Professional Documents
Culture Documents
Inynieria materiaowa
Kazimierz Drozd Katedra Inynierii Materiaowej Wydzia Mechaniczny PL
Kazimierz Drozd
Wydzia Mechaniczny, pokj 505 tel. 081 538 4215 k.drozd@pollub.pl konsultacje
poniedziaek godz. 10-11 10wtorek godz. 13-14 13-
2008-10-15
Sprawy organizacyjne
reg. 831) Zaliczenie przedmiotu (reg. studiw 22 ust. 8-9, 31) egz. 3pkt ECTS
egzamin zerowy dodatkowy, ustny przed sesj egzaminacyjn (22 ust. 5) ( egzaminy w sesji (par. 22 ust. 8) proponuj zorganizowa nastpujco: (par.
pierwszy termin pisemny w sesji (test na AI) w poniedziaek o godz. 8 i 11, indeksy po wpisaniu ocen bd dostpne nastpnego dnia od godziny 11 termin poprawkowy ustny pierwszy w sesji we rod 4 lutego od godziny 9 termin poprawkowy ustny drugi w sesji w pitek 6 lutego od godziny 9
Systematyczna praca i wsppraca wy chcecie zdoby zaliczenie, ja jestem tu po to aby wam w tym pomc
w kadej chwili prosz przerywa, zadawa pytania, zwaszcza jeli co jest niejasne lub gdy si pomyl
Absolwentw technikw przestrzegam przed uleganiem zudzeniu, e treci przedmiotw podstawowych i specjalistycznych s im ju znane. Z mojego dowiadczenia wynika, e wanie oni maj problemy z ich zaliczaniem
Literatura przedmiotu
Ashby M.F., Jones D.R.H.: Materiay inynierskie t. 1 i 2. WNT, Warszawa 1995 i 1996 Ashby M.F.: Dobr materiaw w projektowaniu inynierskim. WNT, Warszawa 1998 Blicharski M.: Wstp do inynierii materiaowej. WNT, Warszawa 2001 Przybyowicz K.: Metaloznawstwo. WNT, Warszawa 1999 Rudnik : Metaloznawstwo. PWN, Warszawa 1998 Wyatt : Wstp do inynierii materiaowej. WNT, Warszawa 1978 Polskie normy Wykad po sowacku z obrazkami i animacjami: www.fpt.tnuni.sk/kfim/predmety/rocnik1/nauka_o_materi ali/nauka_o_materiali.htm
2008-10-15
Proces
Inynieria Materiaowa
Struktura
Wasnoci
2008-10-15
Oczekiwania uytkownika
Ksztat przedmiotu (elementu) Wasnoci odpowiadajce wymaganiom Odpowiednia trwao do zuycia lub naprawy (resurs) Oczekiwaniom tym mona sprosta jeeli znamy zalenoci pomidzy:
wasnociami struktur procesem wytwarzania
Mae zmiany struktury mog powodowa due zmiany wasnoci mechanicznych materiau
Wasnoci (properties)
Informuj o zdolnoci do odksztace podczas procesu wytwarzania i zachowaniu materiau podczas eksploatacji
np. materia poddawany procesowi kucia odksztacalny i cigliwy
G= moduy sprystoci E (Younga) i G (Kirchhoffa) granica plastycznoci Re wytrzymao na rozciganie Rm (granica wytrzymaoci) odporno na pkanie twardo m cigliwo
E 2(1 + )
R 3,4 HB
udarno przy obcieniach dynamicznych (impact load) wytrzymao zmczeniowa przy obcieniach cyklicznie zmiennych odporno na pezanie przy podwyszonej temperaturze pezanie zwikszajce si z czasem odksztacenie plastyczne pod wpywem naprenia, wystpujce nawet przy napreniach mniejszych od granicy plastycznoci
2008-10-15
Nazewnictwo w mikrostrukturze
Sieci punktowe 14 moliwych sieci przestrzennych (crystal lattices), w ktrych punkty sieciowe maj identyczne otoczenie atomw w strukturze krystalicznej Komrka elementarna (unit cell) rwnolegocian o symetrii takiej samej jak symetria caej sieci; jej powtarzanie w trzech wymiarach odtwarza ca sie punktow Kryszta ciao stae o regularnym i powtarzalnym uoeniu atomw, czsteczek lub jonw Ziarno (grain) pojedynczy kryszta w polikrystalicznej strukturze stopu Granica ziarn (grain boundary) strefa niedopasowania krystalicznego midzy ssiednimi ziarnami Faza (phase) objto stopu o wyranych granicach, na ktrych wasnoci chemiczne lub fizyczne ulegaj skokowej zmianie Pory spowodowane skurczem materiau podczas krystalizacji Pcherze gazowe pozostae po procesie metalurgicznym Wtrcenia niemetaliczne fragmenty wymurwki pieca lub inne Wtrcenia plastyczne wyduone, wystpuj w materiale obrobionym plastycznie Wtrcenia kruche skupiska rozoone w kierunku pynicia materiau
2008-10-15
Fizyka
Chemia
Biofizyka
Inne
2008-10-15
Stop co najmniej dwuskadnikowe tworzywo metaliczne skadajce si z metalu (przewaga) oraz innych pierwiastkw. Stopy np.:
elaza (iron) miedzi (copper) aluminium (glinu) niklu (nickel) tytanu (titanium)
Zwizek substancja skadajca si z dwch lub wicej pierwiastkw zwykle o cile okrelonym stosunku liczby atomw poszczeglnych pierwiastkw Mieszanina ukad zoony z dwch lub wicej faz Roztwr faza skadajca si z wicej ni jednego pierwiastka i zachowujca typ struktury rozpuszczalnika Rozpuszczalnik gwny skadnik roztworu, pierwiastek lub zwizek
2008-10-15
Niekorzystne
maa wytrzymao czystych metali nieodporne na czynniki chemiczne ulegaj korozji (utlenianiu)
Domieszka lub dodatek stopowy pierwiastek wystpujcy w stopie w maej iloci i wprowadzony w celu uzyskania lub zwikszenia konkretnych wasnoci (np. odpornoci na korozj, hartownoci) Zanieczyszczenie (impurity) pierwiastek lub zwizek chemiczny (np. uel) ktry niekorzystnie wpywa na wasnoci stopu i w procesie metalurgicznym staramy si ograniczy jego zawarto Zawarto skadnikw stopu zawsze podajemy w odniesieniu do udziaw masowych (weight percentage)
2008-10-15
Materiay ceramiczne
Materiay ceramiczne tlenki lub zwizki z wglem (Carbon), azotem (Nitrogen), fosforem (Carbon), (Nitrogen), (Phosphorus) i siark (Sulphur) Phosphorus) (Sulphur) Podstawowe skadniki materiaw ceramicznych:
tlenek aluminium (glinu) Al2O3 (aluminium oxide, oxide, corundum) corundum) tlenek krzemu SiO2 (silicon dioxide) dioxide) tlenek magnezu MgO (magnesium oxide) oxide) wglik krzemu SiC (silicon carbid, carborundum) carbid, carborundum) azotek krzemu Si3N4 (silicon nitrid) nitrid)
Niekorzystne (maa)
przewodno cieplna przewodn. elektryczna cigliwo (ductility) odporno na pkanie (fracture resistance) wysoka temperatura topnienia (melting point)
Al2O3 2020C 2020 metal Al 660C 660
2008-10-15
Polimery
Tworzywa wielkoczsteczkowe gwnie zwizki C, N, Fluorine, Cl (Chlorine) i S Zbudowane z czsteczek o dugich acuchach utworzonych z merw Czsteczka polimeru moe zawiera ponad 500 merw i way ponad 1000u Atomowa jednostka masy 1u1,66*10-27kg 1u1,66*10 Przykad merem polietylenu jest czsteczka etylenu C2H4
Wasnoci polimerw
Korzystne
odporno na korozj estetyczny wygld bez dodatkowej obrbki maa gsto (lekkie) atwo formowalne w skomplikowane ksztaty may wspczynnik tarcia cigliwe (tylko termoplastyczne)
Niekorzystne
maa sztywno niska temperatura topnienia (miknienia) due odksztacenia spryste pezanie przy temperaturze normalnej kruche (tylko termoutwardzalne) silna zmiana wasnoci od temperatury szkodliwe dla rodowiska
10
2008-10-15
Kompozyty (composites)
Skadaj si co najmniej z dwch materiaw (faz): (faz):
faza osnowy podstawowy skadnik strukturalny kompozytu faza zbrojca (reinforcement )
Materiay skadowe (fazy) kompozytu mog nalee do tej samej lub rnych grup Kompozyty naturalne, np. drewno wkna w osnowie polimeru Kompozyty wytwarzane przez czowieka, np.: wkno szklane w osnowie polimeru, beton (kompozyt agregatowy) kruszywo w osnowie cementu Dobierajc materiay mona uzyska kompozyt o wasnociach niemoliwych do uzyskania innymi metodami: lekki i wytrzymay Stosowane w przypadkach gdy:
wasnoci s znacznie waniejsze ni koszt, np. w sprzcie sportowym, na czci samolotw rodowisko pracy lub wartoci obcie uniemoliwiaj zastosowanie pojedynczego materiau
Zawarto materiaw skadowych (faz) w kompozycie zawsze podajemy w odniesieniu do udziaw objtociowych
11
2008-10-15
Pprzewodniki (semiconductors)
Nie s dobrymi przewodnikami (conductor) ani dobrymi izolatorami (non-conductor, insulator) (nonDodanie do pprzewodnika maej iloci niektrych pierwiastkw zmienia gwatownie ich wasnoci elektryczne Su do wytwarzania zoonych obwodw elektrycznych, np. wielowarstwowych ukadw scalonych o wysokim stopniu integracji (czy kto taki widzia?) (czy widzia?) Powszechnie stosowanymi pprzewodnikami pierwiastkowymi s Si i Ge (germanium) Niektre zwizki chemiczne s rwnie pprzewodnikami, np. arsenek galu GaAs (galium arsenide)
albo
cigliwy atwo obrabialny plastyczny niskotopliwy trwale odksztacalny ulegajcy degradacji, atwo reagujcy przyjazny dla rodowiska
12
2008-10-15
13
2008-10-15
Struktura atomu
Model planetarny
rozkad masy rozkad adunku
Siedem powok elektronowych (gwna liczba kwantowa n rwna (gwna liczbie podpowok): podpowok):
1-K, 2-L, 3-M, 4-N, 5-O, 6-P, 7-Q 2- 3- 4- 5- 6- 72, 8, 18, 32, 50, 72, 98 max liczba elektronw na powoce s, p, d, f, g, h, i - podpowoki 2, 6, 10, 14, 18, 22, 26 - maksymalna liczba elektronw na podpowoce
Atomowa jednostka (wglowa) masy 1u=1/12 masy atomu wgla 12 C 6 1g=(6,023*1023)u w nawiasie liczba Avogadro
W jednym okresie s pierwiastki, dla ktrych zapeniana jest jedna powoka W jednej grupie s pierwiastki o takiej samej liczbie elektronw na zewntrznej powoce Lantanowce - rna liczba elektronw (od 18 do 32) na powoce N (podpowoka 4f od 0 dla Lantanu do 14 dla Lutetu). Na powokach O i P liczba elektronw staa Aktynowce podpowoka 5f jest zapeniana po zapenieniu podpowoki 7s i po wejciu jednego elektronu do podpowoki 6d. Pierwiastki, ktrych atomy oddaj elektrony wchodzc w reakcje chemiczne nazywa si elektrododatnimi (gwnie metale)
jeeli przyczaj elektrony elektroujemnymi (dielektryki)
14
2008-10-15
H Li K Be Ca Sc Y Ti Zr Hf V Na Mg
numery grup N
He B Al C Si N P O S F Cl I Ne Ar Kr Xe Rn
Cr W
Mn Fe
Co Ni Pt
Cu Zn
Ga Ge As Se Br Sn Sb Te Pb Bi Po At
Rb Sr Fr La
Nb Mo Tc Ta
Ru Rh Pd Ag Cd In Au Hg Tl
Cs Ba La
Re Os Ir
Ra Ac Rf Ce Pr
Db Sg Bh Hs Mt Dy Ho Er Cf Es
Tm Yb
Nd Pm Sm Eu Gd Tb Np Pu Am Cm Bk
Metal - ciecz
Lu
Ac Th
Pa U
Fm Md No Lr
Niemetal
Gaz
15
2008-10-15
Wizanie jonowe
Polega na elektrostatycznym przyciganiu si jonw rnych znakw Dwa etapy powstawania wizania (rys.):
przejcie elektronu z jednego atomu do drugiego:
NaCl: energia jonizacji Na (uwolnienia elektronu) 5,1eV; uwolniony elektron przechodzi do Cl, wyzwala si przy tym energia 3,8eV
Powinowactwo elektronowe energia uwolniona przez atom w efekcie przyczenia elektronu, np. 3,8eV dla Cl
Przykad NaCl:
energia jonizacji (zostanie wyzwolona przy powrocie elektronu od Cl do Na) 5,1 - 3,8 = 1,3eV, czyli:
Na + Cl + 1,3eV => Na+ + Cl-
energia potrzebna do zerwania 4,2eV jest wiksza ni wyzwolona przy powrocie elektronu 1,3eV wizanie nie pka bez dostarczania energii z zewntrz
16
2008-10-15
W krysztale jonowym w otoczeniu jonu jednego pierwiastka jest jak najwiksza liczba jonw drugiego pierwiastka (jonw przeciwnych)
Wizanie kowalencyjne
Atomy zwizane kowalencyjnie maj wsplne elektrony walencyjne, np. H2, CH4, CO2 walencyjne, Wsplne elektrony musz mie przeciwne spiny
tylko przy spinie antyrwnolegym wystpuje minimum energii wizania
Wystpuje w zwizkach utworzonych przez atomy o takiej samej elektroujemnoci Wizanie pojedyncze (Cl-Cl) - utworzone przez (Cljedn par elektronw. O=O. NN. NN. Wykazuje kierunkowo wizanie dziaa w kierunku rwnolegym do linii czcej rodki atomw majcych wsplne elektrony
17
2008-10-15
18
2008-10-15
Wizanie metaliczne
Elektrony wartociowoci (walencyjne) w metalach mog by atwo odrywane od atomw i tworz gaz elektronowy Wizanie metaliczne jonw dodatnich (kationw) z gazem elektronowym utrzymuje metal w caoci W krysztaach metali kationy znajduj si w wzach sieci krystalicznej, a ich uoenie jest jak najgciejsze (nie jest to wizanie kierunkowe) O kolektywnym charakterze oddziaywa (grupy jonw dodatnich z grup elektronw) wiadcz:
moliwo zginania i rozcigania tworzenie stopw o do dowolnych proporcjach skadnikw
Elektrony swobodne nie mog si wydosta z metalu, bez dostarczenia im energii, z powodu studni potencjau 10eV Dziki ruchliwym elektronom swobodnym metale charakteryzuj si du przewodnoci ciepln i elektryczn Sia wizania zaley od energii przycigania midzy kationami i elektronami swobodnymi, oraz odpychania pomidzy samymi kationami i elektronami midzy sob
Dipol elektryczny ukad dwch adunkw, rwnej wielkoci lecz o przeciwnych znakach, znajdujcych si blisko siebie Wizania sabe energia wizania stanowi ok. 1% energii wiza jonowych i kowalencyjnych Wystpuj w cieczach i ciaach staych, np. skroplonych gazach szlachetnych, midzy ssiednimi czsteczkami polimeru np. polietylenu (C2H4)n
pomidzy atomami C-C i C-H polietylenu wystpuj silne wizania CCkowalencyjne
W czsteczce H2O kt wizania wynosi 104,5. Wsplna para 104,5 elektronw H-O jest przesunita w kierunku atomu tlenu H-
19
2008-10-15
F =
dE da
20
2008-10-15
Elementy krystalografii
Sposoby uoenia atomw w materiaach Ukady krystalograficzne i sieci Oznaczanie struktur krystalicznych Struktura krystaliczna metali Struktury o najgstszym uoeniu atomw Struktury krystaliczne materiaw ceramicznych Wystpowanie i geometria luk Polimorfizm Struktura szka
21
2008-10-15
Niekrystaliczne (amorficzne)
szka nie maj struktury krystalicznej
Budowa krystaliczna
Wsplna cecha metali (stopw) i materiaw ceramicznych Wikszo cia staych to krysztay maj budow uporzdkowan w duym obszarze Wizania pomidzy wszystkimi atomami puszczaj przy tej samej temperaturze maj tak sam wytrzymao W stopie na bazie metalu zdarza si, e wystpuje jednoczenie ciecz i ciao stae (inna faza i o innym skadzie chemicznym ni ciecz)
22
2008-10-15
Wizania (np. kowalencyjne i Van der Waalsa) midzy atomami maj rn wytrzymao pkaj przy rnej temperaturze
czy topi si? czy krzepnie?
Nie wystpuje wyrane przejcie ze stanu staego do ciekego (melting) i odwrotnie (solidification)
Nazewnictwo w mikrostrukturze
Sieci punktowe 14 teoretycznych sieci przestrzennych (crystal lattices), w ktrych punkty sieciowe maj identyczne otoczenie atomw w strukturze krystalicznej Punkty (wzy) sieciowe punkty tworzce sie krystalograficzn. Na kady wze sieci moe przypada jeden, dwa lub wicej atomw Komrka elementarna (unit cell) rwnolegocian o symetrii takiej samej jak symetria caej sieci; jej powtarzanie w trzech wymiarach odtwarza ca sie punktow Kryszta ciao stae o regularnym i powtarzalnym uoeniu atomw, czsteczek lub jonw
23
2008-10-15
Komrka elementarna
24
2008-10-15
Regularny
a=b=c 90 = = = 90 Punkty sieciowe dla sieci regularnej (liczba wzw przypadajcych na komrk elementarn)
prymitywnej (8/8) przestrzennie centrowanej (+1) ciennie centrowanej (+6/2)
Tetragonalny
a=bc = = = 90 90 Punkty sieciowe dla sieci tetragonalnej
prymitywnej (8/8) przestrzennie centrowanej (+1)
25
2008-10-15
Rombowy
abc 90 = = = 90 Punkty sieciowe dla sieci rombowej
prymitywnej (8/8) przestrzennie centrowanej (+1) o centrowanej podstawie (+2/2) ciennie centrowanej (+6/2)
Trygonalny (romboedryczny)
a=b=c = = 90 90 wystpuje tylko jeden typ sieci - trygonalna (romboedryczna) prymitywna punkty sieciowe jak na rysunku (8/8)
26
2008-10-15
Heksagonalny
a=bc 90 120 = = 90 = 120 wystpuje tylko jeden typ sieci heksagonalna prymitywna (zwarta) punkty sieciowe jak na rysunku (4/6+4/12)
Jednoskony
abc = = 90 90 Punkty sieciowe dla sieci jednoskonej
prymitywnej (8/8) o centrowanej podstawie (+2/2)
27
2008-10-15
Trjskony
abc 90 90 wystpuje tylko jeden typ sieci trjskona prymitywna punkty sieciowe pooone jak na rysunku (8/8)
28
2008-10-15
Obliczy odwrotnoci dugoci odcinkw Sprowadzi odwrotnoci do najmniejszych liczb cakowitych Wskaniki paszczyzny sieciowej s zbiorem trzech najmniejszych liczb cakowitych, oglnie (hkl); rodzina paszczyzn {hkl} Np. paszczyzna (021) jest rwnolega do osi x, przecina o y w 1/2b i o z w odlegoci c. Odwrotnoci 1/, 1/, 1/ 1/,1/1
29
2008-10-15
Paszczyzny sieciowe
cF4 sie regularna (c) ciennie centrowana (F) z czterema atomami na komrk
30
2008-10-15
Liczba oznaczajca typ struktury w grupie A1 typ struktury miedzi i Fe Fe A2 typ struktury Fe Fe A3 struktura typu magnezu B1 struktura chlorku sodu
31
2008-10-15
1 Li K
2 Be
10
11
12
13 B Al
14 C Si Sn Pb
15 P
16 S
17 Cl Br I
numery grup N
Na Mg Ca Sc Y Ti Zr Hf Th V Cr
Mn Fe
Co Ni Pt
Cu Zn
Ga Ge As Se Sb Te Bi
Rb Sr
Nb Mo Tc Ta W U Re
Ru Rh Pd Ag Cd In Os Ir Au Hg Tl
Cs Ba La
Klasa 1 Struktury o duej liczbie koordynacyjnej (w nawiasie). RPC, HZ, RSC. Wizanie metaliczne
Klasa 2 (porednia)
Klasa 3 Struktury o
inna, zoona
32
2008-10-15
33
2008-10-15
34
2008-10-15
Aniony tworz struktur krystaliczn a kationy rozmieszczone s w lukach midzy anionami Wymiar luki jest rwny maksymalnej rednicy kuli mieszczcej si w luce
atom w luce oktaedrycznej otacza 6 atomw atom w luce tetraedrycznej otacza 4 atomy
35
2008-10-15
36
2008-10-15
Charakterystyka luk
RSC wymiary luki takie same w trzech kierunkach
oktaedryczne; oktaedryczne; 1+12/4=3 luki na komrk; jedna luka przypada na jeden atom sieci; 0,414d 0,414d tetraedryczne 8 luk na komrk; na jeden atom sieci przypada dwie luki; 0,225d 0,225d
Krysztay s elektrycznie obojtne, dlatego musz by spenione wzory stechiometryczne Podobnie jak w krysztaach metali, d do jak najcilejszego uoenia jonw w przestrzeni
37
2008-10-15
SiC jak diament lecz co drugi atom Si zamiast C; twardo mniejsza tylko od diamentu (podtlenku boru, azotku boru) grafit sie heksagonalna (lub romboedryczna) skadajca si z warstw atomw; atomw; wizanie Van der Waalsa pomidzy warstwami; stopie wypenienia przestrzeni 16%; wasnoci smarownicze
Nastpuje uwsplnianie elektronw, wic jest okrelona liczba ssiadujcych atomw Pooenia atomw s okrelone, bo wizanie kowalencyjne jest kierunkowe Konieczno minimalizacji energii wiza skutkuje tworzeniem acuchw, warstw lub sieci trjwymiarowych
Grafit
rednica atomowa wgla w graficie 141pm Jak powierzchni zajmie 1g grafitu gdyby uoy tylko jedn warstw?
38
2008-10-15
Polimorfizm
Wystpowanie pierwiastka lub zwizku w rnych strukturach krystalicznych Alotropia jest terminem wszym i dotyczy wycznie czystych pierwiastkw Przemiana polimorficzna zachodzi gdy inna struktura bdzie miaa mniejsz energi Rnica energii zwizku wystpujcego w rnych strukturach jest maa, dlatego struktura ulega zmianie ze zmian temperatury Przemiana alotropowa w elazie (RPCRSC) przy (RPCRSC) temperaturze 912C umoliwia hartowanie stali 912 Przy temperaturze 1394C struktura RSC ma wiksz 1394 energi ni RPC i zachodzi przemiana (RSCRPC) (RSCRPC)
39
2008-10-15
40
2008-10-15
Uzyskanie materiau bez defektw chemicznych i geometrycznych jest niemoliwe Zanieczyszczenia chemiczne i geometryczne zaburzaj regularno struktury krystalicznej Wystpowanie akceptowalnego (dopuszczalnego) udziau defektw chemicznych i geometrycznych nie dyskwalifikuje materiau Niekiedy defekty wywouje si w strukturze krystalicznej, podczas procesu wytwarzania, w celu osignicia konkretnych wasnoci materiau
podobny efekt wywouj modyfikatory w strukturze krzemionki
41
2008-10-15
Roztwory stae
Roztwr faza skadajca si z wicej ni jednego pierwiastka i zachowujca typ struktury rozpuszczalnika Roztwr stay wystpuje w stanie staym
rozmieszczenie atomw skadnika rozpuszczonego w strukturze krystalicznej rozpuszczalnika jest przypadkowe (jak w roztworze ciekym)
Roztwr substytucyjny (podstawieniowy) atomy pierwiastka rozpuszczonego zajmuj pooenia atomw rozpuszczalnika w strukturze krystalicznej Roztwr stay midzywzowy rednica atomu skadnika jest duo mniejsza ni rednica atomu rozpuszczalnika. Atomy skadnika zajmuj wtedy pooenia w lukach
roztwory midzywzowe z elazem tworz C, N, B, H i O ferryt i austenit wystpujce w stalach s roztworami tego typu
42
2008-10-15
Fe Fe T<912C 912
Fe Fe T>912 T>912C
43
2008-10-15
44
2008-10-15
Dyfuzja
Cieplnie aktywowane przemieszczanie si atomw lub jonw w materiale W stanie staym szybko dyfuzji jest do 3 rzdw wielkoci mniejsza ni w cieczy Mechanizm wakancyjny Mechanizm midzywzowy
Drogi dyfuzji
Dyfuzja objtociowa przez struktur krysztau Dyfuzja po granicach ziarn najatwiejsza Dyfuzja powierzchniowa w proszkach Prawo Arrheniusa
D0 - staa Q energia aktywacji na atom R staa gazowa T - temperatura
45
2008-10-15
Dyslokacje
Dyslokacje s defektami liniowymi - poza niewielkim obszarem wok linii zwanej lini dyslokacji, struktura krystaliczna jest doskonaa Dyslokacja jest granic oddzielajc cz krysztau w ktrej nastpio odksztacenie trwae (przemieszczenie atomw) i cz jeszcze nieodksztacon Krawdziowa - przemieszczenie atomw nastpuje w kierunku prostopadym do krawdzi dyslokacji
linia dyslokacji jest krawdzi koczcej si w krysztale paszczyzny atomowej
Gsto dyslokacji suma dugoci linii dyslokacji w jednostce objtoci materiau m/m3
w metalach wyarzonych 1010m/m3 (rednia odlego do Ksiyca 3,84*108m) podczas odksztacania plastycznego nastpuje szybki wzrost gstoci dyslokacji w materiale odksztaconym na zimno przy redukcji przekroju 80% gsto dyslokacji wzrasta do 1016m/m3 (odlego do Plutona 6*1012m)
46
2008-10-15
Dyslokacja krawdziowa
rubowa
Wektor Burgersa
47
2008-10-15
Odksztacenie plastyczne
Powstaje na skutek zrywania wiza midzy ssiednimi atomami i tworzenia ich z nowymi ssiadami W materiaach krystalicznych zachodzi
gwnie dziki przemieszczaniu si dyslokacji (polizgowi) rwnie dziki bliniakowaniu odksztaceniowemu
Odksztacenie plastyczne materiaw niekrystalicznych nastpuje podobnie jak w cieczach przez pynicie wiskozyjne
Aby dyslokacja moga si lizga musi dziaa naprenie styczne w paszczynie polizgu i w kierunku wektora Burgersa Dyslokacje krawdziowe przemieszczaj si gdy naprenia styczne dziaaj prostopadle do linii dyslokacji. rubowe przy napreniach rwnolegych Przemieszczenie dyslokacji przesuno cz krysztau powyej paszczyzny polizgu (czerwona przerywana) wzgldem pozostaej czci w kierunku wektora Burgersa o dugo wektora (-b) (Kierunki odksztacenia i cicia s takie same dla dyslokacji krawdziowej. Dla rubowej prostopade
48
2008-10-15
Systemy polizgu
Polizg po gadkiej powierzchni zachodzi atwiej ni po chropowatej Paszczyznami polizgu s paszczyzny o moliwie gstym uoeniu atomw Paszczyzn polizgu i lecy w niej kierunek polizgu nazywamy systemem polizgu Liczba systemw polizgu zaley od budowy komrki elementarnej
49
2008-10-15
P N = a
dugoci wektora dyslokacji (Burgersa) b odlegoci pomidzy ssiednimi paszczyznami polizgu d
kd b
Opr jaki stawia struktura poruszajcej si dyslokacji (a, (a k stae dla materiau) zaley od
Materiay o wizaniach kowalencyjnych ulegaj zniszczeniu zanim naprenie spowoduje polizg Przemieszczenie dyslokacji w materiaach o wizaniu jonowym zaburza rwnowag jonw. Nastpuje pkanie kruche przy mniejszych napreniach ni polizg
Monokryszta
Materia skadajcy si z jednego krysztau (ziarna), jednego uoenia atomw
ma dokadnie takie wasnoci (linie polizgu, anizotropia) jak komrka elementarna na bazie ktrej powsta monokrysztay czystych metali maj pewn wytrzymao bo podczas ruchu dyslokacji (polizgu) nastpuje zrywanie i tworzenie wiza midzyatomowych
Kryszta ciao stae o regularnym i powtarzalnym uoeniu atomw, czsteczek lub jonw Uzyskanie monokrysztau jest trudne i kosztowne
materia musi by chemicznie jednorodny monokryszta powstaje przy bardzo wolnym chodzeniu
50
2008-10-15
Materiay polikrystaliczne
Skadaj si z duej liczby krysztaw (ziarn), o wymiarach 10-100m rnicych si jedynie 10-100 orientacj krystalograficzn
w niektrych materiaach ziarna mog by wiksze, np. cynk
Ziarno (grain) pojedynczy kryszta w polikrystalicznej strukturze stopu Midzy atomami ssiednich ziarn wystpuj siy atomowe tego samego rodzaju jak wewntrz krysztau
Granice ziarn
Granica ziarn powierzchnia styku ssiednich krysztaw (ziarn) Granica ziarn jest stref niedopasowania krystalicznego midzy ssiednimi ziarnami
atomy zajmuj pooenia w wyniku kompromisu midzy wymaganiami strukturalnymi obydwu ssiadujcych ziarn odlegoci pomidzy atomami na granicy ziarn s inne ni wewntrz krysztau odlegoci midzyatomowe nie przekraczaj trzech rednic atomowych atomy w granicy ziarn maj wiksz energi wic s bardziej reaktywne ni we wntrzu krysztau s drogami atwiejszej dyfuzji s miejscami uprzywilejowanego zarodkowania wydzielajcej si fazy do niej czsto segreguj (koncentruj si) atomy domieszki
51
2008-10-15
Granice bliniacze
Dwie czci krysztau s bliniakami gdy jedna z nich jest lustrzanym odbiciem drugiej w pewnej paszczynie krystalograficznej
paszczyzna (111) w strukturze RSC ABCABCBACBAC ABCABC
52
2008-10-15
Umocnienie
Wytrzymao materiau krystalicznego mona zwikszy (spowodowa umocnienie) przez wytworzenie w nim przeszkd dla ruchu dyslokacji dlatego, e
materiay krystaliczne zawieraj dyslokacje polizg (przemieszczanie) dyslokacji prowadzi do odksztacenia plastycznego naprenie powodujce polizg wywiera na dyslokacj pewn si linia dyslokacji moe si wygina jeli na jej drodze znajdzie si przeszkoda
Mechanizmy umocnienia
roztworowe (wytworzenie roztworu) dyslokacyjne (odksztaceniowe) wydzieleniowe lub czstkami fazy dyspersyjnej rozdrobnienie ziarn. Wystpuje odwrotnie proporcjonalna zaleno pomidzy pierwiastkiem kwadratowym z powierzchni ziarna a granic plastycznoci
Umocnienie metali
Wytworzenie przeszkd dla ruchu dyslokacji jest wane w metalach, gdzie polizg nastpuje atwo Due umocnienie roztworowe zapewniaj atomy domieszek, ktre powoduj znaczne znieksztacenie struktury, lecz ich rozpuszczalno, z tego samego powodu, jest niewielka
jeeli zachodzi przemiana w stanie staym (martenzytyczna) to mona uzyska roztwory przesycone pierwiastkiem powodujcym znaczne znieksztacenie sieci krystalicznej
Podzia przeszkd ze wzgldu na wymiary (podobny jak podzia geometryczny defektw sieci krystalicznej)
zerowymiarowe atomy domieszek (dodatkw stopowych) w roztworze staym jednowymiarowe dyslokacje dwuwymiarowe granice ziarn trjwymiarowe czstki innej fazy (powstajcej zgodnie z wykresem rwnowagi fazowej)
53
2008-10-15
Umocnienie roztworowe
Dyslokacje (defekt liniowy) oddziauj z atomami rozpuszczonymi (defekt zerowymiarowy) Wok atomu domieszki powstaje pole odksztace sprystych zmniejszajce ruchliwo dyslokacji Wartoci i zasig pl napre/odksztace wok atomu rozpuszczonego zaley od rnicy wielkoci atomw osnowy i domieszki Ju przy maej zawartoci domieszki wystpuj due zmiany wasnoci, np. granicy plastycznoci Re , twardoci
Umocnienie odksztaceniowe
W strukturach krystalicznych metali jest wiele systemw polizgu Odksztacenie plastyczne powoduje przemieszczanie dyslokacji Dyslokacje z przecinajcych si paszczyzn polizgu spitrzaj si i gromadz umocnienie odksztaceniowe Moe utrudnia walcowanie cienkich blach naprenie pynicia plastycznego ronie Mona uzyska tylko w elementach obrabianych plastycznie
temperatura materiau po procesie umocnienia nie moe wzrosn powyej 0,3Tt
54
2008-10-15
Wydzieleniami mona utwardza stopy, w ktrych rozpuszczalno domieszki maleje przy obnianiu temperatury
podczas eksploatacji temperatura elementu nie moe by wysza ni temperatura rozpuszczania wydziele
55
2008-10-15
Wykresy fazowe
Regua faz Dwuskadnikowe wykresy fazowe Rozpuszczalno skadnikw w stanie staym Wykresy fazowe z przemianami i mikrostruktury Ukad rwnowagi fazowej elazo-cementyt elazo-
56
2008-10-15
Skad stopu zawsze podajemy w procentach masowych Na linii wykresu mog wystpowa dwie fazy Jaka faza wystpuje przy temperaturze 0C? 0 Czy w punkcie potrjnym mog wystpowa trzy fazy?
57
2008-10-15
58
2008-10-15
59
2008-10-15
Regua dwigni
Suy do okrelania wzgldnych udziaw poszczeglnych faz w obszarach dwufazowych
m + mL = 100g 0,2m + 0,8mL = 0,6 (100g ) dla skkadni B m = 33,3g mL = 66,7g Oglnie : c m + c m = c(m + m )
60
2008-10-15
61
2008-10-15
62
2008-10-15
Zachodzi ograniczona rozpuszczalno skadnikw w stanie staym Przemiana eutektyczna izotermiczna przemiana jednej fazy w dwie podczas chodzenia
63
2008-10-15
64
2008-10-15
albo
niejednorodna (po starzeniu) kulista (sferyczna) gruboziarnista maa powierzchnia granic faz (ziarn) bez wtrce (niemetalicznych) rwnomierny rozkad skadnikw
65
2008-10-15
66
2008-10-15
W obszarze dwufazowym jest mieszanina faz ssiednich obszarw jednofazowych Obszary dwufazowe granicz w punktach lub przez lini poziom (izoterm) Linie poziome oznaczaj przemian przy staej temperaturze
wystpuj na nich trzy fazy, wic liczba stopni swobody jest rwna zero
67
2008-10-15
Pojcia
Skadnik struktury cz struktury materiau o okrelonej i charakterystycznej mikrostrukturze widocznej pod mikroskopem Tekstura struktura materiau polikrystalicznego charakteryzujca si podobn orientacj sieci krystalicznej wikszoci ziarn
uzyskiwana w wyniku obrbki plastycznej lub wyarzania jej skutkiem jest istnienie silnej anizotropii wasnoci
Segregacja niejednorodno skadu chemicznego materiau spowodowana powolnoci reakcji (dyfuzji) lub oddziaywaniem z atomami domieszki Wydzielenie wytworzenie si nowej fazy z roztworu przesyconego
elazo
Struktura RPC (odmiana alotropowa Fe-) do Fetemperatury 912C (G) 912 Powyej temperatury 912 do 1394C (N) struktura RSC 1394 (odmiana alotropowa Fe-) ma mniejsz energi FeOd temperatury 1394C do temperatury topnienia 1394 wystpuje struktura RPC oznaczana Fe-() odmiana Fealotropowa elazo nie ma zastosowania w technice dlatego na wykresie Fe-Fe3C czsto pomija si punkty BHJN FePoniej temperatury 770C jest ferromagnetyczne, 770 powyej paramagnetyczne (nieuywane oznaczenie )
68
2008-10-15
Objanienie do ukadu Fe-Fe3C FeStabilnym ukadem jest ukad Fe-C FeZmiany w stopach elaza zachodz zgodnie z ukadem Fe-Fe3C, Fektry jest metastabilny, bo:
do utworzenia si grafitu rozsegregowanie skadnikw musi by wiksze praca zarodkowania grafitu (wysokoenergetyczne granice fazowe) jest wiksza ni Fe3C stale zawieraj mangan, ktry stabilizuje Fe3C
Likwidus krzywa ABCD na dwuskadnikowym wykresie fazowym powyej ktrej wystpuje tylko ciecz Solidus krzywa AHJECF na dwuskadnikowym wykresie fazowym poniej ktrej stabilne s tylko fazy stae Stal stop zawierajcy wicej elaza ni jakiegokolwiek innego pierwiastka, mniej ni 2% wgla (E) oraz inne pierwiastki (stopowa wicej ni niestopowa). Stal niestopowa zawiera mniej ni, np.
0,3% kadego z pierwiastkw takich jak: Al, Co, Cr, Ni, W 0,1% kadego z pierwiastkw: Bi, La (kady), Se, Te, V
Stopy elaza z wglem o skadzie na prawo od zawartoci wgla punktu E nazywamy surwkami lub eliwami
Ozn.
F G H
K N P Q S
%C
1538 1495 1148 1227 1148 1148 912 1495 1495 727 1394 727
69
2008-10-15
70
2008-10-15
71
2008-10-15
mona wydedukowa
72
2008-10-15
Ferryt () (
Midzywzowy roztwr stay wgla w elazie lub (ferryt wysokotemperaturowy) o strukturze RPC Prawie czyste elazo, max 0,0218%C (P), przy (P temperaturze normalnej 0,008%C (Q) (Q Wiedzc, e masa atomowa Fe=55,85 oraz C=12,01 mona obliczy ile procent luk oktaedrycznych zajmuj atomy wgla w strukturze ferrytu
73
2008-10-15
Austenit () (
Midzywzowy roztwr stay wgla w elazie o strukturze RSC Najwiksza rozpuszczalno 2,11%C (E), przy temperaturze eutektoidalnej 0,77%C (S) (S Rozpuszczalno wgla w austenicie jest znacznie wiksza ni w ferrycie bo luka oktaedryczna jest wiksza
Cementyt Fe3C
Wglik elaza o rombowej strukturze krystalicznej Zawarto wgla 6,67% nie zaley od temperatury i wynika ze wzoru stechiometrycznego Pierwszorzdowy (pierwotny) wydziela si z cieczy o skadzie nadeutektycznym Drugorzdowy (wtrny) wydziela si z austenitu z powodu zmniejszania rozpuszczalnoci wgla wzdu krzywej ES Trzeciorzdowy wydziela si z ferrytu gdy rozpuszczalno wgla zmniejsza si wzdu krzywej PQ
74
2008-10-15
Perlit
Mieszanina eutektoidalna ferrytu, (P) o (P zawartoci 0,0218%C, i cementytu Zawiera 0,77%C Struktura o budowie pytkowej, podobnie jak eutektyka Skada si z na przemian uoonych pytek ferrytu i cementytu o stosunku gruboci pytek 8:1
Ledeburyt
Mieszanina eutektyczna austenitu, (E) o (E zawartoci 2,11%C, i cementytu Zawiera 4,3%C Tworzy struktur o budowie pytkowej Poniej temperatury 727C (SK) wystpuje 727 (SK) ledeburyt przemieniony po zajciu eutektoidalnej przemiany austenitu w perlit Ledeburyt przemieniony skada si z ferrytu i cementytu
cementyt + austenit -> cementyt + perlit (ferryt + cementyt) = ferryt + cementyt
75
2008-10-15
76
2008-10-15
Zmiany strukturalne
Przyczyny przemian strukturalnych Zarodkowanie i wzrost krysztaw Przemiany dyfuzyjne i bezdyfuzyjne Obrbka cieplna stali Zdrowienie i rekrystalizacja Rozrost ziarn
77
2008-10-15
Przykad krystalizacji
78
2008-10-15
Krystalizacja materiaw
Wikszo metali otrzymujemy z rud w procesach hutniczych stan cieky eby w metalu nie zasza krystalizacja (powstaje posta amorficzna) naley go chodzi z prdkoci wiksz od 106K/s Krystalizacja tworzenie krysztaw (ziarn) przy zmianie stanu z ciekego na stay Wyroby z metali (stopw) odlane s
odlewami maj form wyrobu kocowego, struktur i wasnoci materiau determinuje odlewanie wlewkami maj proste ksztaty i s nastpnie przerabiane plastycznie (walcowane lub kute) struktura wyrobu powstaje w wyniku dalszej obrbki, zalenej od struktury odlewu
Krysztay wypuke nie s trwae gdy wokoo jest ciecz o temperaturze wikszej Front krystalizacji (granica pomidzy faz ciek i sta) jest paski
79
2008-10-15
Segregacja
Niejednorodny skad stopu powstajcy w warunkach innych ni rwnowagowe Mikrosegregacja wystpuje w maej skali
spowodowana jest tworzeniem dendrytw podczas krystalizacji jest przyczyn wystpowania kruchoci na gorco obszary dendrytyczne topi si przy niszej temperaturze ni solidus mona j usun stosujc wyarzanie ujednorodniajce
Makrosegregacja rnice w skadzie pomidzy czci rodkow i przypowierzchniow wlewka lub odlewu
warstwa przypowierzchniowa zawiera wicej skadnika o wyszej temperaturze topnienia obrbka cieplna (dyfuzja) nie usuwa makrosegregacji zmniejszy makrosegregacj mona przez obrbk plastyczn na gorco
80
2008-10-15
W grnej czci wlewka, przy krzepniciu materiau, powstaje pusta przestrze nazywana jam skurczow
Kinetyka przemian
Klasyfikacja przemian strukturalnych
dyfuzyjne w przypadku migracji atomw w materiale konieczne powolne zmiany temperatury bezdyfuzyjne niewielkie uporzdkowane przemieszczenia atomw wzgldem pooe wstpnych wzrost (przebudowa) krysztaw z prdkoci dwiku
81
2008-10-15
Dodatkowe oznaczenia
A1 PSK, Ac1 przemiana przy nagrzewaniu PSK, Ac A3 GSK, Ar3 przemiana przy chodzeniu GSK, Ar Acm SE
W stali podeutektoidalnej (perlit + ) pozostay ferryt ulega przemianie w austenit do temperatury Ac3 W stali nadeutektoidalnej (perlit + Fe3C) w austenicie rozpuszcza si cementyt wtrny do temperatury Accm Ostatecznie otrzymuje si austenit
pocztkowo w miejscach gdzie by cementyt jest wicej wgla dyfuzyjne ujednorodnienie austenitu w obrbie ziarna zachodzi po pewnym czasie
82
2008-10-15
Przemiana perlityczna
Przy powolnym chodzeniu austenitu, na granicy ziarn austenitu powstaj zarodki
ferrytu dla stali podeutektoidalnej cementytu dla stali nadeutektoidalnej
Obok, w obszarze zuboonym w wgiel powstaje pytka ferrytu, itd. twardo ok. 220HB Przy wikszym przechodzeniu powstaje perlit drobny o wikszej wytrzymaoci i twardoci 500HB Przy maym przechodzeniu szybciej rosn ziarna perlitu, przy duym szybciej przebiega zarodkowanie
Wykresy CTP
Czas (logarytm) Temperatura Przemiana Okrela uamek objtoci tworzcej si fazy w funkcji czasu dla przemian zachodzcych w warunkach innych ni warunki rwnowagi fazowej (szybkie chodzenie) Krzywe pocztku, koca i 50% przemiany Ksztat litery C lustrzane odbicie krzywej krystalizacji Zarwno przy maym jak i duym przechodzeniu czas do rozpoczcia przemiany jest dugi CTPi (TTT Time Termperature Transformation) dla izotermicznego Transformation) chodzenia materiau
atwiejsze do interpretacji
CTPc (CCT Continous Cooling Transformation) dla cigego Transformation) chodzenia materiau
waniejsze podczas produkcji w stosunku do wykresw CTPi s przesunite w prawo i w stron niszej temperatury
83
2008-10-15
Egzamin
Co naley przynie na kady egzamin (regulamin studiw 26 ust. 5)
indeks, kart egzaminacyjn, max 2 dugopisy okulary i chusteczki higieniczne, jeli kto uywa
Egzamin zerowy dodatkowy (31 ust. 5) ( ustny przed sesj egzaminacyjn, na ostatnim wykadzie przed sesj
dodatkowo przynie dwie kartki A4
Zapytam osoby, ktre w mojej ocenie mog przystpi do egzaminu w terminie zerowym, o to czy s chtne
dopuszczonych zostanie okoo 20 studentw
84
2008-10-15
85
2008-10-15
Przemiana bainityczna
Charakter poredni pomidzy przemian perlityczn (dyfuzyjn) i martenzytyczn (bezdyfuzyjn) Bainit grny powstaje przy temperaturze 550-400C 550-400
podobnie jak perlit skada si z listew ferrytu i cementytu
86
2008-10-15
Przemiana martenzytyczna
Austenit ochodzony poniej temperatury 250C (Ms) ulega przemianie 250 bezdyfuzyjnej (martenzytycznej), zachodzcej z prdkoci dwiku
nie jest konieczne cieplne wzbudzenie atomw
Martenzyt zawiera tyle samo wgla ile zawiera austenit, z ktrego martenzyt powsta Martenzyt przesycony roztwr stay wgla w elazie o sieci tetragonalnej przestrzennie centrowanej, mikrostruktura iglasta
ma struktur elaza zdeformowan przez nadmiar atomw wgla. Parametry sieci zale od zawartoci wgla c/a=1+0,045*(%C)
Przemiana martenzytyczna zachodzi rwnie w niektrych metalach, ich stopach, materiaach ceramicznych i polimerach
87
2008-10-15
88
2008-10-15
Wytrzymao martenzytu
Pytki (listwy) martenzytu maj mae wymiary (<1m) (<1 W martenzycie jest dua gsto dyslokacji 1015m-2 W stalach rednio- i wysokowglowych umocnienie redniopowoduje nadmiar atomw wgla w roztworze Szacunkowy udzia poszczeglnych mechanizmw umocnienia w wytrzymaoci martenzytu dla stali niestopowej C40
granice ziarn 28% dyslokacje 12% nadmiar wgla w roztworze 50% inne efekty 10%
Gdy zawarto wgla w stali >0,3% moliwe jest pkanie materiau podczas chodzenia z powodu zbyt duej prdkoci chodzenia (naprenia hartownicze)
89
2008-10-15
Hartowanie stali
Nagrzanie stali do temperaturzy 30-50C powyej krzywej GSK 30-50 Wygrzanie przez czas ok. 1,5min/mm wymiaru przekroju elementu Chodzenie z szybkoci wiksz ni krytyczna aby nie zasza przemiana dyfuzyjna (perlityczna) Rnica temperatury pomidzy warstw wierzchni i rdzeniem jest przyczyn deformacji podczas nagrzewania i po hartowaniu Hartowanie zwyke, stopniowe, izotermiczne (bainityczne) Ulepszanie cieplne hartowanie i odpuszczanie rednie lub wysokie Stale po ulepszaniu cieplnym maj korzystn kombinacj wasnoci wytrzymaociowych tj. du wytrzymao i plastyczno (sprysto)
90
2008-10-15
Krucho odpuszczania
Krucho pierwszego rodzaju zmniejszenie udarnoci stali odpuszczanych przy temperaturze 250-350 250-350C, z powodu
wydzielania si cementytu i segregacji atomw zanieczyszcze do granic faz cementytu i martenzytu
zanieczyszczenia s usuwane z rosncych krysztaw
Krucho drugiego rodzaju zmniejszenie udarnoci stali odpuszczanych przy temperaturze 450-600 450-600C lub wyszej z powodu
segregacji atomw zanieczyszcze (P, Sb) oraz pierwiastkw stopowych (Ni, Mn) do granic ziarn byego austenitu mona j usun (unikn) przez szybkie chodzenie od temperatury wyszej ni 600 C
Hartowno
Zdolno stali do tworzenia struktury martenzytycznej podczas hartowania rednica krytyczna najwiksza rednica prta hartujcego si na wskro (min 50% martenzytu w osi prta) Wiedza na temat hartownoci stali pozwala optymalnie dobra materia do konkretnych zastosowa
przy zbyt maej hartownoci materia bdzie mia mniejsz wytrzymao i bdzie si szybciej zuywa przy zbyt duej ponosi si podwyszone koszty i zmniejsza si konkurencyjno produkcji
91
2008-10-15
Wyarzanie
Ujednorodniajce, Ujednorodniajce, cel - zmniejszenie segregacji powstaej podczas krystalizacji
prowadzi si przy temperaturze 100-200C poniej solidusu, dla stali 100-200 stopowych
Rekrystalizujce, cel usunicie skutkw zgniotu na zimno Rekrystalizujce, (dyslokacji) aby dalsze etapy obrbki plastycznej nie powodoway zniszczenia elementu
temperatura rekrystalizacji dla miedzi okoo 200C, elaza 450C, niklu 200 450 600 wolframu1200 600C, wolframu1200C; oglnie okoo 0,35-0,6 temperatury topnienia 0,35-
Etapy obrbki
ujednorodnienie roztworu staego (nagrzanie poniej solidusu) przesycanie roztworu przez odpowiednio szybkie chodzenie wytrzymywanie roztworu przesyconego przy temperaturze normalnej (starzenie naturalne) lub nieco podwyszonej (przyspieszone) do utworzenia wydziele M=T*log() M=T*log(
92
2008-10-15
93
2008-10-15
Egzamin
Co naley przynie na kady egzamin (regulamin studiw 26 ust. 5)
indeks, kart egzaminacyjn, max 2 dugopisy okulary i chusteczki higieniczne, jeli kto uywa
Egzamin zerowy dodatkowy (31 ust. 5) ustny, na ostatnim wykadzie ( przed sesj egzaminacyjn
dodatkowo przynie dwie kartki A4
Jeeli nie bdziecie w stanie w domu z pamici odtworzy wykresu (celu obrbki, przebiegu operacji, opisu definicji) i nie bdziecie rozumieli tego czego si uczycie zestresowani zapomnicie i nie zdacie egzaminu!
opowiedzie z pamici onie, sympatii albo ulubionej aktorce na plakacie
94