CONFIGURACIONES ESTRUCTURALES.

Imperfecciones cristalinas.
Imperfecciones cristalinas, arreglos atmico e inico Efectos puntuales: Son interrupciones localizadas en los arreglos atmicos e inicos que si no fuera por ellos seran perfectos en una estructura cristalina, se puede introducir por los movimientos de los tomos o los iones al aumentar la energa por calentamiento, durante el proceso del material por introduccin de impurezas o por dopado.

Impurezas: Son elementos o compuestos presentes en las materias primas o en el procesamiento. Dopantes: Son elementos o compuestos que se agregan en forma deliberada y en concentraciones conocidas, en lugares especficos de la microestructura buscando un efecto benfico sobre las propiedades y el procesamiento. Un defecto puntual indica en general a uno o a un par de tomos o iones, en consecuencia es distinto de los defectos extendidos como dislocaciones, lmites de grano, etc. Vacantes: Se producen cuando un tomo o ion en su sitio normal de la estructura cristalina, lo cual aumenta la estabilidad termodinmica de un material cristalino. Defectos intersticiales: Se forman cuando se inserta un tomo o un ion es sustituido con un tipo distinto de tomo o ion, los tomos o iones sustitucionales pueden ser mayores que los tomos o iones normales.

Otros defectos puntuales: Una intersticialidad o defecto puntual autointersticial se crea cuando un tomo idntico a los puntos normales de la red est en una posicin intersticial. Es ms probable encontrar estos defectos en estructuras cristalinas que tienen bajo factor de empaquetamiento. Defecto de Frenkel: Es un par de vacancias en el intersticio que se forman cuando un ion salta de un punto de red normal a un sitio intersticial. Defecto Schottky: Es un par de vacancias en un material con enlaces inicos. Para mantener la neutralidad, deben perderse de la red tanto un catin como un anin.

Estructura cristalina
La primera clasificacin que se puede hacer de materiales en estado slido, es en funcin de cmo es la disposicin de los tomos o iones que lo forman. Si estos tomos o iones se colocan ordenadamente siguiendo un modelo que se repite en las tres direcciones del espacio, se dice que el material es cristalino. Si los tomos o iones se disponen de un modo totalmente aleatorio, sin seguir ningn tipo de secuencia de ordenamiento, estaramos ante un material no cristalino amorfo.

Estructura cristalina de los materiales

Los materiales slidos se pueden clasificar de acuerdo a la regularidad con que los tomos o iones estn ordenados uno con respecto al otro. Un material cristalino es aquel en que los tomos se encuentran situados en un arreglo repetitivo o peridico dentro de grandes distancias atmicas; tal como las estructuras solidificadas, los tomos se posicionarn de una manera repetitiva tridimensional en el cual cada tomo est enlazado al tomo vecino ms cercano. Todos los metales, muchos cermicos y algunos polmeros forman estructuras cristalinas bajo condiciones normales de solidificacin.

Celda Unitaria.- es el agrupamiento ms pequeo de tomos que conserva la geometra de la estructura cristalina, y que al apilarse en unidades repetitivas forma un cristal con dicha estructura.

Una celda unitaria se caracteriza por tres vectores que definen las tres direcciones independientes del paraleleppedo. Esto se traduce en seis parmetros de red, que son los mdulos, a, b y c, de los tres vectores, y los ngulos , y que forman entre s. Estos tres vectores forman una base del espacio tridimensional, de tal manera que las coordenadas de cada uno de los puntos de la red se pueden obtener a partir de ellos por combinacin lineal con los coeficientes enteros.

La estructura cristalina de un slido depende del tipo de enlace atmico, del tamao de los tomos (o iones), y la carga elctrica de los iones en su caso).

Existen siete sistemas cristalinos los cuales se distinguen entre s por la longitud de sus aristas de la celda (llamados constantes o parmetros de la celda) y los ngulos entre los bordes de sta. Estos sistemas son: cbico, tetragonal, ortorrmbico, rombodrica (o trigonal), hexagonal, monoclnico y triclnico.

Los diferentes sistemas cristalinos se forman por el apilamiento de capas de tomos siguiendo un patrn particular. Un slido cristalino la CAPA en el espacio de una estructura elemental paralelepipdica denominada celda unitaria. En funcin de los parmetros de red, es decir, de las longitudes de los lados o ejes del paraleleppedo elemental y de los ngulos que forman, se distinguen siete sistemas cristalinos:

En funcin de las posibles localizaciones de los tomos en la celda unitaria se establecen 14 estructuras cristalinas bsicas, las denominadas redes de Bravais..

DEFECTOS LINEALES

Los defectos lineales, que son unidimensionales, se denominan tambin dislocaciones y dan lugar a una distorsin en la red centrada alrededor de una lnea imaginaria. Se puede entender una dislocacin como la lnea frontera que une en el interior de un cristal los puntos atmicos con posicin anormal. En ocasiones tambin se define como el lmite entre dos regiones una de las cuales se ha desplazado con respecto a la otra. Estos defectos dan en metales, casi nunca en materiales inicos y pueden generarse durante los procesos de solidificacin del slido cristalino, como consecuencia de una deformacin plstica o permanente del cristal, por condensacin de vacantes y por desajustes atmicos en disoluciones slidas. El defecto lineal suele designarse por una T invertida (), que representa el borde de un semiplano extra de tomos. Esta configuracin conduce por s misma a una designacin cuantitativa sencilla, el vector de Burgers, b. Este parmetro es simplemente el vector desplazamiento necesario para cerrar un circuito realizado por paso a paso alrededor del defecto. En el cristal perfecto, un circuito con mn pasos atmicos se cierra en el punto inicial. En la zona de la dislocacin, el mismo circuito no se cierra. El vector de cierre (b) representa la magnitud del defecto estructural. Esto lo podemos ver en la siguiente figura:

Figura 1.Definicin del vector burgers, b, en: (a) una estructura cristalina perfecta donde el circuito de vectores se cierra en el punto de partida; (b) en una estructura cristalina con una dislocacin de borde donde en la zona de dislocacin ese mismo circuito no cierra y es necesario un vector adicional, b; dicho vector representa la magnitud de la dislocacin y se observa que es perpendicular a la lnea de dislocacin, t; (c) en una estructura cristalina con una dislocacin de tornillo o helicoidal ; de nuevo en la zona de la dislocacin el circuito de vectores no cierra y es necesario el vector de burgers, que de nuevo representa la magnitud de la dislocacin; se observa que el vector burgers es perpendicular a la lnea de dislocacin, t.

Se distinguen dos tipos: mixtas y puras (donde se incluyen las dislocaciones de cua o borde y las de tornillo o helicoidales):

Puras 1. Dislocacin de cua, borde o arista.

Es un defecto lineal centrado alrededor de la lnea definida por el extremo del semiplano de tomos extra (Figura 2). Se representa por el smbolo , o te invertida, haciendo referencia al borde del semiplano extra. En esta posicin se dice que la dislocacin de cua es en sentido positivo o lo que es los mismo, el plano extra se ha insertado en la parte superior del plano de corte. Para representar la situacin opuesta, se emplea el smbolo T (dislocacin de cua negativa). La dislocacin de cua genera una zona de esfuerzos de compresin donde se encuentra el semiplano extra de planos y una regin de esfuerzos de traccin debajo de este semiplano. En la dislocacin de cua, el vector de Burgers el perpendicular a la lnea de dislocacin.

Figura 2 2. Dislocacin helicoidal o de tornillo. Se puede formar en estructuras cristalinas perfectas por la accin de un esfuerzo cortante o de cizalladura (tangencial) sobre una de las caras hasta el deslizamiento parcial por un plano cortante (Figura 3). Ahora el reordenamiento atmico que se produce alrededor de la lnea de dislocacin da lugar a una forma de tornillo o hlice, de ah el nombre que recibe esta dislocacin. La red cristalina pasa de ser un conjunto ordenado de planos, a presentar superficies helicoidales cuyo eje vertical es la dislocacin (apilamiento helicoidal de planos cristalinos en torno a la dislocacin de tornillo).

Se representa por el smbolo cuando entra en el plano del papel, considerndose en este caso positiva. En caso contrario se denota por el smbolo Aqu el vector de Burgers o de desplazamiento es paralelo a la lnea de dislocacin.

Figura 3 Mixtas

Los dos tipos de dislocaciones definidas anteriormente son formas lmites. Las dislocaciones que normalmente aparecen en los materiales reales son formas intermedias entre estas dos extremas y reciben el nombre de dislocaciones mixtas. En este caso, las dislocaciones tienen componentes de dislocaciones borde y tornillo. Se muestra un ejemplo en la Figura 4. La lnea de dislocacin es de tipo tornillo puro cuando entra en la estructura cristalina y de tipo borde puro cuando sale de ella. En el interior de la estructura cristalina, la dislocacin pasa a ser de tipo mixto, con componentes de borde y de tornillo. Por tanto, el vector de Burgers de la dislocacin mixta no es ni perpendicular ni paralelo a la lnea de dislocacin pero mantiene una orientacin fija en el espacio, que es compatible con las definiciones previas en las formas de dislocacin de borde y de dislocacin helicoidal.

Figura 4 Medida de las dislocaciones

Virtualmente todos los materiales contienen algunas dislocaciones que son introducidas durante la solidificacin, la deformacin plstica, o como consecuencia de tensiones trmicas que resultan del enfriamiento rpido. La forma de indicar la cantidad de dislocaciones que presenta un material es mediante la densidad de dislocaciones o longitud total de dislocaciones por unidad de volumen, y se indica en unidades de cm/cm3 o sencillamente por n de dislocaciones por cm-2. Para un metal sin deformar suele ser habitual una densidad de dislocacin de 106 cm-2, duplicndose este nmero para el metal deformado plsticamente (en torno a 1012 cm-2). La visualizacin de las mismas se realiza por procesos de Microcalorimetra o Microscopa electrnica de transmisin.

Importancia de las dislocaciones El proceso de deslizamiento de las dislocaciones es de especial importancia para conocer el comportamiento mecnico de los metales. En primera lugar, permite explicar el por qu el esfuerzo terico necesario para deformar plsticamente (o permanentemente) un material, es mucho mayor que el valor necesario observado en la prctica. En efecto, el deslizamiento provocado por los movimientos de las dislocaciones, provoca una mayor facilidad de ruptura de uniones atmicas lo que implica una menor fuerza requerida para la deformacin plstica del metal. Por tanto, la presencia de dislocaciones, facilita la deformacin plstica de un metal y cuantos ms sistemas de deslizamiento posea, mayor facilidad presentar. En segundo lugar, el deslizamiento de las dislocaciones, confiere a un metal ductilidad, propiedad relacionada con el mecanismo antes expuesto. Por ltimo, se puede aumentar la resistencia de un metal, controlando el movimiento de sus dislocaciones. Un obstculo introducido de forma voluntaria en el metal, impedir que las dislocaciones se deslicen, a menos que se aplique mayor fuerza de deformacin, lo que implica que el material sea ms resistente. Las distintas formas de aumentar la resistencia de los metales y sus aleaciones, se basan en este hecho, aumentar el nmero de dislocaciones del material e impedir o anclar su deslizamiento.

Defectos superficiales.

Los defectos superficiales son los lmites o bordes o planos que dividen un material en regiones, cada una de las cuales tiene la misma estructura cristalina pero diferente orientacin.

SUPERFICIE EXTERNA Las dimensiones exteriores del material representan superficies en las cuales la red termina abruptamente. Los tomos de la superficie no estan enlazados al nmero mximo de vecinos que deberan tener y por lo tanto, esos tomos tienen mayor estado energtico que los tomos de las posiciones internas. Los enlaces de esos tomos supericials que no estan satisfechos dan lugar a una energa superficial, expresada en unidades de energa por unidad de rea (J/m2 o Erg/cm2). Adems la superficie del material puede ser rugosa, puede contener pequeas muescas y puede ser mucho mas reactiva que el resto del material.

BORDES DE GRANO Se puede definir como la superficie que separa los granos individuales de diferentes orientaciones cristalogrficas en materiales policristalinos. El lmite de grano es una zona estrecha en la cual los tomos no estn uniformemente separados, o sea que hay tomos que estn muy juntos causando una compresin, mientras que otros estn separados causando tensin. De cualquier forma los limites de grano son reas de alta energa y hace de esta regin una mas favorable para la nucleacin y el crecimiento de precipitados

MACLAS Una macla es un tipo especial de lmite de grano en el cual los tomos de un lado del lmite estn localizados en una posicin que es la imagen especular de los tomos del otro lado.

1.3.4 Importancia de los defectos Los defectos que aparecen en los materiales, como una grieta, pueden ser responsables de mltiples problemas, desde fallos en un microchip a terremotos. Ingenieros del MIT han desarrollado un modelo que predice el lugar de origen del defecto, sus caractersticas iniciales y cmo empieza a avanzar a travs del material. El modelo podra ser especialmente til en nanotecnologa, ya que, como dice Subra Suresh, uno de los responsables de las investigaciones, a medida que los dispositivos se hacen ms y ms pequeos, se hace ms importante entender los fenmenos que producen los defectos en ellos. Una aparentemente minscula dislocacin (un pequeo desorden en la configuracin de los tomos dentro del material), o una grieta, pueden comprometer de forma drstica el rendimiento del sistema. Suresh y sus colegas Ju Li, Krystyn J. Van Vliet, Ting Zhu y Sidney Yip, han logrado con su modelo un paso adelante importante hacia la comprensin del extrao mundo de los defectos en los materiales. Descrito en la revista Nature, proporciona una capacidad de

prediccin aplicable a diferentes escalas. As, puede ser utilizado no slo para predecir los defectos entre tomos, sino tambin para el deslizamiento entre placas tectnicas, un fenmeno tras el cual se ocultan los terremotos.

Los investigadores tambin han descrito cmo un defecto atmico como una grieta o una dislocacin puede desarrollarse a partir de una onda. El mundo est lleno de ondas invisibles, como las ondas snicas que viajan a travs del aire. Bajo ciertas condiciones, sin embargo, una onda puede hacerse inestable. A partir de aqu, puede aparecer un defecto en cuatro etapas. En primer lugar, la amplitud de la onda crece. Poco a poco, la cresta se eleva, como ocurre con las olas que se aproximan a la costa. En una tercera fase, la onda se hace tan pronunciada que ya no puede describirse a nivel continuo y debe ser transferida a una descripcin atmica. En una cuarta etapa, la onda de choque a escala atmica se ve atrapada en el difcil territorio del paisaje energtico microscpico, resultando en un defecto.

El modelo no ha sido pensado de un da para otro. Est basado en muchos aos de teora y experimentos realizados por muchas personas. Los cientficos, adems, disponen de herramientas de computacin y experimentales que antes no existan.

Mecanismos De La Difusion
Existen dos mecanismos principales de difusin en los tomos en una estructura cristalina: (1) mecanismo de vacantes o sustitucional, y (2) el mecanismo intersticial. 1. Mecanismo de difusin por vacantes o sustitucional Los tomos pueden moverse en las redes cristalinas desde una posicin a otra si hay presente suficiente energa de activacin, proporcionada sta por la vibracin trmica de los tomos, y si hay vacantes u otros defectos cristalinos en la estructura para que ellos los ocupen. Las vacantes en los metales son defectos en equilibrio, y por ello algunos estn siempre presentes para facilitar que tenga lugar la difusin sustitucional de los tomos. Segn va aumentando la temperatura del metal se producirn ms vacantes y habr ms energa trmica disponible, por tanto, el grado de difusin es mayor a temperaturas ms altas. La energa de activacin para la difusin propia es igual a la suma de la energa de activacin necesaria para formar la vacante y la energa de activacin necesaria para moverla.

La siguiente tabla presenta la relacin de algunas energas de activacin para la autodifusin en metales puros.

Tabla 1

Se pude observar que a medida que incrementa el punto de fusin del material. La energa de activacin tambin aumenta. Esto se da porque los metales con temperatura de fusin ms altas tienden a mayores energas de enlace entre sus tomos. La difusin tambin puede darse por el mecanismo de vacantes en soluciones slidas. La diferencia entre los tamaos de los tomos y las energas de enlace entre ellos son factores que afectan la velocidad de difusin. 2. Mecanismo de difusin intersticial La difusin intersticial de los tomos en redes cristalinas tiene lugar cuando los tomos se trasladan de un intersticio a otro contiguo al primero sin desplazar permanentemente a ninguno de los tomos de la matriz de la red cristalina. Para que el mecanismo intersticial sea efectivo, el tamao de los tomos que se difunde debe ser relativamente pequeo comparado con el de los tomos de la matriz. Los tomos pequeos como los de hidrgeno, carbono, oxgeno y nitrgeno, pueden difundirse intersticialmente en algunas redes cristalinas metlicas. Por ejemplo, el carbono puede difundirse intersticialmente en hierro alfa BCC y hierro gamma FCC. En la difusin intersticial de carbono en hierro, los tomos de carbono deben pasar entre los tomos de la matriz de hierro.