Transistor Unipolar.

Qu es un transistor unipolar?
El transistor de efecto campo (ield-Effect Transistor o FET, en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje.

Cuntos tipos de transistores unipolares hay?

1-.El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante. 2-.El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n 3-.El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin PN del JFET con una barrera Schottky. 4-.En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET (heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta el cuerpo del transistor. 5-.Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor) 6-.Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est entre los 200 a 3000V. An as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V. 7-. Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin ultra rpida del transistor. 8-.Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales.

Cules son sus smbolos?

Cules son los nombres de sus terminales?

D = Drenador: (Del ingls Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p) S = Fuente: (Del ingls Source). Es el terminal por el que entran los portadores. G = Puerta: (Del ingls Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente de portadores a travs del canal.

Cules son sus principales aplicaciones?

1. Amplificador de tensin 2. Conmutador analgico 3. Compuerta digital 4. Resistencia variable con la tensin 5. Amplificador de VHF con baja distorsin 6. En medidores de PH 7. En electroencefalgrafos 8. En electrocardigrafos

Cules son sus principales Datos Tcnicos?

1. Idmx: Mxima corriente permitida de drenador. 2. IGmx: Mxima corriente permitida de compuerta. 3. VDSmx: Mxima tensin permitida drenador-surtidor. 4. VGSOmx: Mxima tensin permitida compuerta-surtidor con drenador abierto. 5. VDGOmx: Mxima tensin permitida drenador-puerta con surtidor abierto. 6. IDSS: Corriente de drenador con la G en c.c. con el S y para una VDS determinada. 7. V (P) GS: Tensin de estrangulamiento G y S para una VDS y ID dadas con el canal cortado. 8. Ptot: Potencia total mxima disipable a una temperatura dada. 9. gm o yfs: transconductancia o transadmitancia.

Cules son sus configuraciones bsicas?

Al igual que los BJT, cuando el JFET se emplea como amplificador, se puede disponer en cualquiera de las tres configuraciones determinadas por la forma de conectarlo, esto es: fuente o surtidor comn (S.C.), drenador comn (D.C.) y puerta comn (G.C.). Sus caractersticas son similares, teniendo en cuenta las peculiaridades que los hacen distintos a las ofrecidas en disposiciones anlogas por los transistores bipolares. Se puede relacionar de la siguiente forma: 1-.Fuente comn con Emisor comn. 2-.Drenador comn con Colector comn. 3-.Puerta comn con Base comn.

Seale 3 diferencias entre transistores unipolar y bipolar.

1-. Su funcionamiento depende nicamente de la circulacin de portadores mayoritarios. Es, por tanto, un dispositivo unipolar (un solo tipo de portadores). 2-. Su fabricacin es ms sencilla, requieren menor espacio de integracin y permiten mayor densidad de componentes. 3-. Se pueden conectar como resistencias de carga, lo que permite circuitos formados nicamente con transistores.