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UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

(Decana de Amrica)

INFORME PREVIO N 01
DISEO FISICO DE INVERSORES: CMOS

CURSO

: LABORATORIO DE MICROELECTRONICA

PROFESOR

: DR. RUBEN ALARCN MATUTTI

ALUMNO

: ORE MONTOYA MARCO

CODIGO

: 09190072

EAP

: INGENIERIA ELECTRONICA (19.1)

2015

INFORME PREVIO N 01
DISEO FISICO DE INVERSORES: CMOS

1. Presentar en laboratorio el LAYOUT realizado del


inversor (inv.msk). Considerar para el layout el esquema
de la figura A y B del diagrama de barras (STICK). Tratar
de conseguir un layout de condiciones mnimas.

A continuacin presentamos el inversor realizado en MICROWIND,


guardado con el nombre cmosinver.MSK.

Al simular el inversor obtenemos esta respuesta:

2. Para el LAYOUT del inversor, hallar las dimensiones (W/L)

de los transistores, la frecuencia MAXIMA de operacin y


dar respuesta escrita a todas las interrogantes de la
guia.
Para hallar las dimensiones:

a) Hallar W/L:
Para el NMOS:
W= 0.53 um, L=0,25 um.
Para el PMOS:
W= 0.75 um, L=0,25 um.
b) Para hallar la frecuencia MAXIMA de operacin:

LAYOUT DE DIAGRAMA DE BARRAS:

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