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Hace ya ms de 50 aos se desarrollo el primer transistor, el 23 de diciembre de 1947. Luego, de la evolucin de los tubos al vaco vamos hacia la era del estado slido - dispositivos semiconductores. Entre stos el ms simple es el diodo, el diodo, pero con un papel fundamental para los sistemas electrnicos ya que cuenta con las caractersticas que lo asemejan a un interruptor sencillo.
El trmino ideal, se refiere a cualquier dispositivo o sistema que posea caractersticas ideales, es decir, perfectas en cualquier sentido.
DIODO IDEAL
CARACTERISTICAS
DIODO IDEAL
Es importante tener en cuenta las polaridades de voltaje aplicado y direcciones de corriente en el diodo, tal como se observa en la figura anterior. VD= Voltaje aplicado. ID= Corriente a travs del diodo.
DIODO IDEAL
DIODO IDEAL
Un semiconductor, por lo tanto, es un material que posee un nivel de conductividad que se localiza entre los extremos de un dielctrico y de un conductor. La resistividad (, letra griega rho), se mide como -cm, o como -m.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
El Germanio y el Silicio son los dos materiales ms utilizados para el desarrollo de dispositivos semiconductores, y se debe a las siguientes caractersticas:
MATERIALES SEMICONDUCTORES
La habilidad para transformar significativamente las caractersticas del material a travs de un proceso, el cual se conoce como dopado.
Sus caractersticas pueden ser alteradas de forma importante mediante la aplicacin de luz o de calor.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Otra caracterstica importante del Ge y Si, es la estructura atmica que presentan. Estas estructuras presentan un patrn completo que se denomina cristal y el arreglo peridico de los datos se denomina red. En el Ge y el Si el cristal presenta la estructura tridimensional del diamante.
MATERIALES SEMICONDUCTORES
Enlace roto
Electrn libre
La energa trmica puede romper un enlace, creando un hueco y un electrn libre, pudiendo moverse ambos con libertad por todo el cristal.
Incremento en el tiempo
A medida que los electrones se desplazan a la izquierda para llenar un hueco, el hueco se desplaza a la derecha.
tomo donante
tomo aceptor
CONDICIONES DE OPERACION
Esto causa una deflexin en la regin de agotamiento. Los electrones en el material tipo-n son atrados a travs del terminal positivo y los huecos en el material tipo-p son atrados a travs del termina negativo.
The Forward bias voltage required for a Silicon diode VT 0.7V Germanium diode VT 0.3V
=1 para el Ge y =2 para el Si para niveles relativamente bajos de corriente del diodo. =1 tanto para el Ge como para el Si en niveles mayores de corriente del diodo donde es temperatura de conduccin.
VT, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann (K), la carga del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K).
NIVELES DE RESISTENCIA
A medida que el punto de operacin de un diodo se desplaza de una regin a otra, la resistencia del diodo tambin cambiar debido a la forma no lineal de la curva caracterstica.
NIVELES DE RESISTENCIA
Resistencia de DC o resistencia esttica.
NIVELES DE RESISTENCIA
Ejemplo 1:
Determine los niveles de resistencia para el diodo de la figura utilizando los siguientes valores:
NIVELES DE RESISTENCIA
Al aplicar una entrada senoidal, la variacin de la entrada desplazar al punto de operacin instantneo hacia arriba y hacia abajo a una regin de las caractersticas y de esta forma definir un cambio especfico en la corriente y en el voltaje
NIVELES DE RESISTENCIA
Resistencia de AC o resistencia dinmica.
NIVELES DE RESISTENCIA
Ejemplo 2:
a) Determinar la resistencia de AC cuando b)Determinar la resistencia de AC cuando c) Comparar los resultados de los incisos a) y b) con la resistencia de DC en cada nivel de corriente
NIVELES DE RESISTENCIA
Resistencia de AC o resistencia dinmica.