Concentracin de Portadores

1.-Estudiar la distribucin de portadores sobre los estados de energa permitidos es decir , se obedece a la solucion de la ecuacion de shorodinger y al principio de exclusin de Pauling: Dos electrones no pueden tener los mismos nmeros cunticos se deben de diferenciar por el spin, a lo mucho dos electrones pueden ocupar cualquier nivel de energa.

2.- Para grupos grandes de portadores se investiga su comportamiento FISICA ESTADISTICA , usando la funcin de probabilidad de FERMI DIRAC obteniendo la probabilidad que tienen los electrones en ocupar dichos estados de energia.

1.- La Densidad de Estados:

Nmero de estados disponibles para ser ocupados por los portadores, por unidad de rea, por unidad de energa.

* 1 2m g C (E) = 2 2n 2 h

E - EC , E EC

Ec Ev

gC(E) gV(E)

g V (E) =

2 h

* 2m 1 p 2 2

EV - E , E EV

Densidad de estados en la banda de conduccion y valencia

Funcin de probabilidad de Fermi-Dirac

Describe la probabilidad que un estado a determinada energa y temperatura est siendo ocupado por un electrn. Para electrones: Para huecos:

fe (E) =

1 1+ e
(E EF ) kBT

fh (E) = 1- fe (E) =

1 1+ e
(EF E) kBT

f(E)=funcion de probabilidad ( 0 estado vacante 1 estado ocupado)

f(E)

Para T=0 K

Ta<Tb<Tc
EF E
3

Por lo tanto: A T = 0ok nos define que los estados de energia disponibles por debajo de Ef estaran llenos de electrones y todos los estados que esten por arriba de Ef estaran vacios. A T>0ok , es el nivel de energia cuya probabilidad de ser ocupado es de 0.5% Analizando para temperaturas mayores que cero el cristal adquiere energia termica que hace posible que algunos electrones salten a la banda conduccion. Similarmente un estado cercano al borde superior de la banda de valencia este probablemente ocupado pero existira un pequea probabilidad de que Vacio (hueco).

Distribucion de portadores

Semiconductor Intrinseco
Distribucin de portadores Electrones

EC
EFi
EFi: Nivel de Fermi intrnseco

EV
huecos
6

Semiconductor Tipo N
Diagrama de bandas Funcin de probabilidad Densidad de estados Distribucin de portadores Electrones gC(E)

EC
EF EFi

EC

gV(E)

EV
f(E)

EV
huecos
7

Semiconductor Tipo P
Diagrama de bandas Funcin de probabilidad Densidad de estados Distribucin de portadores Electrones

EC
EFi EF

gC(E)

EC

EV
f(E)

gV(E)

EV
huecos
8

Usando diagrama de bandas

EC EFi EV SC intrnseco EC EFi EV EF EF SC tipo N SC tipo P

EF

EF

Concentracin de electrones (n) en la banda de conduccin

10

Concentracin de huecos (p) en la banda de valencia

11

Posicin del nivel de Fermi extrnseco

12

13

Resistividad y Conductividad en Semiconductores

14

Resistividad y Conductividad en Semiconductores

15