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Caracteristicas de los IGBT

Universidad Politecnica Salesiana sede Cuenca

AbstractEn este presente artculo describiremos de transistores bipolares de puerta (IGBT) han alcanzado una penetracin amplia en electrnica de potencia y se utilizan en muchas aplicaciones, tales como convertidores de frecuencia, fuentes de alimentacin y unidades electrnicas. IGBT tienen altos voltajes inversos hasta 6,5 kV y son capaces de conmutar corrientes de hasta 3 kA. Un componente clave de todos los sistemas de electrnica de potencia adems del poder propios mdulos es el controlador de IGBT, lo que constituye el enlace fundamental entre el transistor de potencia y el controlador. Index TermsTHD, Potencia Aparente, Potencia Reactiva, Recticador

I. INTRODUCCION Durante muchos aos el sector de la electrnica de potencia ha centrado su investigacin en el desarrollo de componentes capaces de alcanzar grandes velocidades de conmutacin y grandes cargas y que fueran sustitutivos de las tecnologas anteriores que, para ciertas aplicaciones, ya haban quedado obsoletas como es el caso del transistor bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor), los MOSFET . Para ello, los investigadores han combinado desde hace ms de varias dcadas las posibilidades de los transistores bipolares y los denominados MOSFET, un transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS (Metal Oxide Semiconductor). El IGBT (del ingls, Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor de gran capacidad que generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de electrnica realmente potente y con velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz. Aunque no seamos conscientes de ello, los IGBT nos acompaan en todo momento y han sido claves en el desarrollo de la electrnica de potencia. Sus aplicaciones principales se centran en los sectores de: control de motores, sistemas de alimentacin ininterrumpida, sistemas de soldadura, iluminacin de baja frecuencia y alta potencia. Estn presentes en la circuitera de los automviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero tambin de los electrodomsticos del hogar mediante la interconexin de diversos IGBT que controlan los motores elctricos. Dichos transistores IGBT son la ltima generacin en el campo de los dispositivos de conmutacin para alta tensin que combina los mismos atributos del BJT y del MOSFET. La combinacin de una puerta aislada tipo MOS y un colector/emisor bipolar le permite conmutar tensiones y corrientes mucho mayores. El ujo de corriente se controla a travs de una fuente de tensin de alta impedancia que permite que se puedan controlar intensidades elevadas con una potencia de control muy baja. De hecho, uno de los xitos de IGBT es su baja necesidad de energa de control para pasar del modo conduccin al modo bloqueo y viceversa.

En resumidas cuentas para variar la velocidad de los motores de corriente alterna, por ejemplo los que llevan incorporados algunos electrodomsticos, lo que se hace es alterar la frecuencia y amplitud de las ondas senoidales que mueven los arrollamientos de dicho motor. Es decir, el motor girar con la misma frecuencia que dichas ondas que pueden crearse mediante diversos IGBT interconectados. Bsicamente podramos decir que es similar a la estructura de un MOSFET a la que se aade un nuevo sustrato P como material semiconductor debajo de la zona N epitaxia. Esto otorga a IGBT una capacidad de conduccin ambipolar. Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia para aplicaciones de media y alta tensin, no slo por su capacidad de potencia sino tambin porque son tan rpidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles por el odo humano. Esta particularidad los ha hecho especialmente interesantes para el desarrollo de los sistemas de aire acondicionado, frigorcos, lavavajillas, ect, en los que los consumidores son especialmente sensibles al ruido que emiten. La mayor parte de los ruidos de los compresores procede de la utilizacin de transistores no demasiado rpidos y que slo se activan y desactivan en frecuencias audibles por las personas. Pero las aplicaciones de IGBT van mucho ms all del control de motores. Algunos fabricantes de tecnologas de consumo los estn utilizando para mejorar sus dispositivos o dotarles de nuevas capacidades. Por ejemplo, una de las ltimas aplicaciones de estos transistores ha permitido integrarlos en los telfonos mviles para dotar a sus cmaras de un ash de xenn realmente potente. Esto ha sido posible gracias a que los IGBT han reducido enormemente sus dimensiones. Otro ejemplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para activar o desactivar los pxeles en las pantallas tctiles de nueva generacin, sistemas de iluminacin de edicios o centrales de conmutacin telefnica. Incluso ya existen algunos desbriladores que incorporan IGBTs. A medida que esta tecnologa ha ido evolucionando, los fabricantes de dispositivos elctricos y electrnicos han mejorado la capacidad de conmutacin de sus soluciones para reducir las prdidas y mejorar la velocidad y capacidad de carga. IGBT se presenta como un supertransistor que permitir avanzar en el desarrollo de la electrnica de electrodomsticos pero tambin son y sern una de las tecnologas bsicas de los coches elctricos. II. TRANSISTOR DE PUERTA AISLADA (IGBT) El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del BJT y del MOSFET que se observa en g 1. Posee una compuerta tipo MOSFET y

por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el BJT. Generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

BVCES (Tensin de Ruptura Colector Emisor). Mnimovalor de ruptura garantizado. Presenta un coeciente positivo de temperatura del orden de los 0,63V/C.

Figure 2.

Curva Caracteristica de un transistor IGBT

IV. CARACTERSTICAS DE CONMUTACIN El encendido es anlogo al del MOS, en el apagado destaca la corriente de cola. El comportamiento de conmutacin de un mdulo IGBT est determinado principalmente por capacitancias semiconductores (cargos) y las resistencias internas y externas. La gura 1 muestra un bosquejo de las capacidades IGBT que CGE es la capacitancia de la puerta-emisor, CCE la capacidad colector-emisor y el CGC capacitancia de la puerta de colector o capacitancia Miller. La carga de puerta se caracteriza por las capacidades de entrada CGC y CGE y es el parmetro clave en el clculo de los requerimientos de potencia de salida de un circuito de control IGBT. Las capacitancias son casi independiente de la temperatura pero fuertemente dependiente de voltaje, y como tales son una funcin de la tensin de colector-emisor (VCE) de los IGBT. Si bien esta dependencia es sustancialmente mayor en un VCE muy baja, es menos sensible a voltajes ms altos. como se observa en la gura 3.

Figure 1.

Forma de onda de la tensin en la carga

Caractersticas de funcionamiento: Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar) Facilidad de manejo (MOSFET) El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW) III. CARACTERSTICAS ELCTRICAS Se puede decir IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacion de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet[1]. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros, la curva del IGBT se puede ver en la gura5 y explicaremos brevemente las caracterstica elctricas de IGBT: ICES (Corriente de colector con tensin de gate nula). Parmetro que establece el valor superior de la corriente de prdida para una temperatura y tensin colector emisor. BVECS (Tensin de Ruptura Emisor Colector). Mxima tensin emisor colector soportada por el dispositivo. VCE(on) (Tensin Colector Emisor de Saturacin). Informacin presentada en forma de distintas grcas de esta tensin en funcin de la corriente de colector y para dstintas temperaturas de operacin. Su conocimiento es indispensable para el clculo de las prdidas de conduccin. VGE(th) (Tensin de umbral). Valor de la tensin de gate a la cual comienza a circular corriente de colector. Presenta un coeciente negativo con la temperatura del orden de los 11mV/C.

Figure 3.

Forma de onda de la corriente de la carga

V. APLICACIONES DE LOS IGBT Los IGBT acumulan la mayor parte del mercado de componentes de potencia para aplicaciones de media y alta tensin,

no slo por su capacidad de potencia sino tambin porque son tan rpidos que la frecuencia de los impulsos que generan son imperceptibles por el odo humano. Otro ejemplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para activar o desactivar los pxeles en las pantallas tctiles de nueva generacin, sistemas de iluminacin de edicios o centrales de conmutacin telefnica. Estos dispositivos semiconductores de potencia se utilizan en convertidores CC/CA, en maquinaria, robots industriales, compresores de equipos de aire acondicionado, equipos de fabricacin de semiconductores, unidades de control de motores en automviles y vehculos elctricos hbridos, equipos de soldadura. Explicaremos algunas aplicaciones importantesque son las siguentes:

B. EL INVERSOR PUENTE TRIFSICO La gura 5 nos muestra un motor AC puede ser controlado a velocidades diferentes a su valor nominal y an conservar las caractersticas nominales de su torque. La nica forma de poder conseguir una onda de voltaje que cumpla con el requisito de cambiar proporcionalmente su voltaje y frecuencia al mismo tiempo, es por medio de un circuito Inversor .En la gura 5 muestra tambien la etapa de potencia de todo tipo de variador de velocidad de motor AC en la actualidad . El circuito de potencia como se observa en la gura 4, es el puente, en este caso monofsico, normalmente implementado con transistores MOSFET o IGBT, debido a que en general trabaja con una frecuencia de conmutacin del orden de los 15 KHz. Segn la aplicacin, en PWM se lo utiliza entre 1KHz y 40 KHz y de hecho los elementos operan en conmutacinlo que vimos en el punto anterior

La Modulacin por Ancho de Pulso (PWM) Puente Recticador trifasico VOLTAJE SENO-PWM

A. MODULACION DE AHCHO DE PULSO (PWM) La Modulacin por Ancho de Pulso (PWM) es un sistema de control para los inversores con el cual se obtiene una onda de salida de notables caractersticas y elevada prestacin, con reducido contenido armnico y segn sea la aplicacin se puede optar por una salida de parmetros jos o variables:

Variacin de la tensin de salida. Variacin de la frecuencia. Variacin a relacin constante Tensin Frecuencia.
Figure 5. Puente Inversor

El circuito de potencia como se observa en la gura 4, es el puente, en este caso monofsico, normalmente implementado con transistores MOSFET o IGBT, debido a que en general trabaja con una frecuencia de conmutacin del orden de los 15 KHz. Segn la aplicacin, en PWM se lo utiliza entre 1KHz y 40 KHz y de hecho los elementos operan en conmutacin[3]

La alimentacin de entrada es VAC monofsico o trifsico dependiendo de la potencia del motor AC a controlar. Dicho voltaje AC es recticado por medio de un puente de diodos. Luego tenemos la etapa de ltrado compuesta de ltro de corriente (bobina) y ltro de voltaje (capacitor), con el objetivo de disponer de una barra de voltaje DC lo ms continua posible (bornes +DC/-DC). La barra DC es la entrada al circuito inversor, el cual por medio del trabajo conmutado de los IGBT la convierte en un voltaje de salida (bornes U, V, W) denominada Seno-PWM, que cumple con el requisito de mantener la relacin Vf a proporcin constante. C. VOLTAJE SENO-PWM

Figure 4.

Circuito de control PWM

Las altas frecuencias de conmutacin son deseables para motores de corriente alterna, ya que permiten la operacin del equipo con una corriente en el estator prcticamente senoidoal y un rpido control de corriente para un alto rendimiento dinmico. Adems el ruido puede ser reducido a una frecuencia del orden de los 20Khz. Recientemente los BJT y los MOSFETs han sido cmodamente usados para esto, pero como una tercera posible alternativa los IGBT han emergido recientemente. IBGT ofrece baja resistencia y requiere poca energa para la activacin.

La gura 6 muestra en forma detallada la onda SenoPWM de salida del inversor trifsico en puente. La amplitud (Vd) de dicha onda es igual a la barra de voltaje DC (bornes +DC/-DC de entrada al circuito inversor). El motor recibe dicha onda de voltaje por los bornes de salida U,V,W y la ltra obteniendo corrientes (IU, IV. IW) casi senoidales. El promedio de voltaje ecaz V depende del ancho de los pulsos y la frecuencia efectiva f vista por el motor es 1/T. La velocidad de conmutacin de los transistores IGBT es 1/t denominada frecuencia portadora. El resultado es que el motor recibe la relacin V/f proporcional a sus valores nominales, consiguiendo que desarrolle su trabajo an a velocidades menores que lo normal y sin prdida de torque.

Figure 6.

Voltaje Seno y PWM

La duracin de los impulsos se controlan para crear la onda sinusoidal deseada. lo que podemos observaren la Figura 5, la traza azul es la salida del inversor de voltaje deseado y el trazo rojo es la forma de onda PWM. La parte de bajo voltaje de la onda se crea con corta duracin en impulsos y la larga duracin de los perodos. La parte superior de tensin de la forma de onda se crea con una mayor duracin en impulsos y cortos perodos de descanso. La conmutacin se produce en miles de veces por segundo y la corriente resultante a travs del arrollamiento es bastante suave[2]. El Clculo de las anchuras de impulso son correctas se corregir los periodos de inactividad esto se realiza con un control de impulsin basado en microprocesador. La gura 3 es una ilustracin de un mtodo de control simple que ha sido utilizado. En el diagrama (a) el circuito de control del inversor genera una onda de alta frecuencia de la portadora triangular, que se compara con una onda senoidal de referencia. Los puntos de cruce se utilizan para determinar los instantes de conmutacin del inversor. Los impulsos modulados resultantes tienen anchuras diferentes, pero el mismo perodo y se muestran en la Figura (b). Puesto que la frecuencia de la onda triangular es mucho mayor que la onda senoidal, la anchura de impulso resultante se aproxima mucho a la funcin sinusoidal.

elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco,ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, Sistemas de Alimentacin Iinterrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc. Tambin lo que explicamos en este documento los IGBT manejan velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como fuenteconmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios. R EFERENCES
[1] Heille, M. "La Puerta de Resistencia - Principio y Aplicacin", la nota de aplicacin AN-7003, SEMIKRON Internacional. SEMIKRON Internacional, www.semikron.com. [2] IEC 60747-9, Ed.2: Dispositivos Semiconductores - los aparatos semiconductores - Parte 9: de puerta aislada (IGBT transistores bipolares). [3] Hermwille, M. Clculo del controlador IGBT, la nota de aplicacin AN7004, SEMIKRON Internacional

Figure 7. PWM.

Circuito de control de forma de onda sinusoidal para un inversor

VI. CONCLUSIONES Los transistores IGBT han permitido desarrollos que nohaban sido viables hasta entonces, en particular en los Variadoresde frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas