MEMORIAS

Llamaremos memoria a todo dispositivo electrnico capaz de almacenar informacin. Prcticamente la totalidad de las memorias emplean almacenamiento binarios, es decir, que la informacin ms elemental es el bit. Clasificacin Tecnolgica de Fabricacin 1. ROM (Read Only Memory) Es una memoria de solo lectura, no se borra cuando se apaga la Computadora, en esta s Almacena la BIOS, contiene la configuracin Bsica de los perifricos ms comunes (Disco Rgido, Puertos de Impresora, Puertos Paralelos), las instrucciones que reconoce el procesador y las operaciones que debe realizar al encender la mquina. Cuando uno prende la computadora el SO carga estos procesos en la Memoria Superior (RAM). a) Memoria PROM: Cuando se compra est en blanco (vaca) y mediante un proceso el usuario graba la informacin en ella, pero slo una vez. b) Memoria EPROM: (erasable PROM) Igual a la anterior pero que mediante la exposicin de una ventana, en la parte superior del integrado, a la luz ultravioleta, por un periodo definido de tiempo, se puede borrar. c) Memoria EEPROM: (eiectrical erasable PROM) Igual a la anterior pero el borrado se realiza elctricamente. d) Memoria Flash: Tipo especial de EEPROM que puede ser borrada y reprogramada dentro de una computadora. Los EEPROM necesitan un dispositivo especial llamado lector de PROM. 2. RAM (Random Access Memory) este tipo de Memoria es voltil, es la utilizada para procesar la informacin, es la que contiene a la Memoria Central, al apagar la computadora la informacin contenida en esta se borra. Esta memoria posee capacitores que al estar encendidos mantienen el estado de la memoria, de acuerdo a como trabajen dichos capacitores se podrn clasificar en 2 tipos: a) DRAM (Dinamic RAM - RAM Dinmica) Esta memoria se la denomina Biestable, debido a que sus capacitores tienden a desconectarse, cada cierto perodo de tiempo se deben apagar los capacitores, antes de hacerlo guarda los valores en otras celdas y procede a apagar los capacitores, luego los vuelve a encender y a restaurar los valores que tenan sus celdas, esto es el Refresco de la memoria, por lo cual esta memoria es ms lenta, porque cuando realiza el refresco no se puede acceder a esta, pero es ms barata. Es la ms comn de las Memorias RAM b) SRAM (Static RAM -RAM Esttica) esta posee capacitores que pueden estar encendidos en forma constante, lo cual hace que sean ms rpidas, al ahorrarse el tiempo de refresco, pero resultan ser ms caras, son comnmente utilizadas como Memoria Cach. El hecho de ser esttica quiere decir que no es necesario refrescar los datos (al contrario que la DRAM), ya que sus celdas mantienen los datos, siempre y cuando estn alimentadas. Otra de sus ventajas es su velocidad, comparable a la de los procesadores actuales. Como contraprestacin, debido al elevado nmero de transistores por bit, las SRAM tienen un elevado precio, por lo que su uso se limita a las memorias cach de procesadores y microcontroladores. As, y atendiendo a la utilizacin de la SRAM como memoria cach de nuestros sistemas informticos, tenemos tres tipos: Async SRAM: memoria asncrona y con tiempos de acceso entre 20 y 12 nanosegundos, utilizada como cach de los antiguos i386, i486 y primeros Pentium,. Sync SRAM: memoria sncrona y con un tiempo de acceso entre 12 y 8,5 nanosegundos. Muy utilizada en sistemas a 66 MHz de bus. Pipelined SRAM: memoria sncrona con tiempos de acceso entre 8 y 4,5 nanosegundos. Tarda ms que la anterior en cargar los datos, pero una vez cargados, accede a ellos con mayor rapidez. Aspectos constructivos de las SRAM Estas memorias tienen una capacidad muy reducida (entre 512KB y 2MB aproximadamente) en comparacin con la memoria SDRAM del sistema, pero permiten aumentar significativamente el rendimiento del sistema global debido a la jerarqua de memoria. Estn formadas por cuatro transistores bipolares que forman un biestable (denominado flip-flop); esta clula de almacenaje tiene dos estados estables, los cuales se utilizan para denotar 0 1. Dos compuertas adicionales sirven para controlar el acceso a la clula de almacenaje durante las operaciones de lectura o escritura.

Una clula de SRAM tiene tres estados distintos en los que puede estar: Reposo (standby): cuando no se realizan tareas de acceso al circuito Lectura (reading): cuando la informacin ha sido solicitada Escritura (writing): cuando se actualizan los contenidos Clasificacin segn el factor de forma del modulo La forma ms fcil de categorizar la memoria es por el factor de forma. El factor de forma de cualquier mdulo de memoria describe su tamao y su configuracin de pines. La mayora de los sistemas computacionales tienen sockets de memoria que pueden aceptar solo un factor de forma. Algunos sistemas computacionales estn diseados con ms de un tipo de socket de memoria, lo que permite tener una opcin entre dos o ms factores de forma. Generalmente, dichos diseos son resultado de los periodos de transicin en la industria cuando no se tiene claro qu factores de forma tendern a predominar o estarn ms disponibles. 1. SIMMS: El trmino SIMM significa Mdulo sencillo de memoria en lnea. Con los SIMMs, los chips de memoria se sueldan sobre un conjunto de tarjetas circuitos impresos (PCB), que se insertan en un socket en la tarjeta del sistema. Los primeros SIMMs transferan 8 bits de datos a la vez. Ms tarde, a medida que los CPUs comenzaron a leer datos en fragmentos de 32 bits, se desarroll un SIMM ms amplio, que poda suministrar 32 bits de datos al mismo tiempo. La forma ms fcil de diferenciar entre estos dos tipos de SIMMs era el nmero de pines o conectores. Los mdulos anteriores tenan 30 pines y los mdulos ms nuevos tienen 72 pines. Por lo tanto, estos se conocieron comnmente como los SIMMs de 30 pines y los SIMMs de 72 pines. Otra diferencia importante entre los SIMMs de 30 pines y los SIMMs de 72 pines es que los SIMMs de 72 pines miden 3/4 de pulgada (aproximadamente 1.9cm) ms que los SIMMs de 30 pines y tienen una muesca en la mitad inferior de PCB. La grfica que se ve continuacin compara los dos tipos de SIMMs e indica sus anchos de datos. 2. DIMMS: Los Mdulos duales de memoria en lnea, o DIMMs, se parecen mucho a los SIMMs. Como los SIMMs, la mayora de los DIMMs se instalan en forma vertical en los sockets de expansin. La diferencia principal entre los dos es que un SIMM, las pines de los lados opuestos de la tarjeta estn "unidas" para formar un contacto elctrico; en un DIMM, las pines opuestas permanecen elctricamente aisladas para formar dos contactos separados. Los DIMMs de 168 pines transfieren 64 bits de datos a la vez y normalmente usan en configuraciones de computadora que soportan un bus de 64 bits o un bus de memoria ms amplio. Algunas de las diferencias fsicas entre los DIMMs de 168 pines y los SIMMs de 72 pines incluyen: la longitud del mdulo, el nmero de muescas en el mdulo y la forma en que se instala el mdulo en el socket. Otra diferencia es que muchos SIMMs de 72 pines se instalan con una ligera inclinacin, mientras que los 168 pines se instalan en forma recta en el socket de la memoria y permanecen completamente verticales con relacin con la tarjeta madre del sistema. La ilustracin que viene a continuacin compara un DIMM de 168 pines con un SIMM de 72 pines. La extensin en el uso de los mdulos DIMM ha coincidido con un aumento muy sustancial de la capacidad de memoria: actualmente estn disponibles de 512 MB y de 1, 2 o ms gigabytes. Los mdulos de memoria denominados DDR DIMM (Double Data Rate DIMM, mdulos DIMM de doble velocidad de transferencia de datos), han ido sustituyendo paulatinamente a los mdulos DIMM estndar a partir del ao 2000; tienen la ventaja de doblar la velocidad con que se transfieren los datos a la placa principal. As, los valores estndar de 100 y 133 MHz, se convertirn en un mdulo DDR en 200 y 266 MHz, respectivamente.

3.

SO DIMMS: Un tipo de memoria que se utiliza comnmente en las computadoras porttiles se llama SO DIMM o DIMM de delineado pequeo. La principal diferencia entre un SO DIMM y un DIMM es que el SO DIMM, debido a que su uso es para computadoras porttiles, es significativamente ms chico que el DIMM estndar. Los SO DIMMs de 72 pines tienen 32 bits y los de 144 tienen 64 bits de ancho.

4.

RIMMs Y SO RIMMs RIMM es el nombre de la marca para el mdulo directo de memoria Rambus. El RIMM es similar al DIMM, pero tiene un conteo de pines distinto. Los RIMM transfieren datos en pedazos de 16 bits, el acceso es ms rpido y la velocidad de transferencia genera ms calor. Una cubierta de aluminio, llamada dispersor de calor, cubre el mdulo para proteger a los chips de sobrecalentamiento.

Un SO RIMM es similar a un SO DIMM, pero utiliza tecnologa Rambus.

Clasificacin por Tipo de Memoria

1.

DRAM SINCRNICO (SDRAM) Al final de 1996, SDRAM comenz aparecer en los sistemas. A diferencia de las tecnologas anteriores, SDRAM est diseado para sincronizarse a si mismo con la temporizacin del CPU. Esto permita que el controlador de memoria supiera el ciclo de reloj exacto cuando estuvieran listos los datos solicitados para que el CPU ya no tuviera que esperar entre los accesos de memoria. Los chips SDRAM tambin aprovechan las funciones de Inter-estratificacin y de explosin, que hace la recuperacin de la memoria an ms rpida. Los mdulos SDRAM vienen en distintas velocidades para sincronizarse con las velocidades de reloj de los sistemas en donde se estarn utilizando. Por ejemplo, el SDRAM PC100 corre a 100MHz, la SDRAM PC133 corre a 133MHz y asi sucesivamente.

2.

SDR SDRAM (Single Data Rate Synchronous Dynamic RAM) Memoria sncrona (misma velocidad que el sistema), con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en mdulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium_II y en los Pentium_III, as como en los AMD K6, K7 AMD_Athlon y Duron.

Para calcular el ancho de banda del bus de memoria se sigue la frmula: ancho de bus en Bytes * frecuencia efectiva de trabajo en MHz. Por ejemplo, la SDR 100, sera: ( 64 bits / 8 byte ) x 100 MHz = 800 MB/s que es la 'velocidad' de la memoria, o ms correctamente su ancho de banda (bandwidth). La temporizacin de cada ciclo fcilmente se puede obtener dividiendo la unida de tiempo (1 segundo) por la cantidad de ciclos (MHz) y luego multiplicar dicho valor por 1.000 para obtener el tiempo en nano segundos, por ejemplo la SDR133 seran: (1 / 133 x 1000) = 7,5ns Est muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominacin SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es as, simplemente se extendi muy rpido la denominacin incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son Memorias Sncronas Dinmicas.

3.

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) Memoria sncrona, enva dos datos por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en mdulos DIMM de 184 contactos en la DDR y 240 en la DDR2 y DDR3. Del mismo modo que la SDRAM, en funcin de la frecuencia del sistema se pueden distinguir varios de los modelos ms utilizados en la tabla de ms abajo.

Para entender como se arma la tabla se puede tomar la memoria PC 2100 DDR 266: funciona a 2.5 V, trabaja a 266 MHz, es decir 133 MHz de bus de memoria (recordemos que enva dos datos por cada ciclo de reloj), ofrece tasas de transferencia de hasta 2,1 GB/s (de ah el nombre PC2100). Las memorias DDR la utilizaron mayoritariamente los Athlon XP de AMD, y los primeros Pentium 4. Para el caso de las DDR2, la mejora sustancial est en que se utiliza un buffer de 2bits para el envo y recepcin de datos lo cual duplica la velocidad nominal de E/S respecto a las DDR. Por lo tanto a una frecuencia real de 133MHz la tasa ser de 133MHz x 2 (2 datos en cada ciclo) x 2 (2 bits en lugar de 1 por el buffer de E/S) x 64bits/8bits = 4256 MB/s, la denominacin sera DDR2 533. En el caso de las DDR3, el buffer es de 4 bits, por lo que para una misma velocidad de reloj real la tasa de transferencia cuatriplica. Siguiendo con el ejemplo de los 133MHz, la tasa sera de 8,5GB/s y la denominacin sera DDR3 1066. Adems, se ha conseguido bajar en las DDR3 el voltaje de 1.8V que utilizan las DDR2 a 1.5V.

Las memorias DDR, DDR2 y DDR3 no son compatibles entre s. Existen diferencias en el voltaje, la cantidad de pines y las seales. Los zcalos DIMM tambin son distintos impidiendo colocar un mdulos de memoria incorrecto en la mother. Las ranuras entre las DDR2 y las DDR casi coinciden, pero el nmero de contactos difiere. Las DDR2 y las DDR3 tienen el mismo nmero de pins (240), pero la mueca est ligeramente desplazada. Tambin existen las especificaciones DDR433, DDR466, DDR500, DDR533 y DDR600 pero segn muchos ensambladores es poco prctico utilizar DDR SDRAM a ms de 400 MHz (a menos que sean utilizadas para overclock), por lo que est siendo sustituida por la revisin DDR2. Y algo similar ocurre con las DDR2 para frecuencias ms altas, que son sustituidas por las DDR3. 4. RDRAM (Rambus DRAM) Memoria de gama alta basada en un protocolo propietario creado por la empresa Rambus, lo cual obliga a sus compradores a pagar regalas en concepto de uso. Esto ha hecho que el mercado se decante por la memoria DDR de uso libre, excepto algunos servidores de grandes prestaciones (Cray) y la famosa PlayStation 2. Se clasifica en: Rambus PC600: se caracteriza por utilizar dos canales en vez de uno y ofrece unas tasas de transferencia de 1,06 GiB/s por canal => 2,12 GiB/s a una frecuencia de 266 MHz. Rambus PC700: igual que el anterior, trabaja a una frecuencia de 356 MHz y ofrece unas tasas de transferencia de 1,42 GiB/s por canal => 2,84 GiB/s. Rambus PC800: del mismo modo, trabaja a 400 MHz y ofrece unas tasas de transferencia de 1,6 GiB/s por canal => 3,2 GiB/s.

Aunque competidora de la DDR, la RDRAM funciona de modo muy distinto: la DDR utiliza los flancos de subida y bajada del reloj para duplicar su frecuencia efectiva con un bus de datos de 64 bits, mientras que la RDRAM eleva la frecuencia de los chips para evitar cuellos de botella con un bus de datos de 16 bits. 5. RAMBUS DIRECTO Direct Rambus (Rambus directo) es una arquitectura y estndar de interfaz de DRAM que presenta un reto a los sistemas tradicionales de memoria principal. Se transfieren datos a velocidades hasta 800MHz sobre un bus estrecho de 16 bits llamado canal Direct Rambus. Esta alta velocidad de reloj es posible debido a una funcin llamada "de doble reloj", que permite que las operaciones ocurran tanto en los limites de elevacin como en los limites de cada del ciclo de reloj. Asimismo, cada dispositivo de memoria en un mdulo RDRAM proporciona hasta 1.6 gigabytes por

segundo de ancho de banda, el doble de ancho de banda disponible con el SDRAM de 100MHz. Hay tres tipos de velocidad disponibles: 600, 700 y 800 MHz la industria los llama PC600, PC700 Y PC800 respectivamente. 6. BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM) Es una evolucin de la EDO RAM y competidora de la SDRAM. Lee los datos en rfagas, lo que significa que una vez que se accede a un dato de una posicin determinada de memoria se leen los tres siguientes datos en un solo ciclo de reloj por cada uno de ellos, reduciendo los tiempos de espera del procesador. En la actualidad es soportada por los chipsets VIA 580VP, 590VP y 680VP. Al igual que la EDO RAM, la limitacin de la BEDO RAM es que no puede funcionar por encima de los 66 MHz. Fue presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos de direcciones y acceda a mas de una posicin de memoria en cada ciclo de reloj, de manera que lograba un desempeo un 50% mejor que la EDO. Nunca sali al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por esquemas de memoria sincrnicos que si bien tenan mucho del direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como seales de reloj.

7.

EDO-RAM (Extended Data Output RAM) Memoria asncrona, esta memoria permite a la CPU acceder ms rpido porque enva bloques enteros de datos; con tiempos de accesos de 40 o 30ns. La EDO o Salida de Informacin Mejorada, tiene la ventaja que permite al CPU acceder ms rpido porque posee una tcnica de envo de bloques de datos, es decir direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la informacin de la columna anterior, dando como resultado una eliminacin de los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el prximo ciclo.

8.

FPM-RAM (Fast Page Mode RAM) Memoria asncrona, ms rpida que la anterior (Modo de Pgina Rpida) y con tiempos de acceso de 70 60 ns. Esta memoria se encuentra instalada en muchos sistemas de la primera generacin de Pentium. Incorpora un sistema de paginado debido a que considera probable que el prximo dato a acceder este en la misma columna, ganando tiempo en caso afirmativo. Usada en procesadores como el Intel 486, se implant un modo direccionamiento en el que el controlador de memoria enva una sola direccin y recibe a cambio esa y varias consecutivas sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseramos visitar todas las casas en una calle: despus de la primera vez no seria necesario decir el nmero de la calle nicamente seguir la misma.