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al Fonctionnement et quations Bilan : Comparaison entre les deux types de MOS canal N Montages transistors MOS Ralisation dune rsistance active de valeur moyenne Amplificateur source commune Amplificateur diffrentiel Amplificateur diffrentiel charge active Inverseur logique CMOS Commutateur analogique
MOS CANAL N TYPE ENRICHISSEMENT Sur un substrat de silicium P (Bulk), sont amnages deux diffusions distinctes de type N++ formant le drain et la source du dispositif. Ces deux diffusions N++ sont spares par une zone P de surface (W.L) qui forme le canal du MOS. Ce canal est recouvert dune mince couche doxyde de silicium eox de lordre de 10 nm qui est superpose dune couche de mtal ou de polysilicium appele grille. Lensemble grille, oxyde et canal forme alors une capacit Cox par unit de surface telle que : 0 Sio2 C ox = avec : 0 =8,85 10 -14 F cm -1 et Sio2 = 3,9 e ox Bulk Source Grille Drain W
G
N++ +
ID B
+ VDS
Al
Si O2 P
N++ L
Substrat P Bulk
N++
VGS > VT
Si O2 paisseur eox
ID (mA)
1
4
zone de plateau
0.75
0.75
3.5
0.5 0.5
3
0.25
2.5 2
0.25
VT
0 5 0 1 2 3 4
0 0 1 2 3 4
VGS (V) VDS (V) Figure 1 : Caractristiques de sortie et de transfert MOS N enrichissement
Le bulk et la source tant relies, on applique entre D et S une tension VDS positive, constante et de valeur faible. Pour une tension VGS nulle, le courant ID est trs faible car la jonction PN drain-substrat est polarise en inverse : Le transistor MOS enrichissement est normalement bloqu pour V GS nulle. Pour une tension VGS lgrement positive, une partie des trous dans la couche superficielle du canal, est repousse dans le volume par le champ lectrique cr par influence lectrostatique. On dfinit alors une tension particulire de VGS, nomme tension de seuil VT pour laquelle tous les trous de la surface du SiP sont repousss et remplacs par des lectrons (porteurs minoritaires dans le SiP). Un canal induit, trs mince de type N apparat et le courant ID commence circuler entre drain et source (fig. 2). Pour des tensions VGS suprieures la tension de seuil VT, la couche inverse senrichit en lectrons et le courant ID saccroit. On dcrit alors la zone ohmique du composant : Id est proportionnelle VDS faible.
1
Ensuite, au fur et mesure que VDS augmente, laccroissement de ID se ralentit. On dcrit la zone de coude des caractristiques. En effet la tension entre grille et bulk diminue en se rapprochant du drain selon la relation Q = C V et le canal devient alors localement moins profond comme indiqu en figure 3. La rsistance du canal augmente et cela dautant plus que VDS crot. Lorsque cette tension est telle que : VDS = VGS -V T = VDSAT, le courant ID se sature (comme pour le JFET) et on atteint la zone de plateau des caractristiques de sortie. Le MOS est alors, pour VDS > V DSAT, une source de courant dpendante de la tension VGS.
VDS < V DSat
+
VDSat =V GS-V T
+
VGS = V T
+
ID
VGS > V T
+
I Dsat
S
N++
+++++++++
+++++++++
S
N++ canal N induit N++
Figure 2
Figure 3
On distingue donc deux rgions sur les caractristiques de sortie ID = f(VDS) VGS constant : La zone ohmique et de coude pour VDS < VDSAT o : I D = K 2(VGS VT ) VDS V2 DS La zone de saturation du courant de drain ID pour VDS VDSAT o : I D = K VGS VT 2 (1 + VDS ) avec K = C OX W 2 L
Le coefficient K est un paramtre caractristique du MOS qui dpend de la gomtrie du canal (W, Cox et L) et de la mobilit des porteurs. Le paramtre rend compte de la rsistance interne de la source de courant ID dpendante (identique leffet Early pour le transistor bipolaire). Remarque : dans un circuit intgr, le produit C ox est le mme pour tous les transistors de type identique (N ou P) qui se distinguent seulement par les dimensions du canal W et L. Cette proprit est exploite dans les circuit intgrs utilisant les transistors MOS. MOS CANAL N TYPE APPAUVRISSEMENT La structure des transistors MOS appauvrissement ressemble celle dun transistor MOS canal N enrichissement. Cependant pour ce dispositif, un canal N entre drain et source est cr par implantation ionique lors de la fabrication du composant (fig. 4). Grille Bulk Source Drain
D G N++ N++ Canal N implant
VGS + VDS
ID
Substrat P (bulk)
Le MOS N appauvrissement est normalement conducteur pour V GS = OV. 1 ID (mA) VGS (V)
1
ID (mA) appauvrissement
VT 0
1.5
0.75 0.75
1
0.5 0.5
0
0.25
- 1.5 -1
0.25
enrichissement
0 10 4 2 0 2
0 0 2 4 6 8
VGS (V) VDS (V) Figure 5 : Caractristiques de sortie et de transfert MOS N appauvrissement
Pour rtrcir le canal, il faut lappauvrir en lectrons, en repoussant ces porteurs par une tension VGS ngative. Pour une tension VGS VT ( tension de seuil ngative) il se rtrcit compltement et le MOS est bloqu. Son fonctionnement (figures 5 et 6) est tout fait analogue celui du JFET canal N avec une Z.C.E. gomtrie variable par influence lectrostatique (au lieu dune Z.C.E. dune jonction bloque).
VDS < V DSat
+
VDSat =V GS-V T
+
VGS = V T
+
ID
VGS > V T
+
I Dsat
G
- - - - - - - - - -- - -
S
N++ N++
G
- - - - - - - - - -- - -
S
N++
N++
Substrat P (bulk)
Substrat P (bulk)
Figure 5
Figure 6
Pour la zone de saturation du courant de drain ID lorsque : VDS VDSAT = VGS -VT , lvolution du courant de drain est encore donne par lquation : C OX W I D = K VGS VT 2 (1 + VDS ) avec : K = 2 L Remarque : La tension VGS peut tre positive et dans ces conditions le transistor Mos entre dans une zone dite : mode enrichissement.
Normalement conducteur
VDS VGS > VT
+
VGS > VT
+
ID
ID
G
+++++++++
S
N++
G
- - - - - - - - - -- - -
S
N++
N++
Substrat P (bulk)
VDS
W/L VT
0.75
ID repos
0.5
0.25
0 0 1 2 3 4 5
rds G vgs
K rds
ID
2 K I D repos (1
VDS repos )
G1
N++
S1
D2
P
G2
P N++
S2 B
CANAL N
P substrat ou Bulk
CANAL P
enrichissement
enrichissement
VGS (v)
VT W L
VGS > VT
ID
VDS positif
VT W L
ID
VDS ngatif
VGS < VT
CANAL N
CANAL P
ID = K ( VGS VT )2 (1 + K= Cox W 2 L
VDS )
n ( oup )
gm = 2 K ID K= rds =
n
repos
(1 + VDS
repos
Cox W 2 L
TRANSISTOR MOS CANAL N NORMALEMENT BLOQUE (ENRICHISSEMENT) Expression de la tension drain source de saturation
ID (mA)
1
zone ohmique et de coude
VGS (V) 4
zone de plateau
0.75
3.5
0.5
3
0.25
2.5 2
0 0 1 2 3 4 5
Grille
VDS (sat)
Vox
D Drain
N++
Pour une tension VGS donne, lorsque la tension entre drain et source atteint VDS de saturation, le canal induit est localement pinc. Dans ces conditions, la tension locale Vox aux bornes de loxyde de silicium est gale la tension de seuil VT du MOS. Vox = VT = VGS - VDS (sat) VDS (sat) = VGS -VT
Bulk
Source
Grille Drain W
G D B +
VDS
ID
+
S
VGS > VT
N++
N++
N++ Al Si O2 P
Drain
ID B +
VDS
W
G N++ N++
VGS > VT
REALISATION DUNE RSISTANCE DE VALEUR MOYENNE MOS CANAL N normalement bloqu ID (mA)
VGS (V) 5
20
ID
18 16 14
VDS VGS VT = 1V
4.5
142
4 3.5
500
250
3 2.5 2 6
VDS (V)
RD ID1
5
T1
RG
+
eg
ve
VGS1
RGG
vs RS
ID1 2.5
P0
10
ID (mA)
7.5 5
Transfert T2
Vpol
G1 RG
P0
VGS (V)
4 3 2 1 0
vs RS
+
eg
ve
VGS1
RGG
vgs2 = 0
G2 gm2 vgs2
D1 D2
S2 rds2 vs
gm1 vgs1
G1 RG
vgs1 ve
RGG
S1
+
eg
RS
+ VCC = +15 V
RD
ve2
2 I0
- VEE = -15 V
Ri
Ad = Ad =
vs1 v s2 = gm RD v e1 ve 2 vs1 + v s2 gm RD = v e1 + ve 2 1 + 2 gm Ri RD 2 Ri
R. R. M.C .
VGS -2 V
M3
M4
M5
R5 vgs
ID3
1 mA
D3
1 mA
ID4
D4
1 mA
IRef R5
D3 D4 D5
R3
10 k
R4
10 k
13 k
vgs nul
ve G1 vgs1 vgs1 G2 M4
M3
1 mA
vs1
G1
1 mA
M5 vs2 M2 IRef R5
gm vgs1
Ri
gm vgs2
1 mA 13 k
M1 ve
vs1
rds
rds
vs2
G2
ve1
ve2
2 mA
I0
Ri
-VSS = -15 V
r Ad = gm ds = 1000 2
T1 : canal P
VT1 = -1 V
5V 0 ve
i
VT2 =+1 V
Ce
vs
T2 : canal N
T2 bloqu 5V
T2 passant
T2 bloqu
ve
0
Courant i 0
5V
vs T1 passant
0
T1 bloqu
T1 passant
10
MOS canal N : VT 1 = 1V
RDS ( )
RDS
D
1000
5V
0V
R U vs (t)
100 M (0 V)
R DS =
Amplitude de V e(t)
10 0 1 2 3 4
5V 0V
G2 M2 D1 S2 M1
5V 0V
G1
R U vs (t)
M (0 V) 10 4
R DS1
1000
R DS2
100