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V. Garca-Gradilla, G. Soto-Herrera, R. Machorro-Meja, E. Mitrani-Abenchuchan Modelo del voltaje de descarga en depsitos de ZrO X por erosin inica reactiva Revista Mexicana de Fsica, vol. 55, nm. 2, abril, 2009, pp. 106-111, Sociedad Mexicana de Fsica A.C. Mxico
Disponible en: http://www.redalyc.org/articulo.oa?id=57013231005

Revista Mexicana de Fsica, ISSN (Versin impresa): 0035-001X rmf@smf2.fciencias.unam.mx Sociedad Mexicana de Fsica A.C. Mxico

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INVESTIGACION

REVISTA MEXICANA DE F ISICA 55 (2) 106111

ABRIL 2009

Modelo del voltaje de descarga en dep ositos de ZrOX por erosi on i onica reactiva
V. Garc a-Gradillaa,b, , G. Soto-Herreraa , R. Machorro-Mej aa , E. Mitrani-Abenchuchanb a Centro de Nanociencias y Nanotecnolog a, Universidad Nacional Aut onoma de M exico, Apartado Postal 2681, Ensenada B.C., 22800 M exico, b Divisi on de F sica Aplicada, Centro de Investigaci on Cient ca y de Educaci on Superior de Ensenada, Km 107 Carr. Tijuana-Ensenada, Ensenada B.C., 22800 M exico, Tel646)1744602; fax:(646)1744603, *e-mail:vgg@cnyn.unam.mx
Recibido el 9 de septiembre de 2008; aceptado el 13 de marzo de 2009

Se presenta una aplicaci on del modelo de Berg para el dep osito de pel culas delgadas de ZrOX por la t ecnica de erosi on i onica reactiva. Se propone un tratamiento alternativo de dicho modelo, adapt andolo a un punto de vista ingenieril. El modelo de Berg en su forma original considera el envenenamiento del blanco como una fracci on de cobertura de la supercie del blanco, la presi on de dep osito, los ujos de entrada y la velocidad de bombeo. En el tratamiento alternativo que aqu se ejemplica, todas estas cantidades -dif ciles de medir en la pr actica - se reducen a considerar solamente variaciones en la ca da de voltaje en el blanco y la impedancia del plasma, que juntos conforman el voltaje de descarga. La ventaja de este tratamiento es que puede ser usado f acilmente por un ingeniero de campo, sin conocimientos en ciencias de materiales, para controlar las propiedades de la pel cula a depositar. Descriptores: Erosi on i onica reactiva; voltaje de descarga; pel culas delgadas; modelo. A Berg model application for ZrOX thin lm deposition by DC reactive sputtering is presented. An alternative treatment to this model is proposed, focused on an engineering point of view. Berg model involves target poisoning as a compound covering a fraction of the target surface, pressure, input ow and pumping speed. In the alternative treatment presented, all these quantities some hard to be measuredare condensed by considering variations in the target voltage and plasma impedance, that together comprises the discharge voltage. The advantage of this handling is that can be easily used by a eld engineer, without necessity of advanced knowledge in material science. Keywords: DC reactive sputtering; discharge voltage; thin lm. PACS: 81.15.Aa; 81.15.Cd; 84.37.+q

1. Introducci on
xido de zirconio es uno de los materiales refractarios El o com unmente usados como barrera t ermica en dispositivos electr onicos. Lo anterior gracias a su muy baja conductividad t ermica y su alta capacidad diel ectrica. En forma de pel culas delgadas es estudiado como un material prometedor que puede ser empleado en dispositivos nano-electr onicos y nano pticos. Para realizar nano-dispositivos es necesario tener un o control muy no en los espesores y propiedades de la capa depositada. Una de las t ecnicas m as utilizadas para el dep osito de pel culas delgadas es la erosi on i onica en corriente directa, conocida como DC sputtering en ingl es. Una variaci on de esta t ecnica es la erosi on i onica reactiva, la cual introduce un gas reactivo para formar reacciones del material erosionado del blanco con elementos qu micos prove dos por el gas. De esta manera se pueden modicar las propiedades de ptila pel cula: estequiometr a, espesor, dureza, propiedades o cas, propiedades el ectricas, etc. Para describir los fen omenos f sicos que ocurren durante el proceso de dep osito uno de los modelos m as frecuentemente empleados es el de Berg [1]. En este modelo se propone que el ujo de entrada del gas reactivo qo a la c amara se divide en tres caminos: el primero hacia

ltimo el blanco qt , otro hacia las paredes de la c amara qc y el u hacia la bomba qp , bajo las siguientes ecuaciones: qt = t F (1 1 )At , qc = c F (1 2 )Ac , qp = S PG , qo = qt + qc + qp ; (1) (2) (3) (4)

todonde t y c son los coecientes de adherencia de los a mos del gas reactivo hacia las supercies del blanco y de la reas del blanco y c amara, respectivamente; At y Ac son las a de la c amara; 1 es la fracci on de compuesto metal-gas reactivo que cubre la supercie del blanco y 2 , dado que en nuestro caso se trata de formar ZrO2 , es la fracci on de formaci on de este compuesto sobre la supercie de la c amara o sustrato; S es la velocidad de bombeo y F es el ujo de mol eculas reactivas debido a la presi on parcial PG , F = PG (2kT M ) . (5)

Adem as se tienen que cumplir las ecuaciones que describen el proceso de reacci on y remoci on de part culas, las

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cuales se representan por dG = 2t F (1 1 ) dt dG = 2c F (1 2 ) dt J e SM (1 1 ) J e J e SG 1 SG 1 At (1 2 ) Ac (7) (6)

At 2 ; Ac

m as adelante. La intenci on del presente trabajo es describir la equivalencia del modelo de Berg a una forma simplicada en que se relacionan las variables f sicas del sistema con til para el control de el voltaje de descarga. Esta forma es u dep ositos por erosi on i onica reactiva, ya que es relativamente ste puede ser relacionado f acil medir el voltaje de descarga y e con los cambios de las propiedades de la pel cula depositada.

2.

Experimentaci on

tomos del gas reactivo que reacdonde G es el n umero de a cionan con el metal. J es la densidad de corriente de iones de arg on, e es la carga del electr on. SG y SM son la tasa de remoci on del compuesto y metal, respectivamente. La Ec. (6) est a relacionada con la actividad en el blanco, donde el primer t ermino se origina debido a las reacciones en su supercie y el segundo a la remoci on de part culas. La Ec. (7) est a asociada con la actividad en la supercie de las paredes de la c amara o sustrato. El primer t ermino describe las reacciones, mientras que el segundo y tercer t erminos el arribo de part culas erosionadas a las fracciones de supercie del sustrato cubiertas por material met alico y compuesto, respectivamente. En estado estable se satisface dG/dt=0, por lo tanto al resolver las Ecs. (5) a (7) se obtienen 1 y 2 en funci on de PG . Al combinar las Ecs. (1) a (4), es posible re til la soluci solver en funci on de los ujos de gas. Es u on en t erminos de los ujos de entrada, ya que son las variables sobre las que se puede actuar para ejercer la acci on de control. M as adelante se presentar an las curvas de comportamiento de este modelo aplicado a nuestro sistema de dep osito. ptiUn primer paso para controlar un sistema de manera o ma es conocerlo bien, es decir, obtener un modelo que describa al proceso de manera detallada y encontrar variables medibles que observen su funcionamiento para as poder realizar ste. Para un sistema de erosi correcciones sobre e on i onica reactiva, el control de las propiedades por la variaci on del ujo de entrada de gases reactivos no es una tarea sencilla, incluso cuando se cuenta con una descripci on matem atica del mismo, debido a que se presenta una regi on no lineal de fuerte hist eresis, provocada por el envenenamiento del blanco, esto es, la formaci on de una capa de compuesto en el blanco por las reacciones con el gas reactivo. Trabajar en la regi on de hist eresis puede llevar al sistema a inestabilidades o a estados inapropiados para el dep osito. El modelo de Berg requiere monitorear la o las presiones parciales de los gases reactivos para observar el proceso de dep osito (Ec. 3). En el caso de dep ositos de ZrOX se puede obtener una alta variaci on de las propiedades de la pel cula depositada, aun para cambios muy peque nos en la presi on parcial de oxigeno; es decir, esta variable no es muy sensible a los cambios del sistema. Se hace necesario buscar otra variable para el monitoreo, como es el voltaje de descarga o voltaje del blanco [2]. A diferencia de los ujos de entrada, esta variable s resulta ser sensible a las alteraciones de las propiedades de las pel culas de ZrOX que ocurren durante el proceso de dep osito, como veremos

xidos de zirconio de composici Los dep ositos de o on variable, ZrOx , se realizaron por la t ecnica de erosi on i onica reactiva en corriente directa. Se parti o de un blanco de zirconio met alico de 99.95 % de pureza, 5.08 cm de di ametro y 0.3175 cm de espesor. Para oxidar las pel culas se introdujo O2 durante el proceso de erosi on por medio de controladores de ujo m asico de 10 sccm. El sustrato sobre el que se hacen los dep ositos es de silicio (111) a temperatura ambiente. Para lo anterior se cuenta con una c amara de vac o con un volumen de 4 litros evacuada por una bomba turbomolecular de 150 l/s conectada a trav es de una reducci on de 2.54 cm. La presi on se midi o por un sensor capacitivo tipo Baratron con rango de 100 m Torr. La determinaci on de las presiones parciales se realiz o con un espectr ometro de masas tipo cuadripolo con un intervalo de operaci on de 300 u.m.a. Se utiliz o una fuente de corriente directa de 500 W para la ali n magnetr mentaci on del ca no on. Para la introducci on de los gases se tienen 4 controladores de ujo de 10 sccm y una tarjeta de adquisici on de datos manejada por una PC con sistema operativo Windows XP. En este caso s olo fueron utilizados dos controladores de ujo, uno para la introducci on de pticas Ar y otro para O2 . Las mediciones de las propiedades o de las pel culas fueron realizadas en un elips ometro multicanal de analizador rotatorio. Las fracciones de ZrO2 y Zr en las pel culas se estimaron por medio de la aproximaci on de medio efectivo [3,4] suponiendo una mezcla homog enea xido de zirconio y zirconio met de o alico. De esta forma es posible obtener la concentraci on at omica de los materiales compuestos en las pel culas. El procedimiento realizado en este trabajo fue el siguiente. En la primera etapa se llev o a cabo un dep osito con variaci on del ujo de gas reactivo durante el experimento. Este dep osito se realiz o a corriente de descarga y ujo de arg on constantes, con una variaci on amplia en sentido de subida y bajada del ujo de gas reactivo (ox geno), adquiriendo datos de presi on y voltaje de descarga para observar su comportamiento y encontrar la regi on de hist eresis del dep osito. En la segunda etapa se realizaron varios dep ositos de capa sencilla en la regi on de inter es, para obtener posteriormente las composiciones de las pel culas depositadas. Los par ametros del dep osito son los mismos que la etapa anterior, s olo sta se realizaron dep que en e ositos individuales de capa sencilla a ujo constante de gas reactivo, cambiando entre experimentos este ujo.

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F IGURA 1. Comportamiento de (a)la presi on parcial, (b) la fracci on de compuesto modelada y (c) el voltaje de descarga vs ujo de gas reactivo en el dep osito de ZrOx por sputtering reactivo. El modelo de las curvas a y b es por Berg, y el de la curva c es el propuesto en la Sec. 3.3.

3. Resultados y discusiones
3.1. Dep osito con variaci on del ujo de gas reactivo durante el experimento Con el experimento de variaci on del ujo de gas reactivo durante el dep osito de zirconio es posible obtener r apidamente la curva de comportamiento ujo vs presi on parcial del sistema de dep osito, en el que se puede identicar si es aplicable el modelo de Berg, esto es, que halla hist eresis en la curva y que el porcentaje de ujo de gas reactivo con respecto al ujo de arg on sea peque no para despreciar efectos de implantaci on de iones reactivos no considerados por este modelo [5]. Cumpli endose lo anterior, es posible ajustar los par ametros del modelo de Berg (t , c , SG y SM ) con los datos experimentales. Dado el anterior ajuste es posible identicar los reg menes de operaci on del dep osito y sus re tiles. Algunos de los datos m giones u as relevantes que son posibles obtener del modelo son las fracciones de compuesto de ZrO2 , sobre las supercies del blanco y sustrato (1 y 2 ). En las Figs. 1a y 1b se muestran la presi on y fracciones de compuesto en las supercies del experimento descrito anteriormente, y se puede apreciar el comportamiento t pico de hist eresis en dep ositos por sputtering reactivo, en la que se pueden identicar 2 regiones: la primera A-C, conocida como regi on no envenenada, donde la fracci on de compuesto sobre la supercie del blanco 1 var a de 0 a 0.3, la fracci on

de compuesto en el sustrato 2 var a de 0 a 0.9, la presi on parcial de ox geno es muy peque na y var a muy poco debido a que el consumo de gas reactivo es muy alto en las supercies del blanco y sustrato. Algunos autores recomiendan el uso de la presi on parcial del gas reactivo como se nal para el control de la estequiometr a de los dep ositos por erosi on i onica reactiva [6-8], aunque como se acaba de mencionar, para el caso de dep ositos de ZrOX esta variable cambia muy poco ante la modicaci on de la composici on de la pel cula, por lo que esta se nal no ser a ideal para monitorear los cambios de composici on y en consecuencia tampoco rendir a para el control del dep osito. En la otra regi on conocida como envenenada D-E, las supercies del blanco y sustrato est an cubiertas casi al 100 % de compuesto ZrO2 debido al exceso de ox geno, esto es 1 y 2 son aproximadamente 1 y el consumo de gas reactivo en las supercies es casi nulo, entonces la bomba es nica que consume el gas reactivo, por lo pr acticamente la u que la variaci on de la presi on parcial a causa del cambio de ujo de gas reactivo es m as signicativa. Por su parte, la variaci on del voltaje de descarga con del ujo de gas reactivo tiene una pendiente positiva en la regi on no envenenada y una negativa en la regi on envenenada (Fig. 1c). Para algunos materiales diferentes del zirconio, han sido reportados comportamientos similares del voltaje de xido descarga, tal es el caso del nitruro de titanio [9] y el o de aluminio [10], aunque para otros materiales como el nitruro de silicio [11,12], se reportan comportamientos diferentes. Es importante se nalar que en nuestros experimentos, la variaci on del voltaje en la regi on no envenenada es m as pronunciada que la variaci on de la presi on parcial, esto signica que el voltaje es m as sensible a los cambios en la concentraci on de compuesto en las supercies del sistema que la presi on, por lo que ser a de mayor utilidad para nuestro sistema la utilizaci on del voltaje de descarga como se nal de control en un sistema autom atico de dep osito. Los resultados y comportamiento del modelo del voltaje de descarga ser an discutidos m as adelante.

3.2.

Dep ositos de capa sencilla

Con los dep ositos de capa sencilla es posible caracterizar la pel cula depositada y con esto validar los datos de composici on que arroja el modelo de Berg. Esta serie de dep ositos se realiz o en el r egimen de regi on no envenenada, donde se obtiene la mayor variaci on de la composici on de la pel cula. Utilizando la aproximaci on de medio efectivo AME con dos xielementos ZrO2 y Zr, se obtiene que la concentraci on de o do de zirconio en la pel cula cambia de 0 98 % al variar el ujo de gas reactivo (Fig. 3), y la forma de la curva es muy cercana a la obtenida por el modelo de Berg. De igual manera se incluyeron huecos en la AME para buscar contribuciones de rugosidad en las supercies de las pel culas obteniendo resultados negativos. Con esto se valida el modelo de Berg que predice concentraciones at omicas de las pel culas muy parecidas a la logradas en la pr actica.

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F IGURA 2. Comportamiento del voltaje y la concentraci on de la pel cula de ZrO2 a diferentes ujos de gas reactivo.

al modicar el ujo de entrada del gas reactivo. La parte real del ndice de refracci on var a entre 1.9 y 2.5, y la parte imaginar a o coeciente de extinci on var a de .05 a 1.7, a una longitud de onda de referencia de 550 nm, aunque en la gr aca de la Fig. 3 se puede apreciar el comportamiento en un espec pticas durante tro m as amplio. El control de las propiedades o el dep osito de pel culas delgadas es de utilidad en la elabora pticos, Vernhes et al. y Bulkin et al. [13,14], ci on de ltros o pticos inhomog han fabricado ltros o eneos y multicapa al variar el ndice de refracci on de la pel cula delgada durante el dep osito, con la t ecnica de dep osito PECVD, por lo que ser a posible hacer lo mismo con la t ecnica de sputtering si se pticas durante el dep logran controlar las propiedades o osito. Debemos se nalar que, debido a perturbaciones desconocidas, al introducir 2 ujos de gas de diferente magnitud (0.34 y 0.38 sccm) se obtuvo casi el mismo voltaje en el blanco, como resultado la composici on e ndice de refracci on de las pel culas fueron muy similares y casi indistinguibles, ver Figs. 3 y 4. Esto sugiere que, el voltaje de descarga responde mejor a los cambios de las propiedades del material depositado que el ujo de gas reactivo de entrada, y adem as, dados los resultados de la secci on anterior, el voltaje es m as sensible a los cambios de las propiedades de la pel cula que la presi on parcial en dep ositos de ZrOX . Lo importante de este hecho es que el voltaje de descarga est a m as ligado a las propiedades de la pel cula que el ujo y la presi on parcial del gas reactivo, por lo que resulta importante hacer un modelo del voltaje de descarga en funci on de estas propiedades a n de controlarlas a trav es este voltaje y utilizarlo como se nal de control en los dep ositos de pel culas delgadas. 3.3. Modelo del voltaje de descarga Adem as de ser muy sensible a los cambios de las condiciones dentro de una c amara de dep osito, tales como la presi on, rea de el envenenamiento del blanco, espesor del blanco, a la supercie de la c amara, etc, el voltaje de descarga es una variable muy sencilla de medir durante los procesos de erosi on i onica reactiva. Al tener como objetivo el dep osito estequiom etrico controlado de pel culas delgadas, es importante relacionar los cambios del voltaje de descarga con la composici on de la pel cula depositada, por lo que se desarroll o un

pticas de las pel F IGURA 3. Propiedades o culas a diferentes ujos de gas reactivo analizadas por elipsometr a.

Por su parte, el voltaje de descarga aumenta con el incremento de la concentraci on de ZrO2 en la pel cula, por lo que ser a de utilidad hacer una relaci on m as detallada entre estos dos resultados para poder utilizar el voltaje como una posible se nal para estimar y controlar la estequiometr a de la pel cula depositada. Otras caracter sticas que cambian son las propiedades pticas de la pel o cula, en nuestro caso el ndice de refracci on,

F IGURA 4. Esquema an alogo de sistema de dep osito y circuito el ectrico.

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modelo que considera las variables que afectan m as al voltaje de descarga en un sistema convencional. Hay diversas explicaciones v alidas del comportamiento del voltaje de descarga: implantaci on de iones [10,11], electrones secundarios [12], etc. que involucran la fracci on del envenenamiento del blanco denotado por 1 en la ecuaci on original de Berg. El modelo propuesto parte de la observaci on de las gr acas de voltaje, del envenenamiento del blanco o fracci on de compuesto en la supercie del blanco 1 y de la presi on, relaciona el parecido del envenenamiento del blanco con el voltaje en la regi on A-C o regi on no envenenada, tambi en relaciona la similitud del aumento de la curva de presi on con la disminuci on de voltaje en la regi on D-E o regi on envenenada. Dicho esquema tiene una explicaci on muy sencilla, adem as no necesita modicaci on del modelo original, el cual implica una analog a con un circuito el ectrico (Fig. 4). Se proponen tres resistencias en serie, una debida al espesor del material met alico del blanco R1 , la segunda al compuesto que se forma en la supercie del blanco debido al envenenamiento R2 (1 ) y la tercera debido a la presi on del gas R3 (P). Entonces el voltaje de descarga es el producto de la corriente de descarga con la suma de estas tres resistencias. VD = [R1 + R2 (1 ) + R3 (P )] I. (8)

Dado que en nuestro sistema se tiene corriente constante, un cambio de estas resistencias o variables del sistema, se reeja en un cambio en el voltaje de descarga. Como el espesor del blanco no cambia signicativamente, R1 puede ser considerada constante, Depla et al. [15] explica c omo la variaci on del espesor del blanco modica esta resistencia. En la regi on no envenenada, la presi on no cambia tampoco, por nica relo tanto R3 es casi constante tambi en. Entonces la u sistencia variable en esta zona es R2 (1 ), que es funci on del envenenamiento del blanco. Ya que se considera la corriente constante, la variaci on del voltaje de descarga en esa regi on se puede relacionar primordialmente a R2 (1 ) y consecuentemente al envenenamiento del blanco o fracci on de compuesto en la supercie del blanco 1 . En la regi on envenenada, el valor de 1 es constante y cercano a la unidad, por lo que R2 (1 ) se puede considerar constante, entonces en esta regi on la presi on es la variable dominante del sistema, por lo que la modicaci on del voltaje de descarga se debe a los cambios de presi on y var a inver sta. Depla et al. [15] explica c samente a e omo en dep ositos por erosi on i onica, la presi on del gas disminuye la impedancia del plasma y en consecuencia el voltaje de descarga var a de manera inversa a la presi on. En la Fig. 1c se observa la respuesta del modelo propuesto utilizando funciones de primer grado para R2 y R3 : R2 = 1 1 y R3 =k1 2 P, y la fracci on envenenada 1 obtenida del ajuste del modelo de Berg, donde 1 , k1 , y 2 son constantes positivas, 1 y 2 representan la pendiente de voltaje en las regiones no envenenada y envenenada, respectivamente, mientras que k1 representa la intersecci on con el eje y. Se puede resaltar c omo se aproxima la respuesta del modelo propuesto a la curva de voltaje experimental, sobre todo en la

regi on no envenenada A-C, de igual manera, la regi on envenenada D-E se ajusta aceptablemente. La importancia de este modelo radica en que una vez medidos el voltaje de descarga y la presi on total, se puede obtener la fracci on de envenenamiento del blanco 1 al despejar la Ec. (8) y tambi en es posible deducir la concentraci on de ZrO2 en la pel cula depositada 2, aplicando nuestro modelo a las ecuaciones de Berg. Con esto se tendr a al modelo de Berg como una funci on del voltaje de descarga en lugar de su versi on original en la que se utiliza la presi on parcial del gas reactivo. Al obtener estas dos variables podr an utilizarse para evitar que el blanco caiga en un estado no deseado y para el control de las propiedades de la pel cula en el sistema de dep osito. Adem as, como se han reportado comportamientos similares de voltaje y presi on en experimentos de TiN [9], este modelo podr a ser extendido a otros materiales. Otra ventaja de monitorear el voltaje del descarga radica en que, la mayor a de las fuentes para sputtering en corriente directa tienen salidas anal ogicas de voltaje, corriente y potencia de la fuente, y no se requiere de otro instrumento para el control, como es el caso de otros controles de dep osito que monitorean la presi on parcial con un cuadripolo o el plasma ltimos instrumentos son con un espectr ografo, aunque estos u superiores cuando se trata con m as de un gas reactivo, ya que pueden identicar la contribuci on de cada uno de ellos. Por otra parte, se ha observado en nuestros experimentos que el voltaje de descarga es m as sensible a los cambios de la estequiometr a de la pel cula durante el dep osito que la presi on parcial y el ujo de gas reactivo, por lo que el modelo de voltaje de descarga resulta una herramienta prometedora para el control de las propiedades de las pel culas en dep ositos por erosi on i onica reactiva.

4.

Conclusiones

En este trabajo se reporta un modelo sencillo del voltaje de xido de descarga en procesos de erosi on i onica reactiva de o zirconio, en funci on de la fracci on de compuesto de ZrO2 que se forma en la supercie del blanco de zirconio y la presi on de la c amara de dep osito. Mediante este modelo es posible determinar de manera directa la fracci on envenenada del blanco a partir de las mediciones del voltaje de descarga y de la presi on durante el proceso de dep osito. Si se aplica el modelo de Berg a estos resultados, es posible deducir tambi en la concentraci on de ZrO2 en la pel cula depositada. Por lo que este par de variables podr an utilizarse para el control del dep osito. Adem as, como el voltaje de descarga es m as sensible al cambio de la composici on de las pel culas de ZrOX que la presi on parcial del gas reactivo, podr a ser utilizado con ventaja en el control de dep ositos de pel culas de ZrOX estables y reproducibles sin necesidad de emplear instrumentos complejos y relativamente costosos. Para lograr lo anterior, estamos trabajando en un modelo din amico a partir del modelo est atico de Berg. Mediante el modelo de voltaje de descarga y el modelo din amico, pretendemos desarrollar un sistema de control de estequiometr a original y econ omico.

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5.

Trabajos futuros

Desarrollo de un modelo din amico a partir del modelo est atico de Berg. Control de la estequiometria con la ayuda del modelo de voltaje de descarga y del modelo din amico.

tenidos por ajuste: I=170 mA, S=10 L/s, At=20.27 cm2 , Ac =10*At , t =0.3, c =1, SM =1, SG =0.1, R1 =306 , 1 =297 , 2 =220 /mTorr y k1 =2691 .

Agradecimientos
Los autores agradecemos a J. Palomares, C. Gonz alez, J. Peralta, P. Casillas, E. Medina y A. Tiznado por su asistencia t ecnica. Este trabajo fue nanciado con ayuda del proyecto de DGAPA IN120306.

Ap endice
En el presente trabajo se utilizaron los siguientes valores num ericos que a excepci on de los primeros 3, fueron ob-

1. S. Berg, H-O. Blom, T. Larsson y C. Nender, J. Vac. Sci. Technol. A 5 (1987) 202. 2. K. Koski, J. H ols a y P. Juliet, Thin Solid Films 326 (1998) 189. 3. G.A. Niklasson, C.G. Granqvist y O. Hunderi, Applied Optics 43 (1981) 26. 4. D.E. Aspnes, Thin Solid Films 89 (1982) 249. 5. S. Berg, T. Larsson, C. Nender y H-O. Blom, J. Appl. Phys. 63 (1988) 887. 6. W.D. Sproul, P.J. Rudnik, C.A. Gogol y R.A. Mueller, Surf. Coat. Technol. 39/40 (1989) 499. 7. A.F. Hmiel y J. Vac., Sci. Technol. A 3 (1985) 592. 8. W.D. Sproul, D.J. Christie y D.C. Carter, Thin Solid Films 491 (2005) 1.

9. L. Combadiere y J. Machet, Surf. Coat. Technol. 82 (1995) 145. 10. D. Depla y R. De Gryse, Surf. Coat. Technol. 183 (2004) 190. 11. D. Depla y R. De Gryse, Surf. Coat. Technol. 183 (2004) 184. 12. S. Berg y T. Nyberg, Thin Solid Films 476 (2005)215. 13. P.V. Bulkin, P.L. Swart y B.M. Laquet, Applied Optics 3522, (1996) 4413. 14. R. Vernhes, O. Zabeida, J.E. Klemberg-Sapieha y L. Martinu, Applied Optics 43 (2004) 97. 15. D. Depla, G. Buyle, J. Haemers y R. De Gryse, Surf. Coat. Technol. 200 (2006) 4329.

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