Laboratorio 1 Y 2 Electrnica II 22 de Octubre de 2013 - Universidad de Cundinamarca

CURVA CARACTERISTICA DEL FET

Omar Fonseca, Diego zarta, Jair Pardo, Adriana Aurela
ABSTRACT JFETs are semiconductor device in which the current flows through an area called a channel connectingtwo terminals that are the source and drain. This current is controlled by an electric field caused by anapplied voltage in a third terminal called the gate.

II.

OBJETIVO GENERAL

Obtener la curva caracterstica del FET (Field Effect Transistor) distinguiendo los parmetros de operacin ms importantes.
III. OBJETIVOS ESPECIFICOS

I.

INTRODUCCION.

Podemos mencionar algunas caractersticas del JFET: Los JFET generan un nivel de ruido menor que los BJT Los JFET so ms estables con la temperatura que los BJT. La alta impedancia de entrada de los JFET les permite almacenar carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. Pasos para el correcto funcionamiento del JFET: Para un correcto funcionamiento de un JFET, consideramos los siguientes aspectos: Especificaciones del diseo Obtencin de los puntos de trabajo en las curvas caractersticas de entrada y salida del JFET Determinacin de los valores de los componentes de polarizacin Clculo de los capacitares, las cuales brindan las asntotas de ganancia en funcin de la frecuencia Ajustes y anlisis de errores.

- Entender y describir apropiadamente el funcionamiento de los transistores FET. - Comparar las ventajas y desventajas que representa la tecnologa FET frente a los transistores comunes. - Analizar los distintos campos accin de la tecnologa FET de acuerdo a sus singulares parmetros de operacin.
IV. MATERIALES

COMPONENTES ELECTRICOS: 2 fet 2n5457 potencimetros de 1k resistencias de 100

INSTRUMENTACION fuente de alimentacin de cd multmetro digital

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MARCO TEORICO.
VI. PROCEDIMIENTO

TRANSISTOR FET Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el canal una unin p-n. En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

Realice el anlisis AC, obtenga Av , Ai , Zi , Zo Realice la simulacin del diseo, realice todas las medidas necesarias para rellenar la tabla siguiente, a la hora de imprimir el circuito sacar los valores de los ampermetros y voltmetros. Realice el montaje.

1. TERICO. Clculos. De acuerdo a la hoja de datos del transistor utilizado para esta prctica (2N459) se obtiene:
( ( ) )

. . con un

Para cualquier valor de , ( ( La figura muestra el croquis de un FET con canal N ) )

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Para cualquier valor de . ( ( ) )

con un

( (

) )

Tabla de datos.
0V -0,5V -0,8V 0 -1V 0 -2V -2,5V 0 9 9 9 9 9 9 0 7,56 7,56 7,56 7,56 7,56 7,56

Para cualquier valor de . ( ( ) )

con un

0V 0.5V 1V 2V 4V 8V 10V

16 14,06 12,96 12,25 16 14,06 12,96 12,25 16 14,06 12,96 12,25 16 14,06 12,96 12,25 16 14,06 12,96 12,25 16 14,06 12,96 12,25

Para cualquier valor de . ( ( ) )

con un

Grafica.

Chart Title
18 16 14 12 10 8

Para cualquier valor de . ( ( ) )

con un

6 4 2 0 Vds 0V Vds Vds 1V Vds 2V Vds 4V Vds 8V Vds10V 0.5V Vgs 0V Vgs -1V Vgs -0,5V Vgs -2V Vgs -0,8V Vgs -2,5V

Para cualquier valor de .

con un

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2. SIMULADO. Circuito.

El BJT es un dispositivo no lineal controlado por corriente. El BJT tiene tres modos de funcionamiento: corte, activa, saturacin. El BJT es un dispositivo bipolar.

Tabla de Datos.
Vgs 0V Vds 0V Vds 0.5V Vds 1V Vds 2V Vds 4V Vds 8V Vds10V 0 6,56 9,72 9,99 9,99 10 10 Vgs 0,5V 0 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 Vgs 0,8V 0 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4 0,4

Los JFET son la siguiente generacin despus de los BJT. El flujo de corriente en los FET depende de los portadores mayoritarios (unipolar). La corriente de salida de un FET es controlada por un campo elctrico (fuente de tensin).

Grafica

Chart Title
12 10 8 6 4 2 0

Vgs 0V

Vgs -0,5V

Vgs -0,8V

ANEXOS a) en qu funcionamiento transistor BJT? se de diferencia un JFET el al

b) Qu significan los trminos surtidor comn, drenador comn y puerta comn en el contexto de los transistores FET y MOSFET? Surtidor comn (SC):

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Alta impedancia de entrada, baja impedancia de salida, alta ganancia con baja tensin de alimentacin. Circuito amplificador de voltaje comn. Drenador comn (DC): Alta impedancia de entrada, baja impedancia de salida, ganancia cercana a 1, salida en fase con la entrada. Circuito adaptador de impedancias. Puerta comn (PC): Es anloga a la configuracin de base comn utilizada por los BJT. La fuente controlada se encuentra conectada del drenaje a la fuente con rd en paralelo. c) Qu ventajas y desventajas presenta la tecnologa FET frente a los transistores BJT? Ventajas: Los FET tienen una alta impedancia de entrada, al ser mucho ms alta que la de los BJT se prefieren como etapa de entrada en amplificadores multietapa. Los JFET generan menos ruido que los BJT. Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT. Los FET funcionan como resistencia variable controladas por V para valores pequeos de La elevada impedancia de los FET permite que almacenen la carga durante

un tiempo para ser usados elementos de almacenamiento.

como

Los FET de potencia controlan potencias elevadas y conmutan grandes corrientes. Los FET no son tan sensibles a la radiacin como los BJT. Desventajas. Los FET exhiben una pobre respuesta en frecuencia debido a la alta capacidad de entrada. Algunos FET tienen una pobre linealidad. Los FET se daan con el manejo debido a la electricidad esttica. d) Dnde est el auge de la tecnologa en la industria electrnica moderna? Aislador y separador (buffer)amplificador de rf-sintonizadores FM, mezclador-TV, equipos para comunicaciones, amplificador cascodoinstrumentos de medicin, amplificador de baja frecuencia-audfonos para sordera, circuito MOS digitalcomputadores, memorias. e) Cmo comprobar el correcto funcionamiento del transistor FET? Se utiliza multmetro anlogo: canal N 1. se coloca el cable negro del multmetro en el drenaje y el cable rojo en la fuente, la aguja del multmetro no se debe mover, sea, debe tener aislacin total, si presenta una mnima fuga, el FET est quemado.

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2. Colocando los cables a la inversa rojo en drenaje y negro en fuente, tiene que acusar una resistencia entre 5 y 10 ohm. Para los dispositivos de canal p se hace el mismos procedimiento, solo se invierte la polaridad del multmetro.

V. CONCLUSIONES. Se puede comprobar que la corriente de drenaje que depende del voltaje , obedece a la ecuacin de shockley. Se puede observar en las grficas que a medida que el voltaje se polariza negativamente cada vez ms, la corriente de drenaje se hace ms pequea.

I.

BIBLIOGRAFIA

RASHID, MUHAMMAD. Circuitos micro electrnicos anlisis y diseo. BOYLESTAD ROBERT. Electrnica teora de circuitos. Octava edicin. SAVANT. Diseo electrnico. MALVINO, PAUL. Principios de electrnica. Sexta edicin. THOMAS, FLOY, Dispositivos electrnicos. 8 edicin