ELETRNICA - Semicondutores

SEMICONDUTORES O Transistor um dispositivo semi condutor. Dispositivos semicondutores so componentes muito importantes nos modernos circuitos eletrnicos. Basicamente, controlam o fluxo da corrente eltrica, podendo atuar como simples retificadores ou chaves interruptoras; mas importante mesmo que podem variar o fluxo da corrente proporcionalmente a pequenos sinais de controle, fornecendo desta maneira, amplificao. NOTA: - Entendemos por sinais em eletrnica, correntes ou tenses muito dbeis, que normalmente necessitam serem amplificados para serem utilizados. Para voc ter uma idia, os sinais de rdio, captados por uma antena qualquer podem Ter uma tenso na ordem de 1uV (um milsimo de Volt). Alm do transistor a vlvula o nico elemento que pode atuar como elemento amplificador. No vamos nos preocupar muito com o estudo das vlvulas, pois j se tornou obsoleto. A titulo de curiosidade, posteriormente vamos lhe explicar o funcionamento bsico. O semicondutor essencialmente um cristal slido atravs do qual passa a corrente eltrica que deve ser controlada. pequeno, no requer aquecimento como a vlvula, no possui peas mveis como os interruptores, rels e potencimetros. Por todas essas razes, o uso de dispositivos eletrnicos com semicondutores tornou possvel avanos sem procedentes da tecnologia, quanto ao pequeno tamanho, eficincia e desempenho dos equipamentos eletrnicos modernos. O TOMO O funcionamento dos dispositivos semicondutores est baseado na disposio dos tomos dos elementos usados na sua fabricao. J vimos que o tomo constitudo de trs partculas iguais, prtons, nutrons, eltrons. Os prtons e os nutrons se agrupam, formando o ncleo do tomo. Os eltrons so partculas mais leves, tem sua orbita em torno do ncleo do tomo. Alem de terem carga eltrica possuem energia cintica, isto , energia de movimento. Esto em continuo movimento em torno do ncleo, que est parado. Os eltrons possuem carga eltrica negativa, todos os eltrons so iguais, isto , possuem a mesma massa e a mesma carga eltrica, independente do tomo a que pertencem. Os prtons possuem carga eltrica positiva e tambm apresentam carga e massa uniforme. A carga eltrica do prton numericamente igual a carga do eltron, mas a sua massa 1800 vezes maior que a do eltron. Nutrons so partculas sem carga eltrica, e apresentam massa ligeiramente maior do que a massa de um prton. O nmero de prtons que determina a quantidade da carga eltrica do ncleo. tambm o nmero de prtons que indica os diversos tipos de tomos (cerca de 100) que existem na natureza. Num tomo normal, o nmero de eltrons girando em torno do ncleo igual ao numero de prtons existentes no ncleo. Um tomo normal ento eletricamente neutro. O eltron no atrado para o ncleo do tomo (lembre-se que cargas eltricas diferentes se atraem) porque a fora de atrao existente entre os eltrons e o ncleo do tomo contrabalanada pela fora centrifuga gerada pelo movimento dos eltrons em sua orbita. A fora com que as cargas eltricas se atraem ou se repelem chamada fora inica. Como os eltrons tem diferentes nveis de energia cintica eles giram em rbitas diferentes, em camadas eletrnicas distintas em torno do ncleo do tomo.

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No existem colises entre eltrons de uma mesma camada. Devido s foras inicas, que tambm limitam o nmero mximo de eltrons em cada camada.

Fig.01

CAMADAS DE VALNCIA Mesmo em temperaturas normais, alguns eltrons das camadas de maior energia (a mais externa) recebem energia trmica adicional, muitas vezes suficientes para romper a fora de atrao do ncleo, permitindo ao eltron abandonar sua rbita e vagar de uma tomo para outro dentro do material num movimento desordenado. Na verdade, um tomo no fica muito tempo com falta de um eltron. Quando o eltron se desprende, outro eltron viajante logo vem ocupar seu lugar, de modo que distribuio de eltrons no tomo permanece inalterada. Os eltrons de camadas mais externas so geralmente os responsveis pelas aes eltricas e qumicas entre os tomos, e so chamados eltrons de valncias, porque determinam a valncia ou poder de combinao qumica do tomo.

Fig. 02

A ultima camada de um tomo a sua de camada de maior energia e chamada camada de valncia, porque nela que se movem os eltrons de valncia. A valncia de um tomo pode ser considerada como sendo a quantidade de eltrons que sua camada de valncia pode aceitar ou doar para se completar. O tomo de hidrognio o mais simples de todos, tem apenas um eltron, cuja rbita est na primeira camada, a mais prxima do ncleo. Como tem facilidade em ceder este eltron, nas reaes qumicas, sua valncia +1; (porque perdendo 1 eltron ficar com carga eltrica positiva, equivalente a carga de 1 prton). O hlio j possuem 2 eltrons que tambm esto na sua primeira camada. Como esta camada se completa com 2 eltron, o hlio no pode receber nem doar eltrons, sendo quimicamente inerte. Por esta razo sua valncia zero. O ltio tem 3 eltrons. Dois completam a

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primeira camada, o terceiro tem sua rbita na segunda camada, e pode facilmente ser liberado. Esse eltron determina a valncia +1 para o ltio. O berlio, tem 2 eltrons na segunda camada; como ele tem facilidade em ceder estes 2 eltrons sua valncia +2. O boro tem 3 eltrons na segunda camada , e sua valncia +3.

Fig. 03

O carbono tem 4 eltrons na segunda camada. Como esta camada pode receber at 8 eltrons o carbono pode ceder ou receber quatro eltrons com a mesma facilidade. Se ele doar quatro eltrons ficar estvel porque a sua 1 camada estar completa, com dois eltrons. Sua valncia ser +4. Se receber quatro eltrons, tambm ficar estvel porque sua Segunda camada ter o nmero mximo de eltrons possvel, que so 8. Sua valncia, neste caso, ser menos quatro (-4). O nitrognio tem 5 eltrons na sua camada de valncia, e facilidade de receber trs eltrons. Logo sua valncia 3. Da mesma forma o oxignio com 6 eltrons na sua camada de valncia aceita facilmente 2 eltrons; sua valncia, , portanto, menos dois.

Fig. 04

A valncia do flor, com 7 eltrons na sua camada de valncia, ser 1. E o Nenio, com sua primeira e segunda camadas completas, e sem nenhum eltron na terceira camada, tem valncia zero. O ciclo comea novamente com sdio, que possui as duas primeiras camadas completas, mas tem um eltron na sua primeira camada. Como sede facilmente este eltron, sua valncia mais 1. Continuando a analisar os tomos, Na sequencia lgica do seu nmero de eltrons, vamos notar uma peridica repetio das valncias em cada nvel ou camadas seguintes.

Fig. 05

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COMBINAO QUMICA ENTRE OS ELEMENTOS: A combinao de dois ou mais elementos qumicos e feita atravs do compartilhamento dos seus eltrons de valncia. O ltio (valncia +1) e o Flor (valncia 1) combinam-se porque o eltron de valncia do ltio atrado para a camada de valncia do flor, formando uma ligao qumica entre estes elementos. O resultado desta ligao e o fluoreto de ltio, uma substncia que no tem nenhuma semelhana com os elementos entraram na sua composio. O fluoreto de ltio um composto estvel, porque o compartilhamento do eltron do ltio completou a camada de valncia do flor e deixou o ltio com uma camada estvel, tambm de dois eltrons. Com o nmero de prtons e eltrons totais dos dois tomos envolvidos nesta combinao qumica no se alterou, a carga eltrica do composto nula. Este tipo de combinao qumica que se deu entre o flor e o ltio muito comum entre um grande nmero de elementos qumicos, e pode se dar com transferncia ou compartilhamento, de mais de um eltron. Quanto mais prxima do ncleo do tomo estiver sua camada de valncia mais fortemente sero as ligaes entre os tomos; combinao de eltrons em camadas mais distantes do ncleo, vo formar compostos que resistem muito menos a decomposio dos seus elementos originadores. (Fig-6). O carbono um elemento qumico que possui valncia igual a mais ou menos 4. Isto quer dizer que com a mesma facilidade que doa 4 eltrons, pode tambm receber quatro eltrons para completar sua camada de valncia. Por apresentarem esta caracterstica, dois tomos de carbono pode combinarse entre si, um tomo doa quatro eltrons enquanto o outro recebem 4 eltrons. Ambos ficaram numa situao de estabilidade. Por esta razo, o carbono pode existir como elemento qumico ou como composto qumico, numa combinao com seus prprios tomos.

Fig. 06

O carbono formado da associao de tomos conforme explicado, um p fino, macio, escuro. No tem forma definida, uma vez que os tomos so arranjados desordena-damente. Conduz a corrente eltrica porque os eltrons dos seus tomos esto presos ao ncleo apenas pela fora inicas de atrao, e com o potencial eltrico pequeno podem ser colocados em movimento. Mas sob certas condies, os tomos de carbono sem forma definida, podem se combinar quimicamente formando uma nova substncia, o diamante. Os tomos so os mesmos, mas o diamante tem caratersticas completamente diferentes do carbono na sua forma de p, extremamente duro, tem

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forma cristalina, no conduz corrente eltrica. Mas porque isso ocorre? pela maneira como os eltrons dos tomos se arranjo, formando as ligaes qumicas. Para formar um diamante, cada tomo de carbono doa seus quatro eltrons de valncia, mas um para cada tomo diferente, que esto mais prximos de si. Da mesma forma vai tambm receber quatro eltrons, mas tambm apenas um de cada tomo adjacente, de tal modo que em cada dois tomos vai existir uma ligao envolvendo dois eltrons, um de cada tomo. Este tipo de ligao chamada de COVALENTE uma ligao qumica muito forte. Doar no bem o termo, porque na realidade o eltron doado vai atuar no tomo doador e no tomo recebedor. estrutura constituda desta maneira se da o nome de ESTRUTURA CRISTALINA. Todos os tomos do diamante so ligados desta maneira. Como cada tomo vai ter efetivamente oito eltrons atuando na sua camada de valncia, o cristal extremamente estvel. E como todos os eltrons esto firmemente presos por ligaes covalentes, o cristal um isolante eltrico. Na fabricao de semicondutores o que se faz colocar dentro da estrutura do cristal uma determinada quantidade de eltrons chamados de portadores livres das ligaes estruturais e que podem ser colocadas em movimento ao ser aplicado um potencial eltrico. No so feitos com diamantes, porque seriam muito caros devido a certas dificuldades de ordem prtica. Os elementos utilizados para a confeco dos semicondutores, so o germnio ou o silcio, que tambm apresentam valncia igual a mais ou menos quatro e facilidade para sua fabricao.

Fig. 07 Estrutura do diamante

O silcio tem quatro eltrons na sua terceira camada (sua ltima camada, a camada de valncia) , enquanto o germnio tem quatro eltrons na sua Quarta camada. Ambos so normalmente sem forma fixa, mas que podem ser transformados, mediante processos adequados, numa estrutura cristalina semelhante a do diamante. Os semicondutores encontrados no comrcio so feito com cristais desse tipo.

Fig. 8

Os cristais puros de silcio ou germnio vo apresentar a mesma estrutura do diamante. Como a disposio dos eltrons dos seus tomos sero ligaes covalentes da mesma forma que no diamante, o

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cristal puro de germnio ou silcio tambm isolante. O cristal puro chamado de cristal INTRNSECO. Para fazer com que o cristal se transforme em semicondutor adicionamos nele impurezas, num processo rigorosamente controlado e altamente sofisticado, chamado de DOPAGEM. Estas impurezas vo suprir o cristal de portadores de corrente, e a quantidade e o tipo de impureza que ser adicionada no cristal vai determinar suas caractersticas eltricas. PROCESSOS DE DOPAGEM MATERIAL DO TIPO N: Um dos processos de dopagem do material consiste em usar elementos que contenham cinco eltrons na sua camada de valncia. Como antimnio ou o arsnioco.

So colocados na estrutura cristalina do silcio ou germnio na proporo de um para cada dez milhes de tomos. Usando-se como impureza o antimnio (smbolo qumico Sb) durante o processo de fabricao do semicondutor, o antimnio forado a participar das ligaes covalentes do silcio ou germnio, doando quatro eltrons para os tomos que esto ao seu lado. Os tomos vizinhos vo ficar completos com esses 4 tomos de antimnio e estes eltrons estaro firmemente presos. O quinto eltron do antimnio, no pertencendo a estrutura cristalina, preso ao ncleo do antimnio apenas pela fora inica. Mas mesmo a temperatura ambiente normal, a agitao trmica (que o movimento desordenado do eltron provocado pelo calor) vai fornecer energia cintica este eltron suficiente para que se liberte do seu ncleo e fique vagando, completamente sem destino, dentro da estrutura cristalina do material. Este eltron chamado de eltron livre. Este cristal chamado do tipo N, representando a carga negativa do eltron livre. O antimnio chamado de elemento DOADOR DE IMPUREZA.

Fig. 09

O tomo de antimnio possuindo mesmo nmero de prtons e eltrons neutro eletricamente. No momento em que o eltron que no est participando das ligaes covalentes se liberta, pela agitao trmica, o antimnio fica com uma carga positiva em excesso. Tendo ons, dizemos que ionizado. Ento, dentro de um cristal do tipo N, ns vamos Ter ons positivos e eltrons livres. Quando aplicamos uma tenso num cristal do tipo N, os eltrons livres presentes na estrutura do cristal vo permitir o fluxo de uma corrente eltrica. Aos eltrons livres chamamos de PORTADORES MAJORITRIOS da corrente eltrica, num cristal do tipo N. Observe que os ons positivos no podem mover-se porque fazem parte da estrutura cristalina do material. (fig.10) Durante o fluxo de eltrons dentro do material do tipo N, devido a tenso eltrica aplicada, pode ocorrer que um dos eltrons venha a voltar para a sua posio original dentro do tomo de antimnio, anulando o on positivo representando pelo antimnio desfalcado de um eltron. O efeito

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Fig. 10

de que os ons parecem estar se deslocando dentro da estrutura cristalina no sentido oposto ao do fluxo de eltrons. O deslocamento de ons na verdade no existe, porque o cristal apresenta apenas um on para cada vinte milhes de tomos de silcio ou germnio, por esta razo que a maioria dos eltrons

Fig. 11

passa pelo cristal sem encontrar e anular os ons positivos. O que voc no pode esquecer que os ons no se movem. Eles podem parecer se mover devido ao efeito de um eltron anular um on, e ser criado outro on dentro da estrutura do material, parecendo deste modo fluir, em sentido contrrio ao dos eltrons. MATERIAL DO TIPO P: Se na dopagem do cristal ns, ao invs de utilizarmos um elemento com 5 eltrons na sua camada de valncia, utilizamos um elemento com 3 eltrons na sua camada de valncia, como o ndio, boro ou glio, vamos formar um outro tipo de material semicondutor. Utilizando-se o ndio como impureza, na mesma proporo que foi usada com o antimnio (um para dez milhes de tomos de silcio ou germnio), o ndio vai formar ligaes covalentes com os quatro tomos vizinhos do silcio ou do germnio. O tomo de ndio vai aceitar os quatro eltrons dos tomos vizinhos, mas pode doar apenas os trs eltrons da sua camada de valncia. Desta maneira, trs pares de eltrons so completados, formando ligaes covalentes. A quarta ligao vai ficar incompleta, apenas com um eltron, fornecido pelo silcio ou o germnio. A falta deste eltron nesta ligao chamada de BURACO ou LACUNA. Atua como uma carga eltrica positiva, atraindo qualquer eltron que esteja por perto, para completar a sua ligao. Por esta razo, o ndio chamado de receptor. O cristal do tipo P, representando a carga eltrica provocada pelo buraco. (fig. 12) O eltron do silcio que no forma ligao covalente com o ndio por sua vez, estar preso ao ncleo do silcio apenas pela atrao inica, e pela agitao trmica pode se liberar e sair da sua rbita, circulando por dentro da estrutura cristalina, e preenchendo um buraco. Sempre que um eltron se liberta do seu tomo, deixa outro buraco. Sempre que um eltron se liberta do seu tomo, deixa outro buraco, e o resultado disso ser um movimento desordenado de buracos dentro do material. Dizemos, ento, que um material do tipo P tem buracos livres, assim como o material do tipo N tem eltrons livres. (fig. 13) Sempre que um eltron completa a quarta ligao do tomo de ndio, ele se torna um

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Fig. 12 -13

on negativo. Pela agitao trmica, que ocorre j em temperaturas normais, um cristal do tipo P possui buracos livres e ons negativos.

Fig. 14

Aplicando-se um potencial eltrico num cristal do tipo P, haver uma corrente de buracos dentro da estrutura cristalina do material. Os eltrons de valncia tambm esto se movendo mas sempre que um eltron abandona a rbita do silcio ou germnio, provoca outro buraco, e como existem mais buracos que eltrons, chamamos aos buracos de portadores majoritrios de corrente em um material do tipo P. Os ons negativos no podem se mover porque pertencem estrutura cristalina.

Fig. 15

Durante a circulao da corrente, poder ocorrer, que um buraco venha a neutralizar um on negativo, enquanto que mais prximo do terminal positivo, um tomo adquire um eltron, se tornando um on negativo. A impresso que se tem que os ons esto se dirigindo para uma direo oposta ao fluxo de buracos, mas numa proporo muito menor, porque o nmero de tomos de silcio ou germnio muito maior do que os tomos da impureza. Dessa forma, a maioria dos buracos atravessa o cristal sem anular um on negativo. No se esquea que os ons so imveis.

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DIFERENAS ENTRE SEMICONDUTOR E OS MATERAIS COMUNS Num condutor comum, a corrente eltrica se d atravs dos eltrons de valncia que se deslocam de tomo para tomo dentro do material. Cada eltron que abandona o tomo logo substitudo por outro, e o tomo dessa forma mantm a sua carga neutra. Dentro de um condutor, portanto, no existem ons nem portadores de corrente como num semicondutor. Num material isolante comum, os eltrons esto firmemente presos ao ncleo do tomo, necessitando de potenciais muito elevados para serem arrancados de suas rbitas, e serem colocados em movimento, gerando uma corrente eltrica. Um cristal puro isolante comum, os eltrons esto firmemente presos ao ncleo do tomo, necessitando de potenciais muito elevados para serem arrancados de suas rbitas, e serem colocados em movimento, gerando uma corrente eltrica. Um cristal puro isolante. Se aplicarmos uma tenso muito alta, poder conduzir a corrente eltrica, mas seria sempre um mau condutor, no um semicondutor. Um verdadeiro semicondutor um cristal convenientemente dopado . Sua estrutura ser estvel, com um nmero bem preciso de portadores de corrente no seu interior. Estes portadores de corrente, os eltrons nos cristais do tipo N e os buracos nos cristais do tipo P, podem ser colocados em movimento com potenciais muito baixos, resultando uma corrente eltrica. A corrente eltrica causada pelos portadores majoritrios dentro do cristal no se d de tomo para tomo, mas num deslocamento aproximadamente direto atravs do material. INFLUNCIA DA TEMPERATURA NUM SEMICONDUTOR Um aumento da temperatura provoca um maior nmero de tomos ionizados na estrutura de um semicondutor, aumentando a sua condutividade. Nos circuitos usando dispositivos a semicondutor, sempre se procura evitar esse efeito da temperatura, anulando-o, ou pelo menos limitando o efeito.

Fig. 16

O grfico acima mostra como o aumento de temperatura provoca um aumento nos portadores disponveis. TIPO DE LIGAES SEMICONDUTORAS Materiais semicondutores (p ou n) podem ser ligados entre si, das maneiras dadas a seguir. POR JUNO: Corresponde ao contado das superfcies dos dois ou mais semicondutores, atravs das quais se dar a circulao das cargas eltricas.

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Exemplo de ligao por juno:

POR PONTAS: Tem-se nesse caso o contato entre as partes de um componente, por meio de pontas de contato. Comparado com o tipo anterior, este geralmente encontrado em componentes para correntes menores, devido menor seo de contato.

POR DIFUSO: Consiste na dopagem de um certo volume de material de base numa polaridade ou concentrao de cargas diferentes do material de suporte. Exemplo de ligao por difuso:

DIODOS SEMICONDUTORES Se, dentro da mesma estrutura cristalina, formarmos um material do tipo P e um material do tipo N, teremos um dispositivo de dois elementos chamado diodo. O material do tipo P ter buracos livres e ons negativos fixos. O material do tipo N ter eltrons livres e ons positivos fixos. A regio de contato chamada de juno.

Fig. 17

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Juntando-se os dois materiais, aparecero foras inicas, que vo atuar da seguinte maneira: os ons negativos da regio P vo repelir os eltrons livres da regio N, da mesma forma que os ons ositivos da regio N vo repelir os buracos livres da regio P. Em consequncia, teremos uma rea

prxima da juno vazia de portadores de corrente. Esta rea recebe o nome de regio de depleo ou de carga de espao.

Fig. 18

Conectando-se ao diodo um potencial eltrico de modo que na regio N esteja o terminal positivo da bateria e na regio P o terminal negativo, a regio de depleo vai aumentar. Os buracos livres da regio P sero atrados para o terminal negativo da bateria, da mesma maneira que o terminal positivo da bateria vai atrair os eltrons livre da regio N. Alguns eltrons conseguem chegar at o terminal positivo da bateria, e so conduzidos at o terminal negativo, penetrando na regio P e anulando alguns buracos. Mas num espao de tempo pequeno essa circulao de corrente cessa, e o diodo se comporta como um isolante. A pequena corrente instantnea pode ser comparada carga de um capacitor, e deve ser levada em conta sempre que se trabalha com o diodos em frequncias elevadas. Invertendo-se a polaridade da bateria no diodo, de maneira que na regio N se aplique o terminal negativo, e na regio P o terminal positivo, o potencial negativo aplicado na regio N vai repelir os eltrons em direo da regio de depleo. Da mesma forma, o potencial positivo aplicado na regio P vai repelir os buracos tambm na direo da regio de depleo. O efeito que vamos obter de que os portadores majoritrios de corrente vo atravessar a barreira de depleo, permitindo o fluxo de uma corrente eltrica. Dessa forma o diodo se comporta como um elemento condutor, apresentando uma resistncia eltrica muito pequena ao fluxo da corrente eltrica. Observe na figura 22, que o fluxo de corrente apresentado refere-se ao sentido eletrnico. mais conveniente representarmos aqui o

Fig. 19

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deslocamento das cargas eltricas da maneira como efetivamente ocorrem no circuito, mas nos circuitos em que no nos preocupamos com o funcionamento interno dos dispositivos semicondutores vamos continuar usando a corrente convencional. importante que o aluno consiga intender este fato sem se confundir, portanto vamos repetir, a corrente eletrnica, o que realmente ocorre dentro de um circuito, aquela em que os eltrons saem do terminal negativo da bateria, percorrem o circuito e voltam pelo positivo. A corrente convencional aquela em que consideramos as cargas eltricas saindo do terminal positivo da bateria e retornando pelo terminal negativo. Sempre que usarmos o sentido verdadeiro da corrente para uma explicao, vamos alertar o aluno desse fato. Caso contrario, subentende-se que o sentido da corrente o convencional.

Fig. 20

Sempre que falarmos de um diodo est com polarizao inversa, estamos nos referindo a polarizao em que o diodo funciona como elemento isolante, em que sua regio de depleo esta grande. A polarizao direta refere-se ao potencial que aplicamos ao diodo quando o mesmo permite a passagem da corrente eltrica. Se aplicarmos num diodo ume teno alternada, o mesmo somente vai conduzir quando a tenso nos seus terminais determinar uma polarizao direta, portanto s vai conduzir durante um semi-ciclo da tenso alternada, agindo como um retificador.

Fig. 21

regio do tipo P ns chamamos de nodo. regio do tipo N chamada de catodo. Aplicando-se ao nodo um potencial positivo com relao ao catodo estamos polarizando o diodo diretamente, e o mesmo vai se comportar como um elemento condutor.

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O diodo um componente que serve para transformar correntes alternadas em correntes continua ou em corrente pulsante de uma nica polaridade. Um exemplo dessa ultima possibilidade a demodulao, uma funo indispensvel nos receptores de rdio e televiso. Abaixo temos o smbolo de um diodo. Os eltrons fluem contra a seta, a qual aponta na direo do fluxo de buracos.

Fig. 22

Na figura 23 temos alguns modelos de diodos semicondutores com cpsula de plstico. O catodo indicado por um anel branco ou por um arredondamento do corpo da cpsula.

Fig. 23

CARACTERSTICAS E LIMITES DE UM DIODO Os limites mximos indicam a carga ao qual o diodo pode ser submetido. So valores mximos permissveis de grandezas eltricas que no dever ser excedidos individualmente ou simultaneamente. Para aplicaes em circuitos alimentados por correntes senoidais ou pulsantes, os valores de pico (tenso inversa e correntes diretas) so funes da frequncia e do fator de utilizao. No caso dos retificadores, o valor mximo da corrente retificada depende da tenso inversa.

Os dados acima foram retirados da apostila do curso de Radiotcnico e TV (P & B) e a cores do Instituto Padre Reus - Semicondutores.