PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W .0. W PROWADZENIE DO PROGRAMU MULTISIM

w. 0 Wprowadzenie do programu MultiSIM

1. Cel wiczenia

Celem wiczenia jest zapoznanie si z programem MultiSIM sucym do symulacji dziaania ukadw elektronicznych. Jednoczenie zbadane zostan podstawowe elementy elektroniczne.

2.

Wymagane informacje

Podstawowe wielkoci elektryczne (natenie prdu, napicie, opr elektryczny, pojemno), podstawowe bierne elementy elektroniczne (rezystor, kondensator, potencjometr), prawo Ohma. Znajomo tych zagadnie jest warunkiem koniecznym do przystpienia do wiczenia i zrozumienia omawianych zagadnie. Student ma obowizek zapoznania si z wymaganymi informacjami.

3.

Wprowadzenie teoretyczne

Program MultiSIM jest symulatorem ukadw elektronicznych. Pozwala na zbadanie dziaania obwodu zbudowanego z wirtualnych elementw bez koniecznoci budowy rzeczywistego ukadu. Darmow wersj programu mona cign ze strony producenta (http://www.ni.com/multisim/). Program mona uruchomi poprzez dwukrotne kliknicie ikony (Rys.1) znajdujcej si na pulpicie lub wybranie odpowiedniej pozycji z menu Start.

Rys.1. Wygld ikony programu MultiSIM.

Rys.2 przedstawia wygld gwnego okna programu MultiSIM. Gwna plansza na oknie to pole, na ktrym naley rysowa schemat ukadu. Elementy potrzebne do konstrukcji ukadu mona znale wybierajc odpowiednie ikony w grnej czci okna lub wybierajc z menu Place Component i wyszukujc w odpowiedniej grupie elementw.

KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

STRONA 1

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.0. W PROWADZENIE DO PROGRAMU MULTISIM

Rys.2. Gwne okno programu MultiSIM.

Poniej elementw:

zebrane

ikony

najpotrzebniejszych

elementw

lub

grup

rda Elementy bierne Diody Tranzystory

Multimetr Oscyloskop Generator

Rozpoczcie/zatrzymanie symulacji, pauza

4.

Wykonanie wiczenia

4.1. Badanie rezystora Celem pierwszej symulacji bdzie analiza charakterystyki prdowonapiciowej I=f(U) rezystora. Aby zbada t zaleno naley sporzdzi odpowiedni schemat. Najpierw konieczne jest umieszczenie na schemacie badanego rezystora (Rys.3). Mona go znale w grupie elementw biernych. Po podwjnym klikniciu na symbol rezystora otworzy si okno z jego ustawieniami. Naley wybra odpowiedni warto rezystancji z Tabeli 1 (kady zesp laboratoryjny inn).
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 2

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W .0. W PROWADZENIE DO PROGRAMU MULTISIM

Rys.3. Wstawienie rezystora. Tabela 1. Wartoci rezystorw do wyboru przez poszczeglne zespoy.

Zesp A B C D E

Warto [] 100 500 1k 5k 10k

Napicie podawane na rezystor bdzie pochodzi ze rda napicia staego (DC). Naley ustawi jego warto na 12 V (Rys.4).

Rys.4. Wstawienie rda napicia.

KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

STRONA 3

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.0. W PROWADZENIE DO PROGRAMU MULTISIM

Kolejnym krokiem jest dodanie do schematu potencjometru (Rys.5). Jest to rezystor o zmiennej rezystancji mogcy pracowa jako regulowany dzielnik napicia. Za jego pomoc ustalane bdzie jaka cz napicia ze rda zasilania zostanie podana na badany rezystor. Pozycj suwaka potencjometru mona zmienia za pomoc myszy, bd wybranym klawiszem klawiatury.

Rys.5. Wstawienie potencjometru.

Ostatnim potrzebnym elementem jest rdo napicia sterowane napiciem (Rys.6.). Jest ono potrzebne aby zapewni izolacj pomidzy badanym rezystorem a pozosta czci ukadu. Mona je znale w menu Place Component w grupie Sources.

Rys.6. Wstawienie rda napicia sterowanego napiciem.

KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

STRONA 4

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W .0. W PROWADZENIE DO PROGRAMU MULTISIM

Kompletny schemat zosta pokazany na Rys.7. Aby moliwe byo dokonanie pomiarw konieczne jest jeszcze wstawienie dwch miernikw (multimetrw). Jeden z nich ma pracowa jako amperomierz (XMM1 wpity szeregowo w obwd), drugi jako woltomierz (XMM2 wpity rwnolegle). Poczenia (kable) s rysowane przez kliknicie lewym przyciskiem myszy na kocwce elementu.

Rys.7. Schemat ukadu do badania rezystora.

W tym momencie mona uruchomi symulacj. Zmieniajc nastaw potencjometru z krokiem 5% naley odczytywa wartoci prdu i napicia na rezystorze. Nastpnie na ich podstawie naley wykreli w sprawozdaniu charakterystyk prdowo-napiciow badanego elementu I=f(U). Otrzymane wyniki naley porwna z wiadomociami teoretycznymi. 4.2. Badanie kondensatora W drugiej czci wiczenia badanym elementem bdzie kondensator. Podobnie jak w poprzednim punkcie naley zbudowa schemat przedstawiony na Rys.8. Warto rezystora powinna by taka sama jak w poprzednim punkcie. Warto kondensatora naley wybra z tabeli (kady zesp inn).
Tabela 2. Wartoci kondensatorw do wyboru przez poszczeglne zespoy

Zesp A B C D E
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

Warto [F] 4u 800n 400n 80n 40n

STRONA 5

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.0. W PROWADZENIE DO PROGRAMU MULTISIM

Rys.8. Schemat do badania kondensatora.

Nieuywanym wczeniej elementem jest przecznik (SPDT). Mona go znale w menu Place Component w grupie Basic/Switch (Rys.9). Za jego pomoc na ukad rezystor-kondensator podawane bdzie wysokie lub niskie napicie.

Rys.9. Wstawienie przecznika.

Tym razem wyniki bd obserwowane na oscyloskopie. Jest to urzdzenie umoliwiajce ogldanie przebiegw czasowych napi. Posiada ono dwa kanay: A i B. Naley do nich podpi punkty ukadu przed i za rezystorem. W celu zwikszenia czytelnoci przebiegw moliwa jest zmiana koloru wykresu. Naley na wybranym kablu klikn prawym przyciskiem myszy i wybra opcj Segment Color (Rys.10).
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 6

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W .0. W PROWADZENIE DO PROGRAMU MULTISIM

Rys.10. Wstawienie oscyloskopu i wybr koloru wywietlania przebiegu.

W tej czci wiczenia naley uruchomi symulacj i zmieniajc pozycj przecznika obserwowa zmian napicia na kondensatorze. Otrzymane przebiegi czasowe naley przerysowa lub zapisa (np. PrintScreen). Na podstawie zebranych wynikw naley obliczy sta czasow ukadu i porwna j z wartoci teoretyczn (Rys.11).

V = RC [s]

t
Rys.11. Sposb wyznaczania staej czasowej.

Nastpnie naley zaobserwowa ksztat przebiegu prdu na kondensatorze. W tym celu do wczeniejszego schematu naley doda drugi oscyloskop mierzcy warto prdu na rezystorze (z poprzedniej czci wiczenia wiadomo, e napicie jest proporcjonalne do prdu na rezystorze).

KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

STRONA 7

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.0. W PROWADZENIE DO PROGRAMU MULTISIM

Rys.12. Schemat ukadu do pomiaru prdu pyncego w obwodzie z kondensatorem.

Dodatkowym zadaniem jest zbadanie dziaania kondensatora w obwodzie prdu zmiennego. W tym celu naley zmodyfikowa wczeniejszy schemat wg Rys.13. Uyte rdo to rdo napicia sinusoidalnego o czstotliwoci 50 Hz i napiciu skutecznym 230 V (RMS), co odpowiada amplitudzie 325 V. Wartoci uytych elementw powinny by takie jak w przypadku wczeniejszych obwodw.

Rys.13. Schemat do badania kondensatora w obwodzie prdu zmiennego.

KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

STRONA 8

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W .0. W PROWADZENIE DO PROGRAMU MULTISIM

5.

Opracowanie wynikw
W sprawozdaniu z wiczenia naley: narysowa schemat ukadu badajcego charakterystyk rezystora, wykreli zebran charakterystyk I = f(U) rezystora, porwna otrzyman charakterystyk z wiadomociami teoretycznymi, narysowa schematy ukadw do badania kondensatora, umieci przebiegi zebrane z oscyloskopu podczas badania kondensatorw w obwodach prdu staego i zmiennego, wyznaczy sta czasow ukadu z kondensatorem oraz porwna j z wartoci teoretyczn, wycign wnioski z wiczenia.

Zawarcie tych elementw w sprawozdaniu jest konieczne do jego zaliczenia przez prowadzcego. W razie niewykonania ktrejkolwiek czci wiczenia konieczne jest samodzielne uzupenienie jej w domu. Szczegln uwag naley powici analizie wnioskw wynikajcych z przeprowadzonych pomiarw. Zapisane podczas wiczenia zrzuty ekranw mona przesa sobie e-mailem!

6.
[1] [2] [3]

Literatura
P. Horowitz, W. Hill Sztuka elektroniki. Cz 1., Wydawnictwa Komunikacji i cznoci, Warszawa 1995, Rozdzia 1 Podstawy (s. 15-55) NI Multisim Interactive Demonstration
http://zone.ni.com/wv/app/doc/p/id/wv-655

Getting Started with NI Circuit Design Suite

http://digital.ni.com/manuals.nsf/websearch/E2AB5C177A5C95C186257650006948F6

KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

STRONA 9