Trendy i perspektywy

Tranzystory SiGe
Przez co najmniej kilkanacie lat wydawao si, e german nieodwracalnie przesta liczy si jako materia, z ktrego wykonuje si ele menty pprzewodnikowe. Starsi elektronicy pamitaj germanowe tranzystory, ktre mia y zatrwaajco wielkie prdy zerowe, a wspczynnik wzmocnienia prdowego czstokro by mniejszy od 10. German nie przeszed jednak do lamusa historii. Pod pewnymi wzgldami jest lepszy od krzemu. Dlatego w dobie absolutnej hege monii krzemu trway prby wykorzystania zalet germanu. Zaowocoway one w 1987 ro ku wyprodukowaniem pierwszego heteroz czowego tranzystora (w skrcie HBT hete rostructure bipolar transistor) krzemowoger manowego (SiGe). Pomys budowy tranzystora heterozczo wego, czyli zbudowanego z co najmniej dwch rnych materiaw, nie jest nowy. Pojawi si pod koniec lat 40., na samym pocztku epoki tranzystorowej, a w latach 50. zyska podstawy teoretyczne. Praktycznej realizacji doczeka si w roku 1967, gdy zaprezentowano uyteczny heterozczowy tranzystor GaAs i AlGaAs. Tranzystory GaAs (z arsenku galu) s dzi po wszechnie wykorzystywane w sprzcie w.cz. Okrelenie HBT SiGe mogoby sugero wa, e tranzystor zbudowany jest w poowie z krzemu i w poowie z germanu. Prawda jest zupenie inna. Jest to generalnie tranzystor krzemowy, wytworzony w technologii epita ksjalnej. Bardzo cienka warstewka germanu jest jedynie naoona na (krzemowy) obszar bazy. W ten sposb tylko obszar bazy zbudo wany jest z krzemu i dodatkowej, cieniutkiej warstewki germanu. Dodanie germanu do ob szaru bazy krzemowego tranzystora spowodo wao znaczne zwikszenie ruchliwoci noni kw, a tym samym czstotliwoci granicznej, oraz obnienie szumw. Stworzenie uytecznych elementw ak tywnych SiGe nie byo atwe ze wzgldu na istotne rnice wielkoci moduu siatki kry stalicznej krzemu i germanu (4,2%). Wanie dlatego naoona warstewka germanu nie moe by gruba. Potrzeba byo kilku lat ba da, by ostatecznie przezwyciy wystpu jce trudnoci technologiczne, aby w naoo nej warstwie germanu nie byo defektw i by bya trwaa.

Ju w 1997 zademonstrowano pierwszy uyteczny tranzystor HBT. W roku 1990 za prezentowano tranzystor SiGe o czstotliwo ci granicznej rwnej 75GHz (tranzystory krzemowe maj czstotliwo graniczn co najwyej kilka GHz). Dzi godne uwagi s do niesienia o tranzystorach SiGe majcych cz stotliwo graniczn powyej 120GHz. Wsppracujce ze sob firmy IBM i Analog Devices pokazay 12bitowy przetwornik A/D o szybkoci 1GS/s zawierajcy 2854 tranzystorw SiGe. Zademonstrowano liczne wzmacniacze, mieszacze i oscylatory na za kres czstotliwoci 2...40GHz. Pod koniec 1996 roku zademonstrowano tranzystor mocy SiGe nadajcy si do pracy w systemach rada rowych 2,8GHz przy mocy 230W w impulsie. Skonstruowano prototypy rnych cyfrowych ukadw scalonych, mogcych pracowa przy prdkoci 20...30Gbit/s, gdzie czas propagacji bramki jest rzdu kilkunastu pikosekund. Co bardzo wane, elementy SiGe mog by wytwarzane na typowych "krzemowych" liniach technologicznych. Gwarantuje to niski koszt produkcji, troch wyszy od klasycz nych elementw krzemowych. Jest to ogro mnie wana zaleta, poniewa elementy z ar senku galu (GaAs) s zdecydowanie drosze od elementw SiGe, mniej wicej czterokrot nie, nie mwic o jeszcze szybszych i jeszcze droszych elementach z fosforku indu (InP). Przed elementami SiGe roztaczaj si szero kie perspektywy. W laboratoriach firm i insty tutw trwaj te prby wytworzenia ju nie ukadw scalonych, ale caych systemw mi krofalowych SiGe, zawierajcych oprcz ele mentw aktywnych, take pasywne (kondensa tory, cewki i linie transmisyjne), na zakres cz stotliwoci do kilkudziesiciu GHz. W tym wy padku stosuje si elementy mikromechaniczne (MEMS) ze wzgldu na specyficzne wymaga nia zwizane ze stratami przy bardzo wysokich czstotliwociach.

Z rnych orodkw badawczych nadcho dz informacje o prbach wykorzystania polo wych tranzystorw SiGe (MODFET, HFET) oraz elementw optycznych SiGe, mogcych pracowa w zakresie mikrofalowym. Cho ge neralnie tranzystory polowe SiGe s dopiero na etapie wstpnych bada, na przykad firma AmberWave we wsppracy z DaimlerChry sler AG ju oferuje tranzystor polowy HEMT (High Electron Mobility Transistor) typu DC 2060. Jest to rodzaj FETa SiGe, mogcy pra cowa do 20GHz jako wzmacniacz, a w uka dach generacyjnych do 60...80GHz. Trwaj prace nad opanowaniem technologii wytwarzania komplementarnych tranzystorw polowych SiGe. Bada si moliwoci zintegro wania klasycznych elementw CMOS, foto diod i elementw SiGe (HBT, HEMT) w jed nej strukturze. Jeden ukad scalony zawieraby na krzemowym podou elementy czynne CMOS (klasyczne i SiGe), rda promienio wania na bazie Si/SiGe (zamiast dzisiejszych diod LED), odbiorniki promieniowania (foto diody), a nawet zintegrowane krzemowe wia towody (dla przypomnienia szko zbudowa ne jest te na bazie krzemu). Powstay ju pierwsze laboratoryjne LEDy i fotodetektory SiGe. Bardzo obiecujce s perspektywy czuj nikw podczerwieni 3...12m do systemw termowizyjnych. Zbudowano prototypy detek torw promieniowania w postaci matryc za wierajcych do 400x400 elementw. Nie ulega wtpliwoci, e rnorodne ele menty SiGe szybko zajm wane miejsce na rynku i ju wkrtce bd powszechnie stoso wane w komunikacji ruchomej (MOBICOM MOBIe COMmunication), satelitarnej (SATCOM), wiatowodowej (FIBRECOM) oraz bezprzewodowych lokalnych sieciach komputerowych (WLAN Wireless Local Area Network) zobacz rysunek tytuowy. (red)

88

Elektronika dla Wszystkich