Profesor :

Ing. Juan F. Tisza Contreras

 Juan F. Tisza C. Agosto 2010

1782 A. Volta Introduce la palabra “semiconductor”

1833 M. Faraday Descubre que la conductividad de algunos materiales aumenta con T
1874 F. Braun Primer diodo de vacío

1897 J.J. Thomson Descubrimiento del electrón

Descubre que la corriente eléctrica en los metales es debida al movimiento de los
1901 V. E. Riecke
electrones

1903 J. Koenigsberg Postula que la resistividad de los semiconductores depende de T

Propone una teoría de bandas del sólido y el concepto de impurezas donadoras y

1931 A. Wilson
aceptoras.

1931 W. Heisenberg Concepto de hueco como quasi-partícula de carga positiva

1936 Bell T. Laboratories

Programa de búsqueda para sustituir los conmutadores electromecánicos con otros
basados en semiconductores.

1939 Shockley: dispositivo amplificador basado en semiconductores

1940 Primer fotodiodo basado en la unión p/n de silicio

1947 Invención del transistor ( Bardeen, Brattain, Shockley )
1948 Primera radio de transistor
Western Electric: primer transistor comercial (amplificador para auriculares para
1951
sordos)

2
 Juan F. Tisza C.

1956 Bardeen, Brattain e Shockley reciben el premio Nobel por la descubrimiento del transistor.

1956

1956

1956

1956

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 Juan F. Tisza C.

 Diferencias conductor – semiconductor

 Semiconductores. Conducción intrínseca y
extrínseca
 Modelo de bandas de energía

 Ley de acción de masas

 Ley de la neutralidad eléctrica

 Corrientes de desplazamiento

 Corrientes de difusión

Agosto 2010 Más

4
 Juan F. Tisza C.

 Propiedades del germanio y el silicio

 Concentraciones de portadores

 Conductividad de semiconductores

 Variación de potencial en un semicondu

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 Juan F. Tisza C.

Influencia de la temperatura en la resistencia

108 (Ω m)-1 106 (Ω m)-1

σ σ

Cu Ge

T T

Efecto Hall
Fotoresistencia
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 Juan F. Tisza C.

En conductores
VH

va
F J

En semiconductores: silicio dopado con galio

-VH

⊕ va
F J

B
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Fotoconductividad del Ge
luz

A
Frecuencia radiación
Energía de los fotones

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 Juan F. Tisza C.

Átomos con energía de ionización muy

baja. Electrones deslocalizados de la zona
+
de enlace. Contribuyen a la conducción.
+
+ + +
+ +
+ + +
+ +
+ + + +
+ + +
+ + +
+ + +
+ +
+ + + + +
+ +
+ + +
+ +
+ + +
+
+ +

≈ 1029 e- libres/m3

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 Juan F. Tisza C.

Átomos con energía de ionización muy

alta. Electrones localizados en la zona del
enlace. Imposibilidad de contribuir a la
conducción.

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 Juan F. Tisza C.

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 A 300 K: 1e– cada 109

E átomos, 1019 e–/m3

Concentración de e-: (n)

Ge
Concentración de h : (p)

n=p
>0K
T=
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
tipo N E tipo P

e– poco ligado
(0.03 -0.1 eV)
A
Ga
s
e– ocupa el hueco
(0.04 -0.12 eV)

Átomo donador P,As,Sb: (ND) Átomo aceptor B,Al,Ga,In: (NA)

Portadores mayoritarios: n ≈ 1022 /m3 Portadores mayoritarios: p ≈ 1022 /m3
Portadores minoritarios: p ≈ 1016 /m3 Portadores minoritarios: n ≈ 1016 /m3
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1 2
H He
1,008 4,003

3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183

11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948

19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80

37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30

55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)

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1 2
H He
1,008 4,003

3 4 5 6 7 8 9 10
Li Be B C N O F Ne
6,941 9,012 10,811 12,011 14,007 15,999 18,998 20,183

11 12 13 14 15 16 17 18
Na Mg Al Si P S Cl Ar
22,990 24,305 26,982 28,086 30,974 32,064 35,453 39,948

19 20 30 31 32 33 34 35 36
K Ca ... Zn Ga Ge As Se Br Kr
39,10 40,08 65,37 69,72 72,59 74,92 78,96 79,91 83,80

37 38 48 49 50 51 52 53 54
Rb Sr ... Cd In Sn Sb Te I Xe
85,47 87,62 112,40 114,82 118,89 121,75 127,60 126,90 131,30

55 56 80 81 82 83 84 85 86
Cs Ba ... Hg Tl Pb Bi Po At Rn
132,91 137,33 200,59 204,37 207,19 208,98 (210) (210) (222)

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 Juan F. Tisza C.

6
Carbono: 1s2 2s2 2p2
Hidrógeno
aislante
p + +6

Estados o niveles de
energía permitidos
14
Silicio: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
ENERGÍA DEL e-

32
Germanio: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p63d10 4s24p2
semiconductores

50
Estaño: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p63d10 4s24p64d10 5s25p2
conductor
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E
N iv e le s o c u p a d o s
BANDA N iv e le s v a c í o s
DE
C O N D U C C IÓ N

2p²
BANDA
P R O H IB ID A
2s²
BANDA
DE
V A L E N C IA

D ia m a n te G ra f it o Á to m o s a isla d o s
X3 X2 X1 d
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 Juan F. Tisza C.

BC BC BC

Eg = 10 eV Eg = 1 eV

BV BV BV

Aislante Semiconductor Conductor

Eg(Si) = 1,12 eV
T = 300 K
Eg(Ge) = 0,66 eV
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E
Banda de conducción

T = 0 Eg Banda prohibida T > 0

K K

Banda de valencia

Eg (Ge) ≈ 0,7 n = p = ni
eV
Eg (Si) ≈ 1,1 eV

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Ión de
E Nivel donante impureza
donante
0.01 eV

T=0K T>0K

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Nivel aceptor

0,01 eV

T=0K Huecos en la BV T>0K Ión de

impureza
aceptora
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n·p = n 22
n·p = ni i

n: número de electrones por unidad de volumen

p: número de huecos por unidad de volumen
ni: concentración intrínseca

ni(Ge, 300 K) = 2,4·1019 port./m3

ni(Si, 300 K) = 1,5·1016 port./m3

3 E
− g
ni = f ( t ) = AT 2 e 2kT
Agosto 2010
22
 Juan F. Tisza C. Agosto 2010

-3
-3 )
50
50
m
1018 m )
18

40
intrínseca(××10

40 33 Eg
Ge Eg
22 −−2kT
Ge nni i ==AT
AT ee 2kT
Concentraciónintrínseca(

30
30

20
20
Concentración

10
10
Si
Si
00
250
250 275
275 300
300 325
325 350
350 375
375 400
400
TT(K)
(K)

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 NA + n = N D + p

 Intrínseco → NA = ND = 0 → p = n = n i

 Tipo n → NA = 0; n ≈ ND →

 Tipo p → ND = 0; p ≈ NA →
ni2
p≈
ND

ni2
n≈
NA
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P
N

Iones de impureza aceptora INMÓVIL Iones de impureza dadora

Hueco dejado por electrón MÓVIL INMÓVIL
Electrón térmico MÓVIL Electrón liberado por dador MÓVIL
Hueco térmico MÓVIL Electrón térmico MÓVIL

NA + n = p ; p >>>>> n; NA ≈ p ND +Hueco
p = ntérmico MÓVIL
; n >>>>> p; ND ≈ n

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Ge Si
Número atómico 32 14
Masa atómica (g/mol) 72,6 28,08
Radio atómico (nm) 0,137 0,132
Estructura electrónica [Ar]4s23d104p2 [Ne]3s23p2
Densidad kg/m3 5323 2330
Temperatura de fusión 937,4 ºC 1410 ºC
Calor específico J/kg·ºC 309 677
Concentración atómica at/m3 4,42·1028 4,96·1028
Concentración intrínseca (300 K) 2,36·1019 m-3 1,5·1016 m-3
Constante A m-3·K-3/2 1,91·1021 4,92·1021
Anchura banda prohibida (300 K) 0,67 eV 1,1 eV
Movilidad electrones (300 K) 0,39 m2/Vs 0,135 m2/Vs
Movilidad huecos (300 K) 0,182 m2/Vs 0,05 m2/Vs
Resistividad intrínseca (300 K) 0,47 Ω m 2300 Ω m
Difusividad electrones 10,1·10-3 m2/s 3,5·10-3 m2/s
Difusividad huecos 4,9·10-3 m2/s 1,3·10-3 m2/s
Permitividad eléctrica 15,7 12
Masa efectiva electrones 0,5 m0 1,1 m0
Masa efectiva huecos 0,37 m0 0,59 m0
26
 Juan F. Tisza C. Agosto 2010

30
30

25
25

(S/m)
Conductividad(S/m)
A poca temperatura, 20
20
las impurezas se ionizan Ge
Ge

Conductividad
rápidamente. 15
15
Los portadores procedentes de
Semiconductor
Semiconductorextrínseco
extrínseco10
10 las impurezas, ya ionizadas, no
NND=10 20 -3
20m -3 55 aumentan sensiblemente.
D=10 m
(S/m)
Conductividad(S/m)

22 00
250
250 270
270 290
290 310
310 330
330 350
350 370
370
Conductividad

19 -3 TT(K)
(K)
NND=5·10 19m -3
D=5·10 m
11
A temperaturas altas, la
SiSipuro
puro conducción intrínseca se
00 hace significativa.
00 100
100 200
200 300
300 400
400T (K) 500
500
T (K) 27
 Juan F. Tisza C.


  Eext  
vn = -µ nE vp = µ pE

 
Jn Jp
      
Jn = nqv n = n( −qe )( −µnE) = nqeµnE Jp = pqv p = pqeµpE

J = Jp + Jn = qe(nµ n + pµ p)E = σ E
σ = qe(nµ n + pµ p)

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Intrínsecos Extrínsecos

n n >> p
p = n = ni
σ ≈
qnµ n
σ = qe(nµ n + pµ p)

σ = qeni(µ n + µ p) p >> n
p σ ≈ qpµ p

Agosto 2010
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 Juan F. Tisza C.


∇n = 0 dn
∇n = → Ley de Ohm
 dx 
J = -σ ∇ V
Ley de Fick Jdif = -qD∇ n
Dn Difusividad de electrones (Dn Si = 3,5·10-3 m2/s)
Dp Difusividad de huecos (Dp Si = 1,31·10-3 m2/s)

Dn Dp kT
Relación de Einstein: = = = VT
µn µp q
k (Constante de Boltzmann) = 1,38·10-23 JK-1 VT(300 K) = 25,85 mV
Agosto 2010
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 Juan F. Tisza C.

∇n ∇p
 
Jn Jp

N P

 
Jn = qeDn∇ n Jp = -qeDp∇ p

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p(x1) p(x2)

E
p = p(x)

x1 x2

0 x
en circuito abierto → Jdif + Jdesp = 0
 
dp
− qDp + pµ p qE = 0
dx
kT
Relación de Einstein: Dp = µp = VT µp
q
Agosto 2010 sigue
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 Juan F. Tisza C.

dp VT(300 K) = 25.85 mV
VT = Edx = −dV
p
V2 − V1
p1 VT
p→ V2 - V1 = VT ln p1 = p 2e
p2
V2 − V1
−
n1 VT
n→ V2 - V1 = − VT ln n1 = n2e
n2

Ejemplo: p1 = 1016 huecos/m3; p2 = 1022 huecos/m3

Agosto 2010
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