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- ESTRUCTURA
Objetivos
Conocer el fenmeno de la solidificacin Nucleacin Crecimiento de grano Describir la influencia del tamao de granos sobre las propiedades de los materiales Analizar la influencia de los defectos Conocer los procesos y reacciones basados en la transferencia de masa Dentro del mismo slido Desde un lquido, gas u otro slido Entender el concepto de difusin: fenmeno de transporte por movimiento atmico Conocer y entender los diferentes mecanismos atmicos de la difusin Comprender las leyes de la difusin Influencia de las factores que influyen en la difusin Conocer algunas aplicaciones industriales del fenmeno de la difusin
Solidificacin
Proceso desde el estado fundido (lquido) a un estado slido. Es un importante proceso industrial ya que muchos metales se funden para moldearlos hasta darles una forma acabada o semiacabada. Etapas de la Solidificacin 1. 2. NUCLEACIN Formacin de ncleos/semillas (partculas slidas) estables en el fundido. CRECIMIENTO hasta la formacin de cristales y la formacin de una estructura granular Lmites /Fronteras de grano
Lquido
Ncleos
Granos
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Mecanismos de Nucleacin
Homognea
Durante el enfriamiento de un fundido puro Movimiento lento de los tomos: se forman ncleos homogneos con un tamao superior al tamao crtico
Heterognea
Durante el enfriamiento de un fundido Formacin de ncleos sobre la superficie de un agente de nucleacin slido (superficie del recipiente, impureza insoluble, )
Material Policristalino: slido con muchos monocristales/granos y lmites de grano Estruct. Granular Crecimiento de grano ( ordenados regularmente) pero con diferente orientacin
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Materiales Slidos
Estruct. Granular
Policristalinos:
Granos ordenados atmicamente in situ Diferente orientacin entre granos Lmite de grano
Monocristales:
nico Cristal/grano
Slo debe haber un nico punto de nucleacin. Componentes electrnicos y microelectrnica (monocristales de silicio, transistores, semiconductores y algunos tipos de diodos (no deben existir lmites de grano para no afectar las prop.)
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Difusin
Mecanismo por el que la materia se transporta a travs de la materia. Fenmeno de transporte por movimiento atmico Gases mov. tomos/molculas muy rpido Lquidos mov. ms lento Interacciones atmicas Slidos SLO vibraciones trmicas en posiciones equilibrio Difusin en slidos mov. tomos dentro de la red cristalina Tipos de difusin: Autodifusin.- Difusin de tomos a travs de un slido constituido por tomos de su misma naturaleza. Ejemplo: movimiento de iones en un conductor inico Difusin de solutos o impurezas.- tomos de soluto/impurezas se desplazan en una matriz de tomos diferentes. Ejemplo: difusin de C o N en matriz de Fe (procesos de cementacin y nitruracin)
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de materiales para ingenieros. Ed. 6 Prentice Hall
Ejemplo de difusin
2 metales puros Cu-NI en contacto por sus caras
Cu
Aleacin Cu-Ni
Difusin atm Ni
Concentracin Ni, Cu
Cu
Ni
distancia 7
Mecanismos de Difusin
DIFUSIN: mov. de atm de un sitio de la red a otro ocurrir siempre y cuando:
1. posicin reticular prxima vaca 2. atm debe tener suficiente Eg vibratoria como para romper enlaces con sus atm vecinos y distorsionar la red durante el desplazamiento
Hay dos mecanismos principales de difusin de los tomos en una red cristalina: I.- Mecanismo sustitucional o por vacantes II.- Mecanismo intersticial
difusin
tomos en posiciones intersticiales se desplazan a otras posiciones intersticiales vacas sin desplazar permanentemente a ningn tomo de la matriz
Los tomos que difunden intersticialmente son pequeos respecto de los de la matriz (ej: H, N, O, C, .... en redes cristalinas metlicas ).
Ej: Ej: atm atm C C pueden pueden difundir difundir intersticialmente intersticialmente en en FeFe- (BCC) (BCC) y y en en FeFe- (FCC) (FCC)
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Mecanismo Sustitucional/vacantes
Mecanismo Intersticial
Mayora de las aleaciones, la difusinintersticial es ms rpida difusinvacantes , ya 12 que los tm son ms pequeos y con ms movilidad
Proceso de Difusin
Flujo de Difusin (J) cantidad de masa (n de tomos) M que difunden perpendicularmente a travs de un rea (A) de un slido por unidad de tiempo t
1 dM J= A dt
(Kg/m2s atomos/m2 s)
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Estado Estacionario: J es constante ya que No cambia concentracin de tomos de soluto en un punto con el tiempo.
Ej: Difusin de tomos de un gas (H2) a travs de una fina lmina metlica de paladio cuyas concentraciones (o presiones) en ambos lados de la lmina se mantienen constantes Pd PA
H2
la
J
PB
H2
CA
Pd CB x
CA
CB
Posicin o distancia
PA >>PB
J: flujo neto de tomos
XA
XB
C C A C B = gradiente de concentracin = x X A X B
J = D
dC dX
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C J = D x
J= flujo de difusin ( = n tomos M que difunden por unidad de superficie y tiempo (at/m2s) C/x= gradiente de concentracin en una direccin ([at/m3]/m)
C: masa de la sustancia o n de tomos por unidad de volumen del slido (Kg/m3) (atm/m3) El signo negativo indica que la direccin de difusin es contraria al gradiente de concentracin (desde elevada concentracin a baja concentracin)
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Mayora materiales difusin Estado NO Estacionario la concentracin de tomos de soluto en un punto del material cambia con el tiempo flujo de difusin y el gradiente de concentracin de tomos cambian con el tiempo.
Concentracin solutos
C x C = D t x x
2
2 Ley de Fick
t1
t2
c x cx =D 2 t x
distancia
Ejemplo: difusin de un gas (cuya concentracin superficial se considera constante); en el interior de un slido semi-infinito ( difusin de carbono en un acero, saturacin de un metal con gases atmosfricos, etc)
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C x C0 x = 1 erf Cs C0 2 Dt
Cx = concentracin a una distancia x tras un tiempo t Erf = funcin de error gausiana
Cs
Concentracin, C
Cs-C0 Cx
Cx-C0
C0
Distancia a la superficie, x
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de materiales para ingenieros. Ed. Prentice Hall
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a) Tipo de mecanismo: a) Intersticial b) Sustitucional/por vacantes b) Tipo de red de la matriz anfitrin c) Existencia de defectos a) Tipo de defecto d) Tipo de soluto y concentracin de soluto e) Temperatura
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a) Mecanismo de difusin C (Ratm. Pequeo) difunde intersticialmente en Fe- (FCC) y en el Fe- (BCC) Cu (Ratm ) difunde sustitucionalmente en una red metalica de Al
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b) Tipo de estructura cristalina de la red cristalina anfitriona/matriz D (C en Fe-, FCC)=5.10-15 m2/s < D(C en Fe-, BCC)=10-12 m2/s
f(BCC) =0.68< f(FCC)=0.74
c) Tipo de imperfecciones o defectos en el cristal: -Estructuras abiertas ( canales, planos, ) D - Dsuperficie > Dborde grano> Dinterior d) Concentracin especies que difunden
1. 2. Variacin de las fuerzas de cohesin entre tomos. Direcciones preferenciales de migracin para disminuir la eg interna de la red
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de materiales para ingenieros. Ed. Prentice Hall
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D = D0 e
E act RT
J.F. SHACKELFORD. Introduccin a la ciencia de materiales para ingenieros. Ed. Prentice Hall
D = difusividad (m2/s) Do= cte proporcionalidad (factor de frecuencia) Eact= E activacin necesaria para producir el movimiento difusivo de 1 mol de tomos R = cte. gases T= Temperatura (K) Al Tf ED (ya que E enlace)
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1. Endurecimiento superficial del acero (engranajes o ejes): procesos de Carburacin o Cementacin (CH4-N2): contenido en C 2. Fabricacin de circuitos electrnicos integrados con obleas de Si dopados con impurezas para modificar las caractersticas de la conductividad trmica. 3. Nitruracin de polvo de Si: Si3N4
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DIFUSIN Y EL PROCESADO DE MATERIALES 1. Endurecimiento superficial del acero (engranajes o ejes): procesos de Carburacin o Cementacin: contenido en C superf. y Nitruracin
contenido en N superf.
2.
Fabricacin de circuitos electrnicos integrados con obleas de Si dopados con impurezas para modificar las caractersticas de la conductividad elctrica. Descarburacin: perdida superficialmente en los aceros Sinterizacin Soldadura por difusin de carbono
3. 4. 5.
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Cementacin
Endurecimiento Superficial: Superficie: fase martenstica (muy dura) Interior: estruct. baintica y perltica (muy dctiles y tenaces)
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Sinterizacin
Formacin de puentes o cuellos entre las partculas o granos independientes, para formar un compacto con las partculas ya unidas
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Formacin de puentes o cuellos entre las partculas o granos independientes, para formar un compacto con las partculas ya unidas
Tensin
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