasy wczenia i wyczenia
tranzystora.

Najwaniejsze parametry tranzystorw bipolarnych:

- Wzmocnienie prdowe. W ukadzie OE przy okrelonym prdzie
kolektora i napiciu kolektor-emiter;
- Napicie nasycenia. Przy okrelonym prdzie bazy i kolektora;
- Prd zerowy. Przy okrelonym napiciu kolektor-baza lub
kolektor-emiter;
- Czstotliwo graniczna;
- Pojemno zcza kolektorowego;
- Czas wyczenia;
- Staa czasowa zwizana z rezystancj rozproszon bazy;
- Maksymalna moc wydzielana.

Zastosowanie tranzystorw.

Przy produkcji tranzystorw dy si do osignicia jak najwikszej
wartoci iloczynu wydzielanej mocy i maksymalnej czstotliwoci generacji.
Du warto wydzielanej mocy maj tranzystory, ktrych powierzchnia
zcza baza-kolektor jest dua. Natomiast du wartoci czstotliwoci
generacji odznaczaj si tranzystory o bardzo maej rezystancji rozproszonej
bazy i pojemnoci zcza kolektorowego oraz o bardzo duej czstotliwoci
granicznej.
Ukady elektroniczne z tranzystorami germanowymi mog by zasilane ze
rde o niszym napiciu okoo 1,5 V, natomiast z tranzystorami
krzemowymi mog by zasilane ze rde o napiciu okoo 6 V. Tranzystory
germanowe mog pracowa w ukadach, gdzie pracuj przy wikszych
czstotliwociach ni tranzystory krzemowe. Tranzystory germanowe



52
charakteryzuj si mniejszymi napiciami na zczach w stanie przewodzenia
i wikszymi prdami zerowymi ni tranzystory krzemowe

6.6. SCHEMATY ZASTPCZE TRANZYSTORA

Schematy zastpcze tranzystora stosujemy, wtedy gdy chcemy
przeprowadzi analiz pracy danego ukadu elektronicznego.
Rozrniamy trzy podstawowe schematy zastpcze tranzystora:

- Typu .
- Hybrydowy.
- Ebersa Molla.

Schemat zastpczy typu tranzystora jest stosowany przy okrelaniu
punktu pracy i parametrw roboczych ukadw elektronicznych rezystancja
wejciowa i wyjciowa, wzmocnienie.

Schemat hybrydowy suy rwnie do okrelania parametrw ukadw
elektronicznych. Wartoci parametrw h okrela si korzystajc z
charakterystyk statycznych tranzystora.

Model Ebersa Molla jest wykorzystywany do analizy pracy ukadw
impulsowych i cyfrowych.

Schemat zastpczy hybrydowy.

Tranzystor traktujemy jako czwrnik i napicie na wejciu i prd
wyjciowy tranzystora pracujcego w ukadzie OE jest opisany nastpujco:

CE B BE
U h I h U
12 11
+ = ,

CE B C
U h I h I
22 21
+ = ,
przy czym:

B
BE
I
U
h =
11
- impedancja wejciowa przy zwartym wyjciu,
0 =
CE
U

CE
BE
U
U
h =
12
- wspczynnik przenoszenia wstecznego przy rozwartym wejciu,
0 =
B
I




53
B
C
I
I
h =
21
- wspczynnik przenoszenia prdowego przy zwartym wyjciu,
0 =
CE
U

CE
C
U
I
h =
22
- admitancja wyjciowa przy rozwartym wejciu.
0 =
B
I








Rys.6.7. Schemat zastpczy hybrydowy tranzystora.
Rys. 6.8. Sposb wyznaczania parametrw h tranzystora
h
11
= tg
11
, h
12
= tg
12
, h
21
= tg
21
, h
22
= tg
22
, Q punkt pracy.
E
B C

h
22
h
11
h
12
U
CE U
CE
U
BE
I
B I
C
h
21
I
B



54
Rozdzia VII. TRANZYSTORY POLOWE JFET

Tranzystor polowe, nazywane rwnie tranzystorami unipolarnymi,
stanowi grup kilku rodzajw elementw, ktrych wspln cech jest
porednie oddziaywanie pola elektrycznego na rezystancj pprzewodnika
lub na rezystancj cienkiej warstwy nieprzewodzcej. Do tej grupy zaliczamy
tranzystory, ktrych prd wyjciowy jest funkcj pola elektrycznego
istniejcego pod wpywem napicia sterujcego wejciowego. Teoretycznie
sterowanie prac tranzystora polowego moe odbywa si bez poboru mocy.
W dziaaniu elementu udzia bierze tylko jeden rodzaj nonikw adunku, std
nazwa polowy (unipolarny).
Tranzystory polowe, zwane w skrcie FET (ang. Field Effect
Transistor), maj kana typu P lub kana typu N, ktry moe by wzbogacony
lub zuboony. W tranzystorach z kanaem typu N nonikami prdu s
elektrony, a w tranzystorach z kanaem typu P nonikami prdu s dziury.
W tranzystorach polowych midzy elektrodami pynie prd nonikw
jednego rodzaju, prd nonikw wikszociowych. Warto prdu
przepywajcego przez tranzystor polowy jest zalena od wartoci napicia
przyoonego midzy rdem a drenem oraz od wartoci rezystancji kanau,
ktra wyraona jest wzorem:

hw
l
N q
R

1
= ;

gdzie: , N ruchliwo i koncentracja nonikw w kanale, l, h, w wymiary kanau.

Tranzystorw polowe dzielimy na:

Tranzystory polowe zczowe JFET (ang. Junction FET),
Tranzystory polowe z izolowan bramk IGFET lub MOSFET
(ang. Insulated Gate FET lub Metal Oxide Semiconductor FET).
Tranzystory polowe cienkowarstwowe TFT (ang. Thin Film
Transistor).

W tranzystorach polowych elektrody maj swoj nazw i okrelony symbol:

rdo (ang. Source), oznaczone liter S. Jest elektrod z ktrej
wypywaj noniki adunku do kanau. Prd rda oznacza si jako
I
s
.
Dren (ang. Drain), oznaczone liter D. Jest elektrod do ktrej
dochodz noniki adunku. Prd drenu I
D
, napicie dren-rdo
U
DS
.



55
Bramka (ang. Gate), oznaczone liter G. Jest elektrod sterujc
przepywem adunkw. Prd bramki I
G
, napicie bramka-rdo
U
GS
.

7.1. TRANZYSTORY POLOWE ZCZOWE JFET.

Tranzystor polowy zczowy skada si zasadniczo z warstwy
pprzewodnika typu n w tranzystorach z kanaem typu N lub z
pprzewodnika typu p w tranzystorach z kanaem typu P. Warstwa ta
tworzy kana. Do obu kocw kanau doczone s elektrody. Symbole
graficzne przedstawiono na rysunku 7.1. Tranzystor moe by take
wzbogacany lub zuboany.

Tranzystory te naley polaryzowa tak, aby:

noniki poruszay si od rda do drenu,
zcze bramka-kana byo polaryzowane zaporowo.

a) b)






Rys. 7.1. Symbole graficzne tranzystora polowego zczowego JFET.
a) z kanaem typu N, b) z kanaem typu P.

7.2. ZASADA DZIAANIA TRANZYSTORA POLOWEGO JFET

rdo i dren tranzystora polowego s spolaryzowane tak, aby
umoliwi przepyw nonikw wikszociowych przez kana w kierunku od
rda do drenu. W tranzystorze z kanaem typu P od rda do drenu
przepywaj dziury, a w tranzystorze z kanaem typu N od rda do drenu
przepywaj elektrony. Zcze bramka-kana w obu tranzystorach powinny
by spolaryzowane w kierunku zaporowym.
Zasada dziaania tranzystora polowego JEFT pokazana jest na rysunku
7.2. Jeeli napicie U
GS
= 0 i U
DS
ma ma warto (rys.7.2a), to prd zmienia
si liniowo w funkcji przykadnego napicia tranzystor zachowuje si jak
rezystor. Podczas narastania napicia U
DS
zcze kana-bramka (PN) jest coraz
silniej polaryzowane zaporowo, przy czym polaryzacja ta jest silniejsza w
pobliu drenu (rys.7.2b). Przy pewnej wartoci napicia U
DS.
= U
Dssat
= U
p
,
nastpuje zamknicie (odcicie) kanau (rys.7.2c) przy drenie.
D
S G
D
S G



56
Dalszy wzrost napicia powoduje, e kana jest zamykany coraz bliej rda
(punkt Y Y). Przyrost napicia rozkada si na warstwie zaporowej, nie
powodujc dalszego wzrostu prdu. Rozszerza si warstwa zaporowa, czyli
zwiksza gboko jej wnikania w kana. Tranzystor wchodzi w stan
nasycenia, a prd przez niego pyncy jest prdem nasycenia.

Ze wzrostem napicia U
GS
:
maleje warto pyncego przez tranzystor prdu;
przy mniejszych wartociach napicia U
DS
nastpuje zamknicie
kanau, czemu odpowiada mniejsza warto prdu nasycenia
(rys.7.2b).

Rys. 7.2. Zasada dziaania tranzystora polowego JFET.
a) brak polaryzacji, b) rozszerzenie si warstwy zaporowej w wyniku przyoonego
napicia U
DS.
, c) odcicie kanau (Y), d) nasycenie tranzystora. U
p
= U
Gsoff
napicie
odcicia kanau.

7.3. PARAMETRY I CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORA
POLOWEGO JEFT.

Tranzystory polowe charakteryzuj si:

parametrami statycznymi dla duych wartoci sygnaw,
parametrami dynamicznymi dla maych wartoci sygnaw.

Waciwoci statyczne tranzystora polowego opisuj rodziny charakterystyk
przejciowych i wyjciowych.
Charakterystyki tranzystora zczowego:




57
- charakterystyka przejciowa przedstawia zaleno prdu drenu
I
D
od napicia bramka-rdo U
GS
, przy ustalonej wartoci napicia
dren-rdo U
DS
(rys.7.3). Charakterystyki przejciowe zale od
temperatury.

Wielkociami charakterystycznymi krzywych s:

1. Napicie odcicia bramka-rdo U
GS(off)
. Jest to napicie jakie
naley doprowadzi do bramki, aby przy ustalonym napiciu U
DS

nie pyn prd drenu.
2. Prd nasycenia I
DSS
. Jest to prd pyncy przy napiciu U
GS
= 0 i
okrelonym napiciu U
DS
.



Rys. 7.3. Charakterystyka przejciowa tranzystora zczowego.

- Charakterystyka wyjciowa. Przedstawia zaleno prdu drenu I
D
od
napicia dren-rdo U
DS
, przy staym napiciu bramka-rdo U
GS
(rys.7.4).







58


Rys.7.4. Charakterystyka wyjciowa tranzystora zczowego.
a odpowiada stanowi z rys.7.2a, b odpowiada stanowi z rys.7.2b,
c odpowiada stanowi z rys.7.2c, d odpowiada stanowi z rys.7.2d.

Parametry statyczne:

prd wyczenia I
D(off)
,
rezystancja statyczna wczenia R
DS.(on)
,
rezystancja wyczenia R
DS.(off)
,
prdy upywu.

Parametry graniczne:

dopuszczalny prd drenu I
Dmax
(od kilku do kilkudziesiciu
miliamperw),
dopuszczalny prd bramki I
Gmax
,
dopuszczalne napicie dren-rdo U
Dsmax
(od kilku do
kilkudziesiciu woltw) lub bramka-rdo U
Gsmax
,
dopuszczalne straty mocy P
totmax
P
Dmax
(od kilkudziesiciu do
kilkuset miliwoltw).

7.4 SCHEMAT ZASTPCZY TRANZYSTORA ZCZOWEGO.

Dla tranzystora zczowego moemy utworzy schemat zastpczy (rys.
7.5).






59












Rys. 7.5. Schemat zastpczy tranzystora zczowego.

Na rysunku tym:
C
gs
, C
gd
pojemnoci warstwy zaporowej,
g
gs
, g
gd
konduktancje bramka-rdo i bramka-dren,
g
m
transkonduktancja,
g
ds
konduktancja wyjciowa.

S one okrelone nastpujcymi zalenociami:

DS m
U g = - transkonduktancja dla zakresu nienasycenia,

( )
p GS m
U U g = - transkonduktancja dla zakresu nasycenia,

( )
DS p GS ds
U U U g = - konduktancja wyjciowa dla zakresu nienasycenia,

0 =
ds
g - konduktancja dla zakresu nasycenia.

Czstotliwo maksymalna w tranzystorze zaley od czasu przelotu nonikw
przez kana i od staej czasowej adowania pojemnoci kana-bramka C
g
, i jest
rwna czstotliwoci granicznej
g d
T
C r
f
2
1
= .

Maksymalna czstotliwo generacji

m d T
g r f f =
max
,

przy czym r
d
oznacza rezystancj kanau.
C
gs
C
gd
C
ds
g
gs
g
gd
g
ds g
m
U
gs U
gs
U
ds
G

D

S S

I
g
I
d



60
7.5. TRANZYSTORY Z IZOLOWAN BRAMK MOSFET.

Tranzystor z izolowan bramk (rys. 7.6) jest to najczciej tranzystor o
konstrukcji MIS (MOS) z kanaem typu N lub typu P, izolowanym od bramki
warstw dielektryka.



Rys. 7.6. Zasada dziaania tranzystora z izolowan bramk.
a) zakres liniowy, b)odcicie kanau, c) nasycenie tranzystora.
B podoe.

7.5.1. ZASADA DZIAANIA TRANZYSTORA MIS (MOS).

Zasad dziaania tranzystora MIS (MOS) omwimy na przykadzie
najczciej spotykanej polaryzacji, tj. przy zwartym rdle i podou. Jeeli
do bramki zostanie przyoone napicie dodatnie, to powstanie kana
wzbogacony, a jeli ujemne, to powstanie kana zuboony. W tranzystorze z
kanaem wzbogaconym, wzrost napicia U
GS
powyej wartoci napicia
progowego U
T
powoduje powstanie kanau.
Napicie progowe U
T
jest to napicie, jakie naley przyoy do
bramki, aby powstaa warstwa inwersyjna.
Kady nastpny przyrost napicia U
GS
powoduje przyrost adunku
wprowadzanego przez bramk, ktry jest kompensowany adunkiem
nonikw powstajcego kanau. W tranzystorze z kanaem zuboonym,
wzrost napicia U
GS
powoduje silniejsze zuboenie kanau, a wreszcie przy
pewnej jego wartoci, rwnej tzw. napiciu odcicia U
Gsoff
, kana zanika.
Jeeli napicia U
DS
i U
GS
bd porwnywalne, to prd drenu bdzie zaleny
liniowo od napicia U
DS
kana peni wwczas funkcj rezystora liniowego
(rys. 7.6a). Dalszy wzrost napicia U
DS
powoduje, tak jak w tranzystorze
zczowym, spadek napicia na rezystancji kanau. W okolicy drenu nastpuje
zmniejszanie inwersji, a do cakowitego jej zaniku. Mwimy wtedy o
odciciu kanau. Warto napicia U
DS
, przy ktrej nastpuje odcicie kanau
nazywamy napiciem nasycenia (rys. 7.6b).
T GS DS
U U U
sat
= ;



61
Dalszy wzrost napicia U
DS
nie powoduje ju wzrostu prdu drenu, ale
wpywa na odcicie kanau bliej rda. Mwimy wwczas, e tranzystor
pracuje w stanie nasycenia (rys. 7.6c).
Tranzystor MOSFET to tranzystor polowy, w ktrym bramka jest
oddzielona od kanau cienk warstw izolacyjn, najczciej utworzon z
dwutlenku SiO
2
. Dziki odizolowaniu bramki, niezalenie od jej polaryzacji,
teoretycznie nie pynie przez nie aden prd. Praktycznie w tranzystorach
JEFT prdy bramki s rzdu 1pA 10nA, a w tranzystorach MOSFET ok.
10
3
razy mniejsze. Dlatego te w tranzystorach JEFT moemy uzyska
rezystancj wejciow ukadu rwn 10
9
10
12
, a w przypadku
tranzystorw MOSFET rezystancja wejciowa jest rwna 10
12
10
16
.

W zalenoci od zjawisk fizycznych i od polaryzacji bramki, w
tranzystorze tym moe powstawa:

- Kana indukowany. Kana w postaci warstwy inwersyjnej, np.
kana typu N ma bardzo duo elektronw, a mao dziur.
- Kana wbudowany. Kana w postaci warstwy akumulacyjnej
wzbogacanej, np. kana typu N ma duo dziur i bardzo duo
elektronw, lub zuboonej, np. kana typu N ma mao elektronw i
mao dziur. S one inaczej okrelane jako warstwy domieszkowane
o przeciwnym typie przewodnictwa w stosunku do podoa.

W tranzystorach z kanaem wbudowanym przy napiciu U
GS
= 0 pynie
pewien prd, ktry zmniejsza si przy zwikszaniu napicia sterujcego
bramki. Takie tranzystory nazywa si tranzystorami normalnie zczonymi
lub pracujcym na zasadzie zuboania nonikw w kanale (tranzystory z
kanaem zuboanym).
W tranzystorach z kanaem indukowanym, gdy do bramki doprowadzi
si napicie ujemne w stosunku do podoa, wwczas rdo zostaje
oddzielone od drenu dwoma przeciwnie spolaryzowanymi zczami p-n. Jest
to tzw. stan akumulacji. Prd rdo-dren stanowi wtedy prd wsteczny
jednego ze zczy. Ma on znikomo ma warto. May prd pynie take przy
U
GS
= 0. Dlatego te te tranzystory nazywane s tranzystorami normalnie
wyczonymi.
Gdy do bramki doprowadzi si napicie dodatnie w stosunku do
podoa, wwczas po przekroczeniu pewnej wartoci, tzw. napicia
progowego U
T
, przy powierzchni pprzewodnika powstaje warstwa
przeciwnego typu ni pprzewodnik stanowicy podoe. Jest to warstwa
inwersyjna. Warstwa ta stanowi zaindukowany kana, ktry po
doprowadzeniu napicia polaryzujcego rdo-dren umoliwia przepyw
prdu od rda do drenu. Ze wzrostem napicia U
GS
prd drenu wzrasta.
Tranzystory te nazywane s tranzystorami z kanaem wzbogaconym.



62
Tranzystory z kanaem zuboanym i tranzystory z kanaem wzbogacanym
mog mie kanay typu N lub typu P. Istniej cztery podstawowe rodzaje
tranzystorw z izolowan bramk (tab.7.1).

Tabela 7.1

Rodzaje tranzystorw z izolowan bramk.



7.6.CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORW MOSFET.

Podstawowymi charakterystykami tranzystora MOSFET s:
- Charakterystyka przejciowa. Zaleno prdu drenu od napicia
bramka-rdo, przy staym napiciu rdo-dren.
- Charakterystyka wyjciowa. Zaleno prdu drenu od napicia
rdo-dren, przy staym napiciu bramka-rdo.

Mona je wyrazi nastpujcymi zalenociami:
- w zakresie liniowym prd drenu ma posta:

( )
(

=
2
2
DS
DS T GS D
U
U U U I ;
- w zakresie nasycenia prdu drenu ma posta:



63

( )
2
2
T GS D
U U I =

;

przy czym: - wspczynnik transkonduktancji (parametr zaleny od waciwoci
tranzystora), U
T
napicie progowe.

Tranzystory MOSFET charakteryzuj si tymi samymi parametrami co
tranzystory JEFT.
Tranzystory MOSFET maj czwart elektrod podoe, oznaczone
symbolem B. Spenia ona podobn rol sterujc jak bramka. Jest ona
oddzielona od kanau tylko zczem p-n. Gdy nie korzysta si z funkcji
podoa, wwczas czy si je ze rdem. Poczenie to moe by wykonane
wewntrz obudowy i wtedy nie ma wyprowadzenia na zewntrz.

Zalety tranzystorw polowych:

dua rezystancja wejciowa,
mae szumy w porwnaniu z tranzystorami bipolarnymi (w zakresie
maych i rednich czstotliwoci),
moliwo autokompensacji temperaturowej,
odporno na promieniowanie,
mae wymiary powoduj, e s one coraz powszechniej stosowane
w ukadach analogowych i cyfrowych.

Tranzystory mog pracowa w trzech podstawowych konfiguracjach:

1. Ukad o wsplnym rdle OS.
2. Ukad o wsplnej bramce OG.
3. Ukad o wsplnym drenie OD.



64
Rozdzia VIII. ELEKTRONICZNE ELEMENTY
PRZECZAJCE

Elementy przeczajce to: tranzystor jednozczowy, tyrystor,
dynistor, diak, triak.

Elementy przeczajce maj charakterystyk prdowo napiciow typu S i
pracuj w dwch stanach:

1. Blokowania zwany rwnie stanem wyczenia, ktry
charakteryzuje si bardzo du rezystancj elementu.
2. Przewodzenia zwany rwnie stanem wczenia, ktry
charakteryzuje si bardzo ma rezystancj elementu.


Rys. 8.1 Charakterystyka elementu przeczajcego.




8.1. TRANZYSTOR JEDNOZCZOWY

Tranzystor polaryzuje si w nastpujcy sposb:

1) Do bazy drugiej doprowadza si wyszy potencja ni do bazy
pierwszej.
2) Zcze emiter-baza pierwsza polaryzuje si w kierunku
przewodzenia.






65

a) b)







c)









Rys. 8.2. Tranzystor jednozczowy.
a) budowa, b) symbol graficzny,
c) oznaczenia napicia i prdw.

Tranzystor jednozczowy zwany rwnie jest diod o dwch bazach
(rys. 8.2) zawiera zcze p-n, utworzone przez umieszczenie maego prcika z
materiau typu p wewntrz bryki z materiau typu n. W jednym z rodzajw
konstrukcji, do bryki materiau n dopasowane s dwa metalowe
doprowadzenia, zwane bazami. W miejscach doprowadzenia nie wystpuj
zcza p-n.
Elektroda B
1
jest punktem odniesienia dla caego ukadu. Midzy elektrodami
B
1
i B
2
wystpuje rezystancja midzybazowa, ktrej warto w warunkach
rozwarcia obwodu emitera jest rzdu kilku tysicy omw. Po doprowadzeniu
do B
2
napicia dodatniego, w obszarze materiau n pomidzy B
2
i B
1

wytwarza si rwnomiernie rozoony spadek napicia.
W miejscu umieszczenia emitera E napicie wzgldem elektrody B
1
jest
okrelon czci napicia midzybazowego i wynosi U
BB
. Wspczynnik
nazywa si wspczynnikiem podziau napicia. Jego warto wynosi
zazwyczaj od 0,5 do 0,8.

Gdy napicie emitera U
E
jest mniejsze ni (U
BB
+ U
D
), zcze p-n
midzy emiterem a bryk polaryzowane jest w kierunku zaporowym.
U
D
oznacza potencja dyfuzyjny zcza. W przypadku zcza krzemowego jest
on rzdu 0,7 V. Gdy napicie jest wiksze ni (U
BB
+ U
D
), zcze
polaryzowane jest w kierunku przewodzenia. Gdy zcze jest spolaryzowane
E

B
B
U
BB
lub U
B1B2
I
B2
I
E
U
B
B
n


p



66
zaporowo, prd emitera I
E
jest pomijalnie may. Natomiast gdy zcze
zostanie spolaryzowane w kierunku przewodzenia, prd emitera osiga due
wartoci. Prd emitera powoduje wprowadzenie do obszaru n bazy nonikw
dziurowych. Dziury te zmniejszaj rezystancj materiau typu n, co
umoliwia przepyw duego prdu w obwodzie midzybazowym.
Jednoczesne wystpowanie dziur i elektronw w obszarze bazy midzy
emiterem a baz B
1
gwatownie zmniejsza spadek napicia na tej czci
obszaru bazy. W zwizku z tym, prd emitera gwatownie ronie, a
charakterystyka U
E
(I
E
) wykazuje zakres opornoci ujemnej. Przebieg
charakterystyki U
E
(I
E
) dla przypadku idealnego przedstawiono na rysunku
8.3a. Punkt, w ktrym dioda wcza si lub zapala, jest nazywany punktem
szczytowym i okrelony przez wartoci I
P
oraz U
P
. Przy wikszych
wartociach prdu emitera, spadek napicia midzy emiterem a baz B
1
,
pocztkowo ronie ze wzrostem I
E
, a nastpnie ustala si osigajc warto
nasycenia, oznaczon symbolem U
ES
lub U
EB1S
. Najniszy punkt
charakterystyki, o wsprzdnych I
V
i U
V
, nazywamy punktem doliny.














Rys. 8.3. Charakterystyka tranzystora dla przebiegu idealnego.

Parametry tranzystora jednozczowego:

wewntrzny wspczynnik blokowania;
rezystancja midzybazowa (r
B1
+ r
B2
);
napicie nasycenia (napicie emiter-baza pierwsza, przy
maksymalnym prdzie emitera);
prd doliny;
prd szczytu.

Tranzystory jednozczowe uywa si do budowy przerzutnikw astabilnych,
bistabilnych i monostabilnych.
U
U
U
V

U
ES

I
V
I
P
I
E

0



67

8.2. DYNISTOR

Dynistor jest to element pprzewodnikowy o strukturze
czterowarstwowej typu n-p-n-p. Warstwy te s rnej szerokoci i maj rne
wielkoci koncentracji nonikw.
Obszar p
1
nazywamy anod, obszar n
2
katod. Tak struktur mona
traktowa jako poczenie dwch tranzystorw: typu p-n-p i n-p-n. Warstwy
p
1
i n
2
bdziemy nazywa emiterem, a warstwy n
1
i p
2
bazami, zcze
rodkowe nazywa bdziemy kolektorem.
Przyczenie dynistora odbywa si przez zmian polaryzacji napicia anoda
katoda i zmniejszenie prdu anodowego poniej prdu podtrzymania.

W pracy dynistora wyrnia si trzy stany:

1) Zaporowy;
2) Blokowania;
3) Przewodzenia;

a) b)


Rys. 8.4. Dynistor.
a) struktura, b) charakterystyka.

Dynistor jest wstanie zatkania jeeli anoda jest polaryzowana ujemnie
wzgldem katody. Zcza n
1
p
1
i n
2
p
2
s polaryzowane zaporowo, a zcze
n
1
p
2
w kierunku przewodzenia. Napicie polaryzacji odkada si na zczu
n
1
p
1
, a prd pyncy przez dynistor jest may i rwny sumie prdw
wstecznych zczy n
1
p
1
i n
2
p
2
. Stan blokowania i przewodzenia uzyskuje si
przy polaryzacji anody napiciem dodatnim wzgldem katody.

Przeczenie dynistora moe nastpi w wyniku:
powielania lawinowego nonikw w kolektorze, przy duym
napiciu polaryzujcym dynistor,



68
wzrostu prdu generacyjnego pod wpywem temperatury,
gwatownego wzrostu napicia miedzy anod i katod.

Natomiast wyczenie dynistora nastpuje przy znacznym obnieniu napicia
pomidzy anod i katod.
Dynistory stosuje si jako elementy sterujce; ich napicia przyczenia
wynosz do 40 V a szczytowe prdy przewodzenia 10A.

8.3. DIAK

Diak jest to dynistor symetryczny. Zachowuje si tak jak dioda
przeczajca, rni si tylko tym, e napicie po zaczeniu zmniejsza si o
stosunkowo ma warto, nie zbliajc si do zera.

a) b)
c)









Rys.8.5. Diak.
a) struktura, b) charakterystyka prdowo napiciowa.
c) symbol graficzny diody DIAC

Zasad dziaania diaka wyjania si na podstawie dwch struktur
czterowarstwowych (p
2
n
2
p
1
n
1
i p
1
n
2
p
2
n
1
).
Diaki wykorzystuje si do wytwarzania impulsw zaczajcych
tyrystory, a w ukadach sterujcych speniaj one funkcje szybkich
przecznikw, reagujcych na warto chwilow napicia.

K
n
1
p
1
n
2
p
2
n
3
A



69
8.4. TYRYSTOR

Tyrystor jest to element pprzewodnikowy o strukturze
czterowarstwowej typu n-p-n-p. Trzy wyprowadzone na zewntrz kocwki
s doczone do trzech warstw pprzewodnika: anoda A do skrajnej warstwy
p
1
, katoda K do skrajnej warstwy n
2
oraz trzecia kocwka zwana bramk
G, do wewntrznej warstwy p
2
. Taka struktura moe by uwaana za
poczenie dwch tranzystorw n-p-n i p-n-p.

a) b) c)










d) e)





Rys. 8.6. Tyrystor.
a)symbol graficzny, b), c)podstawowa struktura,
d) polaryzacja, e) charakterystyka prdowo napiciowa.
A anoda, K katoda, G bramka, 1,2,3 prd bramki.
Przeczenie tyrystora moe nastpi w wyniku przepywu prdu przez
bramk. Im mniejsze jest napicie midzy anod a katod, tym wikszy musi
by prd bramki, aby nastpio przeczenie tyrystora. Mona go wczy
dopiero wwczas, gdy przez bramk nie bdzie pyn prd i gdy
zmniejszymy napicie midzy anod a katod.
K
A
G
A
G
p
1
p
2
n
2
n
1
K
p
1
A
K

n
2
p
2
n
1
I
A
I
G
G

+

+

zcze
1

zcze
3

zcze
2

p
1
n
1
p
2
n
1
p
2
n
2
A
G
K



70
rda zasilajce s tak dobrane, aby polaryzowa zcze n
2
p
2
dwa razy
silniej, w wyniku czego zcze to wstrzykuje wicej nonikw, powodujc
dodatnie sprzenie zwrotne midzy zczem n
1
p
1
i n
2
p
2
.

Parametry tyrystorw:
napicie przeczenia, przy zerowym prdzie bramki;
prd trzymania najmniejsza warto prdu pyncego przez
tyrystor, przy ktrej nie nastpuje jego wyczenie;
prd przeczajcy bramki warto prdu powodujcego
przeczenie tyrystora, przy okrelonym napiciu midzy anod a
katod;
czas wczenia;
czas wyczenia.

Tyrystory stosuje si w:
ukadach zasilania jako regulator mocy;
automatyce jako styczniki;
innych ukadach elektrycznych jako przerywacze prdu staego,
sterowniki prdu przemiennego.

8.5. TRIAK

Triak to tyrystor symetryczny o strukturze i charakterystyce
przedstawionej na rysunku poniej.

a) b)



















n
4
p
3
n
2
p
1
n
1
n
3
A
G

K

G G
A
1
A
1
A
2
A
2



71
c).



Rys. 8.7. Triak.
a) struktura, b) symbol graficzny, c) charakterystyka prdowo napiciowa.

Przeczenie triaka nastpuje pod wpywem ujemnego prdu bramki.
W triakach tyrystorach symetrycznych zostaa wyeliminowana podstawowa
wada tyrystorw, jak jest moliwo przewodzenia prdu tylko w jednym
kierunku. Triaki mona zacza zarwno przy dodatnim jak i ujemnym
napiciu anoda katoda.

Najczciej wytwarza si triaki, ktre s przeczone w stan
przewodzenia w jednym kierunku prdem o polaryzacji dodatniej, a w drugim
kierunku prdem o polaryzacji ujemnej.
Triaki zastpuj tyrystory, co umoliwia znaczne uproszczenie ukadw
sterujcych.



72
Rozdzia IX. ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE

9.1. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

Diody elektroluminescencyjne zwane s take diodami wieccymi
LED (z ang. Light Emiting Diode), emituj promieniowanie w zakresie
widzialnym i podczerwonym. Promieniowanie jest wytwarzane w wyniku
rekombinacji dziur i elektronw. Jest to dioda wiecca pod wpywem energii
elektrycznej doprowadzonej z zewntrz. Intensywno wiecenia zaley od
wartoci doprowadzonego prdu, przy czym zaleno ta jest liniowa w
duym zakresie zmian prdu. Istniej diody elektroluminescencyjne
prniowe, gazowane i pprzewodnikowe. Czsto stosowane s
pprzewodnikowe, gdy pracuj przy niewielkich napiciach (ok. 2 V) z
niewielkimi prdami (kilku do kilkunastu mA), co uatwia ich wspprac w
ukadach tranzystorowych.


a) b)















c)


Rys.9.1. Dioda elektroluminescencyjna.
a) sposb wczenia, b) zasada dziaania, c) obudowy.
h
+ -
R
I
F
+ -
p n
R
Noniki nieruchome
Dziury z obszaru p
rekombinujce
z elektronami
h
Dziury z obszaru n
rekombinujce
z dziurami
I
F



73
Dioda pracuje prawidowo przy polaryzacji zcza w kierunku
przewodzenia. Zasada dziaania diod elektroluminescencyjnych jest oparta na
zjawisku elektroluminescencji.
Zjawisko elektroluminescencji w diodach pprzewodnikowych
polega na wytwarzaniu wiata pod wpywem pola elektrycznego w wyniku
rekombinacji dziur i elektronw w spolaryzowanym zczu p-n.
Przechodzenie elektronw z wyszego poziomu energetycznego na niszy
powoduje wydzielenie energii w postaci wiata (fotonu).

Dugo fali generowanego (emitowanego) promieniowania:

g
W
ch
= ; (9.1)
przy czym:

W
g
= W
c
W
v

- szeroko pasma zabronionego lub rnica energii poziomw,
midzy ktrymi zachodzi rekombinacja,
c prdko wiata,
h staa Plancka.

Dugo fali emitowanego promieniowania zwiksza si ze wzrostem
temperatury zcza. Diody emituj promieniowanie w bardzo wskim
przedziale widma: od 490 nm kolor niebieski do 950 nm bliska
podczerwie.

Rys.9.2. Charakterystyki widmowe diod elektroluminescencyjnych.

Diody elektroluminescencyjne s wytwarzane z materiaw
pprzewodnikowych (pierwiastki z III i V grupy ukadu okresowego np.
GaAs, GaP, GaAsP o odpowiednim domieszkowaniu), charakteryzujcych si
du sprawnoci emisji promieniowania. Barwa promieniowania
emitowanego przez diody LED zaley od materiau pprzewodnikowego.
Diody emituj promieniowanie o barwach: niebieskiej, tej, zielonej,



74
pomaraczowej, czerwonej. Produkuje si take diody wiecce rnymi
kolorami.

Charakterystyki prdowo napiciowe diod LED maj przebieg podobny do
innych charakterystyk diod pprzewodnikowych. Wiksze napicie
przewodzenia U
F
; wynosz one ok.1,6V dla diod wieccych na czerwono i
ok.2,6V dla diod wieccych na zielono.

Rys.9.3. Charakterystyka prdowo napiciowa diody LED.


redni prd przewodzenia I
F
nie powinien przekracza 20 100 mA, zalenie
od typu diody. W typowym ukadzie pracy prd przewodzenia ogranicza si
rezystorem.

Diody LED s umieszczane w obudowach: metalowych, z tworzyw
sztucznych, przezroczystych, matowych (pprzezroczystych), bezbarwnych
lub na barwione na taki kolor jak wieci dioda.
Obudowy s zamknite soczewkami z tworzyw sztucznych, formujcymi
wizk promieniowania. Pozwalaj one uzyska optymalny ksztat
charakterystyki ktowej promieniowania, obrazujcej przestrzenny rozkad
promieniowania wzgldem osi optycznej.








75

Rys. 9.4. Charakterystyka ktowa promieniowania diody LED.

9.1.1. WACIWOCI OPTYCZNE I ELEKTRYCZNE DIODY LED

Parametry optyczne

- strumie energetyczny S
e
(moc emitowana przez diod IR),
wyraamy w watach, lub strumie wietlny (moc emitowana przez
diod wiecc), wyraamy w lumenach. Warto mocy emitowanej
przez diod ronie ze wzrostem prdu przewodzenia, a maleje ze
wzrostem temperatury zcza;
- natenie promieniowania J
e
stosunek strumienia
energetycznego do kta bryowego dla diod IR, ktrego jednostk
jest wat na steradian;
- wiato stosunek strumienia wietlnego do kta bryowego dla
diod LED, wyraona w kandelach. Natenie promieniowania i
wiato zwikszaj si ze wzrostem prdu przewodzenia;
- powkowa szeroko spektralna promieniowania . Jest to
szeroko pasma promieniowania, definiowana jako rnica
dugoci fal
1 2
, dla ktrych moc emitowana osiga poow swej
wartoci maksymalnej.


Parametry diody elektroluminescencyjnej okrela si take na podstawie:
- Charakterystyki widmowej. Jest to zaleno mocy emitowanej
strumienia energetycznego lub strumienia wietlnego od dugoci
fali emitowanego promieniowania (rys.7.2).



76
- Charakterystyki ktowej promieniowania diody zaleno
mocy emitowanej od wartoci kta mierzonego od osi diody
(rys.7.3).

Parametry elektryczne

Parametry elektryczne diody elektroluminescencyjne s takie same jak
innych diod czyli: prd przewodzenia, napicie przewodzenia, napicie
wsteczne oraz moc strat , ktra wynosi od kilkudziesiciu do kilkuset mW, a
jej warto zaley od temperatury zcza.
Bardzo wanym parametrem diody jest sprawno kwantowa zewntrzna
czyli stosunek liczby fotonw wyemitowanych przez diod do liczby
nonikw przepywajcych przez zcze. Sprawno ta maleje wraz ze
wzrostem temperatury zcza. Trwao diod wynosi okoo 10
5
godzin.
Waciwoci dynamiczne diod okrela przebieg charakterystyki
czstotliwociowej, na ktrej jest zaznaczona czstotliwo graniczna. Jest to
czstotliwo, przy ktrej moc promieniowania maleje do poowy swojej
wartoci maksymalnej i zaley od materiau pprzewodnikowego,
domieszkowania (czasu ycia nonikw) oraz technologii wytworzenia.

Zalety diod elektroluminescencyjnych
may pobr prdu;
maa warto napicia zasilajcego;
dua sprawno;
maa moc strat;
mae rozmiary;
dua trwao;
dua warto luminacji;

Diody elektroluminescencyjne s najbardziej rozpowszechnionymi
elementami optoelektronicznymi. Stosuje si je jako:
sygnalizatory wczenia lub sygnalizatory okrelonego stanu pracy
urzdze elektrycznych, takich jak sprzt radiowo telewizyjny i
aparatura pomiarowa,
wskaniki w windach i telefonach,
elementy podwietlajce przeczniki i skale,
wskaniki poziomu cieczy, np. paliwa, oleju, wody w samochodzie
itp.
Stosuje si w kalkulatorach, zegarkach, przyrzdach pomiarowych, jako
wskaniki poziomu sygnau, dostrojenia itp. w sprzcie powszechnego
uytku.




77
Diody elektroluminescencyjne, ktre emituj promieniowanie
podczerwone wykorzystuje si w czach wiatowodowych, a take w
urzdzeniach zdalnego sterowania np. w urzdzeniach alarmowych i w tzw.
pilotach do odbiornikw telewizyjnych.

9.2. FOTOREZYSTOR

Fotorezystor jest elementem wiatoczuym. Jego rezystancja zmienia
si pod wpywem padajcego promieniowania i nie zaley od kierunku
przyoonego napicia, podobnie jak rezystancja zwykego rezystora.
Owietlenie fotorezystora powoduje zwikszenie przepywajcego prdu
(zmniejsza si jego rezystancja). Prd bdcy rnic cakowitego prdu
pyncego przez fotorezystor i prdu ciemnego (prd pyncy przez
fotorezystor przy braku owietlenia) nazywamy prdem fotoelektrycznym.
Jego warto zaley od natenia owietlenia i jest okrelona zalenoci:

V p
E G I = ; (9.3)

w ktrej: G, - wartoci stae zalene od materiau pprzewodnikowego i rodzaju
domieszek, E
V
natenie owietlenia.

Parametry fotorezystora

czuo widmowa zaleno rezystancji od natenia owietlenia.
Na warto czuoci wpywa rodzaj materiau i sposb jego
domieszkowania dobieranie ze wzgldu na przeznaczenie
fotorezystora.
rezystancja fotorezystora:

l
d
R
E
= ; (9.4)

d odstp midzy elektrodami
l szeroko elektrod
-rezystywno pprzewodnika.

wspczynnik n okrelany jako stosunek rezystancji przy danej
wartoci natenia owietlenia
50
R
R
n
D
= ; (9.5)
gdzie:
R
D
rezystancja ciemna
R
50
rezystancja przy nateniu owietleniu rwnym 50 lx.



78

Warto rezystancji ciemnej zaley od stopnia czystoci pprzewodnika.
Rezystancja ciemna jest okoo tysic razy wiksza ni rezystancja przy
owietleniu 50 lx i zawiera si w przedziale od 10
6
do 10
12
.

Na podstawie charakterystyki prdowo napiciowej fotorezystora
(rys.9.5)dobiera si waciwy obszar jego pracy. Charakterystyki te s liniowe
w duym zakresie napi i prdw.

Rys.9.5. Charakterystyka prdowo napiciowa fotorezystora.

Fotorezystory wykonuje si najczciej w postaci cienkich
pprzewodnikowych warstw monokrystalicznych lub polikrystalicznych
naniesionych izolacyjne np. szklane podoe (rys.9.6a). Materia wiatoczuy
rozdzielaj dwie metalowe elektrody majce wyprowadzenia. Elektrody te
czsto maj ksztat grzebieniowy (rys.9.6b). Nad powierzchni wiatoczu
umieszcza si okienko i zamyka w obudowie, chronicej przed
uszkodzeniami, a niekiedy umoliwiajcej prac w obnionej temperaturze
(tzw. naczynie Dewara).
a) b)







CdS
Podoe
Elektroda Elektroda
h



79


Rys. 9.6. Fotorezystor.
a) budowa, b) grzebieniowy ksztat elektrod.

Fotorezystory wykonuje si z materiaw pprzewodnikowych takich
jak: CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, jak rwnie z pprzewodnikw
domieszkowanych np. tellurku kadmu domieszkowanego rtci CdHgTe. Od
materiau pprzewodnikowego zaley zakres widmowy
S1
,
S2

wykrywanego promieniowania, czyli zakres dugoci fal, dla ktrego czuo
fotorezystora wynosi nie mniej ni 10% czuoci maksymalnej.
Wad fotorezystora jest wraliwo temperaturowa.

Ze wzgldu na du czuo i prosty ukad pomiarowy, fotorezystory
wykorzystuje si do:

pomiaru temperatury i ostrzegania w systemach
przeciwpoarowych,
wykrywania zanieczyszcze rzek i zbiornikw wodnych,
detekcji strat ciepa przez izolacj termiczn budynkw,
badania zasobw ziemi z samolotw i satelitw,
celw wojskowych.

9.3. FOTODIODA

Fotodioda jest zbudowana podobnie jak zwyka dioda krzemowa.
Rnica jest w obudowie, gdy znajduje si tam soczewka paska lub
wypuka, umoliwiajca owietlenie jednego z obszarw zcza. Fotodiody
wykonuje si z krzemu lub arsenku galu.
Fotodiod mona traktowa jako rdo prdu o wydajnoci zalenej od
natenia owietlenia.
Fotodiod polaryzuje si zaporowo zewntrznym rdem napicia.
Pod wpywem owietlenia przez fotodiod pynie prd wsteczny, ktry
zwiksza si ze wzrostem owietlenia. Przy braku owietlenia przez fotodiod
pynie niewielki ciemny prd wsteczny I
0
wywoany generacj termiczn
nonikw. Prd ten narasta liniowo wraz ze wzrostem wartoci napicia
wstecznego.

Zasada dziaania fotodiody.







80














Rys. 9.7. Zasada dziaania fotodiody.

Przy owietleniu fotodiody w pobliu jej powierzchni s generowane pary
nonikw dziura-elektron. Obszar adunku przestrzennego i zwizana z nim
bariera potencjau uniemoliwiaj przepyw nonikw wikszociowych,
natomiast noniki mniejszociowe (tj. dziury w obszarze n i elektrony w
obszarze p) dyfunduj do obszaru adunku przestrzennego, s przyspieszane i
pokonuj zcze (rys.9.7a). Przez zcze pynie dodatkowy prd
fotoelektryczny I
P
. Prd ten jest proporcjonalny do mocy promieniowania
padajcego na jej powierzchni, nie zaley od napicia wstecznej polaryzacji i
wartoci obcienia.

Rys. 9.8. Charakterystyki prdowo napiciowej fotodiody.
Parametry fotodiody

maksymalne napicie wsteczne U
Rmax
= 10 500V,
maksymalny prd ciemny I
R0max
= 1 100nA,
czuo na moc promieniowania S
pe
= 0,3 1A/W,
czuo na natenie owietlenia S
EV
= 10 100nA/lx
P N
+
+
+
- +
R

Jony nie -
ruchome
Obszar
adunku
przestrzennego
Promieniowanie h
Pary
elektron - dziura



81

Istotn zalet fotodiody jest dua czstotliwo pracy. Mog one przetwarza
sygnay wietlne o czstotliwoci do kilkudziesiciu MHz.
Natomiast wad jest do silna zaleno prdu fotodiody od temperatury.

Zastosowanie fotodiody:

w urzdzeniach komutacji optycznej,
w ukadach zdalnego sterowania,
w szybkich przetwornikach analogowo cyfrowych,
w ukadach pomiarowych wielkoci elektrycznych i
nieelektrycznych np. do pomiaru wymiarw, odlegoci, ste i
zanieczyszcze roztworw, czstotliwoci i amplitudy drga,
napre itp.

9.4. FOTOTRANZYSTOR

Fototranzystorem nazywamy element pprzewodnikowy z dwoma
zczami p-n. Dziaa tak samo jak tranzystor z t rnic, e prd kolektora
nie zaley od prdu bazy, lecz od natenia promieniowania owietlajcego
obszar bazy. Owietlenie wpywa na rezystancj obszaru emiter-baza.
Wykorzystuje si tu zjawisko fotoelektryczne wewntrzne, tj. zjawisko
fotoprzewodnictwa.

Fotoprzewodnictwo polega na zwikszaniu przewodnictwa
elektrycznego pod wpywem energii promienistej powodujcej jonizacje
atomw w danym ciele, wskutek czego zwiksza si liczba swobodnych
elektronw powstajcych w tym ciele

Fototranzystor jest detektorem o czuoci wielokrotnie wikszej ni
czuo fotodiody, poniewa prd wytworzony pod wpywem
promieniowania ulega dodatkowemu wzmocnieniu.
Fototranzystory wykonuje si najczciej z krzemu.













82
Zasada dziaania fototranzystora


Rys.9.9. Zasada dziaania fototranzystora.

Owietlenie fototranzystora powoduje wygenerowanie par elektron-
dziura w warstwie typu p. Elektrony jako ujemne noniki adunku przechodz
do obszaru kolektora dziki polaryzacji zaporowej zcza kolektorowego.
Dziury nie mog przej do obwodu emiterowego z powodu istniejcej
bariery potencjau na zczu baza-emiter. Cz z nich jednak przechodzi do
emitera, gdy maj dostatecznie du energi kinetyczn i tam ulegaj
rekombinacji. Natomiast dziury, ktre nie przeszy powikszaj
nieskompensowany adunek dodatni, obniajc barier energetyczn zcza
emiterowego. W wyniku czego elektrony z obszaru n pokonuj barier
zwikszajc strumie elektronw przechodzcych z emitera do bazy, a potem
do kolektora. Elektrony te zwikszaj prd kolektora w znacznie wikszym
stopniu, ni elektrony ktre powstay w wyniku generacji par elektron-dziura
bezporednio w obszarze bazy pod wpywem owietlenia. W ten sposb
zachodzi wewntrzne wzmocnienie prdu fotoelektrycznego I
P
. Przez
fototranzystor nie owietlony pynie niewielki prd ciemny I
CEO
. Natomiast
prd jasny kolektor-emiter fototranzystora w ukadzie WE z rozwart baz
opisany jest zalenoci:

( ) p CE e CE
I I I + =
0
; (9.6)

W fototranzystorach kocwka moe by wyprowadzona na zewntrz
obudowy lub nie, dlatego te fototranzystor moe pracowa jako:
fotoogniwo, wykorzystuje si tu zcze kolektor-baza (rys. 9.10a),
fotodioda, wykorzystane jest tu zcze kolektor-baza przy
polaryzacji zaporowej (rys.9.10b),



83
fototranzystor bez wyprowadzonej kocwki bazy w tym przypadku
pracuje jako normalny fototranzystor (rys.9.10c),
fototranzystor z wyprowadzon kocwk bazy mona go
niezalenie sterowa optycznie i elektrycznie (rys. 9.10d).

a) b) c) d)

(Baza) (Baza) (Kolektor) (Kolektor)












(Kolektor) (Kolektor) (Emiter) (Emiter)
Fotoogniwo Fotodioda Fototranzystor Fototranzystor
bez wyprowa - z wyprpwa -
dzonej kocwki dzon baz


Rys. 9.10. Fototranzystor moe pracowa jako: a) fotoogniwo, b) fotodioda,
c) fototranzystor bez wyprowadzonej kocwki bazy,
d) fototranzystor z wyprowadzon kocwk bazy.

Charakterystyka prdowo napiciowa. Jest ona identyczna z ksztatem
konwencjonalnego tranzystora. Ze wzrostem temperatury zcza zwiksza si
prd ciemny i prd fotoelektryczny. Warto prdu ciemnego zaley od
napicia U
CE
.
Przypatrujc si charakterystyce czuoci widmowej (rys. 9.11a) zauwaamy,
e jest bardzo zbliona do analogicznych charakterystyk fotodiod.
Z charakterystyki odczytujemy, e czuo fototranzystora zwiksza si wraz
ze wzrostem napicia polaryzacji. Istotny wpyw na czuo ma kierunek
padajcego promieniowania.
Fototranzystory maj w porwnaniu z fotodiodami dwie zalety, a mianowicie:
znacznie wiksz czuo dziki wzmocnieniu wewntrznemu pierwotnego
prdu fotoelektrycznego oraz moliwo jednoczesnego sterowania prdu
kolektora za pomoc sygnaw elektrycznych i wietlnych. Wad
fototranzystorw jest ich maa prdko dziaania. Czstotliwo graniczna f
T

jest rzdu kilkudziesiciu kilohercw.



+
-
+
- -
+
-
+
(Baza)



84

Rys. 9.11. Fototranzystor: a) charakterystyka prdowo napiciowa, b)charakterystyka
czuoci widmowej.

Fototranzystory znalazy due zastosowanie. Gwnymi obszarami
zastosowania s ukady automatyki i zdalnego sterowania, ukady pomiarowe
wielkoci elektrycznych i nieelektrycznych, przetworniki analogowo
cyfrowe, ukady czy optoelektronicznych, czytniki tam i kart kodowych
itp.

9.5. FOTOTYRYSTOR

Fototyrystorem nazywamy tyrystor umieszczony w specjalnej
obudowie, umoliwiajcej oddziaywanie promieniowania wietlnego na jego
przeczanie ze stanu blokowania do przewodzenia.

a) b)









Rys. 9.12. Symbole graficzne fototyrystora.
Im wiksze jest napicie anoda katoda fototyrystora, tym moc
promieniowania potrzebna do przeczenia jest mniejsza. Istotn cech
A
G
K
K
G
A



85
fototyrystora jest to, e po przeczeniu w stan przewodzenia, utrzymuje si w
nim nawet po zaniku impulsu wietlnego.
Wykonywane s gwnie z krzemu i wykorzystywane jako np.
fotoelektryczne przekaniki.

9.6. TRANSOPTORY

Fotoodbiorniki moemy sprzga z diodami elektroluminescencyjnymi,
w celu przesania sygnaw na drodze optycznej. W ten sposb uzyskujemy
przekazywanie sygnaw z jednego ukadu do drugiego, przy galwanicznym
odseparowaniu tych ukadw. Tak powstay przyrzd nazywamy
transoptorem (dioda i fotodetektor w rnych obudowach) lub czem
optoelektronicznym (dioda i fotodetektor w jednej obudowie).
Transoptor jest pprzewodnikowym elementem optoelektronicznym,
skadajcym si z co najmniej jednego fotoemitera i co najmniej jednego
fotodetektora, umieszczonych we wsplnej obudowie (rys.9.13).








Rys. 9.13. Budowa transoptora
1 fotoemiter, 2 fotodetektor, 3 wiatowd, 4 obudowa.

Transoptor moe by:

zamknity transmisja promieniowania midzy diod i
fotodetektorem nastpuje za pomoc wiatowodu,
otwarty transmisja promieniowania midzy diod i
fotodetektorem nastpuje w powietrzu.

Transoptor pozwala przesya sygnay elektryczne z wejcia na wyjcie bez
pocze galwanicznych obwodw wejciowego i wyjciowego.
W transoptorze rol fotoemitera w obwodzie wejciowym spenia
zwykle dioda elektroluminescencyjna z arsenku galu GaAs. Na wyjciu
transoptora moe znajdowa si fotodioda lub fototranzystor.




1 3 2 4



86
a) b)






Rys. 9.14. Schemat transoptorw.
a) z fotodiod, b) z fototranzystorem.

Rzadziej stosuje si fototyrystor, fotodarlington, fotodiod i tranzystor,
bramk logiczn NAND. Transoptor pracuje w zakresie podczerwieni.

Parametry transoptora charakteryzuj waciwoci jego elementw
skadowych, tzn. diody elektroluminescencyjnej i fotodetektora.


Rys. 9.15. Charakterystyka przejciowa transoptora: dioda elektroluminescencyjna
fototranzystor.

Charakterystyka przejciowa (rys. 9.15) przedstawia zaleno prdu
wyjciowego I
o
(np. prdu kolektor-emiter I
CE
fototranzystora) od prdu
wejciowego I
I
(np. prdu przewodzenia I
F
fotodiody). Z nachylenia tej
charakterystyki moemy wyznaczy wzmocnienie transoptora, nazywane
rwnie przekadni prdow CTR

I
I
I
CTR
0
= .



87
Warto CTR zaley przede wszystkim od fotodetektora. Typowe wartoci
podano w tabeli 9.1.

Tabela 9.1

Przykadowe parametry transoptorw

Wzmocnienie
Czstotliwo
graniczna

Odbiornik
% kHz
Fotodioda
Fototranzystor
Fotodarlington
0,5
30
300
10000
500
50


Wanym parametrem jest napicie stae izolacji U
IO
(lub napicie
zmienne U
io
), tj. dopuszczalna warto napicia przyoonego pomidzy
zwarte kocwki wejciowe i wyjciowe, nie powodujca przebicia
elektrycznego izolacji transoptora. Napicie to wynosi od kilkuset woltw do
kilku, a nawet kilkudziesiciu kilowoltw.

W produkcji s take transoptory otwarte: refleksyjne i szczelinowe, w
ktrych obwd wejciowy jest sprzony optycznie z obwodem wyjciowym
za porednictwem przedmiotw zewntrznych.
W transoptorach refleksyjnych promieniowanie wysyane przez
fotemiter ulega odbiciu od przedmiotu zewntrznego i powraca do
fotodetektora.
W transoptorach szczelinowych strumie promieniowania moe by
przerwany mechanicznie przez przedmiot wkadany w szczelin midzy
fotodetektorem a fotoemiterem.

Zastosowanie transoptorw.

Transoptory stosuje si:

do galwanicznego rozdzielania obwodw, - np. w technice wysokich
napi,
w technice pomiarowej i automatyce,
w sprzcie komputerowym,
w sprzcie telekomunikacyjnym.




88
Speniaj one rwnie rol potencjometrw bezstykowych oraz przekanikw
optoelektronicznych, wykorzystywanych do budowy klawiatury kalkulatorw
i komputerw.

W ukadach sygnalizacyjnych i zabezpieczajcych s stosowane jako:

wyczniki kracowe,
czujniki otworw,
czujniki pooenia,
wskaniki poziomu cieczy.



89
Rozdzia X. WZMACNIACZE

Podstawow funkcj wzmacniacza jest wzmocnienie sygnau, przy
zachowaniu nie zmienionego jego ksztatu. Wzmocnienie to odbywa si
kosztem energii doprowadzonej z pomocniczego rda napicia staego.
Podstawowym parametrem wzmacniacza jest wzmocnienie, okrelany jako
stosunek sygnau wyjciowego do wejciowego.











Rys. 10.1. Schemat oglny wzmacniacza.

W kadym wzmacniaczu wyrnia si dwa zasadnicze obwody (tory):
- obwd sygnau;
- obwd zasilania.
Obwd zasilania stwarza waciwe warunki wzmocnienia sygnau, natomiast
obwd sygnau jest zwizany z przenoszeniem sygnau przez wzmacniacz.
Dla wzmacnianego sygnau wzmacniacz stanowi czwrnik (rys.10.1); do jego
zaciskw wejciowych jest doczone rdo sygnau e
g
o impedancji Z
g
, a do
zaciskw wyjciowych impedancja obcienia Z
0
. Napicie wyjciowe U
wy
i
prd wyjciowy I
wy
s powizane z napiciem wejciowym U
we
i prdem
wejciowym I
we
zalenociami:

we u wy
U K U = ; (10.1)

we i wy
I K I = ; (10.2)

W zalenoci od tego, jaka wielko jest sygnaem wejciowym, a jaka
sygnaem wyjciowym wyrniamy:

a) wzmocnienie napiciowe

we
wy
u
U
U
k = ; (10.3)

Zasilacz

U
wy

Z
0

I
wy

U
we

I
we

Zg
e
g





90
b) wzmocnienie prdowe

we
wy
i
I
I
k = ; (10.4)

c) wzmocnienie prdowo napiciowe

we
wy
y
U
I
k = ; (10.5)

d) wzmocnienie napiciowo prdowe

we
wy
z
I
U
k = ; (10.6)

e) wzmocnienie mocy

1 > =
we
wy
p
P
P
k ; (10.7)

We wzmacniaczu moc uzyskana w obwodzie wyjciowym P
wy
jest wiksza
od mocy uytej do sterowania obwodu wejciowego P
we
.

Ze wzgldu na przeznaczenie wymaga si od wzmacniacza duego
wzmocnienia napiciowego, prdowego lub mocy. W zalenoci od tego,
ktry wspczynnik wzmocnienia jest istotny w danym ukadzie, rozrniamy
wzmacniacze napiciowe, prdowe lub mocy.

Wzmacniacz idealny powinien wzmacnia sygnay, nie powodujc
zmian ich ksztatu.
We wzmacniaczach rzeczywistych powstaj dwojakiego rodzaju
znieksztacenia sygnaw:

1. Znieksztacenia nieliniowe, wywoane np. przez nieliniowo
charakterystyk statycznych niektrych elementw wzmacniacza,
szumy i zakcenia.
2. Znieksztacenia liniowe, wywoane niejednakowym przenoszeniem
przez wzmacniacz sygnaw o rnych czstotliwociach.




91
10.1. PODSTAWOWE UKADY WZMACNIAJCE

Podstawowa funkcja wzmacniacza zwikszenie mocy sygnaw
moe by realizowana przez zastosowanie w ukadzie wzmacniacza
elementw czynnych. Stosowane s tranzystory bipolarne i unipolarne
(polowe). Elektrody tranzystora mona w rny sposb doczy do
obcienia i rda sygnau (rys.10.2a). Praktyczne zastosowanie znalazy
trzy ukady pocze:
1. Ukad o wsplnym emiterze. Oznaczamy go przez WE lub OE
(rys.10.2b). Sygna jest doprowadzany midzy emiter i baz, a obcienie
jest wczone midzy kolektor i emiter. Emiter stanowi elektrod wspln
dla obwodu wejciowego i wyjciowego.
2. Ukad o wsplnym kolektorze. Oznaczony przez WC lub OC (rys.10.2c).
Sygna jest doprowadzony midzy baz i kolektor, a obcienie jest
wczone midzy emiter i kolektor. Kolektor stanowi elektrod wspln
dla obwodu wejciowego i wyjciowego.
3. Ukad o wsplnej bazie. Oznaczony przez WB lub OB (rys.10.2d). Sygna
jest doprowadzony midzy emiter i baz, a obcienie jest wczone
midzy kolektor i baz. Baza stanowi elektrod wspln dla obwodu
wejciowego i wyjciowego.
a) b)






c)







d)







Rys. 10.2. Wczanie tranzystorw.
a) schemat ukadu, b)ukady o wsplnym emiterze WE i wsplnym rdle WS, c) ukady o
wsplnym kolektorze WC i wsplnym drenie WD, d) ukady o wsplnej bazie WB i
wsplnej bramce WG.
rdo
sygnau
obcienie
We
Wy
We
0
U
GS
I
G
G
U
DS
I
S
I
D
S
D
Wy
We
0
U
BC
U
EC
I
C
I
E
I
B
0
We
Wy
I
E
I
B
I
C
U
EB
U
CB
0
We
I
S
I
G
Wy
I
D
U
SG
U
DG
S
G
D
We
0
U
GD
U
SD
I
S
I
G
I
D
D
G
S
Wy
We
0
U
BE
U
CE
I
E
I
C
I
B



92
10.2. UKAD O WSPLNYM EMITERZE WE

Jest najpowszechniej stosowan konfiguracj tranzystora bipolarnego
we wzmacniaczu maej czstotliwoci (rys.10.3). W tym ukadzie rda
staych E
C
i E
B
su do spolaryzowania zczy emiterowego i kolektorowego
tranzystora tak, aby znajdowa si on w stanie aktywnym. Sygna wejciowy
doprowadza si midzy baz a emiter tranzystora, sygna wyjciowy pobiera
si z kolektora.

Rys.10.3.Wzmacniacz w ukadzie WE.
a) schemat, b) ilustracja dziaania.

Do wejcia doprowadzamy napicie U
we
= U
BE
o wartoci duo mniejszej
ni U
BE
wynikajce z polaryzacji tranzystora. Wskutek doczenia tego
napicia nastpi zmiana prdu bazy. Z prawa Ohma wynika:

be
we
be
BE
B
r
U
r
U
I =

= ; (10.8)
gdzie: r
be
rezystancja maosygnaowa baza-emiter tranzystora
Zmiana prdu bazy spowoduje zmian prdu kolektora. Charakterystyki
wyjciowe tranzystora w zakresie aktywnym maj przebieg zbliony do



93
poziomu, dlatego te moemy przyj w przyblieniu, e I
C
zaley tylko od
I
B
, a nie zaley od U
CE
.

Korzystajc z wzoru
B
C
I
I

=
0
0
CE
U ; (10.9)

i zalenoci 10.8 otrzymujemy
be
we
B C
r
U
I I
0 0
= = ; (10.10)

0
maosygnaowy wspczynnik wzmocnienia prdowego tranzystora pracujcego w
ukadzie WE

Korzystajc z II prawa Kirchhoffa dla obwodu wyjciowego napicie ma
posta:

C C C CE
R I E U = ; (10.11)

Zmiana prdu kolektora o I
C
spowoduje zmian tego napicia o U
CE
(przy
staych wartociach E
C
i R
C
). Zmiana ta jest sygnaem wyjciowym i wynosi:

be
C
we C C CE wy
r
R
U R I U U
0
= = = ; (10.12)

Wzmocnienie napiciowe ukadu ma posta:

be
C
we
wy
u
r
R
U
U
k
0
= = ; (10.13)


Jeeli uwzgldnimy zaleno prdu I
C
od napicia U
CE
to powyszy wzr
przyjmie posta:

be
ce C
u
r
r R
k
0
= ; (10.14)

We wzorze 10.14 symbol R
C
|| r
ce
oznacza warto rwnolegle poczonych
rezystancji R
C
i r
ce
. Znak minus wiadczy o tym, e ukad odwraca faz
sygnau wejciowego.



94
Rezystancja wejciowa r
we
wzmacniacza w ukadzie WE skada si z
rwnolegle poczonej rezystancji baza-emiter r
be
tranzystora (rezystancji
wejciowej tranzystora) i rezystancji obwodu polaryzacji bazy R
B



B be we
R r r = ; (10.15)

Rezystancja wyjciowa wzmacniacza pracujcego w ukadzie WE skada si
z rwnolegle poczonej rezystancji kolektor-emiter r
ce
tranzystora
(rezystancji wyjciowej tranzystora) i rezystancji R
C


C ce wy
R r r = ; (10.16)

Wzmocnienie prdowe zaley od rezystancji obcienia R
o
i ma posta:

o wy
wy
i
R r
r
k
+
=
0
; (10.17)

gdy R
o
= 0 to wwczas k
i
= -
0
.

Sygna wejciowy rwnie moe by zmienny w czasie. W takim
przypadku prdy i napicia tranzystora zawieraj skadowe stae zwizane z
polaryzacj i naoone na nie duo mniejsze skadowe zmienne, zwizane z
przenoszeniem sygnau. Podane zalenoci obowizuj rwnie dla wartoci
skutecznych i maksymalnych skadowych zmiennych.
Sygnay zmienne czsto doprowadza si do wzmacniacza przez
kondensator C
B
, a obcienie docza si przez kondensator C
C
(rys.10.3, linie
kreskowe). Kondensatory sprzgajce C
B
i C
C
pozwalaj odseparowa
skadowe zmienne od skadowych staych. Reaktancje tych kondensatorw w
pamie przenoszenia wzmacniacza s bardzo mae; dla sygnaw zmiennych
stanowi one zwarcie.
Dziaanie wzmacniacza przy sygnale wejciowym sinusoidalnym
pokazano na rysunku 10.3b. Punkt Q jest punktem pracy ukadu. Jego
pooenie zaley od wartoci prdw i napi polaryzujcych (staych).

Waciwoci ukadu o wsplnym emiterze WE:

W zakresie maych i rednich czstotliwoci, przy obcieniu
rezystancyjnym. Ukad odwraca faz sygnau wejciowego o 180.
Ukad zapewnia do due wzmocnienie napiciowe i prdowe oraz
due wzmocnienie mocy.
Rezystancja wejciowa ukadu jest umiarkowanie maa, za
wyjciowa umiarkowanie dua.



95
10.3. UKAD O WSPLNYM KOLEKTORZE WC

Schemat wzmacniacza pokazano na rysunku 10.4. Ukad ten nazywamy
rwnie wtrnikiem emiterowym. Napicie wejciowe jest doprowadzone
midzy baz a emiter. Wskutek tego zmienia si prd kolektora I
C
jak rwnie
prd emitera I
E
tranzystora. W wyniku czego ulega zmianie spadek napicia
na rezystorze R
E
, ktry jest sygnaem wyjciowym.

Rys. 10.4. Schemat wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym w ukadzie WC.

Napicie U
BE
baza-emiter tranzystora zmienia si nieznacznie przy zmianach
prdu kolektora, dlatego te napicie wyjciowe jest prawie takie samo jak
napicie wejciowe

we wy RE
U U U = ; (10.18)

Wzmocnienie napiciowe ukadu o wsplnym kolektorze wynosi

1 =
we
wy
u
U
U
k ; (10.19)

Potencja emitera tranzystora nada za potencjaem bazy std nazwa ukadu
wtrnik emiterowy.

Waciwoci ukadu o wsplnym kolektorze WC:

- W zakresie maych czstotliwoci, przy obcieniu rezystancyjnym.
Ukad nie odwraca fazy sygnau wejciowego.
- Wzmocnienie prdowe jest tego samego rzdu co w ukadzie WE.
- Wzmocnienie napiciowe jest bliskie jednoci, std nazwa wtrnik.



96
- Rezystancja wyjciowa jest maa, a rezystancja wejciowa moe by
dua. Rezystancj wejciow zmniejsza znacznie bocznikujce
dziaanie rezystorw polaryzujcych baz.
- Ukad transformuje (przenosi) rezystancj z obwodu emitera do
obwodu bazy jako rezystancj (
0
+ 1) razy wiksz, natomiast
kad rezystancj z obwodu bazy przenosi do obwodu emitera jako
rezystancj (
0
+ 1) razy mniejsz. Dlatego te taki ukad nazywamy
take transformatorem rezystancji.

Ze wzgldu na du rezystancj wejciow i ma rezystancj wyjciow,
ukad o wsplnym kolektorze stosujemy jako ukady dopasowujce lub
separujce.

10.4. UKAD O WSPLNEJ BAZIE WB

Schemat wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym w ukadzie o
wsplnej bazie przedstawiony jest na rysunku 10.5. Ze wzgldu na stabilno
pracy i korzystne waciwoci w zakresie wielkich czstotliwoci by
stosowany w pocztkach rozwoju ukadw tranzystorowych. Obecnie
wykorzystywany jest we wzmacniaczach wielkich czstotliwoci.

Rys. 10.5. Schemat wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym w ukadzie WE.

Waciwoci ukadu o wsplnym kolektorze WB:

- W zakresie maych czstotliwoci, przy obcieniu rezystancyjnym.
Ukad nie odwraca fazy sygnau wejciowego.
- Wzmocnienie napiciowe jest zblione do wzmocnienia ukadu WE.
- Wzmocnienie prdowe jest mniejsze od jednoci.
- Rezystancja wejciowa jest bardzo maa, (
0
+ 1) razy mniejsza ni
w ukadzie WE. Rezystancja wyjciowa jest bardzo dua, (
0
+ 1)
razy wiksza ni w ukadzie WE.
Wad tego ukadu jest maa warto rezystancji wejciowej.




97
Charakterystyka amplitudowa pokazana jest na rysunku 10.6.

Rys.10.6 Charakterystyka amplitudowa wzmacniacza maej czstotliwoci.

10.5. SPRZENIE ZWROTNE WE WZMACNIACZACH

W ukadach elektronicznych sprzenie zwrotne polega na
przekazywaniu czci sygnau wyjciowego, zwanego sygnaem zwrotnym, z
wyjcia na wejcie ukadu, gdzie sumuje si on z sygnaem wejciowym,
zmieniajc waciwo ukadu.
Kady wzmacniacz z obwodem sprzenia zwrotnego moe by
przedstawiony w postaci dwch wzajemnie niezalenych czwrnikw, ktre
reprezentuj tor wzmocnienia (jednokierunkow transmisj sygnau z wejcia
na wyjcie) i tor sprzenia zwrotnego (jednokierunkow transmisj sygnau z
wyjcia na wejcie) rys. 10.7.









Rys. 10.7. Schemat wzmacniacza ze sprzeniem zwrotnym.
X
wy
X
we
K


X
wy
X
s
X
r



98

Wspczynnik sprzenia zwrotnego

wy
s
X
X
= ; (10.20)

Wzmocnienie wzmacniacza bez sprzenia

r
wy
X
X
K = ; (10.21)

gdzie:
X
r
sygna sterujcy
X
s
sygna sprzenia zwrotnego
Zaoenie: X
r
, X
s
s wielkociami rzeczywistymi.

Sygnay X przedstawione w powyszych wzorach mog by napiciami,
prdami lub innymi wielkociami fizycznymi.

Poniewa

s we r
X X X + = ;

przeto

wy we
wy
s we
wy
X X
X
X X
X
K
+
=
+
= ; (10.22)

Wzmocnienie ukadu ze sprzeniem zwrotnym

we
wy
f
X
X
K = ; (10.23)

po uwzgldnieniu zalenoci (10.22)

K
K
K
f

=
1
; (10.23)

Sprzenie zwrotne zmienia warto wzmocnienia, przy czym zalenie od
rodzaju wprowadzonej zmiany rozrnia si trzy przypadki:




99
1. Jeeli |1 - K| > 1, to |K
f
| < |K|, czyli nastpuje zmniejszenie wzmocnienia.
Sprzenie okrela si jako ujemne.
2. Jeeli 0 < |1- K| < 1, to |K
f
| > |K|, czyli nastpuje zwikszenie
wzmocnienia. Sprzenie okrela si jako dodatnie.
3. Jeeli |1- K| 0, to wzmacniacz bdzie generowa drgania, czyli stanie
si generatorem ze sprzeniem zwrotnym.

Jeeli wzmocnienie K jest bardzo due to

1
=
f
K ; (10.24)

i o parametrach ukadu decyduje czon sprzenia zwrotnego.

We wzmacniaczach stosuje si gwnie ujemne sprzenie zwrotne. Sygna
sprzenia zwrotnego X
s
ma faz przeciwn ni sygna wejciowy X
we
. Sygna
sterujcy wzmacniacz X
r
= X
we
X
s
jest mniejszy od sygnau wejciowego
X
we
.

Zalety ujemnego sprzenia zwrotnego:

- zmniejszenie wraliwoci ukadu na zmiany parametrw
elementw, warunkw zasilania, czynnikw zewntrznych itp.,
- zmniejszenie znieksztace nieliniowych, zakce, szumw,
- moliwo rozszerzania pasma przenoszenia wzmacniacza i
ksztatowania zadanych charakterystyk czstotliwociowych,
- moliwo zmiany wartoci impedancji wejciowej i wyjciowej,

Zalety te s okupione zmniejszeniem wzmocnienia i stabilnoci ukadu w
pewnych zakresach czstotliwoci.

Rodzaj i waciwoci sprzenia zwrotnego zale od sposobu
pobierania sygnau z wyjcia ukadu oraz od sposobu wprowadzania go na
wejcie. W zalenoci od pobieranego sygnau wyrnia si:
1. Sprzenie napiciowe, w ktrym sygna sprzenia (zwrotny) jest
proporcjonalny do napicia wyjciowego.
2. Sprzenie prdowe. Sygna sprzenia jest proporcjonalny do
prdu wyjciowego.
Ze wzgldu na sposb wprowadzenia sygnau na wejcie wzmacniacza
rozrnia si:
1. Sprzenie szeregowe. Sygna sprzenia jest wprowadzany
szeregowo z sygnaem wejciowym.



100
2. Sprzenie rwnolege. Sygna sprzenia jest wprowadzany
rwnolegle z sygnaem wejciowym.

W ukadach ze wzmacniaczem operacyjnym objtym ujemnym sprzeniem
zwrotnym waciwoci wzmacniacza i ujemnego sprzenia powoduj
wyrwnanie napi na obu wejciach wzmacniacza. Na podstawie tej
waciwoci wyznacza si zwykle wzmocnienie caego ukadu.

10.6. WZMACNIACZE OPERACYJNE.

Wzmacniacze operacyjne stanowi najwiksz grup analogowych
ukadw scalonych. Charakteryzuj si nastpujcymi waciwociami:

- bardzo duym wzmocnieniem napiciowym (powyej 10000 V/V
czyli 80dB),
- wzmacniaj prd stay ,
- odwracaj faz sygnau wyjciowego w stosunku do sygnau
podawanego na wejciu odwracajce (oznaczenie ) lub
zachowuj zgodno w fazie jeeli sygna wejciowy jest podawany
na wejcie nieodwracajce (oznaczenie + ),
- du rezystancj wejciow (M),
- ma rezystancj wyjciow ().











Rys. 10.8. Symbol wzmacniacza operacyjnego.

Podzia wzmacniaczy ze wzgldu na przeznaczenie:

oglnego przeznaczenia,
szerokopasmowe,
stosowane w urzdzeniach dokadnych, gdzie wymagana jest dua
rezystancja wejciowa, may wspczynnik cieplny i mae szumy,
do zastosowa specjalnych.

We1
We2
U
we2

U
we1

W
y
U
wy



101
Parametry wzmacniacza operacyjnego idealnego

Idealny wzmacniacz operacyjny powinien wykazywa nastpujce
waciwoci:

- nieskoczenie due wzmocnienie przy otwartej ptli sprzenia
zwrotnego (K );
- nieskoczenie szerokie pasmo przenoszonych czstotliwoci;
- nieskoczenie du impedancj wejciow (midzy wejciami oraz
midzy wejciami a mas);
- impedancj wyjciow rwn zeru;
- napicie wyjciowe rwne zeru przy sterowaniu sygnaem
niernicowym (wsplnym);
- wzmocnienie idealne rnicowe, a wic nieskoczenie due
tumienie sygnau niernicowego;
- niezaleno parametrw od temperatury.

Parametry wzmacniacza operacyjnego rzeczywistego.

- Wzmocnienie napiciowe rnicowe K
ur
.
- Wzmocnienie napiciowe sumacyjne K
us
.
- Wspczynnik tumienia sygnau sumacyjnego H
s
.
- Rezystancja (impedancja) wejciowa rnicowa r
wer
(Z
wer
).
- Rezystancja (impedancja) wejciowa sumacyjna r
wes
(Z
wes
).
- Rezystancja (impedancja) wyjciowa r
wy
(Z
wy
).
- Wejciowy prd polaryzacji I
we
.
- Wejciowe napicia niezrwnowaenia U
wen
.
- Wejciowy prd niezrwnowaenia I
wen
.
- Dryfty: temperaturowy i czasowy wejciowego napicia i prdu
niezrwnowaenia.
- Parametry graniczne: maksymalne napicie wejciowe U
we max
,
maksymalne rnicowe napicie wejciowe U
wer max
, maksymalne
napicie wyjciowe U
wy max
, maksymalny prd wyjciowy I
wy max
.
- Napicie U
z
i moc P
z
zasilania.
- Szeroko pasma czstotliwoci okrelana czstotliwoci
graniczn f
g
, marginesem wzmocnienia A i marginesem fazy .
- Parametry odpowiedzi na skok napicia: czas narastania t
n
, szybko
narastania S, przeregulowanie (przerzut)
u
.



Zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych.




102
Stosowane s gwnie w:
a) ukadach analogowych, gdzie wykonuj operacje: dodawania,
odejmowania, mnoenia, dzielenia, cakowania i rniczkowania,
b) wzmacniaczach logarytmicznych,
c) generatorach sygnaw: prostoktnych, trjktnych i sinusoidalnych,
d) filtrach,
e) detektorach liniowych i detektorach wartoci szczytowej,
f) ukadach prbkujcych z pamici.

Podstawowe ukady pracy wzmacniaczy operacyjnych

1. Wzmacniacz odwracajcy,
2. Wzmacniacz nieodwracajcy,
3. Wzmacniacz sumujcy i odejmujcy,
4. Wzmacniacz cakujcy,
5. Wzmacniacz rniczkujcy,
6. Wtrnik napiciowy,
7. Konwerter prd napicie,
8. Przesuwnik fazy,
9. Prostownik idealny.

Procedura do przeprowadzenia analizy pracy wzmacniacza operacyjnego:

1. Zakada si, e
- rezystancja wejciowa wzmacniacza operacyjnego jest
nieskoczenie dua (wzmacniacz nie pobiera prdw
wejciowych),
- wartoci prdw polaryzujcych s rwne zeru

0 = =
+ we we
I I ; (10.25)

2. Literami oznacza si wzy na schemacie (np. A, B) i ich potencjay
(np. U
A
, U
B
).
3. Zaznacza si prdy pynce w ukadzie (np. I
1
, I
2
).
4. Korzystajc z praw Kirchhoffa, ukada si rwnania dla wzw
znajdujcych si w ukadzie (np. dla wza A i B).
5. Zakada si, e rnica napi
B A
U U U = jest prawie rwne zeru,
a co za tym idzie potencja w punkcie A (U
A
) jest rwny
potencjaowi w punkcie B (U
B
). U
B
nazywamy mas pozorn lub
wirtualn ziemi.
6. Korzystajc z prawa Ohma, ukada si rwnania dla poszczeglnych
prdw.



103
7. Na podstawie otrzymanych rwna wyznacza si zaleno napicia
wyjciowego w funkcji napicia wejciowego (ewentualnie napi
wejciowych).

10.7. WZMACNIACZ ODWRACAJCY

Rys.10.9. Schemat wzmacniacza odwracajcego.

Schemat wzmacniacza przedstawiono na rysunku 10.4. Postpujc zgodnie z
procedur na schemacie zaznaczone s wzy A i B i prdy pynce w
ukadzie. Prd pyncy przez rezystor R
1
jest rwny prdowi pyncemu przez
rezystor R
2
. Przy zaoeniu, i jest nieskoczenie dua rezystancja wejciowa
oraz rezystancja wyjciowa rwna zeru. W myl tego otrzymujemy:

2 1
I I = ;

Dla wza B nie ukadamy rwnania, gdy prdy polaryzujce s rwne zeru.
I zgodnie z zaoeniami zawartymi w procedurze, w punkcie 1 i 5 mamy:

0 = =
B A
U U ;

Wze B jest poczony przez rezystor R
3
do masy ukadu, zatem potencja w
punkcie B jest rwny zeru, jest to tak zwany punkt masy pozornej.

Zgodnie z 6 i 7 punktem procedury, rwnania poszczeglnych prdw s
nastpujce:

1
1
R
U U
I
A we

= ;




104
2
2
R
U U
I
wy A

= ;
Poniewa
2 1
R
U U
R
U U
wy A
A we

;

2 1
R
U
R
U
wy
we

= ;

otrzymujemy napicie na wyjciu rwne:

we wy
U
R
R
U
1
2
= ; (10.26)

a wzmocnienie ukadu wynosi

1
2
R
R
U
U
k
we
wy
u
= = ; (10.27)

przy czym znak - oznacza odwrcenie fazy napicia wyjciowego
wzgldem napicia wejciowego. Rezystancja wejciowa ukadu jest rwna
R
1
, poniewa punkt A jest punktem masy pozornej. Rezystancj wyjciow
okrela si zgodnie z zalenoci obowizujc dla ukadu ze sprzeniem
zwrotnym napiciowym rwnolegym.
W celu uzyskania kompensacji bdu (napicia niezrwnowaenia)
spowodowanego rnymi pod wzgldem wartoci prdami polaryzujcymi
I
we+
i I
we-
(I
we+
I
we-
0), warto rezystancji R
3
powinna by rwna wartoci
rezystancji wynikajcej z rwnolegego poczenia rezystorw R
1
i R
2
.
Jeeli rezystory te bd miay jednakow rezystancj, to otrzymuje si
inwerter (wzmocnienie rwne 1).













105
10.8. WZMACNIACZ NIEODWRACAJCY

Rys. 10.10. Schemat wzmacniacza nieodwracajcego.

Sygna wejciowy jest podawany na wejcie nieodwracajce wzmacniacza
operacyjnego.
Wedug procedury:
2 1
I I = ;

A we B
U U U = = ;

1
1
R
U
I
we
= ;
2
2
R
U U
I
we wy

= ;

2 1
R
U U
R
U
we wy
we

= ;

napicie na wyjciu wynosi

( )
1
2 1
R
U R R
U
we
wy
+
= ; (10.28)

natomiast wzmocnienie wynosi

1
2
1
2 1
1
R
R
R
R R
U
U
k
we
wy
u
+ =
+
= = ; (10.29)
Napicia na wejciu odwracajcym i wejciu nieodwracajcym maj tak
sam warto, zatem rezystancja wejciowa ukadu jest rwna rezystancji



106
wzmacniacza operacyjnego dla sygnau wspbienego. Rezystancja
wejciowa jest bardzo dua i w praktyce wynosi 10
10
10
13
.

10.9. WTRNIK NAPICIOWY

Wtrnik napiciowy uzyskuje si we wzmacniaczu nieodwracajcym
przy zastosowaniu rezystora o nieskoczonej wartoci. Warto rezystancji R
powinna by rwna wartoci rezystancji rda sygnau wejciowego. Taki
ukad charakteryzuje si bardzo du rezystancj wejciow i ma
rezystancj wyjciow.

we wy
U U = ; (10.30)


Rys. 10.11. Schemat wtrnika napiciowego.

10.10. WZMACNIACZ ODEJMUJCY

Wzmacniacz odejmujcy jest czsto zwany rwnie rnicowym.
Realizuje on odejmowanie napi wejciowych w odpowiednim stosunku
zalenym od wartoci rezystorw znajdujcych si w ukadzie. Schemat
wzmacniacza odejmujcego przedstawiony jest na rysunku 10.12.

Analiza pracy wedug procedury przedstawionej wczeniej:

B A
U U = ;

3 1
I I = ;
4 2
I I = ;








107


Rys. 10.12. Schemat wzmacniacza rnicowego.

1
1
1
R
U U
I
A

= ;
3
3
R
U U
I
wy A

= ;

3 1
1
R
U U
R
U U
wy A
A

;

std
2 1
3 1 1
R R
R U R U
U
wy
A
+
+
= ; (10.31)

2
2
2
R
U U
I
B

= ;
4
4
R
U
I
B
= ;

4 2
2
R
U
R
U U
B B
=

;

std
4 2
4 2
R R
R U
U
B
+
= ; (10.32)

Po przeksztaceniu wzorw (10.31) i (10.32) otrzymujemy:

( )
( )
2
1 4 2
4 3 1
1
1
3
U
R R R
R R R
U
R
R
U
wy
+
+
+ = ; (10.33)
jeli speniony bdzie warunek



108

2
4
1
3
R
R
R
R
= ; (10.34)
to

( )
1 2
1
3
U U
R
R
U
wy
= ; (10.35)

Rezystancja wejciowa dla wejcia odwracajcego, przy U
2
= 0 jest rwna
R
1
+ R
3
, a dla wejcia nieodwracajcego R
2
+ R
4
. Kompensacje bdu
spowodowanego wejciowymi prdami polaryzujcymi uzyskuje si w
wyniku zastosowania rezystorw speniajcych warunek R
1
|| R
3
= R
2
|| R
4
.

10.11. WZMACNIACZ SUMUJCY

Za pomoc tego wzmacniacza atwo mona zrealizowa dodawanie.


Rys. 10.13. Schemat wzmacniacza sumujcego.

Korzystajc z procedury analizy pracy wzmacniacza operacyjnego
otrzymujemy:
0 = =
B A
U U ;

I I I I
n
= + + K
2 1




109
1
1
1
R
U
I = ;
2
2
2
R
U
I = ; ...;
n
n
n
R
U
I = ;

wy
U
R
I = ;

|
|

\
|
+ + + =
n
n
wy
R
U
R
U
R
U
R U K
2
2
1
1
; (10.36)

RI U
wy
= ; (10.37)


Warto rezystancji R
R
powinna by rwna rezystancji wynikajcej z
rwnolegego poczenia rezystorw R
1
, R
2
, ... R
n
i R.
W wyniku poczenia wzmacniacza rnicowego i sumujcego otrzymujemy
ukad realizujcy jednoczenie sumowanie i odejmowanie napi.
W celu uniknicia bdw naley pamita, aby rezystancje widzialne
midzy wejciem wzmacniacza operacyjnego a mas byy jednakowe dla obu
wej wzmacniacza operacyjnego.

10.12. WZMACNIACZ CAKUJCY INTEGRATOR

Integrator otrzymuje si poprzez wczenie kondensatora C w obwd
sprzenia zwrotnego.

I I =
1
;

Q CU = ;

idt CdU = ;

1
1
R
U
I
we
= ;
dt
dU
C I
wy
= ;

dt
dU
C
R
U
wy
we
=
1
;

we
wy
U
CR dt
dU
1
1
= ;



110
Napicie wyjciowe mona wyznaczy poprzez scakowanie obu stron
rwnania

( ) ( )
0
1
1
U dt t U
CR
t U
we wy
+ =

; (10.38)

U
0
warto pocztkowego napicia w chwili pocztkowej t = 0.

Std te nazwa ukadu jako cakujcy.

a) b)











Rys.10.14. Schematy integratora:
a) ukad podstawowy,
b) ukad z obwodem RC w ptli sprzenia zwrotnego

Korzystajc z zapisu operatorowego

R Z =
1
;
C j
Z

1
2
= ;

moemy okreli wzmocnienie ukadu

C R j Z
Z
k
u
1 1
2
1

= = ; (10.39)

Wzmocnienie integratora zaley od czstotliwoci sygnau. Jeeli powyszy
ukad zostanie zmodyfikowany przez doczenie rezystora R
2
rwnolegle do
kondensatora C (rys 10.14b) to nastpi ograniczenie wzmocnienia dla maych
czstotliwoci otrzymuje si czon inercyjny. Wzmocnienie tego ukadu
oblicza si ze wzoru:
C R j R
R
k
u
2 1
2
1

= ; (10.40)
C
R
1
R
2
R
3
U
wy U
we
C
R
1
R
2
U
wy
U
we
I
1 I



111
Dopiero powyej dolnej czstotliwoci granicznej
C R
f
d
2
2
1

= , czon ten
dziaa jako integrator.

Przykad ukadu cakujcego.

Ukadami cakujcymi s dolnoprzepustowe filtry pierwszego rzdu, tj.
filtry o nachyleniu charakterystyki -6 dB na oktaw (-20 dB na dekad).
Przykadem moe by poznany wczeniej wzmacniacz operacyjnym (rys.
10.15a). Wzmacniacz operacyjny w tym ukadzie jest objty ujemnym
sprzeniem zwrotnym, mona przyj (dla k
u
), e napicia na jego
wejciu odwracajcym i nieodwracajcym s takie same. Z tego powodu
warto prdu wejciowego wynosi
R
U
we
. Prd ten przepywa przez
kondensator. napicie wyjciowe jest rwne napiciu na kondensatorze.
Ukad zapewnia sterowanie kondensatora prdem proporcjonalnym do
wartoci napicia wejciowego. Praca tego ukadu odpowiada adowaniu lub
rozadowania pojemnoci przez rdo prdowe prdem proporcjonalnym do
wartoci napicia wejciowego. Poniewa kondensator jest ukadem
cakujcym prd, to ten ukad jest ukadem cakujcym napicie.


Rys. 10.15. Wzmacniacz cakujcy.
a) schemat zasadniczy, b) przebieg napicia wejciowego, c) przebieg napicia
wyjciowego.

Na rysunku 10. 15c przedstawiono przebiegi wyjciowe w opisanym
ukadzie, powstae wskutek podania na wejcie wzmacniacza napicia o
przebiegu pokazanym na rys. 10.15b. Ukad ten z bardzo duym



112
przyblieniem realizuje operacj cakowania. Jego przebiegi wyjciowe maja
praktycznie taki sam ksztat jak przebiegi idealne (rys. 10.15b).

Zastosowanie ukadw cakujcych.

Ukady cakujce stosujemy przede wszystkim:
- w generatorach, do ksztatowania przebiegu liniowego, trjktnego i
pioksztatnego,
- w filtrach,
- w ukadach wyznaczania wartoci redniej.

10.13. WZMACNIACZ RNICZKUJCY

Wzmacniacz rniczkujcy uzyskuje si przez zastpienie rezystora,
wczonego na wejciu odwracajcego wzmacniacza operacyjnego,
kondensatorem C (rys 10.16).










Rys. 10.16. Schemat wzmacniacza rniczkujcego.

Wzmocnienie napiciowe takiego ukadu

2
1
Z
Z
k
u
= ; (10.41)
gdzie
1 2
R Z = ;
C j
Z

1
1
= ;

po wykonaniu przeksztace otrzymujemy:

C R j k
u 1
= ; (10.42)

Analiza pracy wzmacniacza
I I
C
= ;
U
we
C

R
2
R
1
U
wy
I
c
I




113
dt
dU
C I
we
C
= ;
1
R
U
I
wy
= ;

1
R
U
dt
dU
C
wy
we
= ;

Po wykonaniu odpowiednich przeksztace otrzymujemy:

( )
( )
( ) t d
t dU
CR t U
we
wy 1
= ; (10.43)

Jest to zaleno napicia wyjciowego od napicia wejciowego w funkcji
czasu.
Wzmacniacz rniczkujcy ma wiele wad m.in. jest wraliwy na szumy
sygnau o wielkiej czstotliwoci oraz skonnoci do oscylacji.

10.14. KONWERTER PRD NAPICIE

Ukad, ktry przetwarza sygna prdowy na sygna napiciowy jest
nazywany konwerterem prd napicie (rys.10.17)








Rys.10.17. Schemat konwertera prd napicie.

Na podstawie analizy pracy wzmacniacza operacyjnego otrzymujemy:

IR U
wy
= ; (10.44)

Ukad ten charakteryzuje si ma rezystancj wejciow. Moe on
wsppracowa tylko ze rdami prdowymi o duej rezystancji
wewntrznej, poniewa jego wejcie stanowi mas pozorn. Warto prdu
wejciowego I nie zaley wwczas od parametrw ukadu konwertera, ale od
rda sygnau wejciowego.



U
we
R
U
wy
I



114
10.15. PRZESUWNIK FAZY

Przesuwnikiem fazy nazywamy ukad przesuwajcy faz napicia
wyjciowego wzgldem napicia wejciowego.

Zaleno midzy napiciem wyjcia od napicia wejciowego

we wy
U
CR j
CR j
U
2
2
1
1

= ; (10.45)

( )
we wy
U jb a U + = ;

( )( )
( )( )
we wy
U
CR j CR j
CR j CR j
U
2 2
2
1 1
1 1


+

= ;

( )
we wy
U
R C
CR j
U
2
2
2 2
2
2
1
1

= ;

we wy
U
R C
R C CR j
U
2
2
2 2
2
2
2 2
2
1
2 1

+

= ;

we wy
U
R C
R C CR j
U
2
2
2 2
2
2
2 2
2
1
2 1

+

= ;

we wy
U
R C
CR j R C
U
2
2
2 2
2
2
2
2 2
1
2 1

+

= ;

a
b
ar ctg = ;

2
2
2 2
2
1
2
ctg
R C
CR
ar

= ; (10.46)

Jeeli amplituda sygnau wejciowego bdzie staa, a zmieni si jedynie jego
czstotliwo, to amplituda sygnau wyjciowego bdzie rwnie staa,
zmieni si natomiast przesunicie fazy sygnau wyjciowego wzgldem
sygnau wejciowego.
Ukad ten jest odpowiednikiem wzmacniacza odejmujcego, w ktrym do obu
wej jest doprowadzone jedno napicie. W wyniku zamiany rezystora na



115
kondensator, na wejcie nieodwracajce wzmacniacza jest podawany sygna
wejciowy przesunity w fazie.



Rys. 10.18. Schemat zasadniczy przesuwnika fazy.

Zmieniajc warto rezystancji R
2
(rezystor regulowany) od 0 do (przy
staej czstotliwoci napicia wejciowego), uzyskuje si w ukadzie
przesunicie fazowe od - 180 do - 360.
Jeeli rezystancja R
2
= 0, to wejcie nieodwracajce jest podczone do masy
jego potencja jest rwny zeru. Schemat ukadu sprowadza si wtedy do
postaci przedstawionej na rysunku 10.18b. Jest to schemat wzmacniacza
odwracajcego o wzmocnieniu k
u
= -1 i przesuniciu fazowym wynoszcym -
180.
Jeeli rezystancja R
2
= , to napicie podawane na wejcie nieodwracajce
jest rwne napiciu wejciowemu. Schemat ukadu przedstawiony jest na
rysunku 10.18c.
Przy bardzo duym wzmocnieniu napiciowym wzmacniacza operacyjnego
(k
uo
) napicie na wejciu nieodwracajcym jest w przyblieniu rwne
napiciu na wejciu odwracajcym U
-
= U
+
= U
we
. Spadek napicia na
rezystorze R
1
(wywoany przepywem prdu I) wynosi zero.

Warto prdu wejciowego:
0 =

=
R
U
I .

Rnica napi midzy wejciem odwracajcym a wyjciem U
-
= U
wy
= 0
.
wynika z tego, e U
wy
= U
we
. Ukad wwczas jest wtrnikiem napiciowym, a
jego przesunicie fazowe wynosi 0.




116
Rozdzia XI. GENERATORY.

Generatory to ukady elektroniczne, ktre przetwarzaj energi rda
przebiegu staego na energi przebiegu zmiennego wyjciowego
(impulsowego lub okresowego). Wytwarzaj przebiegi elektryczne o
okrelonym ksztacie. W zalenoci od ksztatu wytarzanego przebiegu,
wyrniamy nastpujce generatory:
impulsowe,
sinusoidalne,
przebiegu prostoktnego,
przebiegu liniowego (trjktnego, pioksztatnego).

W poniszej tabeli przedstawiono symbole, ksztaty sygnaw wyjciowych i
odpowiadajce im widma czstotliwociowe.
Tabela 11.1.

Podstawowe rodzaje generatorw.
Szczeglnymi rodzajami generatorw s nastpujce generatory:

Wyzwalane. Generatory, w ktrych pojawienie si na wyjciu
impulsu zadanego ksztatu lub cigu impulsw jest uwarunkowane
wczeniejsz obecnoci na wejciu impulsu wyzwalajcego.
Synchronizowane. Wytwarzaj one przebieg o zadanym ksztacie
bez wzgldu na to co jest na wejciu tzn. czy s impulsy
pobudzajce czy te nie. Impulsy te su do ustawienia fazy
generowanego sygnau.
Sterowane. Generatory w ktrych czstotliwo jest zalena od
wartoci napicia lub prdu sygnau wejciowego.
11.1. GENERATORY NAPICIA SINUSOIDALNEGO




117
Drgania sinusoidalne mona uzyska dwoma sposobami:
1. Polega na utworzeniu takiego wzmacniacza, ktry dla jednej cile
okrelonej czstotliwoci sygnau miaby wzmocnienie rwne
nieskoczonoci (generator sprzeniowy).
2. Polega na odtumieniu rzeczywistego obwodu rezonansowego LC
elementem o ujemnej rezystancji (generator dwjkowy) celem
skompensowania rezystancji strat. Sposb ten wykorzystywany jest
gwnie w zakresie wielkich czstotliwoci.

11.2. WZMACNIACZ JAKO GENERATOR. WARUNKI GENERACJI.

Warunki powstawania drga we wzmacniaczu pokazano na rysunku 11.2.













Rys. 11.2. Schemat funkcjonalny wzmacniacza ze sprzeniem zwrotnym (generatora
sprzeniowego).

Wzmocnienie takiego wzmacniacza ma posta:

f
u
u
we
wy
uf
k
k
U
U
k

= =
1
;

Wzmocnienie to dy do nieskoczonoci, gdy mianownik dy do zera

0 1 =
f
u
k ; 1 =
f
u
k ;

Wzmocnienie wzmacniacza i toru sprzenia zwrotnego mona przedstawi
w postaci wykadniczej:
K
j
u u
e k k

= ;

j
f
f
e = ;
czyli:
U
wy




u
k



f

U
we



118
1 = =

j
f
j
u
f
u
e e k k
K
;

gdzie
K
przesunicie fazy w ukadzie wzmacniacza,

- przesunicie fazy w ukadzie

sprzenia zwrotnego.

Z rachunku liczb zespolonych wynika, aby dwie liczby byy sobie rwne
musz mie rwne moduy i fazy. Zatem

1 =
f u
k ; (11.1)

Warunek (11.1) nazywa si amplitudowym warunkiem powstawania
drga.

+ = + 360 0 n
K
(11.2)

Warunek (11.2) nazywamy fazowym warunkiem powstawania drga.

Jeli chcemy otrzyma drgania sinusoidalne, to warunki te musz by cznie
spenione dla jednej okrelonej czstotliwoci (f
0
).
Wtedy warunek amplitudy ma posta:

( ) ( ) 1
0 0
= f f k
f u
;

a warunek fazy przybiera posta:

( ) ( ) + = + 360 0
0 0
n f f
K
.

Wnioskujemy, e za pomoc czwrnika realizuje si dodatnie sprzenie
zwrotne.

11.3. PARAMETRY GENERATORW PRZEBIEGU
SINUSOIDALNEGO

Podstawowym parametrem jest czstotliwo f
0
generowanego
przebiegu. Jest to czstotliwo przy ktrej s spenione obydwa warunki
powstawania drga.
Innym parametrem generatorw jest stao czstotliwoci generowanego
przebiegu stosunek redniej wartoci odchyki czstotliwoci do
wartoci nominalnej (f
0
) czstotliwoci. Wyraana jest liczb
niemianowan. W zalenoci od tego, za jaki okres czasu wyznacza si
redni warto odchyki czstotliwoci, wyrnia si stao krtko- i
dugoterminow.



119
Innym wanym parametrem jest rwnie wspczynnik zawartoci
harmonicznych oraz zakres i charakter przestrajania generatora.
Generatory mog by przestrajane napiciem, prdem lub zmian punktu
pracy elementw aktywnych albo zmian parametrw sprzenia zwrotnego.

11.4. GENERATOR LC ZE SPRZENIEM ZWROTNYM

W generatorach LC ze sprzeniem zwrotnym czwrnik sprzenia
zwrotnego ma posta czwrnika typu , zoonego z elementw
reaktancyjnych X
1
, X
2
, X
12
(przy zaoeniu elementw idealnych
1 1
jX Z = ,
2 2
jX Z = ,
12 12
jX Z = ).











Rys. 11.1. Schemat oglny ukadu LC ze sprzeniem zwrotnym.

Warunek amplitudy

1
2
1
12 2
1
= =
+ X
X
K
X X
X
K
u u
;

Warunek fazy
0
12 2 1
= + + X X X ;

Z warunku amplitudy mona wyznaczy wzmocnienia wzmacniacza
konieczne do wzbudzenia drga. Warunek ten jest moliwy do spenienia
jeeli reaktancje X
1
i X
2
maj takie same znaki, tzn. obie s charakteru
pojemnociowego lub indukcyjnego przy zaoeniu, e wzmacniacz odwraca
faz (K
u
jest wtedy ujemne).
Z warunku fazy wynika, e jeeli reaktancj X
1
i X
2
maj charakter
indukcyjny, to X
12
musi mie charakter pojemnociowy i odwrotnie, jeeli X
1

i X
2
maj charakter pojemnociowy, to X
12
musi mie charakter indukcyjny. Z
warunku mona wyznaczy czstotliwo drga.
11.5. GENERATOR MEISSNERA

U
1
X
2
X
1
X
12
U
2



120
W generatorze Meissnera sprzenie zwrotne realizowane jest za
pomoc transformatora, zapewniajcego przesunicie fazy rwne 180
(

= 180) dziki odpowiedniemu poczeniu uzwoje. Uzwojenie wtrne o

indukcyjnoci L wraz z kondensatorem C tworzy obwd rezonansowy.
Parametry tego obwodu okrelaj czstotliwo drga.

LC
f
2
1
0
= .

Cz zmiennego napicia wyjciowego, wystpujcego w kolektorze
(drenie) tranzystora, oddziauje za porednictwem transformatora na baz
(bramk) tego tranzystora. Poniewa przy czstotliwoci rezonansowej
napicie na kolektorze (drenie) jest przesunite wzgldem napicia na bazie
(bramce) o warto to warunek fazy wymaga, eby transformator
wprowadza dalsze przesunicie fazy o . Przekadni transformatora dobiera
si tak, aby by speniony warunek amplitudy.

Rys.11.2. Schemat zasadniczy generatora Meissnera.

11.6. GENERATOR Z MOSTKIEM WIENA

Generatory z mostkiem Wiena nale do generatorw czstotliwoci
akustycznych i ponadakustycznych, tzn. generuj drgania sinusoidalnie
zmienne w zakresie od kilku Hz do ok. 1 MHz. Nazwa tych generatorw
pochodzi od rodzaju sprzenia zwrotnego, w ktrym zastosowano mostek
Wiena.





121

Rys. 11.3. Schemat strukturalny generatora RC z mostkiem Wiena.

Generatory te maj dobr stao czstotliwoci i mae znieksztacenia
nieliniowe. Mostek ma dwie gazie zawierajc elementy RC oraz dwie
gazie zawierajce rezystory. Czwrnik selektywny stanowi pmostek
Wiena, czyli elementy R
1
, C
1
, R
2
, C
2
. Jest on wczony midzy wejcie
nieodwracajce wzmacniacza i wyjcie, tworzc obwd dodatniego
sprzenia zwrotnego. Rezystory R
3
, R
4
tworz obwd ujemnego sprzenia
zwrotnego.

Stan rwnowagi mostka wystpuje przy pulsacji

2 2 1 1
0
1
C R C R
= ;

Jeeli R
1
= R
2
= R oraz C
1
= C
2
= C (mostek symetryczny), to otrzymujemy:

RC
1
0
= ;

Warunek amplitudy wyraa si zalenoci:

1
2
2
1
4
3
C
C
R
R
R
R
+ = ;
a w mostku symetrycznym
2
4
3
=
R
R
;
W stanie idealnej rwnowagi mostka napicie na jego wyjciu wynosi
zero. Aby wzbudzi generator czyli wywoa drgania, naley uzyska
nieskoczenie due wzmocnienie wzmacniacza. Dlatego te w praktyce
mostek nie jest idealnie zrwnowaony. Rezystancje R
3
i R
4
dobiera si tak,
aby ich stosunek by wikszy ni 2.
Gazie R
3
i R
4
mostka nie maj wpywu na czstotliwo drga. Rezystory te
mona zastpi elementami nieliniowymi w celu automatycznej stabilizacji



122
amplitudy sygnau wyjciowego. Do stabilizacji amplitudy stosuje si:
arwki, termistory lub tranzystory unipolarne (polowe).












Rys. 11.4. Zmodyfikowany ukad mostka Wiena.

Zmodyfikowany ukad mostka Wiena pokazano na rysunku 11.4. napicie
wyjciowe jako funkcja napicia wejciowego dane jest rwnaniem

( )
( )
( )
1 2
1
1
1
1
1
U
C
j R
C
j R
C
j R
C
j R
C
j R
U
(
(

;

( )
( ) ( ) ( ) ( )
2 2
2
2 2
2
2
1
2
1 3 1 2
1
1
C
R j
C
R
C
R
C
j
C
R
jR
C
R
C
R
C
j R j
C
R
C
R
C
jR
C
j R
C
R
j
U
U

+
=
+ +
=
=
+
=

\
|

=
;


W celu uzyskania w ukadzie przesuwnika przesunicia fazy rwnemu zeru,
cz urojona wyraenia musi sta rwna zeru przy pulsacji
0
:

0
1
2 2
0
2
=
C
R

;
czyli
U
2
U
1
R

R

C
C



123
RC
1
0
= ;
oraz
RC
f
2
1
0
= ;
Stosunek napi
1
2
U
U
wynosi:
3
1
3
0
0
1
2
= =
C
R
C
R
U
U

;
Na rysunku 11.5 pokazano zaleno stosunku napicia wyjciowego do
wejciowego i kta fazowego jako funkcji czstotliwoci, jego maksimum
(U
2
/U
1
=1/3) wystpuje przy czstotliwoci quasi-rezonansowej, przy ktrej
kt fazowy jest rwny zeru.


Rys. 11.5. Charakterystyki do ukadu z rys.11.4.

11.7. GENERATOR RC Z PRZESUWNIKIEM FAZY

W generatorze RC z przesuwnikiem fazy stosowany jest zazwyczaj
jednostopniowy wzmacniacz dajcy przesunicie o 180. Napicie wyjciowe
wzmacniacza doprowadzone jest zwrotnie na jego wejcie poprzez ukad
przesuwnika fazy. Przesuwnik fazy musi spowodowa przy jednej okrelonej
czstotliwoci przesunicie fazy o 180, aby w ten sposb uzyska dodatnie
sprzenie zwrotne, konieczne do wywoania generacji. Jeli wzmocnienie
wzmacniacza wynosi k
u
, to dla podtrzymania drga tumienie wprowadzone
poprzez przesuwnik nie moe by wiksze ni
u
k 1 .
Generator z przesuwnikiem fazy charakteryzuje si ma staoci
czstotliwoci, duymi znieksztaceniami nieliniowymi, trudnoci strojenia.
Generatory te stanowi tanie ukady miernej jakoci o staej czstotliwoci.
Wzmocnienie wzmacniacza ukadu generatora z przesuwnikiem fazowym
typu drabinkowego musi wynosi 29.





124

Rys. 11.6. Schemat generatora z przesuwnikiem fazy.

W tych generatorach przesunicie fazy toru wzmacniajcego wynosi 180. W
torze sprzenia zwrotnego przesunicie fazy powinno wwczas wynosi
180 lub - 180. Czwrnikiem sprzenia zwrotnego jest trjsegmentowy filtr
drabinkowy RC. W generatorze przedstawionym na rysunku 11.7a uyto
filtrw grnoprzepustowych, a w generatorze przedstawionym na rysunku
11.7b uyto filtrw dolnoprzepustowych. Nachylenie charakterystyki fazowej

+
K
, jest mae i odpowiada dobroci obwodu rezonansowego o wartoci
bliskiej 2. Oznacza to, e generatory te charakteryzuj si ma staoci
czstotliwoci oraz duymi znieksztaceniami nieliniowymi. Lepsze
parametry posiada generator z mostkiem Wiena.

a)


b)





125
Rys. 11.7. Schematy generatora RC z przesuwnikiem fazowym ukadu sprzenia
zwrotnego o: a) 180, b) - 180.









Rys. 11.8. Schemat blokowy generatora z przesuwnikiem fazy.


Wyprowadzenie podstawowych wzorw:









Rys.11.9. Pomocniczy ukad generatora RC z przesuwnikiem fazy.

1 2 1
1
U R I I
C
j R =
|

\
|

;
0
1
2
3 2 1
=
|

\
|
+ RI I
C
j R RI

;
0
1
2
2 2
=
|

\
|
+
C
j R I R

;
2 3
U R I = ;

|

\
|

|

\
|

|

\
|

\
|

=
C
j R R
C
j R R
C
j R
C
j R
U R
I

1 1
2
1
2
1
2 2
2
1
2
3
;

2 3
U R I = ;

PRZESUWNIK
FAZY
WZMACNIACZ
PRZESUWAJCY
FAZ O 180
WYJCIE WEJCIE
U
1 I
1 R
C

U
2
C

C

R R I
2 I
3



126
3
2 2
2
2
1
1 1
2
1
2
1
R
C
j R R
C
j R R
C
j R
C
j R
U
U
|

\
|

|

\
|

|

\
|

\
|

=

;

RC
j
RC
j
RC
j
U
U

2
3
1
2
1
1
2
2
1
+
|

\
|

\
|
= ;

|

\
|

|

\
|
=
3 3 3 2 2 2
2
1
1 6
1
5
C R RC
j
C R U
U

;

0
1 6
3 3 3
=
C R RC
;

RC 6
1
0
= ;

RC
f
6 2
1
0

= ;

( )
29 1
6
5
1
5
2 2
2 2 2 2
2
1
=
(
(

= =
C R RC
C R U
U

;

Wzmocnienie musi by rwne 29.



127
Rozdzia XII. MODULACJA I DEMODULACJA

Podstawowym celem modulacji jest naoenie sygnaw zawierajcych
podan informacj na prd nony wielkiej czstotliwoci. Nakadanie
realizuje si po to, aby przesa informacj na tej wanie wielkiej
czstotliwoci. Przesanie sygnau w jego naturalnym pamie za pomoc fal
radiowych jest prawie we wszystkich przypadkach niemoliwe. Istniej takie
zakresy fal elektromagnetycznych.

Modulacj nazywamy proces przemieszczania informacji zawartej w
pewnym pamie czstotliwoci do innego pasma czstotliwoci, a wic
pewnego rodzaju kodowania informacji.

Demodulacj nazywamy proces dekodowania, czyli przywracania
sygnaowi jego pierwotnego ksztatu.

Przebieg, za pomoc ktrego przesya si sygna, nosi nazw przebiegu
nonego lub fali nonej. Sam sygna nazywany jest czsto przebiegiem
modulujcym lub czstotliwoci modulujc.
Rozwaajc sinusoidalny przebieg nony napicia, zapisujemy go w postaci:

( ) + = t U u
m 0 0 0
cos ;

lub

( ) + = t f U u
m 0 0 0
2 cos ;

Gdy amplituda przebiegu nonego U
0m
jest zmienna proporcjonalnie do
sygnau zawierajcego informacj, mamy do czynienia z modulacj
amplitudy (ang. Amplitude Modulation AM). Gdy proporcjonalnie do
sygnau zmienia si czstotliwo f
0
przebiegu nonego, mwimy o
modulacji czstotliwoci (ang. Frequency Modulation FM). Gdy kt
fazowy zmienia si proporcjonalnie do sygnau, to taki przypadek
nazywamy modulacj fazy (ang. Phase Modulation PM). Ukad
elektroniczny realizujcy modulacj nazywamy modulatorem.

Rodzaje modulacji:

- modulacja amplitudy;
- modulacja czstotliwoci.





128
12.1. MODULACJA AMPLITUDY

Przebieg nony napicia mona zapisa nastpujco:

t f U u
m 0 0 0
2 cos = ; (12.1)

przy czym f
0
jest czstotliwoci przebiegu nonego (rys. 12.1a). Przyjto, e
kt fazowy = 0, gdy jego warto nie ma wpywu na modulacj amplitudy.
Przy modulacji amplitudy amplituda U
om
przebiegu nonego zmienia si
proporcjonalnie do sygnau (rys. 12.1b). Modulacja amplitudy wprowadza do
przebiegu nonego obwiedni modulacji. Obwiednia ta ma przebieg
identyczny z przebiegiem sygnau modulujcego, naley pamita e gdy
obwiednia ronie w kierunku dodatnim ronie take w kierunku ujemnym.

Rys. 12.1.Modulacja amplitudy.
a) fala nie modulowana, b) fala modulowana.

Amplituda obwiedni jest uamkiem m amplitudy przebiegu nie
modulowanego. Ten uamek m nazywa si wspczynnikiem gbokoci
modulacji lub krcej gbokoci modulacji i podawany jest w procentach.
Opierajc si na tej definicji wspczynnika gbokoci modulacji mona
rwnanie sygnau modulujcego:

t U u
s sm s
cos = ;

lub
t f U u
s sm s
2 cos = ;

Gdy przebieg nony jest modulowany amplitudowo sygnaem
sinusoidalnym, amplituda przebiegu nonego zmienia si sinusoidalnie
wedug wyraenia:




129
( )
om s
U t m cos 1+ ;

Warto chwilow napicia przebiegu zmodulowanego mona zapisa w
postaci

( ) t U t m u
om s 0
cos cos 1 + = ;

przeksztacajc dalej otrzymujemy:

t t mU t U u
s m m
cos cos cos
0 0 0 0
+ = ;

Zgodnie z zalenoci trygonometryczn mamy:

( ) ( ) y x y x y x + + = cos
2
1
cos
2
1
cos cos ;

Po podstawieniu:

( ) ( )t
mU
t
mU
t U u
s
m
s
m
m
+ + = =
0
0
0
0
0 0
cos
2
cos
2
cos ; (12.2)

Inaczej zapisujc mamy:

( ) ( )t f f
mU
t f f
mU
t f U u
s
m
s
m
m
+ + = =
0
0
0
0
0 0
2 cos
2
2 cos
2
2 cos ;

Dziki temu wprowadzeniu wykazano, e rwnanie przebiegu modulowanego
zawiera trzy skadniki. Skadnik pierwszy jest identyczny z rwnaniem (12.1),
jest wic przebiegiem nonym, nie modulowanym. Jest wic oczywiste, e
proces modulacji amplitudy nie zmienia przebiegu pierwotnego, lecz dodaje
do niego dwa utworzone przy modulacji skadniki. Czstotliwo drugiego
skadnika wynosi (f
0
+ f
s
), a trzeciego (f
0
- f
s
).

Przykad:
Jeli czstotliwo nona wynosi 5000Hz i czstotliwo modulujca
100 Hz, czstotliwoci wymienionych trzech skadnikw s: 5000, 5100 i
4900 Hz. W takim ukadzie skadnik o czstotliwoci 5100 Hz, czyli (f
0
+ f
s
),
jest nazywany grn wstg boczn, skadnik o czstotliwoci 4900 Hz,
czyli (f
0
f
s
), nosi nazw dolnej wstgi bocznej.
W tym przykadzie czstotliwo sygnau modulujcego wynosi 100 Hz,
natomiast caa szeroko pasma zajmowanego przez sygna modulowany
wynosi 5100 4900, czyli 200 Hz. Tu naley stwierdzi nastpujcy
wniosek:



130

Szeroko pasma potrzebna do sygnau o modulowanej amplitudzie jest
rwna podwjnej czstotliwoci sygnau modulujcego.

12.1.1. MODULACJA STUPROCENTOWA I PRZEMODULOWANIE

a) b)

Rys. 12.2. Modulacja stuprocentowa i przemodulowanie.
a) 100 % modulacji (m=1), b) przemodulowanie (m>1).

Z rwnania (12.2) wynika, e amplitudy wstg bocznych malej do zera, gdy
gboko modulacji m staje si rwna zeru, wtedy wwczas rwnanie staje
si rwnaniem fali nonej (12.1). Gdy gboko modulacji wynosi 100 %
(rys. 12.2.a), to maksymalna warto chwilowa napicia osiga warto 2U
0m
,
a minimalna warto chwilowa obwiedni maleje do zera.
Przemodulowanie pokazano na rysunku 12.2.b. Przebieg tu jest obcinany i
poniewa obwiednia jest nieciga, nie moe by wyraany rwnaniem (12.2).
W warunkach przemodulowania obwiednia nie jest ju sinusoidalna, mona j
przedstawi jako sum skadowej podstawowej i wielu harmonicznych.
Te harmoniczne powoduj rwnie powstawanie wstg bocznych. Gdy
gboko modulacji wynosi 98 %, to istniej tylko dwie wstgi boczne. Przy
gbokoci modulacji 105 % powstaje ju wiele wstg bocznych.
Przemodulowanie powoduje wic jak gdyby rozprysk wstg bocznych,
zajmujcy znacznie wiksz szeroko pasma ni normalna szeroko pasma
przy gbokoci modulacji nie wikszej od 100 %. Ten rozprysk powoduje
powstawanie zakce w odbiorze stacji, ktrym przydzielono ssiednie
kanay.
Na podstawie obrazu przebiegu modulowanego (rys.12.3) czsto naley
wyznaczy gboko modulacji.






131

Rys.12.3. Fala modulowana.

A oznacza maksymaln wysoko obrazu midzy szczytami obwiedni,
B odstp midzy punktami minimum wysokoci obwiedni.

Wartoci te atwo mona ustali na podstawie obrazu oscyloskopowego. Na
tej podstawie mona okreli amplitud fali nonej jako:

4 2
2 2
0
B A
B A
U
m
+
=
+
= ;

Amplituda obwiedni, okrelona iloczynem mU
0m
, wynosi:

4 2
2 2
0
B A
B A
mU
m

= ;

Dzielc rwnania stronami, otrzymujemy:

( )
( ) 4 /
4 /
0
0
B A
B A
U
mU
m
m
+

= ;

B A
B A
m
+

= ; (12.3)

Za pomoc rwnania (12.3) moemy obliczy gboko modulacji dla
rnych rodzajw obrazu.

Wspczynniki w poszczeglnych skadnikach wyraenia (12.2) maj
wartoci

m
U
0
;
2
0m
mU
;
2
0m
mU
;

a wic pozostaj w stosunku:




132
2
:
2
: 1
m m
;

Moc mona wyrazi wzorem
R
U
2
, zatem powysze wyraenie przeliczone
na stosunek mocy ma posta:
4
:
4
: 1
2 2
m m


Moc cakowita bdzie wic proporcjonalna do

2
1
4 4
1
2 2 2
m m m
+ = + + ;

co mona zapisa w formie rwnania:

2
1
2
0
m
P
P
T
+ = ;

przy czym
P
0
jest moc fali nonej,
P
T
cakowita moc przebiegu modulowanego przy gbokoci modulacji m.

Jeeli R jest rezystancj, to

2
1
2
2
0
2
0
m
R I
R I
P
P
T T
+ = = ;

czyli
2
1
2
0
m
I I
T
+ = .

Gdy gboko modulacji wynosi 100 %, m = 1 i stosunek mocy staje si
rwny 1,5.
Zgodnie z rwnaniem (12.2) przebieg o modulowanej amplitudzie
mona przedstawi jako:

( ) ( )t
mU
t
mU
t U u
s
m
s
m
m
+ + = =
0
0
0
0
0 0
cos
2
cos
2
cos .

Przebieg taki mona przedstawi graficznie w trzech postaciach (rys. 12.4).
Konwencjonalnym sposobem przedstawienia fali modulowanej jest wykres
wartoci chwilowych caego przebiegu, a wic sumy skadowej nonej i wstg



133
bocznych (rys. 12.4a). O pozioma jest osi czasu. Gdy osi poziom jest o
czstotliwoci (rys. 12.4b), to energia ukazuje si tylko w trzech punktach
wykresu odpowiadajcych czstotliwociom dolnej wstgi bocznej, fali
nonej i grnej wstgi bocznej. Wysokoci reprezentujcych j prkw N, M
i P s proporcjonalne do wartoci napi, bd te do mocy tych trzech
skadowych. Odstp midzy N i P jest szerokoci pasma. Gdy zmienia si
gboko modulacji, wysoko prka M pozostaje staa, zmienia si tylko
wysoko prkw N i P. Gdy zmienia si czstotliwo modulujca, prki
N i P zbliaj si bd oddalaj od prka M, zalenie od tego, czy
czstotliwo modulujca maleje, czy ronie.

a) b) c)


Rys. 12.4. Trzy sposoby przedstawienia fali modulowanej.
a) o czasu, b) o czstotliwoci, c) wykres wskazowy.

Na wykresie wskazowym (rys. 12.4c) wektor OA przedstawia przebieg
nony i jego dugo jest proporcjonalna do U
0m
. Wektor ten wiruje dokoa
punktu O w kierunku przeciwnym ruchowi wskazwek zegara z prdkoci
ktow
0
. Dwa wektory AB i AC dodaj si do wektora nonego. Dugo
ich jest proporcjonalna do
2
0m
mU
i przedstawiaj one wstgi boczne. Wektor
AC wiruje dokoa punktu A w kierunku ruchu wskazwek zegara, za wektor
AB wiruje dokoa punktu A w kierunku przeciwnym do ruchu wskazwek
zegara, przy czym obydwa wiruj z prdkoci ktow
s
. Wzgldna
prdko ktowa wektora AC wzgldem punktu O wynosi (
0
-
s
),a wektora
AB wzgldem punktu O (
0
+
s
). Zatem wektor AB reprezentuje grn
wstg boczn, a wektor AC doln wstg boczn. Zalenoci fazowe midzy
wektorami musz by takie, e sum trzech wektorw jest R, przy czym
wektor R musi by stale w fazie z wektorem fali nonej OA. Gdyby wykreli
ruch rzutu koca wektora R, gdy wiruje on dokoa punktu O, otrzymaoby si
obraz przebiegu modulowanego jak na rys. 12.4a.






134
12.2. MODULATORY AMPLITUDY

Podstawowym wymaganiem stawianym modulatorowi, w ktrym
realizuje si modulacj amplitudy, jest to, eby by on ukadem nieliniowym.

Modulatory AM pracuj w nadajnikach radiowych. Ich zadaniem jest
liniowe uzalenienie amplitudy przebiegu sinusoidalnego wielkiej
czstotliwoci (sygnau nonego U
0m
) od wartoci chwilowej napicia
wejciowego (sygnau uytecznego u
s
, tzn. informacji mowy, muzyki).
Czstotliwo sygnau nonego (
0 0
1 = f ) pozostaje bez zmian.

Jeeli sygna nony ma posta:

t U u
m 0 0 0
cos = ;

to sygna wyjciowy z modulatora AM wynosi:

t
U
u
U u
m
s
m 0
0
0
cos 1
(

+ = dla
m s
U u
0
< ;

Modulacj amplitudy otrzymuje si przez zwikszenie wzmocnienia
wzmacniacza wysokiej czstotliwoci w dodatniej powce okresu sygnau
modulujcego i zmniejszenie tego wzmocnienia w ujemnej powce okresu.
Poniej zosta przedstawiony schemat blokowy nadajnika pracujcego z
modulacj amplitudy.
















Rys. 12.5. Schemat blokowy nadajnika pracujcego z modulacj amplitudy.
Generator
kwarcowy
Wzmacniacz
seperujcy
Wzmacniacz
w.cz. i stopie
wzbudzajcy
modulator
zasilacze
antena
Wzmacniacz
wstpny
Stopie
wzbudzajcy
Wzmacniacz
mocy
Wejcie
sygnau
modulujcego



135
12.3. MODULACJA CZSTOTLIWOCI

Wynalezienie i rozwj modulacji czstotliwoci byy wynikiem
prowadzonych przez Edwina H. Amstronga poszukiwa metody zmniejszania
wpywu zakce atmosferycznych i szumu na odbir programw
radiofonicznych, nadawanych przy zastosowaniu modulacji amplitudy.
Poniewa wikszo zakce, zarwno naturalnych jak i przemysowych ma
charakter sygnaw o modulowanej amplitudzie. Metoda pozwalajca na
utrzymywaniu staej amplitudy U
0m
i nakadaniu sygnau modulujcego w
drodze zmieniania czstotliwoci nonej f
0
, pozwala na osignicie
zamierzonego celu.
Pojcia i definicje stosowane w dziedzinie modulacji czstotliwoci oraz
zasady modulacji czstotliwoci mona najlepiej przedstawi na przykadzie
liczbowym.

Przykad:

Czstotliwo nona f
0
= 1000 kHz,
Czstotliwo modulujca f
s
= 1 kHz,
Amplituda sygnau modulujcego U
sm
= 1 V.

W chwili, gdy napicie modulujce przechodzi przez warto zero,
czstotliwo fali o modulowanej czstotliwoci wynosi 1000 kHz. Zamy
dalej, e gdy warto chwilowa napicia modulujcego ronie w kierunku
dodatnim, to czstotliwo fali modulowanej rwnie ronie. Natomiast gdy
warto chwilowa napicia modulujcego staje si ujemna, to czstotliwo
przebiegu wyjciowego maleje. Zakadamy dalej, e w chwili gdy napicie
modulujce ma warto + 1 V, to warto chwilowa czstotliwoci przebiegu
wyjciowego wynosi 1010 kHz, a przy wartoci napicia modulujcego 1 V,
czstotliwo ta wynosi 990 kHz. Zobrazowane jest to na rysunku 12.6.


Rys. 12.6. Modulacja czstotliwoci.

W kadym okresie sygnau modulujcego warto chwilowa
czstotliwoci podlega nastpujcym zmianom:



136

Sygna w V 0 + 1 0 - 1 0
Czstotliwo w kHz 1000 1010 1000 990 1000

Jest to zaleno liniowa. Amplituda napicia modulujcego okrela warto
dewiacji czstotliwoci f
d
, czyli jej odchylenia od czstotliwoci nonej. Przy
amplitudzie sygnau 1 V dewiacja wynosi 10 kHz (np. dla 2 V wynosi 20
kHz, dla 0,5 V wynosi 5 kHz). Naley zwrci uwag, e f
d
jest mierzone w
jedn stron od czstotliwoci nonej, czyli nie jest to cakowita zmiana
czstotliwoci. Wartoci graniczne f
d
ustala si zalenie od zastosowa.
Wracajc do przykadu otrzymujemy przy czstotliwoci sygnau
modulujcego f
s
= 1 kHz i jego amplitudzie U
sm
= 1 V dewiacj czstotliwoci
10 kHz. Oznacza to, e czstotliwo przebiegu modulowanego zmienia si
1000 razy na sekund midzy 1010 kHz a 990 kHz. Jeeli amplituda sygnau
modulujcego pozostanie 1 V, natomiast jego czstotliwo zmieni si z 1
kHz na 2 kHz, to warto dewiacji pozostanie taka sama, ale czstotliwo
przebiegu modulowanego bdzie si teraz zmienia midzy 1010 kHz a 990
kHz nie 1000 razy, lecz 2000 razy na sekund. Mona zauway, e
czstotliwo sygnau modulujcego jest czstotliwoci zmian czstotliwoci
wyjciowej.
W celu powizania tych dwch poj otrzymujemy wskanik
modulacji:

s
d
f
f
f
m = ;

W omawianym przykadzie:
10
1
10
= =
kHz
kHz
m
f
.

Dwie graniczne wartoci, czyli maksymalna dopuszczalna warto
czstotliwoci modulujcej i maksymalna dopuszczalna dewiacja okrelaj
pewn warto wskanika modulacji. Warto ta nazywana jest
wspczynnikiem dewiacji.
Gdy warto wspczynnika dewiacji jest wiksza od jednoci, mamy wtedy
do czynienia z szerokopasmow modulacj czstotliwoci, a gdy
wspczynnik jest mniejszy od jednoci, wtedy mamy wskopasmow
modulacj czstotliwoci.

Aby mc stworzy obraz modulacji czstotliwoci oraz zestawi
odpowiedni obraz wskazowy, naley dokona przeksztace matematycznych,



137
ktre pozwol przedstawi przebieg o modulowanej czstotliwoci jako sum
przebiegu nonego i wstg bocznych.
Oglne rwnanie przebiegu sinusoidalnie zmiennego ma posta:

t U u
m 0 0
cos = ;

Przy modulacji czstotliwoci, czstotliwo chwilowa jest funkcj f
0
, f
d
, f
s
,
U
sm
. Poniewa wskanik modulacji m
f
wie ze sob f
d
, f
s
i U
sm
, dlatego te
mona zmniejszy liczb zmiennych do f
0
, f
s
i m
f
.
Rwnanie czstotliwoci chwilowej f przebiegu o modulowanej
czstotliwoci mona zapisa w nastpujcy sposb:

t f f f f
s d
2 cos
0
+ = ;

t f f f f
s d
2 cos 2 2 2
0
+ = ;

t
s d
cos
0
+ = ;

Po odpowiednich przeksztaceniach matematycznych

( ) ( ) [ ] ( ) [ ]
( ) t m t U
t t U dt t U dt t U t u
s f m
s
s
d
m s d m m

sin cos
sin cos cos cos cos
0 0
0 0 0 0 0
+ =
=
|
|

\
|
+ = + = =

;

wyraenie na mona wykorzysta do sformuowania nastpujcego
wyraenia na warto chwilow napicia:

( ) t m t U u
s f m
sin cos
0 0
+ = ;

lub
( ) t m t
U
u
s f
m
sin
0
0
+ = .

Korzystajc ze wzorw trygonometrycznych

( ) y x y x y x sin sin cos cos cos = + ;
otrzymujemy:
( ) ( ) t m t t m t
U
u
s f s f
m
sin sin sin sin cos cos
0 0
0
= .



138
Wyraenia cos (sin x) i sin (sin x), s skomplikowane i wymagaj specjalnych
metod analizy matematycznej. Gdy je zastosujemy, to otrzymujemy tak
posta rwnania:

( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( ) K + + +
+ + +
+ + +
+ =
t m I t m I
t m I t m I
t m I t m I
t m I
U
u
s f s f
s f s f
s f s f
f
m

3 cos 3 cos
2 cos 2 cos
cos cos
cos
0 3 0 3
0 2 0 2
0 1 0 1
0 0
0
(12.4)

Jak wida z rwnania (12.4), przy modulacji czstotliwoci powstaje wiele
prkw bocznych, a przy modulacji amplitudy powstaway tylko dwa. Przy
modulacji czstotliwoci prki boczne wystpuj parami. Istnieje wic grny
i dolny prek boczny odpowiadajcy czstotliwoci sygnau modulujcego,
dalej pary prkw odpowiadajce drugiej harmonicznej czstotliwoci
sygnau modulujcego, trzeciej harmonicznej, czwartej harmonicznej itd.
Podobnie jak przy modulacji amplitudy wystpuje tu skadnik o
czstotliwoci nonej, jest nim I
0
. Poniewa rwnanie okrela warto
stosunku
m
U
u
0
, suma wektorowa wspczynnikw skadowej nonej i
prkw bocznych musi by rwna jednoci. Wspczynniki I
0
(m
f
), I
2
(m
f
),
I
3
(m
f
),... poszczeglnych skadowych nosz nazw funkcji Bessela
pierwszego rodzaju. Indeks przy I oznacza rzd tych funkcji.
Dla modulacji czstotliwoci moemy zestawi wykres wskazowy.


Rys. 12.7. Wykres wskazowy obrazujcy modulacj czstotliwoci i fazy.

Przy rwnaniu (12.4) wykazano, e wektor R, wypadkowy skadowej nonej i
prkw bocznych, jest przy modulacji czstotliwoci wektorem o staej
dugoci. Dochodzimy do wniosku, e sygna modulujcy nie wywouje
zmian amplitudy przebiegu wyjciowego.
Jeeli przedstawimy wektor wypadkowy R w odniesieniu do wektora
przebiegu nie modulowanego OY (rys. 12.7), to miejscem geometrycznym
koca wektora R jest okrg koa. R wyprzedza lub opnia si w stosunku do
wektora skadowej nonej OY. Wektor OY wiruje z prdkoci ktow
0
,
natomiast wektor R ze zmieniajc si prdkoci ktow
i
. Gdy
i
jest
wiksze od
0
, to wektor R wyprzedza wektor OY. Natomiast gdy
i
jest
mniejsze od
0
, to wektor R opnia si wzgldem OY. Szybko zmian



139
prdkoci ktowej
i
jest zalena od pulsacji
s
sygnau modulujcego. W
kadej chwili istnieje pewien kt fazowy midzy wektorami R i OY. Jeeli
metoda modulacji przewiduje, e jest proporcjonalne do amplitudy sygnau
modulujcego U
sm
i e szybko zmian jest proporcjonalna do
czstotliwoci f
s
sygnau modulujcego, to taki rodzaj modulacji nazywamy
modulacj fazy. Modulacja fazy i czstotliwoci wystpuj z koniecznoci
jednoczenie. Aby wiedzie jaka jest modulacja naley zwrci uwag na to
czy zmiana czstotliwoci, czy te fazy jest proporcjonalna do sygnau
modulujcego.

12.4. MODULATORY CZSTOTLIWOCI (FM)

Zadaniem modulatora (FM) jest uzalenienie (najlepiej liniowe)
czstotliwoci sygnau nonego od wartoci chwilowej napicia wejciowego
(sygnau uytecznego) przy staej wartoci amplitudy sygnau nonego.
Najprostszym sposobem modulacji czstotliwoci jest sterowanie
czstotliwoci generatora sinusoidalnego za pomoc napicia. Jest to tzw.
metoda bezporednia. Przykad takiego modulatora pokazany jest poniej.

Rys. 12.8. Schemat modulatora FM.

Stanowi on odpowiednik generatora Meissnera. Rezystory R
1
i R
2
ustalaj
napicie bazy tranzystora, kondensator C
B
zawiera skadow zmienn
napicia na rezystorze R
2
do masy, zapewniajc schemat zastpczy tego
ukadu (dla skadowej zmiennej) waciwy dla generatora Meissnera.
Rezystor R
E
wprowadza ujemne sprzenie zwrotne dla skadowej staej
prdu emitera, stabilizujc jego warto. Funkcj kondensatora (C)
rwnolegego obwodu rezonansowego (w generatorze Meissnera) peni
kondensator o pojemnoci C
1
i poczona z nim szeregowo dioda
pojemnociowa o pojemnoci C
d
. Z definicji diody pojemnociowej wiemy,
e jej pojemno zmienia si w funkcji doprowadzonego napicia. W wyniku
dodania skadowej zmiennej napicia maej czstotliwoci (sygnau
uytecznego podawanego przez kondensator C
s
) uzyskuje si odpowiadajc



140
jej zmian pojemnoci, czyli zmian czstotliwoci rezonansowej
rwnolegego obwodu rezonansowego, a wic take odpowiadajc jej
zmian czstotliwoci generowanej przez ukad modulacj czstotliwoci
nonej. Aby zapewni liniowo zmian tej czstotliwoci w funkcji napicia
wejciowego, naley uy diody o odpowiedniej charakterystyce
pojemnociowo napiciowej.

12.5. DEMODULACJA

Demodulacja jest procesem odwrotnym do modulacji. Zadaniem
demodulatora jest przetworzenie sygnau podanego na wejcie, aby w jego
wyniku odzyska sygna (modulujcy) uyteczny (ktry zosta zakodowany
za pomoc modulacji) w zmodulowanym sygnale wejciowym.
W zalenoci od przyjtego rodzaju modulacji, naley zastosowa waciwy
typ demodulatora. Kady rodzaj modulacji ma tylko jeden waciwy sobie
rodzaj demodulacji, pozwalajcy odzyska znieksztacony sygna uyteczny
(modulujcy).
Sygnaem wejciowym dla demodulatora AM powinien by sygna
zmodulowany amplitudowo, ktry ma posta:

t A u
s 0
cos = ;

przy czym A warto chwilowa amplitudy sygnau zmodulowanego amplitudowo,

0
pulsacja sygnau nonego.

Zadaniem demodulatora AM jest wytworzenie sygnau wyjciowego,
ktry bdzie proporcjonalny do wartoci chwilowej amplitudy sygnau
zmodulowanego (tzn. w wierny sposb odwzorowujcego ksztat obwiedni
sygnau zmodulowanego amplitudowo).
Na rysunku 12.9b przedstawiono charakterystyk napicia wyjciowego w
funkcji amplitudy chwilowej przebiegu wejciowego demodulatora AM z
rys.12.9a.
Na rysunku 12.9c i d przedstawiono przykadowy przebieg napicia
wejciowego i odpowiadajcy mu ksztat przebiegu napicia wyjciowego.














141
a)






b)








c)

d)
Rys. 12.9. Demodulator AM.
a) symbol, b) charakterystyka, c) przykadowy sygna wejciowy,
d) odpowiadajcy mu sygna wyjciowy.




Rys. 12.10. Prosty dekoder diodowy i filtr.

Sygnaem wejciowym dla demodulatora FM powinien by sygna
zmodulowanego czstotliwociowo, czyli sygna ktry ma powsta:
[ ] Ft U u
m s
2 cos
0
= ;
U
wy
A(t)
0
Demodulator
AM
U
wy
U
we



142
przy czy F jest wartoci chwilow czstotliwoci.

Zadaniem demodulatora FM jest wytworzenie sygnau wyjciowego,
ktry bdzie proporcjonalny do chwilowej wartoci czstotliwoci sygnau
zmodulowanego czstotliwociowo.
Na rysunku 12.11b przedstawiono charakterystyk napicia wyjciowego w
funkcji czstotliwoci chwilowej przebiegu wejciowego demodulatora FM z
rys.12.11a. Na rysunku 12.11c i d przedstawiono przykadowy przebieg
napicia wejciowego i odpowiadajcy mu ksztat przebiegu napicia
wyjciowego.

a)




b)

















d)



Rys. 12.11. Demodulator FM.
a) symbol, b) ) charakterystyka, c) przykadowy sygna wejciowy,
d) odpowiadajcy mu sygna wyjciowy.
F(t)

U
wy
0
Demodulator
FM
U
wy
U
we
c)



143
Rozdzia XIII. UKADY ZASILAJCE

Wikszo ukadw elektronicznych, dla waciwego spenienia
funkcji, wymaga zasilania. Najdogodniejsze jest zasilanie wprost z sieci
elektroenergetycznej, bezporednio lub za porednictwem transformatora.
Znaczna cz urzdze wymaga zasilania napiciem staym, dlatego te
stosujemy zasilacze napicia (prdu) staego. Napicie stae jest wytwarzane
przez ukad elektroniczny zwany zasilaczem. Zasilacz przetwarza napicie
przemienne sieci zasilajcej na napicie stae o ustabilizowanej wartoci.
Schemat funkcjonalny prostego zasilacza przedstawiono na rysunku
13.1. Ukad taki skada si z: transformatora sieciowego, prostownika i filtru.
Transformator sieciowy obnia znacznie napicie zmienne podawane na
prostownik. Prostownik zmienia prd zmienny na prd jednokierunkowy. W
prostowniku wykorzystuje si elementy elektronowe, charakteryzujce si
jednokierunkowym przewodzeniem prdu. S to najczciej diody lub
tyrystory.
Dziki temu napicie przemienne jest przetwarzane na napicie ttnice o
skadowej staej rnej si od zera. Po odfiltrowaniu ttnie przez filtr
uzyskuje si w odbiorniku dan warto napicia i prdu staego. Czsto
stosuje si rwnie ukady zabezpieczajce elementy prostownicze przed
przecieniami i przepiciami. W zasilaczach stabilizowanych pomidzy
filtrem a odbiornikiem znajduje si stabilizator napicia lub prdu staego.
Zakres mocy zasilaczy napicia staego jest bardzo szeroki od kilku watw
do kilkuset kilowatw.










Rys. 13.1. Schemat funkcjonalny zasilacza napicia staego.

Filtr przepuszcza na wyjcie skadow sta pulsujcego prdu
jednokierunkowego i tumi skadow zmienn. Najczciej jest to filtr RC
zbudowany z kondensatora o duej pojemnoci doczonego rwnolegle do
rezystancji obciajcej prostownik. Warto pojemnoci tego kondensatora
naley tym wiksz, im wiksza jest przewidywana warto prdu obcienia.
Kondensator wraz z rezystancj ukadu prostownika i rezystancj wejciow
Sie
Transfor
- mator

Prosto
- wnik

Filtr
Stabili
- zator
U
0
R
0
U
2
U
1



144
obcienia stanowi filtr, zwykle dostatecznie tumicy ttnienia napicia
wyjciowego. Zmniejszenie ttnie napicia uzyskuje si w stabilizatorze.

13.1. PROSTOWNIKI

Prostownik stosuje si przede wszystkim w odniesieniu do ukadw
przeksztacajcych prd zmienny w prd stay.
W zalenoci od struktury i liczby faz zasilajcego napicia
przemiennego, prostowniki dzielimy na:
- jednofazowe;
- wielofazowe (np. trjfazowe).

Jeli napicie podlega prostowaniu w czasie jednego tylko pokresu kadej z
faz, to taki prostownik nazywamy jednopowkowym (pfalowym). Jeeli
natomiast napicie jest prostowane w czasie obu pokresw, to taki
prostownik nazywamy dwupowkowym (caofalowym).

Biorc pod uwag charakter obcienia, rozrnia si prostowniki:

- z obcieniem rezystancyjnym;
- z obcieniem pojemnociowym;
- z obcieniem indukcyjnym.

Wielkoci charakteryzujce prostownik:

- sprawno napiciowa
u
stosunek napicia wyjciowego do
napicia na wejciu prostownika;
- sprawno energetyczna
p
stosunek mocy wydzielanej w
obcieniu do mocy rda;
- wspczynnik ttnie k
t
stosunek wartoci skutecznej skadowej
zmiennej napicia wyjciowego do wartoci skadowej staej
napicia na wyjciu prostownika;
- rezystancja wyjciowa;
- wspczynniki ksztatu: K
1
stosunek wartoci skadowej staej
napicia wyjciowego do jego wartoci szczytowej, K
2
stosunek
wartoci skutecznej napicia wyjciowego do jego wartoci
szczytowej;
- maksymalne napicie wsteczne.

O jakoci prostownika decyduje jego sprawno napiciowa i energetyczna
oraz wspczynnik ttnie i rezystancja wyjciowa. Warunki natomiast w
jakich pracuje element nieliniowy okrelaj wspczynnik ksztatu prdu i
maksymalne napicie wsteczne.



145
13.2. PROSTOWNIK JEDNOPOWKOWY

Prostownikiem jednopowkowym nazywamy taki prostownik, w
ktrym po procesie prostowania pozostaj tylko te czci przebiegu, ktre s
jednego znaku a czci przeciwnego znaku pozostaj wyeliminowane. Na
rysunku 13.2 pokazany jest prostownik jednopowkowy sterowany sygnaem
sinusoidalnym. Elementem zaczajcym prd jest dioda pprzewodnikowa.
Dioda przewodzi tylko dla dodatnich powek przebiegu wejciowego, gdy
tylko wwczas napicie dodatnie na jej anodzie jest wiksze ni potencja
katody. Dioda przewodzi wtedy, gdy napicie E
G
> U
F
. Na wyjciu ukadu
otrzymuje si napicie:

F we wy
U U U = ;

Gdy napicie E
G
< U
F
, wtedy dioda nie przewodzi a napicie wyjciowe jest
rwne zero.

a) b)


Rys.13.2. Prostownik jednopowkowy.
a) schemat, b) przebiegi napi i prdu w ukadzie.

Prostownik jednopowkowy przewodzi prd w jednym kierunku (dodatnim).
Podstawowe parametry tego prostownika wyznacza si z nastpujcych
wzorw:

0
1
1 1
R
r
u
+
=

;
0
2
1
1 4
R
r
P
+
=

;

32 , 0
1
1
=

K ;
2
1
2
= K .

Poniewa rezystancja diody w kierunku przewodzenia r << R
0
, to
R
0
U
wy
U
we
D
U
F
i



146
2
4

=
P
;

21 , 1 1
4
2
=

t
k .

Ze wzgldu na due ttnienia i ma sprawno energetyczn, prostownik ten
jest rzadko stosowany.
W celu zmniejszenia ttnie oraz zwikszenia wydatkowania energii, w
obcieniu prostownika stosuje si elementy, ktre magazynuj energi w
czasie T. Na rysunku 13.3 przedstawiono prostownik jednopowkowy z
obcieniem rezystancyjno pojemnociowym. Przy odpowiednio dobranej
wartoci pojemnoci utrzymuje si na wyjciu napicie o wartoci zblionej
do wartoci szczytowej napicia wejciowego. Dlatego te taki prostownik
nazywamy prostownikiem szczytowym. Prd i
D
w tym ukadzie pynie tylko
w czasie T doadowania pojemnoci. Przebiega to krcej ni przy obcieniu
rezystancyjnym. Parametry ukadu zale od staych czasowych adowania

i rozadowania
r
. Du sta czasow
r
uzyskuje si przy duych
rezystancjach obcienia. Jeeli

maleje, to adowanie kondensatora odbywa

si szybciej, ttnienia malej. Skadowa staa napicia wyjciowego wzrasta.
Jeeli
r
wzrasta, to rozadowanie kondensatora przebiega wolniej, ttnienia
take malej. Napicie na kondensatorze dy do wartoci szczytowej
napicia zmiennego

a) b)

Rys. 13.3 Prostownik jednopowkowy z obcieniem rezystancyjno pojemnociowym.
a) schemat, b) przebiegi napi i prdu w ukadzie.

13.3. PROSTOWNIK DWUPOWKOWY

Prostownikiem dwupowkowym nazywamy taki prostownik, w
ktrym po procesie prostowania pozostaj czci przebiegu, ktre s tego
samego znaku i dodaj si do nich po zmianie znaku czci, ktre miay
znak przeciwny. Prostowniki dwupowkowe charakteryzuj si lepszymi
parametrami. W ukadach tych pynie prd przez obcienie R
0
praktycznie
R
0
U
wy
U
we
D
i
D
C



147
przez cay czas w jednym kierunku. Rozwizanie prostownikw
dwupowkowych realizuje si w dwch wersjach:
- z wyprowadzonym rodkiem uzwojenia wtrnego transformatora
(rys.13.4a);
- z diodami w ukadzie Graetza (rys.13.4b).

a) b)

Rys. 13.4. Prostownik dwupowkowy.
a) ukad z transformatorem, b) ukad Graetza.

W ukadzie z transformatorem, przy dodatniej powce wejciowego
przebiegu sinusoidalnego prd pynie przez diod D
1
i obcienie R
0
, a przy
ujemnej - prd pynie przez diod D
2
i obcienie R
0
. Przy powce dodatniej
napicia na uzwojeniu wtrnym mamy sytuacj, w ktrej dioda D
1
przewodzi
a dioda D
2
nie przewodzi. Przy powce ujemnej napicie dodatnie wystpuje
na diodzie D
2
, ktra wwczas przewodzi, natomiast nie przewodzi dioda D
1
,
ktra jest spolaryzowana wstecznie.
W ukadzie mostka Graetza przy dodatniej powce wejciowego przebiegu
sinusoidalnego prd pynie od zacisku 1 przez diod D
1
, obcienie R
0
i diod
D
3
do zacisku 2, natomiast przy ujemnej prd pynie od zacisku 2 przez diod
D
2
, obcienie R
0
i diod D
4
do zacisku 1. W obu ukadach prd pynie przez
obcienie w jednym kierunku i ma charakter pulsujcy. Prostownik
dwupowkowy w ukadzie mostka Graetza jest najczciej stosowanym
ukadem prostowniczym.
Podstawowe parametry charakteryzujce prostownik dwupowkowy
okrelane s na podstawie poniszych wzorw:

0
2
1
1 2
R
r
u
+
=

;
0
2
2
1
1 8
R
r
P
+
=

;

64 , 0
2
1
=

K ; 71 , 0
2
1
2
= = K ; 48 , 0 1
8
2
=

t
k .

Obydwa ukady maj wikszo parametrw identycznych. Jednake w
ukadzie mostkowym napicie wsteczne na kadej diodzie jest dwukrotnie



148
mniejsze, co umoliwia zastosowanie diod o mniejszym dopuszczalnym
napiciu wstecznym. Ukad zapewnia te lepsze wykorzystanie mocy
transformatora. Wad jest konieczno uywania czterech diod.

a) b)


Rys. 13.5. Schemat prostownika dwupowkowego.
a) z obcieniem rezystancyjno pojemnociowym oraz jego przebieg napi i prdw w
ukadzie, b) z obcieniem rezystancyjno indukcyjnym.

W celu poprawienia parametrw prostownikw stosuje si obcienia
rezystancyjno pojemnociowe (rys.13.5a) i rezystancyjno indukcyjne
(rys.13.5b). obcienie rezystancyjno indukcyjne stosuje si w
prostownikach duej mocy. Wspczynnik ttnie przy tym obcieniu
wynosi:

2 3
0
L
R
k
t

= ;
gdzie:
- pulsacja napicia wejciowego.

Aby uzyska przebieg wyjciowy o jak najmniejszych ttnieniach, naley
uywa cewek o jak najwikszej indukcyjnoci. Cewka wraz z rezystancj
obcienia stanowi filtr dolnoprzepustowy RL, ktry tumi skadow zmienn
napicia wyjciowego.

13.4. DOBR DIOD PROSTOWNICZYCH STOSOWANYCH W
PROSTOWNIKACH.

Przed doborem rodzaju pprzewodnikowych diod prostowniczych do
danego typu prostownika, naley najpierw okreli, jaka bdzie czstotliwo
przebiegu wejciowego oraz warto natenia prdu, ktry bd one
przewodzi.

Ze wzgldu na czstotliwo pracy diody prostownicze dzieli si na:



149
standardowe pracujce przy czstotliwoci f 400 Hz;
szybkie pracujce przy czstotliwoci f 200 kHz;
Schottkyego pracujce w ukadach w.cz.

Ze wzgldu na warto prdu pyncego przez diody i moc rozpraszan w
nich, rozrnia si diody prostownicze:
maej mocy o prdzie przewodzenia I
F
< 1 A (zwykle nie wymagaj
dodatkowego chodzenia za pomoc radiatorw);
redniej mocy o prdzie I
F
= 1 10 A (zwykle wymagaj
radiatorw);
duej mocy o prdzie I
F
> 10 A.

Diody prostownicze niekiedy czy si szeregowo lub rwnolegle (rys. 13.6).

a) b)













Rys. 13.6. czenie diod.
a) szeregowe, b) rwnolege.

Szeregowe czenie diod stosuje si wwczas, gdy chcemy uzyska
wiksz warto napicia wstecznego ukadu prostujcego (w porwnaniu z
ukadem pojedynczych diod). Zwykle wtedy do kadej diody docza si
rwnolegle rezystory o jednakowej (duej) wartoci, celem wyrwnania
napi wstecznych w diodach.
Rwnolege czenie diod stosuje si wwczas, gdy chcemy uzyska
wiksz warto prdu przewodzenia. Poniewa jednak charakterystyki
prdowo - napiciowe diod s rne, to nie czy si bezporednio rwnolegle
samych diod, lecz ukady szeregowe poczonych rezystorw i diod (rys.
13.6a). Poczenie takie stosuje si rzadko, gdy zazwyczaj nie ma problemu
z doborem diod o odpowiednim prdzie przewodzenia.

R
R
R
D
D
D
R
R
R
D
D
D



150
13.5. PROSTOWNIK TYRYSTOROWY

Prostowniki tyrystorowe (rys. 13.7) s stosowane w ukadach
zasilajcych wielkiej mocy, w ktrych zmniejszenie napicia wyjciowego
odbywa si bez strat na elementach rezystancyjnych. Ukad jest zasilany
napiciem sinusoidalnie zmiennym. W czasie ujemnej powki przebiegu
wejciowego tyrystor nie przewodzi prdu; napicie wyjciowe jest rwne
zeru. Przy dodatniej powce natomiast przez tyrystor popynie prd dopiero
wtedy, gdy na jego bramk bdzie podany sygna z generatora sterujcego
(sygna ten musi by zgodny w fazie z przemiennym napiciem wejciowym).
Prd przestaje pyn przez tyrystor (i przez obcienie) po zmianie
polaryzacji napicia wejciowego. Zmieniajc pooenie pocztku impulsu
sterujcego wzgldem czasu przejcia przebiegu wejciowego przez zero,
mona zmienia czas przepywu prdu przez obcienie za jeden okres
sinusoidy, czyli zmienia warto mocy przekazywanej do obcienia. Aby
wytumi ttnienia napicia wyjciowego, czy si szeregowo rezystancj
obcienia z cewk, tworzc filtr dolnoprzepustowy RL. Prostowniki z
tyrystorami s stosowane gwnie w urzdzeniach energetycznych.

a) b)

Rys. 13.7. Prostownik tyrystorowy.
a) schemat, b) przebiegi napi i prdu w ukadzie.

13.6. STABILIZATORY

Stabilizatorem napicia lub prdu staego nazywamy ukad, ktrego
zadaniem jest utrzymywania staej, cile mwic prawie staej wartoci
napicia lub prdu wyjciowego, przy okrelonych granicach zmian napicia
zasilajcego, obcienia oraz czynnikw zewntrznych, np. temperatury,
cinienia, wilgotnoci, czasu itd. Stabilizatory obecnie nale do najbardziej
rozpowszechnionych ukadw elektronicznych. W poczeniu z
prostownikiem i filtrem (zasilaczem sieciowym) tworz one zasilacze
stabilizowane kalibratory zarwno o charakterze lokalnym, dostarczajce
okrelone napicia (prdy) innym ukadom, jak i stanowice oddzielne



151
przyrzdy bdce wzorcowymi rdami. S czsto wykorzystywane jako
integralne czci bardziej rozbudowanych ukadw elektronicznych.

Stabilizator napicia powinien by praktyczn realizacj idealnego
rda napicia, a stabilizator prdu idealnego rda prdu. Parametry
rzeczywistych stabilizatorw rni si od rde idealnych. W przyblieniu
mona przyj, e napicie wyjciowe U
wy
stabilizatorw napicia jest
funkcj napicia wejciowego U
we
, prdu wyjciowego (obcienia) i
temperatury T

( ) T I U f U
wy we wy
, , = ;

Prd wyjciowy stabilizatora I
wy
stabilizatorw prdu jest funkcj napicia
wejciowego, napicia wyjciowego i temperatury

( ) T U U f I
wy we wy
, , = ;









Rys. 13.8. Schemat stabilizatora sygnaw staoprdowych.

Parametry stabilizatorw:

znamionowe napicie wyjciowe napicie, na jakie zosta
zaprojektowany stabilizator;
zakres regulacji napicia wyjciowego;
zakres regulacji napicia wejciowego odpowiadajcy
poprawnej pracy stabilizatora;
zakres zmian prdu wyjciowego zakres prdu wyjciowego
odpowiadajcy znamionowemu napiciu wyjciowemu;
wspczynnik stabilizacji S stosunek zmian napicia
wyjciowego do wywoujcej j zmiany napicia wejciowego
(stabilizacja jest tym lepsza, im mniejszy jest wspczynnik
stabilizacji);
rezystancja wyjciowa stosunek zmiany napicia wyjciowego
do zmiany prdu wyjciowego;


Stabilizator
I
we
I
wy
U
wy
U
we



152
zakres stabilizacji zakres poprawnej pracy ukadu, czyli zakres
zmian napicia wejciowego i odpowiadajcy mu zakres zmian
napicia wyjciowego.

13.7. STABILIZATOR Z DIOD ZENERA

Najprostszym ukadem stabilizacji napicia jest stabilizator z diod
Zenera. Znalaz on zastosowanie w prostych zasilaczach lub jako rdo
napicia odniesienia. Ukad stabilizatora napicia z diod Zenera
przedstawiono na rys.13. 9.

Rys.13.9. Stabilizator z diod Zenera.
a) schemat, b) zakres napicia wyjciowego w funkcji zmian napicia wejciowego, c)
zakres zmian napicia wyjciowego w funkcji zmian prdu obcienia.


Napicie wyjciowe jest napiciem na diodzie Zenera

V U U
Z wy
1 , 9 = = .
Poniewa



153
Z we
U IR U + = , std IR U U
we wy
= .

Na rys. 13.9b przedstawiono charakterystyk robocz stabilizatora przy braku
obcienia (I
wy
= 0). Dla napicia wejciowego U
we
= U
we1
wyrysowano
prost o nachyleniu proporcjonalnym do wartoci rezystancji R. Przecicie si
prostej z charakterystyk diody Zenera wyznacza punkt pracy diody (U
Z1
, I
Z1
).
Napicie wyjciowe jest rwne U
wy
= U
Z1
. Jeeli napicie wejciowe
zwikszymy o U
we
, to punkt pracy zmieni si (U
Z2
, I
Z2
). Zwikszenie
wartoci napicia wejciowego powoduje wzrost prdu I oraz wzrost prdu
diody i napicia wyjciowego. Zmiana napicia wejciowego U
we
powoduje
duo mniejsz zmian wartoci napicia wyjciowego U
wy
(U
we
>>

U
wy
)wok ustalonej wartoci U
Z
. Uzyskuje si w taki sposb stabilizacje
napicia wyjciowego od zmian napicia wejciowego. W ukadzie tym
ttnienia napicia wejciowego s przekazywane na wyjcie jako wielokrotnie
mniejsze.

Analiza pracy stabilizatora pokazanego na rysunku 13.9.

Przyjmujemy wartoci elementw: R =200 , U
Z
= 9,1 V.
Zakadamy, i napicie wejciowe niestabilizowane jest rwne 17 V, prd
pyncy przez diod Zenera jest rwny I
Z
= 25 mA.
Napicie wyjciowe jest napiciem na diodzie Zenera U
wy
= U
Z
= 9,1 V.
Przez rezystor pynie prd

mA
R
U U
I
Z we
5 , 39 =

= ;

a przez obcienie pynie prd I
wy
= I I
Z
= 14,5 mA.

Na rysunku 13.9c pokazane jest jak zmienia si punkt pracy diody Zenera
wraz ze zmianami prdu obcienia I
wy
w zakresie wartoci 10 mA. W tej
analizie przyjmujemy, e prd pyncy przez rezystor nie zmienia si.
Jeeli prd obcienia zwikszy si o 10 mA, to o t warto zmniejszy si
prd pyncy przez diod. Jeeli prd pyncy przez obcienie bdzie
zmniejszony o 10 mA, to o t warto zwikszy si prd pyncy przez diod.
Zmiana prdu obcienia przeniesie si na diod, a napicie wyjciowe
zmieni si w przyblieniu o I * r
Z
(r
Z
rezystancja dynamiczna diody
Zenera).
Przy pomocy charakterystyki prdowo napiciowej diody Zenera moemy
wyprowadzi wzory opisujce parametry stabilizatora.

Prd pyncy przez diod w czasie stabilizacji:



154

Z
Z wy
Z
r
U U
I

= ;

Prd i napicie wyjciowe ukadu maj posta:

0
R
U
I
wy
wy
= ; R I R I U
Z wy wy
;

Z powyszych rwna wyznaczamy zaleno napicia wyjciowego od
napicia wejciowego:

Z
Z
Z
wy we
r
R
U
r
R
R
R
U U
|
|

\
|
+ + =
0
1 ;

Wspczynnik stabilizacji ma posta:

Z wy
we
r
R
R
R
U
U
S + + =

=
0
1 ; (13.1)

Rezystancj wyjciow stabilizatora okrela si tak samo jak w innych
ukadach:

Z wy
r R r = .

Zakres poprawnej pracy stabilizatora diodowego okrelaj skrajne pooenia
punktu pracy na charakterystyce. Napicie wyjciowe jest zawsze rwne w
przyblieniu napiciu Zenera U
Z
. Minimalna warto prdu diody nie
powinna si znajdowa na zakrzywionej czci charakterystyki, poniewa
nastpiby wzrost rezystancji dynamicznej diody.

max
min
min wy
Z we
Z
I
R
U U
I

= ; (13.2)

maksymalny prd diody jest ograniczony maksymaln moc P
Dmax
, jaka moe
wydzieli si w diodzie, nie powodujc jej uszkodzenia. Pynie on przy
minimalnym prdzie obcienia, ale przy maksymalnym napiciu
wejciowym.
( )
Z Z Z Z D
r I U I P + =
max max max
; (13.3)

( )
min
max max
max wy
Z Z Z we
Z
I
R
I r U U
I
+
= ; (13.4)



155

13.8. STABILIZATOR ZE SPRZENIEM ZWROTNYM

Stabilizatory ze sprzeniem zwrotnym maj lepsze parametry ni
stabilizatory diodowe. Cz napicia wyjciowego jest porwnywana z
wzorcowym napiciem odniesienia U
o
. Gdy napicia te nie s rwne,
wwczas ich rnica po wzmocnieniu dziaa na ukad regulacyjny, zmieniajc
jego rezystancj w taki sposb, aby zmiana spadku napicia na nim
przeciwdziaaa zmianie napicia stabilizowanego. Ukad regulacyjny stanowi
najczciej odpowiedni tranzystor lub zestaw tranzystorw. Moe on by
poczony szeregowo lub rwnolegle z obcieniem. W zwizku z czym
rozrnia si :
stabilizatory szeregowe rys.13.10a;
stabilizatory rwnolege rys. 13.10b.

a)









b)










Rys.13.10. Schematy funkcjonalne stabilizatorw o dziaaniu cigym.
a) szeregowego, b) rwnolegego.

W stabilizatorze szeregowym ukad regulujcy zmienia warto prdu
pyncego przez obcienie (I I
wy
) tak, aby utrzyma na wyjciu sta
warto napicia U
wy
. Ukad porwnujco wzmacniajcy moe by
realizowany na wzmacniaczu operacyjnym. Ze wzgldu na to, e ukad jest
czci skadow obwodu ujemnego sprzenia zwrotnego, bdzie dy do
wyrwnania napi U
o
i U
P
podawanych na jego wejcia. W wyniku tego
napicie wyjciowe U
wy
bdzie miao sta warto. Jeeli na przykad
Ukad
regulujcy
Ukad
porwnujco -
wzmacniajcy
Ukad
pomiarowy
rdo
napicia
odniesienia
U
p
R
o U
wy
U
we
I
wy
U
o
I
Ukad
porwnujco -
wzmacniajcy
Ukad
pomiarowy
rdo
napicia
odniesienia
R
o U
wy
U
we
I
wy I
Ukad
regulujcy
I
R
R
S



156
napicie wyjciowe wzronie o warto U, to sygna bdu wzronie o
warto U
1
U, i po wzmocnieniu tak wysteruje element regulacyjny, e
warto napicia wyjciowego zmniejszy si o U. Im wiksze bdzie
wzmocnienie tego rzeczywistego ukadu, z tym wiksz dokadnoci
napicie wyjciowe bdzie rwne zaoonej (tym lepsza bdzie stabilizacja
napicia wyjciowego).
W stabilizatorach szeregowych napicie wyjciowe jest stabilizowane
zarwno przy zmianach napicia wejciowego, jak i prdu obcienia. Wad
tych stabilizatorw jest brak zabezpieczenia ukadu regulacyjnego przed
przecieniem lub zwarciem na wyjciu. Zmusza to do stosowania
dodatkowych elementw zabezpieczajcych.
W stabilizatorze rwnolegym przy staym napiciu U
we
warto prdu I
jest staa, a ukad regulacyjny zmienia warto prdu I
R
tak, aby prd
wyjciowy (I
wy
I I
R
) przepywajcy przez obcienie R
o
powodowa
spadek napicia o wartoci U
wy
. Rezystor szeregowy R
S
separuje napicie
niestabilizowane U
we
od napicia stabilizowanego U
wy
. Wzrost napicia U
we

powoduje zwikszenie prdu I oraz spadku napicia na rezystorze R
S
, tak aby
U
wy
= const. Ukad ten jest rzadziej stosowany ze wzgldu na wiksz warto
mocy wydzielon w stabilizatorze. Jedyn ich zalet jest naturalne
zabezpieczenie elementu regulacyjnego przed przecieniem. Do wad
zaliczamy ma stabilno oraz niewielk sprawno, gdy niezalenie od
wartoci prdu obcienia pobieraj one z ukadu zasilajcego prd
znamionowy.

13.9. STABILIZATOR TRANZYSTOROWY

Rozrniamy dwa zasadnicze schematy stabilizatorw tranzystorowych:

schemat szeregowy,
schemat r wnolegy.

Napicie wyjciowe w obu ukadach ma tak sam warto i jest rwne
U
Z
U
BEP
. rdo napicia odniesienia stanowi dioda Zenera DZ z
rezystorem R
B
ustalajcym jej punkt pracy. Tranzystor jest elementem
regulacyjnym. Stabilizatory tranzystorowe charakteryzuj si tak sam
zalenoci zmian napicia wyjciowego od zmian napicia wejciowego
(niestabilizowanego) jak stabilizatory diodowe (patrz charakterystyka na rys.
13.9b).
W ukadach tych znacznie ograniczono (w porwnaniu ze stabilizatorem
diodowym) zakres zmian pooenia punktu pracy diody Zenera I
Z

spowodowanych zmian prdu obcienia, uzyskujc tym samym popraw
parametrw stabilizatora. Przyjmujc takie same zmiany prdu I
wy
, jak w



157
ukadzie diodowym z rys. 13.9, uzyskuje si w tym ukadzie mniejsze zmiany
napicia wyjciowego U
wy
, poniewa:

wy B Z
I I I << .

a) b)

c)


13.11. Stabilizatory tranzystorowe.
a) schemat ukadu szeregowego, b) schemat ukadu rwnolegego, c) zakres zmian
napicia wyjciowego w funkcji zmian prdu obcienia.

Zbadajmy zmian punktu pracy diody Zenera pod wpywem zmiany
napicia wyjciowego na przykadzie stabilizatora szeregowego (rys. 13.11c).
Dla porwnania przyjmijmy, e dioda ma taki sam punkt pracy, jaki
przyjlimy w analizie dziaania ukadu diodowego z rys. 13.9 (tzn. 9,1 V; 25
mA). Jeeli prd obcienia zwikszy si o 10 mA, to prd bazy tranzystora
zwikszy si kosztem prdu diody o -krotnie mniejsz warto. Gdy
zaoymy, e = 20, wwczas oznacza to zmian prdu bazy i prdu diody o
0,5 mA. Jeeli natomiast prd obcienia zmniejszy si o 10 mA, to prd bazy
tranzystora zmniejszy si kosztem prdu diody o -krotnie mniejsz warto.
Zmiana prdu bazy

wy
Z
I
I

= .



158

Wobec tego mona si spodziewa okoo -krotnie mniejszej zmiany napicia
wyjciowego w porwnaniu ze zmian w ukadzie diodowym. Rozwaania
powysze maj przybliony charakter, poniewa nie uwzgldniono zmian
napicia kolektor-emiter tranzystora wraz ze zmian prdu emitera. Dobrze
jednak odzwierciedlaj rnice w pracy stabilizatorw diodowych i
stabilizatorw tranzystorowych.
Warto rezystancji wyjciowej tranzystorowego ukadu szeregowego (rys.
13. 11a) oblicza si korzystajc ze spostrzeenia, e odpowiada ona
rezystancji wyjciowej wtrnika emiterowego:

'
' 1
eb
bb
Z
wy
g
r r
r +
+
=

.

Wspczynnik stabilizacji tego ukadu wynosi:

Z
B
r
R
S .

Warto rezystancji R
B
dobiera si ze wzgldu na zakadan warto prdu
Zenera I
Z
, pyncego przez diod:

Z
Z we
B
I
U U
R

.

W ukadzie rwnolegym (rys. 13.11b) rezystancja R ogranicza maksymaln
warto prdu obcienia, przy ktrej stabilizator pracuje poprawnie.
Tranzystor element regulacyjny ustala rozpyw prdu pyncego przez
rezystor R na prd kolektora i prd obcienia.
Jeeli w ukadzie tym napicie wejciowe wzronie o warto U
we
, to
spowoduje wzrost prdu przepywajcego przez diod Zenera. Pociga to za
sob zwikszenie napicia na tej diodzie. W pewnym uproszczeniu przyrost
napicia wejciowego jest dzielnikowany na rezystorze R
B
i rezystancji r
Z

diody Zenera:
B Z
Z
we Z
R r
r
U U
+
.
Poniewa warto R
B
>> r
Z
, zatem przyrost napicia na diodzie Zenera
U
Z
<< U
we
. Przyrost tego napicia jest przekazywany poprzez wtrnik
emiterowy na wyjcie.



159
B Z
Z
we wy
R r
r
U U
+
;

wy we
U U >> , poniewa
Z B
r R >> .

Ukady te zmniejszaj wyranie ttnienia napicia wejciowego, przekazujc
na wyjcie tylko niewielk jego cz.

13.10. ZABEZPIECZENIA STABILIZATORW

W stabilizatorach stosuje si dwie grupy zabezpiecze:

Nadnapiciowe suce do zabezpieczenia stabilizatora lub
ukadu obciajcego przed pojawieniem si niepodanego
napicia.
Nadprdowe suce do zabezpieczenia stabilizatora lub ukadu
obciajcego przed prdem o zbyt duej wartoci.

Elementy zabezpiecze nadnapiciowych to: kondensatory, diody.
Kondensatory s wczane na wejciach i wyjciach stabilizatorw.
Najczciej stosujemy kondensatory o pojemnoci 0,1 0,5 F.
Diody rwnie wczane s na wejciu i wyjciu stabilizatora oraz rwnolegle
do elementw regulacyjnych. Podczas normalnej pracy stabilizatora diody te
s spolaryzowane w kierunku zatkania. Su one do zabezpieczenia
stabilizatora i ukadu regulacyjnego przed zniszczeniem wskutek odwrotnego
wczenia wejciowego napicia niestabilizowanego lub przyczenia wyjcia
do napicia o odwrotnej polaryzacji.
Przy uszkodzeniu stabilizatorw, bdcych elementem rda zasilania,
czsto zdarza si, e napicie wejciowe stabilizatora przedostaje si na jego
wyjcie. Moe to spowodowa uszkodzenie ukadu zasilanego. Aby temu
zapobiec stosuje si zwieracze. Na rysunku 13.12 przedstawiono schemat
funkcjonalny stabilizatora szeregowego z zabezpieczeniami
nadnapiciowymi. Na wyjciu stabilizatora znajduje si ukad zwieracza
tyrystorowego zbudowany z rezystora R, diody Zenera DZ i tyrystora TY.
Jeeli napicie wyjciowe wzronie powyej wartoci U
Z
, to przez diod
Zenera popynie prd, co spowoduje zaczenie tyrystora i zwarcie napicia
wyjciowego do masy.



160

Rys. 13.12. Schemat funkcjonalny stabilizatora szeregowego z zabezpieczeniami
nadnapiciowymi.

Do zabezpiecze nadprdowych stosujemy bezpiecznik topikowy, ktry jest
umieszczony w obwodzie pierwotnym transformatora sieciowego i na wyjciu
stabilizatora. Zapewnia on skuteczn ochron przed zwarciem wyjcia
stabilizatora. Natomiast nie zapewnia on skutecznej ochrony przed wzrostem
prdu obcienia nieznacznie wikszym od wartoci nominalnej prdu
bezpiecznika, poniewa zanim zadziaaby bezpiecznik mgby ulec
uszkodzeniu.

Rys. 13.13. Schematy stabilizatorw z zabezpieczeniami nadprdowymi.
a) z ukadem zwikszajcym przecienie, b) z ukadem ograniczajcym prd obcienia,
charakterystyka tego ukadu, c) z ukadem ograniczajcym prd obcienia z
podciciem wraz z charakterystyk.
Zapobiega si to stosujc ukad zwikszajcy przecienie
bezpiecznika (rys.13.13a). Jeeli warto prdu obcienia wzronie powyej
wartoci nominalnej prdu bezpiecznika, to spadek napicia na rezystorze R
Z

wywoany przepywem tego prdu wyniesie U
BEP
. Spowoduje to zaczenie
tranzystora T
1
, a nastpnie zaczenie tyrystora TY i przepyw duego prdu



161
zwarcia. W konsekwencji uzyskuje si przypieszone przepalenie
bezpiecznika i odczenie stabilizatora od rda napicia wejciowego.
Podobnie dziaa ukad ograniczajcy prd obcienia stabilizatora
(rys.13.13b). Jeeli prd wyjciowy wzronie do wartoci I
wymax
, spowoduje to
spadek napicia na rezystorze R
S
do wartoci U
BEP
. Nastpi wwczas
zaczenie tranzystora T, ktry zmniejszy warto prdu sterujcego ukad
regulujcy, zapewniajc sta warto prdu obcienia. Jeli przy zaoonej
wartoci napicia wyjciowego U
wy
i wartoci rezystancji obcienia R
o
,
pynby prd I
wy
> I
wymax
, to ukad pracowaby jako stabilizator prdu
wyjciowego I
wymax
(patrz charakterystyka prdowo napiciowa
rys.13.13b).

Warto rezystancji R
S
wyznacza si z zalenoci:

max wy
BEP
S
I
U
R = ;

Modyfikacj tego ukadu wraz z jego charakterystyk z podciciem
przedstawiono na rys.13.13c. Tranzystor zabezpieczajcy T jest sterowany
rnic spadkw napi na rezystorach R
1
i R
Z
. Spadek napicia na rezystorze
R
1
jest proporcjonalny do napicia wyjciowego, a spadek napicia na
rezystorze R
Z
jest proporcjonalny do napicia obcienia.
Tranzystor T wczy si, gdy pod wpywem wzrostu prdu wyjciowego
(obcienia) rnica napi midzy baz a emiterem zwikszy si do wartoci
U
BEP
= U
B
U
E
.

wy E
U U = ; ( )
2 1
2
R R
R
R I U U
Z wy wy B
+
+ = ;
Przewodzenie tranzystora T powoduje mniejsze wysterowanie ukadu
regulacyjnego, czyli zmniejszenie napicia wyjciowego.
Nastpuje zmniejszenie napicia na bazie tranzystora, a co za tym idzie
wiksze wysterowanie tranzystora T, pogbiajc ten proces. Proces ten
koczy si ustaleniem prdu wyjciowego I
zw
(zwarcia), przy U
wy
= 0.
Ukady z podciciem charakterystyki realizuje si w celu zabezpieczenia
ukadu regulujcego przed uszkodzeniem termicznym. W wyniku
ograniczenia prdu wyjciowego, czyli po zadziaaniu zabezpieczenia,
uzyskuje si zmniejszenie mocy wydzielanej w ukadzie. Unika si w ten
sposb przegrzania, a take wydua si czas uytkowania stabilizatora.



162
Rozdzia XIV. Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-
analogowe.

14.1. PRZETWORNIKI C/A

Przetwornik cyfrowo-analogowy (ang. Digital-to-Analog Converter)
jest to ukad przetwarzajcy dyskretny sygna cyfrowy na rwnowany mu
sygna analogowy. Przetwornik ma n wej i jedno wyjcie. Liczba wej
zaley od liczby bitw sowa podawanego na wejcie przetwornika (np. dla
sowa trzybitowego trzy wejcia a
1,
a
2,
a
3
). Natomiast na jego wyjciu
pojawia si informacja analogowa (np. w postaci napicia). Napicie na
wyjciu przetwornika jest proporcjonalne do napicia odniesienia oraz do
liczby (n-bitowe sowo) zapisanej w kodzie dwjkowym. Warto tego
napicia mona obliczy korzystajc ze wzoru:

|

\
|
+ + + =
n
n
odn wy
a a a
U U
2 2 2
2
2
1
1
K ;


w ktrym: U
odn
napicie odniesienia, wspczynniki a
1
, ..., a
n
bity wejciowe
przyjmujce warto 0 lub 1.

Bit a
1
, jest nazywany najbardziej znaczcym bitem MSB (ang. Most
Significant Bit), bit a
n
najmniej znaczcym bitem LSB (ang. Least
Significant Bit). Znak napicia wyjciowego zaley od tego, czy przetwornik
C/A odwraca czy nie odwraca fazy.

Najwaniejszymi parametrami przetwornika C/A s:

rozdzielczo najmniejsza zmiana sygnau wyjciowego

n
odn
U
U
2
= ;

bd bezwzgldny najwiksza rnica midzy zmierzonym
napiciem wyjciowym a obliczonym z powyszego wzoru;
bd wzgldny stosunek bdu bezwzgldnego do wartoci
napicia odniesienia.

Na rysunku 14.1 przedstawiono idealn i rzeczywist charakterystyk
przetwornika C/A dla sowa trzybitowego.



163


Rys. 14.1. Charakterystyka przejciowa przetwornika C/A.
1 idealna, 2 rzeczywista.


Najprostsz konstrukcj przetwornika C/A jest ukad o przetwarzaniu
prdowym. Jest to wzmacniacz sumujcy zbudowany z uyciem
wzmacniacza operacyjnego (rys. 14.2a).
Napicie wyjciowe ukadu ma posta:

|

\
|
+ + + + =

R
a
R
a
R
a
R
a RU
U
n
n odn
wy
1
3 2 1
2 4 2 2
K ;

Jest ono rwne co do moduu spadkowi napicia na rezystorze czcym
wyjcie ukadu z wejciem odwracajcym wzmacniacza operacyjnego.
Warto napicia wyjciowego zaley od wartoci prdu pyncego przez ten
rezystor, regulowanej pooeniem przecznikw (kluczy). Pozycja lewa
przecznika odpowiada wartoci 0 danego bitu wejciowego, natomiast
pozycja prawa odpowiada wartoci l. Jeeli przecznik jest ustawiony w
lewej pozycji, to prd pyncy w tej gazi spywa do masy, natomiast jeeli
jest w prawej pozycji, to prd ten dodaje si do prdu pyncego przez
rezystor w ptli sprzenia, powodujc zwikszenie spadku napicia na nim, a
tym samym zwikszenie (co do moduu) wartoci napicia wyjciowego.
Przez rezystory doczone do kluczy pynie cay czas taki sam prd, bez
wzgldu na ich pozycj.





164


Rys. 14.2. Przetwornik C/A o przetwarzaniu:
a)prdowym, b) napiciowym.

Modyfikacj tego rozwizania jest ukad o przetwarzaniu napiciowym
pokazany na rys. 14.2b. Dziaa on na podobnej zasadzie. Zmieniajc
pooenie przecznikw, ustala si warto prdu pyncego w ptli
sprzenia zwrotnego wzmacniacza operacyjnego. Gdy przecznik jest
doczony do rda napicia odniesienia, wwczas przez rezystor pynie prd
(jak w ukadzie z przetwarzaniem prdowym). Gdy natomiast przecznik jest
poczony z mas, przez rezystor nie pynie prd. Warto napicia
wyjciowego oblicza si korzystajc ze wzoru obowizujcego dla ukadu z
rys. 14.2a.
Wad tego typu przetwornikw jest konieczno stosowania rezystorw o
znacznie rnicych si wartociach, np. jeli dla pierwszego bitu 8-bitowego
sowa wejciowego rezystancja wynosi 100 , to dla ostatniego 12,8 .
Powoduje to, e przez rezystor o najmniejszej wartoci pyn wzgldnie due
prdy, co znacznie zmniejsza niezawodno dziaania ukadu (zwiksza jego
awaryjno).

Wady tej nie ma przetwornik pokazany na rys. 14.3. Skada si on z
ukadu wtrnikw ( W1, W2, W3), ukadu sumujcego (W4), rda napicia
odniesienia oraz kluczy analogowych (P0, P1, P2) sterowanych wejciowym
sygnaem cyfrowym. Ustawienie wartoci (0 lub 1) bitu sowa sterujcego
powoduje doczanie lub odczanie ukadu sumujcego od rda napicia
U
odn
. Pozycja lewa przecznika odpowiada wartoci 0 danego bitu
wejciowego, natomiast pozycja prawa odpowiada wartoci 1. Wzmacniacze
W1, W2 i W3, pracujce jako wtrniki, daj na wyjciu napicia rwne



165
odpowiednio: poowie, jednej czwartej i jednej smej wartoci napicia
odniesienia.

Rys. 14.3. Przetwornik C/A zbudowany z wtrnikw.

Omwimy dziaanie tego przetwornika dla trzech sygnaw wejciowych:

l. Gdy b
0
, b
1
, b
2
= 000, wszystkie przeczniki s poczone z mas, a zatem
na wejciu ukadu sumujcego pojawi si napicie o wartoci zero.

0 =
wy
U .
2. Gdy b
0
, b
1
, b
2
= 010, na wejcie ukadu sumujcego jest podawane napicie
o wartoci
4
odn
U
poprzez przecznik P2 oraz napicie o wartoci zero
poprzez przeczniki P1 i P3.
4
odn
wy
U
U = .
3. Gdy b
0
, b
1
, b
2
= 111, na wejcia ukadu sumujcego jest podawane napicie
o wartoci
2
odn
U
, poprzez przecznik P1, napicie o wartoci
4
odn
U
,
poprzez przecznik P2 oraz napicie o wartoci
8
odn
U
, poprzez
przecznik P3.

odn wy
U U
8
7
= .



166
14.2. PRZETWORNIKI A/C

Przetwornik analgowo-cyfrowy (ang. Analog-to-Digital Converter)
przetwarza sygna analogowy na odpowiadajcy mu dyskretny sygna
cyfrowy. Jest to ukad o jednym wejciu i n wyjciach. Otrzymana w wyniku
przetwarzania liczba dwjkowa jest proporcjonalna do wartoci analogowego
sygnau wejciowego

|

\
|
+ + + =
n
n
odn we
a a a
U U
2 2 2
2
2
1
1
K .

Charakterystyk bezporedniego przetwornika A/C przedstawiono na rys.
14.4.



Rys. 14.4. Charakterystyka przejciowa przetwornika A/C.
1 idealna, 2 rzeczywista.

Przetworniki A/C charakteryzuj trzy podstawowe parametry:
czas konwersji (przetwarzania) czas, jaki upywa midzy
podaniem sygnau wejciowego rozpoczynajcego przetwarzanie a
pojawieniem si na wyjciu sygnau cyfrowego;
rozdzielczo definiowana tak jak dla przetwornika C/A

n
odn
U
U
2
= ;
n liczba bitw sowa wyjciowego;
bd kwantyzacji (
2
U
lub
2
LSB
) odchyka rzeczywistej
charakterystyki schodkowej od charakterystyki idealnej.



167
14.3. PODSTAWOWE CZONY PRZETWORNIKW

rda napicia odniesienia. Stabilno napicia odniesienia decyduje
o dokadnoci i stabilnoci przetwarzania. S to rda zawierajce diody
Zenera lub tranzystory o temperaturowej kompensacji napicia baza-emiter.

Klucze analogowe. Ich liczba zaley od rozdzielczoci przetwornika,
tzn. od liczby bitw sowa przetwarzanego (przetworniki C/A) lub od liczby
bitw sowa wyjciowego (przetworniki A/C). Od parametrw przecznikw
(rezystancja w stanie wczenia i wyczenia, czas wczenia) zaley
szybko i dokadno dziaania ukadu. Istnieje wiele rozwiza
przecznikw. Jedno z nich przedstawiono na rys. 14.5a. Jeeli napicie
wejciowe jest dostatecznie mae (mniejsze od napicia progowego), to
tranzystor T
1
przewodzi, a T
2
jest zablokowany.



Rys. 14.5. Schematy kluczy analogowych

Napicie wyjciowe jest wwczas rwne napiciu zasilania. Natomiast, jeeli
napicie wejciowe jest due (wiksze od napicia progowego), to tranzystor
T
2
przewodzi, a T
1
jest zablokowany. Napicie wyjciowe jest wwczas
rwne zeru (masa ukadu). Klucz ten moe zatem suy do przyczania
(poprzez swoje wyjcie) innego ukadu do rda napicia U
DD
lub do masy
(w zalenoci od wartoci napicia sterujcego). Inne rozwizanie pokazano
na rys. 14.5b. Ukad ten peni funkcj klucza czcego lub rozczajcego
dwa punkty I/O w zalenoci od wartoci napicia sterujcego. Gdy osiga
ona poziom wysoki, bramki tranzystorw T
1
i T
2
s tak wysterowane, e
rezystancja widziana midzy tymi punktami jest rzdu dziesitek omw.
Natomiast, gdy napicie sterujce ma poziom niski, tu rezystancja ta jest
rzdu megaomw. Tranzystory T
1
i T
2
odgrywaj rol sterowanych
rezystancji.

Wzmacniacze operacyjne. W przetwornikach s one stosowane jako
stopnie separujce, wzmacniajce, czony dodajce i odejmujce, integratory,
konwertery prd-napicie.

Komparatory (w przetwornikach A/C). Decyduj one o szybkoci i
dokadnoci przetwarzania. Graniczn liczb poziomw porwnania w danym



168
zakresie napi wejciowych determinuje zakres wzmocnienia komparatora
(U).

Ukady cyfrowe (bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, rejestry,
pamici).

Ukady prbkujco-pamitajce (gwnie w przetwornikach A/C).
Ich zadaniem jest pamitanie wartoci chwilowej napicia wejciowego przez
czas potrzebny do pomiaru tego napicia w przetworniku A/C.



169
BIBLIOGRAFIA

1. Barbara Piro: Podstawy elektroniki, cz I. Warszawa 1996.
2. Barbara Piro: Podstawy elektroniki, cz II. Warszawa 1997.
3. Andrzej Rusek: Podstawy elektroniki, cz I. Warszawa 1989.
4. Andrzej Rusek: Podstawy elektroniki, cz II. Warszawa 1989.
5. E. Norman Lurch: Podstawy techniki elektronicznej. Warszawa 1974.
6. Augustyn Chwaleba: Elektronika. Warszawa 1996.
7. Jerzy Chabowski: Elektronika w pytaniach i odpowiedziach. Warszawa
1982.
8. Laboratorium elektroniki pod red. Jana Piechy: Elementy i ukady liniowe.
Katowice 1979.
9. Marusak A: Urzdzenia elektroniki. WSiP. Warszawa 1987.
10. Encyklopedia Elektroniki. WNT. Warszawa 1983.
11. P. Horowitz, W. Hill: Sztuka elektroniki. Warszawa WKi 1995.
12. Opracowania wasne Wkady z elektroniki.