Politechnika Lubelska Laboratorium Teorii Pola

w Lublinie Ćw. nr 5
Nazwisko i imię: Semestr: Grupa: Rok akademicki:
Tryka Marcin
Szawuła Albert IV ED 4.5 2008/2009
Szalast Przemysław
Temat ćwiczenia: Data wykonania: Ocena:
Modelowanie pól płaskich na papierze
elektroprzewodzącym. 26.03.2009

1. Cel ćwiczenia:
Zapoznanie się z kształtem pól i ich właściwościami dla różnych kształtów
przewodnika. Symulacja tych pól na komputerze i wyznaczanie różnych wielkości
polowych.
Układ pomiarowy:

V Zasilacz

Wykonanie ćwiczenia:
1. Modelowanie pól płaskich na papierze elektroprzewodzącym.

Parametry papieru elektroprzewodzącego:

R =1190 Ω
; ρ=Rh; h=0,132 mm

Uzyskane wykresy linii ekwipotencjalnych są narysowane na załączonych kartkach

papieru kancelaryjnego. Wyznaczenie pola przeprowadziliśmy rysując wspólny obraz linii
ekwipotencjalnych modelu prostego i odwrotnego. (rys. nr 1)

Pomiary wykonano dla napięcia U=10V

Wartości prądu przy badaniu poszczególnych pól:

1. Układ walcowy ( metoda zadania odwrotnego ) I=3,3mA;

2. Układ walców współosiowych I=23mA;

a) Wykonuję potrzebne obliczenia do wykreślenia natężenie pola elektrycznego

oraz potencjału w funkcji odległości od osi symetrii układu E=f(r) oraz V=f(r).
Dla policzenia wartości natężenia pola elektrycznego korzystam ze wzoru:
∆V
E=
∆r
 ΔV[V] Δr[m] E[V/m]
133,333
2 0,015 3
166,666
1 0,006 7
142,857
1 0,007 1
111,111
1 0,009 1
1 0,01 100
76,9230
1 0,013 8
58,8235
1 0,017 3
55,5555
1 0,018 6

∆V 2[V ] V 
E= = = 133,3333 
∆r 0,015[ m] m

Wykres zależności natężenia pola od środka symetrii układu

Wykres zależności potencjału od środka symetrii układu

b) Wyznaczam wykres gęstości prądu w funkcji promienia J=f(r)
;
I S K = 2π ⋅ rK h
J=
SK
SK-pole powierzchni walca o promieniu rK i wysokości h.
h=0,132 mm
I=23 mA
rk[m] J[A/m2]
0,015 1848,77
0,021 1320,55
990,412
0,028 3
749,501
0,037 2
590,032
0,047 8
462,192
0,06 4
360,149
0,077 9
295,016
0,094 4
Przykładowe obliczenia:
 I 0,023[ A]  A
J= = = 1848,77 2 
2π ⋅ rK h 2 ⋅ π ⋅ 0,015[ m] ⋅ 0,000132[ m] m 

Wykres zależności gęstości prądu od środka symetrii układu

r2
ln
U 1 U r1
E= E= J =ρ⋅J RP = =
r2 γ I 2π ⋅ γ ⋅ l
r ln
r1

Rezystancja przejścia: Rp=U/I=434,78[Ω

]
3. Przewodnik o zmiennym przekroju I=2,6mA;

Na rys. nr 2 załączam rozkład linii ekwipotencjalnych dla tego przewodnika.

l1=0,022m s1=l1⋅h=0,022⋅0,132⋅10-3=2,9⋅10-6m2
l2=0,02m s2=l2⋅h=0,02⋅0,132⋅10-3=2,64⋅10-6m2
l3=0,018m s3=l3⋅h=0,018⋅0,132⋅10-3=2,38⋅10-6m2

Rezystancja przejścia wyznaczona doświadczalnie:

l l l 
R p = ρ ⋅  1 + 2 + 3  = 3570Ω
 s1 s2 s3 
Rezystancja przejścia obliczona analitycznie:

U 10
Rp = = = 3846,2[ Ω]
I 2,6 ⋅10−3
Wnioski:
Metoda modelowania pól płaskich na papierze elektroprzewodzącym jest bardzo łatwą i prostą
metodą do wyznaczania lini sił pola i lini ekwipotencjalnych . Z wyliczeń wynikających z powyższej
metody postępowania dowieść można iż metoda jest bardzo dokładna. W metodzie zadania
odwrotnego linie ekwipotencjalne są prostopadłe w porównaniu do metody normalnej, a
jednocześnie są równoległe do wektorów natężenia pola elektrycznego w tym przypadku. Natomiast
wektory natężenia pola elektrycznego w metodzie odwrotnej są prostopadłe do wektorów
wyznaczanych w metodzie normalnej a ich kierunki pokrywają się ze stycznymi linii
ekwipotencjalnych z metody normalnej. Z pomiarów wynika że im większa odległość od środka
symetrii układy tym potencjał, natężenie pola oraz gęstość prądu maleje.