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. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------DIODOS ESPECIALES Tenemos una gran variedad de semiconductores de una juntura, con caractersticas elctricas especiales. Los ms relevantes son los siguientes: Diodo Zener, diodo varicaps., diodo tnel, diodo Schottky, diodo emisor de luz, fotodiodos, diodos de corriente constante, diodos de recuperacin en escaln, diodos invertidos. Diodos Zener iz
Polarizacin directa

Estos diodos, tienen propiedades similares a la de un diodo normal pn. La caracterstica Vzk VI, obedece en polarizacon directa, a la caracterstica exponencial donde: id = Is[ e(Vz/.VT) - 1] para vz > 0. En polarizacon vz inversa, el comportamiento es similar al diodo comn, siempre que la tensin inversa no sea excesiva. A Vz=cte partir de una determinada tensin inversa, denominada Vzk, se produce la ruptura de la juntura que hace que aumente notoriamente la Polarizacin corriente inversa, sin que aumente la tensin en sus inversa extremos. Dentro de ciertos lmites de corriente inversa, esta ruptura no es destructiva. De all la aplicacin de este elemento como tensin de referencia o de regulacin de tensin. Mecanismo de ruptura: Existen dos formas de ruptura: Ruptura por avalancha y ruptura por efecto Zener. En la primera, los portadores de carga generados trmicamente, adquieren suficiente energa a partir del potencial elctrico externo aplicado, producindose la ruptura de enlaces covalentes generando pares electrn huecos. Estos a su vez tambin adquieren energa para romper otros enlaces covalentes y as este proceso se hace acumulativo, dando lugar a un aumento de la corriente inversa. Este proceso se denomina multiplicacin por avalancha. La ruptura Zener, se produce por el propio campo elctrico en la zona de la juntura (zona de la barrera de potencial o campo elctrico nter construido) que se ve incrementado por el potencial elctrico externo aplicado. Este, provoca la separacin de los electrones de sus enlaces covalentes, generando los portadores de carga electrnhueco. Un diodo Zener esta construido, drogando fuertemente las regiones p y n de la juntura pn. Para diodos con tensiones de ruptura por debajo de los 6 volt, el mecanismo de ruptura es por efecto Zener. Por encima de este valor el mecanismo de ruptura es por avalancha. Cualquiera sea el mecanismo de ruptura, se les denomina diodos Zener. Caractersticas de temperatura: La tensin de Coef.+ ruptura es funcin de la temperatura. Esta 6 volt Temp. dependencia se especifica, mediante el coeficiente de temperatura, definido como el cambio de la tensin de referencia (%) por grado centgrado de variacin de la temperatura. Este valor suele estar vz comprendido entre 1% / C dependiendo de la tensin de ruptura. Para diodos Zener por debajo de los 6 volt, el coeficiente es negativo. Por arriba de 6 volt, es positivo. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 1

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Resistencia dinmica: En los diodos Zener reales, en la zona de la ruptura, rd no es constante, sino que se va incrementado levemente, con el aumento de de la corriente inversa. La reciproca de la pendiente de la curva VI , en el punto de funcionamiento se le denomina como ya lo hemos tratado, resistencia dinmica del diodo Zener rd = Vz / Iz. Este valor suele estar comprendido en 5 para diodos Zener con tensiones de ruptura de alrededor de los 6 volt. Este valor, se incrementa para tensiones de ruptura mayores y menores a 6 volt. En la zona del codo de la ruptura (Izk), su valor se incrementa notablemente. Por ejemplo el diodo zener 1N957 tiene una tensin de Zener de Vz = 6,8 volt para una corriente Izt = 18,5 ma, con una resistencia dinmica rd = 4,5 . Para Izk = 1 ma la resistencia dinmica vale rd = 700 . De all la conveniencia de utilizar los diodos Zener con corrientes por encima de Izk (corriente del codo). Capacidad del diodo Zener: Estos como toda juntura pn, presentan una capacidad (capacidad de transicin) cuyo valor vara en razn inversa a la tensin aplicada Ct 10 a 10.000 pF. Anlisis de un circuito bsico con diodo Zener Generalmente en los circuitos que se utiliza un diodo Zener, la carga esta conectada en paralelo. Conviene simplificarlo utilizando Thevenin en los puntos A y B del circuito.

Vth = (RL . Vcc) / ( R1+RL) iz Rth = R1 // RL = R1 . Rl / (R1+RL) Vth/Rth Para resolver analticamente debemos encontrar el modelo aproximado por tramos del diodo Zener y plantear las siguientes ecuaciones: Izk Vth = Rth . iz + vz vz = Vzk + rd . iz Para resolver grficamente, debemos superponer la recta de carga con la curva del diodo Zener como muestra el dibujo aclarando que la zona de ruptura se la dibuja en el 1 cuadrante. Vzk

Iz,Vz Vth

vz

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema Para el circuito de la figura, determinar: a)- La tensin sobre la carga b)- La corriente sobre la carga C)- La corriente del diodo Vzk = 3,0 volt rd = 0

Problema Resolver los mismos valores del problema con la diferencia de la tensin de ruptura del diodo Zener Vzk = 6,8 volt. Problema Se desea disear un circuito reductor de tensin continua para alimentar una carga con una tensin de 9 volt, teniendo en cuenta que la misma tiene un consumo mximo de 0,75 vatios. La fuente primaria, es un toma corrientes de un automvil el cual suministra una tensin nominal de 12 volt. El circuito deber mantener la tensin de suministro de 9 volt aun cuando la carga se desconecte, y deber adems hacer frente a las variaciones de la tensin primaria de entrada. Datos: Pomax = 0,75 vatios Pomn = 0 vatios V1nominal = 12 volt V1minimo = 12 volt. V1maximo = 13,6 volt

Solucin: Seleccionaremos un diodo Zener con una tensin de ruptura Vzk = 9 volt. La resistencia R1 la determinaremos teniendo en cuenta que el diodo deber estar conduciendo en todo momento en la zona de ruptura y con una corriente mnima (Izk) dada en la zona del codo. La peor condicin, respecto al voltaje de ruptura, se va a dar entonces cuando se este entregando la potencia mxima a la carga y al mismo tiempo la tensin primaria (V1) este en su valor mnimo. RL = Vo2 / Po max = 92 / 0,75 = 108 Io max = VoN / RL = Vzk / RL = 9 / 108 = 83,3 ma Io min = 0 Izk = 1ma (valor adoptado) I1 = Izk + Io max. = 1 + 83,3 = 84,3 ma ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 3

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------R1 = (V1 min vz) / I1 = (12 9) / 0,0843 = 35,6 PR1 = RL . I12 = 0,25 vatios Con este valor de R1 debemos ahora calcular la corriente mxima que va a circular por el diodo Zener. Esta condicin se va a dar cuando tengamos el mximo valor de V1 y la carga desconectada Io = 0 Iz max = (V1 max vz ) / R1 = (13,6 9 ) / 35,6 = 130 ma. Con este valor podemos calcular la mxima potencia que deber disipar el diodo Zener. Pzmax = Izmax. Vz = 1,17 vatios. Con el valor de Vzk, Iz mx. y Pzmax, se deber seleccionar el diodo que tenga la tensin de ruptura lo mas prximo y su disipacin mayor al valor calculado. Otra solucin respecto al valor mximo de iz es colocar una resistencia de drenaje para evitar que la corriente de la carga sea cero. Como aclaracin final, ste es un clculo previo dado que se deber recalcular, en base a los valores de resistencias y diodo adoptados. Diodos de capacidad variable (varicaps) La juntura pn presenta caractersticas de capacidad elctrica ante variaciones tanto de la tensin inversa aplicada, como de la tensin directa. Podemos entonces distinguir dos tipos de capacidad: la capacidad de la carga espacial o de transicin (Ct) y la capacidad de difusin o almacenamiento (Cd). Capacidad de transicin Ct : Esta capacidad aparece cuando polarizamos inversamente la juntura pn. La polarizacon inversa provoca que los portadores mayoritarios se alejen de la juntura dejando descubierta la denominada carga espacial debido a los tomos ionizados. El grueso de esta capa de carga espacial, aumenta con la tensin inversa. Este aumento de carga puede considerarse como un efecto de capacidad Ct =Q/V Donde Q es el aumento decaiga provocado por un aumento de V de la tensin aplicada. El valor de Ct lo podemos expresar de la siguiente forma: Ct = .A/W permitividad del material A Area de la juntura transversal W Ancho de la zona de la carga espacial El valor de W se puede expresar mediante las siguientes formula: W = (2..Vj/q.Nd) (raiz al cuadrado); para juntura abrupta tipo aleacin W = (2..Vj/q.Nd) (raiz al cubo); para juntura gradual. Vj = Vo + Vd q carga del electrn Nd concentracin de impurezas donadoras Vj Potencial de la juntura o barrera de potencial con tensin externa inversa aplicada. Vo Barrera de potencial sin tensin externa aplicada Vd Tensin externa aplicada El valor de Ct es del orden de los pF y como W aumenta con Vj, entonces la capacidad de transicin disminuye con el aumento de la tensin inversa aplicada. ___________________________________________________________________ Apunte de ctedra Autor: Ing. Domingo C. Guarnaschelli 4

UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Capacidad de difusin: Esta aparece cuando la juntura esta polarizada directamente. El origen de esta capacidad tiene lugar en el almacenamiento de las cargas inyectadas en la vecindad de la juntura, fuera de la regin de transicin. La variacin de esta carga inyectada, con la variacin de la tensin directa aplicad nos define una capacidad incremental: Cd Q/V = .I / .vT = .g = / r siendo g = dI / dV vT= tension termica T [K]/ 11.600 Tiempo de vida media de los portadores huecos. I Corriente directa. Coeficiente de emisin Por ejemplo si = 20 seg. , =1 resulta Cd = 20 F. Como vemos Cd >> Ct. No obstante de ser Cd un valor grande, no tiene en las aplicaciones en gral. Inconvenientes dado que rd (resistencia dinmica directa) es muy bajo y por lo tanto la constante de tiempo rd.Cd no es exesiva. Diodo Varicaps Son diodos que se utilizan como capacidad variable aprovechando la variacin de la capacidad de transicin Ct con la tensin inversa aplicada.

Smbolo Curvas tpicas de variacin de Ct Ct(pf) Circuito equivalente

20 10

-4

-12

Vd inv.(volt)

Los valores dados en el circuito equivalente son para un determinado diodo varicaps con una determinada tensin inversa. Estos diodos se los utiliza generalmente en sistemas de radiocomunicaciones para los circuitos de sintonizacin tipo LC o tambin en osciladores con frecuencias variables. Veamos un circuito bsico de aplicacin, para sintonizacin LC

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Antena

C y L forman el circuito de resonancia paralelo principal. L1 acopla la seal sintonizada a las etapas amplificadoras posteriores. C1 acopla, en paralelo al circuito LC (llamado circuito tanque), la capacidad de transicin Ct. El filtro L de Choke, impide que la seal de radiofrecuencia, presente el circuito tanque, ingrese a la fuente de alimentacin Vcc y a travs de ella, provoque inestabilidad en el resto del circuito (realimentacin positiva). La fuente de alimentacin y el potencimetro, son los encargados de aplicarle una tensin inversa y variable al diodo barricas. La variacin de Ct provoca el cambio de la frecuencia de resonancia del circuito tanque y con ello la sintonizacin. Diodo Tnel Un diodo comn tiene una concentracin de impurezas de aproximadamente 1 parte en 108 tomos del semiconductor. Con este dopado, la zona de agotamiento o regin de la carga espacial no neutralizada (zona de la barrera de potencial), es del orden de 1 micra. Esta zona es la que restringe la fluencia de portadores mayoritarios de un lado de la juntura hacia el otro. Si la concentracin de impurezas se hace una parte en 1034.. tomos del semiconductor, la caracterstica de la juntura cambia completamente. El ancho de la barrera de potencial vara inversamente con la raz cuadrada de la concentracin de impurezas, reducindose a solo un cincuentava parte de la longitud de la onda de la luz visible. Con este ancho existe una gran probabilidad de que un electrn penetre a travs de la barrera de potencial. Este comportamiento en Mecnica Quntica se lo conoce como efecto tnel. Estos dispositivos se los denominan o conocen, como diodos tnel. Smbolo id Ip 1ma Iv 0,1ma Vp 0,1 Vv 0,3 Vd(volt) 6 Regin de resistencia negativa

Caracterstica VI Cuando la tensin directa llega a aproximadamente 0,1 volt y hasta 0,3 volt, el dispositivo presenta una caracterstica de resistencia negativa es decir aumenta la tensin en los extremos con disminucin de la corriente. Vp: tensin pico Ip: corriente pico Vv: tensin de valle Iv: corriente de valle

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Una de las aplicaciones de los diodos tnel es la generacin de altas frecuencias mediante los circuitos osciladores con un rango de frecuencias muy angosto. El reducido rango de tensiones donde ocurre el fenmeno de resistencia negativa, limita sus aplicaciones. Son dispositivos de baja potencia. Las tensiones directas e inversas aplicadas es necesario limitarlas a un mnimo. Los materiales utilizados para su construccin son el Si, GaAs y Ge. Diodo Schottky Es posible lograr dos tipos de unin entre metal y semiconductor: una unin ohmica o una unin rectificante. Para la primera, es el tipo de contacto requerido cuando esta destinado a unirse a un semiconductor, como el caso de los terminales exteriores que se unen al material pn de un diodo. El segundo es un diodo metalsemiconductor (denominado barrera Schottky), con caractersticas elctricas similares a un diodo pn. Cuando se forma una unin metal semiconductor, (siendo el metal aluminio, o platino), con un semiconductor del tipo n, fuertemente impurificado (n+), la unin que se logra es ohmica. En cambio si el semiconductor esta ligeramente drogado, se forma una unin rectificante. El aluminio o el platino, actan como dopantes del tipo p (aceptor) cuando se deposita directamente sobre el silicio tipo n. 1 Al 2 SiO2

2
Juntura Rectificante

n+ Tipo n Sustrato tipo p

Smbolo

El dibujo es un diodo Schottky formado bajo la tcnica de los circuitos integrados. El Terminal 1 (nodo), forma una unin rectificante cuando se une el aluminio con el semiconductor silicio tipo p. El terminal2 (ctodo), forman una unin Ohmica cuando se une el aluminio con el semiconductor silicio fuertemente drogado tipo n+. A diferencia del diodo de juntura pn de silicio, que tiene un voltaje umbral de alrededor de 0,5 a 0,7 volt, el diodo Schottky se activa con un voltaje de 0,3 volt. La corriente de saturacin inversa Is de este diodo es mucho ms alta que los de silicio pn. Una ventaja importante, es la de poder conmutar de conduccin directa a inversa a mas velocidad que un diodo pn, debido a que no presenta prcticamente carga almacenada Q, introduciendo menos fluctuaciones de voltaje o ruido elctrico. Este diodo se utiliza frecuentemente en los circuitos integrados, siendo una de las funciones, la de limitar la cada de tensin directa o inversa de una juntura pn (fijador de tensin Schottky).

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Problema En el circuito de la figura, determinar el voltaje del diodo pn de silicio y la corriente i1, cuando se aplica una tensin V1= 5 volt. V1(Schottky)=0,3 volt V2(silicio pn) = 0,7 volt

VD

Ambos diodos estn polarizados directamente. Cuando la tensin llegue a 0,3 volt, el diodo que comenzara a conducir ser el de menor tensin umbral, en este caso el diodo Schottky y que por lo tanto fijara en el mismo valor la tensin del diodo de juntura pn. Vd = V1 =0, 3 volt. i1 = (V1 V1) / R1 = (5 0,3) / 1 = 4,7 ma. Fotodiodos Estos elementos forman parte de la familia de los dispositivos opto electrnicos o fotonicos, siendo su aplicacin, en los procesamiento de seales analgicas y digitales. Se utilizan extensamente en redes telefnicas y de computadoras, reproductores de discos compactos (CD, DVD, etc), control a distancia sin cables elctricos, etc. Constituyen la interfase entre los medios de transmisin pticos (fibras pticas) y los sistemas electrnicos. Analizaremos el funcionamiento del fotodiodo: Luz externa Fotones de distinta Ventana Longitud de onda
SO2

Azul rojo

Infrarrojo nodo Zona de la carga espacial Zona n+

Lente convergente ip P N

+ -

zona p+ + + w

Zona n

vp
V1 RL

+ Ctodo

VL

Smbolo

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------El fotodiodo tiene una estructura similar a un diodo pn con la excepcin que la juntura pn esta expuesta a la luz a travs de un lente concentrador del haz luminoso. Normalmente es operado bajo condiciones de polarizacon inversa. En ausencia de luz, solamente circula la corriente de los portadores minoritarios (denominada corriente oscura) generados trmicamente. Cuando incide la luz, con suficientes fotones de energa, se crean pares electrn huecos en la regin de la carga espacial no neutralizada, permitiendo un aumento de la corriente inversa. El nmero de pares electrn huecos excedentes generados resulta proporcional a la intensidad de luz incidente, lo que es una medida de los fotones que inciden en la unin por unidad de tiempo. Podemos decir que un fotodiodo funciona como un dispositivo de tres variables: la tensin, la corriente y la intensidad luminosa. En el grafico se puede observar la relacin entre las mismas y las caractersticas de sensibilidad luminosa: Caracterstica tensin-corriente-intensidad luminosa del fotodiodo Polariz. inversa ip[a] 1/R2 regin fotovoltaica 2 6 -1/R1 L3=0,3 mw/cm2 L2=0,2 mw/cm2 L1=0,1 mw/cm2

Polariz. directa

4 Intensidad luminosa cero

vp[volt]

Sensibilidad (%) 100

Ojo humano

Silicio GaAs

Germanio

20 0,2 Ultraviolet a 500 Luz visible 1000 Infrarrojo prximo 1500 2000 Long.onda Incidente ()

Infrarrojo medio

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------El grafico muestra la sensibilidad en por ciento (%) de: el ojo humano, el silicio, GaAs, y el germanio. Vemos que el silicio cubre y GaAs (arseniuro de galio) cubre el espectro de luz visible y el infrarrojo prximo. Los elementos emisores como el diodo luminiscente de GaAs, tiene su mxima emisin en la zona de mxima sensibilidad del silicio. Los fotodiodos se fabrican de silicio, GaAs, y de otros semiconductores llamados debanda de energa directa vaca. A diferencia del silicio, en el cual los fotones absorbidos deben crear vibraciones en la red cristalina (llamadas fonones) para generar pares electrn-huecos, los otros absorben fotones y producen pares electrn huecos, sin necesidad de producir fonones de movimiento lento. Como resultado los fotodiodos fabricados de GaAs son ms rpidos para pasar del estado activo al estado inactivo, que los fotodiodos de silicio. En las caractersticas VI, vemos que existe una zona donde para vp positivo (polarizacin inversa) la corriente ip permanece prcticamente constante y se la puede expresar de la siguiente forma: Ip = I . LI I (intensidad ) es la fotoconductividad del fotodiodo medida en [a / mw/cm2] LI intensidad de luz en [mw / cm2] Ip corriente inversa [a] La ecuacin anterior tambin se la puede expresar en funcin del flujo total de luz (Popt) incidente sobre el fotodiodo, medido en [mw]. Ip = R . Popt donde R, es la responsividad medida en [ma / mw] La ecuacin general del fotodiodo la expresamos como: Ip = Is .[ e(-vp/.vT) --1] + I . LI Donde el primer termino representa la corriente de portadores generados por la temperatura y el Segundo termino la corriente debido a la luz incidente sobre el fotodiodo. El fotodiodo como foto-generador (clula fotovoltaica) Si analizamos la caracterstica tensincorriente del fotodiodo, vemos que con luz incidente y vp =0 o sea en cortocircuito, circula una corriente inversa. Para el otro extremo ip =0 o sea en circuito abierto, aparece una tensin elctrica en los extremos del fotodiodo. Como vemos entre estos dos extremos acta como un generador elctrico fotovoltaico (zona de segmentos azules en la caracterstica VI).

Circuito como fotodiodo

Circuito como generador fotovoltaico

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UTN REG. SANTA FE ELECTRONICA I - ING. ELECTRICA 1-4- Diodos especiales --------------------------------------------------------------------------------------------------------Diodos emisores de luz Estos diodos se caracterizan por convertir una corriente elctrica en una radiacin luminosa, en la zona de luz visible e infrarroja. Tienen muchas aplicaciones como dispositivos de exhibicin visual, con radiacin predominantemente monocromtica (varios colores) y como emisores para la transmisin de informacin por fibras pticas o excitadores para fotodiodos. En general, podemos clasificarlos en diodos luminosos (LED), diodos infrarrojos (IRD o ILD) y diodos Lser. Los diodos emisores de luz se elaboran a Cubierta de Semiconductor partir de una unin pn de silicio, de plstico arseniuro de galio, o de otros semiconductores compuestos del grupo III y V. Estos materiales comparten la Hilo de propiedad de que al recombinarse los oro pares electrnhuecos , generan fotones de una sola longitud de onda . Los electrones libres que estn en la Bandeja banda de conduccin, con un nivel reflectora energtico alto, al pasar a la banda de los enlaces covalentes, lo hacen cediendo energa en forma luminosa. Esto se logra cuando se polariza en forma directa la unin pn. En esta condicin se inyectan electrones y huecos en Ctodo nodo direcciones opuestas a travs de la regin de agotamiento. A medida que los pares electrnhuecos se recombinan con huecos y electrones en los lados p y n de la unin, respectivamente, el diodo emite luz. El espectro de emisin no es monocromtico, aunque esta dominado por un solo color. Los materiales utilizados son: GaAs, GP, y mezclas ternarias de Ga (AsP) y As (GaAl). En proporciones adecuadas de estos elementos pueden conseguirse radiaciones visibles de longitudes de onda desde el infrarrojo prximo hasta la zona verde. (Colores rojo, naranja, amarillo, verde). Existen LED (recientemente comercializados) que emiten en azul, utilizando el SiC. La potencia ptica de salida, esta relacionada con la corriente directa: Popt = . Id emisividad del diodo en [mw/ma] o [w/ma] La corriente del diodo vale id = .[ e(-vd/.VT) -1]. La cada de tensin directa vd, vara entre 1,7 y 3,3 voltios, dependiendo del tipo de diodo, el color de su emisin y de la seccin transversal del mismo. Los diodos luminosos sufren envejecimiento con las horas de uso. La radiacin emitida disminuye. Por ejemplo, para un diodo IRD, su potencia de radiacin disminuye en promedia a la mitad, en un tiempo de 10(5) horas. La tensin inversa que soportan los diodos LED, IRD y Lser es muy baja, de alrededor de 6 volt o menos. Los requerimientos de potencia elctrica son tpicamente de 10 a 150 mW, con tiempos de vida superior a las 100000 horas

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Diodos de corriente constante A diferencia de los diodos Zener que mantienen constante la tensin en sus extremos, los diodos de corriente constante, mantienen la corriente que circula por ellos en forma constante, dentro de una amplia variacin de la tensin aplicada. Por ejemplo el diodo 1N5305 es un diodo de corriente cte. Con una corriente tpica de 2ma, en un intervalo de tensin de 2 a 100 voltios aplicados en sus extremos. Diodos de recuperacin en escaln Estos diodos tienen un perfil de impurezas infrecuente ya que la densidad de portadores, disminuye cerca de la juntura. Esta distribucin da lugar a un fenmeno llamado desplome en inverso. Durante el semiciclo positivo de una seal alterna, el diodo conduce corriente en forma similar a la de un diodo de silicio. Durante el semiciclo negativo, la corriente inversa conduce durante un tiempo muy corto, reducindose luego abruptamente a cero. Esta corriente de desplome es muy rica en componentes armnicos de la seal de excitacin, por lo que se puede filtrar y obtener ondas senoidales de frecuencia ms alta a la original. Debido a esta particularidad, estos diodos se utilizan como multiplicadores de seal. Diodos invertidos Los diodos Zener tienen una tensin de ruptura mayor a 2 voltios. Incrementando el nivel de impurezas, puede lograrse el efecto Zener con tensiones prximas a cero voltios. La conduccin con tensin directa ocurre con 0,7 volt, pero con tensin inversa, comienza a conducir con -0,1 volt o menos. Estos diodos se denominan invertidos y se utilizan para rectificar seales dbiles cuyas amplitudes no superen los +0,7 volt y -0,1 volt.

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