UNIWERSYTET ŚLĄSKI

WYDZIAŁ TECHNIKI
INSTYTUT INFORMATYKI

ZAKŁAD KOMPUTEROWYCH SYSTEMÓW

STEROWANIA

ELEKTRONIKA
ANALOGOWA
Konspekt wykładu dla studentów kierunków
Wychowanie Techniczne
Informatyka

Prof. dr hab. inż. Zygmunt Wróbel

Sosnowiec 1999r.
SPIS TREŚCI

INSTYTUT INFORMATYKI.........................................................................................................................3
KONSPEKT WYKŁADU DLA STUDENTÓW KIERUNKÓW .....................................................................................3
WYCHOWANIE TECHNICZNE ...........................................................................................................................3
INFORMATYKA ................................................................................................................................................3
ROZDZIAŁ I. ELEKTRONICZNE ELEMENTY BIERNE ........................................................................8
1.1. REZYSTORY .........................................................................................................................................8
1.2. KONDENSATORY..............................................................................................................................10
1.2.1. KONDENSATORY STAŁE........................................................................................................12
1.2.2. KONDENSATORY ZMIENNE..................................................................................................13
ROZDZIAŁ II. MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE........................................................................15
2.1. MODEL PASMOWY ...........................................................................................................................15
2.2. PÓŁPRZEWODNIK SAMOISTNY.....................................................................................................16
2.3. PÓŁPRZEWODNIK TYPU N I TYPU P ..............................................................................................18
ROZDZIAŁ III. PÓŁPRZEWODNIKOWE ELEMENTY BIERNE ........................................................21
3.1. TERMISTOR ........................................................................................................................................21
3.2. WARYSTORY .....................................................................................................................................22
ROZDZIAŁ IV. ZŁĄCZE P-N ......................................................................................................................24
4.1. WARSTWA ZAPOROWA W ZŁĄCZU P-N. MODEL PASMOWY ZŁĄCZA.................................24
4.2. POLARYZACJA ZŁĄCZA P-N W KIERUNKU PRZEWODZENIA.................................................26
4.3. POLARYZACJA ZŁĄCZA P-N W KIERUNKU ZAPOROWYM. .....................................................28
4.4. ZJAWISKO TUNELOWE....................................................................................................................30
ROZDZIAŁ V. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE....................................................................................32
5.1. DIODY PROSTOWNICZE ..................................................................................................................34
5.2. DIODY STABILIZACYJNE (STABILITRONY) – DIODY ZENERA ..............................................36
5.3. DIODY POJEMNOŚCIOWE ...............................................................................................................37
5.4. DIODY PRZEŁĄCZAJĄCE ................................................................................................................39
5.5. DIODA TUNELOWA ..........................................................................................................................40
ROZDZIAŁ VI.TRANZYSTORY BIPOLARNE ........................................................................................42
6.1. PODZIAŁ TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH. .............................................................................43
6.2. ZASADA DZIAŁANIA TRANZYSTORA. ........................................................................................43
6.3. UKŁADY PRACY TRANZYSTORA. ................................................................................................46
6.4. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA .................................................................47
6.4.1. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA PRACUJĄCEGO W
UKŁADZIE OB......................................................................................................................................48
6.4.2. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA PRACUJĄCEGO W UKŁADZIE
OE. ...........................................................................................................................................................49
6.5. STAN PRACY I PARAMETRY TRANZYSTORA. ...........................................................................50
6.6. SCHEMATY ZASTĘPCZE TRANZYSTORA ...................................................................................52
ROZDZIAŁ VII. TRANZYSTORY POLOWE – JFET..............................................................................54
7.1. TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET. ...........................................................................55
7.2. ZASADA DZIAŁANIA TRANZYSTORA POLOWEGO JFET.........................................................55
7.3. PARAMETRY I CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORA POLOWEGO JEFT. ............................56
7.4 SCHEMAT ZASTĘPCZY TRANZYSTORA ZŁĄCZOWEGO. .........................................................58
7.5. TRANZYSTORY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ MOSFET..................................................................60

4
 7.5.1. ZASADA DZIAŁANIA TRANZYSTORA MIS (MOS). .......................................................... 60
7.6.CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORÓW MOSFET...................................................................... 62
ROZDZIAŁ VIII. ELEKTRONICZNE ELEMENTY PRZEŁĄCZAJĄCE ............................................ 64
8.1. TRANZYSTOR JEDNOZŁĄCZOWY................................................................................................ 64
8.2. DYNISTOR.......................................................................................................................................... 67
8.3. DIAK.................................................................................................................................................... 68
8.4. TYRYSTOR......................................................................................................................................... 69
8.5. TRIAK.................................................................................................................................................. 70
ROZDZIAŁ IX. ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE........................................................................ 72
9.1. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA........................................................................................ 72
9.1.1. WŁAŚCIWOŚCI OPTYCZNE I ELEKTRYCZNE DIODY LED......................................... 75
9.2. FOTOREZYSTOR ............................................................................................................................... 77
9.3. FOTODIODA....................................................................................................................................... 79
9.4. FOTOTRANZYSTOR ......................................................................................................................... 81
9.5. FOTOTYRYSTOR............................................................................................................................... 84
9.6. TRANSOPTORY ................................................................................................................................. 85
ROZDZIAŁ X. WZMACNIACZE................................................................................................................ 89
10.1. PODSTAWOWE UKŁADY WZMACNIAJĄCE ............................................................................. 91
10.2. UKŁAD O WSPÓLNYM EMITERZE WE ....................................................................................... 92
10.3. UKŁAD O WSPÓLNYM KOLEKTORZE WC ................................................................................ 95
10.4. UKŁAD O WSPÓLNEJ BAZIE WB ................................................................................................. 96
10.5. SPRZĘŻENIE ZWROTNE WE WZMACNIACZACH .................................................................... 97
10.6. WZMACNIACZE OPERACYJNE.................................................................................................. 100
10.7. WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY ............................................................................................... 103
10.8. WZMACNIACZ NIEODWRACAJĄCY ........................................................................................ 105
10.9. WTÓRNIK NAPIĘCIOWY ............................................................................................................. 106
10.10. WZMACNIACZ ODEJMUJĄCY.................................................................................................. 106
10.11. WZMACNIACZ SUMUJĄCY ...................................................................................................... 108
10.12. WZMACNIACZ CAŁKUJĄCY – INTEGRATOR....................................................................... 109
10.13. WZMACNIACZ RÓŻNICZKUJĄCY........................................................................................... 112
10.14. KONWERTER PRĄD – NAPIĘCIE ............................................................................................. 113
10.15. PRZESUWNIK FAZY ................................................................................................................... 114
ROZDZIAŁ XI. GENERATORY. .............................................................................................................. 116
11.1. GENERATORY NAPIĘCIA SINUSOIDALNEGO........................................................................ 116
11.2. WZMACNIACZ JAKO GENERATOR. WARUNKI GENERACJI............................................... 117
11.3. PARAMETRY GENERATORÓW PRZEBIEGU SINUSOIDALNEGO ....................................... 118
11.4. GENERATOR LC ZE SPRZĘŻENIEM ZWROTNYM.................................................................. 119
11.5. GENERATOR MEISSNERA .......................................................................................................... 119
11.6. GENERATOR Z MOSTKIEM WIENA .......................................................................................... 120
11.7. GENERATOR RC Z PRZESUWNIKIEM FAZY ........................................................................... 123
ROZDZIAŁ XII. MODULACJA I DEMODULACJA.............................................................................. 127
12.1. MODULACJA AMPLITUDY ......................................................................................................... 128
12.1.1. MODULACJA STUPROCENTOWA I PRZEMODULOWANIE..................................... 130
12.2. MODULATORY AMPLITUDY ..................................................................................................... 134
12.3. MODULACJA CZĘSTOTLIWOŚCI .............................................................................................. 135
12.4. MODULATORY CZĘSTOTLIWOŚCI (FM) ................................................................................. 139
12.5. DEMODULACJA ............................................................................................................................ 140
ROZDZIAŁ XIII. UKŁADY ZASILAJĄCE ............................................................................................. 143
13.1. PROSTOWNIKI............................................................................................................................... 144
13.2. PROSTOWNIK JEDNOPOŁÓWKOWY........................................................................................ 145
13.3. PROSTOWNIK DWUPOŁÓWKOWY........................................................................................... 146
13.4. DOBÓR DIOD PROSTOWNICZYCH STOSOWANYCH W PROSTOWNIKACH. ................... 148
13.5. PROSTOWNIK TYRYSTOROWY ................................................................................................ 150
13.6. STABILIZATORY........................................................................................................................... 150

5
 13.7. STABILIZATOR Z DIODĄ ZENERA ............................................................................................152
13.8. STABILIZATOR ZE SPRZĘŻENIEM ZWROTNYM ....................................................................155
13.9. STABILIZATOR TRANZYSTOROWY .........................................................................................156
13.10. ZABEZPIECZENIA STABILIZATORÓW ...................................................................................159
ROZDZIAŁ XIV. PRZETWORNIKI ANALOGOWO-CYFROWE I CYFROWO- ANALOGOWE. 162
14.1. PRZETWORNIKI C/A......................................................................................................................162
14.2. PRZETWORNIKI A/C......................................................................................................................166
14.3. PODSTAWOWE CZŁONY PRZETWORNIKÓW .........................................................................167
BIBLIOGRAFIA..........................................................................................................................................169

6
7
Rozdział I. ELEKTRONICZNE ELEMENTY BIERNE

Elementy bierne to kondensatory, rezystory i elementy indukcyjne.

Elementy, które są tego samego rodzaju mają wspólną właściwość
podstawową a różne właściwości drugorzędne. Czego przykładem mogą być
rezystory. Są one wykonywane z różnych materiałów i w związku z tym mają
inne zastosowania, nazwy oraz symbole graficzne.

1.1. REZYSTORY

Rezystory spełniają wiele podstawowych i pomocniczych funkcji w

układach elektronicznych. Poprzez rezystory doprowadza się odpowiednie
prądy zasilające do elementów czynnych, rezystory pełnią rolę elementów
stabilizujących punkty pracy tranzystorów, lamp elektronowych a także służą
do kształtowania charakterystyki wzmacniaczy itp.

Rezystory dzielimy w zależności od:

• cech funkcjonalnych na:
- rezystory
- potencjometry
- warystory
- magnetorezystory – qaussotrony
• charakterystyki prądowo – napięciowej na:
- liniowe
- nieliniowe
• stosowanego materiału oporowego na:
- drutowe
- niedrutowe

Rezystory liniowe dzielimy na stałe i zmienne. W rezystorach

zmiennych można zmieniać wartości rezystancji (rezystory nastawne lub
regulacyjne) lub stosunek podziału rezystancji (potencjometry). Rezystor
liniowy w normalnych warunkach pracy charakteryzuje się proporcjonalną
zależnością napięcia od prądu, tzn. jest spełnione prawo Ohma (U = R*I przy
czym R = const).
Dla rezystorów nieliniowych wartość rezystancji jest funkcją prądu
lub napięcia.
Rezystory drutowe są wykonywane z drutu stopowego nawiniętego na
ceramiczny wałek lub rurkę w postaci jednowarstwowego uzwojenia.
Rezystory niedrutowe są wykonane z materiału rezystywnego jako
rezystory warstwowe lub objętościowe.

8
 W rezystorach warstwowych materiał rezystywny jest umieszczony
na podłożu w postaci warstwy. Rezystory te mogą być węglowe i
metalizowane.
W zależności od grubości warstwy są rezystory cienkowarstwowe (> 1µm) i
grubowarstwowe (< 1µm).
Wykonuje się także rezystory objętościowe, w których prąd płynie
całą objętością rezystora. Do ich budowy stosuje się organiczne lub
nieorganiczne materiały oporowe. Stosowane są głównie w sprzęcie
profesjonalnym, gdzie wytrzymują duże obciążenia prądowe i mocy.

Klasyfikacja rezystorów

Rezystory

Drutowe Niedrutowe

Liniowe Nieliniowe Liniowe Nieliniowe

Stałe Zmienne Stałe Zmienne

Termistory
(potencjometry) (potencjometry)

Warystory
Warstwowe Objętościowe

Fotorezystory
Nieorganiczne Organiczne

Magneto -
rezystory

Rys. 1.1. Klasyfikacja rezystorów.

Symbole rezystorów

a) b) c)

Rys. 1.2. Symbole rezystorów.

a) stały, b) zmienny (potencjometry), c) nastawny.

9
Parametry rezystorów.

• Rezystancja znamionowa, będąca wskaźnikiem wartości

rezystancji. Podawana z największym dopuszczalnym odchyleniem
rezystancji rzeczywistej od rezystancji znamionowej. Dopuszczalne
odchyłki są zawarte w przedziale 0,1 – 20 %.
• Moc znamionowa, która jest największą dopuszczalną mocą
możliwą do wydzielenia w rezystorze. Moc ta jest zależna od
powierzchni rezystora, sposobu odprowadzenia ciepła, maksymalnej
dopuszczalnej temperatury pracy i temperatury otoczenia.
• Napięcie znamionowe, jest największym dopuszczalnym
napięciem, które może być przyłożone do rezystora bez zmiany jego
właściwości, a szczególnie bez jego uszkodzenia. Wartości
znamionowe napięć dla większości rezystorów wynoszą od
kilkudziesięciu do kilkuset woltów.
Rezystory opisywane są wieloma współczynnikami charakteryzującymi
zmianę rezystancji w funkcji temperatury, wilgotności, napięcia itp.

1.2. KONDENSATORY

Kondensator stanowi układ dwóch lub więcej przewodników

(okładzin), odizolowanych warstwą dielektryka, gromadzący energię pola
elektrycznego.
Kondensatory mają pojemność stałą (nienastawne) bądź zmienną (nastawne).

Kondensatory można podzielić w zależności od zastosowanego

dielektryka oraz od ich przeznaczenia na:
• stałonapięciowe (w obwodach napięcia stałego);
• zmienno napięciowe;
• impulsowe (w obwodach impulsowych o większych wartościach
prądu ładowania i rozładowania);
• biegunowe zwane polarnymi (pracują przy jednym określonym
kierunku doprowadzonego napięcia stałego);
• niebiegunowe zwane bipolarnymi (w obwodach napięcia stałego,
przy dowolnej jego biegunowości);
• zmiennej pojemności (do przestrajania obwodów rezonansowych).

Parametry kondensatorów.

• pojemność znamionowa - CN wyrażona w faradach, określa

zdolność kondensatora do gromadzenia ładunków elektrycznych,
podawana na obudowie kondensatora;

10
• napięcie znamionowe – UN, jest największym napięciem, które
może być przyłożone trwale do kondensatora. Napięcie to jest na
ogół sumą napięcia stałego i wartości szczytowej napięcia
zmiennego;
• tangens kąta stratności – tg γ, stosunek mocy czynnej
wydzielającej się w kondensatorze przy napięciu sinusoidalnie
zmiennym o określonej częstotliwości;
• prąd upływowy – IU, prąd płynący przez kondensator, przy
doprowadzonym stałym napięciu;
• temperaturowy współczynnik pojemności – αC, określa względną
zmianę pojemności, zależną od zmian temperatury.

Podział kondensatorów

Rys. 1.3. Podział kondensatorów.

11
 Rys. 1.4. Przykłady budowy kondensatorów: a) papierowego zwijanego,
b) ceramicznego płaskiego, c) ceramicznego rurkowego.

1.2.1. KONDENSATORY STAŁE

Podstawowe parametry jak pojemność znamionowa i napięcie

znamionowe zależą przed wszystkim od rodzaju zastosowanego w nich
dielektryka. Ze względu na tą zależność dzielimy kondensatory na:

• mikowe (symbol KM);

• ceramiczne (KCP, KFP, KCR, KFR);
• papierowe (KLMP, KSMP);
• z tworzyw sztucznych (organiczne – symbol KSF, MKSE, MKSF,
MKSP);
• elektrolityczne (KEN, KEO, SM, E, T, UL, KERMS);
• powietrzne.

Kondensatory mikowe. Używa się moskwitu. Mają mały

temperaturowy współczynnik pojemności i mały tangens kąta stratności
dielektrycznej.

Kondensatory ceramiczne. Wykonywane z ceramiki alundowej,

rutylowej oraz steatytowej. Mają one małą wartość kąta stratności oraz duży
współczynnik pojemności. Zaletą jest duża pojemność znamionowa i małe
wymiary. Mają niewielkie wartości indukcyjności własnej, w związku z tym
mogą być stosowane w obwodach wielkiej częstotliwości oraz jako
pojemności sprzęgające.

12
 Kondensatory papierowe. Mają małe wymiary przy dużych
wartościach pojemności oraz duży współczynnik stratności dielektrycznej.
Dielektrykiem jest bibuła nasycona olejem syntetycznym, kondensatorowym
lub parafinowym.

Kondensatory z tworzyw sztucznych. Dielektrykiem może być: folia

polistyrenowa, poliestrowa lub polipropylenowa. Rozróżniamy kondensatory
takie jak:

a) Kondensatory polistyrenowe: mają mały współczynnik

temperaturowy pojemności, mały tangens kąta stratności oraz
stosowane są w układach pracujących w zakresie wielkich
częstotliwości.
b) Kondensatory poliestrowe: mają duży współczynnik kąta
stratności dielektrycznej, stosowane głównie w układach napięcia
stałego lub zmiennego o małej częstotliwości.
c) Kondensatory polipropylenowe: mają zbliżone właściwości do
właściwości kondensatorów poliestrowych, stosuje się je w
obwodach prądu zmiennego o częstotliwości 50Hz.

Kondensatory elektrolityczne.
Ze względu na użyty materiał dzielimy na:

• aluminiowe;
• tantalowe;

Ze względu na zastosowanie układu dzielimy na:

• biegunowe;
• niebiegunowe.

Są stosowane w układach filtracji napięcia zasilania i jako kondensatory

sprzęgające w układach małej częstotliwości. Kondensatory elektrolityczne
mają duże wartości pojemności znamionowej. Wadą natomiast jest duży prąd
upływowy, którego wartość rośnie wraz ze wzrostem temperatury.
Kondensatory te mają określoną biegunowość. Zmiana biegunów (elektrod)
powoduje zniszczenie kondensatora.

1.2.2. KONDENSATORY ZMIENNE

Kondensatory o zmiennej pojemności to kondensatory z dielektrykiem

powietrznym (symbol AM, FM) lub kondensatory ceramiczne dostrojcze
zwane trymerami (TCP).

13
 Kondensator powietrzny zbudowany jest z dwóch zespołów
równoległych płytek (rotor i stator), które zmieniając swe położenie powodują
zmianę wartości pojemności kondensatora. Charakter zmian pojemności
kondensatora zależy natomiast od płytek rotora i statora.
Ze względu na charakter zmian wartości pojemności, w zależności od kąta
obrotu rotora, rozróżniamy kondensatory o:

• prostoliniowej zmianie pojemności;

• prostoliniowej zmianie długości fali;
• prostoliniowej zmianie częstotliwości;
• logarytmicznej zmianie pojemności.

C C C

0 α 0 α 0 α

Rys. 1.5. Charakterystyki kondensatorów zmiennych,

a) o prostoliniowej zmianie pojemności;
b) o prostoliniowej zmianie długości fali w obwodzie rezonansowym;
c) o prostoliniowej zmianie częstotliwości w obwodzie rezonansowym.

Kondensatory obrotowe mają pojemności mniejsze niż 500pF natomiast

kondensatory nastawne, zwane trymerami, mają pojemności mniejsze niż
100pF.

14
Rozdział II. MATERIAŁY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Półprzewodniki to materiały powszechnie stosowane do produkcji

elementów i układów elektronicznych.
Każdy materiał ma pewną wartość rezystywności. W zależności od tej
wartości dzielimy je na metale i niemetale (dielektryk, półprzewodnik),
różniące się właściwościami fizykochemicznymi.
Półprzewodniki obejmują obszerną grupę materiałów, które ze względu
na przewodnictwo elektryczne zajmują pośrednie miejsce pomiędzy metalami
a izolatorami. Półprzewodniki stanowią oddzielną klasę substancji, gdyż ich
przewodnictwo ma szereg charakterystycznych cech. Należy podkreślić
odwrotną niż dla metali zależność przewodnictwa elektrycznego od
temperatury. W dostatecznie niskich temperaturach półprzewodnik staje się
izolatorem. W szerokim zakresie temperatur przewodnictwo przewodników
szybko rośnie wraz ze wzrostem temperaturą. Drugą ważną cechą
półprzewodników jest zmiana przewodnictwa elektrycznego w wyniku
niewielkich zmian ich składu.

2.1. MODEL PASMOWY

Teoria pasmowa – jest to teoria kwantowa opisująca stany

energetyczne elektronów w krysztale. W odróżnieniu od atomów, w których
dozwolone stany energetyczne elektronów stanowią zbiór poziomów
dyskretnych, dozwolone elektronowe stany energetyczne w kryształach mają
charakter pasm o szerokości kilku elektronowoltów.
Elektronowolt (eV) jest to energia, jaką uzyskuje elektron w wyniku
zmiany swojego potencjału o 1 V.
W

Pasmo przewodnictwa

Pasmo zabronione Wg

Pasmo podstawowe

Rys. 2.1. Model energetyczny pasmowy półprzewodnika.

15
W temperaturze zera bezwzględnego (T = 0K) najmniejszą energię mają
elektrony walencyjne. Pasmo odpowiadające temu stanowi energetycznemu
nosi nazwę pasma walencyjnego lub podstawowego i jest najniżej
położonym pasmem energetycznym (rys. 2.1). Powyżej tego pasma leży
pasmo przewodnictwa, w którym znajdują się swobodne elektrony wyrwane
z sieci krystalicznej. Pomiędzy tymi pasmami jest odstęp, który nazwany jest
pasmem zabronionym lub przerwą zabronioną i oznacza się przez Wg.
Wartość Wg określa minimalną wartość energii, która musi być dostarczona
elektronom, aby zostały one wyrwane z wiązań atomowych sieci
krystalicznej. Szerokość tą mierzy się w elektronowoltach (eV).

2.2. PÓŁPRZEWODNIK SAMOISTNY

Półprzewodnik samoistny jest to monokryształ półprzewodnika

pozbawionego defektów sieci krystalicznej i domieszek, czyli nie zawierają
obcych atomów w sieci krystalicznej.

W półprzewodnikach już w temperaturze 300 K (a nawet niższej)

pewna część elektronów przechodzi do pasma przewodnictwa, pozostawiając
miejsca nie obsadzone w paśmie podstawowym. Miejsca te mogą być
zajmowane przez elektrony usytuowane na niższych poziomach w tym
paśmie (po otrzymaniu z zewnątrz odpowiedniej energii).

Proces pojawiania się elektronów w paśmie przewodnictwa i wolnych

miejsc (dziur) w paśmie podstawowym pod wpływem wzrostu temperatury
nosi nazwę generacji termicznej par dziur-elektron (rys. 2.2).

Dziurą nazywa się dodatni nośnik ładunku, będący brakiem elektronu.

W półprzewodnikach o małych szerokościach pasma zabronionego generacja
termiczna par dziura-elektron jest ułatwiona. Liczbę nośników w ciałach
stałych wyraża się za pomocą gęstości lub koncentracji (liczba nośników na
jednostkę objętości.

Liczba generowanych par, czyli ich koncentracja, jest tym większa, im

jest węższe pasmo zabronione danego półprzewodnika oraz im temperatura
monokryształu jest wyższa. Po pewnym czasie pobudzony elektron powraca
do stanu podstawowego z wyemitowaniem kwantu promieniowania. Taki
proces nazywamy rekombinacją (rys. 2.2).

Średni czas jaki upływa między procesem generacji a procesem

rekombinacji nazywamy czasem życia τ danego nośnika (elektronu, dziury).

16
 W T >0 K

Generacja

Foton
Wpr

Wc
Rekombinacja Foton
Wv

0 L X

Rys. 2.2. Proces generacji i rekombinacji pary elektron – dziura.

WV – wierzchołek pasma podstawowego, Wc – dno pasma przewodnictwa, Wpr – energia
wyjścia elektronu z półprzewodnika.

W półprzewodniku samoistnym mamy do czynienia z generacją par

elektron-dziura, w związku z czym koncentracja elektronów i dziur jest taka
sama i nosi nazwę koncentracji samoistnej. Zależność koncentracji samoistnej
od temperatury przedstawiona jest na rysunku 2.3. Na tej charakterystyce
zaznaczono również szerokość przerwy zabronionej danego półprzewodnika.
600 °C

400 °C

300 °C

200 °C

100 °C

25 °C
1000 °C

50 °C

1025

1023

1021

1019
ni
1017

1015

1013
0,5 1 1,5 2 2,5 1/K 3,5
1000/T

Rys. 2.3. Zależność koncentracji samoistnej półprzewodnika od temperatury.

17
2.3. PÓŁPRZEWODNIK TYPU n I TYPU p
(półprzewodniki niesamoistne)

Półprzewodnik niesamoistny jest wówczas, gdy w sieci krystalicznej

monokryształu zamiast atomów pierwiastka materiału półprzewodnikowego
znajduje się inny atom (np. w sieci krystalicznej krzemu znajduje się fosfor).
Powstaje wówczas tzw. półprzewodnik domieszkowany, a ten inny atom
nazywamy domieszką. Rozróżniamy dwa rodzaje domieszek: donorową i
akceptorową.

Jeśli na skutek nieregularności sieci krystalicznej w półprzewodniku

będą przeważać nośniki typu dziurowego, to półprzewodnik taki nazywać
będziemy półprzewodnikiem typu p (niedomiarowy). A gdy będą przeważać
nośniki elektronowe, będziemy nazywać je półprzewodnikami typu n
(nadmiarowy).

Półprzewodnik typu n uzyskuje się przez dodanie – w procesie

wzrostu kryształu krzemu – domieszki pierwiastka pięciowartościowego (np.
antymon, fosfor). Niektóre atomy krzemu zostaną zastąpione w sieci
krystalicznej atomami domieszki, zwanymi donorami (rys. 2.4).

Si Si Si
+4 +4 +4

Elektron
nadmiarowy
Si Si
P
+4 +4
+5

Si Si Si
+4 +4 +4

Rys. 2.4. Model sieci krystalicznej z domieszką atomów fosforu.

Każdy atom domieszki ma pięć elektronów walencyjnych, z których cztery są

związane z sąsiednimi atomami krzemu. A piąty elektron jest wolny i może
być łatwo oderwany od atomu domieszki – jonizując dodatnio. Elektron
wówczas przechodzi do pasma przewodnictwa półprzewodnika. Atomy
domieszki w modelu pasmowym półprzewodnika znajdują się na tzw.

18
poziomie donorowym, który występuje w pobliżu dna pasma przewodnictwa
półprzewodnika (rys. 2.5).
W Pasmo przewodnictwa
(nadmiar elektronów)

Poziom donorowy
Elektrony

Pasmo podstawowe

Rys. 2.5. Model pasmowy półprzewodnika krzemowego z domieszkami donorowymi.

W temperaturze pokojowej prawie wszystkie atomy domieszkowe zostały

zjonizowane. Oznacza to, że na poziomach donorowych nie ma już
elektronów, gdyż wszystkie przeszły do pasma przewodnictwa. Liczba
elektronów w paśmie przewodnictwa jest znacznie większa niż dziur w
paśmie podstawowym. Dlatego też te pierwsze noszą nazwę nośników
większościowych, a te drugie nośników mniejszościowych.

Półprzewodnik typu p uzyskuje się przez zastąpienie niektórych

atomów krzemu atomami pierwiastków trójwartościowych (np. glinu, galu).
Na rysunku 2.6 przedstawiono model sieci krystalicznej krzemu z domieszką
atomów indu.

Si Si Si
+4 +4 +4

Dziura
Si In Si
+4 +3 +4

Si Si Si
+4 +4 +4

Rys. 2.6. Model sieci krystalicznej krzemu z domieszką atomów indu.

19
Atom tej domieszki ma trzy elektrony walencyjne, związane z sąsiednimi
atomami krzemu. Do wypełnienia czwartego wiązania sąsiadującego krzemu,
brakuje w sieci krystalicznej jednego elektronu i zostaje on uzupełniony przez
pobranie elektronu z jednego z sąsiednich wiązań, w którym powstaje dziura.
Atom pierwiastka trójwartościowego, zwanego akceptorem, po uzupełnieniu
elektronu w „nieprawidłowym” wiązaniu (na skutek niedostatku ładunków
dodatnich w jądrze) staje się jonem ujemnym, wywołując lokalną polaryzację
kryształu.
Elektron ten przechodzi z pasma podstawowego półprzewodnika na poziom
akceptorowy, jonizując tym samym ujemnie atom domieszki. Poziom
akceptorowy znajduje się w pobliżu wierzchołka pasma podstawowego
półprzewodnika (rys.2.7).
W
Pasmo przewodnictwa

Dziury
Poziom akceptorowy

Pasmo podstawowe
(nadmiar dziur)

Rys. 2.7. Model pasmowy półprzewodnika krzemowego z domieszkami akceptorowymi.

W temperaturze pokojowej wszystkie poziomy akceptorowe są zapełnione

elektronami, które przeszły z pasma podstawowego. Na skutek tego liczba
dziur w paśmie podstawowym jest wielokrotnie większa niż elektronów w
paśmie przewodnictwa. W półprzewodniku typu p dziury w paśmie
podstawowym są nośnikami większościowymi, a elektrony w paśmie
przewodnictwa – nośnikami mniejszościowymi.
W każdym półprzewodniku (niezależnie od koncentracji domieszek) w
stanie równowagi termicznej jest spełniony warunek neutralności, tzn. w
każdym punkcie półprzewodnika wypadkowy ładunek elektryczny jest równy
zeru. Wszelkie zaburzenia warunku neutralności powodują powstanie pola
elektrycznego, które przywraca stan równowagi elektrycznej.
Ustalenie się koncentracji nośników na odpowiednim poziomie zachodzi w
wyniku rekombinacji, który równoważy też generację termiczną nośników.

20
Rozdział III. PÓŁPRZEWODNIKOWE ELEMENTY BIERNE

3.1. TERMISTOR

Termistor jest elementem półprzewodnikowym, którego rezystancja

zależy od temperatury.
Zmiana wartości rezystancji może nastąpić na skutek wzrostu temperatury
otoczenia termistora lub (i) wydzielonego w nim ciepła.
Termistor charakteryzuje się dużym współczynnikiem temperaturowym
rezystancji αT. Współczynnik ten określa względną zmianę rezystancji
termistora przy zmianie temperatury o ∆T, gdy ∆T 0

1 ∆R
αT = ;
RT ∆T

Zależnie od wartości i znaku współczynnika αT dzieli się na trzy grupy:

1. NTC – o ujemnym współczynniku temperaturowym rezystancji;
2. PTC – o dodatnim współczynniku temperaturowym rezystancji;
3. CTR – o skokowej zmianie rezystancji.

3
2
V

2
1

U
1

0 20 40 60 mA 80
I

Rys.3.1. Charakterystyka napięciowo – prądowa termistora.

1 – Termistor NTC, 2 – Termistor PTC, 3 – Termistor CTR.

21
Parametry termistora:

• rezystancja nominalna;
• temperaturowy współczynnik rezystancji:

Wg
αT = − .
2kT 2

Termistory są elementami wykonywanymi ze spieków sproszkowanych

tlenków metali. Stosuje się je:

• do pomiaru temperatury metodą oporową;

• do pomiaru mocy w zakresie mikrofal;
• do pomiaru ciśnienia;
• do pomiaru gazu i poziomu cieczy;
• w układach sygnalizacji, regulacji i stabilizacji temperatury;
• do kompensacji temperaturowej układów elektronicznych.

3.2. WARYSTORY

Warystory są to rezystory wykonane z półprzewodnika, których

rezystancja zależy od napięcia doprowadzonego do ich zacisków.
Warystory mają nieliniową charakterystykę napięciowo – prądową, którą
określa wzór:

U = DI β ,

w którym:
U – napięcie doprowadzone do warystora,
I – prąd płynący przez warystor,
D – rezystancja, której wartość jest równa spadkowi napięcia na
warystorze w wyniku przepływu prądu stałego o wartości 1A,
β – współczynnik nieliniowości.

Parametry charakteryzujące warystory:

• Współczynnik nieliniowości, wyznaczony na podstawie pomiaru

spadków napięć (U1, U2) wywołanymi różnymi prądami (I1, I2),

lgU1 − lgU 2 lgU1 / U 2

β= = ;
lg I1 − lg I 2 lg I1 / I 2

22
 I1 U1
jeśli: = 10 , to β = lg ;
I2 U

wartość β zależy od materiału i technologii wykonania warystora;

• napięcie charakterystyczne – spadek napięcia na warystorze,

określany dla stałej wartości prądu płynącego przez niego;
• moc znamionowa.

100
V

50

- 20 - 10 10 mA 20 I

- 50

- 100

Rys. 3.2. Charakterystyka napięciowo – prądowa warystora.

Warystory wykonuje się z masy złożonej z proszku węglika krzemu

(karborundu) i ceramicznego spoiwa jako spiek.

Produkuje się dwa podstawowe typy warystorów:

• walcowe (typu WN) o napięciu charakterystycznym 470 – 1300V,

• dyskowe (typu WD) o napięciu charakterystycznym 8 – 330V.

Warystory stosuje się do zabezpieczania obwodów elektrycznych przed

przepięciami, do stabilizacji napięcia, ochrony styków, w układach
przetworników częstotliwości itp.

23
Rozdział IV. Złącze p-n

Działanie większości elementów półprzewodnikowych opiera się na

współdziałaniu złącza p-n i obszaru przelotowego (transportu), stanowiącego
na ogół obszar półprzewodnika jednego rodzaju. Złącza umożliwiają
wprowadzenie, odprowadzenie i sterowanie strumienia nośników ładunku.
Złącza mogą być następujące: metal – metal, półprzewodnik –
półprzewodnik, dielektryk – dielektryk, metal – półprzewodnik oraz
dielektryk – półprzewodnik. Najczęściej wykorzystywane są złącza metal –
półprzewodnik i półprzewodnik – półprzewodnik.

4.1. WARSTWA ZAPOROWA W ZŁĄCZU p-n. MODEL PASMOWY

ZŁĄCZA.

Połączenie dwóch kryształów (monokryształów) ciała stałego

(półprzewodnik, metal) w ten sposób, że tworzą one ścisły kontakt nazywamy
złączem.
Złącze p-n stanowi warstwę przejściową między obszarem
półprzewodnika typu p i półprzewodnika typu n. Domieszka akceptorowa w
obszarze typu p sprawia, że koncentracja dziur w tym obszarze jest większa
niż elektronów – przewodnictwo dziurowe. Natomiast domieszka donorowa
w obszarze typu n prowadzi do przewagi elektronów w tym obszarze –
przewodnictwo elektronowe. Dziury w obszarze p i elektrony w obszarze n
stanowią nośniki większościowe. Przed zetknięciem każdy z obszarów jest
elektrycznie obojętny, ponieważ ładunek dziur i elektronów zostaje
skompensowany ładunkiem jonów domieszki umieszczonych w węzłach
siatki krystalicznej.
W momencie zetknięcia się półprzewodnika typu p i typu n, następuje
wzajemny przepływ nośników. Różnica koncentracji nośników ładunku
powoduje ich przemieszczanie – dyfuzję. Elektrony z obszaru
przyzłączowego n dyfundują do obszaru p; podobnie postępują dziury z
obszaru przyzłączowego p przechodzą do obszaru n. W wyniku procesu
dyfuzji płyną prądy dyfuzyjne. Nośniki przedostające się do przeciwnych
obszarów stają się nadmiarowymi nośnikami mniejszościowymi w tych
obszarach. Nośniki te rekombinują z nośnikami większościowymi, które nie
przeszły na drugą stronę złącza. W wyniku tego w obszarze n powstaje
nadmiar ładunku jonów dodatnich, a w obszarze p nadmiar ładunku jonów
ujemnych. Są to ładunki jonów ulokowanych (nieruchomych) w węzłach
siatki krystalicznej. W obszarach przyzłączowych powstaje więc podwójna
warstwa nieskompensowanych ładunków. Nazywa się ona warstwą
zaporową, obszarem ładunku przestrzennego lub obszarem zubożonym,
gdzie nie praktycznie nośników większościowych.

24
Po utworzeniu takiej warstwy przepływ nośników większościowych zostaje
zahamowany, gdyż ładunek przestrzenny dodatni po stronie n będzie
hamował dalszy dopływ nośników (dziur) dodatnich z obszaru p do n oraz
ładunek ujemny po stronie p będzie hamował dalszy dopływ nośników
(elektronów) ujemnych z obszaru n do p. tworzy się pole elektryczne
reprezentowane przez barierę potencjału. Wysokość bariery, a więc różnica
potencjałów, nazywana napięciem dyfuzyjnym.

kT N a N d
UD = ln 2 ; (4.1)
q ni
gdzie: q – ładunek elektronu; k- stała Boltzmanna; T- temperatura bezwzględna;
Na, Nd – koncentracja akceptorów i donorów; ni – koncentracja samoistna
półprzewodnika.

Gęstość ładunku nieskompensowanego po obu stronach bariery potencjału

jest równa odpowiednim koncentracjom domieszek akceptorów i donorów
(Na, Nd) w temperaturze pokojowej.
Pole elektryczne wytworzone przez ładunek przestrzenny sprzyja
przepływowi nośników mniejszościowych. Nośniki mniejszościowe
(elektrony w obszarze p, dziury w obszarze n) powstają w wyniku generacji
termicznej. Niektóre z nich dyfundują ku krawędziom warstwy zaporowej i
„przechodzą” na drugą stronę. Oprócz prądów dyfuzyjnych nośników
większościowych przez złącze płyną prądy unoszenia Ipu i Inu nośników
mniejszościowych. Kierunki tych prądów są przeciwne do kierunków prądów
dyfuzyjnych.

a) b)
p n p n
W WC WC W
WF
UD
Wi Wi
WC
WF WF
WV WV
Wi

WV
ld

Rys. 4.1. Model pasmowy złącza.

a) przed utworzeniem, b) po utworzeniu.
n, p – typ półprzewodnika, WV – wierzchołek pasma podstawowego, WC – dno pasma
przewodnictwa, WF – poziom Fermiego, Wi – poziom samoistny, ld – szerokość warstwy
zaporowej, UD – napięcie dyfuzyjne.

25
 W modelu pasmowym złącza powstaniu ładunku przestrzennego
odpowiada przesuniecie położenia pasm energetycznych (rys. 4.1). Różnica
poziomów jest proporcjonalna do napięcia dyfuzyjnego. Należy zwrócić
uwagę na występowanie pewnego jednakowego i wspólnego poziomu dla obu
części półprzewodnika. Jest to tzw. poziom Fermiego. Dla półprzewodnika
typu n poziom ten leży w górnej połowie pasma zabronionego, dla
półprzewodnika typu p – w dolnej połowie pasma zabronionego. Poziom
Fermiego przesuwa się w kierunku pasma przewodnictwa (dla typu n) lub
podstawowego (dla typu p) przy wzroście koncentracji domieszek.
W półprzewodniku samoistnym poziom ten umieszczany jest w modelu w
pobliżu środka pasma zabronionego.
Stan równowagi złącza występuje gdy liczba unoszonych nośników
mniejszościowych jest równa liczbie dyfundujących nośników
większościowych.

I pd + I pu = 0 i I nd + I nu = 0 . (4.2)

Szerokość warstwy zaporowej d zależy od wartości napięcia

dyfuzyjnego i koncentracji domieszek w obu obszarach półprzewodnika (Na,
Nd), jak również od tego, czy złącze jest liniowe, czy też skokowe.

2ε N a + N d
d= UD ; (4.3)
q Na Nd
gdzie:
ε = εr ε0 – przenikalność elektryczna półprzewodnika.
Najczęściej szerokość warstwy zaporowej wynosi d = 0,1 ÷ 0,5 µm.

Jeżeli koncentracja domieszek jednego z obszarów jest mniejsza niż

drugiego, to głębiej w obszar ten „wnikną” nośniki ładunku z obszaru
drugiego i szerokość d2 > d1.

4.2. POLARYZACJA ZŁĄCZA p-n W KIERUNKU PRZEWODZENIA.

Polaryzacja to stan, jaki występuje w złączu pod wpływem przyłożenia

z zewnątrz różnych potencjałów do obydwu obszarów półprzewodnika.
Jeżeli do półprzewodnika typu p przyłożymy potencjał dodatni, a do
półprzewodnika typu n – potencjał ujemny (rys.4.2a), wówczas mówimy, że
złącze jest spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Zmniejsza się bariera
potencjału (rys. 4.2b) do wartości:

U F = UD −U ; (4.4)

przy czym: U – napięcie zewnętrzne, UD – napięcie dyfuzyjne.

26
 Rys. 4.2. Złącze p-n spolaryzowane w kierunku przewodzenia.
a) polaryzacja złącza, b) model pasmowy, c) gęstość nośników, d) prądy dyfuzyjne.

Maleje szerokość warstwy zaporowej (we wzorze 4.3 należy zamiast UD

podstawić UD – U), maleją ładunek i natężenie pola elektrycznego.
Zmniejszenie bariery potencjału powoduje wzrost prądu dyfuzyjnego, tj.
wzrost liczby dziur przechodzących z obszaru p do obszaru n i elektronów
przechodzących z obszaru n do obszaru p. Te dodatkowe nośniki są nazywane
wstrzykniętymi nadmiarowymi nośnikami mniejszościowymi ∆p i ∆n.
W chwili wprowadzenia przyciągają one nośniki o przeciwnym znaku –
większościowe w danym obszarze. Koncentracja nośników nadmiarowych ∆p
i ∆n zmniejsza się zatem wykładniczo w miarę oddalania się od warstwy
zaporowej w wyniku rekombinacji z nośnikami większościowymi (rys. 4.2c).
Wskutek niejednakowej koncentracji, wstrzyknięte nośniki mniejszościowe

27
dyfundują do obszarów o mniejszej koncentracji, a więc w kierunku
doprowadzeń. Jednocześnie od strony doprowadzeń napływają nowe nośniki
większościowe, wprowadzone przy polaryzacji złącza, zapewniające
neutralizację ładunku wprowadzonego do poszczególnych obszarów. Prądy
unoszenia Ipu i Inu praktycznie zostają niezmienne. W wyniku zwiększania
składowej dyfuzyjnej prądu, w obwodzie zewnętrznym płynie prąd

  qU    U  
I = I sat exp  − 1 = I sat exp  − 1 ; (4.5)
  kT     U T  

Isat – prąd nasycenia złącza, zależy od stałych fizycznych materiałowych oraz

konstrukcyjnych złącza.

Symbol UT – oznacza potencjał termodynamiczny

kT
UT = ; (4.6)
q

wynoszący ok. 26 mV przy T = 300K.

4.3. POLARYZACJA ZŁĄCZA p-n W KIERUNKU ZAPOROWYM.

Złącze jest spolaryzowane w kierunku zaporowym wtedy, gdy do

półprzewodnika typu n przyłożymy potencjał wyższy (plus), a do
półprzewodnika typu p – niższy (minus) (rys. 4.3a).
Napięcie zewnętrzne ma kierunek zgodny z kierunkiem napięcia UD.
Następuje dalszy odpływ swobodnych nośników z obszaru otaczającego
warstwę zaporową. Zwiększa się szerokość i wzrasta bariera potencjału (rys.
4.3b).

UR = UD +U ; (4.7)

Zwiększenie bariery potencjału powoduje zmniejszenie dyfuzji nośników,

czyli zmniejszenie koncentracji nośników wprowadzanych na drugą stronę
złącza (rys. 4.3c). Bariera ta nie stanowi „przeszkody” dla przepływu prądu
unoszenia – prądu wstecznego. Jest on jednak niewielki 10 –6 ÷ 10 -12 A i
bardzo nieznacznie zależy od wartości przyłożonego napięcia, zależy
natomiast od temperatury złącza i technologii jego wytwarzania. Zależność
prądu I od napięcia zewnętrznego U przy polaryzacji w kierunku zaporowym
jest analogiczna z wzorem (4.5), z tym że przy polaryzacji w kierunku
przewodzenia napięcie U jest dodatnie, a przy polaryzacji w kierunku
zaporowym jest ujemne. Charakterystyka prądowo – napięciowa pokazana
została na rysunku 4.4.

28
 Rys. 4.3. Złącze p-n spolaryzowane w kierunku zaporowym.
a) polaryzacja złącza, b) model pasmowy, c) gęstość nośników.

Rys. 4.4. Charakterystyka prądowo – napięciowa złącza p-n

29
4.4. ZJAWISKO TUNELOWE.

Zjawisko tunelowe występuje w złączach bardzo silnie

domieszkowanych, przy polaryzacji złącza w kierunku przewodzenia (rys.
4.5).

Rys. 4.5. Zjawisko tunelowe.

W modelu pasmowym, dno podstawowego półprzewodnika typu p jest

powyżej wierzchołka pasma przewodnictwa półprzewodnika typu n.
Takie ustawienie pozwala na przejście tunelowe nośników z jednego
półprzewodnika (p) do drugiego (n), natomiast utrudnione jest w przeciwną
stronę, nawet przy bardzo małym napięciu polaryzacji.
Na początku wzrost napięcia polaryzującego złącze w kierunku przewodzenia
powoduje wzrost prądu w złączu (odc.2). Zwiększając dalej napięcie
przewodzenia, prąd tunelowy maleje do zera, ponieważ podnosi się poziom
Wc w półprzewodniku typu n – maleje napięcie na warstwie zaporowej.
Pod wpływem zjawiska tunelowego coraz mniej nośników może przepływać
z obszaru p do n. W związku z czym powstaje na charakterystyce prądowo –
napięciowej odcinek o ujemnej rezystancji dynamicznej (rys. 4.6, odc.3).

30
Rys. 4.6. Charakterystyka prądowo – napięciowa złącz p-n ze zjawiskiem tunelowym.
1 – Charakterystyka prądowo – napięciowa złącza p-n. 2 – Prąd tunelowy.
3 – odcinek charakterystyki o ujemnej rezystancji.

31
Rozdział V. DIODY PÓŁPRZEWODNIKOWE

Dioda półprzewodnikowa to element wykonany z półprzewodnika,

zawierającego jedno złącze – najczęściej p-n z dwiema końcówkami
wyprowadzeń.
Złączem nazywa się atomowo ścisły styk dwóch kryształów ciała
stałego. Odległość między stykającymi się obszarami jest porównywalna z
odległościami między atomami w kryształach.
Diody są stosowane w układach analogowych i cyfrowych. W układach
analogowych wykorzystywana jest zależność rezystancji dynamicznej od
napięcia lub prądu wejściowego, lub też zmiany pojemności w funkcji
napięcia. W układach cyfrowych istotne są właściwości przełączające diody.
Diody półprzewodnikowe stosuje się w układach prostowania prądu
zmiennego, w układach modulacji i detekcji, przełączania, generacji i
wzmacniania sygnałów elektrycznych.

Diody klasyfikujemy ze względu na:

• materiał
- krzemowe
- germanowe
• konstrukcję
- ostrzowe i warstwowe
- stopowe i dyfuzyjne
- mesa
- planarne i epiplanarne
• strukturę fizyczną złącza
- p-n
- MS
- Heterozłącza
• zastosowanie
- prostownicze
- uniwersalne
- impulsowe
- stabilitrony – Zenera
- pojemnościowe – warikapy i waraktory
- tunelowe
- mikrofalowe: detekcyjne i mieszające
• przebiegające zjawiska
- Zenera
- Gunna
- lawinowe
- tunelowe

32
 DIODY
PÓŁPRZEWODNIKOWE

GERMANOWE KRZEMOWE

MAŁEJ PROSTOWNICZE MAŁEJ PROSTOWNICZE

MOCY ŚREDNIEJ I MOCY ŚREDNIEJ I
DUŻEJ MOCY DUŻEJ MOCY

DETEKCYJNE FOTODIODY MAŁEJ DUŻEJ CZĘSTOTLIWOŚCI

CZĘSTOTLIWOŚCI

LUMINENSCENCYJNE IMPULSOWE WARIKAPY I

WARAKTORY

ZENERA FOTODIODY

Rys. 5.1. Podział diod ze względu na zastosowanie.

Rys. 5.2. Charakterystyki prądowo – napięciowe diod.

1.Prostownicza (krzemowa). 2. Zenera (stabilitron). 3. Zwrotna (detekcyjna, mieszająca).
4. Tunelowa. Linią grubą zaznaczono typowy obszar pracy każdej diody.

33
5.1. DIODY PROSTOWNICZE

Diody prostownicze są przeznaczone do prostowania napięcia bądź

prądu przemiennego o małej częstotliwości. Prostowanie jest to przetwarzanie
prądu przemiennego na prąd jednokierunkowy.
Diody zaczynają przewodzić dopiero po przekroczeniu pewnej wartości
napięcia w kierunku przewodzenia. Dla diod krzemowych wynosi ona ok.
0,7V, a dla germanowych ok. 0,3 V. Diody prostownicze są stosowane w
układach prostowniczych urządzeń zasilających, przekształcających prąd
zmienny w jednokierunkowy prąd pulsujący. W układzie prostowniczym
dioda spełnia funkcję zaworu jednokierunkowego. Wykorzystuje się tutaj
właściwość polegająca na różnicy zdolności przewodzenia prądu w kierunku
wstecznym i w kierunku przewodzenia. Przez diodę prostowniczą na ogół
płyną duże prądy w kierunku przewodzenia, dlatego też stosujemy diodę
warstwową wykonaną z krzemu.
Diody prostownicze mają małą rezystancję w kierunku przewodzenia – rzędu
pojedynczych Ω, co pozwala na uzyskanie dużych sprawności prostowania.
Mamy diody prostownicze takie jak:

• diody wysokiego napięcia,

• diody typowe,
• diody mocy,
• diody szybkiej mocy,
• stos diodowy,

Parametry charakteryzujące diody prostownicze

• napięcie przewodzenia – UF, przy określonym prądzie

przewodzenia,
• prąd wsteczny – IR, przy określonym napięciu w kierunku
zaporowym,
• czas ustalania się prądu wstecznego – t,
• pojemność – C, przy określonym napięciu przewodzenia.

Dopuszczalne (graniczne) parametry:

• maksymalny prąd przewodzenia – I0;

• szczytowe napięcie wsteczne – URWM;
• parametr przeciążeniowy – I2t, podawany dla diod mocy.

34
Diody prostownicze wykonuje się głównie z krzemu. Wartość prądu
płynącego przez diodę spolaryzowaną w kierunku przewodzenia jest 106 – 108
razy większa od wartości prądu w kierunku zaporowym.

Diody prostownicze ze względu na wydzielaną w nich moc dzielimy na:

• małej mocy – (>1 W),

• średniej mocy – (1 – 10W),
• dużej mocy – (<10 W),

a) b)
(+) IF

I0

URWM 0
(-)
UR IR(URWM) UF(I0) UF

IR

c)
I

0 U

Rys. 5.3. Dioda prostownicza.

a) symbol diody prostowniczej, b) charakterystyka prądowo – napięciowa diody
prostowniczej – rzeczywista, c) charakterystyka prądowo – napięciowa diody
prostowniczej – aproksymująca.
Gdzie: URWM – maksymalne napięcie wsteczne, UF – napięcie przewodzenia, I0 –
maksymalny prąd przewodzenia.

35
 Diody, przez które płynie prąd o wartości większej niż 10 A mają
radiator, który odprowadza wydzielane ciepło do otoczenia. Gdy
zastosowanie radiatora jest niewystarczające wtedy należy diodę chłodzić
wymuszonym opływem powietrza, a nawet specjalną cieczą. Jeżeli chcemy
uzyskać większy prąd przewodzenia przy tym samym napięciu, to możemy
połączyć diody równolegle. Jeśli chcemy mieć dodatkowo jednakowe prądy
płynące przez poszczególne diody, to do każdej z nich dołączamy szeregowo
rezystor o niewielkiej wartości. Jeśli chcemy zwiększyć napięcie wsteczne
przy tym samym prądzie, to w miejsce jednej diody wstawiamy kilka diod
połączonych szeregowo.

5.2. DIODY STABILIZACYJNE (STABILITRONY) – DIODY

ZENERA

Diody Zenera to diody przeznaczone do stabilizacji lub ograniczenia

napięcia. Diody stabilizacyjne pracują przy polaryzacji w kierunku
zaporowym, charakteryzując niewielkimi zmianami napięcia pod wpływem
dużych zmian prądu. Diody te stosuje się w układach stabilizacji napięć, w
ogranicznikach amplitudy, w układach źródeł napięcia odniesienia itp.

Parametry charakteryzujące diody stabilizacyjne

• napięcie stabilizacji - UZ,

• prąd stabilizacji – IZ,
• napięcie przewodzenia – UF, przy określonym prądzie
przewodzenia,
• prąd wsteczny diody – IR, przy określonym napięciu wstecznym,
• rezystancja dynamiczna – rZ, której wartość zmienia się w
zależności od napięcia stabilizacji:

∆U Z
rZ = ;
∆I Z

Rezystancja dynamiczna zależy od wartości napięcia stabilizacji i

prądu stabilizacji. Wynosi ona od kilku do kilkudziesięciu omów.
Minimalną rezystancję dynamiczną mają diody o napięciu
stabilizacji UZ = 6 ÷ 8 V.
• temperaturowy współczynnik napięcia stabilizacji – αUz,

1 ∆U Z
αUZ = I Z = const ;
U Z ∆T

36
 Zależy od napięcia stabilizacji. Ma wartość ujemną dla diod z
przebiciem Zenera (UZ < 5 V), a dodatnią dla diod z przebiciem
lawinowym (UZ > 7 V).

a) b) c)
(+) R

rZ
Uwe DZ Uwy

UZ
(-)

d)

Rys. 5.4. Dioda stabilizacyjna:

a) symbol diody stabilizacyjnej, b) Schemat zastępczy.
c) Schemat stabilizatora napięcia z diodą stabilizacyjną.
d) Charakterystyka prądowo – napięciowa diody stabilizacyjnej.
Przy czym UZ – napięcie stabilizacji, UF – napięcie przewodzenia, IR – prąd wsteczny,
rZ – rezystancja dynamiczna.

5.3. DIODY POJEMNOŚCIOWE

Diody pojemnościowe (warikapy i waraktory) pracują przy polaryzacji

zaporowej, charakteryzując się zmienną pojemnością w funkcji przyłożonego
napięcia. Stosowane w układach powielania częstotliwości, modulacji
częstotliwości, we wzmacniaczach parametrycznych i w układach strojenia
obwodów rezonansowych wysokiej częstotliwości za pomocą napięcia.
Warikapy stosuje się do przestrajania obwodów rezonansowych.
Waraktory natomiast stosuje się w układach parametrycznych, we
wzmacniaczach lub powielaczach częstotliwości oraz układach
mikrofalowych. Ze względu na małe wymiary, dużą wytrzymałość na udary i

37
małą zależność od zmian temperatury, mogą one w wielu przypadkach
zastąpić kondensatory zmienne lub ceramiczne.

a) b)
Cj
(+)

Cmax
(-)

Cmin

URWM UR 0 U

Rys. 5.5. Dioda pojemnościowa.

a) symbol diody pojemnościowej, b) charakterystyka pojemnościowo – napięciowa diody
pojemnościowej.
Gdzie : URWM – maksymalne napięcie wsteczne, Cmax – pojemność określona przy
minimalnym napięciu, Cmin – pojemność określona przy maksymalnym napięciu.

Parametry charakteryzujące diody pojemnościowe.

• prąd wsteczny – IR, przy określonym napięciu zaporowym;

• pojemność złącza – Cj, przy określonym napięciu wstecznym;
• stosunek pojemności minimalnej – Cmin do maksymalnej – Cmax;
• rezystancja szeregowa – rs, przy określonym napięciu wstecznym,
lub dobroć – Qc (podaje się dla warikapów);
• maksymalna częstotliwość – fc (podaje się dla waraktorów);

Graniczne parametry diod:

• maksymalne napięcie wsteczne – URWM;

• maksymalny prąd przewodzenia – I0 (dla warikapów);
• maksymalna moc – Ptot (dla waraktorów).

38
5.4. DIODY PRZEŁĄCZAJĄCE

Do diod przełączających (impulsowych) zliczamy diody: tunelowe,

ładunkowe, ostrzowe, Schottky’ego.
Diody impulsowe wykorzystuje się w układach cyfrowych do przełączania
sygnałów; w układach impulsowych diody pracują jako selektory impulsów.
Diody ładunkowe i ostrzowe umożliwiają formowanie impulsów
prostokątnych o bardzo krótkim czasie narastania i opadania.

Parametry charakteryzujące diody przełączające:

• pojemność diody – C,
• napięcie przewodzenia – UF,
• prąd wsteczny – IR,
• czas ustalania się prądu wstecznego – trr.

Parametrem granicznym diody przełączającej jest maksymalne napięcie

wsteczne – URWM.

Rys. 5.6. Charakterystyki prądowo – napięciowe.

1 – dioda zwrotna, 2 – dioda ostrzowa, 3 – dioda Schottky’ego.

39
5.5. DIODA TUNELOWA

Diody tunelowe są stosowane między innymi w przełącznikach, we

wzmacniaczach o małych szumach i w generatorach mikrofalowych, które
wykorzystują ujemną rezystancję diody, a także w wielu układach
impulsowych o dużej szybkości działania. Ujemna rezystancja występuje na
pewnym odcinku charakterystyki pokazanej na rysunku 5.7. Odcinek
charakterystyki I = f(U) w zakresie którego występuje rezystancja ujemna,
określony jest przez współrzędne dwóch punktów:

P = (Ip, Up) – punkt szczytu, V = (IV, UV) – punkt doliny.

Działanie diody tunelowej oparte jest na zjawisku tunelowym.

Zjawisko to zostało omówione w rozdziale IV „Złącze p-n ”.
Przy bardzo małych wartościach napięć w kierunku przewodzenia
(ok.50mV- ok.350mV) prąd zaczyna szybciej rosnąć niż w zwykłej diodzie.
Przy wzroście napięcia do punktu P (punktu szczytu), prąd zaczyna maleć aż
osiągnie punkt V (punkt doliny). W tym zakresie dioda wykazuje rezystancje
ujemną. Dalszy wzrost napięcia powoduje wzrost prądu. Charakterystyka
diody tunelowej pokrywa się z charakterystyką diody zwykłej. W zależności z
czego wykonana jest dioda, punkt szczytu i punkt doliny przesuwa się w
prawo.

a) b)
I
P
IP
(+)

V
IV

(-) UP UV UFP U

Rys. 5.7. Dioda tunelowa.

a) symbol diody tunelowej, b) charakterystyka prądowo – napięciowa diody tunelowej.
Gdzie: UP, UFP – napięcia w kierunku przewodzenia odpowiadające prądowi szczytu(IP),
V – punkt doliny i odpowiadający jej prąd (IV) i napięcie (UV).

40
Parametry charakteryzujące diodę tunelową:

• napięcie i prąd punktu doliny – UV, IV;

• napięcie i prąd punktu szczytu – UP, IP;
• stosunek prądu szczytu do prądu doliny (nie jest on zawsze
podawany);
• rezystancja dynamiczna – rz (minimalna lub średnia);
• pojemność warstwy zaporowej – Cr

Parametrem dopuszczalnym jest maksymalny prąd w kierunku przewodzenia

i w kierunku zaporowym.

41
Rozdział VI.TRANZYSTORY BIPOLARNE

Tranzystorem bipolarnym zwany też warstwowym, stanowi

kombinacją dwóch półprzewodnikowych złączy p-n, wytworzonych w jednej
płytce półprzewodnika. Procesy zachodzące w jednym złączu oddziałują na
drugie, a nośnikami ładunku elektrycznego są dziury i elektrony. Tranzystory
bipolarne wykonywane są najczęściej z krzemu, rzadziej z germanu. Ze
względu na kolejność ułożenia warstw półprzewodnika rozróżniamy:
• tranzystory p-n-p (rys.6.1a),
• tranzystory n-p-n (rys.6.1b).
Mogą one być z:
• jednorodną bazą (dyfuzyjny),
• niejednorodną bazą (dryfytowy).
Zasada działania tranzystora n-p-n i p-n-p jest jednakowa, różnice występują
tylko w polaryzacji zewnętrznych źródeł napięcia i kierunku przepływu
prądów.

Tranzystor bipolarny składa się z trzech obszarów o przeciwnym

typie przewodnictwa, co powoduje powstanie dwóch złączy: p-n i n-p. W
tranzystorze bipolarnym poszczególne obszary półprzewodnika mają swoją
nazwę: B – baza, E – emiter, C – kolektor. A złącza nazywa się
• złączem emiterowym (złącze emiter-baza);
• złączem kolektorowym (złącze baza-kolektor).
Struktura półprzewodnikowa tranzystora jest umieszczana w hermetycznie
zamkniętej obudowie metalowej, ceramicznej lub plastykowej.
Obudowa ta chroni przed uszkodzeniami mechanicznymi, jak również spełnia
inne funkcje, np. w tranzystorach średniej i dużej mocy umożliwia skuteczne
odprowadzenie ciepła.

a) E B C b) E B C

E p n p C E n p n C

B B
E C E C

B B
Rys. 6.1. Model struktury i symbole graficzne tranzystora bipolarnego.
a) p-n-p, b) n-p-n.

42
6.1. PODZIAŁ TRANZYSTORÓW BIPOLARNYCH.

Ze względu na wydzielaną moc, tranzystory dzielimy na:

• Małej mocy – do 0,3 W.

• Średniej mocy – do 5 W.
• Dużej mocy – powyżej 5 W, nawet do 300 W.

Ze względu na maksymalną częstotliwość generacji, tranzystory dzielimy na:

• Małej częstotliwości – do kilkudziesięciu MHz.

• Wielkiej częstotliwości – nawet do kilku GHz.

6.2. ZASADA DZIAŁANIA TRANZYSTORA.

Działanie tranzystora bipolarnego rozpatrzymy na przykładzie

polaryzacji normalnej tranzystora, tzn. gdy złącze emiter-baza jest
spolaryzowane w kierunku przewodzenia, a złącze baza-kolektor
spolaryzowane w kierunku zaporowym. Stan taki jest zapewniony, gdy
spełniona jest zależność między potencjałami na poszczególnych elektrodach:

- VE < VB < VC – dla tranzystora n-p-n;

- VE > VB > VC – dla tranzystora p-n-p.

Na rysunku 6.2 pokazano rozpływ prądów i spadki napięć między

poszczególnymi elektrodami.

n-p-n p-n-p

Rys. 6.2. Oznaczenie rozpływu prądu w tranzystorze i spadki napięcia na nim.

IB – prąd bazy, IC – prąd kolektora, IE – prąd emitera, UCE – napięcie kolektor-emiter, UBE
– napięcie baza-emiter, UCB – napięcie kolektor-baza, VE – potencjał emitera, VB –
potencjał emitera, VC – potencjał kolektora.

43
Zasada działania tranzystora n-p-n.

Rys. 6.3. Zasada działania tranzystora n-p-n.

IB – prąd bazy, IC – prąd kolektora, ICBO –zerowy prąd kolektora, IE – prąd emitera, E –
emiter, B – baza, C – kolektor.

W wyniku przyłożenia napięć do elektrod tranzystora, elektrony jako nośniki

większościowe przechodzą z emitera do bazy, gdzie stają się nośnikami
mniejszościowymi i część z nich rekombinuje z dziurami wprowadzanymi
przez kontakt bazy. Elektrony przechodzące przez złącze emiter-baza mają
określone prędkości i jeżeli obszar bazy jest wąski, to prawie wszystkie
przejdą do kolektora, gdzie staną się ponownie nośnikami większościowymi i
zostaną usunięte z obszaru kolektora do obwodu zewnętrznego.
Stosunek ilości nośników (elektronów) przechodzących do kolektora, do
ilości nośników (elektronów) wstrzykiwanych z emitera do bazy, nazywamy
współczynnikiem wzmocnienia prądowego i oznaczamy α.
Jeżeli złącze kolektor-baza jest spolaryzowane w kierunku zaporowym, tzn.
kolektor ma wyższy potencjał niż baza, to pole elektryczne występujące w
tym złączu powoduje unoszenie nośników z obszaru bazy do obszaru
kolektora. Wartość prądu płynącego przez kolektor może być regulowana
przez zmianę wysokości bariery złącza emiterowego, czyli przez zmianę
napięcia polaryzującego złącze emiter-baza. Przez złącze baza-kolektor płynie
prąd związany z polaryzacją, tzw. Prąd zerowy kolektora – ICBO. Płynie on
nawet wtedy gdy złącze baza-emiter nie jest spolaryzowane (IE = 0). Przez
tranzystor płynie również prąd zerowy ICBO, gdy IB = 0.

44
 I E = I B + IC ;

I C = α ⋅ I E + I CBO ; (6.1)

I B = (1 − α )I E − I CEO ;

α = β (β + 1) ; lub β = α 1−α ; (6.2)

I C = β ⋅ I B + I CEO . (6.3)

gdzie: α - współczynnik wzmocnienia prądowego (0,952 ÷ 0,998), β - współczynnik

wzmocnienia prądowego, który jest stosunkiem ilości nośników wstrzykiwanych do
kolektora do ilości nośników w bazie (β = 20 ÷ 850).

Tabela 6.1

Związki między prądami tranzystora

IB IC IE

IB 1 β 1+β

1 1+β
IC 1
β β
1 β
IE 1
1+β 1+β

1) I E = I C + I B ; 2) I C = I E − I B ; 3) I B = I E − I C ;

IC IC
α= ; β= ;
IE IB

IC
1. I E = IC + I B ; β= ; IC = β ⋅ I B ;
IB

IE = β ⋅ IB + IB ;

I E = I B (β + 1) ;

45
 IC IC
2. IC = I E − I B ; β= ; IB = ;
IB β

I C (β + 1) = I E β ;
IC
IC = I E − ;
β

I C (β + 1) = I E β ;
β
IC = I E ;
β +1

3. I B = I E − IC ; IB = IE − β ⋅ IB ; I B (1 + β ) = I E ;

IE
IB = ;
1+ β

IC
4. I E = IC + I B ; I E = IC + ;
β

I C (β + 1)
IE = .
β

6.3. UKŁADY PRACY TRANZYSTORA.

Zależnie od doprowadzenia i wyprowadzenia sygnału rozróżniamy trzy

sposoby włączenia tranzystora do układu:
• układ ze wspólnym emiterem OE (WE) ,
• układ ze wspólną bazą OB (WB),
• układ za wspólnym kolektorem OC (WC).

a) b) c)
WE WB WC

C E C C

B B

E B E

Rys. 6.4. Układy pracy tranzystora.

a) ze wspólnym emiterem (OE), b) ze wspólną bazą (OB.),
c) ze wspólnym kolektorem (OC).

46
Wybór układu pracy tranzystora jest zależny od przeznaczenia i rodzaju
zastosowanego tranzystora.

Tranzystor pracujący w układzie OE charakteryzuje się:

• dużym wzmocnieniem prądowym ( β = I C I B ),

• dużym wzmocnieniem napięciowym,
• dużym wzmocnieniem mocy.

Napięcie wyjściowe w układzie OE jest odwrócone w fazie o 180° w

stosunku do napięcia wejściowego. Rezystancja wejściowa jest rzędu kilkuset
Ω a wyjściowa wynosi kilkadziesiąt kΩ.

Tranzystor pracujący w układzie OB charakteryzuje się:

• małą rezystancją wejściową,

• bardzo dużą rezystancją wyjściową,
• wzmocnienie prądowe blisko jedności ( α = I C I E ).

Tranzystor w tym układzie pracuje przy bardzo dużych częstotliwościach

granicznych.

Tranzystor pracujący w układzie OC charakteryzuje się:

• dużą rezystancją wejściową – co ma istotne znaczenie we

wzmacniaczach małej częstotliwości,
• wzmocnieniem napięciowym równym jedności,
• dużym wzmocnieniem prądowym ( β + 1 = I E I B ).

6.4. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA

Właściwości tranzystora opisują rodziny charakterystyk statycznych i

parametry dynamiczne. Charakterystyki statyczne przedstawiają zależności
między prądami: emiter, kolektora, bazy i napięciami: baza-emiter, kolektor-
emiter, kolektor-baza.

Rozróżniamy cztery rodziny charakterystyk statycznych:

- wejściowa (U1 = f (I1), przy U2 = const),

- przejściowa (I2 = f (I1), przy U2 = const),
- wyjściowa (I2 = f (U2), przy I1 = const),
- zwrotna (U1 = f (U2), przy I1 = const).

47
Znając dwie charakterystyki (wejściową i wyjściową) możemy wyznaczyć
dwie pozostałe. Postać charakterystyki wejściowej i wyjściowej jest taka
sama, jak charakterystyki złącza półprzewodnikowego spolaryzowanego w
kierunku przewodzenia i w kierunku zaporowym.

6.4.1. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA

PRACUJĄCEGO W UKŁADZIE OB.

Na rysunku 6.5 przedstawiono rodzinę charakterystyk statycznych

tranzystora w układzie OB, w którym I1 = IE, U1 = UEB, I2 = IC, U2 = UCB.
Charakterystyki wejściowe w rzeczywistości nie przecinają się w jednym
punkcie, spowodowane jest to spadkiem napięcia jakie istnieje na rezystancji
rozproszonej bazy rbb. Występujące przesunięcie charakterystyk względem
siebie jest związane ze zjawiskiem Early’ego – modulacja szerokości bazy.
Jest to tzw. oddziaływanie wsteczne w tranzystorze, które silniej występuje w
tranzystorach z jednorodną bazą. Natomiast przesunięcie charakterystyk
wyjściowych jest związane ze sterowaniem prądu kolektora przez prąd
emitera.

Rys. 6.5. Charakterystyki statyczne tranzystora p-n-p w układzie OB.

Charakterystyka wyjściowa osiąga nasycenie, nie jest płaska lecz nieznacznie
wzrasta, co jest spowodowane modulacją efektywnej szerokości bazy.

48
Charakterystyki przejściowe, to linie nachylone pod kątem α - współczynnik
wzmocnienia prądowego. Charakterystyki zwrotne powinny być liniami
prostymi, równoległymi do osi napięcia UCB, jednak tak nie jest w wyniku
oddziaływania wstecznego w tranzystorze. Wpływ modulacji szerokości bazy
jest tym silniejszy, im większy jest prąd emitera.

6.4.2. CHARAKTERYSTYKI STATYCZNE TRANZYSTORA

PRACUJĄCEGO W UKŁADZIE OE.

Na rysunku 6.6 przedstawiono rodzinę charakterystyk statycznych

tranzystora w układzie OE, w którym I1 = IB, U1 = UBE, I2 = IC,, U2 = UCE.
Przesunięcie charakterystyk wejściowych względem siebie jest związane z
modulacją szerokości bazy, natomiast przesunięcie charakterystyk
wyjściowych jest spowodowane oddziaływaniem prądu bazy na prąd
kolektora. Podobnie jak w układzie OB. Charakterystyki osiągają nasycenie, a
ich nachylenie nie jest stałe, ale rośnie. Jest większe niż w układzie OB, gdyż
część napięcia UCE polaryzuje złącze emiter-baza.

Rys. 6.6. Charakterystyki statyczne tranzystora n-p-n w układzie OE.

Charakterystyka przejściowa jest linią prostą o nachyleniu β - współczynnik
wzmocnienia prądowego. Charakterystyki zwrotne są podobne do
charakterystyk zwrotnych w układzie OB.

49
6.5. STAN PRACY I PARAMETRY TRANZYSTORA.

Tranzystor składa się z dwóch złączy p-n, które mogą być

spolaryzowane w kierunku przewodzenia jak i w kierunku zaporowym. W
związku z tym wyróżniamy cztery stany pracy tranzystora (tab.6.2).

1. Aktywny.
2. Nasycenia.
3. Zatkania.
4. Inwersyjny.
Tabela 6.2

Stan pracy tranzystora i odpowiadająca

im polaryzacja złącza

Kierunki polaryzacji złączy tranzystora

Stan
tranzystora złącze złącze
emiter – baza kolektor – baza

Zatkanie zaporowy zaporowy

Przewodzenie
przewodzenia zaporowy
aktywne

Nasycenie przewodzenia przewodzenia

Przewodzenie
zaporowy przewodzenia
inwersyjne

Tranzystor pracujący w układach analogowych musi być w stanie aktywnym,

natomiast w układach cyfrowych w stanie zatkania lub nasycenia.

Parametry tranzystorów.

- Parametry statyczne. Parametry określające zależności między

prądami i napięciami stałymi doprowadzanymi do tranzystora –
rezystancja rozproszenia bazy, współczynnik wzmocnienia
prądowego, prądy zerowe. Umożliwiają określenie punktu pracy
tranzystora.
- Parametry graniczne. Określają dopuszczalne wartości: napięć,
prądów, temperatury i mocy, które mogą wystąpić w tranzystorze, a

50
 ich przekroczenie spowoduje uszkodzenie lub zniszczenie
tranzystora.
- Parametry charakterystyczne. To typowe wartości określające
tranzystor – prądy, napięcia. Współczynnik wzmocnienia
prądowego, rezystancja bazy, pojemności złączowe, pulsacja
graniczna.
- Parametry maksymalne. Największe wartości prądów lub napięć.
W przypadku przekroczenia określonej wartości gwałtownie
pogarszają się pozostałe parametry tranzystora, ale nie następuje
jego uszkodzenie.
- Parametry dynamiczne. Określają właściwości tranzystora w
wybranym punkcie pracy, gdy zostanie on wysterowany
przemiennym napięciem lub prądem – czasy włączenia i wyłączenia
tranzystora.

Najważniejsze parametry tranzystorów bipolarnych:

- Wzmocnienie prądowe. W układzie OE przy określonym prądzie

kolektora i napięciu kolektor-emiter;
- Napięcie nasycenia. Przy określonym prądzie bazy i kolektora;
- Prąd zerowy. Przy określonym napięciu kolektor-baza lub
kolektor-emiter;
- Częstotliwość graniczna;
- Pojemność złącza kolektorowego;
- Czas wyłączenia;
- Stała czasowa związana z rezystancją rozproszoną bazy;
- Maksymalna moc wydzielana.

Zastosowanie tranzystorów.

Przy produkcji tranzystorów dąży się do osiągnięcia jak największej

wartości iloczynu wydzielanej mocy i maksymalnej częstotliwości generacji.
Dużą wartość wydzielanej mocy mają tranzystory, których powierzchnia
złącza baza-kolektor jest duża. Natomiast dużą wartością częstotliwości
generacji odznaczają się tranzystory o bardzo małej rezystancji rozproszonej
bazy i pojemności złącza kolektorowego oraz o bardzo dużej częstotliwości
granicznej.
Układy elektroniczne z tranzystorami germanowymi mogą być zasilane ze
źródeł o niższym napięciu około 1,5 V, natomiast z tranzystorami
krzemowymi mogą być zasilane ze źródeł o napięciu około 6 V. Tranzystory
germanowe mogą pracować w układach, gdzie pracują przy większych
częstotliwościach niż tranzystory krzemowe. Tranzystory germanowe

51
charakteryzują się mniejszymi napięciami na złączach w stanie przewodzenia
i większymi prądami zerowymi niż tranzystory krzemowe

6.6. SCHEMATY ZASTĘPCZE TRANZYSTORA

Schematy zastępcze tranzystora stosujemy, wtedy gdy chcemy

przeprowadzić analizę pracy danego układu elektronicznego.
Rozróżniamy trzy podstawowe schematy zastępcze tranzystora:

- Typu Π.
- Hybrydowy.
- Ebersa – Molla.

Schemat zastępczy typu Π tranzystora jest stosowany przy określaniu

punktu pracy i parametrów roboczych układów elektronicznych – rezystancja
wejściowa i wyjściowa, wzmocnienie.

Schemat hybrydowy służy również do określania parametrów układów

elektronicznych. Wartości parametrów h określa się korzystając z
charakterystyk statycznych tranzystora.

Model Ebersa – Molla jest wykorzystywany do analizy pracy układów

impulsowych i cyfrowych.

Schemat zastępczy hybrydowy.

Tranzystor traktujemy jako czwórnik i napięcie na wejściu i prąd

wyjściowy tranzystora pracującego w układzie OE jest opisany następująco:

U BE = h11I B + h12U CE ,

I C = h21I B + h22U CE ,
przy czym:

U BE
h11 = - impedancja wejściowa przy zwartym wyjściu,
IB
U CE = 0

U BE
h12 = - współczynnik przenoszenia wstecznego przy rozwartym wejściu,
U CE
IB = 0

52
 IC
h21 = - współczynnik przenoszenia prądowego przy zwartym wyjściu,
IB
U CE = 0

IC
h22 = - admitancja wyjściowa przy rozwartym wejściu.
U CE
IB = 0

IB IC
h11
B C

UBE h12UCE ∼ h21IB h22 UCE

Rys.6.7. Schemat zastępczy hybrydowy tranzystora.

Rys. 6.8. Sposób wyznaczania parametrów h tranzystora
h11 = tgα11, h12 = tgα12, h21 = tgα21, h22 = tgα22, Q – punkt pracy.

53
Rozdział VII. TRANZYSTORY POLOWE – JFET

Tranzystor polowe, nazywane również tranzystorami unipolarnymi,

stanowią grupę kilku rodzajów elementów, których wspólną cechą jest
pośrednie oddziaływanie pola elektrycznego na rezystancję półprzewodnika
lub na rezystancję cienkiej warstwy nieprzewodzącej. Do tej grupy zaliczamy
tranzystory, których prąd wyjściowy jest funkcją pola elektrycznego
istniejącego pod wpływem napięcia sterującego wejściowego. Teoretycznie
sterowanie pracą tranzystora polowego może odbywać się bez poboru mocy.
W działaniu elementu udział bierze tylko jeden rodzaj nośników ładunku, stąd
nazwa polowy (unipolarny).
Tranzystory polowe, zwane w skrócie FET (ang. Field Effect
Transistor), mają kanał typu P lub kanał typu N, który może być wzbogacony
lub zubożony. W tranzystorach z kanałem typu N nośnikami prądu są
elektrony, a w tranzystorach z kanałem typu P nośnikami prądu są dziury.
W tranzystorach polowych między elektrodami płynie prąd nośników
jednego rodzaju, prąd nośników większościowych. Wartość prądu
przepływającego przez tranzystor polowy jest zależna od wartości napięcia
przyłożonego między źródłem a drenem oraz od wartości rezystancji kanału,
która wyrażona jest wzorem:

1 l
R= ;
qµN hw

gdzie: µ, N – ruchliwość i koncentracja nośników w kanale, l, h, w – wymiary kanału.

Tranzystorów polowe dzielimy na:

• Tranzystory polowe złączowe – JFET (ang. Junction FET),

• Tranzystory polowe z izolowaną bramką – IGFET lub MOSFET
(ang. Insulated Gate FET lub Metal Oxide Semiconductor FET).
• Tranzystory polowe cienkowarstwowe TFT (ang. Thin Film
Transistor).

W tranzystorach polowych elektrody mają swoją nazwę i określony symbol:

• Źródło (ang. Source), oznaczone literą S. Jest elektrodą z której

wypływają nośniki ładunku do kanału. Prąd źródła oznacza się jako
Is.
• Dren (ang. Drain), oznaczone literą D. Jest elektrodą do której
dochodzą nośniki ładunku. Prąd drenu – ID, napięcie dren-źródło –
UDS.

54
 • Bramka (ang. Gate), oznaczone literą G. Jest elektrodą sterującą
przepływem ładunków. Prąd bramki – IG, napięcie bramka-źródło –
UGS.

7.1. TRANZYSTORY POLOWE ZŁĄCZOWE – JFET.

Tranzystor polowy złączowy składa się zasadniczo z warstwy

półprzewodnika typu n – w tranzystorach z kanałem typu N lub z
półprzewodnika typu p – w tranzystorach z kanałem typu P. Warstwa ta
tworzy kanał. Do obu końców kanału dołączone są elektrody. Symbole
graficzne przedstawiono na rysunku 7.1. Tranzystor może być także
wzbogacany lub zubożany.

Tranzystory te należy polaryzować tak, aby:

• nośniki poruszały się od źródła do drenu,

• złącze bramka-kanał było polaryzowane zaporowo.

a) b)

D D
G S G S

Rys. 7.1. Symbole graficzne tranzystora polowego złączowego JFET.

a) z kanałem typu N, b) z kanałem typu P.

7.2. ZASADA DZIAŁANIA TRANZYSTORA POLOWEGO JFET

Źródło i dren tranzystora polowego są spolaryzowane tak, aby

umożliwić przepływ nośników większościowych przez kanał w kierunku od
źródła do drenu. W tranzystorze z kanałem typu P od źródła do drenu
przepływają dziury, a w tranzystorze z kanałem typu N od źródła do drenu
przepływają elektrony. Złącze bramka-kanał w obu tranzystorach powinny
być spolaryzowane w kierunku zaporowym.
Zasada działania tranzystora polowego JEFT pokazana jest na rysunku
7.2. Jeżeli napięcie UGS = 0 i UDS ma małą wartość (rys.7.2a), to prąd zmienia
się liniowo w funkcji przykładnego napięcia – tranzystor zachowuje się jak
rezystor. Podczas narastania napięcia UDS złącze kanał-bramka (PN) jest coraz
silniej polaryzowane zaporowo, przy czym polaryzacja ta jest silniejsza w
pobliżu drenu (rys.7.2b). Przy pewnej wartości napięcia UDS. = UDssat = Up,
następuje zamknięcie (odcięcie) kanału (rys.7.2c) przy drenie.

55
Dalszy wzrost napięcia powoduje, że kanał jest zamykany coraz bliżej źródła
(punkt Y – Y’). Przyrost napięcia rozkłada się na warstwie zaporowej, nie
powodując dalszego wzrostu prądu. Rozszerza się warstwa zaporowa, czyli
zwiększa głębokość jej wnikania w kanał. Tranzystor wchodzi w stan
nasycenia, a prąd przez niego płynący jest prądem nasycenia.

Ze wzrostem napięcia UGS:

• maleje wartość płynącego przez tranzystor prądu;
• przy mniejszych wartościach napięcia UDS następuje zamknięcie
kanału, czemu odpowiada mniejsza wartość prądu nasycenia
(rys.7.2b).

Rys. 7.2. Zasada działania tranzystora polowego – JFET.

a) brak polaryzacji, b) rozszerzenie się warstwy zaporowej w wyniku przyłożonego
napięcia UDS., c) odcięcie kanału (Y), d) nasycenie tranzystora. Up = UGsoff – napięcie
odcięcia kanału.

7.3. PARAMETRY I CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORA

POLOWEGO JEFT.

Tranzystory polowe charakteryzują się:

• parametrami statycznymi dla dużych wartości sygnałów,

• parametrami dynamicznymi dla małych wartości sygnałów.

Właściwości statyczne tranzystora polowego opisują rodziny charakterystyk

przejściowych i wyjściowych.
Charakterystyki tranzystora złączowego:

56
 - charakterystyka przejściowa – przedstawia zależność prądu drenu
ID od napięcia bramka-źródło UGS, przy ustalonej wartości napięcia
dren-źródło UDS (rys.7.3). Charakterystyki przejściowe zależą od
temperatury.

Wielkościami charakterystycznymi krzywych są:

1. Napięcie odcięcia bramka-źródło UGS(off). Jest to napięcie jakie

należy doprowadzić do bramki, aby przy ustalonym napięciu UDS
nie płynął prąd drenu.
2. Prąd nasycenia IDSS. Jest to prąd płynący przy napięciu UGS = 0 i
określonym napięciu UDS.

Rys. 7.3. Charakterystyka przejściowa tranzystora złączowego.

- Charakterystyka wyjściowa. Przedstawia zależność prądu drenu ID od

napięcia dren-źródło UDS, przy stałym napięciu bramka-źródło UGS
(rys.7.4).

57
 Rys.7.4. Charakterystyka wyjściowa tranzystora złączowego.
a – odpowiada stanowi z rys.7.2a, b – odpowiada stanowi z rys.7.2b,
c – odpowiada stanowi z rys.7.2c, d – odpowiada stanowi z rys.7.2d.

Parametry statyczne:

• prąd wyłączenia ID(off),

• rezystancja statyczna włączenia RDS.(on),
• rezystancja wyłączenia RDS.(off),
• prądy upływu.

Parametry graniczne:

• dopuszczalny prąd drenu IDmax (od kilku do kilkudziesięciu

miliamperów),
• dopuszczalny prąd bramki IGmax,
• dopuszczalne napięcie dren-źródło UDsmax (od kilku do
kilkudziesięciu woltów) lub bramka-źródło UGsmax,
• dopuszczalne straty mocy Ptotmax ≈ PDmax (od kilkudziesięciu do
kilkuset miliwoltów).

7.4 SCHEMAT ZASTĘPCZY TRANZYSTORA ZŁĄCZOWEGO.

Dla tranzystora złączowego możemy utworzyć schemat zastępczy (rys.

7.5).

58
 Cgd

Ig ggd Id
G D

Ugs Cgs ggs gds Cds gmUgs Uds

S S

Rys. 7.5. Schemat zastępczy tranzystora złączowego.

Na rysunku tym:
Cgs, Cgd – pojemności warstwy zaporowej,
ggs, ggd – konduktancje bramka-źródło i bramka-dren,
gm – transkonduktancja,
gds – konduktancja wyjściowa.

Są one określone następującymi zależnościami:

g m = βU DS - transkonduktancja dla zakresu nienasycenia,

g m = β (U GS − U p ) - transkonduktancja dla zakresu nasycenia,

g ds = β (U GS − U p − U DS ) - konduktancja wyjściowa dla zakresu nienasycenia,

g ds = 0 - konduktancja dla zakresu nasycenia.

Częstotliwość maksymalna w tranzystorze zależy od czasu przelotu nośników

przez kanał i od stałej czasowej ładowania pojemności kanał-bramka Cg, i jest
równa częstotliwości granicznej
1
fT = .
2πrd C g

Maksymalna częstotliwość generacji

f max = fT rd g m ,

przy czym rd oznacza rezystancję kanału.

59
7.5. TRANZYSTORY Z IZOLOWANĄ BRAMKĄ MOSFET.

Tranzystor z izolowaną bramką (rys. 7.6) jest to najczęściej tranzystor o

konstrukcji MIS (MOS) z kanałem typu N lub typu P, izolowanym od bramki
warstwą dielektryka.

Rys. 7.6. Zasada działania tranzystora z izolowaną bramką.

a) zakres liniowy, b)odcięcie kanału, c) nasycenie tranzystora.
B – podłoże.

7.5.1. ZASADA DZIAŁANIA TRANZYSTORA MIS (MOS).

Zasadę działania tranzystora MIS (MOS) omówimy na przykładzie

najczęściej spotykanej polaryzacji, tj. przy zwartym źródle i podłożu. Jeżeli
do bramki zostanie przyłożone napięcie dodatnie, to powstanie kanał
wzbogacony, a jeśli ujemne, to powstanie kanał zubożony. W tranzystorze z
kanałem wzbogaconym, wzrost napięcia UGS powyżej wartości napięcia
progowego UT powoduje powstanie kanału.
Napięcie progowe UT jest to napięcie, jakie należy przyłożyć do
bramki, aby powstała warstwa inwersyjna.
Każdy następny przyrost napięcia UGS powoduje przyrost ładunku
wprowadzanego przez bramkę, który jest kompensowany ładunkiem
nośników powstającego kanału. W tranzystorze z kanałem zubożonym,
wzrost napięcia UGS powoduje silniejsze zubożenie kanału, aż wreszcie przy
pewnej jego wartości, równej tzw. napięciu odcięcia UGsoff, kanał zanika.
Jeżeli napięcia UDS i UGS będą porównywalne, to prąd drenu będzie zależny
liniowo od napięcia UDS – kanał pełni wówczas funkcję rezystora liniowego
(rys. 7.6a). Dalszy wzrost napięcia UDS powoduje, tak jak w tranzystorze
złączowym, spadek napięcia na rezystancji kanału. W okolicy drenu następuje
zmniejszanie inwersji, aż do całkowitego jej zaniku. Mówimy wtedy o
odcięciu kanału. Wartość napięcia UDS, przy której następuje odcięcie kanału
nazywamy napięciem nasycenia (rys. 7.6b).
U DS = U GS − U T ;
sat

60
Dalszy wzrost napięcia UDS nie powoduje już wzrostu prądu drenu, ale
wpływa na odcięcie kanału bliżej źródła. Mówimy wówczas, że tranzystor
pracuje w stanie nasycenia (rys. 7.6c).
Tranzystor MOSFET to tranzystor polowy, w którym bramka jest
oddzielona od kanału cienką warstwą izolacyjną, najczęściej utworzoną z
dwutlenku SiO2. Dzięki odizolowaniu bramki, niezależnie od jej polaryzacji,
teoretycznie nie płynie przez nie żaden prąd. Praktycznie w tranzystorach
JEFT prądy bramki są rzędu 1pA ÷ 10nA, a w tranzystorach MOSFET ok.
103 razy mniejsze. Dlatego też w tranzystorach JEFT możemy uzyskać
rezystancję wejściową układu równą 109 ÷ 1012 Ω, a w przypadku
tranzystorów MOSFET rezystancja wejściowa jest równa 1012 ÷ 1016 Ω.

W zależności od zjawisk fizycznych i od polaryzacji bramki, w

tranzystorze tym może powstawać:

- Kanał indukowany. Kanał w postaci warstwy inwersyjnej, np.

kanał typu N ma bardzo dużo elektronów, a mało dziur.
- Kanał wbudowany. Kanał w postaci warstwy akumulacyjnej
wzbogacanej, np. kanał typu N ma dużo dziur i bardzo dużo
elektronów, lub zubożonej, np. kanał typu N ma mało elektronów i
mało dziur. Są one inaczej określane jako warstwy domieszkowane
o przeciwnym typie przewodnictwa w stosunku do podłoża.

W tranzystorach z kanałem wbudowanym przy napięciu UGS = 0 płynie

pewien prąd, który zmniejsza się przy zwiększaniu napięcia sterującego
bramki. Takie tranzystory nazywa się tranzystorami normalnie złączonymi
lub pracującym na zasadzie zubożania nośników w kanale (tranzystory z
kanałem zubożanym).
W tranzystorach z kanałem indukowanym, gdy do bramki doprowadzi
się napięcie ujemne w stosunku do podłoża, wówczas źródło zostaje
oddzielone od drenu dwoma przeciwnie spolaryzowanymi złączami p-n. Jest
to tzw. stan akumulacji. Prąd źródło-dren stanowi wtedy prąd wsteczny
jednego ze złączy. Ma on znikomo małą wartość. Mały prąd płynie także przy
UGS = 0. Dlatego też te tranzystory nazywane są tranzystorami normalnie
wyłączonymi.
Gdy do bramki doprowadzi się napięcie dodatnie w stosunku do
podłoża, wówczas po przekroczeniu pewnej wartości, tzw. napięcia
progowego UT, przy powierzchni półprzewodnika powstaje warstwa
przeciwnego typu niż półprzewodnik stanowiący podłoże. Jest to warstwa
inwersyjna. Warstwa ta stanowi zaindukowany kanał, który po
doprowadzeniu napięcia polaryzującego źródło-dren – umożliwia przepływ
prądu od źródła do drenu. Ze wzrostem napięcia UGS prąd drenu wzrasta.
Tranzystory te nazywane są tranzystorami z kanałem wzbogaconym.

61
Tranzystory z kanałem zubożanym i tranzystory z kanałem wzbogacanym
mogą mieć kanały typu N lub typu P. Istnieją cztery podstawowe rodzaje
tranzystorów z izolowaną bramką (tab.7.1).

Tabela 7.1

Rodzaje tranzystorów z izolowaną bramką.

7.6.CHARAKTERYSTYKI TRANZYSTORÓW MOSFET.

Podstawowymi charakterystykami tranzystora MOSFET są:

- Charakterystyka przejściowa. Zależność prądu drenu od napięcia
bramka-źródło, przy stałym napięciu źródło-dren.
- Charakterystyka wyjściowa. Zależność prądu drenu od napięcia
źródło-dren, przy stałym napięciu bramka-źródło.

Można je wyrazić następującymi zależnościami:

- w zakresie liniowym prąd drenu ma postać:

 U2 
I D = β (U GS − U T )U DS − DS  ;
 2 
- w zakresie nasycenia prądu drenu ma postać:

62
 β
ID = (U GS − U T )2 ;
2

przy czym: β - współczynnik transkonduktancji (parametr zależny od właściwości

tranzystora), UT – napięcie progowe.

Tranzystory MOSFET charakteryzują się tymi samymi parametrami co

tranzystory JEFT.
Tranzystory MOSFET mają czwartą elektrodę – podłoże, oznaczone
symbolem B. Spełnia ona podobną rolę sterującą jak bramka. Jest ona
oddzielona od kanału tylko złączem p-n. Gdy nie korzysta się z funkcji
podłoża, wówczas łączy się je ze źródłem. Połączenie to może być wykonane
wewnątrz obudowy i wtedy nie ma wyprowadzenia na zewnątrz.

Zalety tranzystorów polowych:

• duża rezystancja wejściowa,

• małe szumy w porównaniu z tranzystorami bipolarnymi (w zakresie
małych i średnich częstotliwości),
• możliwość autokompensacji temperaturowej,
• odporność na promieniowanie,
• małe wymiary powodują, że są one coraz powszechniej stosowane
w układach analogowych i cyfrowych.

Tranzystory mogą pracować w trzech podstawowych konfiguracjach:

1. Układ o wspólnym źródle – OS.

2. Układ o wspólnej bramce – OG.
3. Układ o wspólnym drenie – OD.

63
Rozdział VIII. ELEKTRONICZNE ELEMENTY
PRZEŁĄCZAJĄCE

Elementy przełączające to: tranzystor jednozłączowy, tyrystor,

dynistor, diak, triak.

Elementy przełączające mają charakterystykę prądowo – napięciową typu S i

pracują w dwóch stanach:

1. Blokowania – zwany również stanem wyłączenia, który

charakteryzuje się bardzo dużą rezystancją elementu.
2. Przewodzenia – zwany również stanem włączenia, który
charakteryzuje się bardzo małą rezystancją elementu.

Rys. 8.1 Charakterystyka elementu przełączającego.

8.1. TRANZYSTOR JEDNOZŁĄCZOWY

Tranzystor polaryzuje się w następujący sposób:

1) Do bazy drugiej doprowadza się wyższy potencjał niż do bazy

pierwszej.
2) Złącze emiter-baza pierwsza polaryzuje się w kierunku
przewodzenia.

64
a) b)
B
B E

p
n
B
B

c)
IB2
IE

U UBB lub UB1B2

Rys. 8.2. Tranzystor jednozłączowy.

a) budowa, b) symbol graficzny,
c) oznaczenia napięcia i prądów.

Tranzystor jednozłączowy zwany również jest diodą o dwóch bazach

(rys. 8.2) zawiera złącze p-n, utworzone przez umieszczenie małego pręcika z
materiału typu p wewnątrz bryłki z materiału typu n. W jednym z rodzajów
konstrukcji, do bryłki materiału n dopasowane są dwa metalowe
doprowadzenia, zwane bazami. W miejscach doprowadzenia nie występują
złącza p-n.
Elektroda B1 jest punktem odniesienia dla całego układu. Między elektrodami
B1 i B2 występuje rezystancja międzybazowa, której wartość w warunkach
rozwarcia obwodu emitera jest rzędu kilku tysięcy omów. Po doprowadzeniu
do B2 napięcia dodatniego, w obszarze materiału n pomiędzy B2 i B1
wytwarza się równomiernie rozłożony spadek napięcia.
W miejscu umieszczenia emitera E napięcie względem elektrody B1 jest
określoną częścią napięcia międzybazowego i wynosi ηUBB. Współczynnik η
nazywa się współczynnikiem podziału napięcia. Jego wartość wynosi
zazwyczaj od 0,5 do 0,8.

Gdy napięcie emitera UE jest mniejsze niż (ηUBB + UD), złącze p-n
między emiterem a bryłką polaryzowane jest w kierunku zaporowym.
UD oznacza potencjał dyfuzyjny złącza. W przypadku złącza krzemowego jest
on rzędu 0,7 V. Gdy napięcie jest większe niż (ηUBB + UD), złącze
polaryzowane jest w kierunku przewodzenia. Gdy złącze jest spolaryzowane

65
zaporowo, prąd emitera IE jest pomijalnie mały. Natomiast gdy złącze
zostanie spolaryzowane w kierunku przewodzenia, prąd emitera osiąga duże
wartości. Prąd emitera powoduje wprowadzenie do obszaru n bazy nośników
dziurowych. Dziury te zmniejszają rezystancję materiału typu n, co
umożliwia przepływ dużego prądu w obwodzie międzybazowym.
Jednoczesne występowanie dziur i elektronów w obszarze bazy między
emiterem a bazą B1 gwałtownie zmniejsza spadek napięcia na tej części
obszaru bazy. W związku z tym, prąd emitera gwałtownie rośnie, a
charakterystyka UE (IE) wykazuje zakres oporności ujemnej. Przebieg
charakterystyki UE (IE) dla przypadku idealnego przedstawiono na rysunku
8.3a. Punkt, w którym dioda włącza się lub zapala, jest nazywany punktem
szczytowym i określony przez wartości IP oraz UP. Przy większych
wartościach prądu emitera, spadek napięcia między emiterem a bazą B1,
początkowo rośnie ze wzrostem IE, a następnie ustala się osiągając wartość
nasycenia, oznaczoną symbolem UES lub UEB1S. Najniższy punkt
charakterystyki, o współrzędnych IV i UV, nazywamy punktem doliny.

UES
UV

0
IP IV IE

Rys. 8.3. Charakterystyka tranzystora dla przebiegu idealnego.

Parametry tranzystora jednozłączowego:

• wewnętrzny współczynnik blokowania;

• rezystancja międzybazowa (rB1 + rB2);
• napięcie nasycenia (napięcie emiter-baza pierwsza, przy
maksymalnym prądzie emitera);
• prąd doliny;
• prąd szczytu.

Tranzystory jednozłączowe używa się do budowy przerzutników astabilnych,

bistabilnych i monostabilnych.

66
8.2. DYNISTOR

Dynistor jest to element półprzewodnikowy o strukturze

czterowarstwowej typu n-p-n-p. Warstwy te są różnej szerokości i mają różne
wielkości koncentracji nośników.
Obszar p1 nazywamy anodą, obszar n2 – katodą. Taką strukturę można
traktować jako połączenie dwóch tranzystorów: typu p-n-p i n-p-n. Warstwy
p1 i n2 będziemy nazywać emiterem, a warstwy n1 i p2 – bazami, złącze
środkowe nazywać będziemy kolektorem.
Przyłączenie dynistora odbywa się przez zmianę polaryzacji napięcia anoda –
katoda i zmniejszenie prądu anodowego poniżej prądu podtrzymania.

W pracy dynistora wyróżnia się trzy stany:

1) Zaporowy;
2) Blokowania;
3) Przewodzenia;

a) b)

Rys. 8.4. Dynistor.

a) struktura, b) charakterystyka.

Dynistor jest wstanie zatkania jeżeli anoda jest polaryzowana ujemnie

względem katody. Złącza n1p1 i n2p2 są polaryzowane zaporowo, a złącze
n1p2 – w kierunku przewodzenia. Napięcie polaryzacji odkłada się na złączu
n1p1, a prąd płynący przez dynistor jest mały i równy sumie prądów
wstecznych złączy n1p1 i n2p2. Stan blokowania i przewodzenia uzyskuje się
przy polaryzacji anody napięciem dodatnim względem katody.

Przełączenie dynistora może nastąpić w wyniku:

• powielania lawinowego nośników w kolektorze, przy dużym
napięciu polaryzującym dynistor,

67
 • wzrostu prądu generacyjnego pod wpływem temperatury,
• gwałtownego wzrostu napięcia miedzy anodą i katodą.

Natomiast wyłączenie dynistora następuje przy znacznym obniżeniu napięcia

pomiędzy anodą i katodą.
Dynistory stosuje się jako elementy sterujące; ich napięcia przyłączenia
wynoszą do 40 V a szczytowe prądy przewodzenia 10A.

8.3. DIAK

Diak jest to dynistor symetryczny. Zachowuje się tak jak dioda

przełączająca, różni się tylko tym, że napięcie po załączeniu zmniejsza się o
stosunkowo małą wartość, nie zbliżając się do zera.

n3 p2
n2
p1
n1

a) K b)
c)

Rys.8.5. Diak.
a) struktura, b) charakterystyka prądowo – napięciowa.
c) symbol graficzny diody „DIAC”

Zasadę działania diaka wyjaśnia się na podstawie dwóch struktur

czterowarstwowych (p2n2p1n1 i p1n2p2n1).
Diaki wykorzystuje się do wytwarzania impulsów załączających
tyrystory, a w układach sterujących spełniają one funkcje szybkich
przełączników, reagujących na wartość chwilową napięcia.

68
8.4. TYRYSTOR

Tyrystor jest to element półprzewodnikowy o strukturze

czterowarstwowej typu n-p-n-p. Trzy wyprowadzone na zewnątrz końcówki
są dołączone do trzech warstw półprzewodnika: anoda A do skrajnej warstwy
p1, katoda K do skrajnej warstwy n2 oraz trzecia końcówka zwana bramką
G, do wewnętrznej warstwy p2. Taka struktura może być uważana za
połączenie dwóch tranzystorów n-p-n i p-n-p.

a) b) c)
A A
A

p1 p1
n1 n1 n1
G G p2 p2 p2
n2 n2
K
G
K K
d) e)
złącze złącze złącze
1 3 2
IA
A K
p1 n1 p2 n2

G IG
+
+

Rys. 8.6. Tyrystor.

a)symbol graficzny, b), c)podstawowa struktura,
d) polaryzacja, e) charakterystyka prądowo – napięciowa.
A – anoda, K – katoda, G – bramka, 1,2,3 – prąd bramki.
Przełączenie tyrystora może nastąpić w wyniku przepływu prądu przez
bramkę. Im mniejsze jest napięcie między anodą a katodą, tym większy musi
być prąd bramki, aby nastąpiło przełączenie tyrystora. Można go włączyć
dopiero wówczas, gdy przez bramkę nie będzie płynął prąd i gdy
zmniejszymy napięcie między anodą a katodą.

69
Źródła zasilające są tak dobrane, aby polaryzować złącze n2p2 dwa razy
silniej, w wyniku czego złącze to wstrzykuje więcej nośników, powodując
dodatnie sprzężenie zwrotne między złączem n1p1 i n2p2.

Parametry tyrystorów:
• napięcie przełączenia, przy zerowym prądzie bramki;
• prąd trzymania – najmniejsza wartość prądu płynącego przez
tyrystor, przy której nie następuje jego wyłączenie;
• prąd przełączający bramki – wartość prądu powodującego
przełączenie tyrystora, przy określonym napięciu między anodą a
katodą;
• czas włączenia;
• czas wyłączenia.

Tyrystory stosuje się w:

• układach zasilania – jako regulator mocy;
• automatyce – jako styczniki;
• innych układach elektrycznych – jako przerywacze prądu stałego,
sterowniki prądu przemiennego.

8.5. TRIAK

Triak to tyrystor symetryczny o strukturze i charakterystyce

przedstawionej na rysunku poniżej.

a) b)
A G A2 A2

n3 n4
p3

n2

p1
n1

G G
K
A1 A1

70
c).

Rys. 8.7. Triak.

a) struktura, b) symbol graficzny, c) charakterystyka prądowo – napięciowa.

Przełączenie triaka następuje pod wpływem ujemnego prądu bramki.

W triakach – tyrystorach symetrycznych została wyeliminowana podstawowa
wada tyrystorów, jaką jest możliwość przewodzenia prądu tylko w jednym
kierunku. Triaki można załączać zarówno przy dodatnim jak i ujemnym
napięciu anoda – katoda.

Najczęściej wytwarza się triaki, które są przełączone w stan

przewodzenia w jednym kierunku prądem o polaryzacji dodatniej, a w drugim
kierunku – prądem o polaryzacji ujemnej.
Triaki zastępują tyrystory, co umożliwia znaczne uproszczenie układów
sterujących.

71
Rozdział IX. ELEMENTY OPTOELEKTRONICZNE

9.1. DIODA ELEKTROLUMINESCENCYJNA

Diody elektroluminescencyjne zwane są także diodami świecącymi

LED (z ang. Light Emiting Diode), emitują promieniowanie w zakresie
widzialnym i podczerwonym. Promieniowanie jest wytwarzane w wyniku
rekombinacji dziur i elektronów. Jest to dioda świecąca pod wpływem energii
elektrycznej doprowadzonej z zewnątrz. Intensywność świecenia zależy od
wartości doprowadzonego prądu, przy czym zależność ta jest liniowa w
dużym zakresie zmian prądu. Istnieją diody elektroluminescencyjne
próżniowe, gazowane i półprzewodnikowe. Często stosowane są
półprzewodnikowe, gdyż pracują przy niewielkich napięciach (ok. 2 V) z
niewielkimi prądami (kilku do kilkunastu mA), co ułatwia ich współpracę w
układach tranzystorowych.

a) b)
Dziury z obszaru n Dziury z obszaru p
rekombinujące rekombinujące
hν z dziurami z elektronami
hν

p n
R IF

+ -
IF

R
+ -

Nośniki nieruchome

c)

Rys.9.1. Dioda elektroluminescencyjna.

a) sposób włączenia, b) zasada działania, c) obudowy.

72
 Dioda pracuje prawidłowo przy polaryzacji złącza w kierunku
przewodzenia. Zasada działania diod elektroluminescencyjnych jest oparta na
zjawisku elektroluminescencji.
Zjawisko elektroluminescencji w diodach półprzewodnikowych
polega na wytwarzaniu światła pod wpływem pola elektrycznego w wyniku
rekombinacji dziur i elektronów w spolaryzowanym złączu p-n.
Przechodzenie elektronów z wyższego poziomu energetycznego na niższy
powoduje wydzielenie energii w postaci światła (fotonu).

Długość fali generowanego (emitowanego) promieniowania:

ch
λ= ; (9.1)
Wg
przy czym:

Wg = Wc – Wv - szerokość pasma zabronionego lub różnica energii poziomów,

między którymi zachodzi rekombinacja,
c – prędkość światła,
h – stała Plancka.

Długość fali emitowanego promieniowania zwiększa się ze wzrostem

temperatury złącza. Diody emitują promieniowanie w bardzo wąskim
przedziale widma: od 490 nm – kolor niebieski do 950 nm – bliska
podczerwień.

Rys.9.2. Charakterystyki widmowe diod elektroluminescencyjnych.

Diody elektroluminescencyjne są wytwarzane z materiałów

półprzewodnikowych (pierwiastki z III i V grupy układu okresowego np.
GaAs, GaP, GaAsP o odpowiednim domieszkowaniu), charakteryzujących się
dużą sprawnością emisji promieniowania. Barwa promieniowania
emitowanego przez diody LED zależy od materiału półprzewodnikowego.
Diody emitują promieniowanie o barwach: niebieskiej, żółtej, zielonej,

73
pomarańczowej, czerwonej. Produkuje się także diody świecące różnymi
kolorami.

Charakterystyki prądowo – napięciowe diod LED mają przebieg podobny do

innych charakterystyk diod półprzewodnikowych. Większe napięcie
przewodzenia UF; wynoszą one ok.1,6V dla diod świecących na czerwono i
ok.2,6V dla diod świecących na zielono.

Rys.9.3. Charakterystyka prądowo – napięciowa diody LED.

Średni prąd przewodzenia IF nie powinien przekraczać 20 – 100 mA, zależnie

od typu diody. W typowym układzie pracy prąd przewodzenia ogranicza się
rezystorem.

Diody LED są umieszczane w obudowach: metalowych, z tworzyw

sztucznych, przezroczystych, matowych (półprzezroczystych), bezbarwnych
lub na barwione na taki kolor jak świeci dioda.
Obudowy są zamknięte soczewkami z tworzyw sztucznych, formującymi
wiązkę promieniowania. Pozwalają one uzyskać optymalny kształt
charakterystyki kątowej promieniowania, obrazującej przestrzenny rozkład
promieniowania względem osi optycznej.

74
 Rys. 9.4. Charakterystyka kątowa promieniowania diody LED.

9.1.1. WŁAŚCIWOŚCI OPTYCZNE I ELEKTRYCZNE DIODY LED

Parametry optyczne

- strumień energetyczny – Se (moc emitowana przez diodę IR),

wyrażamy w watach, lub strumień świetlny (moc emitowana przez
diodę świecącą), wyrażamy w lumenach. Wartość mocy emitowanej
przez diodę rośnie ze wzrostem prądu przewodzenia, a maleje ze
wzrostem temperatury złącza;
- natężenie promieniowania – Je – stosunek strumienia
energetycznego do kąta bryłowego – dla diod IR, którego jednostką
jest wat na steradian;
- światłość – stosunek strumienia świetlnego do kąta bryłowego – dla
diod LED, wyrażona w kandelach. Natężenie promieniowania i
światłość zwiększają się ze wzrostem prądu przewodzenia;
- połówkowa szerokość spektralna promieniowania – ∆λ. Jest to
szerokość pasma promieniowania, definiowana jako różnica
długości fal λ2 − λ1 , dla których moc emitowana osiąga połowę swej
wartości maksymalnej.

Parametry diody elektroluminescencyjnej określa się także na podstawie:

- Charakterystyki widmowej. Jest to zależność mocy emitowanej –
strumienia energetycznego lub strumienia świetlnego – od długości
fali emitowanego promieniowania (rys.7.2).

75
 - Charakterystyki kątowej promieniowania diody – zależność
mocy emitowanej od wartości kąta mierzonego od osi diody
(rys.7.3).

Parametry elektryczne

Parametry elektryczne diody elektroluminescencyjne są takie same jak

innych diod czyli: prąd przewodzenia, napięcie przewodzenia, napięcie
wsteczne oraz moc strat , która wynosi od kilkudziesięciu do kilkuset mW, a
jej wartość zależy od temperatury złącza.
Bardzo ważnym parametrem diody jest sprawność kwantowa zewnętrzna
czyli stosunek liczby fotonów wyemitowanych przez diodę do liczby
nośników przepływających przez złącze. Sprawność ta maleje wraz ze
wzrostem temperatury złącza. Trwałość diod wynosi około 105 godzin.
Właściwości dynamiczne diod określa przebieg charakterystyki
częstotliwościowej, na której jest zaznaczona częstotliwość graniczna. Jest to
częstotliwość, przy której moc promieniowania maleje do połowy swojej
wartości maksymalnej i zależy od materiału półprzewodnikowego,
domieszkowania (czasu życia nośników) oraz technologii wytworzenia.

Zalety diod elektroluminescencyjnych

• mały pobór prądu;
• mała wartość napięcia zasilającego;
• duża sprawność;
• mała moc strat;
• małe rozmiary;
• duża trwałość;
• duża wartość luminacji;

Diody elektroluminescencyjne są najbardziej rozpowszechnionymi

elementami optoelektronicznymi. Stosuje się je jako:
• sygnalizatory włączenia lub sygnalizatory określonego stanu pracy
urządzeń elektrycznych, takich jak sprzęt radiowo – telewizyjny i
aparatura pomiarowa,
• wskaźniki w windach i telefonach,
• elementy podświetlające przełączniki i skale,
• wskaźniki poziomu cieczy, np. paliwa, oleju, wody w samochodzie
itp.
Stosuje się w kalkulatorach, zegarkach, przyrządach pomiarowych, jako
wskaźniki poziomu sygnału, dostrojenia itp. w sprzęcie powszechnego
użytku.

76
 Diody elektroluminescencyjne, które emitują promieniowanie
podczerwone wykorzystuje się w łączach światłowodowych, a także w
urządzeniach zdalnego sterowania np. w urządzeniach alarmowych i w tzw.
pilotach do odbiorników telewizyjnych.

9.2. FOTOREZYSTOR

Fotorezystor jest elementem światłoczułym. Jego rezystancja zmienia

się pod wpływem padającego promieniowania i nie zależy od kierunku
przyłożonego napięcia, podobnie jak rezystancja zwykłego rezystora.
Oświetlenie fotorezystora powoduje zwiększenie przepływającego prądu
(zmniejsza się jego rezystancja). Prąd będący różnicą całkowitego prądu
płynącego przez fotorezystor i prądu ciemnego (prąd płynący przez
fotorezystor przy braku oświetlenia) nazywamy prądem fotoelektrycznym.
Jego wartość zależy od natężenia oświetlenia i jest określona zależnością:

I p = G ⋅ EVγ ; (9.3)

w której: G,γ - wartości stałe zależne od materiału półprzewodnikowego i rodzaju

domieszek, EV – natężenie oświetlenia.

Parametry fotorezystora

• czułość widmowa – zależność rezystancji od natężenia oświetlenia.

Na wartość czułości wpływa rodzaj materiału i sposób jego
domieszkowania – dobieranie ze względu na przeznaczenie
fotorezystora.
• rezystancja fotorezystora:

d
RE = ρ ; (9.4)
l

d – odstęp między elektrodami

l – szerokość elektrod
ρ -rezystywność półprzewodnika.

• współczynnik n określany jako stosunek rezystancji przy danej

wartości natężenia oświetlenia
RD
n= ; (9.5)
R50
gdzie:
RD – rezystancja ciemna
R50 – rezystancja przy natężeniu oświetleniu równym 50 lx.

77
Wartość rezystancji ciemnej zależy od stopnia czystości półprzewodnika.
Rezystancja ciemna jest około tysiąc razy większa niż rezystancja przy
oświetleniu 50 lx i zawiera się w przedziale od 106 Ω do 1012 Ω.

Na podstawie charakterystyki prądowo – napięciowej fotorezystora

(rys.9.5)dobiera się właściwy obszar jego pracy. Charakterystyki te są liniowe
w dużym zakresie napięć i prądów.

Rys.9.5. Charakterystyka prądowo – napięciowa fotorezystora.

Fotorezystory wykonuje się najczęściej w postaci cienkich

półprzewodnikowych warstw monokrystalicznych lub polikrystalicznych
naniesionych izolacyjne np. szklane podłoże (rys.9.6a). Materiał światłoczuły
rozdzielają dwie metalowe elektrody mające wyprowadzenia. Elektrody te
często mają kształt grzebieniowy (rys.9.6b). Nad powierzchnią światłoczułą
umieszcza się okienko i zamyka w obudowie, chroniącej przed
uszkodzeniami, a niekiedy umożliwiającej pracę w obniżonej temperaturze
(tzw. naczynie Dewara).
a) b)

hν
Elektroda Elektroda

CdS

Podłoże

78
 Rys. 9.6. Fotorezystor.
a) budowa, b) grzebieniowy kształt elektrod.

Fotorezystory wykonuje się z materiałów półprzewodnikowych takich

jak: CdS, CdSe, CdTe, PbS, PbSe, jak również z półprzewodników
domieszkowanych np. tellurku kadmu domieszkowanego rtęcią CdHgTe. Od
materiału półprzewodnikowego zależy zakres widmowy λS1, λS2
wykrywanego promieniowania, czyli zakres długości fal, dla którego czułość
fotorezystora wynosi nie mniej niż 10% czułości maksymalnej.
Wadą fotorezystora jest wrażliwość temperaturowa.

Ze względu na dużą czułość i prosty układ pomiarowy, fotorezystory

wykorzystuje się do:

• pomiaru temperatury i ostrzegania w systemach

przeciwpożarowych,
• wykrywania zanieczyszczeń rzek i zbiorników wodnych,
• detekcji strat ciepła przez izolację termiczną budynków,
• badania zasobów ziemi z samolotów i satelitów,
• celów wojskowych.

9.3. FOTODIODA

Fotodioda jest zbudowana podobnie jak zwykła dioda krzemowa.

Różnica jest w obudowie, gdyż znajduje się tam soczewka płaska lub
wypukła, umożliwiająca oświetlenie jednego z obszarów złącza. Fotodiody
wykonuje się z krzemu lub arsenku galu.
Fotodiodę można traktować jako źródło prądu o wydajności zależnej od
natężenia oświetlenia.
Fotodiodę polaryzuje się zaporowo zewnętrznym źródłem napięcia.
Pod wpływem oświetlenia przez fotodiodę płynie prąd wsteczny, który
zwiększa się ze wzrostem oświetlenia. Przy braku oświetlenia przez fotodiodę
płynie niewielki ciemny prąd wsteczny I0 wywołany generacją termiczną
nośników. Prąd ten narasta liniowo wraz ze wzrostem wartości napięcia
wstecznego.

Zasada działania fotodiody.

79
 Pary
Promieniowanie hν elektron - dziura

+
+
+
P N
Jony nie - Obszar
ruchome ładunku
przestrzennego

- + R

Rys. 9.7. Zasada działania fotodiody.

Przy oświetleniu fotodiody w pobliżu jej powierzchni są generowane pary

nośników dziura-elektron. Obszar ładunku przestrzennego i związana z nim
bariera potencjału uniemożliwiają przepływ nośników większościowych,
natomiast nośniki mniejszościowe (tj. dziury w obszarze n i elektrony w
obszarze p) dyfundują do obszaru ładunku przestrzennego, są przyspieszane i
pokonują złącze (rys.9.7a). Przez złącze płynie dodatkowy prąd
fotoelektryczny IP. Prąd ten jest proporcjonalny do mocy promieniowania
padającego na jej powierzchnię, nie zależy od napięcia wstecznej polaryzacji i
wartości obciążenia.

Rys. 9.8. Charakterystyki prądowo – napięciowej fotodiody.

Parametry fotodiody

• maksymalne napięcie wsteczne URmax = 10 – 500V,

• maksymalny prąd ciemny IR0max = 1 – 100nA,
• czułość na moc promieniowania Spe = 0,3 – 1A/W,
• czułość na natężenie oświetlenia SEV = 10 – 100nA/lx

80
Istotną zaletą fotodiody jest duża częstotliwość pracy. Mogą one przetwarzać
sygnały świetlne o częstotliwości do kilkudziesięciu MHz.
Natomiast wadą jest dość silna zależność prądu fotodiody od temperatury.

Zastosowanie fotodiody:

• w urządzeniach komutacji optycznej,

• w układach zdalnego sterowania,
• w szybkich przetwornikach analogowo – cyfrowych,
• w układach pomiarowych wielkości elektrycznych i
nieelektrycznych np. do pomiaru wymiarów, odległości, stężeń i
zanieczyszczeń roztworów, częstotliwości i amplitudy drgań,
naprężeń itp.

9.4. FOTOTRANZYSTOR

Fototranzystorem nazywamy element półprzewodnikowy z dwoma

złączami p-n. Działa tak samo jak tranzystor z tą różnicą, że prąd kolektora
nie zależy od prądu bazy, lecz od natężenia promieniowania oświetlającego
obszar bazy. Oświetlenie wpływa na rezystancję obszaru emiter-baza.
Wykorzystuje się tu zjawisko fotoelektryczne wewnętrzne, tj. zjawisko
fotoprzewodnictwa.

Fotoprzewodnictwo polega na zwiększaniu przewodnictwa

elektrycznego pod wpływem energii promienistej powodującej jonizacje
atomów w danym ciele, wskutek czego zwiększa się liczba swobodnych
elektronów powstających w tym ciele

Fototranzystor jest detektorem o czułości wielokrotnie większej niż

czułość fotodiody, ponieważ prąd wytworzony pod wpływem
promieniowania ulega dodatkowemu wzmocnieniu.
Fototranzystory wykonuje się najczęściej z krzemu.

81
Zasada działania fototranzystora

Rys.9.9. Zasada działania fototranzystora.

Oświetlenie fototranzystora powoduje wygenerowanie par elektron-

dziura w warstwie typu p. Elektrony jako ujemne nośniki ładunku przechodzą
do obszaru kolektora dzięki polaryzacji zaporowej złącza kolektorowego.
Dziury nie mogą przejść do obwodu emiterowego z powodu istniejącej
bariery potencjału na złączu baza-emiter. Część z nich jednak przechodzi do
emitera, gdyż mają dostatecznie dużą energię kinetyczną i tam ulegają
rekombinacji. Natomiast dziury, które nie przeszły powiększają
nieskompensowany ładunek dodatni, obniżając barierę energetyczną złącza
emiterowego. W wyniku czego elektrony z obszaru n pokonują barierę
zwiększając strumień elektronów przechodzących z emitera do bazy, a potem
do kolektora. Elektrony te zwiększają prąd kolektora w znacznie większym
stopniu, niż elektrony które powstały w wyniku generacji par elektron-dziura
bezpośrednio w obszarze bazy pod wpływem oświetlenia. W ten sposób
zachodzi wewnętrzne wzmocnienie prądu fotoelektrycznego IP. Przez
fototranzystor nie oświetlony płynie niewielki prąd ciemny ICEO. Natomiast
prąd jasny kolektor-emiter fototranzystora w układzie WE z rozwartą bazą
opisany jest zależnością:

I CE (e ) = I CE 0 + βI p ; (9.6)

W fototranzystorach końcówka może być wyprowadzona na zewnątrz

obudowy lub nie, dlatego też fototranzystor może pracować jako:
• fotoogniwo, wykorzystuje się tu złącze kolektor-baza (rys. 9.10a),
• fotodioda, wykorzystane jest tu złącze kolektor-baza przy
polaryzacji zaporowej (rys.9.10b),

82
 • fototranzystor bez wyprowadzonej końcówki bazy w tym przypadku
pracuje jako normalny fototranzystor (rys.9.10c),
• fototranzystor z wyprowadzoną końcówką bazy – można go
niezależnie sterować optycznie i elektrycznie (rys. 9.10d).
a) b) c) d)

(Baza) (Baza) (Kolektor) (Kolektor)

+ + + +

(Baza)
- - - -
(Kolektor) (Kolektor) (Emiter) (Emiter)
Fotoogniwo Fotodioda Fototranzystor Fototranzystor
bez wyprowa - z wyprpwa -
dzonej końcówki dzoną bazą

Rys. 9.10. Fototranzystor może pracować jako: a) fotoogniwo, b) fotodioda,

c) fototranzystor bez wyprowadzonej końcówki bazy,
d) fototranzystor z wyprowadzoną końcówką bazy.

Charakterystyka prądowo – napięciowa. Jest ona identyczna z kształtem

konwencjonalnego tranzystora. Ze wzrostem temperatury złącza zwiększa się
prąd ciemny i prąd fotoelektryczny. Wartość prądu ciemnego zależy od
napięcia UCE.
Przypatrując się charakterystyce czułości widmowej (rys. 9.11a) zauważamy,
że jest bardzo zbliżona do analogicznych charakterystyk fotodiod.
Z charakterystyki odczytujemy, że czułość fototranzystora zwiększa się wraz
ze wzrostem napięcia polaryzacji. Istotny wpływ na czułość ma kierunek
padającego promieniowania.
Fototranzystory mają w porównaniu z fotodiodami dwie zalety, a mianowicie:
znacznie większą czułość dzięki wzmocnieniu wewnętrznemu pierwotnego
prądu fotoelektrycznego oraz możliwość jednoczesnego sterowania prądu
kolektora za pomocą sygnałów elektrycznych i świetlnych. Wadą
fototranzystorów jest ich mała prędkość działania. Częstotliwość graniczna fT
jest rzędu kilkudziesięciu kiloherców.

83
 Rys. 9.11. Fototranzystor: a) charakterystyka prądowo – napięciowa, b)charakterystyka
czułości widmowej.

Fototranzystory znalazły duże zastosowanie. Głównymi obszarami

zastosowania są układy automatyki i zdalnego sterowania, układy pomiarowe
wielkości elektrycznych i nieelektrycznych, przetworniki analogowo –
cyfrowe, układy łączy optoelektronicznych, czytniki taśm i kart kodowych
itp.

9.5. FOTOTYRYSTOR

Fototyrystorem nazywamy tyrystor umieszczony w specjalnej

obudowie, umożliwiającej oddziaływanie promieniowania świetlnego na jego
przełączanie ze stanu blokowania do przewodzenia.

a) A b)
A

G
K
K
Rys. 9.12. Symbole graficzne fototyrystora.
Im większe jest napięcie anoda – katoda fototyrystora, tym moc
promieniowania potrzebna do przełączenia jest mniejsza. Istotną cechą

84
fototyrystora jest to, że po przełączeniu w stan przewodzenia, utrzymuje się w
nim nawet po zaniku impulsu świetlnego.
Wykonywane są głównie z krzemu i wykorzystywane jako np.
fotoelektryczne przekaźniki.

9.6. TRANSOPTORY

Fotoodbiorniki możemy sprzęgać z diodami elektroluminescencyjnymi,

w celu przesłania sygnałów na drodze optycznej. W ten sposób uzyskujemy
przekazywanie sygnałów z jednego układu do drugiego, przy galwanicznym
odseparowaniu tych układów. Tak powstały przyrząd nazywamy
transoptorem (dioda i fotodetektor w różnych obudowach) lub łączem
optoelektronicznym (dioda i fotodetektor w jednej obudowie).
Transoptor jest półprzewodnikowym elementem optoelektronicznym,
składającym się z co najmniej jednego fotoemitera i co najmniej jednego
fotodetektora, umieszczonych we wspólnej obudowie (rys.9.13).

1 4 3 2

Rys. 9.13. Budowa transoptora

1 – fotoemiter, 2 – fotodetektor, 3 – światłowód, 4 – obudowa.

Transoptor może być:

• zamknięty – transmisja promieniowania między diodą i

fotodetektorem następuje za pomocą światłowodu,
• otwarty – transmisja promieniowania między diodą i
fotodetektorem następuje w powietrzu.

Transoptor pozwala przesyłać sygnały elektryczne z wejścia na wyjście bez

połączeń galwanicznych obwodów wejściowego i wyjściowego.
W transoptorze rolę fotoemitera w obwodzie wejściowym spełnia
zwykle dioda elektroluminescencyjna z arsenku galu GaAs. Na wyjściu
transoptora może znajdować się fotodioda lub fototranzystor.

85
a) b)

Rys. 9.14. Schemat transoptorów.

a) z fotodiodą, b) z fototranzystorem.

Rzadziej stosuje się fototyrystor, fotodarlington, fotodiodę i tranzystor,

bramkę logiczną NAND. Transoptor pracuje w zakresie podczerwieni.

Parametry transoptora charakteryzują właściwości jego elementów

składowych, tzn. diody elektroluminescencyjnej i fotodetektora.

Rys. 9.15. Charakterystyka przejściowa transoptora: dioda elektroluminescencyjna –

fototranzystor.

Charakterystyka przejściowa (rys. 9.15) przedstawia zależność prądu

wyjściowego Io (np. prądu kolektor-emiter ICE fototranzystora) od prądu
wejściowego II (np. prądu przewodzenia IF fotodiody). Z nachylenia tej
charakterystyki możemy wyznaczyć wzmocnienie transoptora, nazywane
również przekładnią prądową CTR

I0
CTR = .
II

86
Wartość CTR zależy przede wszystkim od fotodetektora. Typowe wartości
podano w tabeli 9.1.

Tabela 9.1

Przykładowe parametry transoptorów

Częstotliwość
Wzmocnienie
Odbiornik graniczna
% kHz
Fotodioda 0,5 10000
Fototranzystor 30 500
Fotodarlington 300 50

Ważnym parametrem jest napięcie stałe izolacji UIO (lub napięcie

zmienne Uio), tj. dopuszczalna wartość napięcia przyłożonego pomiędzy
zwarte końcówki wejściowe i wyjściowe, nie powodująca przebicia
elektrycznego izolacji transoptora. Napięcie to wynosi od kilkuset woltów do
kilku, a nawet kilkudziesięciu kilowoltów.

W produkcji są także transoptory otwarte: refleksyjne i szczelinowe, w

których obwód wejściowy jest sprzężony optycznie z obwodem wyjściowym
za pośrednictwem przedmiotów zewnętrznych.
W transoptorach refleksyjnych promieniowanie wysyłane przez
fotemiter ulega odbiciu od przedmiotu zewnętrznego i powraca do
fotodetektora.
W transoptorach szczelinowych strumień promieniowania może być
przerwany mechanicznie przez przedmiot wkładany w szczelinę między
fotodetektorem a fotoemiterem.

Zastosowanie transoptorów.

Transoptory stosuje się:

• do galwanicznego rozdzielania obwodów, - np. w technice wysokich

napięć,
• w technice pomiarowej i automatyce,
• w sprzęcie komputerowym,
• w sprzęcie telekomunikacyjnym.

87
Spełniają one również rolę potencjometrów bezstykowych oraz przekaźników
optoelektronicznych, wykorzystywanych do budowy klawiatury kalkulatorów
i komputerów.

W układach sygnalizacyjnych i zabezpieczających są stosowane jako:

• wyłączniki krańcowe,
• czujniki otworów,
• czujniki położenia,
• wskaźniki poziomu cieczy.

88
Rozdział X. WZMACNIACZE

Podstawową funkcją wzmacniacza jest wzmocnienie sygnału, przy

zachowaniu nie zmienionego jego kształtu. Wzmocnienie to odbywa się
kosztem energii doprowadzonej z pomocniczego źródła napięcia stałego.
Podstawowym parametrem wzmacniacza jest wzmocnienie, określany jako
stosunek sygnału wyjściowego do wejściowego.

Zg Iwe Iwy

eg ∼ Uwe Uwy Z0

Zasilacz

Rys. 10.1. Schemat ogólny wzmacniacza.

W każdym wzmacniaczu wyróżnia się dwa zasadnicze obwody (tory):

- obwód sygnału;
- obwód zasilania.
Obwód zasilania stwarza właściwe warunki wzmocnienia sygnału, natomiast
obwód sygnału jest związany z przenoszeniem sygnału przez wzmacniacz.
Dla wzmacnianego sygnału wzmacniacz stanowi czwórnik (rys.10.1); do jego
zacisków wejściowych jest dołączone źródło sygnału eg o impedancji Zg, a do
zacisków wyjściowych – impedancja obciążenia Z0. Napięcie wyjściowe Uwy i
prąd wyjściowy Iwy są powiązane z napięciem wejściowym Uwe i prądem
wejściowym Iwe zależnościami:

U wy = K u U we ; (10.1)

I wy = K i I we ; (10.2)

W zależności od tego, jaka wielkość jest sygnałem wejściowym, a jaka

sygnałem wyjściowym wyróżniamy:

a) wzmocnienie napięciowe

U wy
ku = ; (10.3)
U we

89
 b) wzmocnienie prądowe

I wy
ki = ; (10.4)
I we

c) wzmocnienie prądowo – napięciowe

I wy
ky = ; (10.5)
U we

d) wzmocnienie napięciowo – prądowe

U wy
kz = ; (10.6)
I we

e) wzmocnienie mocy

Pwy
kp = > 1; (10.7)
Pwe

We wzmacniaczu moc uzyskana w obwodzie wyjściowym Pwy jest większa

od mocy użytej do sterowania obwodu wejściowego Pwe.

Ze względu na przeznaczenie wymaga się od wzmacniacza dużego

wzmocnienia napięciowego, prądowego lub mocy. W zależności od tego,
który współczynnik wzmocnienia jest istotny w danym układzie, rozróżniamy
wzmacniacze napięciowe, prądowe lub mocy.

Wzmacniacz idealny powinien wzmacniać sygnały, nie powodując

zmian ich kształtu.
We wzmacniaczach rzeczywistych powstają dwojakiego rodzaju
zniekształcenia sygnałów:

1. Zniekształcenia nieliniowe, wywołane np. przez nieliniowość

charakterystyk statycznych niektórych elementów wzmacniacza,
szumy i zakłócenia.
2. Zniekształcenia liniowe, wywołane niejednakowym przenoszeniem
przez wzmacniacz sygnałów o różnych częstotliwościach.

90
10.1. PODSTAWOWE UKŁADY WZMACNIAJĄCE

Podstawowa funkcja wzmacniacza – zwiększenie mocy sygnałów –

może być realizowana przez zastosowanie w układzie wzmacniacza
elementów czynnych. Stosowane są tranzystory bipolarne i unipolarne
(polowe). Elektrody tranzystora można w różny sposób dołączyć do
obciążenia i źródła sygnału (rys.10.2a). Praktyczne zastosowanie znalazły
trzy układy połączeń:
1. Układ o wspólnym emiterze. Oznaczamy go przez WE lub OE
(rys.10.2b). Sygnał jest doprowadzany między emiter i bazę, a obciążenie
jest włączone między kolektor i emiter. Emiter stanowi elektrodę wspólną
dla obwodu wejściowego i wyjściowego.
2. Układ o wspólnym kolektorze. Oznaczony przez WC lub OC (rys.10.2c).
Sygnał jest doprowadzony między bazę i kolektor, a obciążenie jest
włączone między emiter i kolektor. Kolektor stanowi elektrodę wspólną
dla obwodu wejściowego i wyjściowego.
3. Układ o wspólnej bazie. Oznaczony przez WB lub OB (rys.10.2d). Sygnał
jest doprowadzony między emiter i bazę, a obciążenie jest włączone
między kolektor i bazę. Baza stanowi elektrodę wspólną dla obwodu
wejściowego i wyjściowego.
a) b) ID
IC D
We Wy Wy We IG
Źródło obciążenie
We IB UDS
sygnału G
UCE
IS
UBE UGS S
IE 0
c) 0
IE IS
Wy We IG S
We IB
G USD
UEC
UBC UGD ID
IC D
0 0

d) IS ID D
IE IC We Wy
We Wy S

UEB UCB UDG

IB USG
IG
0 G
0
Rys. 10.2. Włączanie tranzystorów.
a) schemat układu, b)układy o wspólnym emiterze WE i wspólnym źródle WS, c) układy o
wspólnym kolektorze WC i wspólnym drenie WD, d) układy o wspólnej bazie WB i
wspólnej bramce WG.

91
10.2. UKŁAD O WSPÓLNYM EMITERZE WE

Jest najpowszechniej stosowaną konfiguracją tranzystora bipolarnego

we wzmacniaczu małej częstotliwości (rys.10.3). W tym układzie źródła
stałych EC i EB służą do spolaryzowania złączy emiterowego i kolektorowego
tranzystora tak, aby znajdował się on w stanie aktywnym. Sygnał wejściowy
doprowadza się między bazę a emiter tranzystora, sygnał wyjściowy pobiera
się z kolektora.

Rys.10.3.Wzmacniacz w układzie WE.

a) schemat, b) ilustracja działania.

Do wejścia doprowadzamy napięcie Uwe = ∆ UBE o wartości dużo mniejszej

niż UBE wynikające z polaryzacji tranzystora. Wskutek dołączenia tego
napięcia nastąpi zmiana prądu bazy. Z prawa Ohma wynika:

∆U BE U we
∆I B = = ; (10.8)
rbe rbe
gdzie: rbe – rezystancja małosygnałowa baza-emiter tranzystora
Zmiana prądu bazy spowoduje zmianę prądu kolektora. Charakterystyki
wyjściowe tranzystora w zakresie aktywnym mają przebieg zbliżony do

92
poziomu, dlatego też możemy przyjąć w przybliżeniu, że IC zależy tylko od
IB, a nie zależy od UCE.

Korzystając z wzoru
∆I C
β0 = ∆U CE → 0 ; (10.9)
∆I B

i zależności 10.8 otrzymujemy

U we
∆I C = β 0 ∆I B = β 0 ; (10.10)
rbe

β0 – małosygnałowy współczynnik wzmocnienia prądowego tranzystora pracującego w

układzie WE

Korzystając z II prawa Kirchhoffa dla obwodu wyjściowego napięcie ma

postać:

U CE = EC − I C RC ; (10.11)

Zmiana prądu kolektora o ∆IC spowoduje zmianę tego napięcia o ∆UCE (przy
stałych wartościach EC i RC). Zmiana ta jest sygnałem wyjściowym i wynosi:

RC
U wy = ∆U CE = − ∆I C RC = −U we β 0 ; (10.12)
rbe

Wzmocnienie napięciowe układu ma postać:

U wy RC
ku = = −β0 ; (10.13)
U we rbe

Jeżeli uwzględnimy zależność prądu IC od napięcia UCE to powyższy wzór

przyjmie postać:

RC rce
ku = − β 0 ; (10.14)
rbe

We wzorze 10.14 symbol RC || rce oznacza wartość równolegle połączonych

rezystancji RC i rce. Znak minus świadczy o tym, że układ odwraca fazę
sygnału wejściowego.

93
Rezystancja wejściowa rwe wzmacniacza w układzie WE składa się z
równolegle połączonej rezystancji baza-emiter rbe tranzystora (rezystancji
wejściowej tranzystora) i rezystancji obwodu polaryzacji bazy RB

rwe = rbe RB ; (10.15)

Rezystancja wyjściowa wzmacniacza pracującego w układzie WE składa się

z równolegle połączonej rezystancji kolektor-emiter rce tranzystora
(rezystancji wyjściowej tranzystora) i rezystancji RC

rwy = rce RC ; (10.16)

Wzmocnienie prądowe zależy od rezystancji obciążenia Ro i ma postać:

rwy
ki = − β 0 ; (10.17)
rwy + Ro

gdy Ro = 0 to wówczas ki = - β0.

Sygnał wejściowy również może być zmienny w czasie. W takim

przypadku prądy i napięcia tranzystora zawierają składowe stałe związane z
polaryzacją i nałożone na nie dużo mniejsze składowe zmienne, związane z
przenoszeniem sygnału. Podane zależności obowiązują również dla wartości
skutecznych i maksymalnych składowych zmiennych.
Sygnały zmienne często doprowadza się do wzmacniacza przez
kondensator CB, a obciążenie dołącza się przez kondensator CC (rys.10.3, linie
kreskowe). Kondensatory sprzęgające CB i CC pozwalają odseparować
składowe zmienne od składowych stałych. Reaktancje tych kondensatorów w
paśmie przenoszenia wzmacniacza są bardzo małe; dla sygnałów zmiennych
stanowią one „zwarcie”.
Działanie wzmacniacza przy sygnale wejściowym sinusoidalnym
pokazano na rysunku 10.3b. Punkt Q jest punktem pracy układu. Jego
położenie zależy od wartości prądów i napięć polaryzujących (stałych).

Właściwości układu o wspólnym emiterze WE:

• W zakresie małych i średnich częstotliwości, przy obciążeniu

rezystancyjnym. Układ odwraca fazę sygnału wejściowego o 180°.
• Układ zapewnia dość duże wzmocnienie napięciowe i prądowe oraz
duże wzmocnienie mocy.
• Rezystancja wejściowa układu jest umiarkowanie mała, zaś
wyjściowa umiarkowanie duża.

94
10.3. UKŁAD O WSPÓLNYM KOLEKTORZE WC

Schemat wzmacniacza pokazano na rysunku 10.4. Układ ten nazywamy

również wtórnikiem emiterowym. Napięcie wejściowe jest doprowadzone
między bazę a emiter. Wskutek tego zmienia się prąd kolektora IC jak również
prąd emitera IE tranzystora. W wyniku czego ulega zmianie spadek napięcia
na rezystorze RE, który jest sygnałem wyjściowym.

Rys. 10.4. Schemat wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym w układzie WC.

Napięcie UBE baza-emiter tranzystora zmienia się nieznacznie przy zmianach

prądu kolektora, dlatego też napięcie wyjściowe jest prawie takie samo jak
napięcie wejściowe

∆U RE = U wy ≈ U we ; (10.18)

Wzmocnienie napięciowe układu o wspólnym kolektorze wynosi

U wy
ku = ≈ 1; (10.19)
U we

Potencjał emitera tranzystora nadąża za potencjałem bazy stąd nazwa układu

– wtórnik emiterowy.

Właściwości układu o wspólnym kolektorze WC:

- W zakresie małych częstotliwości, przy obciążeniu rezystancyjnym.

Układ nie odwraca fazy sygnału wejściowego.
- Wzmocnienie prądowe jest tego samego rzędu co w układzie WE.
- Wzmocnienie napięciowe jest bliskie jedności, stąd nazwa wtórnik.

95
 - Rezystancja wyjściowa jest mała, a rezystancja wejściowa może być
duża. Rezystancję wejściową zmniejsza znacznie bocznikujące
działanie rezystorów polaryzujących bazę.
- Układ transformuje (przenosi) rezystancję z obwodu emitera do
obwodu bazy jako rezystancję (β0 + 1) razy większą, natomiast
każdą rezystancję z obwodu bazy przenosi do obwodu emitera jako
rezystancję (β0 + 1) razy mniejszą. Dlatego też taki układ nazywamy
także transformatorem rezystancji.

Ze względu na dużą rezystancję wejściową i małą rezystancję wyjściową,

układ o wspólnym kolektorze stosujemy jako układy dopasowujące lub
separujące.

10.4. UKŁAD O WSPÓLNEJ BAZIE WB

Schemat wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym w układzie o

wspólnej bazie przedstawiony jest na rysunku 10.5. Ze względu na stabilność
pracy i korzystne właściwości w zakresie wielkich częstotliwości był
stosowany w początkach rozwoju układów tranzystorowych. Obecnie
wykorzystywany jest we wzmacniaczach wielkich częstotliwości.

Rys. 10.5. Schemat wzmacniacza z tranzystorem bipolarnym w układzie WE.

Właściwości układu o wspólnym kolektorze WB:

- W zakresie małych częstotliwości, przy obciążeniu rezystancyjnym.

Układ nie odwraca fazy sygnału wejściowego.
- Wzmocnienie napięciowe jest zbliżone do wzmocnienia układu WE.
- Wzmocnienie prądowe jest mniejsze od jedności.
- Rezystancja wejściowa jest bardzo mała, (β0 + 1) razy mniejsza niż
w układzie WE. Rezystancja wyjściowa jest bardzo duża, (β0 + 1)
razy większa niż w układzie WE.
Wadą tego układu jest mała wartość rezystancji wejściowej.

96
Charakterystyka amplitudowa pokazana jest na rysunku 10.6.

Rys.10.6 Charakterystyka amplitudowa wzmacniacza małej częstotliwości.

10.5. SPRZĘŻENIE ZWROTNE WE WZMACNIACZACH

W układach elektronicznych sprzężenie zwrotne polega na

przekazywaniu części sygnału wyjściowego, zwanego sygnałem zwrotnym, z
wyjścia na wejście układu, gdzie sumuje się on z sygnałem wejściowym,
zmieniając właściwość układu.
Każdy wzmacniacz z obwodem sprzężenia zwrotnego może być
przedstawiony w postaci dwóch wzajemnie niezależnych czwórników, które
reprezentują tor wzmocnienia (jednokierunkową transmisję sygnału z wejścia
na wyjście) i tor sprzężenia zwrotnego (jednokierunkową transmisję sygnału z
wyjścia na wejście) – rys. 10.7.

Xwe Xr Xwy
Σ K
Xwy
Xs

Rys. 10.7. Schemat wzmacniacza ze sprzężeniem zwrotnym.

97
Współczynnik sprzężenia zwrotnego

Xs
β= ; (10.20)
X wy

Wzmocnienie wzmacniacza bez sprzężenia

X wy
K= ; (10.21)
Xr

gdzie:
Xr – sygnał sterujący
Xs – sygnał sprzężenia zwrotnego
Założenie: Xr, Xs są wielkościami rzeczywistymi.

Sygnały X przedstawione w powyższych wzorach mogą być napięciami,

prądami lub innymi wielkościami fizycznymi.

Ponieważ

X r = X we + X s ;

przeto

X wy X wy
K= = ; (10.22)
X we + X s X we + βX wy

Wzmocnienie układu ze sprzężeniem zwrotnym

X wy
Kf = ; (10.23)
X we

po uwzględnieniu zależności (10.22)

K
Kf = ; (10.23)
1 − Kβ

Sprzężenie zwrotne zmienia wartość wzmocnienia, przy czym zależnie od

rodzaju wprowadzonej zmiany rozróżnia się trzy przypadki:

98
1. Jeżeli |1 - Kβ| > 1, to |Kf| < |K|, czyli następuje zmniejszenie wzmocnienia.
Sprzężenie określa się jako ujemne.
2. Jeżeli 0 < |1- Kβ| < 1, to |Kf| > |K|, czyli następuje zwiększenie
wzmocnienia. Sprzężenie określa się jako dodatnie.
3. Jeżeli |1- Kβ| ≈ 0, to wzmacniacz będzie generował drgania, czyli stanie
się generatorem ze sprzężeniem zwrotnym.

Jeżeli wzmocnienie K jest bardzo duże to

1
Kf = − ; (10.24)
β

i o parametrach układu decyduje człon sprzężenia zwrotnego.

We wzmacniaczach stosuje się głównie ujemne sprzężenie zwrotne. Sygnał

sprzężenia zwrotnego Xs ma fazę przeciwną niż sygnał wejściowy Xwe. Sygnał
sterujący wzmacniacz Xr = Xwe – Xs jest mniejszy od sygnału wejściowego
Xwe.

Zalety ujemnego sprzężenia zwrotnego:

- zmniejszenie wrażliwości układu na zmiany parametrów
elementów, warunków zasilania, czynników zewnętrznych itp.,
- zmniejszenie zniekształceń nieliniowych, zakłóceń, szumów,
- możliwość rozszerzania pasma przenoszenia wzmacniacza i
kształtowania zadanych charakterystyk częstotliwościowych,
- możliwość zmiany wartości impedancji wejściowej i wyjściowej,

Zalety te są okupione zmniejszeniem wzmocnienia i stabilności układu w

pewnych zakresach częstotliwości.

Rodzaj i właściwości sprzężenia zwrotnego zależą od sposobu

pobierania sygnału z wyjścia układu oraz od sposobu wprowadzania go na
wejście. W zależności od pobieranego sygnału wyróżnia się:
1. Sprzężenie napięciowe, w którym sygnał sprzężenia (zwrotny) jest
proporcjonalny do napięcia wyjściowego.
2. Sprzężenie prądowe. Sygnał sprzężenia jest proporcjonalny do
prądu wyjściowego.
Ze względu na sposób wprowadzenia sygnału na wejście wzmacniacza
rozróżnia się:
1. Sprzężenie szeregowe. Sygnał sprzężenia jest wprowadzany
szeregowo z sygnałem wejściowym.

99
 2. Sprzężenie równoległe. Sygnał sprzężenia jest wprowadzany
równolegle z sygnałem wejściowym.

W układach ze wzmacniaczem operacyjnym objętym ujemnym sprzężeniem

zwrotnym właściwości wzmacniacza i ujemnego sprzężenia powodują
wyrównanie napięć na obu wejściach wzmacniacza. Na podstawie tej
właściwości wyznacza się zwykle wzmocnienie całego układu.

10.6. WZMACNIACZE OPERACYJNE.

Wzmacniacze operacyjne stanowią największą grupę analogowych

układów scalonych. Charakteryzują się następującymi właściwościami:

- bardzo dużym wzmocnieniem napięciowym (powyżej 10000 V/V

czyli 80dB),
- wzmacniają prąd stały ,
- odwracają fazę sygnału wyjściowego w stosunku do sygnału
podawanego na wejściu odwracające (oznaczenie „ – „) lub
zachowują zgodność w fazie jeżeli sygnał wejściowy jest podawany
na wejście nieodwracające (oznaczenie „ + „),
- dużą rezystancję wejściową (MΩ),
- małą rezystancję wyjściową (Ω).

We1
Wy
We2
Uwe1
Uwy
Uwe2

Rys. 10.8. Symbol wzmacniacza operacyjnego.

Podział wzmacniaczy ze względu na przeznaczenie:

• ogólnego przeznaczenia,
• szerokopasmowe,
• stosowane w urządzeniach dokładnych, gdzie wymagana jest duża
rezystancja wejściowa, mały współczynnik cieplny i małe szumy,
• do zastosowań specjalnych.

100
Parametry wzmacniacza operacyjnego idealnego

Idealny wzmacniacz operacyjny powinien wykazywać następujące

właściwości:

- nieskończenie duże wzmocnienie przy otwartej pętli sprzężenia

zwrotnego (K → ∞);
- nieskończenie szerokie pasmo przenoszonych częstotliwości;
- nieskończenie dużą impedancję wejściową (między wejściami oraz
między wejściami a masą);
- impedancję wyjściową równą zeru;
- napięcie wyjściowe równe zeru przy sterowaniu sygnałem
nieróżnicowym (wspólnym);
- wzmocnienie idealne różnicowe, a więc nieskończenie duże
tłumienie sygnału nieróżnicowego;
- niezależność parametrów od temperatury.

Parametry wzmacniacza operacyjnego rzeczywistego.

- Wzmocnienie napięciowe różnicowe Kur.

- Wzmocnienie napięciowe sumacyjne Kus.
- Współczynnik tłumienia sygnału sumacyjnego Hs.
- Rezystancja (impedancja) wejściowa różnicowa rwer(Zwer).
- Rezystancja (impedancja) wejściowa sumacyjna rwes(Zwes).
- Rezystancja (impedancja) wyjściowa rwy (Zwy).
- Wejściowy prąd polaryzacji Iwe.
- Wejściowe napięcia niezrównoważenia Uwen.
- Wejściowy prąd niezrównoważenia Iwen.
- Dryfty: temperaturowy i czasowy wejściowego napięcia i prądu
niezrównoważenia.
- Parametry graniczne: maksymalne napięcie wejściowe Uwe max,
maksymalne różnicowe napięcie wejściowe Uwer max, maksymalne
napięcie wyjściowe Uwy max, maksymalny prąd wyjściowy Iwy max.
- Napięcie Uz i moc Pz zasilania.
- Szerokość pasma częstotliwości – określana częstotliwością
graniczną fg, marginesem wzmocnienia A i marginesem fazy α.
- Parametry odpowiedzi na skok napięcia: czas narastania tn, szybkość
narastania S, przeregulowanie (przerzut) δu.

Zastosowanie wzmacniaczy operacyjnych.

101
Stosowane są głównie w:
a) układach analogowych, gdzie wykonują operacje: dodawania,
odejmowania, mnożenia, dzielenia, całkowania i różniczkowania,
b) wzmacniaczach logarytmicznych,
c) generatorach sygnałów: prostokątnych, trójkątnych i sinusoidalnych,
d) filtrach,
e) detektorach liniowych i detektorach wartości szczytowej,
f) układach próbkujących z pamięcią.

Podstawowe układy pracy wzmacniaczy operacyjnych

1. Wzmacniacz odwracający,
2. Wzmacniacz nieodwracający,
3. Wzmacniacz sumujący i odejmujący,
4. Wzmacniacz całkujący,
5. Wzmacniacz różniczkujący,
6. Wtórnik napięciowy,
7. Konwerter prąd – napięcie,
8. Przesuwnik fazy,
9. Prostownik idealny.

Procedura do przeprowadzenia analizy pracy wzmacniacza operacyjnego:

1. Zakłada się, że
- rezystancja wejściowa wzmacniacza operacyjnego jest
nieskończenie duża (wzmacniacz nie pobiera prądów
wejściowych),
- wartości prądów polaryzujących są równe zeru

I we − = I we + = 0 ; (10.25)

2. Literami oznacza się węzły na schemacie (np. A, B) i ich potencjały

(np. UA, UB).
3. Zaznacza się prądy płynące w układzie (np. I1, I2).
4. Korzystając z praw Kirchhoffa, układa się równania dla węzłów
znajdujących się w układzie (np. dla węzła A i B).
5. Zakłada się, że różnica napięć ∆U = U A − U B jest prawie równe zeru,
a co za tym idzie potencjał w punkcie A (UA) jest równy
potencjałowi w punkcie B (UB). UB nazywamy masą pozorną lub
„wirtualną” ziemią.
6. Korzystając z prawa Ohma, układa się równania dla poszczególnych
prądów.

102
 7. Na podstawie otrzymanych równań wyznacza się zależność napięcia
wyjściowego w funkcji napięcia wejściowego (ewentualnie napięć
wejściowych).

10.7. WZMACNIACZ ODWRACAJĄCY

Rys.10.9. Schemat wzmacniacza odwracającego.

Schemat wzmacniacza przedstawiono na rysunku 10.4. Postępując zgodnie z

procedurą na schemacie zaznaczone są węzły A i B i prądy płynące w
układzie. Prąd płynący przez rezystor R1 jest równy prądowi płynącemu przez
rezystor R2. Przy założeniu, iż jest nieskończenie duża rezystancja wejściowa
oraz rezystancja wyjściowa równa zeru. W myśl tego otrzymujemy:

I1 = I 2 ;

Dla węzła B nie układamy równania, gdyż prądy polaryzujące są równe zeru.
I zgodnie z założeniami zawartymi w procedurze, w punkcie 1 i 5 mamy:

U A = UB = 0 ;

Węzeł B jest połączony przez rezystor R3 do masy układu, zatem potencjał w

punkcie B jest równy zeru, jest to tak zwany punkt masy pozornej.

Zgodnie z 6 i 7 punktem procedury, równania poszczególnych prądów są

następujące:

U we − U A
I1 = ;
R1

103
 U A − U wy
I2 = ;
R2
Ponieważ
U we − U A U A − U wy
= ;
R1 R2

U we − U wy
= ;
R1 R2

otrzymujemy napięcie na wyjściu równe:

R2
U wy = − U we ; (10.26)
R1

a wzmocnienie układu wynosi

U wy R2
ku = =− ; (10.27)
U we R1

przy czym znak „ - „ oznacza odwrócenie fazy napięcia wyjściowego

względem napięcia wejściowego. Rezystancja wejściowa układu jest równa
R1, ponieważ punkt A jest punktem masy pozornej. Rezystancję wyjściową
określa się zgodnie z zależnością obowiązującą dla układu ze sprzężeniem
zwrotnym napięciowym równoległym.
W celu uzyskania kompensacji błędu (napięcia niezrównoważenia)
spowodowanego różnymi pod względem wartości prądami polaryzującymi
Iwe+ i Iwe- (Iwe+ ≠ Iwe- ≠ 0), wartość rezystancji R3 powinna być równa wartości
rezystancji wynikającej z równoległego połączenia rezystorów R1 i R2.
Jeżeli rezystory te będą miały jednakową rezystancję, to otrzymuje się
inwerter (wzmocnienie równe – 1).

104
10.8. WZMACNIACZ NIEODWRACAJĄCY

Rys. 10.10. Schemat wzmacniacza nieodwracającego.

Sygnał wejściowy jest podawany na wejście nieodwracające wzmacniacza

operacyjnego.
Według procedury:
I1 = I 2 ;

U B = U we = U A ;

U we U wy − U we
I1 = ; I2 = ;
R1 R2

U we U wy − U we
= ;
R1 R2

napięcie na wyjściu wynosi

U wy =
(R 1
+ R2 )U we
; (10.28)
R1

natomiast wzmocnienie wynosi

R1 + R2
U wy R
ku = =
=1+ 2 ; (10.29)
U we R1 R1
Napięcia na wejściu odwracającym i wejściu nieodwracającym mają taką
samą wartość, zatem rezystancja wejściowa układu jest równa rezystancji

105
wzmacniacza operacyjnego dla sygnału współbieżnego. Rezystancja
wejściowa jest bardzo duża i w praktyce wynosi 1010 ÷ 1013 Ω.

10.9. WTÓRNIK NAPIĘCIOWY

Wtórnik napięciowy uzyskuje się we wzmacniaczu nieodwracającym

przy zastosowaniu rezystora o nieskończonej wartości. Wartość rezystancji R
powinna być równa wartości rezystancji źródła sygnału wejściowego. Taki
układ charakteryzuje się bardzo dużą rezystancją wejściową i małą
rezystancją wyjściową.

U wy = −U we ; (10.30)

Rys. 10.11. Schemat wtórnika napięciowego.

10.10. WZMACNIACZ ODEJMUJĄCY

Wzmacniacz odejmujący jest często zwany również różnicowym.

Realizuje on odejmowanie napięć wejściowych w odpowiednim stosunku
zależnym od wartości rezystorów znajdujących się w układzie. Schemat
wzmacniacza odejmującego przedstawiony jest na rysunku 10.12.

Analiza pracy według procedury przedstawionej wcześniej:

UA =UB ;

I1 = I 3 ; I2 = I4 ;

106
 Rys. 10.12. Schemat wzmacniacza różnicowego.

U1 − U A U A − U wy
I1 = ; I3 = ;
R1 R3

U1 − U A U A − U wy
= ;
R1 R3

stąd
U wy R1 + U1R3
UA = ; (10.31)
R1 + R2

U2 − UB UB
I2 = ; I4 = ;
R2 R4

U2 −UB UB
= ;
R2 R4

stąd
U 2 R4
UB = ; (10.32)
R2 + R4

Po przekształceniu wzorów (10.31) i (10.32) otrzymujemy:

U wy = −
R3 (R + R3 )R4 U ;
U1 + 1 (10.33)
R1 (R2 + R4 )R1 2
jeśli spełniony będzie warunek

107
 R3 R4
= ; (10.34)
R1 R2
to

U wy =
R3
(U 2 − U1 ) ; (10.35)
R1

Rezystancja wejściowa dla wejścia odwracającego, przy U2 = 0 jest równa

R1 + R3, a dla wejścia nieodwracającego R2 + R4. Kompensacje błędu
spowodowanego wejściowymi prądami polaryzującymi uzyskuje się w
wyniku zastosowania rezystorów spełniających warunek R1 || R3 = R2 || R4.

10.11. WZMACNIACZ SUMUJĄCY

Za pomocą tego wzmacniacza łatwo można zrealizować dodawanie.

Rys. 10.13. Schemat wzmacniacza sumującego.

Korzystając z procedury analizy pracy wzmacniacza operacyjnego

otrzymujemy:
UA =UB = 0;

I1 + I 2 + K I n = I

108
 U1 U2 Un
I1 = ; I2 = ; ...; In = ;
R1 R2 Rn

R
I= ;
U wy

U U U 
U wy = − R 1 + 2 + K + n  ; (10.36)
 R1 R2 Rn 

U wy = − RI ; (10.37)

Wartość rezystancji RR powinna być równa rezystancji wynikającej z

równoległego połączenia rezystorów R1, R2, ... Rn i R.
W wyniku połączenia wzmacniacza różnicowego i sumującego otrzymujemy
układ realizujący jednocześnie sumowanie i odejmowanie napięć.
W celu uniknięcia błędów należy pamiętać, aby rezystancje „widzialne”
między wejściem wzmacniacza operacyjnego a masą były jednakowe dla obu
wejść wzmacniacza operacyjnego.

10.12. WZMACNIACZ CAŁKUJĄCY – INTEGRATOR

Integrator otrzymuje się poprzez włączenie kondensatora C w obwód

sprzężenia zwrotnego.

I1 = I ;

CU = Q ;

CdU = idt ;

U we dU wy
I1 = ; I = −C ;
R1 dt

U we dU wy
= −C ;
R1 dt

dU wy 1
=− U we ;
dt CR1

109
Napięcie wyjściowe można wyznaczyć poprzez scałkowanie obu stron
równania

U wy (t ) = − ∫ U we (t )dt + U 0 ;
1
(10.38)
CR1

U0 – wartość początkowego napięcia w chwili początkowej t = 0.

Stąd też nazwa układu jako całkujący.

a) b)
R2

C
C
R1 I1 I R1

Uwe Uwe Uwy

R2 Uwy R3

Rys.10.14. Schematy integratora:

a) układ podstawowy,
b) układ z obwodem RC w pętli sprzężenia zwrotnego

Korzystając z zapisu operatorowego

1
Z1 = R ; Z2 = ;
j ωC

możemy określić wzmocnienie układu

Z2 1
ku = − =− ; (10.39)
Z1 jωR1C

Wzmocnienie integratora zależy od częstotliwości sygnału. Jeżeli powyższy

układ zostanie zmodyfikowany przez dołączenie rezystora R2 równolegle do
kondensatora C (rys 10.14b) to nastąpi ograniczenie wzmocnienia dla małych
częstotliwości – otrzymuje się człon inercyjny. Wzmocnienie tego układu
oblicza się ze wzoru:
R2 1
ku = − ; (10.40)
R1 jωR2 C

110
 1
Dopiero powyżej dolnej częstotliwości granicznej f d = , człon ten
2ΠR2 C
działa jako integrator.

Przykład układu całkującego.

Układami całkującymi są dolnoprzepustowe filtry pierwszego rzędu, tj.

filtry o nachyleniu charakterystyki -6 dB na oktawę (-20 dB na dekadę).
Przykładem może być poznany wcześniej wzmacniacz operacyjnym (rys.
10.15a). Wzmacniacz operacyjny w tym układzie jest objęty ujemnym
sprzężeniem zwrotnym, można przyjąć (dla ku ∞), że napięcia na jego
wejściu odwracającym i nieodwracającym są takie same. Z tego powodu
U we
wartość prądu wejściowego wynosi . Prąd ten przepływa przez
R
kondensator. napięcie wyjściowe jest równe napięciu na kondensatorze.
Układ zapewnia sterowanie kondensatora prądem proporcjonalnym do
wartości napięcia wejściowego. Praca tego układu odpowiada ładowaniu lub
rozładowania pojemności przez źródło prądowe prądem proporcjonalnym do
wartości napięcia wejściowego. Ponieważ kondensator jest układem
całkującym prąd, to ten układ jest układem całkującym napięcie.

Rys. 10.15. Wzmacniacz całkujący.

a) schemat zasadniczy, b) przebieg napięcia wejściowego, c) przebieg napięcia
wyjściowego.

Na rysunku 10. 15c przedstawiono przebiegi wyjściowe w opisanym

układzie, powstałe wskutek podania na wejście wzmacniacza napięcia o
przebiegu pokazanym na rys. 10.15b. Układ ten z bardzo dużym

111
przybliżeniem realizuje operację całkowania. Jego przebiegi wyjściowe maja
praktycznie taki sam kształt jak przebiegi idealne (rys. 10.15b).

Zastosowanie układów całkujących.

Układy całkujące stosujemy przede wszystkim:

- w generatorach, do kształtowania przebiegu liniowego, trójkątnego i
piłokształtnego,
- w filtrach,
- w układach wyznaczania wartości średniej.

10.13. WZMACNIACZ RÓŻNICZKUJĄCY

Wzmacniacz różniczkujący uzyskuje się przez zastąpienie rezystora,

włączonego na wejściu odwracającego wzmacniacza operacyjnego,
kondensatorem C (rys 10.16).
R1
CI I
c

Uwe Uwy
R2

Rys. 10.16. Schemat wzmacniacza różniczkującego.

Wzmocnienie napięciowe takiego układu

Z1
ku = − ; (10.41)
Z2
gdzie
1
Z 2 = R1 ; Z1 = ;
jω C

po wykonaniu przekształceń otrzymujemy:

k u = − jωR1C ; (10.42)

Analiza pracy wzmacniacza

IC = I ;

112
 dU we U wy
IC = C ; I =− ;
dt R1

dU we U
C = − wy ;
dt R1

Po wykonaniu odpowiednich przekształceń otrzymujemy:

dU we (t )
U wy (t ) = −CR1 ; (10.43)
d (t )

Jest to zależność napięcia wyjściowego od napięcia wejściowego w funkcji

czasu.
Wzmacniacz różniczkujący ma wiele wad m.in. jest wrażliwy na szumy
sygnału o wielkiej częstotliwości oraz skłonności do oscylacji.

10.14. KONWERTER PRĄD – NAPIĘCIE

Układ, który przetwarza sygnał prądowy na sygnał napięciowy jest

nazywany konwerterem prąd – napięcie (rys.10.17)
R

Uwe Uwy

Rys.10.17. Schemat konwertera prąd – napięcie.

Na podstawie analizy pracy wzmacniacza operacyjnego otrzymujemy:

U wy = − IR ; (10.44)

Układ ten charakteryzuje się małą rezystancją wejściową. Może on

współpracować tylko ze źródłami prądowymi o dużej rezystancji
wewnętrznej, ponieważ jego wejście stanowi masę pozorną. Wartość prądu
wejściowego I nie zależy wówczas od parametrów układu konwertera, ale od
źródła sygnału wejściowego.

113
10.15. PRZESUWNIK FAZY

Przesuwnikiem fazy nazywamy układ przesuwający fazę napięcia

wyjściowego względem napięcia wejściowego.

Zależność między napięciem wyjścia od napięcia wejściowego

1 − jωCR2
U wy = − U we ; (10.45)
1 + jωCR2

U wy = (a + jb )U we ;

(1 − jωCR )(1 − jωCR )

U wy = −
2
U we ;
(1 + jωCR )(1 − jωCR )
2 2

U wy =−
(1 − jωCR ) 2
2

U we ;
1 + ω 2 C 2 R22

1 − 2 jωCR2 − ω 2 C 2 R22
U wy =− U we ;
1 + ω 2 C 2 R22

1 − 2 jωCR2 − ω 2 C 2 R22
U wy =− U we ;
1 + ω 2 C 2 R22

1 − ω 2 C 2 R22 − 2 jωCR2
U wy =− U we ;
1 + ω 2 C 2 R22

b
φ = ar ctg ;
a

2ωCR2
φ = ar ctg ; (10.46)
1 − ω 2 C 2 R22

Jeżeli amplituda sygnału wejściowego będzie stała, a zmieni się jedynie jego
częstotliwość, to amplituda sygnału wyjściowego będzie również stała,
zmieni się natomiast przesunięcie fazy sygnału wyjściowego względem
sygnału wejściowego.
Układ ten jest odpowiednikiem wzmacniacza odejmującego, w którym do obu
wejść jest doprowadzone jedno napięcie. W wyniku zamiany rezystora na

114
kondensator, na wejście nieodwracające wzmacniacza jest podawany sygnał
wejściowy przesunięty w fazie.

Rys. 10.18. Schemat zasadniczy przesuwnika fazy.

Zmieniając wartość rezystancji R2 (rezystor regulowany) od 0 do ∞ (przy

stałej częstotliwości napięcia wejściowego), uzyskuje się w układzie
przesunięcie fazowe od - 180° do - 360°.
Jeżeli rezystancja R2 = 0, to wejście nieodwracające jest podłączone do masy
– jego potencjał jest równy zeru. Schemat układu sprowadza się wtedy do
postaci przedstawionej na rysunku 10.18b. Jest to schemat wzmacniacza
odwracającego o wzmocnieniu ku = -1 i przesunięciu fazowym wynoszącym -
180°.
Jeżeli rezystancja R2 = ∞, to napięcie podawane na wejście nieodwracające
jest równe napięciu wejściowemu. Schemat układu przedstawiony jest na
rysunku 10.18c.
Przy bardzo dużym wzmocnieniu napięciowym wzmacniacza operacyjnego
(kuo → ∞) napięcie na wejściu nieodwracającym jest w przybliżeniu równe
napięciu na wejściu odwracającym U- = U+ = Uwe. Spadek napięcia na
rezystorze R1 (wywołany przepływem prądu I) wynosi zero.

Wartość prądu wejściowego:

∆U
I= = 0.
R

Różnica napięć między wejściem odwracającym a wyjściem U- = Uwy = 0.

wynika z tego, że Uwy = Uwe. Układ wówczas jest wtórnikiem napięciowym, a
jego przesunięcie fazowe wynosi 0°.

115
Rozdział XI. GENERATORY.

Generatory to układy elektroniczne, które przetwarzają energię źródła

przebiegu stałego na energię przebiegu zmiennego wyjściowego
(impulsowego lub okresowego). Wytwarzają przebiegi elektryczne o
określonym kształcie. W zależności od kształtu wytarzanego przebiegu,
wyróżniamy następujące generatory:
• impulsowe,
• sinusoidalne,
• przebiegu prostokątnego,
• przebiegu liniowego (trójkątnego, piłokształtnego).

W poniższej tabeli przedstawiono symbole, kształty sygnałów wyjściowych i

odpowiadające im widma częstotliwościowe.
Tabela 11.1.

Podstawowe rodzaje generatorów.

Szczególnymi rodzajami generatorów są następujące generatory:

• Wyzwalane. Generatory, w których pojawienie się na wyjściu

impulsu zadanego kształtu lub ciągu impulsów jest uwarunkowane
wcześniejszą obecnością na wejściu impulsu wyzwalającego.
• Synchronizowane. Wytwarzają one przebieg o zadanym kształcie
bez względu na to co jest na wejściu tzn. czy są impulsy
pobudzające czy też nie. Impulsy te służą do ustawienia fazy
generowanego sygnału.
• Sterowane. Generatory w których częstotliwość jest zależna od
wartości napięcia lub prądu sygnału wejściowego.
11.1. GENERATORY NAPIĘCIA SINUSOIDALNEGO

116
 Drgania sinusoidalne można uzyskać dwoma sposobami:
1. Polega na utworzeniu takiego wzmacniacza, który dla jednej ściśle
określonej częstotliwości sygnału miałby wzmocnienie równe
nieskończoności (generator sprzężeniowy).
2. Polega na odtłumieniu rzeczywistego obwodu rezonansowego LC
elementem o ujemnej rezystancji (generator dwójkowy) celem
skompensowania rezystancji strat. Sposób ten wykorzystywany jest
głównie w zakresie wielkich częstotliwości.

11.2. WZMACNIACZ JAKO GENERATOR. WARUNKI GENERACJI.

Warunki powstawania drgań we wzmacniaczu pokazano na rysunku 11.2.

ku
Uwe Uwy

βf

Rys. 11.2. Schemat funkcjonalny wzmacniacza ze sprzężeniem zwrotnym (generatora

sprzężeniowego).

Wzmocnienie takiego wzmacniacza ma postać:

U wy ku
k uf = = ;
U we 1− ku β f

Wzmocnienie to dąży do nieskończoności, gdy mianownik dąży do zera

1− ku β f
=0 ; ku β f
= 1;

Wzmocnienie wzmacniacza i toru sprzężenia zwrotnego można przedstawić

w postaci wykładniczej:
jϕ
k u = k u e jϕ ; β f = βfe ;
K β

czyli:

117
 jϕ β
ku β f
= k u e jϕ K ⋅ β f e = 1;

gdzie ϕK – przesunięcie fazy w układzie wzmacniacza, ϕβ - przesunięcie fazy w układzie

sprzężenia zwrotnego.

Z rachunku liczb zespolonych wynika, aby dwie liczby były sobie równe
muszą mieć równe moduły i fazy. Zatem

ku β f = 1 ; (11.1)

Warunek (11.1) nazywa się amplitudowym warunkiem powstawania

drgań.

ϕ K + ϕ β = 0° + n ⋅ 360° (11.2)

Warunek (11.2) nazywamy fazowym warunkiem powstawania drgań.

Jeśli chcemy otrzymać drgania sinusoidalne, to warunki te muszą być łącznie

spełnione dla jednej określonej częstotliwości (f0).
Wtedy warunek amplitudy ma postać:

ku ( f 0 ) ⋅ β f ( f 0 ) = 1;

a warunek fazy przybiera postać:

ϕ K ( f 0 ) + ϕ β ( f 0 ) = 0° + n ⋅ 360° .

Wnioskujemy, że za pomocą czwórnika β realizuje się dodatnie sprzężenie

zwrotne.

11.3. PARAMETRY GENERATORÓW PRZEBIEGU

SINUSOIDALNEGO

Podstawowym parametrem jest częstotliwość f0 generowanego

przebiegu. Jest to częstotliwość przy której są spełnione obydwa warunki
powstawania drgań.
Innym parametrem generatorów jest stałość częstotliwości generowanego
przebiegu – stosunek średniej wartości odchyłki częstotliwości do
wartości nominalnej (f0) częstotliwości. Wyrażana jest liczbą
niemianowaną. W zależności od tego, za jaki okres czasu wyznacza się
średnią wartość odchyłki częstotliwości, wyróżnia się stałość krótko- i
długoterminową.

118
Innym ważnym parametrem jest również współczynnik zawartości
harmonicznych oraz zakres i charakter przestrajania generatora.
Generatory mogą być przestrajane napięciem, prądem lub zmianą punktu
pracy elementów aktywnych albo zmianą parametrów sprzężenia zwrotnego.

11.4. GENERATOR LC ZE SPRZĘŻENIEM ZWROTNYM

W generatorach LC ze sprzężeniem zwrotnym czwórnik sprzężenia
zwrotnego ma postać czwórnika typu Π, złożonego z elementów
reaktancyjnych X1, X2, X12 (przy założeniu elementów idealnych
Z 1 = jX 1 , Z 2 = jX 2 , Z 12 = jX 12 ).

X12

X1 X2 U2
U1

Rys. 11.1. Schemat ogólny układu LC ze sprzężeniem zwrotnym.

Warunek amplitudy

X1 X
Ku = −Ku 1 = 1 ;
X 2 + X 12 X2

Warunek fazy
X 1 + X 2 + X 12 = 0 ;

Z warunku amplitudy można wyznaczyć wzmocnienia wzmacniacza

konieczne do wzbudzenia drgań. Warunek ten jest możliwy do spełnienia
jeżeli reaktancje X1 i X2 mają takie same znaki, tzn. obie są charakteru
pojemnościowego lub indukcyjnego przy założeniu, że wzmacniacz odwraca
fazę (Ku jest wtedy ujemne).
Z warunku fazy wynika, że jeżeli reaktancję X1 i X2 mają charakter
indukcyjny, to X12 musi mieć charakter pojemnościowy i odwrotnie, jeżeli X1
i X2 mają charakter pojemnościowy, to X12 musi mieć charakter indukcyjny. Z
warunku można wyznaczyć częstotliwość drgań.
11.5. GENERATOR MEISSNERA

119
 W generatorze Meissnera sprzężenie zwrotne realizowane jest za
pomocą transformatora, zapewniającego przesunięcie fazy równe 180°
(ϕβ = 180°) dzięki odpowiedniemu połączeniu uzwojeń. Uzwojenie wtórne o
indukcyjności L wraz z kondensatorem C tworzy obwód rezonansowy.
Parametry tego obwodu określają częstotliwość drgań.

1
f0 = .
2π LC

Część zmiennego napięcia wyjściowego, występującego w kolektorze

(drenie) tranzystora, oddziałuje za pośrednictwem transformatora na bazę
(bramkę) tego tranzystora. Ponieważ przy częstotliwości rezonansowej
napięcie na kolektorze (drenie) jest przesunięte względem napięcia na bazie
(bramce) o wartość π to warunek fazy wymaga, żeby transformator
wprowadzał dalsze przesunięcie fazy o π. Przekładnię transformatora dobiera
się tak, aby był spełniony warunek amplitudy.

Rys.11.2. Schemat zasadniczy generatora Meissnera.

11.6. GENERATOR Z MOSTKIEM WIENA

Generatory z mostkiem Wiena należą do generatorów częstotliwości

akustycznych i ponadakustycznych, tzn. generują drgania sinusoidalnie
zmienne w zakresie od kilku Hz do ok. 1 MHz. Nazwa tych generatorów
pochodzi od rodzaju sprzężenia zwrotnego, w którym zastosowano mostek
Wiena.

120
 Rys. 11.3. Schemat strukturalny generatora RC z mostkiem Wiena.

Generatory te mają dobrą stałość częstotliwości i małe zniekształcenia

nieliniowe. Mostek ma dwie gałęzie zawierając elementy RC oraz dwie
gałęzie zawierające rezystory. Czwórnik selektywny stanowi półmostek
Wiena, czyli elementy R1, C1, R2, C2. Jest on włączony między wejście
nieodwracające wzmacniacza i wyjście, tworząc obwód dodatniego
sprzężenia zwrotnego. Rezystory R3, R4 tworzą obwód ujemnego sprzężenia
zwrotnego.

Stan równowagi mostka występuje przy pulsacji

1
ω0 = ;
R1C1 R2 C 2

Jeżeli R1 = R2 = R oraz C1 = C2 = C (mostek symetryczny), to otrzymujemy:

1
ω0 = ;
RC

Warunek amplitudy wyraża się zależnością:

R3 R1 C 2
= + ;
R4 R2 C1
a w mostku symetrycznym
R3
= 2;
R4
W stanie idealnej równowagi mostka napięcie na jego wyjściu wynosi
zero. Aby wzbudzić generator czyli wywołać drgania, należy uzyskać
nieskończenie duże wzmocnienie wzmacniacza. Dlatego też w praktyce
mostek nie jest idealnie zrównoważony. Rezystancje R3 i R4 dobiera się tak,
aby ich stosunek był większy niż 2.
Gałęzie R3 i R4 mostka nie mają wpływu na częstotliwość drgań. Rezystory te
można zastąpić elementami nieliniowymi w celu automatycznej stabilizacji

121
amplitudy sygnału wyjściowego. Do stabilizacji amplitudy stosuje się:
żarówki, termistory lub tranzystory unipolarne (polowe).

C
U1

U2
R C

Rys. 11.4. Zmodyfikowany układ mostka Wiena.

Zmodyfikowany układ mostka Wiena pokazano na rysunku 11.4. napięcie

wyjściowe jako funkcja napięcia wejściowego dane jest równaniem

(
R− j1
ωC )
R− j1
U2 = ωC
( ωC )
U1 ;
R − 
(R− j1 +
ωC  R − ) j1
j1 
 ωC 

− jR R
U2 ω C ωC
U1 
=
R − j
1 
2

 − ωC
jR
=
R
ωC + j R− j 1
ωC
=
( )
 ωC  ;
R R
ωC ωC
=
(R )
ωC + jR +
2 2 (
R )
ωC − j ω 2 C 2
1
=
3 R (
ωC + j R − ω 2 C 2
2 1 ) ( )

W celu uzyskania w układzie przesuwnika przesunięcia fazy równemu zeru,

część urojona wyrażenia musi stać równa zeru przy pulsacji ω0:

1
R2 − = 0;
ω C2 2
0

czyli

122
 1
ω0 = ;
RC
oraz
1
f0 = ;
2πRC
Stosunek napięć U 2 wynosi:
U1
R
U2 ω 0C 1
= = ;
U 1 3R 3
ω 0C
Na rysunku 11.5 pokazano zależność stosunku napięcia wyjściowego do
wejściowego i kąta fazowego jako funkcji częstotliwości, jego maksimum
(U2/U1=1/3) występuje przy częstotliwości quasi-rezonansowej, przy której
kąt fazowy jest równy zeru.

Rys. 11.5. Charakterystyki do układu z rys.11.4.

11.7. GENERATOR RC Z PRZESUWNIKIEM FAZY

W generatorze RC z przesuwnikiem fazy stosowany jest zazwyczaj

jednostopniowy wzmacniacz dający przesunięcie o 180°. Napięcie wyjściowe
wzmacniacza doprowadzone jest zwrotnie na jego wejście poprzez układ
przesuwnika fazy. Przesuwnik fazy musi spowodować przy jednej określonej
częstotliwości przesunięcie fazy o 180°, aby w ten sposób uzyskać dodatnie
sprzężenie zwrotne, konieczne do wywołania generacji. Jeśli wzmocnienie
wzmacniacza wynosi ku, to dla podtrzymania drgań tłumienie wprowadzone
poprzez przesuwnik nie może być większe niż 1 k u .
Generator z przesuwnikiem fazy charakteryzuje się małą stałością
częstotliwości, dużymi zniekształceniami nieliniowymi, trudnością strojenia.
Generatory te stanowią tanie układy miernej jakości o stałej częstotliwości.
Wzmocnienie wzmacniacza układu generatora z przesuwnikiem fazowym
typu drabinkowego musi wynosić 29.

123
 Rys. 11.6. Schemat generatora z przesuwnikiem fazy.

W tych generatorach przesunięcie fazy toru wzmacniającego wynosi 180°. W

torze sprzężenia zwrotnego przesunięcie fazy powinno wówczas wynosić
180° lub - 180°. Czwórnikiem sprzężenia zwrotnego jest trójsegmentowy filtr
drabinkowy RC. W generatorze przedstawionym na rysunku 11.7a użyto
filtrów górnoprzepustowych, a w generatorze przedstawionym na rysunku
11.7b użyto filtrów dolnoprzepustowych. Nachylenie charakterystyki fazowej
ϕ K + ϕ β , jest małe i odpowiada dobroci obwodu rezonansowego o wartości
bliskiej 2. Oznacza to, że generatory te charakteryzują się małą stałością
częstotliwości oraz dużymi zniekształceniami nieliniowymi. Lepsze
parametry posiada generator z mostkiem Wiena.

a)

b)

124
 Rys. 11.7. Schematy generatora RC z przesuwnikiem fazowym układu sprzężenia
zwrotnego o: a) 180°, b) - 180°.

WEJŚCIE WZMACNIACZ WYJŚCIE

PRZESUWNIK PRZESUWAJĄCY
FAZY FAZĘ O 180°

Rys. 11.8. Schemat blokowy generatora z przesuwnikiem fazy.

Wyprowadzenie podstawowych wzorów:

C C C

U1 I1 R I2 R I3 R U2

Rys.11.9. Pomocniczy układ generatora RC z przesuwnikiem fazy.

 1 
R − j I − I R = U1 ;
 ωC  1 2
 1 
− RI 1 +  2 R − j  I − RI 3 = 0 ;
 ωC  2
 1 
− R2 I 2 +  2 R − j  = 0;
 ωC 
I3R = U 2 ;

R 2U 1
I3 = 2
;
 1  1  2 1  2 1 
R − j  2 R − j  − R  2R − j  − R R − j 
 ωC  ωC   ωC   ωC 

I3R = U 2 ;

125
 2
 1  1  2 1  2 1 
R − j  2 R − j  − R  2R − j  − R R − j 
U1  ωC  ωC   ωC   ωC 
= ;
U2 R3

2
U1  1  1  2
= 1 − j  2 − j  −3+ j ;
U2  ωRC  ωRC  ωRC

U1  5   6 1 
= − 2 2 2 − 1  − j  − 3 3 3 ;
U2 ω R C   ωRC ω R C 

6 1
− 3 3 3 = 0;
ωRC ω R C

1
ω0 = ;
6 RC

1
f0 = ;
2π 6 RC

U1 5  5 
= 2 2 2 − 1 = − −  = −29 ;
( )
1
U2 ω R C
2
 6 RC R C2 2


Wzmocnienie musi być równe 29.

126
Rozdział XII. MODULACJA I DEMODULACJA

Podstawowym celem modulacji jest nałożenie sygnałów zawierających

pożądaną informację na prąd nośny wielkiej częstotliwości. Nakładanie
realizuje się po to, aby przesłać informację na tej właśnie wielkiej
częstotliwości. Przesłanie sygnału w jego naturalnym paśmie za pomocą fal
radiowych jest prawie we wszystkich przypadkach niemożliwe. Istnieją takie
zakresy fal elektromagnetycznych.

Modulacją nazywamy proces przemieszczania informacji zawartej w

pewnym paśmie częstotliwości do innego pasma częstotliwości, a więc
pewnego rodzaju kodowania informacji.

Demodulacją nazywamy proces dekodowania, czyli przywracania

sygnałowi jego pierwotnego kształtu.

Przebieg, za pomocą którego przesyła się sygnał, nosi nazwę przebiegu

nośnego lub fali nośnej. Sam sygnał nazywany jest często przebiegiem
modulującym lub częstotliwością modulującą.
Rozważając sinusoidalny przebieg nośny napięcia, zapisujemy go w postaci:

u0 = U 0 m cos(ω 0t + θ ) ;

lub

u0 = U 0 m cos(2πf 0t + θ ) ;

Gdy amplituda przebiegu nośnego U0m jest zmienna proporcjonalnie do

sygnału zawierającego informację, mamy do czynienia z modulacją
amplitudy (ang. Amplitude Modulation – AM). Gdy proporcjonalnie do
sygnału zmienia się częstotliwość f0 przebiegu nośnego, mówimy o
modulacji częstotliwości (ang. Frequency Modulation – FM). Gdy kąt
fazowy θ zmienia się proporcjonalnie do sygnału, to taki przypadek
nazywamy modulacją fazy (ang. Phase Modulation – PM). Układ
elektroniczny realizujący modulację nazywamy modulatorem.
Rodzaje modulacji:

- modulacja amplitudy;
- modulacja częstotliwości.

127
12.1. MODULACJA AMPLITUDY

Przebieg nośny napięcia można zapisać następująco:

u 0 = U 0 m cos 2πf 0 t ; (12.1)

przy czym f0 jest częstotliwością przebiegu nośnego (rys. 12.1a). Przyjęto, że

kąt fazowy θ = 0, gdyż jego wartość nie ma wpływu na modulację amplitudy.
Przy modulacji amplitudy amplituda Uom przebiegu nośnego zmienia się
proporcjonalnie do sygnału (rys. 12.1b). Modulacja amplitudy wprowadza do
przebiegu nośnego obwiednię modulacji. Obwiednia ta ma przebieg
identyczny z przebiegiem sygnału modulującego, należy pamiętać że gdy
obwiednia rośnie w kierunku dodatnim rośnie także w kierunku ujemnym.

Rys. 12.1.Modulacja amplitudy.

a) fala nie modulowana, b) fala modulowana.

Amplituda obwiedni jest ułamkiem m amplitudy przebiegu nie

modulowanego. Ten ułamek m nazywa się współczynnikiem głębokości
modulacji lub krócej głębokością modulacji i podawany jest w procentach.
Opierając się na tej definicji współczynnika głębokości modulacji można
równanie sygnału modulującego:

u s = U sm cos ω s t ;

lub
u s = U sm cos 2πf s t ;

Gdy przebieg nośny jest modulowany amplitudowo sygnałem

sinusoidalnym, amplituda przebiegu nośnego zmienia się sinusoidalnie
według wyrażenia:

128
 (1 + m cos ω s t )U om ;

Wartość chwilową napięcia przebiegu zmodulowanego można zapisać w

postaci

u = (1 + m cos ω s t )U om cos ω 0 t ;

przekształcając dalej otrzymujemy:

u = U 0 m cos ω 0 t + mU 0 m cos ω 0 t cos ω s t ;

Zgodnie z zależnością trygonometryczną mamy:

cos( x + y ) + cos( x − y ) ;
1 1
cos x cos y =
2 2

Po podstawieniu:

mU 0 m mU 0 m
u = U 0 m cos ω 0 t = cos(ω 0 + ω s )t + cos(ω 0 − ω s )t ; (12.2)
2 2

Inaczej zapisując mamy:

mU 0 m mU 0 m
u = U 0 m cos 2πf 0 t = cos 2π ( f 0 + f s )t + cos 2π ( f 0 − f s )t ;
2 2

Dzięki temu wprowadzeniu wykazano, że równanie przebiegu modulowanego

zawiera trzy składniki. Składnik pierwszy jest identyczny z równaniem (12.1),
jest więc przebiegiem nośnym, nie modulowanym. Jest więc oczywiste, że
proces modulacji amplitudy nie zmienia przebiegu pierwotnego, lecz dodaje
do niego dwa utworzone przy modulacji składniki. Częstotliwość drugiego
składnika wynosi (f0 + fs), a trzeciego (f0 - fs).

Przykład:
Jeśli częstotliwość nośna wynosi 5000Hz i częstotliwość modulująca
100 Hz, częstotliwości wymienionych trzech składników są: 5000, 5100 i
4900 Hz. W takim układzie składnik o częstotliwości 5100 Hz, czyli (f0 + fs),
jest nazywany górną wstęgą boczną, składnik o częstotliwości 4900 Hz,
czyli (f0 – fs), nosi nazwę dolnej wstęgi bocznej.
W tym przykładzie częstotliwość sygnału modulującego wynosi 100 Hz,
natomiast cała szerokość pasma zajmowanego przez sygnał modulowany
wynosi 5100 – 4900, czyli 200 Hz. Tu należy stwierdzić następujący
wniosek:

129
Szerokość pasma potrzebna do sygnału o modulowanej amplitudzie jest
równa podwójnej częstotliwości sygnału modulującego.

12.1.1. MODULACJA STUPROCENTOWA I PRZEMODULOWANIE

a) b)

Rys. 12.2. Modulacja stuprocentowa i przemodulowanie.

a) 100 % modulacji (m=1), b) przemodulowanie (m>1).

Z równania (12.2) wynika, że amplitudy wstęg bocznych maleją do zera, gdy

głębokość modulacji m staje się równa zeru, wtedy wówczas równanie staje
się równaniem fali nośnej (12.1). Gdy głębokość modulacji wynosi 100 %
(rys. 12.2.a), to maksymalna wartość chwilowa napięcia osiąga wartość 2U0m,
a minimalna wartość chwilowa obwiedni maleje do zera.
Przemodulowanie pokazano na rysunku 12.2.b. Przebieg tu jest obcinany i
ponieważ obwiednia jest nieciągła, nie może być wyrażany równaniem (12.2).
W warunkach przemodulowania obwiednia nie jest już sinusoidalna, można ją
przedstawić jako sumę składowej podstawowej i wielu harmonicznych.
Te harmoniczne powodują również powstawanie wstęg bocznych. Gdy
głębokość modulacji wynosi 98 %, to istnieją tylko dwie wstęgi boczne. Przy
głębokości modulacji 105 % powstaje już wiele wstęg bocznych.
Przemodulowanie powoduje więc jak gdyby „rozprysk” wstęg bocznych,
zajmujący znacznie większą szerokość pasma niż normalna szerokość pasma
przy głębokości modulacji nie większej od 100 %. Ten „rozprysk” powoduje
powstawanie zakłóceń w odbiorze stacji, którym przydzielono sąsiednie
kanały.
Na podstawie obrazu przebiegu modulowanego (rys.12.3) często należy
wyznaczyć głębokość modulacji.

130
 Rys.12.3. Fala modulowana.

A – oznacza maksymalną wysokość obrazu między szczytami obwiedni,

B – odstęp między punktami minimum wysokości obwiedni.

Wartości te łatwo można ustalić na podstawie obrazu oscyloskopowego. Na

tej podstawie można określić amplitudę fali nośnej jako:

A B
+
U 0m = 2 2 = A+ B ;
2 4

Amplituda obwiedni, określona iloczynem mU0m, wynosi:

A B
−
mU 0 m = 2 2 = A− B ;
2 4

Dzieląc równania stronami, otrzymujemy:

mU 0 m ( A − B ) / 4
= ;
U 0m (A + B)/ 4

A− B
m= ; (12.3)
A+ B

Za pomocą równania (12.3) możemy obliczyć głębokość modulacji dla

różnych rodzajów obrazu.

Współczynniki w poszczególnych składnikach wyrażenia (12.2) mają

wartości

mU 0m mU 0m
U 0m ; ; ;
2 2

a więc pozostają w stosunku:

131
 m m
1: : ;
2 2

2
Moc można wyrazić wzorem U R , zatem powyższe wyrażenie przeliczone
na stosunek mocy ma postać:
m2 m2
1: :
4 4

Moc całkowita będzie więc proporcjonalna do

m2 m2 m2
1+ + = 1+ ;
4 4 2

co można zapisać w formie równania:

PT m2
= 1+ ;
P0 2

przy czym
P0 – jest mocą fali nośnej,
PT – całkowita moc przebiegu modulowanego przy głębokości modulacji m.

Jeżeli R jest rezystancją, to

PT IT2 R m2
= 2 = 1+ ;
P0 I 0 R 2

czyli
m2
IT = I 0 1 + .
2

Gdy głębokość modulacji wynosi 100 %, m = 1 i stosunek mocy staje się

równy 1,5.
Zgodnie z równaniem (12.2) przebieg o modulowanej amplitudzie
można przedstawić jako:

mU 0 m mU 0 m
u = U 0 m cos ω 0 t = cos(ω 0 + ω s )t + cos(ω 0 − ω s )t .
2 2

Przebieg taki można przedstawić graficznie w trzech postaciach (rys. 12.4).

Konwencjonalnym sposobem przedstawienia fali modulowanej jest wykres
wartości chwilowych całego przebiegu, a więc sumy składowej nośnej i wstęg

132
bocznych (rys. 12.4a). Oś pozioma jest osią czasu. Gdy osią poziomą jest oś
częstotliwości (rys. 12.4b), to energia ukazuje się tylko w trzech punktach
wykresu odpowiadających częstotliwościom dolnej wstęgi bocznej, fali
nośnej i górnej wstęgi bocznej. Wysokości reprezentujących ją prążków N, M
i P są proporcjonalne do wartości napięć, bądź też do mocy tych trzech
składowych. Odstęp między N i P jest szerokością pasma. Gdy zmienia się
głębokość modulacji, wysokość prążka M pozostaje stała, zmienia się tylko
wysokość prążków N i P. Gdy zmienia się częstotliwość modulująca, prążki
N i P zbliżają się bądź oddalają od prążka M, zależnie od tego, czy
częstotliwość modulująca maleje, czy rośnie.

a) b) c)

Rys. 12.4. Trzy sposoby przedstawienia fali modulowanej.

a) oś czasu, b) oś częstotliwości, c) wykres wskazowy.

Na wykresie wskazowym (rys. 12.4c) wektor OA przedstawia przebieg

nośny i jego długość jest proporcjonalna do U0m. Wektor ten wiruje dokoła
punktu O w kierunku przeciwnym ruchowi wskazówek zegara z prędkością
kątową ω0. Dwa wektory AB i AC dodają się do wektora nośnego. Długość
ich jest proporcjonalna do mU 0 m 2 i przedstawiają one wstęgi boczne. Wektor
AC wiruje dokoła punktu A w kierunku ruchu wskazówek zegara, zaś wektor
AB wiruje dokoła punktu A w kierunku przeciwnym do ruchu wskazówek
zegara, przy czym obydwa wirują z prędkością kątową ωs. Względna
prędkość kątowa wektora AC względem punktu O wynosi (ω0 - ωs),a wektora
AB względem punktu O (ω0 + ωs). Zatem wektor AB reprezentuje górną
wstęgę boczną, a wektor AC dolną wstęgę boczną. Zależności fazowe między
wektorami muszą być takie, że sumą trzech wektorów jest R, przy czym
wektor R musi być stale w fazie z wektorem fali nośnej OA. Gdyby wykreślić
ruch rzutu końca wektora R, gdy wiruje on dokoła punktu O, otrzymałoby się
obraz przebiegu modulowanego jak na rys. 12.4a.

133
12.2. MODULATORY AMPLITUDY

Podstawowym wymaganiem stawianym modulatorowi, w którym

realizuje się modulację amplitudy, jest to, żeby był on układem nieliniowym.

Modulatory AM pracują w nadajnikach radiowych. Ich zadaniem jest

liniowe uzależnienie amplitudy przebiegu sinusoidalnego wielkiej
częstotliwości (sygnału nośnego U0m) od wartości chwilowej napięcia
wejściowego (sygnału użytecznego us, tzn. informacji – mowy, muzyki).
Częstotliwość sygnału nośnego ( f 0 = 1 ω 0 ) pozostaje bez zmian.

Jeżeli sygnał nośny ma postać:

u 0 = U 0 m cos ω 0 t ;

to sygnał wyjściowy z modulatora AM wynosi:

 u 
u = U 0 m 1 + s  cos ω 0 t dla u s < U 0 m ;
 U 0m 

Modulację amplitudy otrzymuje się przez zwiększenie wzmocnienia

wzmacniacza wysokiej częstotliwości w dodatniej połówce okresu sygnału
modulującego i zmniejszenie tego wzmocnienia w ujemnej połówce okresu.
Poniżej został przedstawiony schemat blokowy nadajnika pracującego z
modulacją amplitudy.
antena

Wzmacniacz
Generator Wzmacniacz w.cz. i stopień modulator
kwarcowy seperujący wzbudzający

Wejście
sygnału Wzmacniacz Stopień Wzmacniacz
modulującego wstępny wzbudzający mocy

zasilacze

Rys. 12.5. Schemat blokowy nadajnika pracującego z modulacją amplitudy.

134
12.3. MODULACJA CZĘSTOTLIWOŚCI

Wynalezienie i rozwój modulacji częstotliwości były wynikiem

prowadzonych przez Edwina H. Amstronga poszukiwań metody zmniejszania
wpływu zakłóceń atmosferycznych i szumu na odbiór programów
radiofonicznych, nadawanych przy zastosowaniu modulacji amplitudy.
Ponieważ większość zakłóceń, zarówno naturalnych jak i przemysłowych ma
charakter sygnałów o modulowanej amplitudzie. Metoda pozwalająca na
utrzymywaniu stałej amplitudy U0m i nakładaniu sygnału modulującego w
drodze zmieniania częstotliwości nośnej f0, pozwala na osiągnięcie
zamierzonego celu.
Pojęcia i definicje stosowane w dziedzinie modulacji częstotliwości oraz
zasady modulacji częstotliwości można najlepiej przedstawić na przykładzie
liczbowym.

Przykład:

Częstotliwość nośna f0 = 1000 kHz,

Częstotliwość modulująca fs = 1 kHz,
Amplituda sygnału modulującego Usm = 1 V.

W chwili, gdy napięcie modulujące przechodzi przez wartość zero,

częstotliwość fali o modulowanej częstotliwości wynosi 1000 kHz. Załóżmy
dalej, że gdy wartość chwilowa napięcia modulującego rośnie w kierunku
dodatnim, to częstotliwość fali modulowanej również rośnie. Natomiast gdy
wartość chwilowa napięcia modulującego staje się ujemna, to częstotliwość
przebiegu wyjściowego maleje. Zakładamy dalej, że w chwili gdy napięcie
modulujące ma wartość + 1 V, to wartość chwilowa częstotliwości przebiegu
wyjściowego wynosi 1010 kHz, a przy wartości napięcia modulującego – 1 V,
częstotliwość ta wynosi 990 kHz. Zobrazowane jest to na rysunku 12.6.

Rys. 12.6. Modulacja częstotliwości.

W każdym okresie sygnału modulującego wartość chwilowa

częstotliwości podlega następującym zmianom:

135
 Sygnał w V 0 +1 0 -1 0

Częstotliwość w kHz 1000 1010 1000 990 1000

Jest to zależność liniowa. Amplituda napięcia modulującego określa wartość

dewiacji częstotliwości fd, czyli jej odchylenia od częstotliwości nośnej. Przy
amplitudzie sygnału 1 V dewiacja wynosi 10 kHz (np. dla 2 V wynosi 20
kHz, dla 0,5 V wynosi 5 kHz). Należy zwrócić uwagę, że fd jest mierzone w
jedną stronę od częstotliwości nośnej, czyli nie jest to całkowita zmiana
częstotliwości. Wartości graniczne fd ustala się zależnie od zastosowań.
Wracając do przykładu otrzymujemy przy częstotliwości sygnału
modulującego fs = 1 kHz i jego amplitudzie Usm = 1 V dewiację częstotliwości
10 kHz. Oznacza to, że częstotliwość przebiegu modulowanego zmienia się
1000 razy na sekundę między 1010 kHz a 990 kHz. Jeżeli amplituda sygnału
modulującego pozostanie 1 V, natomiast jego częstotliwość zmieni się z 1
kHz na 2 kHz, to wartość dewiacji pozostanie taka sama, ale częstotliwość
przebiegu modulowanego będzie się teraz zmieniać między 1010 kHz a 990
kHz nie 1000 razy, lecz 2000 razy na sekundę. Można zauważyć, że
częstotliwość sygnału modulującego jest częstotliwością zmian częstotliwości
wyjściowej.
W celu powiązania tych dwóch pojęć otrzymujemy wskaźnik
modulacji:

fd
mf = ;
fs

W omawianym przykładzie:
10kHz
mf = = 10 .
1kHz

Dwie graniczne wartości, czyli maksymalna dopuszczalna wartość

częstotliwości modulującej i maksymalna dopuszczalna dewiacja określają
pewną wartość wskaźnika modulacji. Wartość ta nazywana jest
współczynnikiem dewiacji.
Gdy wartość współczynnika dewiacji jest większa od jedności, mamy wtedy
do czynienia z szerokopasmową modulacją częstotliwości, a gdy
współczynnik jest mniejszy od jedności, wtedy mamy wąskopasmową
modulację częstotliwości.

Aby móc stworzyć obraz modulacji częstotliwości oraz zestawić

odpowiedni obraz wskazowy, należy dokonać przekształceń matematycznych,

136
które pozwolą przedstawić przebieg o modulowanej częstotliwości jako sumę
przebiegu nośnego i wstęg bocznych.
Ogólne równanie przebiegu sinusoidalnie zmiennego ma postać:

u = U 0 m cos 0 t ;

Przy modulacji częstotliwości, częstotliwość chwilowa jest funkcją f0, fd, fs,
Usm. Ponieważ wskaźnik modulacji mf wiąże ze sobą fd, fs i Usm, dlatego też
można zmniejszyć liczbę zmiennych do f0, fs i mf.
Równanie częstotliwości chwilowej f przebiegu o modulowanej
częstotliwości można zapisać w następujący sposób:

f = f 0 + f d cos 2πf s t ;

2πf = 2πf 0 + 2πf d cos 2πf s t ;

ω = ω 0 + ω d cos ω s t ;

Po odpowiednich przekształceniach matematycznych

[ ] [ ]  ω 
u (t ) = U 0 m cos ∫ ω (t )dt = U 0 m cos ∫ (ω 0 + ω d cos ω s t )dt = U 0 m cos ω 0t + d sin ω s t  =
ωs
  ;
= U 0 m cos(ω 0t + m f sin ω s t )

wyrażenie na ω można wykorzystać do sformułowania następującego

wyrażenia na wartość chwilową napięcia:

u = U 0 m cos(ω 0 t + m f sin ω s t ) ;

lub
= (ω 0 t + m f sin ω s t ) .
u
U 0m

Korzystając ze wzorów trygonometrycznych

cos( x + y ) = cos x cos y − sin x sin y ;

otrzymujemy:
= cos ω 0 t cos(m f sin ω s t ) − sin ω 0 t sin (m f sin ω s t ) .
u
U 0m

137
Wyrażenia cos (sin x) i sin (sin x), są skomplikowane i wymagają specjalnych
metod analizy matematycznej. Gdy je zastosujemy, to otrzymujemy taką
postać równania:

= I 0 (m f )cos ω 0 t +
u
U 0m
+ I 1 (m f )cos(ω 0 + ω s )t − I 1 (m f )cos(ω 0 − ω s )t + (12.4)
+ I 2 (m f )cos(ω 0 + 2ω s )t − I 2 (m f )cos(ω 0 − 2ω s )t +
+ I 3 (m f )cos(ω 0 + 3ω s )t − I 3 (m f )cos(ω 0 − 3ω s )t + K

Jak widać z równania (12.4), przy modulacji częstotliwości powstaje wiele

prążków bocznych, a przy modulacji amplitudy powstawały tylko dwa. Przy
modulacji częstotliwości prążki boczne występują parami. Istnieje więc górny
i dolny prążek boczny odpowiadający częstotliwości sygnału modulującego,
dalej pary prążków odpowiadające drugiej harmonicznej częstotliwości
sygnału modulującego, trzeciej harmonicznej, czwartej harmonicznej itd.
Podobnie jak przy modulacji amplitudy występuje tu składnik o
częstotliwości nośnej, jest nim I0. Ponieważ równanie określa wartość
stosunku u U , suma wektorowa współczynników składowej nośnej i
0m

prążków bocznych musi być równa jedności. Współczynniki I0(mf), I2(mf),

I3(mf),... poszczególnych składowych noszą nazwę funkcji Bessela
pierwszego rodzaju. Indeks przy I oznacza rząd tych funkcji.
Dla modulacji częstotliwości możemy zestawić wykres wskazowy.

Rys. 12.7. Wykres wskazowy obrazujący modulację częstotliwości i fazy.

Przy równaniu (12.4) wykazano, że wektor R, wypadkowy składowej nośnej i

prążków bocznych, jest przy modulacji częstotliwości wektorem o stałej
długości. Dochodzimy do wniosku, że sygnał modulujący nie wywołuje
zmian amplitudy przebiegu wyjściowego.
Jeżeli przedstawimy wektor wypadkowy R w odniesieniu do wektora
przebiegu nie modulowanego OY (rys. 12.7), to miejscem geometrycznym
końca wektora R jest okrąg koła. R wyprzedza lub opóźnia się w stosunku do
wektora składowej nośnej OY. Wektor OY wiruje z prędkością kątową ω0,
natomiast wektor R ze zmieniającą się prędkością kątową ωi. Gdy ωi jest
większe od ω0, to wektor R wyprzedza wektor OY. Natomiast gdy ωi jest
mniejsze od ω0, to wektor R opóźnia się względem OY. Szybkość zmian

138
prędkości kątowej ωi jest zależna od pulsacji ωs sygnału modulującego. W
każdej chwili istnieje pewien kąt fazowy θ między wektorami R i OY. Jeżeli
metoda modulacji przewiduje, że θ jest proporcjonalne do amplitudy sygnału
modulującego Usm i że szybkość zmian θ jest proporcjonalna do
częstotliwości fs sygnału modulującego, to taki rodzaj modulacji nazywamy
modulacją fazy. Modulacja fazy i częstotliwości występują z konieczności
jednocześnie. Aby wiedzieć jaka jest modulacja należy zwrócić uwagę na to
czy zmiana częstotliwości, czy też fazy jest proporcjonalna do sygnału
modulującego.

12.4. MODULATORY CZĘSTOTLIWOŚCI (FM)

Zadaniem modulatora (FM) jest uzależnienie (najlepiej liniowe)

częstotliwości sygnału nośnego od wartości chwilowej napięcia wejściowego
(sygnału użytecznego) przy stałej wartości amplitudy sygnału nośnego.
Najprostszym sposobem modulacji częstotliwości jest sterowanie
częstotliwością generatora sinusoidalnego za pomocą napięcia. Jest to tzw.
metoda bezpośrednia. Przykład takiego modulatora pokazany jest poniżej.

Rys. 12.8. Schemat modulatora FM.

Stanowi on odpowiednik generatora Meissnera. Rezystory R1 i R2 ustalają

napięcie bazy tranzystora, kondensator CB zawiera składową zmienną
napięcia na rezystorze R2 do masy, zapewniając schemat zastępczy tego
układu (dla składowej zmiennej) właściwy dla generatora Meissnera.
Rezystor RE wprowadza ujemne sprzężenie zwrotne dla składowej stałej
prądu emitera, stabilizując jego wartość. Funkcję kondensatora (C)
równoległego obwodu rezonansowego (w generatorze Meissnera) pełni
kondensator o pojemności C1 i połączona z nim szeregowo dioda
pojemnościowa o pojemności Cd. Z definicji diody pojemnościowej wiemy,
że jej pojemność zmienia się w funkcji doprowadzonego napięcia. W wyniku
dodania składowej zmiennej napięcia małej częstotliwości (sygnału
użytecznego podawanego przez kondensator Cs) uzyskuje się odpowiadającą

139
jej zmianę pojemności, czyli zmianę częstotliwości rezonansowej
równoległego obwodu rezonansowego, a więc także odpowiadającą jej
zmianę częstotliwości generowanej przez układ – modulację częstotliwości
nośnej. Aby zapewnić liniowość zmian tej częstotliwości w funkcji napięcia
wejściowego, należy użyć diody o odpowiedniej charakterystyce
pojemnościowo – napięciowej.

12.5. DEMODULACJA

Demodulacja jest procesem odwrotnym do modulacji. Zadaniem

demodulatora jest przetworzenie sygnału podanego na wejście, aby w jego
wyniku odzyskać sygnał (modulujący) użyteczny (który został zakodowany
za pomocą modulacji) w zmodulowanym sygnale wejściowym.
W zależności od przyjętego rodzaju modulacji, należy zastosować właściwy
typ demodulatora. Każdy rodzaj modulacji ma tylko jeden właściwy sobie
rodzaj demodulacji, pozwalający odzyskać zniekształcony sygnał użyteczny
(modulujący).
Sygnałem wejściowym dla demodulatora AM powinien być sygnał
zmodulowany amplitudowo, który ma postać:

u s = A cos ω 0 t ;

przy czym A – wartość chwilowa amplitudy sygnału zmodulowanego amplitudowo,

ω0 – pulsacja sygnału nośnego.

Zadaniem demodulatora AM jest wytworzenie sygnału wyjściowego,

który będzie proporcjonalny do wartości chwilowej amplitudy sygnału
zmodulowanego (tzn. w wierny sposób odwzorowującego kształt obwiedni
sygnału zmodulowanego amplitudowo).
Na rysunku 12.9b przedstawiono charakterystykę napięcia wyjściowego w
funkcji amplitudy chwilowej przebiegu wejściowego demodulatora AM z
rys.12.9a.
Na rysunku 12.9c i d przedstawiono przykładowy przebieg napięcia
wejściowego i odpowiadający mu kształt przebiegu napięcia wyjściowego.

140
 a)
Demodulator
AM
Uwe Uwy

b)
Uwy

0 A(t)
c)

d)
Rys. 12.9. Demodulator AM.
a) symbol, b) charakterystyka, c) przykładowy sygnał wejściowy,
d) odpowiadający mu sygnał wyjściowy.

Rys. 12.10. Prosty dekoder diodowy i filtr.

Sygnałem wejściowym dla demodulatora FM powinien być sygnał

zmodulowanego częstotliwościowo, czyli sygnał który ma powstać:
u s = U 0 m cos[2πFt ] ;

141
przy czy F jest wartością chwilową częstotliwości.

Zadaniem demodulatora FM jest wytworzenie sygnału wyjściowego,

który będzie proporcjonalny do chwilowej wartości częstotliwości sygnału
zmodulowanego częstotliwościowo.
Na rysunku 12.11b przedstawiono charakterystykę napięcia wyjściowego w
funkcji częstotliwości chwilowej przebiegu wejściowego demodulatora FM z
rys.12.11a. Na rysunku 12.11c i d przedstawiono przykładowy przebieg
napięcia wejściowego i odpowiadający mu kształt przebiegu napięcia
wyjściowego.

a)
Demodulator
FM
Uwe Uwy

b)

Uwy

0 F(t)

c)

d)

Rys. 12.11. Demodulator FM.

a) symbol, b) ) charakterystyka, c) przykładowy sygnał wejściowy,
d) odpowiadający mu sygnał wyjściowy.

142
Rozdział XIII. UKŁADY ZASILAJĄCE

Większość układów elektronicznych, dla właściwego spełnienia

funkcji, wymaga zasilania. Najdogodniejsze jest zasilanie wprost z sieci
elektroenergetycznej, bezpośrednio lub za pośrednictwem transformatora.
Znaczna część urządzeń wymaga zasilania napięciem stałym, dlatego też
stosujemy zasilacze napięcia (prądu) stałego. Napięcie stałe jest wytwarzane
przez układ elektroniczny zwany zasilaczem. Zasilacz przetwarza napięcie
przemienne sieci zasilającej na napięcie stałe o ustabilizowanej wartości.
Schemat funkcjonalny prostego zasilacza przedstawiono na rysunku
13.1. Układ taki składa się z: transformatora sieciowego, prostownika i filtru.
Transformator sieciowy obniża znacznie napięcie zmienne podawane na
prostownik. Prostownik zmienia prąd zmienny na prąd jednokierunkowy. W
prostowniku wykorzystuje się elementy elektronowe, charakteryzujące się
jednokierunkowym przewodzeniem prądu. Są to najczęściej diody lub
tyrystory.
Dzięki temu napięcie przemienne jest przetwarzane na napięcie tętniące o
składowej stałej różnej się od zera. Po odfiltrowaniu tętnień przez filtr
uzyskuje się w odbiorniku żądaną wartość napięcia i prądu stałego. Często
stosuje się również układy zabezpieczające elementy prostownicze przed
przeciążeniami i przepięciami. W zasilaczach stabilizowanych pomiędzy
filtrem a odbiornikiem znajduje się stabilizator napięcia lub prądu stałego.
Zakres mocy zasilaczy napięcia stałego jest bardzo szeroki – od kilku watów
do kilkuset kilowatów.

Transfor Prosto
Sieć U1 - mator U2 - wnik Filtr U0 R0

Stabili
- zator

Rys. 13.1. Schemat funkcjonalny zasilacza napięcia stałego.

Filtr przepuszcza na wyjście składową stałą pulsującego prądu

jednokierunkowego i tłumi składową zmienną. Najczęściej jest to filtr RC
zbudowany z kondensatora o dużej pojemności dołączonego równolegle do
rezystancji obciążającej prostownik. Wartość pojemności tego kondensatora
należy tym większą, im większa jest przewidywana wartość prądu obciążenia.
Kondensator wraz z rezystancją układu prostownika i rezystancją wejściową

143
obciążenia stanowi filtr, zwykle dostatecznie tłumiący tętnienia napięcia
wyjściowego. Zmniejszenie tętnień napięcia uzyskuje się w stabilizatorze.

13.1. PROSTOWNIKI

Prostownik stosuje się przede wszystkim w odniesieniu do układów

przekształcających prąd zmienny w prąd stały.
W zależności od struktury i liczby faz zasilającego napięcia
przemiennego, prostowniki dzielimy na:
- jednofazowe;
- wielofazowe (np. trójfazowe).

Jeśli napięcie podlega prostowaniu w czasie jednego tylko półokresu każdej z

faz, to taki prostownik nazywamy jednopołówkowym (półfalowym). Jeżeli
natomiast napięcie jest prostowane w czasie obu półokresów, to taki
prostownik nazywamy dwupołówkowym (całofalowym).

Biorąc pod uwagę charakter obciążenia, rozróżnia się prostowniki:

- z obciążeniem rezystancyjnym;
- z obciążeniem pojemnościowym;
- z obciążeniem indukcyjnym.

Wielkości charakteryzujące prostownik:

- sprawność napięciowa ηu – stosunek napięcia wyjściowego do

napięcia na wejściu prostownika;
- sprawność energetyczna ηp – stosunek mocy wydzielanej w
obciążeniu do mocy źródła;
- współczynnik tętnień kt – stosunek wartości skutecznej składowej
zmiennej napięcia wyjściowego do wartości składowej stałej
napięcia na wyjściu prostownika;
- rezystancja wyjściowa;
- współczynniki kształtu: K1 – stosunek wartości składowej stałej
napięcia wyjściowego do jego wartości szczytowej, K2 – stosunek
wartości skutecznej napięcia wyjściowego do jego wartości
szczytowej;
- maksymalne napięcie wsteczne.

O jakości prostownika decyduje jego sprawność napięciowa i energetyczna

oraz współczynnik tętnień i rezystancja wyjściowa. Warunki natomiast w
jakich pracuje element nieliniowy określają współczynnik kształtu prądu i
maksymalne napięcie wsteczne.

144
13.2. PROSTOWNIK JEDNOPOŁÓWKOWY

Prostownikiem jednopołówkowym nazywamy taki prostownik, w

którym po procesie prostowania pozostają tylko te części przebiegu, które są
jednego znaku a części przeciwnego znaku pozostają wyeliminowane. Na
rysunku 13.2 pokazany jest prostownik jednopołówkowy sterowany sygnałem
sinusoidalnym. Elementem załączającym prąd jest dioda półprzewodnikowa.
Dioda przewodzi tylko dla dodatnich połówek przebiegu wejściowego, gdyż
tylko wówczas napięcie dodatnie na jej anodzie jest większe niż potencjał
katody. Dioda przewodzi wtedy, gdy napięcie EG > UF. Na wyjściu układu
otrzymuje się napięcie:

U wy = U we − U F ;

Gdy napięcie EG < UF, wtedy dioda nie przewodzi a napięcie wyjściowe jest
równe zero.

D
i

UF
Uwe Uwy R0

a) b)

Rys.13.2. Prostownik jednopołówkowy.

a) schemat, b) przebiegi napięć i prądu w układzie.

Prostownik jednopołówkowy przewodzi prąd w jednym kierunku (dodatnim).

Podstawowe parametry tego prostownika wyznacza się z następujących
wzorów:

1 1 4 1
ηu = ⋅ ; ηP = ⋅ ;
π r π 2
1+
r
1+
R0 R0

1 1
K1 = ≈ 0,32 ; K2 = .
π 2

Ponieważ rezystancja diody w kierunku przewodzenia r << R0, to

145
 4
ηP = ;
π2

π2
kt = − 1 ≈ 1,21 .
4

Ze względu na duże tętnienia i małą sprawność energetyczną, prostownik ten

jest rzadko stosowany.
W celu zmniejszenia tętnień oraz zwiększenia wydatkowania energii, w
obciążeniu prostownika stosuje się elementy, które magazynują energię w
czasie ∆T. Na rysunku 13.3 przedstawiono prostownik jednopołówkowy z
obciążeniem rezystancyjno – pojemnościowym. Przy odpowiednio dobranej
wartości pojemności utrzymuje się na wyjściu napięcie o wartości zbliżonej
do wartości szczytowej napięcia wejściowego. Dlatego też taki prostownik
nazywamy prostownikiem szczytowym. Prąd iD w tym układzie płynie tylko
w czasie ∆T doładowania pojemności. Przebiega to krócej niż przy obciążeniu
rezystancyjnym. Parametry układu zależą od stałych czasowych ładowania τł
i rozładowania τr. Dużą stałą czasową τr uzyskuje się przy dużych
rezystancjach obciążenia. Jeżeli τł maleje, to ładowanie kondensatora odbywa
się szybciej, tętnienia maleją. Składowa stała napięcia wyjściowego wzrasta.
Jeżeli τr wzrasta, to rozładowanie kondensatora przebiega wolniej, tętnienia
także maleją. Napięcie na kondensatorze dąży do wartości szczytowej
napięcia zmiennego

D
iD

Uwe C Uwy R0

a) b)

Rys. 13.3 Prostownik jednopołówkowy z obciążeniem rezystancyjno – pojemnościowym.

a) schemat, b) przebiegi napięć i prądu w układzie.

13.3. PROSTOWNIK DWUPOŁÓWKOWY

Prostownikiem dwupołówkowym nazywamy taki prostownik, w

którym po procesie prostowania pozostają części przebiegu, które są tego
samego znaku i dodają się do nich – po zmianie znaku – części, które miały
znak przeciwny. Prostowniki dwupołówkowe charakteryzują się lepszymi
parametrami. W układach tych płynie prąd przez obciążenie R0 praktycznie

146
przez cały czas w jednym kierunku. Rozwiązanie prostowników
dwupołówkowych realizuje się w dwóch wersjach:
- z wyprowadzonym środkiem uzwojenia wtórnego transformatora
(rys.13.4a);
- z diodami w układzie Graetza (rys.13.4b).

a) b)

Rys. 13.4. Prostownik dwupołówkowy.

a) układ z transformatorem, b) układ Graetza.

W układzie z transformatorem, przy dodatniej połówce wejściowego

przebiegu sinusoidalnego prąd płynie przez diodę D1 i obciążenie R0, a przy
ujemnej - prąd płynie przez diodę D2 i obciążenie R0. Przy połówce dodatniej
napięcia na uzwojeniu wtórnym mamy sytuację, w której dioda D1 przewodzi
a dioda D2 nie przewodzi. Przy połówce ujemnej napięcie dodatnie występuje
na diodzie D2, która wówczas przewodzi, natomiast nie przewodzi dioda D1,
która jest spolaryzowana wstecznie.
W układzie mostka Graetza przy dodatniej połówce wejściowego przebiegu
sinusoidalnego prąd płynie od zacisku 1 przez diodę D1, obciążenie R0 i diodę
D3 do zacisku 2, natomiast przy ujemnej prąd płynie od zacisku 2 przez diodę
D2, obciążenie R0 i diodę D4 do zacisku 1. W obu układach prąd płynie przez
obciążenie w jednym kierunku i ma charakter pulsujący. Prostownik
dwupołówkowy w układzie mostka Graetza jest najczęściej stosowanym
układem prostowniczym.
Podstawowe parametry charakteryzujące prostownik dwupołówkowy
określane są na podstawie poniższych wzorów:

2 1 8 1
ηu = ⋅ ; ηP = ⋅ ;
π 1 + 2r π 2
1+
2r
R0 R0

2 1 π2
K1 = ≈ 0,64 ; K2 = = 0,71 ; kt = − 1 ≈ 0,48 .
π 2 8

Obydwa układy mają większość parametrów identycznych. Jednakże w

układzie mostkowym napięcie wsteczne na każdej diodzie jest dwukrotnie

147
mniejsze, co umożliwia zastosowanie diod o mniejszym dopuszczalnym
napięciu wstecznym. Układ zapewnia też lepsze wykorzystanie mocy
transformatora. Wadą jest konieczność używania czterech diod.

a) b)

Rys. 13.5. Schemat prostownika dwupołówkowego.

a) z obciążeniem rezystancyjno – pojemnościowym oraz jego przebieg napięć i prądów w
układzie, b) z obciążeniem rezystancyjno – indukcyjnym.

W celu poprawienia parametrów prostowników stosuje się obciążenia

rezystancyjno – pojemnościowe (rys.13.5a) i rezystancyjno – indukcyjne
(rys.13.5b). obciążenie rezystancyjno – indukcyjne stosuje się w
prostownikach dużej mocy. Współczynnik tętnień przy tym obciążeniu
wynosi:

R0
kt = ;
3ωL 2
gdzie:
ω - pulsacja napięcia wejściowego.

Aby uzyskać przebieg wyjściowy o jak najmniejszych tętnieniach, należy

używać cewek o jak największej indukcyjności. Cewka wraz z rezystancją
obciążenia stanowi filtr dolnoprzepustowy RL, który tłumi składową zmienną
napięcia wyjściowego.

13.4. DOBÓR DIOD PROSTOWNICZYCH STOSOWANYCH W

PROSTOWNIKACH.

Przed doborem rodzaju półprzewodnikowych diod prostowniczych do

danego typu prostownika, należy najpierw określić, jaka będzie częstotliwość
przebiegu wejściowego oraz wartość natężenia prądu, który będą one
przewodzić.

Ze względu na częstotliwość pracy diody prostownicze dzieli się na:

148
 • standardowe pracujące przy częstotliwości f ≤ 400 Hz;
• szybkie pracujące przy częstotliwości f ≈ 200 kHz;
• Schottky’ego pracujące w układach w.cz.

Ze względu na wartość prądu płynącego przez diody i moc rozpraszaną w

nich, rozróżnia się diody prostownicze:
• małej mocy o prądzie przewodzenia IF < 1 A (zwykle nie wymagają
dodatkowego chłodzenia za pomocą radiatorów);
• średniej mocy o prądzie IF = 1 ÷ 10 A (zwykle wymagają
radiatorów);
• dużej mocy o prądzie IF > 10 A.

Diody prostownicze niekiedy łączy się szeregowo lub równolegle (rys. 13.6).

a) b)

D R D R

D R
D R

D R

D R

Rys. 13.6. Łączenie diod.

a) szeregowe, b) równoległe.

Szeregowe łączenie diod stosuje się wówczas, gdy chcemy uzyskać

większą wartość napięcia wstecznego układu prostującego (w porównaniu z
układem pojedynczych diod). Zwykle wtedy do każdej diody dołącza się
równolegle rezystory o jednakowej (dużej) wartości, celem wyrównania
napięć wstecznych w diodach.
Równoległe łączenie diod stosuje się wówczas, gdy chcemy uzyskać
większą wartość prądu przewodzenia. Ponieważ jednak charakterystyki
prądowo - napięciowe diod są różne, to nie łączy się bezpośrednio równolegle
samych diod, lecz układy szeregowe połączonych rezystorów i diod (rys.
13.6a). Połączenie takie stosuje się rzadko, gdyż zazwyczaj nie ma problemu
z doborem diod o odpowiednim prądzie przewodzenia.

149
13.5. PROSTOWNIK TYRYSTOROWY

Prostowniki tyrystorowe (rys. 13.7) są stosowane w układach

zasilających wielkiej mocy, w których zmniejszenie napięcia wyjściowego
odbywa się bez strat na elementach rezystancyjnych. Układ jest zasilany
napięciem sinusoidalnie zmiennym. W czasie ujemnej połówki przebiegu
wejściowego tyrystor nie przewodzi prądu; napięcie wyjściowe jest równe
zeru. Przy dodatniej połówce natomiast przez tyrystor popłynie prąd dopiero
wtedy, gdy na jego bramkę będzie podany sygnał z generatora sterującego
(sygnał ten musi być zgodny w fazie z przemiennym napięciem wejściowym).
Prąd przestaje płynąć przez tyrystor (i przez obciążenie) po zmianie
polaryzacji napięcia wejściowego. Zmieniając położenie początku impulsu
sterującego względem czasu przejścia przebiegu wejściowego przez zero,
można zmieniać czas przepływu prądu przez obciążenie za jeden okres
sinusoidy, czyli zmieniać wartość mocy przekazywanej do obciążenia. Aby
wytłumić tętnienia napięcia wyjściowego, łączy się szeregowo rezystancję
obciążenia z cewką, tworząc filtr dolnoprzepustowy RL. Prostowniki z
tyrystorami są stosowane głównie w urządzeniach energetycznych.

a) b)

Rys. 13.7. Prostownik tyrystorowy.

a) schemat, b) przebiegi napięć i prądu w układzie.

13.6. STABILIZATORY

Stabilizatorem napięcia lub prądu stałego nazywamy układ, którego

zadaniem jest utrzymywania stałej, ściśle mówiąc prawie stałej wartości
napięcia lub prądu wyjściowego, przy określonych granicach zmian napięcia
zasilającego, obciążenia oraz czynników zewnętrznych, np. temperatury,
ciśnienia, wilgotności, czasu itd. Stabilizatory obecnie należą do najbardziej
rozpowszechnionych układów elektronicznych. W połączeniu z
prostownikiem i filtrem (zasilaczem sieciowym) tworzą one zasilacze
stabilizowane kalibratory zarówno o charakterze lokalnym, dostarczające
określone napięcia (prądy) innym układom, jak i stanowiące oddzielne

150
przyrządy będące wzorcowymi źródłami. Są często wykorzystywane jako
integralne części bardziej rozbudowanych układów elektronicznych.

Stabilizator napięcia powinien być praktyczną realizacją idealnego

źródła napięcia, a stabilizator prądu – idealnego źródła prądu. Parametry
rzeczywistych stabilizatorów różnią się od źródeł idealnych. W przybliżeniu
można przyjąć, że napięcie wyjściowe Uwy stabilizatorów napięcia jest
funkcją napięcia wejściowego Uwe, prądu wyjściowego (obciążenia) i
temperatury T

U wy = f (U we , I wy , T ) ;

Prąd wyjściowy stabilizatora Iwy stabilizatorów prądu jest funkcją napięcia

wejściowego, napięcia wyjściowego i temperatury

I wy = f (U we ,U wy , T ) ;

Iwe Iwy

Uwe Stabilizator Uwy

Rys. 13.8. Schemat stabilizatora sygnałów stałoprądowych.

Parametry stabilizatorów:

• znamionowe napięcie wyjściowe – napięcie, na jakie został

zaprojektowany stabilizator;
• zakres regulacji napięcia wyjściowego;
• zakres regulacji napięcia wejściowego – odpowiadający
poprawnej pracy stabilizatora;
• zakres zmian prądu wyjściowego – zakres prądu wyjściowego
odpowiadający znamionowemu napięciu wyjściowemu;
• współczynnik stabilizacji S – stosunek zmian napięcia
wyjściowego do wywołującej ją zmiany napięcia wejściowego
(stabilizacja jest tym lepsza, im mniejszy jest współczynnik
stabilizacji);
• rezystancja wyjściowa – stosunek zmiany napięcia wyjściowego
do zmiany prądu wyjściowego;

151
 • zakres stabilizacji – zakres poprawnej pracy układu, czyli zakres
zmian napięcia wejściowego i odpowiadający mu zakres zmian
napięcia wyjściowego.

13.7. STABILIZATOR Z DIODĄ ZENERA

Najprostszym układem stabilizacji napięcia jest stabilizator z diodą

Zenera. Znalazł on zastosowanie w prostych zasilaczach lub jako źródło
napięcia odniesienia. Układ stabilizatora napięcia z diodą Zenera
przedstawiono na rys.13. 9.

Rys.13.9. Stabilizator z diodą Zenera.

a) schemat, b) zakres napięcia wyjściowego w funkcji zmian napięcia wejściowego, c)
zakres zmian napięcia wyjściowego w funkcji zmian prądu obciążenia.

Napięcie wyjściowe jest napięciem na diodzie Zenera

U wy = U Z = 9,1V .
Ponieważ

152
 U we = IR + U Z , stąd U wy = U we − IR .

Na rys. 13.9b przedstawiono charakterystykę roboczą stabilizatora przy braku

obciążenia (Iwy = 0). Dla napięcia wejściowego Uwe = Uwe1 wyrysowano
prostą o nachyleniu proporcjonalnym do wartości rezystancji R. Przecięcie się
prostej z charakterystyką diody Zenera wyznacza punkt pracy diody (UZ1, IZ1).
Napięcie wyjściowe jest równe Uwy = UZ1. Jeżeli napięcie wejściowe
zwiększymy o ∆Uwe, to punkt pracy zmieni się (UZ2, IZ2). Zwiększenie
wartości napięcia wejściowego powoduje wzrost prądu I oraz wzrost prądu
diody i napięcia wyjściowego. Zmiana napięcia wejściowego ∆Uwe powoduje
dużo mniejszą zmianę wartości napięcia wyjściowego ∆Uwy (∆Uwe >>
∆Uwy)wokół ustalonej wartości UZ. Uzyskuje się w taki sposób stabilizacje
napięcia wyjściowego od zmian napięcia wejściowego. W układzie tym
tętnienia napięcia wejściowego są przekazywane na wyjście jako wielokrotnie
mniejsze.

Analiza pracy stabilizatora pokazanego na rysunku 13.9.

Przyjmujemy wartości elementów: R =200 Ω, UZ = 9,1 V.

Zakładamy, iż napięcie wejściowe niestabilizowane jest równe 17 V, prąd
płynący przez diodę Zenera jest równy IZ = 25 mA.
Napięcie wyjściowe jest napięciem na diodzie Zenera Uwy = UZ = 9,1 V.
Przez rezystor płynie prąd

U we − U Z
I= = 39,5mA ;
R

a przez obciążenie płynie prąd Iwy = I – IZ = 14,5 mA.

Na rysunku 13.9c pokazane jest jak zmienia się punkt pracy diody Zenera
wraz ze zmianami prądu obciążenia ∆Iwy w zakresie wartości ± 10 mA. W tej
analizie przyjmujemy, że prąd płynący przez rezystor nie zmienia się.
Jeżeli prąd obciążenia zwiększy się o 10 mA, to o tę wartość zmniejszy się
prąd płynący przez diodę. Jeżeli prąd płynący przez obciążenie będzie
zmniejszony o 10 mA, to o tę wartość zwiększy się prąd płynący przez diodę.
Zmiana prądu obciążenia przeniesie się na diodę, a napięcie wyjściowe
zmieni się w przybliżeniu o ∆I * rZ (rZ – rezystancja dynamiczna diody
Zenera).
Przy pomocy charakterystyki prądowo – napięciowej diody Zenera możemy
wyprowadzić wzory opisujące parametry stabilizatora.

Prąd płynący przez diodę w czasie stabilizacji:

153
 U wy − U Z
IZ = ;
rZ

Prąd i napięcie wyjściowe układu mają postać:

U wy
I wy = ; U wy − I wy R − I Z R ;
R0

Z powyższych równań wyznaczamy zależność napięcia wyjściowego od

napięcia wejściowego:

 R R R
U we = U wy 1 + +  − U Z ;
 R0 rZ  rZ

Współczynnik stabilizacji ma postać:

∆U we R R
S= = 1+ + ; (13.1)
∆U wy R0 rZ

Rezystancję wyjściową stabilizatora określa się tak samo jak w innych

układach:

rwy = R rZ .

Zakres poprawnej pracy stabilizatora diodowego określają skrajne położenia

punktu pracy na charakterystyce. Napięcie wyjściowe jest zawsze równe w
przybliżeniu napięciu Zenera UZ. Minimalna wartość prądu diody nie
powinna się znajdować na zakrzywionej części charakterystyki, ponieważ
nastąpiłby wzrost rezystancji dynamicznej diody.

U we min − U Z
I Z min = − I wy max ; (13.2)
R

maksymalny prąd diody jest ograniczony maksymalną mocą PDmax, jaka może
wydzielić się w diodzie, nie powodując jej uszkodzenia. Płynie on przy
minimalnym prądzie obciążenia, ale przy maksymalnym napięciu
wejściowym.
PD max = I Z max (U Z + I Z max ⋅ rZ ) ; (13.3)

U we max − (U Z + rZ I Z max )
I Z max = − I wy min ; (13.4)
R

154
13.8. STABILIZATOR ZE SPRZĘŻENIEM ZWROTNYM

Stabilizatory ze sprzężeniem zwrotnym mają lepsze parametry niż

stabilizatory diodowe. Część napięcia wyjściowego jest porównywana z
wzorcowym napięciem odniesienia – Uo. Gdy napięcia te nie są równe,
wówczas ich różnica po wzmocnieniu działa na układ regulacyjny, zmieniając
jego rezystancję w taki sposób, aby zmiana spadku napięcia na nim
przeciwdziałała zmianie napięcia stabilizowanego. Układ regulacyjny stanowi
najczęściej odpowiedni tranzystor lub zestaw tranzystorów. Może on być
połączony szeregowo lub równolegle z obciążeniem. W związku z czym
rozróżnia się :
• stabilizatory szeregowe – rys.13.10a;
• stabilizatory równoległe – rys. 13.10b.

a)
I Iwy
Układ
regulujący

Źródło Układ
Uwe napięcia porównująco - Układ Uwy Ro
wzmacniający pomiarowy
odniesienia

Uo Up

b)
RS Iwy
I
IR
Układ
pomiarowy
Źródło Układ
Uwe Układ Uwy Ro
napięcia porównująco -
regulujący
odniesienia wzmacniający

Rys.13.10. Schematy funkcjonalne stabilizatorów o działaniu ciągłym.

a) szeregowego, b) równoległego.

W stabilizatorze szeregowym układ regulujący zmienia wartość prądu

płynącego przez obciążenie (I ≈ Iwy) tak, aby utrzymać na wyjściu stałą
wartość napięcia Uwy. Układ porównująco – wzmacniający może być
realizowany na wzmacniaczu operacyjnym. Ze względu na to, że układ jest
częścią składową obwodu ujemnego sprzężenia zwrotnego, będzie dążył do
wyrównania napięć Uo i UP podawanych na jego wejścia. W wyniku tego
napięcie wyjściowe Uwy będzie miało stałą wartość. Jeżeli na przykład

155
napięcie wyjściowe wzrośnie o wartość ∆U, to sygnał błędu wzrośnie o
wartość ∆U1 ≤ ∆U, i po wzmocnieniu tak wysteruje element regulacyjny, że
wartość napięcia wyjściowego zmniejszy się o ∆U. Im większe będzie
wzmocnienie tego rzeczywistego układu, z tym większą dokładnością
napięcie wyjściowe będzie równe założonej (tym lepsza będzie stabilizacja
napięcia wyjściowego).
W stabilizatorach szeregowych napięcie wyjściowe jest stabilizowane
zarówno przy zmianach napięcia wejściowego, jak i prądu obciążenia. Wadą
tych stabilizatorów jest brak zabezpieczenia układu regulacyjnego przed
przeciążeniem lub zwarciem na wyjściu. Zmusza to do stosowania
dodatkowych elementów zabezpieczających.
W stabilizatorze równoległym przy stałym napięciu Uwe wartość prądu I
jest stała, a układ regulacyjny zmienia wartość prądu IR tak, aby prąd
wyjściowy (Iwy ≈ I – IR) przepływający przez obciążenie Ro powodował
spadek napięcia o wartości Uwy. Rezystor szeregowy RS separuje napięcie
niestabilizowane Uwe od napięcia stabilizowanego Uwy. Wzrost napięcia Uwe
powoduje zwiększenie prądu I oraz spadku napięcia na rezystorze RS, tak aby
Uwy = const. Układ ten jest rzadziej stosowany ze względu na większą wartość
mocy wydzieloną w stabilizatorze. Jedyną ich zaletą jest naturalne
zabezpieczenie elementu regulacyjnego przed przeciążeniem. Do wad
zaliczamy małą stabilność oraz niewielką sprawność, gdyż niezależnie od
wartości prądu obciążenia pobierają one z układu zasilającego prąd
znamionowy.

13.9. STABILIZATOR TRANZYSTOROWY

Rozróżniamy dwa zasadnicze schematy stabilizatorów tranzystorowych:

• schemat szeregowy,
• schemat r ównoległy.

Napięcie wyjściowe w obu układach ma taką samą wartość i jest równe

UZ ± UBEP. Źródło napięcia odniesienia stanowi dioda Zenera DZ z
rezystorem RB ustalającym jej punkt pracy. Tranzystor jest elementem
regulacyjnym. Stabilizatory tranzystorowe charakteryzują się taką samą
zależnością zmian napięcia wyjściowego od zmian napięcia wejściowego
(niestabilizowanego) jak stabilizatory diodowe (patrz charakterystyka na rys.
13.9b).
W układach tych znacznie ograniczono (w porównaniu ze stabilizatorem
diodowym) zakres zmian położenia punktu pracy diody Zenera ∆IZ
spowodowanych zmianą prądu obciążenia, uzyskując tym samym poprawę
parametrów stabilizatora. Przyjmując takie same zmiany prądu Iwy, jak w

156
układzie diodowym z rys. 13.9, uzyskuje się w tym układzie mniejsze zmiany
napięcia wyjściowego Uwy, ponieważ:

∆I Z ≈ ∆I B << ∆I wy .

a) b)

c)

13.11. Stabilizatory tranzystorowe.

a) schemat układu szeregowego, b) schemat układu równoległego, c) zakres zmian
napięcia wyjściowego w funkcji zmian prądu obciążenia.

Zbadajmy zmianę punktu pracy diody Zenera pod wpływem zmiany

napięcia wyjściowego na przykładzie stabilizatora szeregowego (rys. 13.11c).
Dla porównania przyjmijmy, że dioda ma taki sam punkt pracy, jaki
przyjęliśmy w analizie działania układu diodowego z rys. 13.9 (tzn. 9,1 V; 25
mA). Jeżeli prąd obciążenia zwiększy się o 10 mA, to prąd bazy tranzystora
zwiększy się kosztem prądu diody o β-krotnie mniejszą wartość. Gdy
założymy, że β = 20, wówczas oznacza to zmianę prądu bazy i prądu diody o
0,5 mA. Jeżeli natomiast prąd obciążenia zmniejszy się o 10 mA, to prąd bazy
tranzystora zmniejszy się kosztem prądu diody o β-krotnie mniejszą wartość.
Zmiana prądu bazy

∆I wy
∆I Z = .
β

157
Wobec tego można się spodziewać około β-krotnie mniejszej zmiany napięcia
wyjściowego w porównaniu ze zmianą w układzie diodowym. Rozważania
powyższe mają przybliżony charakter, ponieważ nie uwzględniono zmian
napięcia kolektor-emiter tranzystora wraz ze zmianą prądu emitera. Dobrze
jednak odzwierciedlają różnice w pracy stabilizatorów diodowych i
stabilizatorów tranzystorowych.
Wartość rezystancji wyjściowej tranzystorowego układu szeregowego (rys.
13. 11a) oblicza się korzystając ze spostrzeżenia, że odpowiada ona
rezystancji wyjściowej wtórnika emiterowego:

rZ + rbb 1
rwy = +
'
.
β g eb
'

Współczynnik stabilizacji tego układu wynosi:

RB
S≈ .
rZ

Wartość rezystancji RB dobiera się ze względu na zakładaną wartość prądu

Zenera IZ, płynącego przez diodę:

U we − U Z
RB ≈ .
IZ

W układzie równoległym (rys. 13.11b) rezystancja R ogranicza maksymalną

wartość prądu obciążenia, przy której stabilizator pracuje poprawnie.
Tranzystor – element regulacyjny – ustala rozpływ prądu płynącego przez
rezystor R na prąd kolektora i prąd obciążenia.
Jeżeli w układzie tym napięcie wejściowe wzrośnie o wartość ∆Uwe, to
spowoduje wzrost prądu przepływającego przez diodę Zenera. Pociąga to za
sobą zwiększenie napięcia na tej diodzie. W pewnym uproszczeniu przyrost
napięcia wejściowego jest dzielnikowany na rezystorze RB i rezystancji rZ
diody Zenera:
rZ
∆U Z ≈ ∆U we .
rZ + RB
Ponieważ wartość RB >> rZ, zatem przyrost napięcia na diodzie Zenera
∆UZ << ∆Uwe. Przyrost tego napięcia jest przekazywany poprzez wtórnik
emiterowy na wyjście.

158
 rZ
∆U wy ≈ ∆U we ;
rZ + RB

∆U we >> ∆U wy , ponieważ RB >> rZ .

Układy te zmniejszają wyraźnie tętnienia napięcia wejściowego, przekazując

na wyjście tylko niewielką jego część.

13.10. ZABEZPIECZENIA STABILIZATORÓW

W stabilizatorach stosuje się dwie grupy zabezpieczeń:

• Nadnapięciowe – służące do zabezpieczenia stabilizatora lub

układu obciążającego przed pojawieniem się niepożądanego
napięcia.
• Nadprądowe – służące do zabezpieczenia stabilizatora lub układu
obciążającego przed prądem o zbyt dużej wartości.

Elementy zabezpieczeń nadnapięciowych to: kondensatory, diody.

Kondensatory są włączane na wejściach i wyjściach stabilizatorów.
Najczęściej stosujemy kondensatory o pojemności 0,1 ÷ 0,5 µF.
Diody również włączane są na wejściu i wyjściu stabilizatora oraz równolegle
do elementów regulacyjnych. Podczas normalnej pracy stabilizatora diody te
są spolaryzowane w kierunku zatkania. Służą one do zabezpieczenia
stabilizatora i układu regulacyjnego przed zniszczeniem wskutek odwrotnego
włączenia wejściowego napięcia niestabilizowanego lub przyłączenia wyjścia
do napięcia o odwrotnej polaryzacji.
Przy uszkodzeniu stabilizatorów, będących elementem źródła zasilania,
często zdarza się, że napięcie wejściowe stabilizatora przedostaje się na jego
wyjście. Może to spowodować uszkodzenie układu zasilanego. Aby temu
zapobiec stosuje się zwieracze. Na rysunku 13.12 przedstawiono schemat
funkcjonalny stabilizatora szeregowego z zabezpieczeniami
nadnapięciowymi. Na wyjściu stabilizatora znajduje się układ zwieracza
tyrystorowego zbudowany z rezystora R, diody Zenera DZ i tyrystora TY.
Jeżeli napięcie wyjściowe wzrośnie powyżej wartości UZ, to przez diodę
Zenera popłynie prąd, co spowoduje załączenie tyrystora i zwarcie napięcia
wyjściowego do masy.

159
 Rys. 13.12. Schemat funkcjonalny stabilizatora szeregowego z zabezpieczeniami
nadnapięciowymi.

Do zabezpieczeń nadprądowych stosujemy bezpiecznik topikowy, który jest

umieszczony w obwodzie pierwotnym transformatora sieciowego i na wyjściu
stabilizatora. Zapewnia on skuteczną ochronę przed zwarciem wyjścia
stabilizatora. Natomiast nie zapewnia on skutecznej ochrony przed wzrostem
prądu obciążenia nieznacznie większym od wartości nominalnej prądu
bezpiecznika, ponieważ zanim zadziałałby bezpiecznik mógłby ulec
uszkodzeniu.

Rys. 13.13. Schematy stabilizatorów z zabezpieczeniami nadprądowymi.

a) z układem zwiększającym przeciążenie, b) z układem ograniczającym prąd obciążenia,
charakterystyka tego układu, c) z układem ograniczającym prąd obciążenia „z
podcięciem” wraz z charakterystyką.
Zapobiega się to stosując układ zwiększający przeciążenie
bezpiecznika (rys.13.13a). Jeżeli wartość prądu obciążenia wzrośnie powyżej
wartości nominalnej prądu bezpiecznika, to spadek napięcia na rezystorze RZ
wywołany przepływem tego prądu wyniesie UBEP. Spowoduje to załączenie
tranzystora T1, a następnie załączenie tyrystora TY i przepływ dużego prądu

160
zwarcia. W konsekwencji uzyskuje się przyśpieszone przepalenie
bezpiecznika i odłączenie stabilizatora od źródła napięcia wejściowego.
Podobnie działa układ ograniczający prąd obciążenia stabilizatora
(rys.13.13b). Jeżeli prąd wyjściowy wzrośnie do wartości Iwymax, spowoduje to
spadek napięcia na rezystorze RS do wartości UBEP. Nastąpi wówczas
załączenie tranzystora T, który zmniejszy wartość prądu sterującego układ
regulujący, zapewniając stałą wartość prądu obciążenia. Jeśli przy założonej
wartości napięcia wyjściowego Uwy i wartości rezystancji obciążenia Ro,
płynąłby prąd Iwy > Iwymax, to układ pracowałby jako stabilizator prądu
wyjściowego Iwymax (patrz charakterystyka prądowo – napięciowa –
rys.13.13b).

Wartość rezystancji RS wyznacza się z zależności:

U BEP
RS = ;
I wy max

Modyfikację tego układu wraz z jego charakterystyką z podcięciem

przedstawiono na rys.13.13c. Tranzystor zabezpieczający T jest sterowany
różnicą spadków napięć na rezystorach R1 i RZ. Spadek napięcia na rezystorze
R1 jest proporcjonalny do napięcia wyjściowego, a spadek napięcia na
rezystorze RZ jest proporcjonalny do napięcia obciążenia.
Tranzystor T włączy się, gdy pod wpływem wzrostu prądu wyjściowego
(obciążenia) różnica napięć między bazą a emiterem zwiększy się do wartości
UBEP = UB – UE.

U B = (U wy + I wy RZ )
R2
U E = U wy ; ;
R1 + R2
Przewodzenie tranzystora T powoduje mniejsze wysterowanie układu
regulacyjnego, czyli zmniejszenie napięcia wyjściowego.
Następuje zmniejszenie napięcia na bazie tranzystora, a co za tym idzie
większe wysterowanie tranzystora T, pogłębiając ten proces. Proces ten
kończy się ustaleniem prądu wyjściowego Izw (zwarcia), przy Uwy = 0.
Układy z podcięciem charakterystyki realizuje się w celu zabezpieczenia
układu regulującego przed uszkodzeniem termicznym. W wyniku
ograniczenia prądu wyjściowego, czyli po zadziałaniu zabezpieczenia,
uzyskuje się zmniejszenie mocy wydzielanej w układzie. Unika się w ten
sposób przegrzania, a także wydłuża się czas użytkowania stabilizatora.

161
Rozdział XIV. Przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-
analogowe.

14.1. PRZETWORNIKI C/A

Przetwornik cyfrowo-analogowy (ang. Digital-to-Analog Converter)

jest to układ przetwarzający dyskretny sygnał cyfrowy na równoważny mu
sygnał analogowy. Przetwornik ma n wejść i jedno wyjście. Liczba wejść
zależy od liczby bitów słowa podawanego na wejście przetwornika (np. dla
słowa trzybitowego – trzy wejścia a1, a2, a3). Natomiast na jego wyjściu
pojawia się informacja analogowa (np. w postaci napięcia). Napięcie na
wyjściu przetwornika jest proporcjonalne do napięcia odniesienia oraz do
liczby (n-bitowe słowo) zapisanej w kodzie dwójkowym. Wartość tego
napięcia można obliczyć korzystając ze wzoru:

a a a 
U wy = ±U odn  11 + 22 + K + nn  ;
2 2 2 

w którym: Uodn – napięcie odniesienia, współczynniki a1, ..., an – bity wejściowe

przyjmujące wartość 0 lub 1.

Bit a1, jest nazywany najbardziej znaczącym bitem – MSB (ang. Most
Significant Bit), bit an – najmniej znaczącym bitem – LSB (ang. Least
Significant Bit). Znak napięcia wyjściowego zależy od tego, czy przetwornik
C/A odwraca czy nie odwraca fazy.

Najważniejszymi parametrami przetwornika C/A są:

• rozdzielczość – najmniejsza zmiana sygnału wyjściowego

U odn
∆U = ;
2n

• błąd bezwzględny – największa różnica między zmierzonym

napięciem wyjściowym a obliczonym z powyższego wzoru;
• błąd względny – stosunek błędu bezwzględnego do wartości
napięcia odniesienia.

Na rysunku 14.1 przedstawiono idealną i rzeczywistą charakterystykę

przetwornika C/A dla słowa trzybitowego.

162
 Rys. 14.1. Charakterystyka przejściowa przetwornika C/A.
1 – idealna, 2 – rzeczywista.

Najprostszą konstrukcją przetwornika C/A jest układ o przetwarzaniu

prądowym. Jest to wzmacniacz sumujący zbudowany z użyciem
wzmacniacza operacyjnego (rys. 14.2a).
Napięcie wyjściowe układu ma postać:

RU odn  a1 a 2 a a 
U wy = −  + + 3 + K + n −1n  ;
2  R 2R 4R 2 R

Jest ono równe co do modułu spadkowi napięcia na rezystorze łączącym

wyjście układu z wejściem odwracającym wzmacniacza operacyjnego.
Wartość napięcia wyjściowego zależy od wartości prądu płynącego przez ten
rezystor, regulowanej położeniem przełączników (kluczy). Pozycja lewa
przełącznika odpowiada wartości 0 danego bitu wejściowego, natomiast
pozycja prawa odpowiada wartości l. Jeżeli przełącznik jest ustawiony w
lewej pozycji, to prąd płynący w tej gałęzi spływa do masy, natomiast jeżeli
jest w prawej pozycji, to prąd ten dodaje się do prądu płynącego przez
rezystor w pętli sprzężenia, powodując zwiększenie spadku napięcia na nim, a
tym samym zwiększenie (co do modułu) wartości napięcia wyjściowego.
Przez rezystory dołączone do kluczy płynie cały czas taki sam prąd, bez
względu na ich pozycję.

163
 Rys. 14.2. Przetwornik C/A o przetwarzaniu:
a)prądowym, b) napięciowym.

Modyfikacją tego rozwiązania jest układ o przetwarzaniu napięciowym

pokazany na rys. 14.2b. Działa on na podobnej zasadzie. Zmieniając
położenie przełączników, ustala się wartość prądu płynącego w pętli
sprzężenia zwrotnego wzmacniacza operacyjnego. Gdy przełącznik jest
dołączony do źródła napięcia odniesienia, wówczas przez rezystor płynie prąd
(jak w układzie z przetwarzaniem prądowym). Gdy natomiast przełącznik jest
połączony z masą, przez rezystor nie płynie prąd. Wartość napięcia
wyjściowego oblicza się korzystając ze wzoru obowiązującego dla układu z
rys. 14.2a.
Wadą tego typu przetworników jest konieczność stosowania rezystorów o
znacznie różniących się wartościach, np. jeśli dla pierwszego bitu 8-bitowego
słowa wejściowego rezystancja wynosi 100 Ω, to dla ostatniego – 12,8 Ω.
Powoduje to, że przez rezystor o najmniejszej wartości płyną względnie duże
prądy, co znacznie zmniejsza niezawodność działania układu (zwiększa jego
awaryjność).

Wady tej nie ma przetwornik pokazany na rys. 14.3. Składa się on z

układu wtórników ( W1, W2, W3), układu sumującego (W4), źródła napięcia
odniesienia oraz kluczy analogowych (P0, P1, P2) sterowanych wejściowym
sygnałem cyfrowym. Ustawienie wartości (0 lub 1) bitu słowa sterującego
powoduje dołączanie lub odłączanie układu sumującego od źródła napięcia
Uodn. Pozycja lewa przełącznika odpowiada wartości 0 danego bitu
wejściowego, natomiast pozycja prawa odpowiada wartości 1. Wzmacniacze
W1, W2 i W3, pracujące jako wtórniki, dają na wyjściu napięcia równe

164
odpowiednio: połowie, jednej czwartej i jednej ósmej wartości napięcia
odniesienia.

Rys. 14.3. Przetwornik C/A zbudowany z wtórników.

Omówimy działanie tego przetwornika dla trzech sygnałów wejściowych:

l. Gdy b0, b1, b2 = 000, wszystkie przełączniki są połączone z masą, a zatem

na wejściu układu sumującego pojawi się napięcie o wartości zero.

U wy = 0 .
2. Gdy b0, b1, b2 = 010, na wejście układu sumującego jest podawane napięcie
U
o wartości odn poprzez przełącznik P2 oraz napięcie o wartości zero
4
poprzez przełączniki P1 i P3.
U
U wy = odn .
4
3. Gdy b0, b1, b2 = 111, na wejścia układu sumującego jest podawane napięcie
U U
o wartości odn , poprzez przełącznik P1, napięcie o wartości odn ,
2 4
U odn
poprzez przełącznik P2 oraz napięcie o wartości , poprzez
8
przełącznik P3.

7
U wy = U odn .
8

165
14.2. PRZETWORNIKI A/C

Przetwornik analgowo-cyfrowy (ang. Analog-to-Digital Converter)

przetwarza sygnał analogowy na odpowiadający mu dyskretny sygnał
cyfrowy. Jest to układ o jednym wejściu i n wyjściach. Otrzymana w wyniku
przetwarzania liczba dwójkowa jest proporcjonalna do wartości analogowego
sygnału wejściowego

a a a 
U we = U odn  11 + 22 + K + nn  .
2 2 2 

Charakterystykę bezpośredniego przetwornika A/C przedstawiono na rys.

14.4.

Rys. 14.4. Charakterystyka przejściowa przetwornika A/C.

1 – idealna, 2 – rzeczywista.

Przetworniki A/C charakteryzują trzy podstawowe parametry:

• czas konwersji (przetwarzania) – czas, jaki upływa między
podaniem sygnału wejściowego rozpoczynającego przetwarzanie a
pojawieniem się na wyjściu sygnału cyfrowego;
• rozdzielczość – definiowana tak jak dla przetwornika C/A

U odn
∆U = ;
2n
n – liczba bitów słowa wyjściowego;
• błąd kwantyzacji ( ± ∆U lub LSB ) – odchyłka rzeczywistej
2 2
charakterystyki schodkowej od charakterystyki idealnej.

166
14.3. PODSTAWOWE CZŁONY PRZETWORNIKÓW

Źródła napięcia odniesienia. Stabilność napięcia odniesienia decyduje

o dokładności i stabilności przetwarzania. Są to źródła zawierające diody
Zenera lub tranzystory o temperaturowej kompensacji napięcia baza-emiter.

Klucze analogowe. Ich liczba zależy od rozdzielczości przetwornika,

tzn. od liczby bitów słowa przetwarzanego (przetworniki C/A) lub od liczby
bitów słowa wyjściowego (przetworniki A/C). Od parametrów przełączników
(rezystancja w stanie włączenia i wyłączenia, czas włączenia) zależy
szybkość i dokładność działania układu. Istnieje wiele rozwiązań
przełączników. Jedno z nich przedstawiono na rys. 14.5a. Jeżeli napięcie
wejściowe jest dostatecznie małe (mniejsze od napięcia progowego), to
tranzystor T1 przewodzi, a T2 jest zablokowany.

Rys. 14.5. Schematy kluczy analogowych

Napięcie wyjściowe jest wówczas równe napięciu zasilania. Natomiast, jeżeli

napięcie wejściowe jest duże (większe od napięcia progowego), to tranzystor
T2 przewodzi, a T1 jest zablokowany. Napięcie wyjściowe jest wówczas
równe zeru (masa układu). Klucz ten może zatem służyć do przyłączania
(poprzez swoje wyjście) innego układu do źródła napięcia UDD lub do masy
(w zależności od wartości napięcia sterującego). Inne rozwiązanie pokazano
na rys. 14.5b. Układ ten pełni funkcję klucza łączącego lub rozłączającego
dwa punkty I/O w zależności od wartości napięcia sterującego. Gdy osiąga
ona poziom wysoki, bramki tranzystorów T1 i T2 są tak wysterowane, że
rezystancja „widziana” między tymi punktami jest rzędu dziesiątek omów.
Natomiast, gdy napięcie sterujące ma poziom niski, tu rezystancja ta jest
rzędu megaomów. Tranzystory T1 i T2 odgrywają rolę sterowanych
rezystancji.

Wzmacniacze operacyjne. W przetwornikach są one stosowane jako

stopnie separujące, wzmacniające, człony dodające i odejmujące, integratory,
konwertery prąd-napięcie.

Komparatory (w przetwornikach A/C). Decydują one o szybkości i

dokładności przetwarzania. Graniczną liczbę poziomów porównania w danym

167
zakresie napięć wejściowych determinuje zakres wzmocnienia komparatora
(∆U).

Układy cyfrowe (bramki logiczne, przerzutniki, liczniki, rejestry,

pamięci).

Układy próbkująco-pamiętające (głównie w przetwornikach A/C).

Ich zadaniem jest pamiętanie wartości chwilowej napięcia wejściowego przez
czas potrzebny do pomiaru tego napięcia w przetworniku A/C.

168
BIBLIOGRAFIA

1. Barbara Pióro: Podstawy elektroniki, część I. Warszawa 1996.

2. Barbara Pióro: Podstawy elektroniki, część II. Warszawa 1997.
3. Andrzej Rusek: Podstawy elektroniki, część I. Warszawa 1989.
4. Andrzej Rusek: Podstawy elektroniki, część II. Warszawa 1989.
5. E. Norman Lurch: Podstawy techniki elektronicznej. Warszawa 1974.
6. Augustyn Chwaleba: Elektronika. Warszawa 1996.
7. Jerzy Chabłowski: Elektronika w pytaniach i odpowiedziach. Warszawa
1982.
8. Laboratorium elektroniki pod red. Jana Piechy: Elementy i układy liniowe.
Katowice 1979.
9. Marusak A: Urządzenia elektroniki. WSiP. Warszawa 1987.
10. Encyklopedia Elektroniki. WNT. Warszawa 1983.
11. P. Horowitz, W. Hill: Sztuka elektroniki. Warszawa WKiŁ 1995.
12. Opracowania własne – Wkłady z elektroniki.

169