Materiay, technologie

Ogniwa fotowoltaiczne rnych typw

Obecnie rozrnianych jest co najmniej kilkadziesit typw konstrukcji ogniw sonecznych. W zwizku z tym istnieje take kilka rnych kryteriw ich podziau i klasyfikacji, np. wedug zastosowanego materiau bazowego, jego struktury, gruboci lub rodzaju zcza pprzewodnikowego. Od typu zastosowanych ogniw zale bezporednio parametry techniczne moduw PV, a w konsekwencji caej instalacji. Wystpujce obecnie rodzaje ogniw fotowoltaicznych posiadaj te rne parametry ekonomiczne, co wpywa na opacalno inwestycji w instalacje fotowoltaiczne Klasyfikacja i kryteria podziau ogniw sonecznych
Ze wzgldu na rodzaj materiau pprzewodnikowego ogniwa fotowoltaiczne mona podzieli na takie, ktre s zbudowane z pierwiastkw elementarnych oraz te zoone ze zwizkw pprzewodnikowych. Do ogniw bazujcych na pprzewodnikach elementarnych, czyli pierwiastkach IV grupy okresowej, zaliczaj si najpopularniejsze ogniwa krzemowe (Si) monokrystaliczne, polikrystaliczne czy amorficzne a take rzadziej stosowane ogniwa germanowe (Ge). Pprzewodniki zoone to zwizki atomw grup III i V, takie jak arsenek galu (GaAs) czy fosforek indu (InP), oraz pewne kombinacje grup II i VI. Z tych ostatnich najczciej wykorzystywane do produkcji ogniw sonecznych to tellurek kadmu (CdTe) i siarczek kadmu (CdS), ktre czsto s stosowane jednoczenie, tworzc odpowiednio baz i emiter ogniwa PV. Godnymi uwagi s take niektre zwizki pprzewodnikowe skadajce si z atomw grup I, III i VI, tak zwane chalkopiryty, do ktrych zalicza si diselenek indowo-miedziowy (CuInSe2). Materia ten, jak rwnie jego stop z pierwiastkiem galu (Ga), dobrze sprawdzaj si jako podoa ogniw sonecznych. Zarwno dla ogniw zbudowanych z pprzewodnikw elementarnych, jak i zwizkw pprzewodnikowych obowizuje kolejny podzia charakteryzujcy typ zcza p-n. Moemy tu wyrni ogniwa homoi heterozczowe oraz te oparte na zczach p-i-n (przewanie z krzemu amorficznego), a take na metal-pprzewodnik, czyli tzw. zczach Schottkyego. Homozcze p-n zoone jest z dwch odpowiednio domieszkowanych obszarw tego samego materiau, czyli szerokoci przerw energetycznych warstw typu p i typu n s tu jednakowe. W heterozczu natomiast mamy do czynienia z poczeniem dwch rnych materiaw pprzewodnikowych o rnych wartociach szerokoci przerw energetycznych [1]. Do utworzenia heterozcza pprzewodnikowego, ktre mona wykorzysta w konstrukcji ogniw, niezbdne jest poczenie materiaw o okrelonych waciwociach. Pprzewodniki wchodzce w skad heterozcza musz mie odpowiednio dobrane wartoci przerw energetycznych oraz wspczynniki absorpcji. Warstwa wierzchnia ogniwa heterozczowego (obszar emitera) powinna mie szerok przerw energetyczn i niewielki wspczynnik absorpcji dla

okrelonych dugoci fali, dziki czemu wiato moe przedosta si do dolnej czci (obszaru bazy). Obszar bazy natomiast, powinien charakteryzowa si wsz przerw energetyczn oraz du zdolnoci absorpcji fotonw. Dlatego te w ogniwach heterozczowych jako emiter czsto stosowany jest siarczek kadmu CdS o przerwie energetycznej rwnej 2,42 eV. Do prawidowej budowy heterozcza konieczne jest rwnie aby wybrane dwa materiay, z ktrych si skada, miay podobn struktur krystaliczn i stae sieciowe, a take jednakowe wspczynniki rozszerzalnoci cieplnej [2]. Za kolejne kryterium podziau mona przyj organizacj struktury materiau, z ktrego wykonane zostao ogniowo soneczne. Wyrniane s tu trzy gwne, podstawowe grupy z dziau pprzewodnikw, a mianowicie: ogniwa monokrystaliczne, polikrystaliczne i amorficzne. Spord materiaw polikrystalicznych wyrniane s ponadto, ze wzgldu na wielko ziaren, struktury: mikrokrystaliczna, polikrystaliczna i multikrystaliczna. Ostatnim kryterium podziau ogniw fotowoltaicznych jest ich grubo. Wyrniane s ogniwa cienko

Rys. 1. Szczytowe sprawnoci ogniw sonecznych rnych typw [4].

16

www.swiat-szkla.pl

7-8/11
6/20/11 11:06:06 AM

?-?_MATERIALY_znajdek_SS_07-8_2011.indd 16

Materiay, technologie

i grubowarstwowe. Minimalna grubo, konieczna do prawidowej pracy ogniwa, zalena jest od wartoci wspczynnika absorpcji [3]. Dziki wysokiemu wspczynnikowi absorpcji danego materiau mona otrzymywa poprawnie dziaajce ogniwa ju przy grubociach kilku lub kilkunastu mikrometrw. Dla materiaw bdcych sabszymi absorbentami grubo konieczna jest wiksza. Przyjmuje si, e ogniwa cienkowarstwowe to te o gruboci nieprzekraczajcej 20 m. Takie rozwizanie w przypadku krzemu polikrystalicznego zapewnia absorpcj ponad 90% fotonw padajcych na powierzchni ogniwa, podczas gdy w przypadku konstrukcji monokrystalicznej do osignicia podobnego wyniku niezbdna jest grubo ogniwa od 200-300 m. Niewielka grubo zastosowanych warstw oraz ich polikrystaliczna struktura zmieniaj rwnie waciwoci fizyczne ogniw, np. zwikszajc znacznie ich plastyczno. Naley podkreli, i klasyfikacja ta nie zaley od technologii wytwarzania przyrzdw. Rys. 1 [4] prezentuje maksymalne, uzyskane laboratoryjnie sprawnoci, ogniw sonecznych rnych typw na przestrzeni ostatnich 30 lat.

Rys. 2. Zdjcie mikroskopowe struktury polikrystalicznej.

Rys. 3. Przekrj poprzeczny przez struktur polikrystalicznego ogniwa PV.

zastosowanego materiau. W zalenoci od wielkoci tych ziaren i krysztaw wyrniane s trzy rodzaje takiej struktury [5]: zz mikrokrystaliczna (c-Si) wielko ziaren nie przekracza od 1 m, zz polikrystaliczna (pc-Si) wielko ziaren waha si od 1 m do 1 mm, zz multikrystaliczna (mc-Si) wielko ziaren zawiera si od 1 mm do 10 cm. Krzem polikrystaliczny moe by produkowany na rne sposoby. Najbardziej popularne metody komercyjne wykorzystuj proces odlewania (ang. cast) czy te krzepnicia kierunkowego (ang. directional solidification) oraz techniki wzrostu wstgowego (ang. ribbon growth). W tych ostatnich wyeliminowane zostay straty materiau, zwizane z koniecznoci cicia go na pytki, ktre istniej w pozostaych metodach. Mniej popularn metod jest cige odlewanie elektromagnetyczne (ang. electromagnetic continuous casting - EMC).

Ogniwa polikrystaliczne i amorficzne

Mimo, i ogniwa monokrystaliczne (Si, GaAs) charakteryzuj si najwiksz sprawnoci, za wykorzystaniem polikrystalicznych przemawia tasza technologia wytwarzania oraz moliwo nakadania warstw na rnorodne, tanie podoa, co poszerza obszar ich zastosowa. Do najwaniejszych ogniw polikrystalicznych zaliczmy ogniwa wykonane z krzemu polikrystalicznego, z polikrystalicznego arsenku galu, ogniwa CIS (CuInSe2/CdS) i CIGS (CIS z dodatkiem galu), a take ogniwa kadmowo-tellurowe (CdTe/CdS).

konstrukcj ogniwa CdS/CdTe przedstawia schematycznie rys. 4. Diselenek indowo-miedziowy (CuInSe2 CIS) jest materiaem charakteryzujcym si bardzo wysokim wspczynnikiem absorpcji, dziki czemu a 99% wiata padajcego na ten materia jest absorbowane w pierwszym mikrometrze powierzchni [5]. Naley on do grupy zwizkw o podstawowym skadzie I-III-VI2, gdzie I oznacza pierwiastek z pierwszej grupy (np. Cu, Ag), III jest pierwiastkiem z grupy trzeciej (np. Al, Ga, In), za VI to chalkogenek (np. Se, S). Wszystkie tego typu zwizki mona zaliczy do pprzewodnikowych, a kilka z nich dobrze sprawdza si w przemyle fotowoltaicznym [6]. Ogniwa soneczne tego typu wykonywane s gwnie na bazach polikrystalicznych warstw CIS, jak rwnie na podoach ze stopw CuInSe2 z zawartoci galu (CIGS), ktry zwiksza przerw energetyczn materiau.

Krzem amorficzny
Pomimo tego, e krzem amorficzny nie tworzy struktury krystalicznej i zawiera znaczn ilo defektw strukturalnych, za jego stosowaniem w przemyle fotowoltaicznym przemawiaj aspekty ekonomiczne. Materia ten absorbuje promieniowanie soneczne z czterdziestokrotnie wiksz sprawnoci w porwnaniu do krzemu monokrystalicznego. W zwizku z tym warstwa o gruboci zaledwie jed-

Tellurek kadmu i diselenek indowo miedziowy

Tellurek kadmu jest znakomitym, cienkowarstwowym materiaem polikrystalicznym o niemal idealnej wartoci przerwy energetycznej rwnej 1,45 eV i bardzo wysokim wspczynniku absorpcji. Ogniwa kadmowo-tellurowe wykonane s na bazie CdTe, czyli pprzewodnika z grupy II-VI, ktrego wytwarzanie jest stosunkowo proste i niepocigajce za sob wysokich kosztw. Znanych jest kilka metod otrzymywania tellurku kadmu, takich jak: osadzanie chemiczne z fazy gazowej CVD, osadzanie elektrolityczne, sitodruk czy technika bliskiej sublimacji. Najbardziej popularn z nich jest ta ostatnia. Tellurek kadmu osadzany jest w postaci cieniutkiej, kilku- mikrometrowej warstwy polikrystalicznej. W efekcie otrzymywane jest ogniwo bdce heterozczem tellurku kadmu CdTe i siarczku kadmu CdS. W praktyce preferowana jest grubo ogniw tego rodzaju od 3 do 7 m. Typow

Krzem polikrystaliczny
Krzem polikrystaliczny skada si z kilku mniejszych krysztaw lub duych ziaren (rys. 2). Tego typu budowa wprowadza do struktury obszary graniczne midzy ziarnami i krysztaami, ktre hamuj przepyw elektronw i powoduj ich rekombinacj z dziurami (rys. 3). Istnienie strefy adunku buforowego na granicy ziaren powoduje, e wewntrz struktury wystpuje wycznie pionowy przepyw adunku, co upodabnia j do poczenia rwnolegego wielkiej iloci ogniw monokrystalicznych. W ten sposb ogniwo wytwarza napicie VOC rwne napiciu pojedynczej komrki za prd ISC ogniwa jest sum prdw wszystkich mikroogniw. Pozwala to na osignicie stosunkowo wysokiej sprawnoci przyrzdu przy obnieniu wymaga odnonie jakoci

Rys. 4. Typowa konstrukcja ogniwa polikrystalicznego na przykadzie ogniw CdS/CdTe.

7-8/11
?-?_MATERIALY_znajdek_SS_07-8_2011.indd 17

www.swiat-szkla.pl

17

6/20/11 11:06:07 AM

Materiay, technologie

nego mikrometra wystarcza do zaabsorbowania ponad 90% energii sonecznej padajcej na ogniwo, co jest jedn z gwnych przyczyn obniajcych koszty produkcji ogniw tego typu. Ponadto, wytwarzanie krzemu amorficznego moe odbywa si w duo niszych temperaturach, a warstwy mog by osadzane na tanich podoach, takich jak szko, plastik czy metal. Dlatego te krzem amorficzny idealnie nadaje si do zastosowa w systemach fotowoltaicznych zintegrowanych z budownictwem [7]. Ze wzgldu na wyjtkowe waciwoci, ogniwa na bazie krzemu amorficznego s budowane w specjalny sposb. Struktura p-i-n, o ktr zazwyczaj oparta jest ich budowa, polega na tym, e pomidzy warstwami pprzewodnikw typu p oraz n istnieje jeszcze warstwa pprzewodnika samoistnego. W ogniwach tego typu wystpuje jednak tzw. efekt Staeblera-Wroskiego, polegajcy na tym, e dugotrwae nawietlanie wywouje znaczny wzrost konduktywnoci materiau. Efekt ten jest cakowicie odwracalny wic moliwa jest regeneracja poprzez wygrzewanie w ciemnoci [2].

Alternatywne konstrukcje ogniw fotowoltaicznych

Istnieje bardzo wiele alternatywnych rozwiza fotowoltaicznych. Do jednego z nich mona zaliczy ogniwa organiczne (fot. 1). Mechanizm fotogeneracji w ogniwach tego typu jest inny ni w klasycznych ogniwach pprzewodnikowych, a zasada dziaania opiera si na procesach spowodowanych przez ekscytony. Ogniwa te zbudowane s z materiaw organicznych o maym ciarze czsteczkowym lub z polimerw aktywnie uczestniczcych w konwersji energii sonecznej na energi elektryczn. Konstrukcja organicznych ogniw fotowoltaicznych oparta jest o poczenie sieci pprzewodnikowej z metaloorganiczn lub organiczn warstw barwnika (ang. dyesensitived). Wystpuj tu struktury z heterozczami paskimi (dwuwymiarowa geometria zcza) i z heterozczami o geometrii trjwymiarowej (molekularne, ciekokrystaliczne, polimerowe, hybrydowe). Ogniwa organiczne posiadaj take pewne nietypowe waciwoci. Mianowicie, nigdy nie osigaj one 100% absorpcji w zakresie wiata widzialnego typowe wartoci maksymalne to 80%-90%. Ponadto, niektre typy ogniw organicznych wykazuj wiksz sprawno przy zmniejszonym nateniu owietlenia (np. zwikszenie sprawnoci z 4% do 6%). W ostatnich latach w Japonii powstay alternatywne ogniwa soneczne wykorzystujce, jako materia bazowy krzem. Innowacja polega tu na stworzeniu ukadu stanowicego multikrystaliczn kulk krzemow (o rednicy 1 mm) umieszczon w ognisku szecioktnego odbynika koncentrujcego
Fot. 1. Wygld rnego rodzaju fotowoltaicznych ogniw organicznych.

wiato. Poczone ze sob minireflektory pokrywaj powierzchni tworzc struktur podobn do plastra miodu, dziki czemu tworz ogniwa lub cae moduy PV. Ogniwa fotowoltaiczne tego typu osigaj sprawnoci zblione do obecnie stosowanych multikrystalicznych krzemowych przyrzdw fotowoltaicznych, przy duo niszych kosztach produkcji. Istotn zalet tego rozwizania, w stosunku do konwencjonalnej technologii krzemowej, jest niewtpliwie elastyczno nowej konstrukcji. Podoe jest tu wykonane z cienkiej blachy aluminiowej (stanowicej tylny kontakt), a poniewa kuleczka wraz z reflektorem ma

rednic niespena 3 mm, ogniwo tego typu moe by w pewnym zakresie wyginane bez obawy o zamanie lub uszkodzenie (fot. 2) [8].

Zastosowania ogniw sonecznych rnych typw

Moduy fotowoltaiczne maj zastosowanie wszdzie tam, gdzie jest zapotrzebowanie na energi elektryczn. Rne typy ogniw sonecznych stosowane s w rnych warunkach, w zalenoci od wymaga i potrzeb.

Fot. 2. Ogniwo PV wykonane z kuleczek krzemowych.

18

www.swiat-szkla.pl

7-8/11
6/20/11 11:06:08 AM

?-?_MATERIALY_znajdek_SS_07-8_2011.indd 18

Materiay, technologie

Drogie, wysokosprawne moduy monokrystaliczne, wykonane z krzemu bd arsenku galu, stosowane s gwnie jako rdo zasilania stacji kosmicznych, sond lub sztucznych satelitw. Przykadowa kosmiczna stacja badawcza ISS (dawniej ALFA) posiada obecnie zestaw ogniw sonecznych o cznej powierzchni 892 m2 i mocy ok. 30 kW. Do zasilania obiektw naziemnych, oddalonych od sieci energetycznej stosowane s z reguy tasze rozwizania. W szczeglnoci wykorzystywane s ogniwa polikrystaliczne, cienkowarstwowe lub amorficzne. S one montowane najczciej na budynkach mieszkalnych lub gospodarczych i obiektach komercyjnych. Jednake znajduj take zastosowanie jako rdo energii elektrycznej na przykad dla: latarni morskich, stacji przekanikowych lub meteorologicznych, pomp wodnych, a take jako sygnalizacja drogowa, owietlenie drg i parkingw czy te do zasilania innych przydronych urzdze (np. parkometrw). Schematyczn budow fotowol-

taicznego systemu owietlenia ulicznego przedstawia rys. 5. Ogniwa soneczne wykonane z krzemu amorficznego stosowane s bardzo czsto do zasilania urzdze o niewielkim zapotrzebowaniu na moc, takich jak zegarki, kalkulatory czy adowarki telefonw komrkowych. W ostatnim czasie du popularnoci ciesz si moduy elastyczne, posiadajce lepsz moliwo integracji z elementem podoowym, ni ogniwa sztywne. Na rynku dostpne s torby i plecaki z wmontowanymi elastycznymi elementami PV, sucymi do zasilania urzdze mobilnych, takich jak telefon czy komputer. Zastosowaniem tego typu rozwizania jest take modu fotowoltaiczny zintegrowany z aglem jachtu bd dachem namiotu (fot. 3), a take jako zasilanie pojazdw i urzdze o dowolnych ksztatach.
Katarzyna Znajdek Maciej Sibiski

Rys. 5. Schemat budowy latarni ulicznej zasilanej moduem PV.

Bibliografia [1] Milnes A. G., Feucht D. L.: Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions, Academic Press, New York 1972. [2] Jarzbski Z. M.: Energia soneczna, konwersja fotowoltaiczna, PWN, Warszawa 1990. [3] Mocny W.: Ekologiczne rda Energii, II Krajowa Konferencja Naukowo-Techniczna Ekologia w Elektronice Warszawa 2002. [4] http://www.nrel.gov/ [5] http://www.eere.energy.gov/ [6] elazny J., Ciach R.: Materiay i Technologie Fotowoltaiczne, FRNM Krakw 2005. [7] Sibiski M., Znajdek K.: Krzemowe ogniwa w instalacjach fotowoltaicznych, Czysta Energia 4/2009. [8] Znajdek K., Sibiski M.: Charakteryzacja elektryczna i temperaturowa elastycznych ogniw sonecznych wykonanych z mikrokulek krzemowych, Elektronika Konstrukcje, Technologie, Zastosowania 1/2011. [9] http://www.iowathinfilm.com

Fot. 3. Zasilanie dla wojskowego namiotu polowego w USA [9].

7-8/11
?-?_MATERIALY_znajdek_SS_07-8_2011.indd 19

www.swiat-szkla.pl

19

6/20/11 11:06:09 AM