UNION P-N

Ingresa a la siguiente pgina web y explora los applets mostrados, luego redacta en
un documento en MS Word explicando lo que muestra cada applet, dos pginas por cada uno. Utiliza imgenes en tu explicacin.

1 UNIN P-N POLARIZADA Se entiende como polarizacin de una unin p-n a la aplicacin externa de una diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unin. La polarizacin del diodo puede ser en directa o en inversa, como veremos a continuacin. 5.1.1 Unin p-n polarizada directamente La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se ve en las Figuras 5.1 y 5.2, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el polo negativo al ctodo (zona n).

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos: Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin. El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu. As, se reduce el campo elctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que, como vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin polarizacin es VJ =Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la forma VJ =Vo -V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin, tal y como se muestra en la figura siguiente.

Dado que ha de cumplirse que V= Vp-VJ +Vn, se tiene que VJ = Vp +Vn-V. Puesto que Vp +Vn =Vo, entonces se verifica que VJ =Vo-V. Como decamos antes, al polarizar la unin p-n en directa disminuye la barrera de potencial y el valor de esa reduccin es la tensin V de la batera. Sin embargo, en la prctica, el diodo siempre trabaja con barrera de potencial VJ en la unin, incluso con polarizacin directa. Si se aplicara suficiente polarizacin directa para que se anulara la barrera de potencial, circulara una corriente excesiva por la unin y podra destruirse sta por sobrecalentamiento. La reduccin del campo elctrico de la unin reduce el efecto de arrastre1 Al ser la zona de transicin ms estrecha, aumenta el gradiente de las distintas concentraciones de portadores en ella y consecuentemente, aumenta el efecto de difusin2 No se alcanza el equilibrio, producindose una circulacin neta de carga por el circuito. De esta forma, la corriente en la unin es por difusin y fuera de ella por arrastre. LA LEY DE SHOCKLEY: Quin es Shockley?William Bradford Shockley(13 de febrerode1910-12 de agosto de 1989) fue un fsico estado unidense. En conjunto con John Bardeen yWalter Houser Brattain, obtuvo el premio Nobel de Fsica en1956"por sus investigaciones sobre semiconductores y el descubrimiento el efecto transistor."

1 En 1955, Shockley abandon los laboratorios Bell y regres a su ciudad natal, Palo Alto, California, en las proximidades de la Universidad de Stanford, para crear su propia empresa, Shockley Semiconductores Laboratory, con el apoyo econmico de Arnold Beckman, de Beckman Instruments. Contando con la influencia de su prestigio y el respaldo econmico de Beckman Instruments trato de convencer a varios de sus compaeros de trabajo de Bell que se unieran a l en la nueva empresa; ninguno quiso. Por lo tanto empez a rebuscar en las universidades a los ms destacados estudiantes para formar con ellos la empresa. Pero, dado su estilo empresarial, ocho de los investigadores abandonaron la compaa en1957para formar la empresa Fairchild Semiconductor. Entre ellos estaban Robert Noyce y Gordon Moore que ms tarde crearan Intel. A finales de los aos 1960, Shockley realiz unas controvertidas declaraciones acerca de las diferencias intelectuales entre las razas, defendiendo que las pruebas de inteligencia mostraban un factor gentico en la capacidad intelectual revelando que los

afro-estadounidenses eran inferiores a los estadounidenses caucsicos y que la mayor tasa de reproduccin entre los primeros ejerca un efecto regresivo en la evolucin. Entre sus publicaciones destaca "Electrones y huecos en el semiconductor", obra publicada en1950. Su ley fue muy custodiada y polmica. CONMUTACIN DEL DIODO
Los circuitos de ayuda a la conmutacin, tambin conocidos como Snubber, tienen la funcin de absorber la energa procedente de los elementos reactivos del circuito durante el proceso de conmutacin controlando parmetros tales como la evolucin de la tensin o corriente en el interruptor, o bien limitando los valores mximos de tensin que ha de soportar. Se incrementa de esta forma la fiabilidad de los semiconductores al reducirse la degradacin que sufren debido a los aumentos de potencia disipada y de la temperatura de la unin. CIRCUITOS QUE AYUDAN A LA COMUTACION DEL DIODO. Los circuitos de ayuda a la conmutacin de diodos, o snubbers, son esenciales para los diodos usados en circuitos de conmutacin. Estos pueden proteger a un diodo de sobretensiones, las cuales pueden ocurrir durante el proceso de recuperacin inversa. Un circuito snubber comn para un diodo de potencia consiste de una capacitancia y una resistencia conectadas en paralelo con el diodo. Cuando la corriente de recuperacin inversa disminuye, la capacitancia mantendr su voltaje por un tiempo, el cual es aproximadamente el mismo del diodo. La resistencia por otra parte, disipar parte de la energa almacenada en la inductancia parsita L. El cambio de voltaje se puede calcular de la siguiente manera

donde Vs es el voltaje aplicado al diodo. El cambio de voltaje dv/dt usualmente es dado por el fabricante. Al conocer el cambio de voltaje y Rs, uno puede escoger el valor de la capacitancia Cs. La resistencia Rs se puede calcular por medio de la corriente de recuperacin inversa del diodo:

Circuitos de ayuda a la conmutacin de tiristores

Las corrientes de recuperacin inversas generadoras en los tiristores cuando estn en polarizacin inversa pueden generar sobretensiones de magnitud inaceptable debido a la inductancia de serie si no se usan redes de ayuda a la conmutacin. En la Figura.2a observamos un convertidor trifsico de tiristores de frecuencia de lnea, el cual puede funcionar como red de ayuda a la conmutacin como en el caso del convertidor reductor para el diodo. Las inductancias del lado de C.A. se deben a las reactancias de lnea ms cualquier inductancia de dispersin del transformador. El lado C.D. se representa por una fuente de corriente donde se supone que i d fluye en forma continua. Se supone que los tiristores 1 y 2 conducen y que el 3 est conectado con un ngulo de retraso como se muestra en la Figura.2b. La corriente i d se conmutara desde el tiristor 1 (conectado a la fase a) al tiristor 3 (conectado a la fase b). El voltaje V ba es responsable de la conmutacin de la corriente. El sub circuito que consiste en 1 y 3 se muestra en la Figura.2b con 3 encendido y 1 apagado, as como en su recuperacin inversa en t 1, con i = Irr. Se supone que la fuente de tensin en el circuito de la Figura.2b es una constante de voltaje con un valor Vba en t 1, debido a la variacin lenta de voltajes de 60 Hz en comparacin con los transitorios rpidos de tensin y corrientes en este circuito.

Donde Vll es el voltaje RMS de lnea a lnea e I d es la corriente de la carga. Para un diseo del peor caso, la fuente de voltaje de la Figura.2b tiene un valor mximo de 2V ll, que corresponde a = 90. Aqu suponemos que el tiempo de recuperacin inversa en 10s. De este modo, durante la conmutacin de corriente, si suponemos que el valor de conmutacin tiene un valor constante de 2Vll, el di/dt a travs del tiristor 1 es

Y POR LOTANTO

Para calcular el valor Cs tenemos

Sustituyendo la ecuacin (1) y (3) en (4) para 60 Hz

Para calcular el valor Rs tenemos