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Resumen Durante muchos aos, msicos y personas afines a la msica han expresado su preferencia con respecto
a preamplificadores realizados con vlvulas termoinicas, argumentando calidad de sonido en desmedro de los
equipos basados en tecnologa de estado slido. En el presente trabajo se realiza un anlisis terico y una
simulacin que permita explicar esta predileccin. Se elabora una comparacin centrada en el comportamiento de
los dispositivos semiconductores BJT y las vlvulas triodo en un circuito preamplificador clase A, analizando la
distorsin armnica presente en la seal de salida y su efecto en el oyente. Finalmente se disea y simula en un
entorno de laboratorio virtual una etapa preamplificadora basada en cada dispositivo y se analizan los resultados
segn lo expuesto.
1. INTRODUCCIN
Las ventajas y desventajas de cada dispositivo
dependen de los requerimientos del circuito y las
diversas condiciones de operacin. stas son las que
deben regir la eleccin para una aplicacin particular.
En el rea de audio musical es comn escuchar las
preferencias sobre un preamplificador valvular en
lugar de uno transistorizado. Sin embargo, esta
eleccin pareciera basarse en una cuestin subjetiva
por parte de los msicos.
En este trabajo, se realiza un estudio comparativo
de ambos dispositivos con motivo de intentar
identificar cules son las caractersticas tcnicas u
operacionales,
es
decir,
cuales
son
las
particularidades que presentan en los circuitos y
llevan a que sean utilizados en preamplificadores de
audio. Adems se lleva a cabo el diseo de una etapa
preamplificadora para cada dispositivo, con el objeto
de hacer un anlisis del desempeo de los mismos
bajo distintas condiciones.
2. CARACTERSTICAS GENERALES
Las vlvulas fueron los primeros dispositivos
electrnicos activos utilizados hasta la aparicin de
los transistores BJT, debido al menor tamao (y
peso), menor temperatura de funcionamiento y la
capacidad de desempear las mismas funciones que
las primeras. Sin embargo, no han sido reemplazadas
en su totalidad en lo que respecta a audio de altas
prestaciones, algo que podra suponerse ya que desde
el punto de vista de los fabricantes los transistores
son la mejor opcin.
Haciendo una comparacin general de ambos
dispositivos, vlvula triodo y transistor bipolar, sin
tener en cuenta las dimensiones fsicas:
La vlvula presenta una menor ganancia con
respecto al transistor.
Departamento Ingeniera Electrnica Ctedra Fundamentos de Acstica y Electroacstica
- Caractersticas de la Vlvula
En la Figura 4 se muestra la distorsin armnica
de un amplificador de dos etapas 12AY7. La
principal caracterstica es el predominio de la
segunda armnica, seguido muy de cerca por la
tercera armnica. La cuarta armnica se eleva 3 o 4
dB ms tarde, siguiendo en forma paralela a la tercera
armnica. La quinta, sexta y sptima armnica
permanecen por debajo del 5% del punto de 12 dB.
RK
Figura 6: Componentes de la distorsin de amplificador a
transistores
Vg
Ip
0.8V
1.5mA
533.3 560
(1)
Rp
Ebb Vp Ip (560
Ebb Vp
560
99.44
Ip
Rp )
100 K
(2)
(3)
4. DISEO Y SIMULACIN
Para verificar algunas de las caractersticas
enunciadas a lo largo del texto, se procede a disear
dos etapas amplificadoras: una cuyo componente
activo es una vlvula de vaco, y otra realizada en
base a un transistor bipolar. Ambas tendrn una
ganancia de tensin de 60 veces (35,5dB) en un
ancho de banda 15 Hz a 50000 Hz (+/-1dB).
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eO
eS
AV
rP
R P // R L
R P // R L
AV
R P // R L
rP
AV
(1
(5)
85.5 K
85.5 K
1
Rp
RL
589.6 K
560 K
R P // R L )
Req
560 //( 57 K
Req
558
CK
2 f L Req
100 K
// 560 K ) (7)
19uF
22uF
177.9nF
2 f L Req
Ci
Icq (
R1
(8)
Co
Vbb
R2
1
2 f L Req
1uF
180nF
(12)
Rb
R E //( rP
(11)
(6)
Req
RC
Rb
Rb
Vbb
1
Vcc
Vcc
Rb
Vbb
RE
10
7520
RE )
0,65V
(13)
1.68V (14)
8.74 K
9.1K
(15)
53.6 K
56 K
(16)
(9)
(10)
eO
eS
AV
hfe
RC // R L
hie
(17)
RC // R L
AV hie
hfe
60 * 2000
160
750
750
1
RC
RL
750
(18)
(19)
1K
CE
1
2 f L Req
373uF
470uF (20)
Co
Ci
1
2 f L Req
1
2 f L Req
26.5uF
67uF
33uF
100uF
(21)
(22)
5. RESULTADOS DE LA SIMULACIN
Las simulaciones fueron realizadas en el
laboratorio virtual Multisim 10.0 de la firma National
Instruments, utilizando los instrumentos Bode Plotter
(medicin de respuesta en frecuencia), Distortion
Analyzer (medicin de THD) y Spectrum Analyzer
(medicin del espectro).
Departamento Ingeniera Electrnica Ctedra Fundamentos de Acstica y Electroacstica
6. CONCLUSIONES
Todo amplificador produce una distorsin de la
seal original cuando es transferida de la entrada
hacia la salida. El grado de distorsin que se origina
en una etapa preamplificadora compuesta por
vlvulas es menor que el producido con una etapa a
transistores, ambas polarizadas adecuadamente. Sin
embargo, este valor no es lo que se juzga cuando los
msicos expresan que un equipo tiene mayor
coloracin. Podemos concluir, frente a la ausencia
de una fundamentacin terica contundente, que la
caracterstica deseada est dada por la combinacin
de armnicos, y al ser dicha sensacin una cuestin
subjetiva es difcil establecer algn parmetro al
respecto.
La inclinacin hacia la tecnologa valvular tiene
aqu su razn principal producto de la generacin de
armnicos, pares e impares, con mayor predominio
de los pares, y sta es la caracterstica objetiva sobre
dicha preferencia. Psicoacsticamente, es interpretada
por cada persona en particular.
Es importante agregar que el trabajo fue centrado
en las caractersticas de etapas preamplificadoras. En
los circuitos amplificadores completos estas
caractersticas se ven alteradas (reforzadas o
modificadas) por otros factores, tales como el
acoplamiento de etapas en cascada, el efecto de la
realimentacin entre las mismas, el uso de
transformadores adaptadores de impedancias, etc. que
necesitaran un informe de mayor extensin para ser
analizados.
- FAyE 0611E2: MASERA N. - MORALES J. - MORENO A.
6
7. REFERENCIAS
[1] Miyara F. Acstica y Sistemas de Sonido. UNR
Editora. Argentina. 2004.
[2] Hamm R. Tubes versus Transistors Is There
an Audible Difference?. Proceeding of 43th
Convention of Audio Engineering Society, New
York, 14 September 1972.
[3] Hawkings J. N. A. Harmonic and Intermodulation Distortion. 1988
[4] General Electric 12AX7 Twin Triode, Description and Rating
[5] Angelo E. J. Circuitos Electrnicos. Ediciones
del Castillo. Madrid. 1965.
[6] Malvino A.P. Principios de Electrnica.
Interamericana de Espaa. Madrid. 2000.
[7] Motorola. Amplifier Transistors BC548, NPN
Silicon.
[8] Bohn D. Audio Specifications, Aplication Note
N 145. Rane Corporation. 2000.
8. DATOS BIOGRFICOS
Nicolas A. Masera, nacido en Villa del Rosario,
Provincia de Crdoba, el 20/01/1988. Estudiante de
ingeniera en electrnica, Universidad Tecnolgica
Nacional, Facultad Regional Crdoba, Argentina. Sus
intereses son: microcontroladores, electrnica del
automotor y sistemas de audio.
E-mail: 51644@electrnica.frc.utn.edu.ar
Juan I. Morales, nacido en Chacabuco, Buenos
Aires, el 12/07/1988. Estudiante de ingeniera en
electrnica, Universidad Tecnolgica Nacional,
Facultad Regional Crdoba, Argentina. Actualmente
es becario de servicios en el Laboratorio de
Comunicaciones del Dpto. de Ingeniera Electrnica,
Universidad Tecnolgica Nacional,
Facultad
Regional Crdoba. Sus intereses son: electroacstica,
procesadores de audio y sistemas de sonido.
E-mail: 51836@electrnica.frc.utn.edu.ar
Ana M. Moreno, nacido en V. Ojo de Agua,
Santiago del Estero, el 31/08/1988. Estudiante de
ingeniera en electrnica, Universidad Tecnolgica
Nacional, Facultad Regional Crdoba, Argentina. Sus
intereses son: electroacstica, bioelectrnica, electrnica digital.
E-mail: 51718@electrnica.frc.utn.edu.ar