PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.2. TRANZYSTORY BIPOLARNE

w. 2 Tranzystory bipolarne
1. Cel wiczenia

Celem wiczenia jest ugruntowanie wiadomoci dotyczcych zasad dziaania i waciwoci tranzystorw bipolarnych. Podstawowa cz wiczenia powicona jest zdejmowaniu charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego pracujcego w zadanej konfiguracji. Rwnoczenie wiczcy mog zapozna si z metodyk badania elementw pprzewodnikowych i podstawowymi technikami pomiarowymi (dokadny pomiar prdu/dokadny pomiar napicia). Wyniki pomiarw s podstaw do wykrelenia wspomnianych charakterystyk oraz wyznaczenia w zadanym punkcie pracy tranzystora wartoci parametrw maosygnaowego modelu zastpczego.

2.

Wymagane informacje

Obsuga urzdze pomiarowych, podstawowe informacje o materiaach pprzewodnikowych (rodzaje, noniki prdu, waciwoci), budowa i model zastpczy tranzystora bipolarnego.

3.

Wprowadzenie teoretyczne

Tranzystor bipolarny jest to elektroniczny element pprzewodnikowy zawierajcy dwa zcza p-n. Ze wzgldu na wewntrzn budow moliwe jest rozrnienie tranzystorw n-p-n oraz p-n-p (Rys.1). Poszczeglne wyprowadzenia tranzystora nosz nazwy emitera (E), bazy (B) i kolektora (C).
E B C E B C

C B E B

Rys.1. Budowa i symbole tranzystorw bipolarnych: npn (lewy) i pnp (prawy).

Zasad dziaanie tego elementu, na przykadzie tranzystora pnp, przedstawia Rys.2.

KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

STRONA 1

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

B dziury E C

W .2. TRANZYSTORY BIPOLARNE

Rys.2. Rozpyw prdw w tranzystorze pnp.

Tranzystor mona traktowa jak szeregowe poczenie dwch diod. Zcze E-B tranzystora spolaryzowane jest w kierunku przewodzenia, natomiast zcze B-C w kierunku zaporowym. Przyoenie pewnego napicia do bazy powoduje przepyw nonikw (tutaj dziur) z emitera do bazy tranzystora. Poniewa jednak potencja na kolektorze jest jeszcze niszy ni na bazie dua cz nonikw zostanie zassana do obszaru kolektora. W ten sposb napiciem na bazie mona sterowa przepywem prdu z emitera do kolektora.

4.

Obsuga urzdze pomiarowych

4.1. Multimetr Multimetr, inaczej miernik, stanowi urzdzenie pozwalajce na pomiar rnych wielkoci elektrycznych. Wybr mierzonej wielkoci nastpuje poprzez odpowiednie ustawienie pozycji pokrta. Wynik pomiaru jest pokazywany na wywietlaczu. Pokrto ustawione w pozycji OFF powoduje wyczenie miernika. Ustawienie pokrta w pozycji V pozwala na pomiar napi (zarwno staych jak i zmiennych). W tym przypadku sondy (kable) pomiarowe powinny by podpite do gniazd V/ i COM miernika. Moliwy jest rwnie pomiar rezystancji elementu. W tym celu naley pokrto ustawi w pozycji natomiast sondy podpi do gniazd V/ i COM. Aby dokona pomiaru prdu (staego lub zmiennego) naley ustawi pokrto w jednej z pozycji: uA, mA lub A w zalenoci od zakresu mierzonych prdw. Do pomiaru prdu sondy miernika naley podpi do gniazd COM i mA (jeli mierzony prd wynosi mniej ni 400 mA) lub COM i 20A (w przypadku wikszych prdw). Multimetr umoliwia pomiar jeszcze innych wielkoci natomiast nie bd one wykorzystywane podczas zaj laboratoryjnych. 4.2. Zasilacz laboratoryjny Zasilacz jest urzdzeniem majcym za zadanie dostarczenie staego napicia zasilajcego ukad. czy si go z badanymi ukadami za pomc kabli bananowych. Odpowiednie wyjciowe gniazda zasilacza oznaczone s jako + i - (gniazdo GDN naley pozostawi niepodczone, jest to zacisk uziemienia, a nie masy). Przed podczeniem przewodw do ukadu pomiarowego naley przygotowa multimetr w odpowiedniej konfiguracji. Podczy przewodami (z wtyczkami typu banan) gniazdo wsplne COM miernika do zacisku -
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 2

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.2. TRANZYSTORY BIPOLARNE

w zasilaczu, gniazdo V/ miernika do gniazda + zasilacza i wczy zasilacz. Ustawi na zasilaczu dane napicie. Napicie naley sprawdzi podczonym miernikiem. Jeeli jest to moliwe w zasilaczu ustawi ograniczenie prdowe na 100 mA moe to zapobiec uszkodzeniu badanego ukadu na wypadek nieprawidowych pocze.

5.

Budowa ukadu pomiarowego

Ukad pomiarowy stanowi panel (Rys. 1), ktrego centralnym elementem jest zcze suce do podpicia badanego tranzystora. W miejsce symboli A oraz V naley podpi odpowiednio amperomierze i woltomierze. Dane zebrane z tych przyrzdw pomiarowych pozwalaj na wykrelenie charakterystyk tranzystora. Schemat pytki pozwala na zbadanie tranzystora pracujcego w dowolnej konfiguracji (dla konfiguracji wsplnego emitera U1 jest napiciem wejciowym, U2 wyjciowym). Zastosowany potencjometr pozwala na regulacj napicia podawanego na baz tranzystora.

Rys.3. Schemat ukadu sucego do badania tranzystora bipolarnego.

6.

Wykonanie wiczenia

6.1. Pomiar charakterystyk statycznych tranzystora bipolarnego Naley w ukadzie pomiarowym umieci zadany tranzystor i poczy ukad w konfiguracji wsplnego emitera oraz podczy przyrzdy pomiarowe. Nastpnie po dokadnym sprawdzeniu pocze naley zebra odpowiednie wartoci prdw i napi w celu pomiaru charakterystyk: wejciowych U1 = f (I1) dla 2 rnych wartoci U 2 = const , oddziaywania wstecznego U1 = f (U2) dla 2 rnych wartoci I 1 = const , przejciowych I2 = f (I1) dla 2 rnych wartoci U 2 = const , wyjciowych I2 = f (U2) dla 2 rnych wartoci I 1 = const . Zakres badanych prdw i napi dla danej charakterystyki oraz krok pomiarowy zostan podane przez prowadzcego. Podczas pomiarw naley zwrci uwag na
KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 3

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W .2. TRANZYSTORY BIPOLARNE

wielko mocy wydzielajcej si na kolektorze tranzystora aby nie przekroczy dopuszczalnej wartoci maksymalnej. Na podstawie wynikw pomiarw naley wykreli na oddzielnym wykresie kad z rodzin charakterystyk. W trakcie wykrelania naley oceni wag poszczeglnych punktw i odrzuci te, ktre nie przystaj do charakteru zalenoci (tzw. bdy grube). 6.2. Wyznaczanie wartoci parametrw maosygnaowego, maoczstotliwociowego modelu tranzystora Korzystajc z wykrelonych w poprzednim punkcie charakterystyk tranzystora w wybranym punkcie pracy naley wyznaczy wartoci parametrw maosygnaowego, maoczstotliwociowego modelu tranzystora o strukturze mieszanej hij (Rys.4).

Rys.4. Schemat modelu mieszanego hij.

Poniej przedstawiono metod wyznaczania tych parametrw dla tranzystora w konfiguracji wsplnego emitera.

h11 =

U 1 I 1

U 2 = const

h11e =

U BE I B

U CE = const

u be ib

uce = 0

U BE I B

U CE = const

Rys.5. Sposb wyznaczania parametru h11e z charakterystyk tranzystora. KATEDRA ELEKTRONIKI AGH STRONA 4

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W.2. TRANZYSTORY BIPOLARNE

h12 =

U 1 U 2

I1 = const

h12 e =

U BE U CE

I B = const

u be u ce

ib = const

U BE U CE

I B = const

Rys.6. Sposb wyznaczania parametru h12e z charakterystyk tranzystora.

h21 =

I 2 I 1

U 2 = const

h21e =

I C I B

U CE = const

ic ib

u ce = 0

I C I B

U CE = const

Rys.7. Sposb wyznaczania parametru h21e z charakterystyk tranzystora.

KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

STRONA 5

PODSTAWY ELEKTRONIKI MSIB

W .2. TRANZYSTORY BIPOLARNE

h22 =

I 2 U 2

I1 = const

h22 e =

I C U CE

I B = const

ic u ce

ib = 0

I C U CE

I B = const

Rys.8. Sposb wyznaczania parametru h22e z charakterystyk tranzystora.

7.

Opracowanie wynikw
W sprawozdaniu z wiczenia naley: narysowa schematy badanych ukadw, wykreli zebrane charakterystyki tranzystora, na podstawie charakterystyk obliczy parametry modelu maosygnaowego zgodnie z punktem 6.2, wycign wnioski.

8.
[1] [2]

Literatura
U. Tietze, Ch. Schenk Ukady pprzewodnikowe, Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa 1996, Rozdzia 4 Tranzystory bipolarne (s. 46-100) P. Horowitz, W. Hill Sztuka elektroniki. Cz 1., Wydawnictwa Komunikacji i cznoci, Warszawa 1995, Rozdzia 2 Tranzystory (s. 72-123)

KATEDRA ELEKTRONIKI AGH

STRONA 6