P. 1
Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach

Elementy i układy elektroniczne w pytaniach i odpowiedziach

|Views: 1,665|Likes:
Wydawca: srokka

More info:

Published by: srokka on Oct 16, 2010
Prawo autorskie:Attribution Non-commercial

Availability:

Read on Scribd mobile: iPhone, iPad and Android.
download as PDF, TXT or read online from Scribd
See more
See less

05/29/2013

pdf

text

original

Elementy

i uklady

elektroniczne

w pytaniach i odpowiedziach

Mirosfaw Rusek Jerzy Pasierbiriski

Elementy

i uklady

elektroniczne

w pytaniach i odpowiedziach

Wydanie trzecie

Wydawnictwa Naukowo-Techniczne

Warszawa

Opiniodawca Zbigniew Nosal Redaktor Zuzanna Grzejszczak Okladkll i strony tytulowe projektowal

Pawel G. Rubaszewski

\llz)lgl>\l>wanie do druku

Marianna Szwagrzak, Marianna Zadrozna

Opracowanie techniczne

Ewa Eckhardt

© Copyright by Wydawnictwa Naukowo-Techniczne Warszawa 1991, 1997, 1999

All Rights Reserved

Printed in Poland

Utwor w calosci ani we fragmentach nie moze bye powielany ani rozpowszechniany za pomoca urzadzen elektronicznych, mechanicznych, kopiujacych, nagrywajacych i innych bez pisemnej zgody posiadacza praw autorskich.

Adres poczty elektronicznej: wnt@pol.pJ Strona WWW: www.wnt.com.pl

ISBN 83-204-2476-3

SPIS

TREseI

ROZDZIAL 1

Zagadoieoia ogolne i poj~a podstawowe 7 - 39

Elektronika, mikroelektronika + Element elektroniczny, uklad elektroniczny, uklad sca1ony, stopieri scalenia + Cialo stale + Monokrysztaly + Ciekle krysztaly + Energetyczny model pasmowy + Transport ladunku w cialaeh stalych + Polaryzacja elektryczna i magnetyczna + Materialy elektroniczne + Obwody drukowane + Montaz powierzchniowy + Sygnalyelektryczne: okresowy, nieokresowy, sinusoidalny, impulsowy + Szum: cieplny, Srutowy, II! + Kompatybilnosc elektromagnetyczna + Wielkosci fizyczne i jednostki miar ukladu SI + Symbole graficzne wazniejszych elementow elektronicznych

ROZDZIAL 2

Podstawy teorii obwodow 40 - 63

Podstawowe prawa obwodow elektrycmych: prawo Ohma, prawa Kirchhoffa + Podstawowe elementy obwodow elektrycznych + Dwojniki + Czworniki + Dzielniki + Obwody elektryczne: calkujacy, rozniczkujacy, rezonansowy + Filtry elektryczne + Przesuwniki fazowe + Mostki elektrycme

ROZDZIAL 3

Elementy i podzespoly bierne 64 - 102

Rezystory: klasyfikacja, parametry, charakterystyki + Termistory + Warystory + Magnetorezystory + Kondensatory: klasyfikacja, parametry, budowa + Elementy piezoelektryczne + Rezonatory kwarcowe + Wlasciwosci i rodzaje induktorow + Transformatory + Elementy RLC do montam powierzchniowego

ROZDZIAL4

Elementy pOIprzewodoikowe zlllczowe 103 - 162

WlaSciwoSci zlacza PN i MS + Rodzaje diod pOlprzewodnikowych: prostownicze, uniwersalne, stabilizacyjne, impulsowe, pojemnoSciowe, tunelowe + Tranzystory bipolarne: rodzaje, budowa, dzialanie, parametry + Tranzystor jednozlaczowy + Struktura MOS + Tranzystory unipolarne: ze zlaczem PN, z izolowana bramka + Tyrystory: zasada dzialania, parametry

ROZDZIAL 5

Elementy optoelektrooiczne 163 -185

Podstawowe definicje: promieniowanie optyczne, element optoelektroniczny + Rodzaje i wlasciwosci fotodetektorow + Fotorezystory + Fotodiody i ogniwa fotoelektryczne + Fototranzystory + Diody elektroluminescencyjne + Transoptory + WskaZniki optoelektroniczne

ROZDZIAL 6

Elementy i uklady zasilajllce 186 - 214

Zasilanie urzadzeii elektronicmych + Ogniwa elektrochemiczne pierwotne i wtorne + Baterie elektrycme + Zasilacze + Uklady prostownicze + Filtry wygladzajace + Stabilizatory

ROZDZIAL 7

Podstawy ukladow analogowych 215 - 245

Cechy ukladow anaIogowych + Polaryzacja tranzystorow i podstawowe uklady wzmacniajace + Zjawisko Millera + Kaskoda + Uklad Darlingtona + Sprzezenie zwrotne: klasyfikacja, wlasciwosci + Szumy + Stabilnosc wzmacniaczy + Wykres Bodego + Charakterystyka przejsciowa + Znieksztalcenia sygnalow

ROZDZIAL 8 Wzmacniacze 246 - 288

Wzmacniacze: klasyfikacja, parametry, wlasciwosci czestotliwosciowe + Wlasciwosci stopni wzmaeniajacych WE, WK, WB + Wzmocnienie w zakresie malych i wielkich czestotliwosci + Wzmacniacze wielostopniowe + Wzmacniacze pradu stale go: roznicowe, operacyjne + Wzmacniacze mocy i selektywne + Filtry aktywne

ROZDZIAL 9 Generatory 289 - 323

Podstawowe rozwiazania ukladowe generator ow + Generatory LC: HartIeya, Colpittsa, Meissnera + Generatory kwarcowe + Uklady generatorow RC: z przesuwnikiem fazy, mostkiem Wiena, filtrem podwojne T + Generatory relaksacyjne + Multiwibratory: astabilne, monostabilne, bistabilne + Przerzutnik Schmitta + Generatory funkcyjne

ROZDZIAL 10

Wybrane nieliniowe uklady analogowe 324 - 360

Modulacja i demodulacja + Modulacja amplitudy i czestotliwosci + Demodulacja sygnalu zmodulowanego amplitudowo i ezestotliwosciowo + Przemiana czestotliwosci + Ograniczniki napiecia + Uklad probkujacy + Komparator napiecia + Przetwomiki cyfrowo-anaIogowe i anaIogowo-cyfrowe

ROZDZIAL 11 Uklady cyfrowe 361 - 387

WlaSciwosci i klasyfikacja ukladow cyfrowych + Podstawowe elementy ukladow cyfrowych + Przerzutniki + Parametry ukladow cyfrowych + Budowa i wlasciwosci cyfrowych ukladow scaIonych: TTL, ECL, I2L, MOS, CMOS + Uklady ASIC, PLD, FPGA

LITERATURA UZUPELNIAJt\CA 388 SKOROWIDZ 389

ROZDZIAL 1

Zagadnienia og61ne

.

1

pojecia podstawowe

1.1. Elektronika, mikroelektronika - co oznaczajll te po~cia?

Elektronika jest dziedzina nauki i teehniki, zajmujaca sie wykorzystaniem zjawisk zwiazanych ze sterowanym ruehem elektronow w prozni, gazaeh i cialach stalyeh (zwlaszcza w polprzewodnikach). Obejmuje teorie dzialania, technologie i konstrukcje przyrzadow elektronowyeh, a takze zbudowanyeh z nich ukladow i urzadzen elektronieznyeh. Ze wzgledu na osrodek, w ktorym odbywa sie rueh elektronow, elektronike dzieli sie na: prozniowa (lacznie z elektronika gazow) i polprzewodnikowa (ciala stalego),

Elektronika prozniowa zajmuje si~ lamp ami elektronowymi (prozniowymi i gazowanymi), a takze innymi prozniowymi przyrzadami elektronowymi, jak np. mikroskopy elektronowe, akee1eratory czastek naladowanyeh itp. Z elektronika prozniowa dose scisle wi~i:~ sie optyka elektronowa i optyka jonowa.

Elektronika polprzewodnikowa zajmuje sie przyrzadami polprzewodnikowymi, jak np. diody, tranzystory, tyrystory, uklady seal one. Z elektronika polprzewodnikowa scisle wiaze sie mikroelektronika, zajmujaca si~ w szczegolnosci ukladami elektronieznymi realizowanymi w postaci sealonej.

Ze wzgledu na rodzaj wystepujacych zjawisk i obszar zastosowan wyodrebnia sie m.in.: elektronike kwantowa - obejmujaca zagadnienia generaeji, wzmacniania i detekcji promieniowania elektromagnetyeznego przez uklady wzbudzonyeh atom ow, czastek lub jonow (laser, maser); elektronike plazmy - zajmujaca sie wlasciwosciami elektronowymi plazmy, zaehowaniem sie nosnikow ladunku (elektronow i jonow) w plazmie, a takze konstrukcja urzadzen wykorzystywanyeh w teehniee plazmy, jak np. generatory magnetohydrodynamiezne, palniki i silniki plazmowe; elektronike przemyslowq - zajmujaca sie urzadzeniami elektronieznymi stosowanymi w przemysle (roboty przemyslowe, maszyny sterowane numeryeznie); elektronike medyczna - zajmujaca sie teoria i konstrukcja urzadzen elektronieznyeh stosowanyeh w roznych galeziach me-

7

dycyny do diagnostyki, terapii i rehabilitacji za pomoca pradow elektrycznych, pol elektrycznych lub magnetycznych, ultradzwiekow oraz promieniowania elektromagnetycznego; energoelektronike - zajmujaca si~ przyrzadami, ukladami i urzadzeniami elektronicznymi stosowanymi do przeksztalcania i sterowania energii elektrycznej w zakresie duzych mocy, glownie w energetyce, gornictwie, hutnictwie, przemysle przetworczym, trakcji elektrycznej, jak np. zautomatyzowane uklady napedowe (pradu stalego i przemiennego), przeksztaltnikowe urzadzenia zasilajace, regulatory natezenia oswietlenia, kompensatory mocy biernej; piezoelektronike - obejmujaca zespol zagadnien zwiazanych z element ami i ukladami, w ktorych wykorzystuje sie zjawisko piezoelektryczne, jak np. rezonatory piezoelektryczne (kwarcowe i ceramiczne), a takze przetworniki i czujniki piezoelektryczne; optoelektronike - zajmujaca sie lacznym wykorzystaniem optycznego i elektrycznego sposobu przetwarzania i przekazywania sygnalow,

Elektronika stanowi obecnie bardzo rozlegla dziedzine, obejmujaca niemal caly obszar dzialalnosci ludzkiej, jednak podstawowe znaczenie ma dla telekomunikacji, informatyki i automatyki.

1.2. Jakie elementy i uklady nazywa si~ elektronicznymi?

Elementem elektronicznym nazywa sie najprostsza, samodzielna, konstrukcyjnie nierozdzielna cz~se skladowa ukladu elektronicznego, ktora moze bye odrebnie badana lub sprawdzana. Elementy elektroniczne dzieli sie na czynne (aktywne) i bierne (pasywne). Elementem czynnym jest element bedacy zrodlem energii elektrycznej (np. bateria elektrochemiczna, fotoogniwo) lub podwyzszajacy poziom mocy doprowadzonego sygnalu elektrycznego (np. tranzystor, tyrystor). Element bierny jest jego przeciwienstwem (w swym schemacie zastepczym nie zawiera zrodla energii elektrycznej); spelnia wiec inne funkcje w obwodzie. Elementami biernymi sa rezystory, kondensatory, termistory, fotorezystory itp. Wyrob zlozony z pewnej liczby elementow (niekoniecznie elektronicznych), ktore mozna traktowac odrebnie, ale dopiero w lacznym dzialaniu spelniaja okreslone zadanie w ukladzie. elektronicznym, nazywa sie podzespolem. Podzespolem jest np. potencjometr, kondensator zmienny, induktor z rdzeniem magnetycznym, przelacznik suwakowy, przekaznik kontaktronowy. W rozumieniu potocznym pojecia element i podzespol s~ czesto stosowane zamiennie.

Ukladem elektronicznym nazywa sie zbior odpowiednio polaczonych element ow , spelniajacy okreslona funkcje, np. wzmacniania, wytwarzania badz przetwarzania sygnalow elektryczriych, ktorej wykonanie opiera sie na wykorzystaniu zjawisk zwiazanych z ruchem elektronow w prozni, gazie lub ciele stalym (polprzewodniku). Elementy, w ktorych zachodza te zjawiska, nazywa sie ogolnie przyrzqdami elektronowymi, sa to m.in. tranzystory, tyrystory, lampy elektronowe. Istotna role w ukladach elektronicznych, oprocz przyrzadow elektronowych, ktorych obecnosc jest niezbedna, odgrywaja rowniez inne ele-

8

menty: rezystory, kondensatory, induktory, filtry, transformatory, wskazniki cieklokrystaliczne, baterie elektrochemiczne itp.

Uklady elektroniczne, najogolniej rzecz biorac, dzieli sie na analogowe i cyfrowe, glownym zas kryterium podzialu jest rodzaj przetwarzanego sygnalu. Uklady analogowe dzialaja z sygnalami ciaglymi, realizujac takie funkcje, jak wzmacnianie sygnalow (wzmacniacze), generowanie sygnalow (generatory), przetwarzanie sygnalow (modulatory, detektory) itp. Uklady eyfrowe przetwarzaja sygnaly cyfrowe, zwykle dwuwartosciowe (zerojedynkowe), realizujac okreslone funkcje logiczne; z tego wzgledu czesto sa nazywane rowniez ukladami logieznymi. Innymi waznymi kryteriami klasyfikacyjnymi ukladow elektronicznych moga bye okreslone wlasciwosci - w zwiazku z czym wyroznia sie uklady wysokonapieciowe, uklady mocy, uklady stalopradowe, technologia wytwarzania - stad podzial na uklady bipolarne i uklady unipolame, rodzaj zastosowania - np. uklady akustyczne, uklady wizyjne, uklady mikrofalowe, itp. Uklad elektroniczny jest zwykle pewna czescia wiekszego urzadzenia technicznego, niekoniecznie w calosci elektronicznego.

1.3. Co to s~ uklady scalone?

Uklady sealone sa to miniaturowe uklady elektroniczne (mikrouklady), w ktorych cz~se lub wszystkie elementy wraz z polaczeniami sa wytworzone w jednym cyklu technologicznym wewnatrz lub na powierzchni wspolnego podloza. Zwykle wytwarza sie jednoczesnie wiele takich samych pojedynczych ukladow scalonych (tzw. struktur), montowanych nastepnie w zunifikowanych obudowach hermetycznych (plastykowych, ceramicznych lub metalowych), znacznie wiekszych od tych struktur, chroniacych je przed szkodliwymi wplywami otoczenia i ulatwiajacych ich montaz w urzadzeniach elektronicznych. Uklady scalone dzieli sie, ze wzgledu na rodzaj przetwarzanego sygnalu, na: analogowe i cyfrowe, oraz, ze wzgledu na cechy technologiczno-konstrukcyjne, na: polprzewodnikowe (monolityczne) i warstwowe (hybrydowe) (rys. 1.3).

a)

c)

Uklady scalone

specjalizowane (projektowane na zamowienie)

standardowe (katalogowe)

b)

p61przewodnikowe (monolityczne)

warstwowe (hybrydowe)

bipolarne

unipolarne

Rys. 1.3. Klasyfikacja ukladow scaJonych ze wzgledu na: a) rodzaj przetwarzanego sygnahi (zastosowania); b) cechy technoJogiczno-konstrukcyjne; c) asortyment (sposob projektowania)

Wiekszosc ukladow scalonych to wyroby tzw. standardowe (katalogowe) - wytwarzane w duzych ilosciach przez wielu producentow, ezesto roznymi technologiami. Asortyment tych ukladow jest bardzo szeroki; do stosunkowo prostych ukladow naleza: bramki logiczne, wzmacniacze operacyjne, stabilizatory, natomiast bardziej zlozonymi sa np.: pamieci, sterowniki, mikroprocesory. Uklady scalone specjalizowane (ASIC - application specific integrated circuits), sa projektowane w mniejszym lub wiekszym stopniu indywidualnie, do konkretnego zastosowania. Wsrod ukladow specjalizowanych wyroznia sie: uklady projektowane w pelni na zamowienie (full custom) oraz uklady projektowane czesciowo na zamowienie (semicustom), przy czym te ostatnie dzieli sie jeszcze na uklady: matrycowe (gate arrays), zbudowane z komorek (cell based) i 0 programowanej logice (PLD - programmable logic devices).

1.4. Jak si~ wytwarza uklady scalone?

Uklady scalone monolityczne sa wytwarzane technologia planarna w monokrystalicznej plytce polprzewodnikowej (zazwyczaj krzemowej), wsrod nich z reguly rozroznia si~ uklady: bipolarne i unipolarne. W ukladach bipolarnych podstawowymi elementami czynnymi sa tranzystory bipolarne (typu NPN lub PNP). Oprocz tranzystorow sa jeszcze wytwarzane diody, rezystory i, w bardzo ograniczonym zakresie, kondensatory, przy czym kazdy element jest ulokowany w odizolowanej wyspie i polaczony z innymi elementami za pomoca sciezek przewodzacych naniesionych na gorna powierzchnie plytki. Uklady unipolarne sa wytwarzane prawie wylacznie z tranzystorow MOS (0 kanale typu N i typu P), spelniajacych funkcje zarowno elementow czynnych, jak i biernych. Tranzystory MOS (pyt. 4.29) nie wymagaja specjalnej izolacji, gdyz w sposob naturalny, wynikajacy z istoty ich dzialania, sa odizolowane od innych tranzystorow wytworzonych we wsp6lnym podlozu,

Uklady scalone warstwowe charakteryzuja sie tym, ze elementy bierne (przy tym niekiedy tylko cz~sc tych elementow) oraz polaczenia (sciezki przewodzace i pola kontaktowe) sa wytwarzane na wspolnym podlozu izolacyjnym w jednym ciaglym procesie technologicznym, natomiast elementy czynne (i pozos tale elementy bierne) sa wykonywane w odrebnym procesie technologicznym, po czym dolaczane indywidualnie do pol kontaktowych znajdujacych sie na podlozu, W zaleznosci od sposobu nanoszenia warstw tworzacych wykonywane elementy, uklady warstwowe dzieli sie na: cienkowarstwowe i grubowarstwowe. W ukladach cienkowarstwowych wymagane elementy powstaja przez nanoszenie w prozni na podloze izolacyjne (szklane lub ceramiczne) warstw przewodzacych, rezystywnych badz dielektrycznych 0 grubosci kilku do kilkuset nm metoda naparowania lub rozpylania. W ukladach grubowarstwowych zadane elementy otrzymuje sie, nanoszac na podloze ceramiczne metoda sitodruku odpowiednie warstwy 0 grubosci kilkudziesieciu urn, ktore nastepnie poddaje sie wypalaniu w wysokiej temperaturze.

10

Rys. 1.5. KJasyfikacja ukladow scalonych w zaleznosci od stopnia scalenia

1.5. Co to jest stopief scalenia?

Stopien scalenia (skala integracji) jest miara zlozonosci ukladu scalonego, okreslajaca liczbe element6w w pojedynczej strukturze (rys. 1.5). Uklady o malym stopniu scalenia - SSI (small scale integration) - zawieraja w jednej strukturze do kilkudziesieciu element6w, uklady 0 srednim stopniu scalenia - MSI (medium scale integration) - od kilkudziesieciu do kilkuset element6w, uklady 0 duzym stopniu scaleni a - LSI (large scale integration) - od kilkuset do kilkudziesieciu tysiecy element6w, uklady zas 0 bardzo duzym stopniu sealenia - VLSI (very large scale integration) - powyzej kilkudziesieciu tysiecy element6w; niekiedy uklady zawierajace powyzej miliona element6w Sl!, okreslane jako uklady 0 super duzym stopniu scalenia - SLSI (super LSI) lub ultra duzym stopniu scalenia - ULSI (ultra LSI).

1.6. Co to jest cialo stale?

Cialem stalym nazywa sie cialo, kt6rego czastki (atomy, jony lub czasteczki) tworza dostatecznie trwaly uklad przestrzenny w danych warunkach (najczesciej odnosi sie to do warunk6w normalnych). Ruchy czastek

a)

b)

/'
L/
I.
'\
L Rys. 1.6. Uproszczony plaski obraz uporzadkowania atom ow w ciele stalym: a) monokrystalicznym; b) polikrystalicznym; c) amorficznym

ciala stalego sll ograniczone prawie wylacznie do drgan wokol ich polozen rownowagi, Jezeli cialo charakteryzuje sie uporzadkowaniem czastek w postaci regularnej sieci, nazywanej siecia krystaliczna 0 periodycznie powtarzalnych w przestrzeni komorkach bez zaklocen w zadnym kierunku, to jest nazywane krysztalem doskonalym. Krysztaly naturalne i otrzymywane sztucznie nie maja tak doskonalej budowy, zawieraja wiele defektow, zaklocajacych strukture sieci krystalicznej. Takie krysztaly sa nazywane krysztalami rzeczywistymi. Zaleznie od warunkow krystalizacji ciala stale moga tworzyc monokrysztaly, tj. pojedyncze duze krysztaly (rys. 1.6a) badz moga bye polikrysztalami, tj. cialami skladajacymi sie z wielu zrosnietych krysztalow roznej (czasami mikroskopijnej) wielkosci, zwanych krystalitami (rys. 1.6b). Odrebna grupe cial stalych stanowia tzw. ciala amorficzne (bezpostaciowe). Charakteryzuja sie one tym, ze tworzace je czastki Sll rozmieszczone dose dowolnie w przestrzeni (rys. 1.6c).

1.7. J ak wytwarza si~ monokrysztaly?

Monokrysztaly stosowane w elektronice wytwarza sie zazwyczaj sztucznie w procesie krystalizacji stopionej substancji badz z roztworu lub z fazy gazowej. Krysztaly otrzymane sztucznie na ogol przewyzszaja doskonaloscia struktury, wlasciwosciami i rozmiarami krysztaly naturalne. Umiejetnosc wytwarzania duzych i tanich monokrysztalow rna zatem ogromne znaczenie we wspolczesnej elektronice.

Material poddawany monokrystalizacji musi bye uprzednio bardzo starannie oczyszczony. Wstepne oczyszczanie materiahi przeprowadza sie zwykle za pomoca metod chemicznych, dopiero do dokladniejszego oczyszczania stosuje sie metody fizyczne, z ktorych duze znaczenie rna metoda topionej strefy. Polega ona na wielokrotnym powolnym przemieszczaniu waskiej stopionej strefy wzdluz preta materialu (rys. 1.7A). Strefa stopiona unosi ze soba zanieczyszczenia majace wieksza rozpuszczalnosc w fazie cieklej niz w fazie stalej,

Rys. 1.7A. Schemat urzadzenia do czyszczenia material6w metoda topionej strefy

1 - rura kwarcowa; 2 - zwojnica indukcyjna; 3 - pret materiahi polikrystalicznego; 4 - strefa roztopionego materialu

12

Rys. 1.7B. Schemat urzadzenia do wytwarzania monokrysztal6w z fazy cieklej metoda Czochralskiego

I - rura kwarcowa; 2 - zwojnica indukcyjna; 3 - tygiel z roztopionym materialem; 4 - zarodek krysztalu; 5 - pret monokrystaliczny

W wyniku zbieraja sie one na koncu preta, kt6ry nastepnie odcina sie, pozostala zas cz(:sc (czysty material polikrystaliczny) poddaje sie monokrystalizacji. Najczesciej stosowana metoda monokrystalizacji jest metoda wyciqgania z fazy cieklej, znana tez jako metoda Czochralskiego (rys. 1.7B). Polega ona na tym, ze zarodek krysztalu 0 odpowiedniej orientacji krystalograficznej doprowadza sie do zetkniecia z powierzchnia materialu polikrystalicznego roztopionego w tyglu grafitowym lub kwarcowym, po czym przez powolne podnoszenie zarodka umozliwia sie krystalizacje cieczy na styku z zarodkiem. Kolejne narastajace warstwy ciala stalego zachowuja dokladnie budowe krystaliczna zarodka. W czasie wyciagania monokrysztalu mozna go domieszkowac przez dodanie do fazy cieklej odpowiednich domieszek w scisle okreslonych ilosciach,

b)

Rys. 1.7C. Monokrysztal krzemu w postaci preta 0 ksztalcie waIca (a) i okraglych plaskich plytek, tzw. podlozowych (b)

13

Otrzymany monokrysztal jest nastepnie poddawany obrobce mechanicznej, chemicznej, a niekiedy takze bardziej zlozonym procesom technologicznym. Do podstawowych zabiegow mechanicznych naleza: obtaczanie preta dla nadania mu ksztaltu walca 0 okreslonej srednicy (rys. 1.7C.a), ciecie na plytki o odpowiedniej grubosci (rys. 1.7C.b) oraz ich szlifowanie i polerowanie mechaniczne dla uzyskania zadanej grubosci i wlasciwej gladkosci powierzchni. Koricowym zabiegiem stosowanym w celu nadania plytkom lustrzanej gladkosci jest zwykle polerowanie elektrochemiczno-mechaniczne.

1.S. Co to jest energetyczny model pasmowy?

Energetyczny model pasmowy przedstawia strukture energetyczna ciala stalego i sluzy do opisu wlasciwosci e1ektronu w przestrzeni sieci krystalicznej tego ciala, Na podstawie energetycznego mode1u pasmowego wyjasnia sie istote przewodnictwa elektrycznego oraz niektore wlasciwosci cial stalych zwiazane ze zjawiskami optycznymi, cieplnymi i magnetycznymi. Energetyczny model pasmowy krysztalu podano na rysunku I.8A. Obszary zakreskowane, przedstawiajace pasma energii dozwolonych dla elektronow, Sll, przedzielone pasmami (niezakreskowanymi), w ktorych nie rna poziomow dozwolonych dla elektronow - sa to tzw. pasma energii zabronionych. Zwykle korzysta sie z uproszczonej postaci energetycznego mode1u pasmowego (rys. 1.8A.b), zawierajacej tylko dwa najwazniejsze pasma dozwolonych energii elektronow: pasmo walencyjne i pasmo przewodnictwa. Odstep Wg miedzy wierzcholkiem pasma walencyjnego Wv a dnem pasma przewodnictwa We jest nazywany przerwq energetyczna lub szerokoscia pasma zabronionego. Okresla on wartosc

a) Zerowa eneraia w nieskonaanasci

------------------------~------------------------

b) w
Pasmo przewoanictwa
Wc
Pasmo zabronione ?!:.""
Wv
Pasmo wa{enCljjne Rys. I.SA. Energetyczny model pasmowy krysztalu (a) oraz jego uproszczona postac (b)

14

w

Pasmo przewodnictwa "'5:.""
"'l

Poziom donorowy
"'5:."'- ~
Poziom akceptorowq "'l

v
Pasmo waLencyjne Rys. 1.8B. Energetyczny model pasmowy krysztahi zawierajacego domieszki

x

energii, ktora trzeba dostarczyc do sieci krystalicznej w celu uwolnienia elektronu z wiazania walencyjnego. Stan zapelnienia i wzajemne polozenie pasm energetycznych sa podstawa podzialu cial stalych na: przewodniki (metale), polprzewodniki i izolatory (dielektryki).

Obecnosc zanieczyszczen w krysztale badz innych zaklocen struktury krystalicznej wiaze sie z wystapieniem dodatkowych poziomow energetycznych wewnatrz pasma zabronionego, przy czym w poblizu dna pasma przewodnictwa powstaj,!poziomy donorowe, natomiast w poblizu wierzcholka pasma walencyjnego - poziomy akceptorowe (rys. 1.8B). Energia jonizacji WA i WD domieszek jest bardzo mala w porownaniu z szerokoscia Wg pasma zabronionego, ulatwia to znacznie generacje nosnikow ladunku, elektronow w pasmie przewodnictwa, dziur zas w pasmie walencyjnym (na rys. 1.8B odpowiednie energie zaznaczono schematycznie, nie zachowujac wlasciwych im proporcji ilosciowych),

1.9. Co to s~ ciekle krysztaly?

S,! to substancje znajdujace sie w tzw, stanie cieklokrystalicznym, ktory wyroznia unikalne wprost polaczenie typowej cechy cieczy, jaka jest plynnose, ze swego rodzaju uporzadkowaniem dalekiego zasiegu - typowym dla struktur krystalicznych. Pociaga to za soba anizotropie" niektorych wlasciwosci fizycznych (glownie optycznych i dielektrycznych) takich substancji. Stan cieklokrystaliczny wystepuje w charakterystycznym dla danej substancji zakresie temperatur, przy czym typowy jest przedzial - 5 ... + 55 DC. Jesli temperatura jest nizsza, to substancja zestala sie, przechodzac w stan krystaliczny, gdy zas jest wyzsza, to przechodzi w stan ciekly (normalny), czyli staje sie ciecza izotropowa, Czasteczki substancji cieklokrystalicznych maja wydhizony ksztalt, ich zas rozmieszczenie przestrzenne stanowi kryterium podzialu cieklych krysztalow na trzy zasadnicze typy: nematyczny, smektyczny, cholesteryczny (rys. 1.9A).

1) Zaleznosc wlasciwosci fizycznych ciala od obranego w nim kierunku.

15

a) 00000000000

~~~O~O~~O~

b) 00000000 00000000 00000000 00000000

Rys. 1.9A. Najwazniejsze rodzaje struktury cieklych krysztalow: a) nematyczna; b) smektyczna; c) cholesteryczna

Ciekle krysztaly najczesciej stosuje sie w postaci cienkiej warstwy umieszczonej miedzy dwiema plaskimi elektrodami. Oddzialywania powierzchniowe miedzy czasteczkami cieklego krysztalu a materialem elektrod powoduja powstanie okreslonej tekstury molekularnej w warstwie cieklokrystalicznej. Jedna z wazniejszych jest tekstura planama, charakteryzujaca sie rownoleglym ulozeniem czasteczek cieklego krysztalu w stosunku do e1ektrod, inna, nie mniej wazna - tekstura homeotropowa 0 prostopadlym ukladzie czasteczek (rys. 1.9B). Szczegolna odmiana tekstury planarnej jest tzw. konfiguracja TN (twisted nematics), czyli konfiguracja skreconego nematyka. Charakteryzuje sie ona skreceniem 0 kat 90° (lub 45°) osi czasteczek rownolegle ulozonych przy obu powierzchniach (rys. 1.9B.c). Ciagla deformacja srubowa ulozenia czasteczek wewnatrz warstwy nadaje jej zdolnosc skrecania plaszczyzny polaryzacji swiatla odpowiednio 0 kat 90° (lub 45°).

a)

c)

b)

Rys. 1.9B. Podstawowe typy tekstury warstwy cieklokrystalicznej: a) planama; b) homeopolama; c) skreconego nematyka (TN 90)

16

Struktura przestrzenna czasteczek cieklego krysztalu jest bardzo podatna na wplyw oddzialywan zewnetrznych, m.in. temperatury, oswietlenia, naprezen oraz pol elektrycznych i magnetycznych. Na przyklad dzialanie pola elektrycznego, wywolujac zmiane konfiguracji przestrzennej czasteczek cieklego krysztalu, zmienia jednoczesnie przepuszczalnosc swiatla przez warstwe (rys. 1.9C). Po usunieciu wplywu pola oddzialywania powierzchniowe przywracaja pierwotny uklad przestrzenny czasteczek w warstwie cieklokrystalicznej.

Rys. 1.9C. Ulozenie czasteczek w warstwie cieklokrystalicznej w przypadku: a) braku polaryzacji (E = 0) - warstwa przepuszcza swiatlo; b) przy polaryzacji (E"# 0) - warstwa nie przepuszcza swiatla, lecz je rozprasza

1.10. Jakie materialy znajduj~ najezeseie] zastosowanie w budowie elementow elektronicznych?

Materialy stosowane w budowie elementow elektronicznych, nazywane z tego wzgledu materialami elektronicznymi, maja bardzo roznorodne wlasciwosci, uzaleznione przede wszystkim od skladu chemicznego, stanu skupienia, a true w duzym stopniu od technologii wytwarzania, obrobki itp.; znaczny wplyw na nie wywiera rowniez otaczajace srodowisko, a glownie takie czynniki jak: temperatura, wilgotnosc, promieniowanie, naprezenia,

Materialy e1ektroniczne, ogolnie biorac, moga wystepowac w stanie skupienia stalym (np. metale, polprzewodniki, tworzywa sztuczne, szkla, ceramika), jak rowniez cieklym (oleje) i gazowym (powietrze, gazy szlachetne); podstawowe znaczenie maja jednak ciala stale, zwlaszcza monokrystaliczne, o duzej czystosci skladu i jednorodnosci wlasciwosci fizykochemicznych.

W powszechnie stosowanej klasyfikacji materialow elektronicznych wyroznia sie: przewodniki, polprzewodniki i dielektryki (izolatory). W klasyfikacji tej jako kryterium podzialu zwykle przyjmuje sie umownie wartosci graniczne rezystywnosci p w temperaturze T = 300 K. Przewodnikami sa wiec materialy 0 rezystywnosci mniejszej niz 10-4 n· m, dielektrykami zas te, ktore maja rezystywnosc wieksza niz 107 n . m. Materialy 0 rezystywnosci

17

p n·m

Przewodniki

Mika Diament

Teflon (PTFE)

DieLektryki (nieprzewodniki)

IgieLit (peW)

Ceramika

BakeLit

GaAs Si

PM rzewodni ki

Ge

InSb

---------~O-:5 Grafit

Fe,Sn Ag,Cu,Au

Rys. 1.IOA. Rezystywnosc wybranych przykladowo materialow elektronicznych typowych dla grupy przewodnik6w, polprzewodnik6w i izolator6w (dielektryk6w)

posredniej, to jest 10-4 .. .107 n . m nazywa sie polprzewodnikami (rys. l.l0A). Innym, czesto stosowanym kryterium, glebiej ujmujacym istote fizyczna tej klasyfikacji, jest wartosc szerokosci pasma zabronionego Wg• Gdy szerokosc pasma zabronionego jest wieksza niz pewna umownie przyjeta wartosc, najczesciej 2 eV, wowczas material jest die1ektrykiem. Dla przewodnikow Wg ~ 0, natomiast dla polprzewodnikow 0 < Wg ~ 2 eV (rys. 1.10B).

b)

C) Pasmo przewodnidwa

a)

Pasmo przewodnictwa

Pasmo zabronione

Wq >2eV

~ffE:dl-l.

Pasmo

walencyjne

Rys. 1.IOB. Energetyczny model pasmowy przewodnika (a), polprzewodnika (b) i dielektryka (c)

Pasmo WalenCyjn};:a :/:

Podana wyzej klasyfikacja materialow zostala dokonana ze wzgledu na wlasciwosci e1ektryczne, najwazniejsze ze wzgledu na zastosowania materialow w e1ektronice. Przyjmujac inne kryteria podzialu mozna oczywiscie wydzielic jeszcze inne grupy materialow 0 wspolnych specyficznych cechach.

18

Maqnetljki miekkie

Maqnetljki twarde

2,5 T

2,5 T

2,0

1,0

~ r---'
Fe,FeSi fe[oV
[ofeNt
'--- ~
I Ni Fe I ~ Pt[o '
)D
I Ferryty-miqkkie Ferrljtlj p
'r: 2,0

1,5

1,5

Br to

Wi

0,5

10

Rys. 1.IOC. Klasyfikacja materialow magnetycznych ze wzgledu na wartosc natezenia koercji

Na przyklad prostym kryterium wyrozniajacym magnetyki (materialy rnagnetyczne w sensie technicznym) jest wieksza od jednosci wartosc wzglednej przenikalnosci magnetycznej Ilr (materialy 0 Ilr ~ 1 zalicza sie do niemagnetykow, czyli do materialow nie ulegajacych namagnesowaniu). Magnetykami Sq niektore pierwiastki (zelazo, nikiel, kobalt), stopy metaliczne (stal krzemowa, permaloj, alnico), a takzeferryty. Materialy te dzieli sie z kolei, wedlug wartosci natezenia koercji He (rys. l.10C), na: magnetycznie miekkie (He < 1000 Aim) i magnetycznie twarde (He> 1000 Aim). Nalezy zaznaezyc, ze zarowno magnetyki, jak i niemagnetyki moga miec cechy przewodnikow, polprzewodnikow lub dielektrykow,

1.11. Jakie s~ najwai:niejsze cechy pOIprzewodnikow?

Najbardziej charakterystyczna cecha polprzewodnikow jest silna zaleznose przewodnictwa elektrycznego od znikomo malych ilosci zanieczyszczen i innych zaklocen sieci krystalicznej, a takze od temperatury, promieniowania, naprezen, pol elektrycznych i magnetycznych. Prowadzac wpierw analize dla materialu idealnie czystego bez zadnych zaklocen struktury krystalicznej (rys. l.IlA.a), czyli tzw. polprzewodnika samoistnego, przyjrnuje sie, ze w temperaturze zera bezwzglednego (0 K) rna on calkowicie zapelnione elektronami pasmo walencyjne (podstawowe), a pasmo przewodnictwa calkowicie puste. W wyzszej temperaturze (T > 0 K), cz~se elektronow z pasma walencyjnego jest wzbudzana cieplnie do pasrna przewodnictwa, pozostawiajac w pasrnie walencyjnym wolne miejsca, tzw. dziury. To zjawisko nazywa sie generacja bezposredniq par elektron-dziura,

Rzeczywisty material polprzewodnikowy nigdy nie rna idealnej budowy sieci krystalicznej, zawsze znajduja sie w nim jakies zanieczyszczenia lub inne zaklocenia struktury, tj., ogolnie biorac, defekty, wobec czego nazywa sie

19

c)

Wv 1--+--+--+-+-+-

W

W

W

Wv I---+--+-~f---

We 1---+--+--+--

Rys. l.11A. Schemat wiazari i energetyczny model pasmowy pclprzewodnika: samoistnego (a), donor owego (b) oraz akceptorowego (c)

go polprzewodnikiem niesamoistnym lub polprzewodnikiem domieszkowanym, ze wzgledu na umyslnie wprowadzone zanieczyszczenia, tj. domieszki. Podstawowe znaczenie maja dwa rodzaje domieszek: donorowe i akceptorowe. W zaleznosci od rodzaju polprzewodnika rome pierwiastki moga spelniac funkcje tych domieszek. Przykladowo w krzemie domieszka donorowa sa pierwiastki piatej grupy tablicy okresowej (ukladu okresowego): fosfor, arsen, antymon, natomiast domieszka akceptorowa - pierwiastki trzeciej grupy: bor, ind, gal, glin. Domieszki powoduja pojawienie sie dozwolonych poziomow energetycznych w pasmie zabronionym (rys. l.11A.b,c). Energia jonizacji domieszek jest bardzo mala w porownaniu z szerokoscia pasma zabronionego, zatem nosniki z poziomow domieszkowych moga bye latwo dostarczane (np. wzbudzane cieplnie) do odpowiednich pasm. W wezlach sieci krystalicznej pozostaja wowczas zjonizowane atomy domieszek. Polprzewodnik donorowy (zawierajacy domieszki donorowe) z uwagi na wieksza koncentracje elektronow niz dziur jest nazywany takze polprzewodnikiem typu N, natomiast polprzewodnik akceptorowy (zawierajacy domieszki akceptorowe) - polprzewodnikiem typu P, gdyz

20

koncentracja dziur przewaza w nim nad koncentracja elektron6w. Najczestszy w praktyce jest przypadek wystepowania w polprzewodniku jednoczesnie obu rodzaj6w domieszek, tj. donorowych i akceptorowych. Typ polprzewodnika okreslaja w6wczas te domieszki, kt6rych koncentracja jest wieksza, W szczeg6lnym przypadku r6wnych koncentracji domieszki donorowej i akceptorowej polprzewodnik nazywa sie skompensowanym. Polprzewodnik silnie domieszkowany, tzn. 0 duzej koncentracji domieszek, w kt6rym poziom Fermiego " znajduje sie blisko krawedzi pasma zabronionego lub poza tym pasmem, a wiec w pasmie przewodnictwa lub w pasmie walencyjnym, nazywa sie polprzewodnikiem zdegenerowanym.

ln«

Rys. 1.lIB. Temperaturowa zaleznosc konduktywnosci polprzewodnika

1 - zakres jonizacji domieszek; 2 - zakres stalej koncentracji nosnikow, tzw. zakres nasycenia (wszystkie dornieszki zjonizowane); 3 - zakres przewodnictwa samoistnego

2

11T

T 150

150 K

Wplyw temperatury na wlasciwosci polprzewodnika najwyrazniej jest widoczny w przebiegu temperaturowej zaleznosci konduktywnosci (rys. 1.11 B). Interpretacja tej krzywej jest w zasadzie taka, jak temperaturowej zaleznosci koncentracji nosnikow w polprzewodniku, bowiem wplyw temperaturowych zmian ruchliwosci jest znacznie slabszy. W zakresie temperatur niskich (odcinek 1) przyrost konduktywnosci spowodowany zwiekszaniem temperatury wynika ze wzrostu koncentracji nosnikow pochodzacych z jonizacji domieszek - jest to zakres przewodnictwa niesamoistnego. Gdy wszystkie domieszki sa juz zjonizowane, dalszy wzrost temperatury wywoluje stosunkowo male zmiany konduktywnosci (odcinek 2), spowodowane glownie wplywem temperatury na ruchliwosc, bowiem koncentracja nosnikow jest, praktycznie rzecz biorac, stala - zakres ten nazywa sie zakresem nasycenia. Jest on najwazniejszy w charakterystyce polprzewodnikow, bowiem stalosc koncentracji nosnikow w funkcji temperatury jest warunkiem poprawnej pracy tranzystor6w, diod, ukladow scalonych. W wysokiej temperaturze (odcinek 3) znaczny przyrost konduktywnosci jest spowodowany szybkim wzrostem koncentracji samoistnej nosnikow wskutek generacji bezposredniej par e1ektron-dziura - jest to zakres przewodnictwa samoistnego.

--.~--

1) Poziom energetyczny, kt6rego prawdopodobietistwo zajecia przez elektron jest r6wne 0,5.

21

1.12. Jakie materialy maj~ podstawowe znaczenie jako pOlprzewodniki?

Wlasciwosci polprzewodnikowe wykazuja niekt6re pierwiastki, zwiazki miedzymetaliczne, tlenki, siarczki, selenki, tellurki, a takze pewne zwiazki organiczne (rys. 1.12). Materialem majacym obecnie podstawowe znaczenie w budowie przyrzadow p61przewodnikowych jest krzem monokrystaliczny. Z niego wykonuje sie wiekszosc tranzystor6w i diod oraz niemal wszystkie uklady scalone. Znaczenie germanu (material powszechnie stosowany w latach piecdziesiatych, na kt6re przypadly poczatki rozwoju elektroniki polprzewodnikowej) jest obecnie niewielkie - stosuje sie go glownie do wytwarzania fotodetektor6w (fotodiody, fototranzystory), halotron6w i niekt6rych rodzaj6w diod (ostrzowe, zwrotne). Materialem majacym pod wieloma wzgledami lepsze wlasciwosci niz krzem, m.in. wieksza ruchliwosc elektron6w i szersze pasmo zabronione, lecz jeszcze nie wykorzystanym w pelni ze wzgledu na trudnosci technologiczne, jest arsenek galu (GaAs) - stosowany przede wszystkim w budowie element6w optoelektronicznych i mikrofalowych, a takze niekt6rych ukladow scalonych (np. pamieci 0 bardzo kr6tkim czasie dostepu). Podobne korzystne cechy wykazuje inny zwiazek typu AITIBV - fosforek indu (lnP). Rosnie znaczenie zwiazkow SiGe (heterozlacza). Prowadzone sa takze prace nad zastosowaniem weglika krzemu (SiC), a nawet diamentu w polprzewodnikowych przyrzadach mocy. Odrebna grupe material6w stanowia polprzewodniki polikrystaliczne stosowane w postaci spiekow tlenkow metali Mn, Co, Ni, Li, Fe, Cu (termistory), ZnO (warystory) lub cienkich warstw CdS, CdSe, PbS

Materiaty p6tprzewodnikowe

zto2one

typu A11BV1 (np. CdS, HgTe)

typu A111BV (np. GaAs, GaP, InSb)

wieLosktadnikowe (np. ferryty)

organiczne (np. antracen)

Rys. 1.12. KJasyfikacja materialow pclprzewodnikowych (linia pogrubiona wyrozniono materialy znajdujace obecnie najwieksze zastosowanie)

22

Tabela 1.12. Podstawowe parametry material6w pOlprzewodnikowych (T = 300 K)

:;:;;;;--~-------::'~ Krzem German Arsenek
gain
r Si Ge GaAs
Gestosc (masa wlasciwa) dw Mg/m3 2,33 5,32 5,32
Stala sieci krystalicznej ao w run 0,543 0,566 0,565
Koncentracja atomow (lub molekul) N w m - 3 5 '1028 4,42'1028 2,21 '1028
Temperatura topnienia T, w °C 1420 937 1238
Szerokosc pasma zabronionego Wg w eV 1,1 0,7 1,4
Koncentracja nosnikow samoistnych ni w m - 3 1,45 '1016 2,4'1019 1013
Ruchliwosc dla pofprzewodnika samoistnego
elektronow Jl. w m 2 fV . s 0,13 0,39 0,86
dziur J1.p wm2fV·s 0,05 0,19 0,025
Wzgledna przenikalnosc elektryczna e", 11,7 16 12
Wytrzymalosc elektryczna ~ w V /JJlIl 30 8 35 (fotorezystory), CdHgTe (halotrony). Wybrane parametry trzech najwazniejszych materialow polprzewodnikowych podano w tabeli 1.12.

1.13. Jak przebiega transport Iadunku w ciele stalym?

Transport ladunku elektrycznego wiaze sie z uporzadkowanym ruchem swobodnych nosnikow ladunku, tj. czastek obdarzonych zdolnoscia przenoszenia ladunkow elektrycznych, ktorymi z reguly sa elektrony, dziury lub jony. Przeplyw nosnikow zalezy od wielu roznych czynnikow wewnetrznych (np. rodzaj materialu, koncentracja i rodzaj domieszek) oraz zewnetrznych (pole elektryczne, temperatura, pole magnetyczne, oswietlenie itp.), przy tym najwiekszy wystepuje w przewodnikach, a najmniejszy w dielektrykach. Transport nosnikow ladunku moze sie odbywac wskutek unoszenia i dyJuzji (rys. 1.13). Strumien nosnikow ladunku unoszonych z pewna predkoscia VU' powstaly wskutek dzialania sil pola elektrycznego, stanowi 0 skladowej unoszenia pradu

a)

Klerunek pradu

E

(-)

c+)

Vp

b)

Klerunek

pradu ----;;..

• •

• • •••

L • •

• • • • •••

• • ••••

• Sirumien • ••

• e{ektrontJw • ••• • • "\-__:____::__- ...

• •

• •

Rys. 1.13. Pogladowa ilustracja zjawiska unoszenia (a) i dyfuzji (b) nosnikow ladunku

23

przewodzenia (rys. l.13a). Dyfuzja nosnikow wystepuje wowczas, gdy rozldad koncentracji swobodnych nosnikow nie jest rownomierny. W takim przypadku, wskutek chaotycznego ruchu cieplnego nosnikow, nastepuje wyrownanie ich koncentracji, tj. przeplyw nosnikow z obszaru 0 wiekszej koncentracji do obszaru 0 mniejszej koncentracji (rys. 1. 13b) - zwiazana z tym skladowa pradu przewodzenia nazywamy prqdem dyfuzji.

1.14. Jak przejawia si~ zjawisko polaryzacji elektrycznej?

Zjawisko polaryzacji elektrycznej przejawia sie powstawaniem ladunkow elektrycznych na powierzchni materialu - obserwuje sie je przede wszystkim w dielektrykach (rys. 1.14A). Podstawowymi rodzajami polaryzacji dielek-

E

-------_-

+++++++++

+++++++++

Rys. 1.14A. Pogladowa ilustracja zjawiska polaryzacji elektrycznej

trykow s~ polaryzacje: elektronowa, jonowa i dipolowa. Polaryzacja elektronowa polega na deformacji zewnetrznej powloki elektronowej otaczajacej jadro atomu i przesunieciu srodka ciezkosci obu ladunkow (ujemnego i dodatniego) w atomie. Polaryzacja jonowa powstaje w wyniku przemieszczania wewnatrz czasteczki roznoimiennych jonow zwiazanych ze soba silami przyciagania elektrostatycznego. Polaryzacja dipolowa wiaze sie z orientacyjnym dzialaniem pola elektrycznego na dipole tworzone przez pol arne czasteczki dielektryku. W wiekszosci dielektrykow polaryzacja elektrycznajest liniowa funkcja natezenia zewnetrznego pola elektrycznego (prosta 1 na rys. 1.14B) - w zwiazku z tym sa one nazywane dielektrykami liniowymi. Nieliniowy przebieg peE) w ksztalcie petli histerezy (krzywa 2 na rys. l.l4B) maja jedynie Jerroelektryki,

Rys. 1.14B. Wykres polaryzacji elektrycznej w funkcji natezenia pola elektrycznego dla dielektryku liniowego (1) i dielektryku nieliniowego (2), tzw. ferroelektryku

24

tj. die1ektryki charakteryzujace sie wystepowaniem polaryzacji spontanicznej, nazywane z tego wzgledu dielektrykami nieliniowymi.

1.15. Na czym polega zjawisko polaryzacji magnetycznej?

Zjawisko polaryzacji magnetycznej (magnesowania) polega na porzadkowaniu struktury domenowej w magnetyku poddanym dzialaniu zewnetrznego pola magnetycznego i przejawia sie pojawieniem wypadkowego momentu magnetycznego roznego od zera, czyli namagnesowaniem ciala, Stan namagnesowania ciala zalezy od jego wlasciwosci magnetycznych, przeszlosci magnetycznej oraz natezenia pola magnesujacego, Magnesowanie calkowicie rozmagnesowanego materialu w polu 0 wzrastajacym natezeniu przebiega wzdluz krzywej nazywanej krzywa magnesowania pierwotna (rys. 1.15). Okresowa powolna zmiana natezenia pola magnesujacego wywoluje zmiany namagnesowania po zamknietej krzywej nazywanej petla histerezy. Graniczna petla histerezy w przecieciu z osiami wspolrzednych (B, II) wyznacza charakterystyczne parametry: B, - indukcje remanencji (nazywana tez indukcja szczatkowa lub pozostaloscia magnetyczna) i He - natezenie koercji (nazywane tez natezeniem powsciagajacym), Powierzchnia petli histerezy jest rowna stratom energii nazywanym stratami histerezowymi lub stratami na histereze, jakie powstaja podczas przemagnesowywania magnetyka. Przy cyklicznych przemagnesowaniach, np. w urzadzeniach zasilanych napieciem sinusoidalnie zmiennym w funkcji czasu, obok strat histerezowych wystepuja straty zwiazane z indukowaniem sie i przeplywem pradow wirowych w rdzeniu magnetycznym (magnetowodzie). Wynikiem strat jest nagrzewanie si~ magnetyka.

Zjawiskiem towarzyszacym magnesowaniu jest tez magnetostrykcja, tj. zmiana rozmiarow ciala wskutek zmiany wzajemnych odleglosci miedzy atomami lub jonami sieci krystalicznej, powodowana orientacja stalych mo-

Rys. 1.15. Krzywa magnesowania pierwotna (1) i petla histerezy (2) magnetyka

25

men tow magnetycznych w kierunku dzialania zewnetrznego pol a magnesujacego. Zjawisko magnetostrykcji stwarza mozliwosc przetwarzania energii elektrycznej w mechaniczna, jest wykorzystywane w filtrach, przetwornikach ultradzwiekowych itp.

1.16. Jakie sygnaly nazywa si~ elektrycznymi?

Sygnalem elektrycznym nazywa sie przebieg czasowy napiecia lub natezenia pradu elektrycznego wykorzystany do przekazania informacji, np. dzwieku, obrazu, danych, bodzcow sterujacych itp. W podstawowej klasyfika-

a) f(t)

b) f{t)

t

Rys. 1.16A. Przyklad sygnahi: a) ciaglego; b) dyskretnego

frt)

t

Nt)

fit)! n I

10001

10

t

Rys. 1.16B. Przyklady sygnalow impulsowych

26

cji rozroznia sie sygnaly analogowe (ciagle) i cyfrowe (dyskretne) (rys. 1. 16A). Sygnaly analogowe moga przyjmowac nieskonczenie wiele wartosci dowolnie malo rozniacych sie od siebie, innymi slowy, zbior wartosci sygnalu analogowego jest nieprzeliczalny. Sygnaly cyfrowe przyjmuja tylko skonczona liczbe wartosci, a wiec ich wartosci naleza do zbioru prze1iczalnego. Sygnaly analogowe moga sie zmieniac w dowolnej chwili, natomiast sygnaly cyfrowe tylko w pewnych punktach czasowych. Szczegolnymi rodzajami tych sygnalow sa sygnaly harmoniczne (analogowe) nazywane ogolnie sygnalami sinusoidalnymi oraz sygnaly dwuwartosciowe (cyfrowe) nazywane w skrocie sygnalami binarnymi. Wazne znaczenie w technice maja rowniez sygnaly nazywane ogolnie impulsowymi. Sygnalem impulsowym jest sygnal 0 duzej amplitudzie trwajacy bardzo krotko, W praktyce okreslenie impuls odnosi si~ najczesciej do przebiegow, ktorych czas trwania jest znacznie krotszy niz okres powtarzania (rys. 1.16B). Impulsy moga bye dodatnie lub ujemne, pojedyncze lub grupowe, powtarzane okresowo lub nieokresowe itd. Wiele wspolnych cech z sygnalami impulsowymi maja sygnaly okresowe prostokatne (rys. 1.16C) i piloksztaltne (rys. 1.16D).

fltlkvvv .

Do

f{t)

.

t

t

Rys. 1.16C. Przyklady sygnal6w prostokatnych

Rys. 1.16D. Przyklady sygnalow piloksztaltnych

1.17. Jakie parametry stosuje si~ W opisie sygnal6w elektrycznych?

N a rysunku 1.17 A przedstawiono przebieg sinusoidalny natezenia pradu elektrycznego. Wartosc chwilowa tego sygnalu (pradu sinusoidalnego) okresla nastepujaca zaleznosc:

i = 1m sin(wt + 1/1}

27

w ktorej: 1m - wartosc maksymalna (amplituda) pradu; '" - faza poczatkowa pradu w chwili t = 0; rot + '" - faza pradu w chwili t; ro = 2nf - pulsacja (czestotliwosc katowa); f = liT - czestotliwosc, bedaca odwrotnoscia okresu T. W czasie jednego okresu T faza pradu zmienia sie 0 2n, tzn. co = 2n.

i (t)

Rys. 1.17A. Interpretacja graficzna parametrow sygnahi sinusoidalnego

Wartosc skutecznq (effective) sygnalu okresowego (pradu) 0 okresie

T wyraza zaleznosc

1 T

- J i2dt To

Odpowiada ona wartosci pradu stalego, ktory, przeplywajac przez rezystor o stale] (niezmiennej) wartosci rezystancji, spowoduje wydzielenie w nim takiej samej ilosci energii (w postaci ciepla), co prad sinusoidalny plynacy w tym samym czasie. W przypadku pradu sinusoidalnego wartosc skuteczna

natezenia pradu. jest rowna jego amplitudzie podzielonej przez J2, czyli ler = ImlJ2 ~ 0,707 i;

Wartosc sredniq (average) sygnalu okresowego (pradu) 0 okresie Twyraza zaleznosc

1 T

t.; = T J idt

o

Odpowiada ona wartosci pradu stalego, ktory plynac przez dany przekroj poprzeczny przewodnika przenioslby w tym samym czasie taki sam ladunek, jak prad zmienny. Poniewaz w przypadku pradu sinusoidalnego wartosc srednia za caly okres, czyli tzw. wartosc calookresowa, jest rowna zeru, dlatego zwykle w ce1u okreslenia wartosci sredniej pradu sinusoidalnego przyjmuje sie czas rowny polowie okresu T12, wowczas

2 TI2 2

t.; = T J idt = -1m ~ 0,637 1m

o n

Iloraz wartosci skutecznej i sredniej (pradu) okresla tzw. wspolczynnik ksztaltu krzywej k = ler/lav, ktory dla przebiegow sinusoidalnych jest rowny

k = nl2J2 ~ 1,11.

28

Sygnal binamy (rys. 1.17B.a) charakteryzuje sie tym, ze przyjmuje tylko dwie rome wartosci oznaczane zwykle symbolami L, H (Low - niski, High - wysoki) lub 0, I. Cyfry 0, 1 nazywa sie bitami (BInary digi'Ty. W artosci napiec i pradow odpowiadajace tym dwu wartosciom dwojkowym (0, I) nie musza bye ustalane z bezwzgledna dokladnoscia. Wystarczy, ze zawieraja sie w pewnych dose szerokich przedzialach poziomow L, H, rozdzielonych przedzialem wartosci wzbronionych (rys. 1.17B.b).

a) f(t)

b) f(t)

] I Ii

Pf'zedziaT wzbronionq ~~~~~~~~~~~;

t

Rys. 1.17B. lnterpretacja graficzna parametr6w sygnalu binamego

Sygnal binarny przedstawiony w funkcji czasu rna postac ciagu impulsow (zerojedynkowych). Reprezentuje on okreslona informacje wyrazona w odpowiednim kodzie, np. dwojkowym naturalnym, dwojkowodziesietnym (BCD) itp. Uporzadkowany zbior kolejno po sobie nastepujacych bitow stanowi slowo kodowe. Charakterystyczna cecha kazdego kodu jest dlugosc slowa kodowego, wyrazajaca sie liczba wystepujacych w nim bitow, Do okreslania dhigosci slowa jest stosowana jednostka zwana bajtem (byte), skladajaca sie z umownej liczby bitow; zazwyczaj 1 bajt odpowiada 8 bitom. W zaleznosci od tego, czy poszczegolne bity slowa kodowego SlJ; przekazywane kolejno (szeregowo), czy jednoczesnie (rownolegle), rozroznia sie sygnaly biname szeregowe i rownolegle,

Podstawowymi parametrami sygnalu impulsowego SlJ; wartosc maksymalna (amplituda) Am oraz czasy narastania t.; opadania tf' trwania t., odstepu t2, a takze okres powtarzania T = t( + t2• Interpretacje graficzna

A (t)

Rys. 1.17C. lnterpretacja graficzna parametr6w sygnalu impulsowego

29

tych parametrow podano na rysunku l.I7C. Iloraz czasu trwania (szerokosci impulsu) II i okresu powtarzania T okresla tzw. wspolczynnik wypelnienia impulsu (tj. k; = Id1).

1.18. Co to SJI szumy?

Szumy s~ to, najogolniej biorac, wszelkie niepozadane zmiany wielkosci fizycznych zaklocajace proces obserwacji. Stosujac rozne kryteria podzialu, rozroznia sie szum: przemyslowy, naturalny, akustyczny, elektryczny, kosmiczny, impulsowy, tlowy, wlasny itp. Kazdy szum rna cechy sygnalu los owego, podlega wiec opisowi statystycznemu stosowanemu przy analizie wszystkich procesow stochastycznych.

Szumem elektrycznym - w najszerszym znaczeniu tego pojecia - nazywa sie wszystkie niepozadane skladniki wystepujace w sygnale elektrycznym. Przyczyna ich pojawienia sie moga bye: fluktuacje wielkosci elektrycznych bedace rezultatem ziarnistej struktury materii, zaklocenia pochodzace od zewnetrznych pol elektromagnetycznych, a takze zaklocenia powstajace wskutek niestabilnych warunkow pracy oraz znieksztalcenia nieliniowe. Wiekszosc z nich daje sie ograniczac badz eliminowac, niemozliwe do usuniecia, nawet w warunkach rownowagi termodynamicznej, sa jedynie fluktuacje wielkosci elektrycznych. Poniewaz w ich przypadku wartosc sredniokwadratowa pradu lub napiecia nie jest rowna zeru, oznacza to, ze nawet wowczas, gdy nie rna sygnalu uzytecznego, w elementach ukladu jest generowany sygnal szumowy. Szumy wystepuja we wszystkich (bez wyjatku) e1ementach i ukladach e1ektronicznych, a ich intensywnosc (poziom) zalezy glownie od rodzaju uzytych elementow i warunkow pracy. Szumy ze wzgledu na mechanizm powstawania dzieli sie na: cieplne, srutowe i typu 1//; w przyrzadach polprzewodnikowych wystepuja ponadto szum lawinowy i szum wybuchowy.

Szumy ograniczaja czulosc wejsciowa, a takze dynamiczny zakres pracy ukladu, moga tez bye przyczyna znieksztalcen sygnalu uzytecznego (np. pogorszenia jakosci odbioru programu muzycznego) itp. Pozadane jest zatem, aby poziom szumow by! mozliwie maly albo zeby odstep miedzy poziomem sygnalu uzytecznego a poziomem szumu by! mozliwie duzy, Poniewaz szumow nie mozna calkowicie wyeliminowac, zatem zwykle dazy sie do ich minimalizacji przez stosowanie coraz skuteczniejszych metod ich redukcji, a takze doskonalenie procesu produkcyjnego element ow i optymalizacje budowy ukladow z nich zlozonych w celu uzyskiwania coraz korzystniejszych konstrukcyjnych i uzytkowych parametrow urzadzen. Warto przy tym zaznaezyc, ze szumy znajduja tez obecnie rozmaite zastosowania, np. w badaniach roznorodnych zjawisk i procesow 0 charakterze przypadkowym, w okreslaniu charakterystyk (parametrow) elementow, ukladow i urzadzen, w symulacji zjawisk umozliwiajacych ocene pracy urzadzen w warunkach zblizonych do rzeczywistych, w identyfikacji obiektow, w diagnostyce uszkodzen, w prognozowaniu niezawodnosci element ow i urzadzen elektronicznych itp.

30

1.19. Jaki szum nazywany jest szumem cieplnym?

Szum cieplny (termiczny), zwany niekiedy szumem Johnsona, jest spowodowany chaotycznym ruchem cieplnym nosnikow ladunku w warunkach rownowagi termodynamicznej.

Wartosc sredniokwadratowa napiecia szumow cieplnych w jednostkowym przedziale (pasmie) czestotliwosci At, powstalych w dowolnym elemencie o rezystancji R, okresla wzor

u~ = 4kT· Af· R

gdzie k jest to stala Boltzmanna, T - temperatura bezwzgledna,

Wartosc sredniokwadratowa pradu szumow cieplnych w pasmie czestotliwosci At, powstalych w elemencie 0 rezystancji R, wynosi natomiast

- 4kT· Af

i2 = ~--- = 4kT· Af· G

n R

gdzie G = l/R jest konduktancja elementu.

Z powyzszych zaleznosci wynika, ze gestosc widmowa dysponowanej mocy szumow PiAf)/Af (moe dysponowana jest to moe, ktora moze bye dostarczona przez zrodloobciazone rezystancja rowna rezystancji wewnetrznej zrodla) jest dla szumu cieplnego stala w funkcji czestotliwosci i nie zalezy od R, np. przy T = 300 K wynosi ona

Szum 0 takiej (rownomiernej) charakterystyce widmowej jest nazywany szumem bialym.

1.20. Jaki szum nazywany jest szumem srutowym?

Szum srutowy powstaje pod wplywem pola elektrycznego przy przechodzeniu nosnikow ladunku przez bariere potencjalu, np. podczas emisji elektronow z katody lampy. W przyrzadach polprzewodnikowych rozroznia sie zwykle w tego rodzaju szumach szum dyfuzyjny - powstajacy wskutek nieregularnego przechodzenia nosnikow przez obszar ladunku przestrzennego na styku obszarow P-N polprzewodnika (np. przez zlacze emiter-baza tranzystora), i szum generacyjno-rekombinacyjny - powstajacy w wyniku przypadkowych zmian szybkosci procesow generacji i rekombinacji, pociagajacych za soba fluktuacje liczby nosnikow ladunku,

Wartosc sredniokwadratowa pradu szumow srutowych w pasmie czestotliwosci At, wyrazajaca zmiany statystyczne ladunku przeplywajacego przez dana powierzchnie, okresla wzor

31

i~ = 2q . I . I1f

gdzie q jest ladunkiem elektronu, I - skladowa stala pradu plynacego przez dana powierzchnie, Szum srutowy charakteryzuje sie, podobnie jak szum cieplny, stala gestoscia widmowa mocy w funkcji czestotliwosci, a wiec jest rowniez szumem bialym.

1.21. Jaki szum nazywany jest szumem 1ff?

Szum typu IIf, czyli szum 0 gestosci widmowej mocy w przyblizeniu odwrotnie proporcjonalnej do czestotliwosci f, powstaje w wyniku dzialania kilku roznych mechanizmow fizycznych (nie do konca poznanych), np. w przyrzadach polprzewodnikowych - glownie zwiazanych z procesami generacyjno-rekombinacyjnymi i pulapkowaniem nosnikow na powierzchni polprzewodnika oraz uplywnoscia zlacz, w lampach elektronowych - z powolnymi zmianami emisyjnosci powierzchni katody, w rezystorach kompozycyjnych (np. weglowych) - z przeplywem pradu przez osrodek nieciagly,

Wartosc sredniokwadratowa pradu szumow tego typu w pasmie czestotliwosci I1f opisuje zaleznosc empiryczna

i~ = A(l1fl f)

gdzie A jest stalym wspolezynnikiem, f zas czestotliwoscia, Szum typu Ilf jest tez nazywany szumem migotania lub szumem nadmiarowym. Szum typu Ilf dominuje w zakresie malych czestotliwosci (zwykle do kilku kHz), przy wiekszych czestotliwosciach jest maskowany szumem cieplnym i szumem srutowym,

1.22. Co to jest kompatybilnosc elektromagnetyczna?

Kompatybilnosc elektromagnetyczna (electromagnetic compatibility, w skrocie EM C) jest to zdolnosc urzadzenia do prawidlowego dzialania w okreslonym srodowisku elektromagnetycznym i nie wprowadzania do niego niedopuszczalnych (nadmiernych) zaklocen, Oddzialywanie sygnalow zaklocajacych okresla sie czesto mianem zjawiska interferencji elektromagnetycznej (EMI - electromagnetic interference); wczesniej stosowano okreslenie obejmujace jedynie zjawisko interferencji w zakresie czestotliwosci radiowych (RFI - radio frequency interference).

Kazde urzadzenie elektroniczne w mniejszym lub wiekszym stopniu jest zarowno odbiornikiem, jak i zrodlem (nadajnikiem) niepozadanych sygnalow zaklocajacych, Poniewaz zaklocen nie mozna jak wiadomo wyeliminowac calkowicie, aby zapewnic kompatybilnosc elektromagnetyczna ich poziom nalezy obnizyc stosownie do potrzeb (wymaganego minimum). W tym celu stosuje sie rozmaite metody redukcji zaklocen, np. ekranowanie, uziemianie, symetryzacje, filtracje, odsprzeganie itp. Kompatybilnosc elektromagnetyczna

32

ma miejsce wowczas, gdy rome urzadzenia, spelniajac swoje funkcje, moga jednoczesnie na danym obszarze w okreslonych warunkach harmonijnie ze so ba wspoldzialac,

Duza liczba urzadzen znajdujacych si~ w powszechnym uzytku, ich bliskie usytuowanie, a takze staly wzrost gestosci oraz zlozonosci ukladow i urzadzen, pociagajacy za soba wzrost prawdopodobieristwa zaklocen, powoduje, ze kompatybilnosc elektromagnetyczna staje sie coraz bardziej istotnym problemem we wspolczesnym swiecie, Przepisy regulujace wymagania niezbedne do zapewnienia kompatybilnosci elektromagnetycznej stanowia zwykle krajowe stowarzyszenia przemyslowe badz odpowiednie komisje rzadowe, a takze sami zainteresowani (producenci i uzytkownicy), Regulacjami miedzynarodowymi objeto jak dotychczas jedynie warunki emisji stacji RTV (radiotelewizyjnych), glownie czestotliwosc i moe nadajnikow,

1.23. Jakie wielkosci fizyczne i ich jednostki miar s~ najc~ciej stosowane w elektronice?

Jednostka miary jest to umownie przyjeta wartosc danej wielkosci fizycznej, ktora sluzy do porownania ze soba innych wartosci tej samej wielkosci. Zbior jednostek wielkosci mierzalnych nosi nazwe ukladujednostek miar. Obecnie obowiazuje Miedzynarodowy Uklad Jednostek Miar (Systeme International d'Unites), w skrocie nazywany ukladem SI. Uklad ten zawiera 7 jednostek podstawowych i 2 jednostki uzupelniajace (tab. 1.23A), jednostki pochodne spojne z jednostkami podstawowymi i uzupelniajacymi oraz przedrostki sluzace do tworzenia jednostek wielokrotnych i podwielokrotnych (tab. 1.23B). Podstawowa zaleta ukladu SI jest to, ze kazda z jednostek pochodnych mozna wyrazic za pomoca iloczynu poteg jednostek podstawowych i uzupelniajacych, przy czym wspolczynnik liczbowy w tym wyrazeniu jest rowny 1. Niektore jednostki pochodne ukladu SI maja swoje wlasne nazwy, np. jednostka ladunku - kulomb [C] itp. W tabeli 1.23C zestawiono jednostki

Tabela 1.23A. Jednostki miar podstawowe i uzupelniajllce ukladu SI

Jednostka
Wielkosc
nazwa oznaczenie
Dhigosc metr m
Masa kilogram kg
Czas sekunda s
Natezenie pradu elektrycznego amper A podstawowe
Temperatura (termodynamiczna) kelwin K
SwiaUosc kandela cd
Licznosc (ilosc) materii mol mol
Kat plaski radian rad uzupelniajace
Kat brylowy steradian sr 33

Tabela 1.23B. Przedrostki i oznaczenia do tworzenia jednostek miar wielokrotnych i podwielokrotnych ukladu SI

Przedrostek Oznaczenie Mnoinik
eksa E 1 000 000 000 000 000 000 = 1018
peta P 1 000 000 000 000 000 = 10 15
tera T 1 000 000 000000 = 1012
giga G 1 000 000 000 = 109
mega M 1000000 = 106
kilo k 1000 = 103
hekto h 100 = 102
deka da 10 = 101
decy d 10-1 = 0,1
centy c 10-2 = 0,01
mili m 10-3 = 0,001
mikro ~ 10-6 = 0,000 00 1
nanD n 10-9 = 0,000 000 001
piko p 10-12 = 0,000000000001
femto f 10 - 15 = 0,000 000 000 000 001
atto a 10-18 = 0,000000000000000001 Tabela 1.23C. Jednostki miar wybranych wielkoSci elektrycznych i magnetycznych ukladu SI

Jednostka ZaleinoSci mijldzy
Wielkosc
nazwa oznaczenie jednostkami
Ladunek elektyczny kulomb C lC=IA·s
(1 A . h = 3600 C)
Napiecie elektryczne wolt V IV=IW/A
Natezenie pola elektrycznego wolt na metr Vim
Indukcja elektryczna kulomb na metr C/m2
kwadratowy
Pojemnosc elektryczna farad F 1 F = 1 CjV
Rezystancja om Q IQ=IV/A
Konduktancja simens S IS = I/Q
Indukcyjnosc henr H I H = I V's/A
Natezenie pola magnetycznego amper na metr Aim (10e=~.~)
47t m
Indukcja magnetyczna tesla T 1 T = 1 Wb/m2
(1 Gs = 1O-4T)
Strumien magnetyczny weber Wb lWb=IV's
(IMx = 1O-4Wb)
Rezystywnosc omometr Q'm
Konduktywnosc simens na metr S/m 1 S/m = l/Q'm
Przenikalnosc elektryczna farad na metr F/m
Przenikalnosc magnetyczna henr na metr Him
Moe wat W lW=IV·A
Energia, praca, cieplo dzul J IJ=W·s
Czestotliwosc here Hz 1 Hz = lis 34

wielkosci elektrycznych i magnetycznych ukladu SI najczesciej stosowane w elektronice. W tabeli 1.20D podano jednostki nie nalezace do ukladu SI, lecz dopuszczone do stosowania jako legalne, np. stopien Celsjusza [Qq. Uzupelnieniem ukladu jednostek jest tab. 1.23E, w kt6rej zestawiono najwazniejsze stale fizyczne.

Tabela 1.23D. Niektllre jednostki miar nie nalei;llce do ukladu SI

Wielko.sc Jednostki Zaleinosc mi\ldzy jednostkami
nazwa oznaczenie
Temperatura stopieri Celsjusza °C toe = TK - 273,15
dla roznicy temperatur
1°C = lK
Energia elektronowolt eV leV = 1,602·1O-19J
1 B ~ [IOg,o ~ = 1]
Poziom mocy bel B r:
elektrycznej przy czym Prer = 0,001 W
decybel dB IdB = O,IB
1 B ~ [210g,0 _E_ = 1]
Poziom napiecia bel B o:
elektrycznego przy czym Urer = .j 0,6 W
decybel dB IdB = O,IB
A [ 12 ]
oktawa 1 oktawa = log, It = 1
Interwal czestotliwosci
dekada A [ fz ]
1 dekada = log,o It = 1 Tabela 1.23E. Wybrane stale flZyczne

Wielkosc Oznaczenie Warto.sc Jednostka
Ladunek elementarny e -1,6022.10-19 C
Masa spoczynkowa elektronu m. 9,1091 . 10-31 kg
Masa spoczynkowa protonu Il\ 1,6725 . 10-27 kg
Masa spoczynkowa neutronu m. 1,6748 . 10-27 kg
Stala Plancka ·h 6,6262 . 10 - 34 J·s
Stala Boltzmanna k 1,3807. 10-23 JIK
Predkosc swiatla w prozni Co 2,9979 . 10+8 m/s
Przenikalnosc magnetyczna prozni Jl.o 47t· 10-7 Him
Przenikalnosc elektryczna prozni Eo 8,8541 . 10-12 F/m 35

Tabela 1.24. Symbole graficzne nlekterych cz~Sc.iej stosowanycb elementow elektronicznycb

Nazwa Symbol Nazwa Symbol
Rezystor (staly) R Dioda A K
-----c:::J-----
Rezystor zmienny -¥- Dioda stabilizacyjna A K
(dioda Zenera) ~"
--&- Dioda ~r-----L
Potencjometr pojemnosciowa
Dioda tunelowa A K
Termistor ------r¢-
Dioda Schottky'ego A ~ K
Warystor ---u¢--
Dioda elektro- A 1/ K
luminescencyjna
Kondensator (staly) ~~ /I
Fotodioda A K
Kondensator J(

zmienny ~:
Tranzystor
Trymer ---¥- (bipolarny)
PNP
Kondensator ----2:JlF- Tranzystor ~:
elektrolityczny (bipolarny)
NPN
L
Induktor (staly) ~
Tranzystor polowy ~:
Induktor zmienny ~ zlaczowy
z kanalem N
Induktor z rdzeniem L
~ Tranzystor polowy ~:
magnetycznym zlaczowy z
Tr kanalem P
=Ji[
Transformator
Tranzystor polowy .J0
MOS z kanalem LJ~
wzbogacanym P ~s
Bezpiecznik E3
(topikowy)
---ifo-- Tranzystor polowy _u~
Lacznik MOS z kanalem
zubozanym N
Ogniwo elektryczne ~~
(elektrochemiczne) A K
Tyrystor (triodowy) ~I
6
Przewod 1.24. Jak oznacza si~ elementy elektroniczne na schematach elektrycznych?

Schemat elektryczny stanowi graficzne przedstawienie struktury ukladu elektronicznego. Elementy i polaczenia miedzy nimi s~ rysowane na schematach elektrycznych za pomoca umownych symboli graficznych. W tabeli 1.24 zestawiono symbole graficzne wazniejszych (czescie] stosowanych) elementow elektronicznych,

1.25. Co to jest obwod drukowany?

Obwod drukowany jest to mozaika przewodzaca stanowiaca uklad polaczen (sciezek, pol lutowniczych, stykow oraz niekiedy innych elementow np. cewek) wykonanych (zgodnie z zadanym schematem obwodu elektrycznego) na podlozu z materialu elektroizolacyjnego.

Pod wzgledem konstrukcji obwody drukowane dzieli sie na: jed nostronne - majace warstwe przewodzaca na jednej stronie podloza, dwustronne - z warstwa przewodzaca na obu stronach podloza, wielowarstwowe - skladajace sie na przemian z warstw przewodzacych i elektroizolacyjnych trwale ze soba polaczonych, W obwodach drukowanych dwustronnych i wielowarstwowych polaczenia elektryczne miedzy warstwami przewodzacymi realizuje sie za pomoca tzw. otworow metalizowanych.

Ze wzgledu na rodzaj podloza wyroznia sie obwody drukowane: sztywne - podlozem jest najczesciej laminat epoksydowo-szklany (znacznie rzadziej fenolowo-papierowy) 0 grubosci od 0,8 do 6 mm, oraz gietkie - podlozem jest folia poliestrowa, poliimidowa lub teflonowa 0 grubosci od 25 do 125 um, Podloze moze bye foliowane miedzia lub tez niefoliowane, zaleznie od stosowanej technologii wytwarzania mozaiki przewodzacej, Grubosc folii miedzianej, stanowiacej warstwe przewodzaca obwodu drukowanego, wynosi od 5 do 105 Jlffi.

Obwody drukowane sa powszechnie stosowane we wszelkiego rodzaju urzadzeniach elektronicznych, glownie jako podstawy montazowe, sluzace do laczenia i mocowania elementow elektronicznych oraz innych elementow (np. mechanicznych), a takze jako okablowanie, ulatwiajace wykonanie (dopasowanie) polaczen 0 zlozonym ksztalcie, badz laczace zespoly, ktore w czasie pracy przemieszczaja sie wzgledem siebie. Stosowanie obwodow drukowanych umozliwia automatyzacje produkcji (montazu) urzadzen elektronicznych oraz ich miniaturyzacje i zwiekszenie niezawodnosci.

1.26. Jak przebiega proces projektowania i wytwarzania obwodow drukowanych?

Projektowanie i wytwarzanie obwodow drukowanych jest procesem dozonym i pracochlonnym, Projektowanie zwykle zaczyna sie narysowaniem sieci polaczen (schematu elektrycznego projektowanego ukladu), a konczy uzy-

37

skaniem matryc produkcyjnych, bedacych odwzorowaniem, w skali 1:1, obrazu mozaiki przewodzacej, maski przeciwlutowej, opisow i znakow informacyjnych plytki drukowanej. Obecnie projektowanie obwodow drukowanych z reguly wykonuje sie przy pomocy komputera. Projektowanie wspomagane komputerowo (CAD - computer aided design) moze sie odbywac interaktywnie - konstruktor wspoldziala z komputerem we wszystkich etapach projektowania - badz automatycznie. Zaawansowane systemy CAD umozliwiaja nie tylko prowadzenie polaczen (sciezek) na plytce drukowanej, ale takze przygotowanie danych do sterowania wiertarka numeryezna (wykonujaca otwory w plytce drukowanej), a nawet urzadzeniami montujacymi elementy na plytce i testujacymi gotowe zmontowane plytki (tzw. moduly).

Dominujaca metoda w technologii wytwarzania mozaiki przewodzacej jest obecnie metoda subtraktywna, polegajaca na wytrawianiu warstwy miedzi pokrywajacej podloze, Stosowane sa rowniez metody addytywne, polegajace - w ogolnym zarysie - na selektywnym osadzaniu warstwy przewodzacej na niefoliowanym podlozu (do wytwarzania obwodow drukowanych 0 najwyzszym stopniu precyzji stosuje sie metode rozpylania w wysokiej prozni),

Proces produkcji plytek drukowanych rozpoczyna sie od wiercenia otworow w laminacie, po ktorym nastepuja etapy: kopiowania wzoru polaczen metoda sitodruku lub selektywnego naswietlenia emulsji swiatloczulej uprzednio nalozonej na powierzchnie plytki, usuwania emulsji (farby) ochronnej, nanoszenia maski przeciwlutowej, cynowania sciezek oraz koncowej obrobki mechanicznej zapewniajacej ostateczny ksztalt plytce drukowanej. W przypadku produkcji obwodow drukowanych wielowarstwowych wystepuje jeszcze dodatkowa operacja zwana laminowaniem, polegajaca na sprasowaniu cienkich arkuszy standardowych plytek drukowanych (jedno- lub dwustronnych) ulozonych jedna na drugiej z zastosowaniem odpowiedniej liczby i 0 wlasciwej grubosci preimpregnatow, tj. specjalnych przekladek wiazacych zestaw laminowany.

1.27. Jakie s~ najbardziej charakterystyczne cechy technologii montaiu powierzchniowego?

Technologia montazu powierzchniowego (surface mount technology - SMT) jest jedna z technologii stosowanych w procesie wytwarzania urzadzen elektronicznych. Obejmuje ona caloksztalt zagadnien zwiazanych z opracowywaniem i wdrazaniem elementow oraz urzadzen do montazu powierzchniowego, z sama technika montazu (tj. umieszczaniem i lutowaniem elementow na plytkach drukowanych), a takze z testowaniem i naprawami wadliwych zespolow, Rozwoj technologii montazu powierzchniowego, usuwajacy w cien powszechnie dotad stosowana technologie montaiu przewlekanego (through hole technology - THT), wiaze sie z wieloma korzysciami, jakie przynosi jej stosowanie, przy czym najwazniejszymi z nich sa: latwosc zautomatyzowania procesu produkcyjnego, wzrost gestosci upakowania element ow i szybkosci dzialania ukladow oraz poprawa jakosci urzadzen elektronicznych.

38

Elementy do montazu powierzchniowego (surface mount devices - SMD), nazywane powszechnie strukturowymi, maja z reguly specjalna konstrukcje przystosowana do warunk6w montazu na powierzchni plytki drukowanej, m.in. charakteryzuja sie brakiem drutowych wyprowadzen (koncowek), zwarta konstrukcja, malymi rozmiarami i masa, duza odpornoscia na wibracje i udary, dobrymi charakterystykami elektrycznymi w zakresie wielkich czestotliwosci, duza dokladnoscia wykonania (zob. pyt. 3.26).

ROZDZIAL 2

Podstawy teorii obwod6w

2.1. Jakie zagadnienia wchodzlt w zakres teorii obwodow elektrycznych?

Teoria obwodow jest dyscyplina naukowa zajmujaca sie badaniem (analiza i synteza) obwodow e1ektrycznych. Obwod elektryczny jest to, ogolnie rzecz biorac, pewna struktura zamknieta utworzona przez odpowiednio polaczone e1ementy elektryczne, w ktorej jest mozliwy przeplyw pradu e1ektrycznego. Element w takim obwodzie jest rozpatrywany jako swego rodzaju "cegielka" (czc:?sc niepodzie1na), bedaca modelem pewnego zjawiska lub cech fizycznych zwiazanych z obwodem elektrycznym. Waznym zagadnieniem dla analizy obwodow jest takze modelowanie elementow, wchodzacych w sklad obwodow elektrycznych,

W teorii obwodow w szerokim zakresie korzysta sie z matematyki, zwlaszcza z analizy matematycznej, algebry macierzy, algebry liczb zespolonych, szeregow Fouriera, rownan rozniczkowych i calkowych, przeksztalcen calkowych (Laplace'a, Fouriera), metod numerycznych itp. Dla wlasciwego zrozumienia funkcjonowania obwodow e1ektrycznych jest niezbedna takze znajomosc wie1u zagadnien z rozmaitych dzialow fizyki, glownie elektrostatyki i magnetostatyki, pradu elektrycznego, elektromagnetyzmu, budowy materii. Nalezy podkreslic, ze problematyka teorii obwodow jest w ustawicznym rozwoju, potrzeby rodzi bowiem nieustanny rozwoj mikroelektroniki, techniki cyfrowej i analogowej oraz wielu innych pokrewnych dziedzin nauki i techniki.

2.2. Jakie sit podstawowe prawa rzltdzltce zjawiskami wyst~pujltcym.i w obwodach elektrycznych?

Podstawowymi prawami fizycznymi s~ prawa Ohma i Kirchhoffa. Prawo Ohma, sformulowane w 1826 r. przez G. S. Ohma dla obwodu

pradu stalego, glosi: napiecie e1ektryczne U na koncach odcinka przewodnika

40

Rys. 2.lA. Ilustracja r6wnania rezystancji (prawo Ohma)

jest proporcjonalne do natezeniapradu elektrycznego I plynacego przez ten odcinek (rys. 2.2A), czyli

U = RI

gdzie R jest wspolczynnikiem proporcjonalnosci, zwanym rezystancja (tub oporem elektrycznym czynnym). Prawo Ohma odnosi sie do galezi obwodu elektrycznego nie zawierajacej zrodel energii (dla galezi obwodu elektrycznego zawierajacej zrodla energii obowiazuje drugie prawo Kirchhoffa). W obwodach pradu zmiennego napiecie i prad w danym elemencie Sll zwiazane za pomoca zaleznosci rozniczkowo-calkowych, bedacych uogolniona postacia prawa Ohma (tab. 2.2).

Tabela 2.2. Uogolnione prawo Ohma

Rodzaj Rezystor Induktor Kondensator
elementu
i R ~ , c
Postac -c::=J------ ~f--
-- -------u-
prawa Ohma u. ~
Zapis dla wartosci u se Ri di U=~fidt
u=L-
chwilowych dt
U i=±fudt du
i=-
R i=C-
dt
Zapis dla wartosci 1
skutecznych U=R/ J!. = jroL . ! U=-/
- - jroC-
zespolonych
Zapis dla transformat U(s) = R/(s) U(s) = sL/(s) 1
U(s) = -/(s)
sC Prawa Kirchhoffa (sformulowane w 1847 r. przez G. R. Kirchhoffa) wyrazaja zasady rozplywu pradow i rozkladu napiec w obwodach elektrycznych.

Pierwsze prawo Kirchhoffa, dotyczace bilansu pradow w wezle obwodu elektrycznego, okresla zaleznosc

'LJk = 0

k

oznaczajaca, ze: suma algebraiczna natezen pradow w wezle obwodu elektrycznego jest rowna zeru. Dla wezla przedstawionego na rys. 2.2B, przy zalozeniu, ze prady wplywajace do wezla sa dodatnie, prady zas wyplywajace z wezla

41

ujemne (lub na odwrot, co jest sprawa umowy), pierwsze prawo Kirchhoffa mozna zapisac w postaci rownania

II + 12 - 13 - 14 + 15 = 0

ktore z kolei mozna przepisac w postaci

II + 12 + 15 = 13 + 14

wyrazajacej nastepujaca tresc: suma pradow wplywajacych do wezla obwodu elektrycznego jest rowna sumie pradow wyplywajacych z tego wezla.

Rys. 2.2B. Wyodrebniony wezel obwodu elektrycznego (pradowe pierwsze prawo Kirchhoffa)

Drugie prawo Kirchhoffa, dotyczace bilansu napiec w oczku obwodu elektrycznego, okresla zaleznosc

IEk - IUk = 0

k k

oznaczajaca, ze: suma algebraiczna wszystkich napiec (zrodlowych Ek i odbiornikowych Uk) w oczku obwodu elektrycznego jest rowna zeru.

Dla oczka przedstawionego na rys. 2.2C, przy zalozonym dodatnim zwrocie kierunku przeplywu pradu w oczku (za dodatni przyjeto ZWfOt napiec zgodny z kierunkiem obchodzenia oczka, tj. kierunkiem ruchu wskazowek zegara), otrzymuje sie

(EI - E3 + E5) - (UI + U2 - U3 + U4 + U5) = 0

w ktorym UI> U2, U3, ... sa to spadki napiec odpowiednio Rll, R2I2, Rl3, ... wywolane pradami galeziowymi 0 przyjetych umownie dodatnich zwrotach natezenia pradu.

Rys. 2.2C. Wyodrebnione oczko obwodu elektrycznego (napieciowe drugie prawo Kirchhoffa)

42

Przy dowolnym charakterze zmiennosci napiec i pradow, prawa Kirchhoffa odnosza sie do wartosci chwilowych tych wielkosci, Prawa te slt: sluszne niezaleznie od rodzaju laczonych elementow, pod warunkiem jednak, ze Slt: to elementy skupione ". Prawa Kirchhoffa stosuje sie do wyznaczania napiec i natezen pradow w rozgalezionych obwodach elektrycznych przy znanych wartosciach ich elementow (np. E, R).

Korzystajac z podstawowych praw obwodow elektrycznych, mozna dokonywac przeksztalcania obwodow rozgalezionych. Na przyklad obwod zawierajacy rezystory polaczone szeregowo (rys. 2.2D.a) mozna uproscic, zastepujac je jednym rezystorem, ktorego rezystancja jest rowna sumie rezystancji poszczegolnych rezystorow, czyli

n

R = RI + R2 + R3 + ... + R; = L R;

k=1

Podobnie obwod zlozony z rezystorow polaczonych rownolegle mozna zastapic obwodem zawierajacym jeden rezystor, ktorego rezystancje okresla zaleznose (rys. 2.2D.b)

a)

Rys. 2.2D. Przyklad wyznaczania rezystancji wypadkowej w przypadku szeregowego (a) i rownoleglego (b) polaczenia dw6ch rezystorow

2.3. Jakie metody sit stosowane w badaniach obwodow elektrycznych?

Badanie obwodu polega na wyznaczaniu pewnych wielkosci charakteryzujacych dany obwod. Wielkosciami poszukiwanymi moga bye napiecia oraz prady w poszczegolnych czesciach obwodu, gdy jest dany schemat oraz parametry element ow (jest to analiza obwodu), jak rowniez parametry elementow, a nawet sam schemat obwodu, gdy sa zadane napiecia oraz prady w okreslonych czesciach obwodu (jest to synteza obwodu).

Metody badania obwodow elektrycznych ogolnie dzieli sie na sieciowe i zaciskowe. Melody sieciowe stosuje sie w odniesieniu do obwodow 0 znanej

1) Elementy skupione charakteryzuja sie tym, ze wszystkie wielkosci je opisujace sa tylko funkcjami czasu i nie zaleza od zmiennych przestrzennych.

43

konfiguracji (sieci) polaczen element ow w celu znalezienia rozplywu pradow oraz rozkladu napiec w poszczegolnych galeziach obwodu. Metody zaciskowe sluza do okreslenia zaleznosci miedzy wielkosciami zaciskowymi bez wnikania w strukture wewnetrzna obwodu.

Przyczyne, wywolujaca okreslone zjawiska fizyczne w obwodzie, nazywa sie wymuszeniem, a skutek dzialania - odpowiedziq. Wymuszeniem moze bye napiecie, prad lub inna wielkosc wywolujaca zmiane parametrow obwodu, odpowiedzia zas rowniez napiecie, prad lub wielkosc od nich zalezna,

Podstawowe znaczenie wsrod metod obliczeniowych maja: metoda oczkowa (nazywana tez metoda pradow oczkowych) i metoda wezlowa (nazywana tez metoda potencjalow wezlowych), Pierwsza z nich, pol ega na uzaleznieniu pradow obwodowych (oczkowych) i napiec zrodlowych w danym oczku. W wyniku jej stosowania mozna wyznaczyc prad w dowolnej galezi obwodu. Metode oezkowa zazwyczaj stosuje sie do sieci majacych wylacznie zrodla napieciowe, Jezeli obwod zawiera zrodla pradowe, to z reguly stosuje sie metode wezlowa. W wyniku stosowania metody wezlowej uzyskuje sie wartosci potencjalow w poszczegolnych wezlach (wzgledem wezla odniesienia), co umozliwia rowniez wyznaczenie pradu w dowolnej galezi.

Przebiegi pradow i napiec w obwodach pradu zmiennego wyznacza sie, rozwiazujac (przy okreslonych warunkach brzegowych) uklad rownan rozniczkowo-calkowych uzyskanych w wyniku zastosowania praw Kirchhoffa.

Bardzo zawile sa metody analizy stanow nieustalonych w obwodach nieliniowych't, W takim przypadku zwykle stosuje sie przyblizone metody analityczne i graficzno-analityczne, gdyz brak jest ogolnej metody analitycznej, ktora umozliwialaby analize zjawisk w obwodzie 0 dowolnej konfiguracji. Znacznie latwiej rozwiazuje sie zadania dotyczace obwodow liniowych, tj. obwodow zlozonych tylko z elementow liniowych. Podstawowa metoda analizy tych obwodow w stanie nieustalonym jest metoda operatorowa, w stanie ustalonym zas - metoda symboliczna. Metoda operatorowa jest zwiazana z zastosowaniem przeksztalcenia Laplace'a (lub innych przeksztalcen calkowych) i polega na algebraizacji rownan rozniczkowo-calkowych opisujacych uklad, Po otrzymaniu rozwiazania operatorowego, stosujac odwrotne przeksztalcenie Laplace'a, uzyskuje sie rozwiazanie czasowe (przebiegi czasowe napiec i pradow w obwodzie). Metoda symboliczna jest zwiazana z zastosowaniem rachunku liczb zespolonych i moze bye stosowana do obwodow liniowych w stanie ustalonym pobudzanych sygnalem sinusoidalnym lub tez niesinusoidalnym przy rozwinieciu go w szereg Fouriera i korzystaniu z zasady superpozycji. Polega ona na przejsciu od wartosci chwilowych do wartosci skutecznych zespolonych. Po otrzymaniu rozwiazania symbolicznego, wykonujac czynnosci odwrotne, uzyskuje sie rozwiazanie czasowe.

1) Obwodem nieliniowym nazywa sie obw6d, kt6ry zawiera co najmniej jeden element nieliniowy, tj. element 0 nieliniowej charakterystyce napieciowo-pradowej.

44

2.4. Jakie rodzaje elementew wyst~pujll w obwodach elektrycznych?

Podstawowymi e1ementami obwodow e1ektrycznych sa: rezystory, induktory i kondensatory. Elementy te rozpatrywane jako idealne charakteryzujl'j, odpowiednio rezystancja R, indukcyjnosc L i pojemnosc C. Definicje tych wielkosci wywodzi sie z praw fizyki, a scislej z praw rzadzacych zjawiskami przewodnictwa e1ektrycznego, polaryzacji e1ektrycznej i polaryzacji magnetycznej. Korzystajac z tych praw, uzyskuje sie nastepujace zaleznosci:

R = U/I L = 'l'/I C = Q/U

gdzie U jest napieciem, I - natezeniem pradu, 'l' - strumieniem magnetycznym (skojarzonym ze zwojami z cewki, tj. 'l' = zcP) oraz Q - ladunkiem elektrycznym.

Uzalezniajac R, L i C od parametrow materialowych p, J1., a i rozmiarow I, d, S struktury elementu (rys. 2.4A) otrzymuje sie wzory:

1 R = pS

S

L = J1.-Z2 1

S

C = a-

d

w ktorych: p jest to rezystywnosc, J1. - przenikalnosc magnetyczna, a - przenikalnosc e1ektryczna, 1 - dlugosc, d - grubosc, S - przekroj poprzeczny oraz z -liczba zwojow,

a)

I.

c)

z

S C=E; d

L -1Il.z2 =r .

Rys. 2.4A. Interpretacja fizyczna rezystancji (a), indukcyjnosei (b) i pojemnosci (c)

Rezystory, induktory i kondensatory Sl'j, elementami dwuzaciskowymi (dwojnikami), Wsrod elementow 0 wiekszej liczbie zaciskow, zwanych ogolnie wielowrotnikami, wazna role w teorii obwodow odgrywa transform at or idealny.

45

Transformator idealny jest to element czterozaciskowy (rys. 2.4B), majacy dwie uporzadkowane pary zaciskow: jedna na wejsciu i jedna na wyjsciu, charakteryzujacy sie bezstratnym przenoszeniem energii elektrycznej (pradu przemiennego) miedzy obwodami wejsciowym i wyjsciowym; innymi slowy oznacza to rownosc mocy chwilowych na wejsciu i wyjsciu transformatora, czyli

Ull = U2I2

gdzie UI, II' U2, 12 sa to napiecia i prady odpowiednio na wejsciu (indeks 1) i wyjsciu (indeks 2) transformatora. Powyzsza zaleznosc mozna przeksztalcic do postaci

UI 12

-=- =p

U2 II

gdzie p jest przekladniq transformatora idealnego.

Rys. 2.4B. Transformator ideaIny

Elementy wyiej omowione wyrozniaja sie tym, ze nie maja zdolnosci do wytwarzaoia sily e1ektromotorycznej, sa zatem e1ementami biernymi (pasywnymi). Ich przeciwienstwem sa irodla (energii elektrycznej), mogace wytwarzac sil~ elektromotoryczna i, dzieki temu, dostarczac energie elektryczna do obwodu. Zrodla sa zaliczane do elementow czynnych (aktywnych). Warto w tym miejscu zwrocic uwage na to, ze zrodla S!l w istocie przetwornikami energii, tj. elementami, w ktorych dokonuje sie przemiana energii np. mechanicznej, chemicznej, swietlnej lub innej na energie elektryczna, Niekiedy zrodlo reprezentuje przemiane energii e1ektrycznej z jednej postaci (np. energii pradu zmiennego) na inna (np. energie pradu stalego),

Rozroznia sie zrodla napieciowe i pradowe (rys. 2.4C). W idealnym irodle napieciowym - napiecie zaciskowe U okreslone sil!l elektromotoryczna E jest niezalezne od pradu obciazenia I, natomiast w idealnym irodle prqdowym - prad zaciskowy I okreslony wydajnoscia pradowa 10 jest niezalezny od napiecia obciazenia U. Idealne zrodlo napieciowe oddaje do obciazenia moe

a)

J

b)

1

Rys. 2.4C. Zr6dlo idealne: a) napieciowe; b) pradowe

46

P = Ef

natomiast idealne zrodlo pradowe

P = Ufo

Moe pobierana przez obciazenie w kazdym z rozpatrywanych przypadk6w wynosi

P = Uf

Idealne zrodla mega oddawac do obciazenia dowolnie duza moe chwilowa.

Elementy idealne reprezentuja tylko jedna ceche fizyczna, z pominieciem pozostalych. Elementy rzeczywiste zwykle lacza w sobie kilka cech, kt6- rych odpowiednie uwzglednienie jest niezwykle wazne w praktyce.

2.5. Co to jest dwojnik?

Dwojnik jest to obw6d elektryczny 0 dowolnej wewnetrznej strukturze polaczen element6w, majacy wyprowadzone na zewnatrz dwa zaciski (koncowki). Stan dw6jnika okresla prad zaciskowy I, plynacy przez dw6jnik, oraz napiecie U miedzy jego zaciskami. Wielkosci U, I sa zwiazane ze soba jednym rownaniem, Dwojniki dzieli sie na: zrodlowe i bezzrodlowe, pasywne (bierne) i aktywne (czynne), rezystancyjne i reaktancyjne, stratne i bezstratne, liniowe i nieliniowe. Przyklady roznych dwojnikow podano na rysunku 2.S.

a) b) R
0 c::=J 0
R
I ~ ~
1 ,.
U
R L
~ c) E R

~

G

Rys. 2.5. Ogolne oznaczenie dw6jnika (a), przyklady dw6jnik6w pasywnych (b) i aktywnych (c)

Dwojniki irodlowe wyrozniaja sie tym, ze zawieraja niezalezne zrodla energii elektrycznej (np. ogniwa elektryczne, akumulatory, generatory), natomiast bezzrodiowe nie zawieraja takich zrodel. Cecha charakterystyczna dw6jnikow pasywnych jest to, ze nie moga oddac do otoczenia wiecej energii, niz wynosi suma energii pobranej z otoczenia w okreslonym przedziale czasu i energii zgromadzonej w nich wczesniej; calkowita energia dostarczona do dw6jnika pasywnego jest wobec tego zawsze nieujemna. Dw6jnik okresla si~ jako aktywny, jesli istnieja takie chwile oraz jest dopuszczalny taki stan zaciskowy, ze calkowita energia dostarczona do dwojnika jest ujemna. Innymi slowy dwojnik aktywny jest zdolny oddac do otoczenia wieksza energie niz suma energii pobranej uprzednio z otoczenia i energii zgromadzonej w chwili poczatkowej,

47

Dwojniki rezystancyjne (tj. zawierajace elementy rezystancyjne) charakteryzuja sie tym, ze zamieniaja energie elektryezna na cieplo (lub inna postac energii). Dwojniki, w ktorych nastepuje przemiana energii elektrycznej w cieplo, nazywa sie stratnymi. Dwojniki reaktancyjne (tj. zawierajace elementy reaktancyjne, pojemnosci i indukcyjnosci) sll zdolne do pobierania energii z otoczenia, gromadzenia i nastepnie jej oddawania w calosci do otoczenia. Dwojniki, w ktorych proces przemiany energii odbywa sie bez strat, nazywa sie bezstratnymi.

2.6. Co to jest czwornik?

Czwornik jest to obwod elektryczny 0 dowolnej wewnetrznej strukturze polaczen elementow, majacy wyprowadzone na zewnatrz cztery zaciski (koncowki) uporzadkowane w dwie pary, zwane bramami (wrotamz): wejsciowa i wyjsciowa, ktorymi energia jest do obwodu doprowadzana lub odprowadzana. Stan czwornika okreslaja dwa napiecia UI, U2 pomiedzy zaciskami tworzacymi pary oraz dwa prady zaciskowe II' 12, spelniajace warunek zrownowazenia, tj. warunek rownosci pradow na wejsciu (II = 12) i warunek rownosci pradow na wyjsciu (12 = 12). Wielkosci zaciskowe UI, U2, II, 12 sa zwiazane ze soba dwoma niezaleznymi rownaniami, Czworniki, podobnie jak dwojniki, dzieli sie na: zrodlowe i bezzrodlowe, pasywne (bierne) i aktywne (czynne), rezystancyjne i reaktancyjne, stratne i bezstratne, liniowe i nie1iniowe; ponadto wyroznia sie zrodla sterowane, indukcyjnosci sprzezone itp. Przyklady czwornikow podano na rysunku 2.6.

a)

b)

~ o ][ 0

Rys. 2.6. Ogolne oznaczenie czw6rnika (a), przyklady czw6rnik6wpasywnych (b) i aktywnych (c)

Czwornik jest jednym z podstawowych obwodow elektrycznych, najczesciej jest ogniwem posrednim miedzy zrodlem a odbiornikiem (np. filtr elektryczny, transformator, tlumik), Czworniki mozna IllczyC Iancuchowo (kaskadowo), szeregowo, rownolegle, szeregowo-rownolegle lub rownolegle-szerego-

48

woo Wlasciwosci czwornikow i zasady ich wspolpracy z obwodami zewnetrznymi s~ przedmiotem badan teorii czwornikow, stanowiacej dzial teorii obwodow, szczegolnie przydatny dla potrzeb telekomunikacji, teletransmisji. W teorii czwornikow szeroko wykorzystuje sie rachunek macierzowy.

2.7. Jakie funkcje realizuj~ obwody zloione z elementow RLC?

Obwody zlozone z elementow RLC spelniaja wiele rozmaitych funkcji, m.in. sluza do dzielenia napiec, sprzegania ukladow, ksztaltowania impulsow, selekcji wybranych pasm czestotliwosci, wzbudzania drgan elektrycznych. Liczba tworzonych obwodow (mozliwych konfiguracji polaczen elementow RLC) jest ogromna, kazdy z elementow moze bowiem wystepowac wielokrotnie w roznych miejscach ukladu, a przy tym moze miec rozne wartosci, Podstawowe zastosowanie maja: dzielniki napiecia, obwody rozniczkujace, obwody calkujace, obwody rezonansowe, przesuwniki fazy, mostki, filtry itp.

2.8. Co to jest dzielnik naplecia?

Dzielnik napiecia jest to obwod elektryczny, sluzacy do dzielenia napiecia zasilajacego (wejsciowego) na dwa lub wiecej napiec skladowych (wyjsciowych) w zadanym stosunku. Do budowy dzielnikow napiecia sa stosowane elementy bierne rezystancyjne, pojemnosciowe i indukcyjne. Dla obwodow, ktorych schematy elektryczne podano na rys. 2.8A, sa sluszne nastepujace wzory, okreslajace napiecia skladowe:

a)

b) u'8U1 1"'lu'

c)

u

d)

Z2

u

lu,

>----0

lu'

00--_---0

ZI

u

o

e)

(3)

fO 9 8 7 6

u

5 4 3 2 1 o

Rys. 2.SA. Dzielnik napiecia: a) rezystancyjny; b) pojemnosciowy; c) rezystancyjno-pojemnosciowy; d) indukcyjny; e) indukcyjny dekadowy

49

- dla dzielnika rezystancyjnego (rys. 2.8A.a)

- dla dzielnika pojemnosciowego (rys. 2.8A.b)

- dla dzielnika rezystancyjno-pojemnosciowego (rys. 2.8A.c)

1 . C

R + Jill 1

U1 = 1 1 1 U

R + R + jill(CI + C2)

1 2

przy czym ill = 21tf jest pulsacja napiecia zasilajacego; - dla dzielnika indukcyjnego (rys. 2.8A.d)

gdzie zp Z2 oznaczaja odpowiednio liczbe zwojow tej czesci uzwojenia, z ktorej jest zbierane napiecie, Z = ZI + Z2 - ogolna liczbe zwojow dzielnika;

- dla dzielnika indukcyjnego dekadowego (rys. 2.8A.e)

m

U2 = U L (k, . lO-i)

i=l

gdzie k, jest numerem odczepu nastawionego na i-tej dekadzie, m zas jest liczba dekad (dla rozpatrywanego przyldadu U2 = U· 0,436).

Dzielnikiem rezystancyjnym 0 regulowanym podziale napiecia, powszechnie stosowanym w ukladach elektronicznych, jest potencjometr. Dzielniki pojemnosciowe sa stosowane w ukladach pradu przemiennego, np. w wysokonapieciowych ukladach pomiarowych. Dzielnikow rezystancyjno-pojemnosciowych uzywa sie m.in. w budowie sond pomiarowych stosowanych w oscyloskopach w celu zminimalizowania (wyeliminowania) wplywu impedancji polaczen i impedancji wejsciowej oscyloskopu na wynik pomiaru. Dzielniki indukcyjne znajduja zastosowanie glownie w precyzyjnych mostkach, komparatorach i innych ukladach pomiarowych pradu przemiennego 0 czes-

50

totliwosciach akustycznych. Cecha charakterystyczna dzielnikow indukcyjnych jest to, ze ich obwody wejsciowe i wyjsciowe s~ sprzezone indukcyjnie, a przekladnia zwojowa jest z duza dokladnoscia rowna przekladni napieciowej,

u

Rys. 2.SB. Dzielnik rezystancyjny sterowany z rzeczywistego zrodla napieciowego pradu stalego i obciazony elementem rezystancyjnym

Kazdy dzie1nik napiecia z reguly pracuje w ukladzie z obciazeniem i zrodlem, ktorych wlasciwosci moga niekiedy w istotny sposob wplywac na prace dzie1nika. Rozpatrzmy dla przykladu uklad dzie1nika 0 schemacie podanym na rys. 2.8B. Dla tego ukladu zwiazek miedzy napieciem zrodlowym E a napieciem na obciazeniu (load) UL okresla wzor ":

Uz

I Uz 11=1'2
R, I
U, Rz elL Uz
-r ( \_11<22
I
I Uz Rys. 2.se. Dzielnik rezystancyjno-pojemnosciowy kompensowany: a) schemat elektryczny; b) przebiegi czasowe napiecia wejSciowego "I i wyjsciowego "z przy roznych relacjach miedzy stalymi czasowymi ukladu ('rl = RICI oraz 'rz = RzCz)

I) Zapis Rz II RL oznacza rownolegle polaczenie dwoch elementow rezystancyjnych, czyli:

A Rz·RL RzIIRL=--· Rz+~

51

Latwo mozna wykazac, ze krytyczne dla pracy dzielnika sa zarowno duze wartosci rezystancji wewnetrznej zrodla r, jak i male wartosci rezystancji obciazenia RL•

Bardzo waznym w praktyce ukladem jest dzielnik rezystancyjno-pojemnosciowy 0 schemacie elektrycznym podanym na rys. 2.SC.a. Otoz, gdy w rozpatrywanym obwodzie jest spelniony warunek 1') = R)C) = 1'2 = R2C2, wowczas stopien podzialu nie zalezy od czestotliwosci i przenoszenie impulsow odbywa sie bez znieksztalcen (rys. 2.SC.b); 0 takim dzielniku mowi sie, ze jest skompensowany. Dzielniki tego typu czesto stosuje si~ w sondach pomiarowych oscyloskopow, przy czym wewnatrz sondy pomiarowej z reguly umieszcza si~ regulowana pojemnosc C)' aby miec mozliwosc kompensacji dzielnika, gdyz wartosc pojemnosci C2 na ogol nie jest dokladnie znana (zwykle bywa rozna w roznych przypadkach).

2.9. Jakie s~ cechy charakterystyczne obwodow rozniczkuj~cych?

Obwod rozniczkujqcy jest to obwod elektryczny, w ktorym napiecie wyjsciowe U2 jest w przyblizeniu proporcjonalne do szybkosci zmian napiecia wejsciowego u), czyli do pochodnej (rozniczki) napiecia u) wzgledem czasu. Schemat elektryczny prostego powszechnie stosowanego obwodu rozniczkujacego RC podano na rys. 2.9. Dla tego obwodu rozpatrywana zaleznosc rna postac:

du) U2 '" RCT!

Iloczyn RC = r nosi nazwe stalej czasowej obwodu. Operacji rozniczkowania moga bye poddawane sygnaly 0 roznych ksztaltach, np. doprowadzenie na wejscie sygnalu w postaci skoku napiecia (rys. 2.9b) daje w odpowiedzi sygnal wyjsciowy opisany zaleznoscia

w ktorej U, jest wartoscia maksymalna (amplituda) napiecia wejsciowego, t zas czasem operacji. Operacja rozniczkowania jest tym dokladniej wykonana (tzn. zblizona do rozniczkowania w scislym tego slowa znaczeniu), im mniejsza wartosc rna stala r w porownaniu z czasem operacji t. Warto zwrocic jednak uwage, ze zmniejszanie wartosci l' pociaga za soba niekorzystne malenie amplitudy sygnalu wyjsciowego (korzystniejszy przebieg operacji rozniczkowania uzyskuje sie w tzw. aktywnych ukladach rozniczkujacych, np. z uzyciem wzmacniacza operacyjnego).

Obwody rozniczkujace sa stosowane przede wszystkim w technice impulsowej do ksztaltowania impulsow elektrycznych, np. do przetwarzania fali prostokatnej w ciag impulsow szpilkowych (rys. 2.9d), przy czym warunkiem poprawnego dzialania ukladu jest to, aby stala czasowa r byla mala w porow-

52

b)

UI

1--------

t

D

t"

Rys. 2.9. Obw6d RC rozniczkujacy: schemat elektryczny (a) oraz przebiegi czasowe przy wymuszeniu skokowym (b), liniowym (c) i fala prostokatna (d)

t

naniu z czasem trwania impulsu T (w praktyce na ogol wystarcza, gdy 't" = RC ::::; TIS).

2.10. Jakie s~ cechy charakterystyczne obwodow calkuj~cych?

Obwod calkujqcy jest to obwod elektryczny, w ktorym napiecie wyjsci owe U2 jest w przyblizeniu proporcjonalne do calki napiecia wejsciowego U1 w okreslonym przedziale czasu. Schemat elektryczny prostego powszechnie

53

Rys. 2.10. Obw6d RC calkujacy: schemat elektryczny (a) oraz przebiegi czasowe przy wymuszeniu skokowym (b), liniowym (c) i fala prostokatna (d)

stosowanego obwodu calkujacego RC podano na rys. 2.1 O. Dla tego obwodu rozpatrywana zaleznosc rna postac:

Iloczyn RC = 'L nosi nazwe stalej czasowej obwodu. Operacji calkowania moga bye poddawane sygnaly 0 roznych ksztaltach, np. odpowiedzia ukladu na skok napiecia wejsciowego (rys. 2.10b) jest przebieg opisany zaleznoscia

54

w ktorej U, jest wartoscia maksymalna (amplituda) napiecia wejsciowego, t zas czasem operacji. Na rysunku 2.10 przedstawiono rowniez przebiegi czasowe odpowiedzi ukladu na wymuszenie liniowo narastajace (c) oraz prostokatne (d). Operacja calkowania jest wykonana tym dokladniej, im wieksza wartosc rna stala czasowa • w porownaniu z czasem operacji t. Rowniez w tym przypadku nalezy pamietac 0 tym, ze ze wzrostem wartosci r w sposob niekorzystny rnaleje amplituda sygnalu wyjsciowego (korzystniejszy przebieg operacji calkowania uzyskuje sie w tzw. aktywnych ukladach calkujacych, np. z uzyciem wzmacniacza operacyjnego).

Obwody calkujace sa stosowane w technice irnpulsowej do ksztaltowania przebiegow elektrycznych (np. przeksztalcania impulsow prostokatnych w trojkatne, badz tez fali prostokatnej w trojkatna), w technice telewizyjnej do separacji impulsow (np. do wydzielania impulsow synchronizacji pionowej z calkowitego sygnalu synchronizacji), a takze w filtrach elektrycznych dolnoprzepustowych (np. do odsprzegania obwodow zasilajacych), w przesuwnikach fazy itp.

2.11. Co to Sli filtry elektryczne?

Filtry elektryczne s~ to obwody elektryczne wydzielajace z doprowadzonego sygnalu napiecia e1ektrycznego przebiegi, ktorych ezestotliwosc lezy w okreslonym pasmie czestotliwosci, W podstawowej klasyfikacji rozroznia sie filtry: dolnoprzepustowe i gomoprzepustowe oraz pasmowozaporowe (srodkowozaporowe) i pasmowoprzepustowe (srodkowoprzepustowe).

a) c
0) II R~ 10
b)
A.
1 Rys. 2.llA. Filtr RC gornoprzepustowy: a) schemat elektryczny; b) charakterystyki czestotliwosciowe (amplitudowa i fazowa)

55

aj R
0 CJI 0
~1 1 U2
Cr
0 0
bj
.1 Rys. 2.11B. Filtr RC dolnoprzepustowy: a) schemat elektryczny; b) charakterystyki czestotliwosciowe (amplitudowa i fazowa)

Filtr gornoprzepustowy (rys. 2.11A) slabo przenosi sygnaly 0 malych czestotliwosciach, sygnalow zas 0 wielkich czestotliwosciach, praktycznie biorac, me thnni. Odwrotnie zachowuje sie filtr dolnoprzepustowy (rys. 2.11B) - bardzo dobrze przenosi sygnaly 0 malych czestotliwosciach, zas silnie tlumi sygnaly o wie1kich czestotliwosciach, W odniesieniu do obu filtrow mozna wyznaczyc

OL_--------~----------~

1 f

rp I To

+ 1f +-- _

2

O~~-----,~----~----Pf-

To

Rys. 2.11C. Filtr RC pasmowozaporowy: a) schemat elektryczny; b) charakterystyki czestotliwosciowe (amplitudowa i fazowa)

56

a)

b)

Or---------T-----------r-.

1 fa

I I

-----)----

Rys. I.ltD. Filtr RC pasmowoprzepustowy: a) schemat elektryczny; b) charakterystyki czestotliwosciowe (amplitudowa i fazowa)

pewna wartosc czestotliwosci, nazywana czestotliwoscia graniczna /g, dla ktorej stosunek wartosci napiec wyjsciowego U2 do wejsciowego U, wynosi

U2/U, = I/J2 ~ 0,71, a przesuniecie fazowe miedzy tymi napieciami wynosi 1t /4. Czestotliwosc /g okresla tzw. pasmo przenoszenia obwodu. Przyjmuje sie, ze w przypadku filtru gornoprzepustowego pasmo przenoszenia rozciaga sie od /g do nieskonczonosci, a dla filtru dolnoprzepustowego - od 0 do Ig.

Filtr pasmowozaporowy RC (rys. 2.11 C) slabiej przenosi sygnaly o czestotliwosci fa (dla I = fa charakterystyka amplitudowa osiaga minimum) niz sygnaly 0 innych czestotliwosciach, zarowno wiekszych jak i mniejszych od 10. Odwrotnie zachowuje sie filtr pasmowoprzepustowy RC (rys. 2.11D) - lepiej przepuszcza sygnaly 0 czestotliwosci 10 (dla 1=10 charakterystyka amplitudowa osiaga maksimum) niz sygnaly 0 innych czestotliwosciach (wiekszych i mniejszych). Warto jednak zaznaczyc, ze jako filtry pasmowozaporowe duzo czesciej stosuje sie uklady typu "podwojne T" (rys. 2.11E), wyrozniajace sie 0 wiele wieksza tlumiennoscia sygnalow dla czestotliwosci 10.

Filtry elektryczne moga bye tez realizowane z element ow reaktancyjnych, tj. pojemnosci i indukcyjnosci (rys. 2.11F).

Filtry elektryczne maja szerokie zastosowanie w rozmaitych urzadzeniach elektrycznych i elektronicznych.

57

a) b) A
Cf C2
",1 1"2
0
f
rp I To
+B:. -----~
2
0 f
70 1T -2

Rys. 2.UE. Filtr mostkowy typu "podw6jne T": a) schemat elektryczny; b) charakterystyki czestotliwosciowe (amplitudowa i fazowa)

o~--~------------._---

L b) C1 C2
lC1 rvY'I IC2 0 : II tL II :
T T 0
Do{noprzepu.sfowy Gornoprzepustowy
Lf L2 d) a)

o,__--_-~

c)

Pasmowozaporowy

Pa smowoprzepu.sfowy

Rys. 2.UF. Przykladowe schematy elektryczne filtrow LC: a) dolnoprzepustowego; b) gornoprzepustowego; c) pasmowozaporowego; d) pasmowoprzepustowego

2.12. Jak dziala przesuwnik fazowy?

Przesuwnik fazowy jest to obw6d elektryczny umozliwiajacy uzyskanie zadanego przesuniecia fazowego miedzy dwoma sygnalami e1ektrycznymi. Zadana wartosc przesuniecia fazowego qJ miedzy napieciem wyjsciowym U2 a napieciem wejsciowym U, (zob. odpowiednie przebiegi na rys. 2.l2A.b i rys. 2.l2B.b) uzyskuje sie w obwodach przesuwnika fazowego przez nastawie-

58

Rys. 2.12A. Przesuwnik fazowy RC z regulowana pojemnoscia: a) schemat elektryczny; b) przebiegi czasowe przy wymuszeniu sinusoidalnym; c) wykres wektorowy

a)

t

c)

nie odpowiedniej wartosci rezystancji rezystora nastawnego R, jak np. w obwodzie podanym na rys. 2.12A.a, lub przez nastawienie odpowiedniej wartosci pojemnosci kondensatora nastawnego C (rys. 2.l2B.a). Dzialanie przesuwnika fazowego dobrze ilustruja wykresy wektorowe podane odpowiednio na

Rys. 2.12B. Przesuwnik fazowy RC z regulowana rezystaneja: a) schemat elektryczny; b) przebiegi czasowe przy wymuszeniu sinusoidalnym; c) wykres wektorowy

a) ~
0 0
u,1 c1 I U2
T
0 0
b)
U U1 59

rys. 2.12A.c i 2.12B.c. Zmiana wartosci elementu regulowanego R lub C, powoduje zmiane spadku napiecia na tym elemencie, czego nastepstwem jest wedrowka konca wektora po polokregu, J ak latwo mozna zauwazyc, pociaga to za soba nie tylko zmiane przesuniecia fazowego, ale rowniez niekorzystna zmiane amplitudy napiecia wyjsciowego. Do budowy przesuwnikow fazowych stosuje sie rowniez mostki elektryczne oraz inne bardziej zlozone uklady elektroniczne.

2.13. Jaki obwod nazywany jest mostkiem elektrycznym?

Mostkiem elektrycznym nazywa sie obwod zlozony z elementow elektrycznych, ktorego galezie (tzw. ramiona mostka) tworza zwykle czworobok (rys. 2.13). Wlaczenie w jedna przekatna mostka (np. A-B) zrodla napiecia zasilania E powoduje wystapienie w drugiej przekatnej mostka (C-D) napiecia o wartosci

Rys. 2.13. Mostek elektryczny: a) pradu stalego; b) pradu przemiennego

Gdy RIR4 = R.fi3' napiecie U = 0, 0 takim mostku mowi sie, ze znajduje sie w tzw. stanie rownowagi, a podana rownosc nazywa sie warunkiem rownowagi mostka. Zmiana wartosci dowolnego elementu powoduje wyjscie mostka ze stanu rownowagi (rozstrojenie mostka). W wyniku w przekatnej C-D pojawia sie napiecie niezrownowazenia 0 wartosci tym wiekszej, im wiekszej zmianie ulegla wartosc danego elementu. Rozrownowazony mostek mozna ponownie doprowadzic do rownowagi, zmieniajac wartosc elementu (lub kilku elementow) w taki sposob, aby zostal spelniony warunek rownowagi mostka.

Przedstawiona zasade dzialania mozna uogolnic na mostki pradu zmiennego zawierajace elementy reaktancyjne, tzn. pojemnosci i indukcyjnosci (rys. 2.13b). Warunek rownowagi takiego mostka wyraza sie iloczynem impedancji (bedacych wielkosciami zespolonymi), czyli

~l • ~4 = ~2 • ~3·

60

Mostki elektryczne szeroko wykorzystuje sie do pomiaru parametrow rozmaitych elementow elektrycznych, jak rowniez do pomiaru roznych wielkosci fizycznych.

2.14. Co to s~ obwody rezonansowe?

Obwody rezonansowe nazywane tez obwodami drgajqcymi sa to obwody elektryczne zlozone z elementow reaktancyjnych (pojemnosci i indukcyjnosci), wyrozniajace sie tym, ze moze w nich wystapic zjawisko rezonansu elektrycznego. Rozroznia sie obwody rezonansowe szeregowe i rownolegle (rys. 2.l4A).

a)

I

IUL tUR

Rys. 2.14A. Obw6d rezonansowy: a) szeregowy; ~~CI tuc

b) rownolegly 0-

U

b)

I

u

L

W przypadku obwodu rezonansowego szeregowego (rys. 2.l4A.a), dla scharakteryzowania jego wlasciwosci, jest dogodnie poshigiwac sie impedancja obwodu, ktora okresla zaleznosc

a natomiast w przypadku obwodu rownoleglego (rys. 2.14A.b) - admitancja obwodu, okreslona z kolei zaleznoscia

Y = G + j (WC - ~L)

Pulsacje co, przy ktorej wypadkowa reaktancja lub susceptancja obwodu jest rowna zeru, nazywa sie pulsacja rezonansowa i oznacza WOo Z warunkow:

1

wL--=O

wC

oraz

1

wC - - = 0 wL

wynika, ze pulsacje rezonansowa okresla wzor 1

w =--

a JLC

61

Poniewaz co = 21Cj, to czestotliwosc rezonansowa 1

fa = 21CJ LC

Przebieg zjawisk, mimo identycznej postaci wzorow na pulsacje (i czestotliwosc) rezonansowa, jest rozny w obu rozpatrywanych przypadkach. W obwodzie szeregowym w stanie rezonansu wystepuje rownosc modulow napiec na elementach reaktancyjnych (rezonans napiec), a w obwodzie rownoleglym - rownosc modulow pradow (rezonans pradow). Impedancja obwodu szeregowego w stanie rezonansu jest rowna rezystancji R, admitancja zas obwodu rownoleglego - konduktancji G. Prad w obwodzie szeregowym w stanie rezonansu osiaga bardzo duza wartosc, ograniczona jedynie rezystancja R (jest to shiszne, gdy pobudzanie obwodu do drgan odbywa sie ze zrodla napieciowego). Odwrotna sytuacja istnieje w obwodzie rownoleglym - prad calkowity rna bardzo mala wartosc, okreslona wartoscia konduktancji G, natomiast wartosc maksymalna osiaga napiecie Umax = fiG.

Jednym z wazniejszych parametrow obwodu rezonansowego jest dobroc Q, ktora dla obwodu szeregowego okresla wzor w postaci

a dla obwodu rownoleglego wzor w postaci

a)

I

b)

./

I

t

/

Rys. 2.t4B. a) Krzywe rezonansowe obwodow 0 roznej dobroci (Q2> QI); b) przebieg czasowy drgari swobodnych w obwodzie slabo tlumionym

62

Im wieksza jest dobroc obwodu, tym wezsza (bardziej ostra) staje sie krzywa rezonansowa (rys. 2.l4B.a), a wiec obw6d rna wieksza selektywnosc i tym wolniej zanikaja w nim drgania swobodne (rys. 2.l4B.b). Wielkosc

jest nazywana impedancja charakterystyczna (lub falowa).

Na podstawie charakterystyki rezonansowej obwodu okresla sie tez inny wazny parametr obwodu rezonansowego, a mianowicie szerokosc pasma (B3 = 211f) przy spadku krzywej ° 3 dB, gdzie l1f = f - to jest odstrojeniem obwodu od rezonansu.

ROZDZIAL 3

Elementy

1 podzespoly bierne

3.1. Jakiego rodzaju elementy i podzespoly bierne SJl stosowane w urzadzeniach elektronicznych?

Elementami biemymi szeroko stosowanymi w urzadzeniach elektronicznych sa: rezystory, kondensatory i induktory. Innymi wazniejszymi elernentami (tub podzespolami) biernymi sa: rezonatory, filtry, transformatory, przekazniki, zlacza, bezpieczniki itp. Wi~kszosc tych elementow jest wytwarzana rnasowo w postaci znormalizowanej przez specjalistyczne zaklady produkcyjne. Mirno standaryzacji, elementy pochodzace od roznych producentow niekiedy dose znacznie roznia sie miedzy soba wlasciwosciami.

Wlasciwosci elementow biernych okresla wiele rozmaitych parametrow oraz charakterystyk, opisujacych element i jego zachowanie w czasie pracy, montazu, rnagazynowania itp. W praktyce zazwyczaj korzysta sie z zespolu kilku (niekiedy kilkunastu) parametrow i charakterystyk najistotniejszych w danym zastosowaniu.

Klasyfikujac elementy bierne, najczesciej bierze sie pod uwage cechy konstrukcyjno-technologiczne, wlasciwosci uzytkowe, rodzaj materialu,

3.2. Co to SJl rezystory i jakie SJl ich rodzaje?

Rezystory sa to elementy elektryczne, ktorych podstawowym parametrem uzytkowym jest rezystancja R wyrazana w ornach (0). Zadaniem rezystorow w obwodzie elektrycznym jest ustalenie okreslonej wartosci pradu 1= UjR lub spadku napiecia U = RI. Moe wydzielana w rezystorze P = UI jest przy tyro zamieniana na cieplo,

Rezystory pracuja w obwodach pradu stalego, zmiennego oraz impulsowego. Teoretycznie rzecz biorac, w kazdym z tych przypadkow zachowanie sie rezystora powinno bye identyczne, a wiec spadek napiecia na nim powinien

64

bye w fazie z przeplywajacym przezen pradem, Tak by bylo, gdyby rezystor byl elementem idealnym charakteryzujacym sie tylko rezystancja R (rys. 3.2a). W rzeczywistosci kazdy rezystor rna pewne wlasciwosci reaktancyjne okreslane przez tzw. parametry szczqtkowe, zwiazane z istnieniem np. indukcyjnosci doprowadzen, pojemnosci miedzykoncowkowych itp. (rys. 3.2b). W przypadku pradu zmiennego wywoluja one przesuniecie fazowe miedzy przeplywajacym pradem a spadkiem napiecia na rezystorze, przy czym to przesuniecie zwieksza sie ze wzrostem czestotliwosci,

a) R -c:::J-

b) R L

~

Rys. 3.2. Schemat zastepczy rezystora: a) idealnego; b) rzeczywistego

W podstawowej klasyfikacji rezystory dzieli sie na stale i zmienne.

Rezystorami stalymi nazywa sie elementy 0 wartosci rezystancji ustalonej w procesie wytwarzania i nie podlegajacej zmianie w czasie pracy, rezystorami zas zmiennymi - elementy charakteryzujace siy zmiennoscia rezystancji. Rezystory zmienne dzieli sie z kolei na: nastawne, 0 konstrukcji umozliwiajacej plynnit, dokonywana w sposob mechaniczny, zmiane wartosci rezystancji w obwodzie wlaczenia (rezystory te potocznie nazywa sie potencjometramz), i polprzewodnikowe (wytwarzane z polprzewodnikow) 0 rezystancji zmieniajacej sie w znacznym przedziale wartosci pod wplywem rozmaitych czynnikow zewnetrznych, sit to np. termistory, magnetorezystory, fotorezystory.

Warne znaczenie rna klasyfikacja objeta miedzynarodowym systemem normalizacyjnym (lEC), w ktorej rezystory dzieli sie na: typu 1, tj. wysokostabilne i precyzyjne, oraz typu 2, tj. powszechnego stosowania.

Niekiedy wyroznia sie rezystory majace szczegolnie ksztaltowane wartosci niektorych parametrow, przykladem moga bye rezystory: wysokonapieciowe (> 1 kV), wysokoomowe (> 10 Mn), duzej mocy (> 2 W), wysokotemperaturowe (> 175°C), precyzyjne « ± 1 %) itp.

3.3. Jakie Sst podstawowe parametry rezystorow?

Najwazniejszymi parametrami rezystora sit rezystancja wraz z tolerancjlt oraz napiecie znamionowe i dopuszczalna moe strat. Innymi wazniejszymi parametrami sa: napiecie graniczne, temperaturowy wspolezynnik rezystancji, napieciowy wspolczynnik rezystancji, ezestotliwosc graniczna, napiecie szumow,

Rezystancja znamionowa R; jest to wartosc rezystancji podawana jako cecha rezystora. Roznica miedzy wartosciami rezystancji rzeczywistej (ktora rna rezystor w okreslonych warunkach) i znamionowej jest nazywana odchylka rezystancji i wiaze sie z tzw. tolerancja rezystora. Wartosci rezystancji znamionowej Sl! znormalizowane i tworza ciagi liczb oznaczone E3, E6, E12, E24 itd.

65

Jak podano w tab. 3.3 z kazdym ciagiem jest zwiazana dopuszezalna odchylka (okreslona tolerancja),

Tabela 3.3. Cilfgi E6, EI2, E24 znamionowych wartoSci rezystancji (i pojemnoSci)

Cillg E6 Cillg El2 Ci~E24
±20% ±IO% ±5%
10 10 10
11
12 12
13
15 15 15
16
18 18
20
22 22 22
24
27 27
30
33 33 33
36
39 39
43
47 47 47
51
56 56
62
68 68 68
75
82 82
91 M oc znamionowa Po jest to najwieksza dopuszezalna moe, jaka moze bye wydzielona w postaci ciepla podezas praey rezystora w okreslonych warunkaeh, przy zaehowaniu wartosci pozostalyeh parametrow w granieaeh ustalonyeh dla danego typu rezystora. Wartosc tej moey zalezy przede wszystkim od konstrukeji rezystora, zastosowanyeh materialow i warunkow ehlodzenia. Moe znamionowa ustala sie, przyjmujac najwyzsza dopuszezalna temperature, do jakiej moze nagrzac sie rezystor. Podaje sie ja w odniesieniu do pewnyeh typowyeh temperatur otoezenia (np. 40, 70 lub 125 "C), eharakterystyeznyeh dla danego rodzaju rezystora. Wraz z podwyzszeniem temperatury otoezenia dopuszezalna moe, jaka moze bye wydzielona w rezystorze zmniejsza sie (rys. 3.3). Wartosci moey znamionowej Sl! znormalizowane, w urzadzeniach elektronieznyeh stosuje sie najczesciej rezystory 0 moey 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2 W. Nalezy zaznaczyc, ze nawet niewielkie krotkotrwale przekroezenie moey znamionowej skraea ezas niezawodnej praey rezystora, a dlugotrwale przeciazenie z reguly prowadzi do uszkodzenia rezystora.

66

P Pn

1f-------..

0,8

Rys. 3.3. Zaleznosc dopuszczalnej mocy obciazenia

rezystora od temperatury otoczenia a

N .apiecie graniczne U gr jest to najwieksza wartosc napiecia stalego (lub najwieksza wartosc skuteczna napiecia przemiennego), ktora mozna doprowadzic do koncowek rezystora nie powodujac jego uszkodzenia. Wartosc napiecia granicznego zalezy od konstrukcji rezystora, glownie wytrzymalosci izolacji. Wartosci napiecia granicznego sa znormalizowane, np. dla powszechnie stosowanych rezystorow malej mocy wynosza 150,250,350, 500 V.

Wplyw dzialania roznych czynnikow na rezystor charakteryzuja parametry (wspolczynniki) wyrazajace zmiane rezystancji wywolana dzialaniem okreslonego czynnika. Jednym z wazniejszych jest temperaturowy wspolczynnik rezystancji.

Temperaturowy wspolczynnik rezystancji't TWR wyraza zmiane rezystancji rezystora wywolana dzialaniem temperatury. Okresla go wzor

/).R TWR = R. /).T

gdzie /).R = R, - R jest zmiana rezystancji wywolana zmiana temperatury AT = T, - T, R zas jest rezystancja w temperaturze odniesienia T. Wspolczynnik TWR jest zazwyczaj podawany w jednostkach 10-6/deg.

3.4. Jakie sSl wlasciwosci rezystorew stalych?

Klasyfikacja rezystorow stalych jest oparta na cechach konstrukcyjno-technologicznych (rys. 3.4A i rys. 3.4B). Jest ona bardzo dogodna, gdyz z tymi cechami wi!!z!! sie scisle tak istotne wlasciwosci rezystora, jak obciazalnose, stabilnosc, temperatura pracy, rozmiary.

W najwiekszych ilosciach, duzym asortymencie typow oraz bardzo szerokim zakresie rezystancji i mocy sa produkowane rezystory weglowe (warstwowe i objetosciowe), Rezystory te wyrozniaja sie niska cena przy dose dobrych parametrach techniczno-eksploatacyjnych, szczegolnie korzystne cechy maja rezystory pyrolityczne.

1) Niekiedy zamiast TWR jest podawany inny parametr - temperaturowa zmiana rezystancji TZR = AR/R okreslany w %.

67

Rezystory state

warstwowe

obj~tosciowe

Rys. 3.4A. Klasyfikacja rezystorow stalych ze wzgledu na cechy konstrukcyjno-technologiczne

a) qrnDflJj]]lIfP

e)

Rys. 3.4B. Przyklady konstrukcji rezystorow stalych: a) drutowego; b) warstwowego; c) objetosci owego; d) typu chip do montazu powierzchniowego; e) sieci rezystorowej

W duzych ilosciach sa rowniez produkowane rezystory metalizowane (metalowe). Sa one najczesciej wytwarzane przez naniesienie warstwy metalowej na podloze ceramiczne metoda naparowania w prozni stopow metali zawierajacych glownie nikiel i chromo Ze wzgledu na bardzo dobre parametry elektryczne, duza stabilnosc i niezawodnosc sa powszechnie stosowane w budowie urzadzen elektronicznych.

Rezystory cermetowe odznaczaja sie najwieksza obciazalnoscia wlasciwa, bardzo duza odpornoscia na narazenia srodowiskowe, malym temperaturowym wspolczynnikiem rezystancji i duza czestotliwoscia graniczna, Rezystory te sa wytwarzane w procesie obrobki emulsji lub past zawierajacych mieszaniny proszkow metali i dielektrykow nanoszonych zazwyczaj metoda sitodruku na podlozu ceramicznym. Rezystory cermetowe znajduja zastosowanie glownie jako elementy wysokostabilne, duzej mocy, wysokonapieciowe oraz tzw. bezindukcyjne.

Rezystory drutowe maja wiele zalet, m.in. charakteryzuja si~: bardzo duza stabilnoscia, wysoka temperatura pracy, bardzo malymi szumami i ma-

68

Iym temperaturowym wspolczynnikiem rezystancji. Najpowazniejszymi ich wadami sa mala czestotliwosc graniczna (z reguly nie przekraczajaca 100 kHz, a zwykle mniejsza niz 10 kHz) idose duze rozmiary. Rezystory drutowe Sl:l, zazwyczaj stosowane jako rezystory wzorcowe i pomiarowe w obwodach pradu stalego oraz jako tzw. rezystory mocy w obwodach zasilaczy, wzmacniaczy m.cz. itp.

W ostatnich latach wzrasta produkcja rezystorow w postaci sieci rezystorowych cienko- i grubowarstwowych w obudowach dwurzedowych (DIL) lub jednorzedowych (SIL) przeznaczonych do montazu przewlekanego, a takze W obudowach miniaturowych (SO) lub bezkoncowkowych (np. typu nosnik struktury CC) przeznaczonych do montazu powierzchniowego.

3.5. Jak~ budowe i parametry maj~ rezystory nastawne?

Rezystory nastawne Sl:l, to zwykle elementy trojkoncowkowe (rys. 3.5A), potocznie nazywane potencjometrami. Dwie (1, 2) z trzech koncowek rezystora nastawnego Sl:l, polaczone z poczatkiem (P) i koncem (K) elementu rezystancyjnego, natomiast trzecia (3) - z ruchomym stykiem S (suwakiem), mogacym przesuwac sie wzdluz powierzchni tego elementu. Przebieg zmian rezystancji miedzy koncowkami 1 i 3 w funkcji polozenia suwaka, nazywa sie charakterystyka rezystancyjnq. Ksztalt tej charakterystyki zalezy od budowy e1ementu rezystancyjnego, a scisle rzecz biorac, od rozkladu rezystancji wzdluz drogi suwaka. Potencjometry maja najczesciej charakterystyke rezystancyjna: linioWl:I" logarytmiczna lub wykladnicza (rys. 3.5B). Charakterystyka rezystancyjna rezystorow nastawnych 0 specjalnym wykonaniu moze miec ksztalt sinusoidalny, diodowy, typu S lub dowolnie inny.

Rezystancja podlegajaca regulacji, czyli rezystancja miedzy skrajnymi polozeniami suwaka, jest zawsze nieco mniejsza niz rezystancja calkowita miedzy wyprowadzeniami stalymi 1 i 2. Rezystancja calkowita jest cecha rezystora nastawnego, innymi slowy rezystancja znamionowa podawana z okreslona tolerancja, Niekiedy wyroznia sie rezystancje kontaktowq, tj. rezystancje wynikajaca z niedoskonalosci styku ruchomego suwaka z elementem rezystancyjnym.

b)

"

c) p _

~

Rys. 3.SA. Przyklady konstrukcji rezystorow nastawnych (potencjometrow): a) warstwowego; b) drutowego; c) ich ogolny symbol graficzny

69

~o.----------,------~~~ 0,9

R/Rn ~5~~~----~L-------+-~

1,0

Rys. 3.SH. Charakterystyki rezystancyjne potencjometru

A - liniowa; B - logarytmiczna; C - wykladnicza

Nieciaglosc styku suwaka z powierzchnia elementu jest czesto przyczyna wystepowania zjawiska trzask6w, charakteryzowanego tzw. napieciem trzaskow. Waznym parametrem rezystora nastawnego jest tez trwalosc, wyrazana liczba przesuniec suwaka wzdluz elementu, kt6re mozna wykonac bez wyraznego pogorszenia jego wlasciwosci (trwalosc potencjometr6w powszechnego uzytku zawiera sie zwykle w przedziale lOs .. .107). Do podstawowych parametr6w rezystor6w nastawnych zalicza sie jeszcze moe znamionowa i napiecie graniezne (definiowane jak dla rezystor6w stalych),

3.6. Jakie sJ! wlasciwoSci rezystorow nastawnych?

Najbardziej obecnie rozpowszechnionymi i produkowanymi w najwiekszym asortymencie typ6w sll potenejometry kompozyeyjne (weglowe), ich podstawowa zaleta jest niska cena przy dose dobrej jakosci, Potencjometry te sa stosowane najczesciej w sprzecie powszechnego uzytku.

Potenejometry eermetowe wyrozniaja sie duza trwaloscia i niezawodnoscia, wysoka stabilnoscia charakterystyki rezystancyjnej, bardzo malym poziomem trzask6w, malym temperaturowym wsp6lczynnikiem rezystancji (ok. ± 150 . 1O-6jdeg), duza obciazalnoscia cieplna oraz szerokim zakresem temperatury pracy (-55...;- + 155 Qq. W zwiazku z tak doskonalymi parametrami potencjometry te Sll zalecane do stosowania w urzadzeniach elektronicznych profesjonalnych i w sprzecie elektronicznym wysokiej jakosci,

Potenejometry metalizowane wykazuja wszystkie zalety rezystor6w stalych tego typu, lecz sa produkowane w waskim przedziale wartosci rezystancji (1 ...;- 100 kn) i maja dose krotka zywotnosc,

Potenejometry drutowe sa wytwarzane w niezbyt duzym przedziale wartosci rezystancji (10 n...;- 100 kn), przy tym jedynie jako elementy 0 liniowej

70

(typu A) charakterystyce rezystancyjnej w dwu jakosciowo rozniacych sie grupach, tj. typu 1 i typu 2.

Wsrod rezystorow nastawnych wyroznia sie potencjometry jednoi wieloobrotowe (najezesciej IO-obrotowe), stosowane glownie w ukladach pomiarowych, sterowania i automatyki (potencjometry wieloobrotowe sa zwykle zaopatrzone w specjalne galki z podzialka, umozliwiajaca precyzyjne umiejscowienie polozenia suwaka). Niekiedy potencjometry laczy sie w zespoly (agregaty) sprzezone lub tez sterowane oddzielnie.

3.7. J aide s~ cechy charakterystyczne termistorow?

Termistory sa to elementy polprzewodnikowe bezzlaczowe, charakteryzujace sie duzymi zmianami rezystancji w funkcji temperatury. Przebieg temperaturowych zmian rezystancji (rys. 3.7A) jest podstawa ich podzialu na:

- termistory NTC (negative temperature coefficient) 0 ujemnym wspolczynniku temperaturowym rezystancji,

- termistory PTC (positive temperature coefficient) 0 dodatnim wspolczynniku rezystancji,

-. NTC
<, <,
~ r-,

I I
0 102 -60 40 -20 0 20 40 60 80 'C 100 T

10

..... eTR
' .......... <, Tp
I~




TJ~ R

PTC V
/
V
/
/
//
~ 102

o 20 40 60 80°C 120

T

1 20 SO 40 so 60 70 °e 90 T

Rys. 3.7A. Charakterystyki rezystancyjno-temperaturowe typowe dla trzech grup termistorow: NTC, PTC,CfR

71

- termistory CfR (critical temperature resistor) 0 skokowej zmianie rezystancji w waskim przedziale zmian temperatury.

Charakterystyke R(T) termistorow NTC z wystarczajacym w praktyce przyblizeniem opisuje zaleznosc

R = R . exp B (_!_ - _!_)

TOT T

o

w ktorej T jest temperatura termistora w kelwinach (K), To jest temperatura odniesienia zwykle 298 K (w katalogach elementow czesto stosuje sie indeks 298 lub 25, jako ze temperatura 298 K odpowiada temperaturze 25 "C), R; jest wartoscia rezystancji termistora w temperaturze To oraz B jest stala materialowa termistora majaca wartosc 2000 -7- 6000 K.

Na rysunku 3.7B przedstawiono przebiegi charakterystyk napieciowo-pradowych termistorow NTC, PTC, CfR. Poczatkowy przebieg kazdej z tych charakterystyk U(l) jest prawie liniowy, bowiem moe rozpraszana w termistorze jest zbyt mala, aby element wystarczajaco sie nagrzal i nastapila wyrazna zmiana jego rezystancji. Dopiero w miare wzrostu natezenia pradu Hose wydzielanego ciepla zwieksza sie na tyle, ze wywoluje znaczace przyrosty temperatury elementu. Wzrost temperatury w termistorze NTC pociaga za soba

5,---,---,---,----,---,---.

V

60 V

50

u

PTe

\
\
1\
-,
:::> 40

30

20

10

o

10

20 30 mA 40 Rys. 3.7B. Charakterystyki napieciowo-pradowe typowe dla

I trzech grup terrnistorow: NTC, PTC, CTR

72

zmniejszenie rezystancji elernentu, zatern spadek naprecia na nim staje sie mniejszy, nizby to wynikalo z ekstrapolacji poczatkowych prawie proporcjonalnych zmian napiecia w funkcji pradu, Przy pewnej wartosci natezenia pradu spadek napiecia na termistorze NTC osiaga wartosc maksymalna, a nastepnie zaczyna malec ze wzrostern pradu,

W podobny sposob mozna opisac przebieg charakterystyki U(l) dla termistorow CIR i PTC, z ta jednak roznica, ze w termistorze CIR po osiagnieciu wartosci temperatury krytycznej nastepuje skokowe zmniejszenie rezystancji termistora, a tym samym raptowne zmalenie spadku napiecia na nim. Natomiast niernal odwrotny efekt obserwuje sie w termistorze PTC, w ktorym przekroczenie pewnej wartosci pradu wywoluje duzy wzrost rezystancji, pociagajacy za soba znaczny wzrost spadku napiecia i zmalenie pradu,

W ustalonym stanie pracy charakterystyka mocowo-temperaturowa termistora ma na ogol przebieg liniowy, czyli sluszna jest zaleznosc P = K· I1T, gdzie K jest wspolczynnikiem strat cieplnych termistora (Wjdeg), natomiast I1T = T - T amb jest przyrostern ternperatury termistora w stosunku do temperatury otoczenia (deg). Przy zmianach warunkow pracy termistora, tj. obciazenia lub ternperatury otoczenia, ustalenie sie nowego punktu pracy nie jest natychmiastowe, lecz trwa pewien czas. Wlasciwosci termistora w stanie przejsciowym charakteryzuje cieplna stala czasowa r (s), okreslona zaleznoscia r = HjK, gdzie gdzie H jest tzw. pojemnosciq cieplna termistora (Jjdeg).

3.S. Jak~ budowe i zastosowania majq termistory?

Termistory NTC s~ wytwarzane z tlenkow manganu, niklu, zelaza, kobaitu, miedzi itp., zmieszanych w odpowiednich proporcjach. Sproszkowane mieszaniny prasuje sie, nastepnie zas spieka lub stapia w celu otrzymania elementow 0 wymaganych ksztaltach i rozmiarach. W podobny sposob sa wytwarzane pozostale rodzaje termistorow, z ta roznica, ze materialern wyjsciowym do produkcji termistorow PTC s~ tytaniany baru i strontu (BaTi03 - SrTi03), a termistorow CIR - tlenki wanadu (V02) lub tytanu (ri02).

Na rysunku 3.8 podano przyklady konstrukcji termistorow, na ogol scisle odpowiadajacej zastosowaniu. Termistory bagietkowe sa stosowane przede wszystkim w termometrii jako wysokoczule czujniki ternperatury. Do pomiaru temperatury sa rowniez stosowane termistory plytkowe naklejane na powierzchnie badana, Podstawowym zastosowaniern termistorow plytkowych (masywnych) jest kompensacja wplywu zmian ternperatury otoczenia na wlasciwosci elektryczne roznych elementow elektronicznych (np. tranzystorow, diod), a tym samym ukladow i urzadzeri elektronicznych. Podobne zastosowania maja termistory pretowe (masywne), lecz ze wzgledu na ich duze rozmiary i duza stala czasowa (nawet rzedu kilkuset sekund), znacznie opozniaja dzialanie ukladu. Termistory posrednio ogrzewane sa stosowane przede wszystkim w automatycznych ukladach sterowania. Jednym ze szczegolnych zastosowan termistorow jest pomiar mocy w zakresie w.cz. i mikrofal.

73

:1 Pi1"" •• ",* ~

~.r~~1 ~e) ~~

c)

E~

7(/ / ;72

10mm

f)

o

o

o

o

Rys. 3.8. Przyklady konstrukcji termistorow: a) begietkowy (termometryczny); b) plytkowy (naldejany); c) prozniowy (perelkowy); d) prozniowy (posrednio ogrzewany); e) pretowy (masywny); 1) plytkowy (masywny)

3.9. Co to Sl! warystory?

Warystory sa to elementy polprzewodnikowe bezzlaczowe 0 rezystancji silnie zaleznej od natezenia pola elektrycznego wywolanego doprowadzonym napieciem (rys. 3.9A). Warystory wytwarza si~ technologia spiekania mieszaniny sproszkowanych materialow, przy czym w najwiekszych ilosciach

10

-...... [\
3
2 \
\ R

10

10

10 U

V 100

Rys. 3.9A. Charakterystyka rezystancyjno-napieciowa warystora

74

z weglika krzemu (SiC), nowsze zas typy z tlenku cynku (ZnO) i tlenku bizmutu (BiO).

Wlasciwosci e1ektryczne warystorow wynikaja wprost z charakterystycznej budowy jego struktury (rys. 3.9B). Przy niskim napieciu (male natezenie pola elektrycznego) prad plynie jedynie przez obszary bezposredniego styku ziaren i charakterystyka napieciowo-pradowa jest wowczas prawie liniowa (rys. 3.9C.a). Ze wzrostem natezenia pola, na skutek autoemisji elektronow z ziaren, zwieksza sie efektywna powierzchnia stykow, wzrasta zatem konduktywnosc materialu tak, ze przyrosty wartosci pradu Sl! wieksze niz napiecia, Charakterystyka napieciowo-pradowa warystora jest nieliniowa, lecz symetryczna wzgledem poczatku ukladu wspolrzednych prostokatnych (rys. 3.9C.a); wykreslona w ukladzie wspolrzednych logarytmicznych jest na pewnym odeinku jej przebiegu linia prosta (rys. 3.9C.b) i w tym zakresie moze bye opisana zaleznoscia

Rys. 3.9B. Schematycznie przedstawiona budowa warystora (a) oraz jego symbol graficzny (b)

b)~

U

U = C· [p

gdzie C, P - sa to stale parametry okreslone wlasciwosciami materialu oraz technologia wytwarzania i rozmiarami e1ementu. W szczegolnosci P jest tzw. wspolczynnikiem nieliniowosci warystora wyznaczanym z nachylenia cp charakterystyki U(l). Wartosc P dla warystorow karborundowych (SiC) zwykle zawiera sie w przedziale 0,14 + 0,5, natomiast dla warystorow tlenkowych (ZnO) - w przedziale 0,01 + 0,04 (mniejsza wartosc stalej P jest korzystniejsza, oznacza bowiem, ze charakterystyka U(l) jest bardziej plaska, czyli zmiany napiecia sa mniejsze, dla tych samych zmian pradu), Stala C wyrazona w omach jest rowna liczbowo spadkowi napiecia na warystorze wystepujacym przy przeplywie pradu 0 stalej scisle wybranej wartosci, najczesciej 1 rnA lub 10 rnA, niekiedy 100 rnA. Wartosc natezenia pradu, przy ktorym wyznacza sie stall! C, zalezy od typu warystora. W ten sam sposob wyznacza sie rowniez tzw. napiecie charakterystyczne warystora, ktore jest jednak wyrazane w woltach. Napiecie charakterystyczne oznacza sie symbolem U z indeksem odpowiadajacym

75

b) 102.------,--------r---.------,

V

a)

u

I

Rys. 3.9C. Charakterystyka napieciowo-pradowa warystora w ukladzie wspolrzednych: a) liniowych; b) logarytrnicznych

umownej wartosci pradu odniesienia 10, np. gdy 10 = 10 mA, to napiecie charakterystyczne oznacza sie UIO• Warystory sa wytwarzane na napiecia charakterystyczne od kilku do kilku tysiecy wolt6w, przy mocy nie przekraczajacej kilku wat6w.

Ze wzgledu na ksztalt wykonania rozroznia si~ warystory walcowe (oznaczane w katalogach WW) i dyskowe (WD).

Warystory znajduja zastosowanie przede wszystkim w ukladach ochrony urzadzen elektrycznych przed przepieciem oraz w ukladach stabilizacji pradow i napiec. Szczeg61nym zastosowaniem warystor6w jest ksztaltowanie przebieg6w elektrycznych pradow i napiec,

3.10. Co to Sit magnetorezystory (gaussotrony)?

Magnetorezystory sa to elementy p61przewodnikowe bezzlaczowe, charakteryzujace sie silna zaleznoscia rezystancji od indukcji (natezenia) pola magnetycznego. Zasada dzialania magnetorezystora opiera sie na zjawisku magnetorezystywnym Gaussa, stad tez pochodzi inna czesto uzywana w odniesieniu do tych element6w nazwa gaussotrony. Zjawisko magnetorezystywne Gaussa przejawia sie wzrostem rezystywnosci materialu p61przewodnikowego pod wplywem pola magnetycznego, a wiaze sie gl6wnie ze zmiana toru ruchu nosnikow ladunku (rys. 3.l0A). Najwieksze zmiany rezystywnosci uzyskuje sie w materialach 0 duzej ruchliwosci nosnikow ladunku (np. InSb, InAs, CdHgTe). Na wielkosc zmian rezystancji magnetorezystora ma wplyw ksztalt elementu i natezenie pola magnetycznego.

Dla slabego pola magnetycznego zaleznosc R(B) wyraza wzor w po-

staci

76

8=0

b) 8=0

+ - '-----11-------'

+ - '------H----...J

Rys. 3.10A. Budowa i zasada dzialania magnetorezystora (gaussotronu) 0 konstrukcji: a) dysku Corbino; b) prostokatnej

a dla silnego pola magnetycznego - wzor w postaci I1R = k2B

n;

przy czym I1R = RB - Ro, gdzie RB jest rezystancja magnetorezystora w polu magnetycznym 0 indukcji B, natomiast Rn jest rezystancja poczatkowa (tzw. zerowa) przy B = 0, oraz k., k2 sll to stale wspolczynniki, ktorych wartosc jest uzalezniona od kwadratu ruchliwosci nosnikow ladunku i konstrukcji magnetorezystora.

0,4 0,6

B

Rys. 3.10B. Wplyw ksztaltu magnetorezystora na przebieg charakterystyki RB/Rn = f(B)

o

0,2

0,8 T 1,0

77

Najwiekszy przyrost rezystancji w jednorodnym polprzewodniku uzyskuje sie w przypadku magnetorezystora 0 ksztalcie tzw. dysku Corbino. W magnetorezystorach, majacych ksztalt plytki prostokatnej, przyrosty rezystancji Sl:j, tym wieksze, im wieksza jest szerokosc plytki w stosunku do jej diu gosci (rys. 3.l0B). Niekorzystna cecha takich konstrukcji jest mala rezystancja poczatkowa Ro magnetorezystora (rzedu kilku omow). Wieksze wartosci Ro uzyskuje sie w magnetorezystorach 0 konstrukcji przedstawionej na rys. 3.l0C, stanowiacej szeregowe polaczenie n elementow prostokatnych 0 malym stosunku szerokosci do dlugosci,

a)

~IIIIIIIIIIIIIIIIIIII ~

b)

Rys. 3.10C. Schemat konstrukcji magnetorezystora o ksztalcie: a) prostym; b) meandra

Podstawowymi parametrami magnetorezystora sl:j, rezystancja poczatkowa Ro i wspolczynnik magnetorezystancji M = RB/Ro podawany na ogol oddzielnie dla zakresu slabego i silnego pola magnetycznego. Cennymi zaletami magnetorezystorow sa male rozmiary (mala powierzchnia i niewielka grubosc struktury), co umozliwia umieszczanie ich w waskich szczelinach obwodow magnetycznych, a ponadto niewywolywanie zaburzenia linii sil pola magnetycznego oraz prace zarowno w stalych, jak i zmiennych polach magnetycznych.

Magnetorezystory sl:j, stosowane przede wszystkim do pomiaru wielkosci i gradientu pol magnetycznych w szerokim zakresie zmian wartosci indukcji (10-7 -i- 102 T), do okreslania przesuniec (liniowych i katowych) w urzadzeniach sterowania automatycznego, do pomiaru mocy e1ektrycznej itp.

3.11. Co to sit kondensatory i jakie Sit ich rodzaje?

Kondensatory Sl:j, to elementy elektryczne, ktorych podstawowym parametrem uzytkowym jest pojemnosc C wyrazana w faradach (F). Kondensator stanowi uklad co najmniej dwoch elektrod wykonanych z materialu przewodzacego (metalu) odizolowanych od siebie dielektrykiem. Pojemnosc kondensatora okreslaja przenikalnosc elektryczna s oraz rozmiary (grubosc i powierzchnia) materialu die1ektrycznego wypelniajacego przestrzen miedzy elektrodami prze-

78

wodzacymi, Kondensator sluzy do gromadzenia ladunku elektrycznego (Q = CU), przy czym w wyniku doprowadzenia napieeia na jego elektrodach pojawiaja sie ladunki rowne co do wartosci bezwzglednej, lecz 0 przeciwnych znakach. Zmiany napiecia doprowadzonego do kondensatora wywoluja zmiany ladunku kondensatora, w wyniku przez kondensator plynie prad 0 natezeniu

i = dQ = C du

dt dt

Doprowadzenie napiecia 0 ksztalcie sinusoidalnym powoduje przeplyw przez kondensator pradu 0 takim samym ksztalcie, lecz przesunietego w fazie wzgledem napiecia 0 pewien kat qJ ~ n/2. W kondensatorze idealnym, charakteryzujacym sie tylko pojemnoscia (rys. 3.l1a), kat fazowy jest rowny n/2, czyli 90°. W rzeczywistym kondensatorze prad wyprzedza w fazie napiecie 0 kat mniejszy niz 90°. Jest to spowodowane stratami, ktore zmniejszaja przesuniecie fazowe 0 kat ~, nazywany kqtem strat elektrycznych kondensatora. Wielkosc tego kata zalezy od wlasciwosci die1ektryku, a takze konstrukcji i technologii wytwarzania kondensatora. Straty w modelu kondensatora rzeczywistego (rys. 3.l1b) reprezentuja dodatkowe elementy: R; - rezystancja okreslona glownie uplywnoscia dielektryku, ~ i Ld - odpowiednio rezystancja i indukcyjnosc doprowadzen, w tym takze elektrod. W analizie ukladow elektronicznych zwykle korzysta sie z prostszych modeli kondensatora, tj. modelu rownoleglego (rys. 3.11c) i modelu szeregowego (rys. 3.11d).

a)

---1~

c) r1~ L6J d)

---l~

Rys. 3.11. Schematy zastepcze: kondensatora ideaInego (a) i kondensatora rzeczywistego - schemat pelny (b), uproszczony rownolegly (c) i uproszczony szeregowy (d)

Kondensatory, podobnie jak rezystory, dzieli sie na: stale i zmienne, typu 1 i typu 2, liniowe i nieliniowe. Z reguly ze wzgledu na pewne specyficzne cechy, m.in. duza g~stosc ladunku uzyskiwana dzieki specjalnej budowie, wyodrebnia sie grupe kondensatorow elektrolitycznych.

3.12. Jakie Sst podstawowe parametry kondensatorew?

Podstawowymi parametrami kondensatora Sl! pojemnosc znamionowa wraz z tolerancja oraz napiecie znamionowe i stratnosc dielektryczna (tangens kata strat ~). Do wazniejszych parametrow kondensatora zalicza sie napiecie probiercze, dopuszczalne napiecie przemienne, rezystancje izolacji, temperaturowy wspolczynnik pojemnosci,

79

Pojemnosc znamionowa Cn kondensatora jest to wartosc pojemnosci zalozona przy wytwarzaniu kondensatora, ktora z uwzglednieniem tolerancji jest podawana jako jego cecha. W okreslonych warunkach roznica miedzy pojemnoscia rzeczywista a znamionowa kondensatora, tj. odchylka pojemnosci kondensatora, nie moze bye wieksza niz wartosc wynikajaca z tolerancji. Wartosci pojemnosci znamionowej tworza ciagi liczb, ktore (podobnie jak dla rezystorow) oznacza sie symbolami E3, E6, E12, E24 itd. (por. pyt. 3.3).

Napiecie znamionowe Un kondensatora jest to wartosc napiecia stalego (dla niektorych kondensatorow wartosc napiecia przemiennego 0 okreslonej czestotliwosci, zwykle 50 Hz), ktore moze bye dlugotrwale doprowadzone do kondensatora nie powodujac jego uszkodzenia ani jakiejkolwiek trwalej zmiany jego parametrow, Wartosci napiecia znamionowego sa znormalizowane, przykladowo biorac, s~ to wartosci 25 V, 63 V, 100 V, 160 V, 250 V itd. Przez okreslony czas (zwykle 1 minute) kondensator powinien takze bez zadnej szkody wytrzymac napiecie 0 wiekszej wartosci, nazywane napieciem probierczym Up (w zaleznosci od typu kondensatora Up = 1,4 -+- 2,5 Un). Wartosc obu tych napiec dla danego typu kondensatora zalezy rowniez od warunkow pracy kondensatora, tj. rodzaju doprowadzonego napiecia (stale, przemienne, impulsowe) oraz temperatury otoczenia, przy czym zmniejsza sie ona ze wzrostem zarowno czestotliwosci, jak i temperatury. Jezeli do kondensatora jest doprowadzone napiecie zmienne, to w pierwszym przyblizeniu mozna przyjac warunek, aby suma skladowej stalej i skladowej przemiennej nie przekraczala wartosci napieeia znamionowego okreslonego dla przebiegu pradu stalego (zalecenia szezegolowe dla danego kondensatora sa podawane w warunkach technicznych).

Stratnosc kondensatora, tj. jednostkowe straty energii wynikajace z pracy kondensatora przy napieciu przemiennym, charakteryzuje tangens kqta strat (j (czyli tg(j). Straty kondensatora sa zazwyczaj wieksze niz samego dielektryku ze wzgledu na wystepowanie strat w elektrodach i doprowadzeniach. Wartosc strat zalezy od czestotliwosci i temperatury, przy czym przebieg tej zaleznosci jest zlozona funkcja polaryzacji i konduktancji (przewodnosci) dielektryku kondensatora. W katalogach wartosc tg(j podaje sie dla scisle okreslonej czestotliwosci pomiarowej, zwykle 1 kHz lub 1 MHz (dla kondensatorow elektrolitycznych - 100 Hz).

Kondensator dla pradu stale go stanowi element charakteryzujacy sie pewna rezystancja R;., nazywana rezystancja izolacji, ktorej wartosc zalezy przede wszystkim od rodzaju dielektryku, a czesto takze od konstrukcji kondensatora. Dla kondensatorow stalych 0 niezbyt duzej pojemnosci (Cn < 0,1 J.lF), znaczacy wplyw na rezystancje izolacji rna material obudowy (sposob izolacji). W kondensatorach 0 wiekszej pojemnosci (C, > 0,1 J.LF), ze wzgledu na coraz silniej uwidaczniajacy sie wplyw rozmiarow dielektryku, bardziej reprezentatywnym parametrem staje sie iloczyn rezystancji izolacji i pojemnosci znamionowej, tj. R;. . Cn, okreslajacy tzw. stala czasowa 1: kondensatora. W przypadku kondensatorow elektrolitycznych zwykle zamiast rezystancji izolacji podaje sie prqd uplywu Iu.

80

Wlasciwosci kondensatorow zaleza rowniez od temperatury, dlatego istotne znaczenie ma okreslenie przedzialu dopuszczalnych zmian temperatury, czyli tzw. znamionowego zakresu temperatury pracy, w ktorym kondensator moze pracowac w sposob ciagly, Na szczegolna uwage zasluguje temperaturowy wspolczynnik pojemnosci" TWP, wyrazajacy wzgledna zmiane pojemnosci wywolana jednostkowym przyrostem temperatury, rowny AC/( C . AT), okreslany zwykle w jednostkach 1O-6/deg. Wspolczynnik ten moze miec wartosc dodatnia, ujemna lub nawet rowna zeru w zaleznosci od typu kondensatora i rozpatrywanego zakresu temperatur.

3.13. Jakll budowe i jakie wlaSciwoSci majll kondensatory stale?

Na rysunku 3.13A przedstawiono powszechnie stosowana klasyfikacje kondensatorow stalych dokonana ze wzgledu na rodzaj dielektryku. Jest ona bardzo dogodna, gdyz od wlasciwosci dielektryku zaleza tak istotne parametry kondensatora, jak stratnosc, stabilnosc, temperatura pracy, rozmiary. Dalszej bardziej szczegolowej klasyfikacji kondensatorow stalych dokonuje sie zwykle ze wzgledu na przeznaczenie (wyroznia sie przy tym np. kondensatory pradu zmiennego", impulsowe, wielkiej czestotliwosci, przeciwzakloceniowe, wysokonapieciowe) oraz wykonanie (np. zwijkowe, plytkowe, rurkowe, monolityczne, hermetyczne) itp. Przyldady konstrukcji kondensatorow stalych podano na rys. 3.l3B.

r-- po l i sty renowe
rl tworzywoweJ-- I---
pol iestrowe

t-- polipropylenowe
..__ poliweglanowe

-1 ceramiczne}--C typu 1
Kondensatory
state r- typu 2



r-- mikowe
y inne L papierowe
I
..__ papierowo-
-tworzywowe Rys. 3.l3A. Klasyfikaeja kondensatorow stalych ze wzgledu na cechy materialowo-konstrukcyjne

1) Niekiedy podaje si\; wsp61czynnik wyrazajacy temperaturowa zmiane pojemnosci TZP = !J.CjC okreslany w %.

2) Kondensatory pradu zmiennego sa to zazwyczaj kondensatory przeznaczone do pracy w obwodach zasilanych z sieci przemyslowej, a wiec 0 czestotliwosci 50 Hz.

81

a)

J

c)

2

e) 3'

1,2-ELektrody metalowe 3,4-Dielektryk

1-£Iekif'oda meialowa 2-Dielektryk 3;3!!.Kontaktyelektrod

1,2-Elektf'ody metalowe 3-Dielektryk

1,2-Elektf'ody meialowe 3-DieLektf'yk

Rys. 3.13B. Przyklady konstrukcji kondensatorow stalych: a) zwijkowego; b) wielowarstwowego; c) plytkowego; d) rurkowego; e) typu chip do montaro powierzchniowego

1-ELektf'oda meialowa 2-DieLektryk 3:3!LKontakty elekirod

2

Kondensatory tworzywowe sa to kondensatory 0 dielektryku z tworzywa sztucznego, najczesciej polistyrenu, poliestru lub polipropylenu, rzadziej poliweglanu lub teflonu. Elektrody kondensatora stanowi zwykle cienka folia aluminiowa (kondensatory foliowe) badz cienka warstwa aluminium naniesiona prozniowo jedno- lub dwustronnie na folie dielektryczna (kondensatory metalizowane). Calosc (dielektryk wraz z elektrodami) jest zwijana (kondensatory zwijkowe) lub ukladana w warstwy (kondensatory wielowarstwowe), a nastepnie zamykana w obudowie z tworzywa sztucznego w postaci tasmy klejacej lub kubka oraz uszczelniana zywica. Kondensatory tworzywowe sa obecnie wytwarzane w najwiekszych ilosciach oraz w bardzo duzym asortymencie typow,

Kondensatory polistyrenowe wyrozniaja sie duza stabilnoscia, duza rezystancja izolacji, malym tangensem kata strat, malym (a przy tym stalym) ujemnym temperaturowym wspolczynnikiem pojemnosci oraz mozliwoscia uzyskania waskich tolerancji pojemnosci, W pewnym stopniu wada tych kondensatorow jest dose niska gorna dopuszczalna temperatura pracy (+ 70°C). Kondensatory polistyrenowe sa przeznaczone do pracy w urzadzeniach profesjonalnych i powszechnego uzytku.

82

Kondensatory poliestrowe i polipropylenowe, w por6wnaniu z kondensatorami polistyrenowymi, sa mniej stabilne i maja wieksza stratnosc, ale szerszy zakres temperatury pracy ( - 55 -i- + 85°C) oraz zdolnosc do samoregeneracji, gdy sa metalizowane. Kondensatory poliestrowe sa przeznaczone do pracy przede wszystkim w obwodach pradu stalego (moga pracowac w obwodach pradu przemiennego, lecz przy napieciu znacznie nizszym od napiecia znamionowego i malejacym ze wzrostem czestotliwosci), Kondensatory polipropylenowe stosuje sie w ukladach impulsowych (np. polprzewodnikowych ukladach odchylania odbiornik6w telewizyjnych) oraz ukladach pradu przemiennego (np. ukladach lamp wyladowczych i jednofazowych silnikach elektrycznych malej mocy). Kondensatory pradu przemiennego bardzo czesto wykonuje sie z dielektrykiem uwarstwionym (podw6jnym) zlozonym z folii polipropylenowej i bibulki kondensatorowej (kondensatory polipropylenowo-papierowe).

Wlasciwosci kondensator6w ceramicznych w istotny spos6b zaleza od rodzaju dielektryku. Zazwyczaj wyroznia sie dwie podstawowe grupy tych kondensator6w, rozniace sie zasadniczo wlasciwosciami, a w wyniku tego i przeznaczeniem:

- kondensatory typu 1, charakteryzujace sie mala stratnoscia oraz liniowa zaleznoscia pojemnosci w funkcji temperatury (przy normalizowanym temperaturowym wsp6lczynniku pojemnosci), zwykle przeznaczone do pracy w obwodach rezonansowych jako kondensatory kompensacyjne;

- kondensatory typu 2 (ferroelektryczne), charakteryzujace sie duza stratnoscia oraz silnie nieliniowa zaleznoscia pojemnosci od temperatury i napiecia, najczesciej stosowane jako kondensatory sprzegajace, blokujace itp.

Niekiedy wyroznia sie jeszcze jedna grupe kondensator6w ceramicznych, tj. kondensatory typu 3, charakteryzujace sie duza pojemnoscia jednostkowa przy jednak znacznie gorszych pozostalych parametrach.

Kondensatory ceramiczne sa wykonywane jako plytkowe, rurkowe (w tym przepustowe), foliowe i monolityczne (rys. 3.l3C). Szczeg6lnie korzystne cechy (duza pojemnosc jednostkowa duza niezawodnosc) maja kondensatory monolityczne. Sa one wykonywane przez spieczenie sprasowanego pakietu wielu warstw bardzo cienkiej folii ceramicznej z naniesionymi na nich elektrodami metalowymi.

Kondensatory mikowe mimo wielu znakomitych wlasciwosci, m.in. duzej stabilnosci, scisle okreslonego temperaturowego wspolczynnika pojemnosci, sa wycofywane z produkcji ze wzgledow materialowo-technologicznych. Coraz rzadziej sa rowniez stosowane kondensatory papierowe, wykorzystywane zwykle jeszcze jako elementy przeciwzakloceniowe,

3.14. Jakie kondensatory sit nazywane elektrolitycznymi?

Kondensatorem elektrolitycznym nazywa sie kondensator, ktorego jedna z elektrod, tzw. anoda, jest wykonana z metalu (aluminium lub tantal) i pokryta cienka warstwa tlenku, druga zas elektrode, tzw. katode, stanowi

83

3

2

4

Rys. 3.14A. Schemat budowy kondensatora elektrolitycznego: a) biegunowego; b) niebiegunowego 1 - anoda; 2 - tlenek; 3 - elektrolit; 4 - katoda

elektrolit i stykajace sie z nim wyprowadzenie metalowe (rys. 3.l4A.a). Cecha wlasciwa kondensatora 0 takiej konstrukcji jest scisle okreslona biegunowosc napiecia doprowadzonego do jego koncowek - w zwiazku z tym nazywa sie go kondensatorem elektrolitycznym biegunowym. Podanie napiecia 0 biegunowosci odwrotnej niz wymagana wywoluje procesy elektrochemiczne, prowadzace do intensywnego wydzielania gazow oraz ciepla i w wyniku, na ogol w krotkim czasie, zniszczenie kondensatora. Kondensatory elektrolityczne biegunowe sa przeznaczone do pracy w obwodach napiecia stalego lub pulsujacego (wolnozmiennego), przy czym amplituda napiecia przemiennego nie moze przewyzszac napiecia stalego, suma zas tych napiec - napiecia znamionowego kondensatora. Kondensatory elektrolityczne niebiegunowe wytwarza sie, skladajac je z dwoch elektrod "anodowych" (rys. 3.l4A.b). Taki kondensator moze pracowac zarowno w obwodzie pradu stalego (przy dowolnej biegunowosci napiecia stalego), jak i w obwodzie pradu przemiennego. Jednak przy pracy ciaglej w obwodzie pradu przemiennego amplituda napiecia przemiennego musi bye znacznie (wielokrotnie) mniejsza niz napiecie znamionowe (stale) kondensatora. Wieksze wartosci napiec przemiennych (lecz nie przekraczajace napiecia znamionowego) moga bye doprowadzane do kondensatorajedynie w sposob okresowo przerywany.

Na rysunku 3.l4B przedstawiono schemat zastepczy (model) kondensatora elektrolitycznego. W modelu tym C jest pojemnoscia kondensatora, R, - rezystancja warstwy izolatora (tlenku), Rde - rezystancja szeregowa wyrazajaca straty w elektrolicie i doprowadzeniach, L - indukcyjnoscia doprowadzen i elektrod oraz D - dioda reprezentujaca biegunowe wlasciwosci kondensatora.

Kondensatory elektrolityczne wyrozniaja sie (sposrod wszystkich kondensatorow) najwieksza pojemnoscia wlasciwa (~ fern 3). Podstawowymi para-

D

K

Rys. 3.14B. Schemat zastepczy kondensatora elektrolitycznego

84

metrami tych kondensatorow sa: pojemnosc znamionowa Cn, tolerancja pojemnosci w %, tangens kata strat tgb i napiecie znamionowe Un. Nie mniej waznymi parametrami sa prad uplywu III i maksymalny dopuszczalny prad tetnien It.

Kondensatory elektrolityczne dzieli sie zwyczajowo na dwie grupy: aluminiowe i tantalowe. Obie grupy roznia sie w sposob istotny konstrukcja oraz wlasciwosciami i w zwiazku z tym, rowniez przeznaczeniem (zastosowaniem).

3.15. JakSl budowe i jakie wlaSciwosci majSl kondensatory elektrolityczne aluminiowe?

Na rysunku 3.15 przedstawiono w uproszczeniu konstrukcje kondensatora elektrolitycznego aluminiowego. Materialem stosowanym na elektrody jest bardzo czysta (99,99% AI) folia aluminiowa trawiona elektrochemicznie w celu uzyskania duzego rozwiniecia powierzchni elektrody, dielektrykiem jest natomiast bardzo cienka warstwa tlenku AI203 (s, = 7 -+ 8) wytworzona na powierzchni elektrody anodowej. Elektrody (anoda i katoda) Sl! przelozone specjalnym wysokonasiakliwym materialem izolacyjnym (papier lub tkanina) nasyconym elektrolitem (np. glikol, wodny roztwor tlenku baru z amoniakiem). Calosc umieszcza sie w dose szczelnej obudowie metalowej lub plastykowej i wyprowadza na zewnatrz koncowki obu elektrod.

a)

b)

Anoda

TLenek

Papier nasycony

JZ:'S=:~5r I _ _£2 eLektroLitem 3

saioaa

Rys. 3.15. Konstrukcja kondensatora elektrolitycznego aluminiowego biegunowego foliowego: a) zwijka; b) przekr6j poprzeczny fragmentu zwijki, ukazujacy rozwiniecie powierzchni elektrod

1 - anoda; 2 - papier nasycony elektrolitem; 3 - katoda

Kondensatory elektrolityczne aluminiowe charakteryzuja si~ dose duzl! stratnoscia (tgb ~ 0,1 -+ 1), znacznym pradem uplywu (Iu ~ 1 ).IA), typowym zakresem temperatury pracy ( -40 -+ + 85°C), szerokim przedzialem tolerancji pojemnosci (zwykle -10% -+ +50%, a niekiedy i wiecej) oraz dose duzymi rozmiarami; wykazuja tez duza zaleznosc parametrow od temperatury.

Ze wzgledu na parametry techniczne (uzytkowe) kondensatory elektrolityczne aluminiowe dzieli sie na:

- kondensatory ogolnego zastosowania, w stosunku do ktorych nie sa stawiane wymagania podwyzszonej stabilnosci parametrow i podwyzszonej

85

trwalosci uzytkowej, przeznaczone do pracy w urzadzeniach powszechnego uzytku;

_ kondensatory 0 podwyzszonej trwalosci, charakteryzujace sie duza

stabilnoscia parametrow, przeznaczone do pracy w urzadzeniach profesjonalnych.

3.16. Jak~ budowe i jakie wlasclwosci maj~ kondensatory elektrolityczne tantalowe?

W kondensatorze tantalowym (rys. 3.16) elektrode anodowa otrzymuje sie w wyniku spiekania proszku tantalowego, poddawanego nastepnie forrnowaniu w celu wytworzenia warstwy tlenku (f~05)' Anoda spiekana jest silnie porowata oraz prawie pozbawiona zanieczyszczen, dzieki czernu rna duza pojemnosc wlasna, W zaleznosci od rodzaju elektrolitu kondensatory spiekowe dzieli sie na mokre i suche. Elektrolitem w kondensatorach rnokrych jest roztwor kwasu siarkowego (w nowoczesniejszych odrnianach tych kondensatorow rna on postac zelu), a w kondensatorach suchych role te spelnia tlenek rnanganu (Mn02) pokryty najpierw warstwa grafitu, nastepnie zas warstwa rnetalu (srebra, rniedzi lub stopu cyny z olowiem), stanowiacych w calosci elektrode katodowa kondensatora.

Wyprowacizenie Obl1ciowa Wars twa USlczeika tutowie

katociowe (nikieL) posrebrzana tlenkl1 Taz 05 gl1mowa I1szczelniaja,ce

Przepl1st tantaLowy Wyprowadzenie anodowe (cirl1t tantaiawy)

Spaw I1szczeLniaja,cy Uszczelka szkLana Pierscieri stalawy

UszezeLka tefionowa

Rys. 3.16. Konstrukcja kondensatora elektrolitycznego tantaIowego spiekowego ze stalym elektrolitem

Kondensatory spiekowe rnokre wyrozniaja sie wsrod kondensatorow elektrolitycznych najrnniejszym pradem uplywu, duza stabilnoscia podstawowych parametrow w szerokim przedziale ternperatury (- 55 DC -:- + 125 DC), korzystna charakterystyka ezestotliwosciowa irnpedancji w zakresie do kilku MHz, duza trwaloscia i niezawodnoscia, Niewiele gorsze parametry maja kondensatory spiekowe suche (nazywane tez polprzewodnikowymi), bedac przy tym najtanszymi wsrod kondensatorow tantalowych.

Kondensatory elektrolityczne tantalowe sa przeznaczone do pracy w ukladach elektronicznych profesjonalnych 0 dose niskirn napieciu, Napiecie znamionowe produkowanych kondensatorow tantalowych na ogol nie przekracza 50 V, jedynie czolowe firmy swiatowe oferuja nieliczne typy kondensatorow na napiecie do 125 V.

86

3.17. J akie s~ cechy charakterystyczne kondensatorow zmiennych?

Kondensatorem zmiennym nazywa sie kondensator, ktorego pojemnosc moze bye zmieniana w sposob ciagly w okreslonym zakresie. Na rysunku 3.l7A przedstawiono schematycznie budowe kondensatora zmiennego (nastawnego), zwanego ze wzgledu na swoja budowe kondensatorem obrotowym (pojemnosc tego kondensatora zmienia sie bowiem w wyniku zmiany wzajemnego polozenia elektrod w ruchu obrotowym). Poniewaz kondensatory nastawne Sll, najpowszechniejszym rodzajem kondensatorow zmiennych 1), to zazwyczaj w praktyce obie nazwy sa traktowane zamiennie.

a)

Rotor

b)

c

Rys. 3.17A. Kondensator nastawny obrotowy: a) schematyczna konstrukcja; b) charakterystyka pojemnosci w funkcji kata obrotu rotora

Najwazniejszymi parametrami kondensatorow zmiennych sa: zakres pojemnosci znamionowy (dCn = Cmax - Cmin) i napiecie znamionowe Un oraz tangens kata strat (tg(j) i temperaturowy wspolczynnik pojemnosci (fWP).

Wlasciwosci kondensatora zmiennego sa scisle uzaleznione od jego konstrukcji i rodzaju materialu zastosowanego do budowy elementow, Dielektrykiem jest z reguly powietrze, choc moze bye nim ceramika, tworzywo sztuczne, inny niz powietrze rodzaj gazu, a nawet proznia, Elektrody kondensatora nieruchoma (stator) i ruchoma (rotor) Sll, zwykle wykonywane z blachy aluminiowej, a wykroj plytek rotora decyduje 0 ksztalcie charakterystyki pojemnosciowe] C(O() kondensatora (rys. 3.l7B). Kondensatory 0 liniowej zmianie pojemnosci zazwyczaj stosuje sie w ukladach pomiarowych np. mostkowych. Pozostale rodzaje kondensatorow zmiennych znajduja zastosowanie glownie w radiotechnice (np. w strojonych obwodach rezonansowych), umozliwiajac, dzieki okreslonego ksztaltu elektrodom, otrzymanie liniowych zaleznosci dlugo sci fali lub czestotliwosci obwodu drgajacego od kata obrotu.

1) Jako kondensator zmienny, Iecz dzialajacy na zupel:nie innej zasadzie, more bye rozpatrywana dioda pojemnosciowa, ktorej pojemnosc reguluje sill za pomoca zmian napiecia doprowadzonego do jej koricowek (por. pyt. 4.13).

87

Rodzaj Wykroj Charakterystyki
kondensaiora rotoro: pojemnosciowa I falowa I cZ(fstotliwosciowa
liniowy 0 cL~~
C-ex
o IS!_O IQ.O t «
OCn OCn IXn
kwadrafowy cLL~l~~~_
C~o<2 0
(prosfofaloWIj)
A"" G(
o lex 0 lex 0 lex
an cx;, an
C A f~
nerkowy J V
C"-' l/oc2 ~
prosto-
cZ~5fotliwosciowy
C~ f/f
0 lex 0 loe 0 1 ex
an s; an
logarytmiczny L:) ClLl~~~
kG(
C"'e
o lex 0 lex 0 lex
ex,; ex n ex,; Rys. 3.17B. Typowe wykroje plytek (rotora) podstawowych rodzajow kondensatorow nastawnych (obrotowych) i odpowiadajace im charakterystyki

Kondensatory zmienne sa bardzo czesto wykonywane jako wielosekcyjne, ich pojemnosci sa zmieniane rownoczesnie przez wspolny rnechanizm nastawczy. Kondensator, ktory rna dwa statory (jeden naprzeciw drugiego) i jeden rotor, charakteryzujacy sie tym, ze jedna pojemnosc przy obrocie rotora rnaleje, druga zas - rosnie (przy czym pojemnosc wypadkowa nie ulega zmianie) nazywa sie kondensatorem roinicowym.

Szczegolne cechy (konstrukcje i wlasciwosci) maja trymery do narecznych zegarkow e1ektronicznych. Podstawowa ich cecha konstrukcyjna Sl! jak najmniejsze rozmiary - warunek konieczny, aby kondensator zmiescil si~ w zegarku. Maksymalna miniaturyzacje osiaga sie stosujac specjalne rozwiazania konstrukcyjne (np. rotor rnonolityczny, duza dokladnosc wykonania i pasowa-

88

nia elementow) oraz dielektryki 0 duzej przenikalnosci elektrycznej (np. or ~ 1000). Najwazniejsza wlasciwoscia elektryczna takiego kondensatora jest jak najwieksza stabilnosc wartosci pojemnosci - jakakolwiek bowiem zmiana tej pojemnosci (np. w funkcji temperatury lub innych narazeri zwlaszcza mechanicznych) zmniejsza dokladnosc pracy (wskazan) zegarka.

3.18. Jakie elementy nazywa si~ piezoelektrycznymi?

Elementami piezoelektrycznymi SI4: nazywane elementy wykonane z piezoelektryka, w ktorych dzialaniu jest wykorzystywane zjawisko piezoe1ektryczne. Zjawisko piezoelektryczne przejawia sie powstawaniem ladunkow e1ektrycznych na powierzchniach cial stalych (piezoelektrykow) pod wplywem naprezen mechanicznych - tzw. zjawisko piezoelektryczne proste, albo zmiana rozmiarow tych cial wskutek dzialania pola e1ektrycznego - tzw. zjawisko piezoelektryczne odwrotne. Piezoelektrykiem jest cialo stale 0 okreslonym uporzadkowaniu struktury krystalicznej (z reguly bez srodka symetrii). Piezoelektryki dzieli si~ najczescie] na: krystaliczne, wsrod ktorych najlepiej poznanym i najczesciej stosowanym materialem jest monokrysztal kwarcu (Si02), oraz ceramiczne, ktorych glownym skladnikiem sl4: zwykle roztwory stale Pb(Zr,Ti)03 i tytanianu baru (BaTi03).

Podstawowymi element ami (podzespolami) piezoelektrycznymi SI4:: rezonatory i przetworniki (np. e1ektroakustyczne, zaplonowe, energetyczne). 814: one szeroko stosowane w rozmaitych dziedzinach nauki i techniki, m.in. do generacji i selekcji sygnalow e1ektrycznych (generatory, filtry), generacji ultradzwiekow i hiperdzwiekow (defektoskopy, pluezki, zgrzewarki), wytwarzania wysokiego napiecia (urzadzenia zaplonowe), przetwarzania sygnalow elektrycznych na mechaniczne i odwrotnie (sygnalizatory dzwiekowe, wkladki adapterowe, mikrofony) itp.

3.19. Jakl! budow~ i wlaSciwOSci mail! rezonatory kwarcowe?

Rezonator kwarcowy jest to podzespol piezoelektryczny, ktorego glowna cz~sc stanowi tzw. wibrator piezoelektryczny, czyli odpowiednio wycieta i zaopatrzona w elektrody plytka z krysztalu kwarcu (Si02) zdolna do drgan okreslonego rodzaju. Plytka ta ma zwykle ksztalt prostokatny, kwadratowy lub okragly, a jej sciany - plaskorownolegly, plaskowypukly lub wypukly (rys. 3.19A). Wymagana ochrone plytki przed wplywami atmosferycznymi i narazeniami mechanicznymi zapewnia hermetyzowana obudowa metalowa lub szklana.

Rys. 3.19A. Rezonator kwarcowy

1 - plytka kwarcu; 2 - elektrody

89

Doprowadzenie napiecia do elektrod powoduje odksztalcenie mechaniczne plytki (powstanie naprezen w plytce), jej zas odksztalcenie wywoluje zjawisko odwrotne, czyli wystapienie roznicy potencjalow e1ektrycznych na odpowiednich scianach plytki. Pobudzanie plytki napieciem zmiennym prowadzi do powstania w niej drgan mechanicznych. Amplituda tych drgan jest najwieksza, gdy czestotliwosc napiecia pobudzajacego jest rowna czestotliwosci rezonansu mechanicznego plytki, wystepujace wowczas drgania S1!, slabo thimione i odznaczaja sie duza staloscia czestotliwosci,

Czestotliwosc rezonansowa rezonatora kwarcowego zalezy przede wszystkim od wymiarow plytki (przy tym jest odwrotnie proporcjonalna do jej wymiarow) oraz od sposobu wyciecia plytki z krysztahi, czyli tzw. ciecia plytki (elementu piezoelektrycznego), okreslonego nachyleniem krawedzi lub plaszczyzn plytki wzgledem osi odniesienia monokrysztalu, Nalezy zaznaczyc, ze rodzaj ciecia rna rowniez wplyw na wlasciwosci temperaturowe rezonatora i jego przydatnosc do pracy w roznych zakresach czestotliwosci, Czestotliwosci rezonansowe rezonatorow kwarcowych mieszcza sie w przedziale od kilku kilohercow do kilkudziesieciu megahercow,

Pod wzgledem elektrycznym rezonator kwarcowy rna wlasciwosci obwodu rezonansowego LC 0 duzej dobroci (typowo od 104 do 105). Na rysunku 3.19B przedstawiono elektryczny schemat zastepczy (model) rezonatora oraz jego symbol graficzny. Wielkosci R, L i C S1!, e1ektrycznymi odpowiednikami parametrow mechanicznych rezonatora (tlumienia, masy i sprezystosci), natomiast Co reprezentuje elektryczna pojemnosc miedzy elektrodami rezonatora (w tym pojemnosc obudowy i szereg pojemnosci rozproszonych niekiedy trudnych do okreslenia),

a) bJ'n c) 1 z]
1
R Co
c::::J
T L

f Rys. 3.19B. Rezonator kwarcowy: a) symbol graficzny; b) schemat zastepczy; c) charakterystyka czestotliwosciowa

Charakterystycznymi czestotliwosciami dla tego ukladu sa:

- czestotliwosc rezonansu szeregowego (najwazniejsza czestotliwosc rezonatora bezposrednio zwiazana z czestotliwoscia rezonansu mechanicznego wykorzystywanego rodzaju drgan) okreslona zaleznoscia

90

1

f. = 21t J LC

- czestotliwosc rezonansu rownoleglego

I:> 1 Jl+C

r 21t J LC Co

Warto zwrocic uwage, ze w przypadku rezonatorow kwarcowych drgania rezonansowe wystepuja rowniez dla czestotliwosci wiekszych (harmonicznych), odpowiadajacych tzw. drganiom owertonowym (nadpodstawowym).

Do wazniejszych parametrow rezonatora kwarcowego zalicza sie

jeszcze:

- dobroc rezonatora

Q= ~fi

- wspolczynnik pojemnosciowy rezonatora Co

r=-

C

okreslajacy odstep czestotliwosci rezonansu rownoleglego i szeregowego rezonatora;

- wspolczynnik jakosci rezonatora

okreslajacy wplyw pojemnosci Co na czestotliwosciowe charakterystyki impedancji rezonatora.

3.20. Co to s~ induktory i jakie s~ ich rodzaje?

Induktory (cewki indukcyjne) sl:l: to elementy elektryczne, ktorych podstawowym parametrem uzytkowym jest indukcyjnosc wyrazana w henrach (II). Obliczenie indukcyjnosci induktora nie jest rzecza latwa, w praktyce zazwyczaj korzysta sie ze wzorow uproszczonych, takze wykresow i nomogramow,

Zasadniczymi czesciami induktora sa zwojnica i magnetowod (rdzen magnetyczny). Zwojnice stanowi zespol zwojow drutu 0 identycznym lub zblizonym ksztalcie (najczesciej kolowym), odpowiednio usztywniony i chroniony przed uszkodzeniem. Magnetowod jest wykonany z materialu magnetycznie miekkiego i sluzy do skierowania stromienia magnetycznego wzdluz drogi wyznaczonej jego ksztaltem, Obecnosc magnetowodu zwieksza indukcyjnosc induktora.

91

~ wzorcowe
- matej cz~stotliwosci

r-e- Cewki duzej cz~stotliwosci

- odchylajqce

r-- ogniskujqce

~ magnesujqce (pomiarowe)
Induktory f-
- filtr6w zasilaczy
- matej cz~stotliwosci
'-- Dtawiki -
- wielkiej cz~stotliwosci
~ przeciwzakt6ceniowe Rys. 3.20. KJasyfikacja uzytkowa induktorow ze wzgledu na przeznaczenie

Induktory dzieli sie na: stale (0 stalej indukcyjnosci) i zmienne (0 zmiennej indukcyjnosci) oraz niezaleznie na: powietrzne (bez rdzenia magnetycznego) i magnetowodowe (z rdzeniem magnetycznym). W bardziej szczegolowej klasyfikacji induktorow bierze sie pod uwage ksztalt i sposob wykonania (nawiniecia) uzwojenia, rodzaj (wlasciwosci) materialu i postac (konstrukcj~) magnetowodu (rdzenia magnetycznego), przeznaczenie itp. Dla uzytkownikow szczegolnie dogodna jest klasyfikacja ze wzgledu na przeznaczenie (rys. 3.20). Nazwy element ow podane na tym rysunku utrwalily sie w praktyce, sa rowniez powszechnie stosowane w katalogach induktorow. Nazwa cewki obejmuje sie wiec elementy, ktorych zadaniem jest przede wszystkim wprowadzenie okreslonej indukcyjnosci do obwodu elektrycznego (cewki m.cz., wzorcowa) lub wytworzenie pola magnetycznego (cewki odchylajaca, ogniskujaca, pomiarowa). Pojecie dlawik odnosi si~ natomiast do elementow majacych mala impedancje dla pradow zadanej czestotliwosci, duza zas dla pradow 0 czestotliwosci wiekszej niz zadana.

3.21. Jakie SIl cechy charakterystyczne induktorow?

Prad stalyo natezeniu I, plynacy w uzwojeniu induktora 0 indukcyjnosci L, wytwarza strumien magnetyczny ('P = LI). Zmiana pradu wywoluje zmiane strumienia magnetycznego, czego wynikiem jest powstanie sily elektromotorycznej

dIP di

SEM = -(ft = -L dt

Jezeli zmiany pradu sa sinusoidalne, to powstajaca SEM ma tez ksztalt sinusoidalny, lecz jest przesunieta w fazie wzgledem pradu 0 pewien kat tp, W induktorze idealnym, charakteryzujacym sie tylko indukcyjnoscia (rys. 3.21a), kat

92

a)

L

c)

--GJ-

L

b)

L R

Rys. 3.21. Schematy zastepcze: induktora idealnego (a) i induktora rzeczywistego - schemat pelny (b), uproszczony rownolegly (c) oraz uproszczony szeregowy (d)

fazowy cp jest rowny n/2, czyli 900• W induktorze rzeczywistym wskutek strat prad opoznia sie w stosunku do napiecia 0 kilt mniejszy niz n/2. Kilt [) p. dopelniajacy do 900 kilt cp przesuniecia fazowego nazywa sie kqtem strat magnetycznych. Wartosc kata [) p. zalezy glownie od wlasciwosci magnetyka, pewien wplyw wywiera takze konstrukcja induktora. Modele induktora rzeczywistego (rys. 3.21 b) zawieraja dodatkowe elementy wyrazajace tzw. parametry szczatkowe, np. rezystancje R, wynikajaca ze strat w uzwojeniu i rdzeniu magnetycznym oraz pojemnosc C, bedaca glownie pojemnoscia miedzyzwojowa. W analizie obwodow elektrycznych, zwlaszcza w zakresie malych czestotliwosci, dose czesto korzysta sie z modeli uproszczonych induktora, np. modelu rownoleglego (rys. 3.21c) lub modelu szeregowego (rys. 3.21d).

Induktory znajduja zastosowanie przede wszystkim w filtrach, obwodach sprzegajacych i rezonansowych. Ze wzgledu na ogromna roznorodnosc stawianych im wymagan, sa zawyczaj indywidualnie konstruowane. Tylko nieliczne rodzaje induktorow przeznaczone do elektronicznego sprzetu powszechnego uzytku (radioodbiomikow, telewizorow, magnetofonow itp.) sa zunifikowane i produkowane w duzych ilosciach (przy dlugich seriach).

3.22. Jakie sit podstawowe parametry induktorow?

Podstawowymi parametrami induktorow sa indukcyjnosc, dobroc (lub tangens kilt a strat), moe (lub prad dopuszczalny), czestotliwosc rezonansu wlasnego, temperaturowy wspolczynnik indukcyjnosci, Ponadto czesto podaje sie liczbe zwojow, rodzaj i grubosc przewodu nawojowego, sposob ekranowania, wymiary elementu, typ rdzenia dla induktorow magnetowodowych oraz zakres regulacji indukcyjnosci dla induktorow zmiennych.

Indukcyjnose znamionowa L; induktora jest to wartosc indukcyjnosci podawana jako jego cecha; na ogol nie jest wielkoscia normalizowana, choc niektore rodzaje induktorow stalych (np. dlawiki w.cz.) sa projektowane wedrug znormalizowanych ciagow E6, E12 lub E24. W przypadku induktorow zmiennych 0 nastawianej (regulowanej) wartosci indukcyjnosci istotne znaczenie rna zakres indukcyjnosci (znamionowy) IlLn = Lnmax - Lnmin, niekiedy okreslany rowniez w postaci ilorazu LmaxlLmin.

93

Dobroc Q induktora jest to iloraz reaktancji indukcyjnej oil: i rezystancji szeregowej R. induktora (por. model uproszczony szeregowy podany na rys. 3.21d), wyrazajacej calkowite straty energii (zarowno w uzwojeniu, jak i rdzeniu) wystepujace przy danej czestotliwosci, czyli

wL Q=-

R.

Dobroc Q jest wai:nym parametrem induktora, gdyz od jej wartosci zalezy selektywnosc obwodu rezonansowego zlozonego z induktora i kondensatora (im wieksza dobroc rna induktor, tym wieksza selektywnosc rna obwod rezonansowy). Dobroc induktora zalezy przede wszystkim od wymiarow i ksztaltu zwojnicy, jak i rdzenia magnetycznego, rodzaju materialow rdzenia i karkasu (lub ogolnie stosowanych materialow izolacyjnych) a takze wartosci i czestotliwosci pradu plynacego w uzwojeniu, Odwrotnoscia Q jest tangens kata strat (tg£5 = l/Q).

Kazdy induktor, oprocz rezystancji R, rna rowniez okreslona pojemnose wlasna Co (por. model pelny induktora podany na rys. 3.21b), na ktora skladaja sie pojemnosci miedzy zwojami, wyprowadzeniami oraz element ami otaczajacymi (np. ekranem). Pojemnosc Co wraz z indukcyjnoscia L induktora wyznaczaja czestotliwosc rezonansu wlasnego

fa = 2ltJ LCo

1

Pojemnosc Co jest zazwyczaj traktowana jako parametr pasozytniezy (szkodliwy). Wyjatkiem sa przypadki, gdy jest wykorzystywana jako element pojemnosciowy obwodu rezonansowego (np. w obwodach rezonansowych w.cz.).

Zmiane indukcyjnosci induktora wywolana wzrostem temperatury okresla temperaturowy wspolczynnik indukcyjnosci"

1 ilL TWI = L . I1T

gdzie ilL = L, - L jest roznica indukcyjnosci L, w temperaturze T, a indukcyjnosci L w temperaturze T oraz I1T = T, - T. Wspolczynnik TWI podaje sie zwykle w jednostkach 1O-6/deg. Zmiany temperaturowe indukcyjnosci induktorow powietrznych Sll wynikiem glownie zmiany wymiarow geometrycznych uzwojenia i szkieletu (karkasu), natomiast w induktorach magnetowodowych decydujacy wplyw rna zmiana wlasciwosci magnetycznych rdzenia.

1) Niekiedy zamiast TWI jest podawana temperaturowa zmiana indukcyjnosci okreslana jako TZI = AL/L i podawana w %.

94

3.23. Jakie wlasefwosci maj~ induktory powietrzne?

Induktory powietrzne (bez rdzenia magnetycznego) cechuja sie duza staloscia indukcyjnosci, lecz niestety rowniez duzymi rozmiarami i silnym polern rozproszenia. W zaleznosci od ksztaltu i sposobu wykonania uzwojenia dzieli si~ je na: jednowarstwowe i wielowarstwowe oraz niezaleznie na: cylindryczne, pierscieniowe, spiralne, krzyzowe, chaotyczne itp. Przyklady konstrukcji zwojnic induktorow powietrznych podano na rys. 3.23. Induktory jednowarstwowe 0 malej liczbie zwojow, przy tym nawijane odpowiednio grubym przewodem (drutem), moga bye wykonywane bez konstrukcji wsporczych. Induktory tego typu odznaczaja sie mala stratnoscia, s~ jednak malo stabilne ze wzgledu na niedostateczna sztywnosc mechaniczna, Wiekszosc induktorow powietrznych jest nawijana na korpusie nosnym, nazywanym potocznie karkasem. Najwieksza stabilnoscia wyrozniaja sie induktory, ktorych uzwojenie jest zwiazane w sposob trwaly z powierzchnia korpusu (np. naklejone lub naniesione galwanicznie). Na przewody uzwojen sa stosowane najczesciej druty izolowane emalia, niekiedy linki 0 specjalnej konstrukcji, tzw. fica w.cz. Druty gole (nieizolowane) moga bye stosowane jedynie w luzno nawinietych, tj. z odstepem miedzy zwojami, induktorach jednowarstwowych.

Ciagla zmiane indukcyjnosci induktorow powietrznych mozna uzyskac przez zmiane liczby zwojow czynnych lub zmiane wspolczynnika sprzezenia e1ektrycznie polaczonych zwojnic.

(1)

b)

(3)

_II

(5)

Rys. 3.23. Przyklady konstrukcji induktorow powietrznych z nawinieciem: a) jednowarstwowym scislym (1) lub luznym (2); b) wielowarstwowym cylindrycznym (3), koszykowym (4) lub chaotycznym (5)

3.24. Jakie wlaSciwosci maj~ induktory magnetowodowe?

Induktory magnetowodowe (z rdzeniem magnetycznym) wyrozniaja sie J1.e razy wieksza indukcyjnoscia Lm w stosunku do indukcyjnosci Lp induktora powietrznego, czyli

95

Wspolczynnik Ile jest nazywany przenikalnoscia rownowaznq magnetowodu. W przypadku magnetowodu zamknietego wartosc liczbowa Ile rowna si~ na ogol wartosci przenikalnosci magnetycznej wzglednej Ilr materialu ferromagnetycznego. Przy obliczaniu indukcyjnosci induktorow ferrytowych bardzo pomocna jest tzw. stala indukcyjnosci rdzenia AL, wyrazajaca indukcyjnosc jednego zwoju umieszczonego w oknie rdzenia danego typu. Do obliczenia indukcyjnosci sluzy prosty wzor

gdzie z jest to liczba zwojow,

Obecnosc magnetowodu nie tylko zwieksza indukcyjnosc induktora, ale rowniez jego dobroc (mimo ze zwiekszaja sie straty). W induktorze idealnym, tj. bez strat, wzrost dobroci wynioslby Ile razy (czyli w tym samym stopniu co wzrost indukcyjnosci), W induktorze rzeczywistym wskutek strat w rdzeniu (zaleznych przy tym od czestotliwosci) wzrost dobroci jest mniejszy

(szacunkowo przyjmuje sie, ze wynosi ok. J Ile ).

Rodzaj materiahi i konstrukcja magnetowodu maja decydujacy wplyw na wlasciwosci induktorow z rdzeniem magnetycznym, dlatego im z reguly poswieca sie najwieksza uwage, Typowe ksztalty magnetowodow metalicznych i ferrytowych podano na rys. 3.24A i 3.24B.

Zastosowanie rdzenia magnetycznego 0 odpowiedniej konstrukcji umozliwia wykonanie induktorow 0 zmiennej (nastawianej) wartosci indukcyjnosci, Induktory zmienne sa to na ogol elementy z magnetowodem ferrytowym

+

+

OJ]

+

Rys. 3.24A. Typowe ksztaltki magnetowod6w wykrawane z blach magnetycznych

96

I 4>

Rys. 3.24B. Typowe ksztalty rnagnetowod6w (rdzeni) ferrytowych

otwartym np. typu kubkowego ze zmienna szczelina powietrzna lub typu walcowego gwintowanego wkrecanego w korpus zwojnicy. Regulacja dhigosci szczeliny lub glebokosci wkrecenia rdzenia umozliwia ustawienie zadanej wartosci indukcyjnosci lub tez zestrojenie obwodu rezonansowego.

3.25. Jakie s~ rodzaje i wlaseiwosc! transformatorow?

Transformator jest to element indukcyjny 0 co najmniej dwoch uzwojeniach (pierwotnym i wtornym) sprzezonych magnetycznie, sluzacy do przenoszenia (transformacji) energii elektrycznej lub sygnahi elektrycznego pradu przemiennego z obwodu pierwotnego do wtornego. Transformacja energii miedzy obwodami odbywa sie bez podwyzszania mocy i zmiany czestotliwosci przenoszonego sygnalu, Na rysunku 3.25 przedstawiono schemat budowy i symbol graficzny transformatora 0 rdzeniu ferromagnetycznym. Uzwojenie pierwotne o liczbie zwojow ZI i wtorne 0 Z2 zwojach sa polaczone odpowiednio ze zrodlem elektrycznym (pradu przemiennego) i odbiornikiem energii elektrycznej. Prad przemienny II plynacy w uzwojeniu pierwotnym wytwarza w rdzeniu zmienny strumien magnetyczny 1/). Wskutek zmian tego strumienia w obu uzwojeniach transformatora indukuja sie sily e1ektromotoryczne 0 wartosci proporcjonalnej do szybkosci zmian strumienia i liczby zwojow danego uzwojenia

97

Rys. 3.25. Transformator z rdzeniem magnetycznym: a) widok; b) schemat budowy; c) symbol graficzny

W przypadku idealnym (transformator bez strat) jest sluszna zaleznosc (zob. pyt. 2.4)

gdzie p jest przekladnia transformatora.

Z podanej wyzej zaleznosci wynika, ze

oraz

Dzielac powyzsze r6wnania stronami otrzymuje sie

=

Biorac pod uwage to, ze iloraz UI/II okresla impedancje obwodu pierwotnego ZI' tj. impedancje, jaka stanowi transformator dla zrodla sterujacego, natomiast U.JI2 = Z2 jest impedancja obwodu wt6rnego (obciazenia), po przeksztalceniu otrzymuje sie wyrazenie

ZI 2 -=p

Z2

kt6re wskazuje, ze transformator moze bye rowniez e1ementem transformujacym impedancje w stosunku r6wnym kwadratowi przekladni zwojowej. Wlasciwosc ta umozliwia np. dopasowanie impedancji zrodla i obciazenia przez zastosowanie transformatora 0 odpowiedniej przekladni,

98

You're Reading a Free Preview

Pobierz
scribd
/*********** DO NOT ALTER ANYTHING BELOW THIS LINE ! ************/ var s_code=s.t();if(s_code)document.write(s_code)//-->