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Azzopardi 2011
Contenu du cours
I. Introduction
A. Gnralits B. Linaire vs. Dcoupage C E C. Exemples l D. Principe de commutation de lnergie
V. Les boitiers
A. Introduction B Boitiers mtalliques B. C. Boitiers plastiques D. Boitiers isols E. Boitiers pour montage en surface F. Boitiers contacts presss G. Montage des boitiers
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Contenu des TD et BE
TD1 : Convertisseurs abaisseur de tension*, lvateur de tension et mixte (abaisseur-lvateur de tension) TD2 : Dimensionnement dune inductance* TD3 : Circuit de commande du transistor de puissance TD4 : Commutation de la diode et du transistor de puissance TD5 : Calcul de pertes dans la diode et dans le transistor de puissance pu ssa ce / Dimensionnement e s o e e t de radiateur ad ateu Rvision : Convertisseurs CUK, SEPIC, ZETA BE1 : Etude dun Voltage Regulator Module BE2 : Elments parasites dans un convertisseur abaisseur de tension
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I. Introduction
I. Introduction
A. Gnralits : rle des circuits de puissance
Application des circuits lectroniques : traitement de linformation Electronique analogique (capteurs, mis en forme) Electronique numrique (traitement) Energie ? => lectronique pour la conversion de lnergie (puissance)
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I. Introduction
A. Gnralits : discipline en forte croissance
Domaine jeune en plein essor Aspect multidisciplinaire
millions d' 'e uros
contenu en lectronique
Figure I-A-4. Quelques chiffres1 Figure I-A-3. Nature multidisciplinaire de llectronique de puissance
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I. Introduction
A. Gnralits : classifications des sources dnergie
Nature des sources : continues ou alternatives Notions de conversion de lnergie Commutatrices Machines tournantes Transformateurs Convertisseurs statiques
v1
Primtre du cours ECE1
f1, v1
v2'
f2, v2
I. Introduction
A. Gnralits : le systme de conversion
Les composants passifs Les condensateurs Les inductances, les transformateurs (shunt) ) Les rsistances ( Commutation => CEM => filtres Charge Circuit de commande Circuits de rtroaction Rgulation R l i
IMS
Gaia Converter
I. Introduction
A. Gnralits : historique
Verrou technologique li aux composants de puissance Verrou technologique li la structure des convertisseurs
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I. Introduction
A. Gnralits : principaux composants actifs
Composants bipolaires Composants unipolaires
Diode
Schottky
Thyristor Triac
Bipolaire MOSFET
IGBT
MCT
(a)
(b)
(c)
(d)
(e)
(f)
(g)
(h)
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I. Introduction
A. Gnralits : classification des composants actifs (Si)
Frquence Courant commut Tension bloque
I. Introduction
A. Gnralits : concept de la commutation
Souci principal : rendement lev (de 80 99%) Eviter lchauffement des composants (dure de vie rduite) Rduction du systme de refroidissement (volume)
Rendement lev possible par utilisation de composants de puissance semi-conducteur en rgime de commutation (alimentation dcoupage)
bloqu
Figure I-A-11. Rgime linaire et rgime de commutation (tat bloqu et tat passant ou satur)
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I. Introduction
A. Gnralits : domaines dapplication
Production de lnergie (solaire, arognrateurs, piles combustibles) Transport de lnergie Conditionnement de lnergie Transports (TGV, Tram, vhicule lectrique, vhicule hybride, navires, automobiles, avion pole AESE ...) Habitations (clairage, chauffage, climatisation, rfrigrateurs, cuisinires, fours, quipements audiovisuels, ordinateur, tlphone) Industrie (clairage, ventilation, fours, lectrochimie, machines outils, pompes, compresseurs ) Tlcommunication et industrie arospatiale (chargeurs, alimentation dcoupage, gestion de lnergie, alimentations non interruptibles)
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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (solaire)
Conversion DC => AC
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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (olien)
Conversion AC => DC => DC => AC
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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (domestique)
I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (journalier)
I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (transports)
Chercher lerreur
A380
I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (automobile)
en attendant la voiture 100% lectrique : voiture hybride
E-tron
Prius III
I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (automobile)
Voitures 100% lectriques : vers une ralit ?
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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (automobile)
Voitures lectriques : les premiers pas en 1881
I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (automobile)
Voitures lectriques : vers une ralit en 2011~2012
Smart
Zest
Eliica
Tesla
Figure I-A-20. Quelques modles de voiture lectrique
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I. Introduction
A. Gnralits : domaines en trs fort essor (automobile)
U i Batscap Usine B t
Bluecar
Figure I-A-21. Lautolib lectrique propos par V. Bollor
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I. Introduction
A. Gnralits : pilotage dun moteur lectrique
Par hacheur quatre cadrans Par onduleur triphas Figure I-A-22. Diffrentes topologies de commande de moteur suivant sa nature
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I. Introduction
A. Gnralits : lampes basse consommation
Exemple de conversion AC => DC => AC
Onduleur
Charge
DC ~ 325V
Commande
AC
Filtrage
AC
I. Introduction
A. Gnralits : chargeur de batterie de tlphone portable
Exemple de conversion AC => DC => DC
Abord au cours ECE2 Isolement
DC ~ 325V
Redressement Filtrage
Filtrage
DC
Charge
AC
Figure I-A-24. Schma lectrique chargeur de batterie pour tlphone portable (flyback)
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I. Introduction
A. Gnralits : les entreprises
Composants actifs : Toshiba, Fuji, Infineon, Freescale, International Recitifer, Mitsubishi, Toyota ,ST... Composants passifs : Wrth Elektronik, Elektronik Maxwell, Maxwell LEM LEM, EPCOS, EPCOS Curamik Mise en boitier : Denfoss, Semikron, ABB, Microsemi (Bruges) Circuits de commande : Texas Instruments, MicroChip, FairChild Convertisseur petite puissance : Vicor, Gaia Converter (Le Haillan) Convertisseur Co e t sseu forte o te pu puissance ssa ce : EDF, , Leroy e oy So Somer, e , Alstom sto End Users : Renault, Peugeot, Toyota, EADS, Airbus, Hispano Suiza, Thales, Valeo, Alstom
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I. Introduction
A. Gnralits : lIMS
Equipe Intgration de Puissance .
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : analogie avec lhydraulique
Robinet composant actif Baignoire composant passif de stockage dnergie Fuite deau fuite dnergie
I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : b-aba de la conversion DC-DC
~ 25%
~ 40%
~ 95%
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : alim. linaires stabilises
Alimentations linaires stabilise en tension ou en courant
Transistor ballast pilot par lment non linaire (diode zener) Vs = Vz Vbe avec Vs < Ve Stabilit relative
10 2
vS 10 1 Vs
Le principe est de stabiliser VR laide dun lment non linaire (diode zener) Is = (Vz Vbe)/R avec Vs < Ve Stabilit relative :
10 2
iS 10 1 Is
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : alim. linaires rgules
Alimentation linaire rgules en tension ou en courant
Tension de sortie contrle et Tension aux bornes de la rsistance compare une tension de rfrence R parcourue par Is compare une non linaire (diode zener) tension de rfrence Asservissement Stabilit relative dpend de la qualit de la rfrnce, du capteur, gain de boucle
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : exemple dalim. linaire
Etude dune alimentation linaire rgule en tension (2,5V @ 10A) Composition : rfrence de tension (LM185 BX-1.2), amplificateur derreur (RtoR LMC6041), ( ), transistor ballast (BDW93) ( ) et 3 rsistances Ve = 5V, Vs = 2,5V, Vref = 1,235, R1 = 4,87k, R2 = 4,75k, stat = 750
=> Rendement infrieur 50% => Systme de refroidissement dimensionn en consquence pour de fort courant
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : alim. issues du secteur
Facile mettre en uvre Tensions et courants trs stables Peu perturbatrices Transformateur volumineux et lourd Transistor dissipe forte puissance Radiateur encombrant Faible rendement (<50%)
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Transformateur de taille rduite Pertes rduites dans le transistor Rendement leve (75 95%) Difficile mettre en uvre Ondulation rsiduelle en sortie Perturbatrice
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : alim. issues source continue
Figure I-B-10. Schma dune alimentation linaire Figure I-B-11. Schma dune alimentation dcoupage
Avantages et inconvnients identiques au cas prcdent (mis part ceux inhrents au transformateur)
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : CEM
Le dcoupage du courant induit de fortes perturbations lectromagntiques et il est ncessaire deffectuer un antiparasitage de lalimentation perturbatrice : Par un filtrage de ligne en amont et en aval des circuit commutateurs Par un blindage g lectromagntique g q reli correctement la terre
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : choix du principe utilis
Alimentation dcoupage : gain de poids et de place sans trop de contraintes de stabilits relatives et de susceptibilits lectromagntiques, gnrations de tensions inverses ou suprieures la source Alimentation linaire : tension hautement rgules
I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : comparaison
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : notion de dcoupage
Dcoupage : outils de base de llectronicien de puissance (1)
Le travail de llectronicien de puissance consiste dterminer les conditions douverture et de fermeture dinterrupteurs lectroniques en vue dassurer une fonction donne de conversion Analyse de circuit base sur les rsultats classiques des systmes linaires Rponse dun systme linaire : rgime libre + rgime forc
vL
I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : parlons constante de temps
Dcoupage : outils de base de llectronicien de puissance (2)
Figure I-B-16. Circuit inductif RL srie Rponse une tension rectangulaire priodique
Figure I-B-17. Circuit inductif RL srie Rponse une tension rectangulaire priodique (constante de temps plus longue)
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : linductance parfaite
Notion de magntisation
Une inductance est considre comme parfaite lorsque le courant de travail (ici 20A) est trs infrieur au courant maximum thorique (ici 200A), la tension en ses bornes tant quasiconstante. On adopte la rgle du dixime
Figure I-B-20. Application de la rgle du dixime
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : la diode de roue libre
Notion de dmagntisation
ton : E = L.di/dt / => pente 1000A/s / toff : vAKon = -L.di/dt => pente -60A/s
Figure I-B-21. I-B-21 Circuit de dmagntisation par diode de roue libre seule (VAKon = 0,6V)
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : circuit de dmagntisation
Dmagntisation rapide
ton : E = L.di/dt => pente 1000A/s toff : vAKon + Vz = -L.di/dt => pente -1500A/s
Figure I-B-23. I B 23 Circuit de dmagntisation par diode de roue libre + fem (VAKon + Vz = 0,6V + 15V)
Figure I-B-24. Dmagntisation par diode de roue libre + fem (mode discontinue)
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I. Introduction
B. Linaire vs. dcoupage : quelques rgles
Loi de dmagntisation des inductances parfaites
Rgle 1 : il ny a pas de variation instantane de flux dans le circuit inductif (pas de variation instantane dnergie). g ) Pour une inductance seule, , cest donc le courant qui ne peut varier instantanment. Par contre, la tension ses bornes est limage de la drive du courant. Rgle 2 : A la fin de la phase de magntisation (ouverture de linterrupteur) ds que le courant, donc le flux, tend diminuer, la tension aux bornes de lenroulement sinverse et augmente instantanment jusqu ce que la diode de roue libre prvue pour la dmagntisation conduise. Si tel nest pas le cas (pas de chemin possible pour permettre un courant de dmagntisation de circuler), alors l les l tenions i tendent d vers une valeur l infinie. i fi i
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I. Introduction
C. Exemples : quelques convertisseurs non isols
Alimentation non isole fonctionnant en abaisseur de tension : elle est utilise jusqu quelques centaines de watts pour transformer des tensions continues de 24V, , 42V et secteur redress, , on la trouve aussi dans les applications portables. Alimentation non isole fonctionnant en lvateur et inverseur de tension : on la retrouve couramment lorsque lon passe de V1 V2 avec V2 > V1.
Type Abaisseur Nom Hacheur srie, hacheur dvolteur, buck, step down convertor Hacheur parallle, hacheur survolteur, boost, step up convertor Hacheur stockage inductif, buck-boost, inverting convertor Puissance qq 100W
Elvateur
qq 100W
Abaisseur-Elvateur
qq 100W
I. Introduction
C. Exemples : le BUCK
Alimentation dcoupage : exemple du convertisseur abaisseur de tension (BUCK) Deux composants passifs L et C g est reprsente p par p R La charge Deux composants actifs K et D Hypothses dtude : K est actionn priodiquement (ouvert ou ferm la frquence f) rapport cyclique [0; 1] K et D parfaits, L parfaite iL(t) > 0 (conduction continue) C dimensionn tel que Vs << Vs Rgime permanent Notations Valeur moyenne <V(t)>, V, V ^ Valeur crte V Valeur instantane V(t), V
VK iK K Ve D iD iL VD VL L
iD iC C
iS Vs R
Figure I-C-2. Schma de principe dun convertisseur continu-continu non isol abaisseur de tension
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : rgime permanent
I. Introduction
C. Exemples : BUCK : tude sur [0;T]
Etude de la topologie du circuit sur une priode de dcoupage
K iK Ve C R iL
iL
L Vs
L Vs C R
D iD
[0; T[
[T; T[
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : courants et tensions
I. Introduction
C. Exemples : BUCK : rgles importantes
Les deux rgles principales en lectronique de puissance applique la conversion statique de lnergie : La a valeur a eu moyenne oye e de la a te tension s o au aux bo bornes es d dune u e inductance ducta ce pa parcourue cou ue pa par un courant priodique est nulle Lorsque la tension aux bornes dun condensateur varie priodiquement, la valeur moyenne du courant qui le traverse est nulle Lors de lutilisation dun simulateur pour une tude de convertisseur, il faut sassurer que le rgime permanent est atteint en vrifiant les deux rgles prcdentes Ces rgles sont gnraliser pour toutes les topologies de convertisseurs
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : commande synchrone
Remarque concernant la commande des composants actifs : cas des MOSFET MOSFET : Faible RDSon => remplacement de la diode de roue libre
D G Sub S S S
Temps mort : Body D conduit => pas optimise
D G G
Commande alterne VGS1 et VGS2 => commande synchrone avec gestion de temps mort
Figure I-C-8. Utilisation de MOSFET la place de la diode de roue libre pour amliorer le rendement du convertisseur BUCK
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : conduction critique
Conduction continue
LC =
R .(1 ) 2.f
Conduction discontinue
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : conduction discontinue
Que se passe t-il si, Vs constante, Is diminue fortement ?
Figure I-C-11. Tension aux bornes de la diode et courant dans linductance lors de la conduction continue
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : plan de conduction
Si lon veut garder Vs=cte, il faut agir sur le rapport cyclique
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : Vs et calcul de C
Quen est-il de londulation de la tension de sortie ?
=> VS =
I. Introduction
C. Exemples : BUCK : effet des composantes de C sur Vs
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : bilan des pertes (composants rels)
Ncessit de rduire les pertes engendres dans la diode de roue libre afin daccroitre le rendement du convertisseur
Figure I-C-15. bilan des pertes dans un convertisseur abaisseur de tension non isol
[extrait de Buck-Converter Design Demystified, Donald Schelle and Jorge Castorena, Power Electronics Technology, June 2006 ]
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : approche rgulation
Une alimentation dcoupage est un systme comportant une plusieurs boucles de rgulation
Figure I-C-16. Rgulation dune alimentation dcoupage (convertisseur abaisseur de tension non isol)
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK : Modulation de Largeur dImpulsion
MLI (Modulation de Largeur dImpulsion) ou PWM (Pulse Width Modulation) Dfinition : La modulation de largeur d impulsions consiste appliquer dimpulsions aux interrupteurs des crneaux de commande de largeur variable avec une priodicit constante.
Figure I-C-17. Train dimpulsions de largeur T Figure I-C-18. Modulation sinusodale MLI
source : Ptdesign - October 2000
I. Introduction
C. Exemples : BUCK : exemple de ralisation
convertisseur abaisseur de tension Vs = +5V
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I. Introduction
C. Exemples : BOOST (TD1)
Alimentation dcoupage : exemple du convertisseur lvateur de tension (BOOST) Deux composants passifs L et C La charge g est reprsente p par p R Deux composants actifs K et D Hypothses dtude : K est actionn priodiquement (ouvert ou ferm la frquence f) rapport cyclique [0; 1] K et D parfaits, L parfaite iL(t) > 0 (conduction continue) C dimensionn tel que Vs << Vs Rgime permanent Notations Valeur moyenne <V(t)>, V, V ^ Valeur crte V Valeur instantane V(t), V
VL iL Ve L VK K iK VD D
iD iC C
iS Vs R
Figure I-C-20. Schma de principe dun convertisseur continu-continu non isol lvateur de tension
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I. Introduction
C. Exemples : BOOST : courants et tensions
Rapport de conversion Vs =
Figure I-C-21. Formes dondes courant et tension dans la diode, le transistor et la charge
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Ve 1-
(indpendant de R)
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I. Introduction
C. Exemples : BOOST : conduction critique
Conduction continue
LC =
.(1 ) 2 .R 2.f
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I. Introduction
C. Exemples : BOOST : conduction discontinue
Que se passe t-il si, Vs constante, Is diminue fortement ?
Figure I-C-25. Courant dans linductance et tension aux bornes de linductance l ors de la conduction discontinue
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I. Introduction
C. Exemples : BOOST : plan de conduction
Si lon veut garder Vs=cte, il faut agir sur le rapport cyclique
Conduction continue
Conduction discontinue
I. Introduction
C. Exemples : BOOST : Vs et calcul de C
Quen est-il de londulation de la tension de sortie ?
=> VS =
IS . .T = Vs C f .R .C
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I. Introduction
C. Exemples : BOOST : valeur maximale de Vs ?
Linductance L ntant pas parfaite : RL 0
L parfaite
L relle
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I. Introduction
C. Exemples : BOOST : exemple de ralisation
convertisseur +12V => +19V
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST (TD1)
Alimentation dcoupage : exemple du convertisseur lvateur-abaisseur et inverseur de tension (BUCK-BOOST) Deux composants passifs L et C La charge g est reprsente p par p R Deux composants actifs K et D Hypothses dtude : K est actionn priodiquement (ouvert ou ferm la frquence f) rapport cyclique [0; 1] K et D parfaits, L parfaite iL(t) > 0 (conduction continue) C dimensionn tel que Vs << Vs Rgime permanent Notations Valeur moyenne <V(t)>, V, V ^ Valeur crte V Valeur instantane V(t), V
VK iK K Ve VL L iL VD D
iD iC C
iS Vs R
Figure I-C-30. Schma de principe dun convertisseur continu-continu non isol abaisseur-lvateur et inverseur de tension
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST : courants et tensions
Chronogrammes
Rapport de conversion
Figure I-C-31. Formes dondes courant et tension dans la diode, le transistor et la charge
(indpendant de R)
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST : conduction critique
Conduction continue
LC =
(1 ) 2 .R 2.f
Conduction discontinue
I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST : conduction discontinue
Que se passe t-il si, Vs constante, Is diminue fortement ?
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST : plan de conduction
Si lon veut garder Vs=cte, il faut agir sur le rapport cyclique
Conduction continue
Conduction discontinue
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST : Vs et calcul de C
Quen est-il de londulation de la tension de sortie ?
=> VS =
IS . .T = Vs C f .R .C
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I. Introduction
C. Exemples : BUCK-BOOST : exemple de ralisation
convertisseur +5V / -5V @100mA
I. Introduction
D. Commutation de lnergie : notion daiguillage
Rgime de commutation (aiguillage de lnergie) Notion dinterrupteur
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : interrupteurs idaux
Proprits statiques : Ron nulle - Roff infinie I(V) bidirectionnelle en V et I Proprits dynamiques : commutation instantane tat passant tat bloqu et inversement
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : caractristiques statiques
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : caractristiques statiques
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : caractristiques statiques
Les composants issus de synthse possdant des caractristiques statiques trois segments
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : caractristiques statiques
I. Introduction
D. Commutation de lnergie : caractristiques de commut.
Commutation : passage de ltat bloqu ltat passant et vice-versa Trajectoire suivi par le point de fonctionnement : caractristique dynamique de commutation Trajectoire impose par le circuit extrieur linterrupteur (diffrente au blocage et lamorage) Interrupteur rel : lment dissipatif (pertes en commutation) Deux types de commutation : commande et spontane
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : type de commutation
I. Introduction
D. Commutation de lnergie : interrupteur de type D et T
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : bidirectionnalit en tension
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : bidirectionnalit en courant
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : exemple thyristor + diode
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : dfinition des sources
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : source de courant/tension
une source de tension impose la tension ses bornes indpendamment du courant qui la traverse une source de courant impose le courant qui la travers quelle que soit la tension ses bornes Ces dfinitions correspondent une proprit permanente valable toute les chelles de temps mais qui est rarement vrifie en lectronique de puissance
1m 1H I = 5A VAB = 11,975V
7A 3A
t VL
Fi Figure I-D-15. I D 15 Ali Alimentation t ti d dune l lampe
1H 1m +4V -2V +14V
VAB +8V t
1s 3s 89 /261
I. Introduction
D. Commutation de lnergie : quelques rgles
La tension v(t) aux bornes dun condensateur ne peut pas subir de discontinuit puisque lnergie stocke dans un condensateur ne peut pas varier brusquement. Le courant i(t) dans une inductance ne peut pas subir de discontinuit car lnergie stocke dans une inductance ne peut pas varier brusquement. En lectronique de puissance, un condensateur sera donc considr comme une source de tension et une inductance comme une source de courant.
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : rversibilit des sources
Une source est rversible en tension si la tension ses bornes peut changer de signe. Une source est rversible en courant si le courant qui la traverse peut s sinverser inverser. La proprit de rversibilit est une proprit permanente.
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : interconnexion des sources
Une source de tension ne doit pas tre court-circuite mais elle peut tre laisse en circuit ouvert Une source de courant ne doit pas tre laisse en circuit ouvert mais elle peut tre court-circuite. On ne peut pas connecter deux sources de tension en parallle ou deux sources de courant en srie. On ne peut donc connecter entre elles que des sources de nature diffrente. (cependant, si lune des sources est seulement instantane, on peut la connecter une autre source de mme nature).
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : synthse dun convertisseur
On se propose de synthtiser un convertisseur tension-courant Cahier des charges : convertisseur permettant de rgler les changes dnergie entre une source de tension et une source de courant Connexions autorises :
Topologie propose :
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : synthse dun convertisseur
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I. Introduction
D. Commutation de lnergie : synthse dun convertisseur
Topologies possibles
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I. Introduction
D. Rfrences
Michel Girard, Hugues Angelis, Magali Girard Alimentation dcoupage , 2me dition, DUNOD, ISBN 2-10-006940-3 Jacques Laroche Electronique de puissance : Convertisseurs , DUNOD DUNOD, ISBN 2-10-007252-8 Christian Zardini Electronique de puissance EP1 EP2 , polycopi de cours ENSEIRB, 2003 Bruno Allard L'lectronique de puissance - Fondements et perspectives , Technique de lingnieur, D3000, Paris (France) Franois Bernot Electronique de puissance - Introduction , Technique de lingnieur, E3958, Paris (France) Henri Foch et al. Outils de base de llectronicien de puissance, Technique de lingnieur, E3151, Paris (France) Thierry Lequeu Cours Alimentation Electronique , polycopi Univ. Tours
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Etat passant Chute de tension l ltat tat passant (tension de saturation ou rsistance l ltat tat passant) Courant limite maximum Sensible la temprature (environnement et auto-chauffement) Etat bloqu Tension maximale applicable Courant de fuite
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Intgration de plus en plus pouss : augmentation de la densit de courant par cm, augmentation de la puissance commute, auto-chauffement plus important
Figure II-A-4. Evolution des tailles des puces sur sicle (transistor IGBT)
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Au niveau de la physique du semi-conducteur Structure verticale conduction de courant important => grande surface Tenue en tension conditionne par l lpaisseur paisseur de la zone active Face arrire active=> lectrode Ordre de grandeur : J=100A/cm2
1,5cm
Figure II-A-7. Transistors et diodes 200A et 50A Figure II-A-6. Structure de transistor verticale et horizontale
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Figure II-A-8. Rappel des symboles des principaux composants de puissance semi-conducteur.
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Figure II-B-3. Distribution de quelques grandeurs lectriques dans la jonction punch through
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Figure II-B-6. Champs lectrique max. en fonction de la concentration de la rgion faiblement dope
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100A
1,55V
55
56
100A 530mV
Figure II-B-13. Caractristique direct de la diode SCHOTTKY IR 200CNQ050
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Figure II-B-14. Quelques chiffres comparatifs entre la diode PiN et la diode Schottky
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Figure II-B-18. Puissance crte admissible par un 1.5KE en fonction de la dure de limpulsion
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Faible Vceon (rduction de la rsistance de base par injection de porteurs minoritaires) ) Charge stocke Commande en courant
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60
61
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Vgs=3V
Vgs=2V Vgs=1V
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Conduction MOSFET
Conduction Diode
Figure II-D-7. Rseau de caractristiques Id-Vds dans les 1er et 3me cadrans
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Figure II-D-8. Variation de la rsistance ltat passant RDSon en fonction de la tension de claquage
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Ciss = Cgd + Cgs (input capacitance) Coss = Cgd + Cds (output capacitance) Crss = Cgd (reverse transfer capacitance)
Figure II-D-9. Schma lectrique quivalent du MOSFET avec les capacits inter-lectrode
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i(t) = C dv/dt
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Premire commercialisation en 1975 : SILICONIX VN64 60V@12,5A@0,4 Introduction de la gamme HEXFET en 1979 (INTERNATIONAL RECTIFIER) Structure verticale, multicellulaire (VLSI) Avantages Commande en tension ( partir de circuits intgrs) Rapidit de commutation (+1 2 ordre de grandeurs par rapport au bipolaire) Robustesse Mise en parallle facile Inconvnients Utilisation limite aux tension infrieures 400V (Rdson augmente avec la t tension i de d claquage) l ) Cot
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Christian Zardini Electronique de puissance EP1 EP2 , polycopi de cours ENSEIRB, 2003 Stphane Lefebvre Lefebvre, Fancis Miserey Composants semi-conducteur pour llectronique de puissance , Lavoisier, ISBN 2-7430-0719-2 Franois Bernot Electronique de puissance - Introduction , Technique de lingnieur, E3958, Paris (France)
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couche mtallique moins performantes en termes de stabilit en temprature et de bruit 0,125W 3W : 50 200ppm/K Vu : 250 700V
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High accuracy and wide range-Impedance measurement: t 100 Hz to 40 MHz, 0.1 m to 1.6 M, 0.17% 10 kHz to 100 MHz, 0.1 to 1 M, Gain-phase measurement: 10 Hz to 100 MHz, -107 107 dBm to +15 dBm, 0.1 dB resolution
Figure III-A-6. HP4194A Impedance / Gain Phase Analyzer
71
4 2 0 -2 -4 -6
=> Inductives
72
90 80 70 60 50 40 30 20 20 10
73
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149 /261
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C(T)
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Evolution des condensateurs cramique de type 2 en fonction de T et V C(T) et tan() (T) C(T) et tan() (V)
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Evolution des condensateurs cramique de type 2 en fonction de t et f C(t) C(f) et tan() (f)
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Dilectrique Permittivit relative tg (x10-4) Rigidit dilectrique (V/m) Temprature maxi (C)
Tflon (PTFE) 2
15 250
3 200
50 275-300
1 90-170
130
130
150
260
158 /261
79
160 /261
80
81
163 /261
164 /261
82
166 /261
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Aluminium 4,7F/63V
Tantale 4,7F/50V
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cramique c a que
lectrolytique y q
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Un champ magntique est cr autour dun conducteur lectrique travers par un courant. Cette circulation du champ magntique constitue une grandeur vectorielle perpendiculaire au courant gnr. Les lignes de champ reprsente le champ magntique magntique. Ces lignes forment forment, dans le cas dun d un conducteur travers par un courant, des cercles ferms concentriques. Le champ magntique H et chaque incrment de distance (dr), tout deux orients dans le sens inverse des aiguilles dune montre le long dune ligne de champ, vont toujours dans la mme direction. Une circulation complte fournit le champ magntique le long dun parcours ferm :
I
H .dr = I
Si plusieurs courants traversent un parcours ferm, la somme des courants doit figurer droite de lquation (en prenant en compte le signe indiquant leur direction : application au transformateur, cours ECE2). La valeur du champ magntique (H) est exprime en A/m
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Un potentiel lectrique est cr dans une boucle de conducteur lorsque le champ magntique traversant cette boucle varie en fonction du temps. La surtension au niveau de la boucle est appele induction magntique B. Tout comme la circulation du champ magntique, linduction magntique B est une grandeur vectorielle. Elle vrifie lquation suivante :
U .dt B=
t 0
N .A
Linduction magntique est le quotient de la surtension induite et du produit du nombre de spire (N) avec la surface (A) correspondant aux enroulements de linductance bobine. Linduction magntique est exprime en Tesla (T) = V.s/m
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LA constante de proportionnalit est appele constante du champ magntique (0). Elle est dfinie par des mesures exprimentales.
0 = 4 10 7 V .s / A.m
Dans le vide et dans lair, cela donne :
B = 0 .H
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Le flux dinduction magntique () est le produit scalaire de linduction magntique (B) et du vecteur de surface (dA).
= B.dA
A
= B .A
Le flux dinduction magntique () est exprime dans la mme unit que la surtension, cest--dire, en volt-secondes (V.s) ou en Weber, (Wb)
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La permabilit dcrit un phnomne important qui se produit dans les matriaux ferromagntiques. Si le matriau ferromagntique est plac dans un champ magntique, magntique on observe une concertation du flux dinduction magntique dans le dit matriau. A linstar des rsistances lectriques, les matriaux ferromagntiques offrent une bonne conduction des lignes de champ. La permabilit peut par consquent, tre dcrite comme une proprit de conduction ou de pntration magntique.
N S N S
Figure III-C-2. Matriau ferromagntique dans un champ magntique
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Le coefficient par lequel linduction (B) varie avec lintroduction du matriau est appel permabilit relative (r)
r =
B B0
lquation permettant dobtenir la permabilit relative est tendue lespace quoccupe le matriau :
B = 0 .r .H
La permabilit relative du matriau nest toutefois pas constante mais essentiellement non linaire (dpend de la courbe hystrsis et frquence)
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Figure III-C-3. B(H) dans lair (0 = 410-7) ou dans un matriau magntique de permabilit (avec ) non linarit et saturation)
Figure III-C-4. B(H) sans hystrsis ni saturation dans un matriau magntique possdant un entrefer (idal) ou avec saturation
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Caractristiques gnrales Comportement linaire Bobinage sur mandrins cylindriques L indpendante du courant qui parcourt l lenroulement enroulement Courant variable => rayonnement (couplage dinductance non souhait)
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L=f(n2)
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Inductances air volumineuses ! Rduction du volume (air remplac par matriau permabilit leve => on canalise les lignes dinduction) Rduction du rayonnent (utilisation dun noyau magntique : tle de fer ou acier, ferrite ou poudre magntique enrobe) Comportement non linaire (hystrsis, saturation) Pertes par hystrsis et courants de Foucault Problmes thermiques Cot lev
Noyau lmentaire : noyau torique le : longueur effective Ae : aire effective Ve : volume effectif Al : inductance spcifique (nH/spire2)
Paramtres effectifs du tore quivalent
L = n 2 .AL
Inductance spcifique
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MnZn (Manganese Zinc) : compos de 50% oxyde de fer (Fe2O3) +30% Mn3O4 + 20% ZnO Permabilit Permabilit initiale (i) : 2300 2300-2800 2800 Densit de flux maximum (BM) : 42004900 G (420-490 mT) Frquence maximale dutilisation : < 3 MHz Faible rsistivit : 50-2000 ohm-cm NiZn (Nickel Zinc) : compos de 50% oxyde de fer (Fe2O3) +30% NiO + 20% ZnO Faible permabilit initiale (i) : 250-375 Densit de flux maximum (BM) : 20004500 G (200-450 mT) Frquence maximale dutilisation : > 3 MHz Forte rsistivit : 105109 ohm-cm
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e=
d dt
Une fois le conducteur plac dans un champ magntique variable dans le temps, la force lectromotrice proportionnelle au taux de variation du champ magntique est induite dans le conducteur provoquant la circulation dun courant et donc
B = .H
Thorme dAmpre : La circulation, le long d'un circuit ferm, du champ magntique engendr par une distribution de courant est gale la somme algbrique des courants qui traversent la surface dfinie par le circuit orient :
Ni = H .dl
= H m .lm + H g .lg
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V =N
d dB dH = N .Ae . = N .Ae .e dt dt dt
Thorme dAmpre :
N .i = H .le
V=
N 2 .Ae .e di . le dt
N 2 .Ae .e di di V = . =L dt le dt
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La permabilit du matriau magntique permet daccroitre plus efficacement que lair la facult dun composant concentrer les lignes de flux magntique La permabilit n nest est constante que dans lespace l espace libre ( 0 = 4 x 10 H/m) La densit du flux magntique (reprsent au travers de B) est fonction du courant magntisant (au travers de H) : B = H
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Composant
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Utiliss pour raliser des inductances, transformateurs de faible puissance et des transformateurs dintensit Flux de fuite et inductance de fuite trs faible
Rfrence ETD
Figure III-C-18. Document Ferroxcube
Rfrence U
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Hypothse du tore : lorsquun enroulement de n spires ralis sur un noyau magntique torique est parcouru par un courant dintensit I, le champ magntique H et linduction magntique B sont uniformes dans le tore et nuls l extrieur lextrieur Linductance stocke lnergie W matriau constituant le tore.
On suppose que tant que linduction magntique est infrieure Bsat, ce matriau prsente un comportement linaire caractris par sa permabilit . On montre que le volume minimum de matriau magntique mettre en uvre LI 2 pour stocker lnergie W est :
Ve min =
2 Bsat
Dans la plupart des cas, on saperoit que Vemin est trs lev => inacceptable Pour augmenter la densit volumique dnergie lectromagntique stocke, on utilise un matriau magntique plus faible.
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le : longueur effective Ae : aire effective e : rluctance du circuit magntique le : flux magntique H .dl = n.l = H .le = .A B.Ae = . : permabilit e
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Le rajout dun entrefer permet de stocker de lnergie dans lair et trs souvent, lessentiel de lnergie W stocke dans une inductance lest dans lair. En contre partie, lintroduction de lentrefer conduit une diminution de L.
Figure III-C-22. Schma du tore quivalent avec prise en compte dun entrefer
= n.I
0 .Ae l e e+ e r
Ae l e e+ e r
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Critres de choix
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(a)
(b)
Figure III-C-24. Les lignes de champ coupent une fois (a) ou deux fois (b) lentrefer
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e+ n= L
le e r 0. Ae
Choix du diamtre du fil Rgle de mtier : 4 8A/mm On vrifie que l lenroulement enroulement loge dans la fentre de bobinage (une procdure plus optimise permet de calculer lespace occup)
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Figure III-C-26. Forme des carcasses utilises t (s) Figure III-C-25. Allure du courant dans linductance
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Christian Zardini Electronique de puissance EP1 EP2 , polycopi de cours ENSEIRB, 2003 Grard Mouris Condensateur utiliss en lectronique de puissance , Technique de lingnieur, D3280, Paris (France) Franois Bernot Electronique de puissance - Introduction , Technique de lingnieur, E3958, Paris (France) Trilogie des Inductances : Guide de design /Abc des Transformateurs : Guide dapplication, Wurth Elektronik, juillet 2007
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Fiabilits des composants et systmes lectroniques : influence de la temprature Principaux soucis des concepteurs : fiabilit et cot La fiabilit d dun un composant est dfinie comme sa probabilit de survie : R(t) = nf(t) / ns(t) et son taux de dfaillance : Lambda (t) = 1/ns(t) * dnf(t)/dt
Au dbut de lexprience : taux de dfaillance lev (mortalit infantile) En cours dexprience : taux constant, dure de vie des composants En fin dexprience : usure, fin de vie des composants
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Dure de vie = f(T) Temprature dutilisation recommande par les fabricants : 125C pour les circuits intgrs 150 175C 175 C pour les transistors de puissance Problme thermiques considrer : vacuation de la chaleur gnre par les composants Vrification des tempratures de fonctionnement des composants qui doivent rester lintrieur des plages recommandes
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Conduction : Le transfert de chaleur par conduction lintrieur dun corps seffectue sans dplacement de matire grce lagitation des molcules
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Convection : Le transfert de chaleur par convection met en jeu un mouvement de matire fluide liquide ou gaz qui entraine le transport de la chaleur entre zones chaudes et zones froides
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Lutilisation dun fluide (gaz ou liquide) peut accroitre lefficacit du transfert thermique par convection
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Rth = T1 T2 q
R = V1 V2 I
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Figure IV-B-9. Rduction des rsistances thermiques de contact laide dintercalaire thermique
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Loi dOhm thermique Puissance dissipe Q (W) Rsistance thermique Rth (C/W) Diffrence de temprature Ti (C)
U 1 U 2 = I . R
TJ TA = Q. Rth
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Si brasure Substrat
Rthjc Tc
Cu
brasure
semelle
Cu
Rthint Tr Rthrad Ta
Transfert thermique par convection + rayonnement (~10%) Transfert thermique par conduction (~90%)
Figure IV-D-2. Coupe dun assemblage de puissance Mise en vidence des Rth
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Figure IV-D-3. Schma quivalent thermolectrique dun transistor fix sur un radiateur par lintermdiaire dune interface thermique
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Christian Zardini Electronique de puissance EP1 EP2 , polycopi de cours ENSEIRB, 2003 Franois Bernot Electronique de puissance - Introduction , Technique de lingnieur, E3958, Paris (France)
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V. Les boitiers
A. Introduction
Grand nombre de boitiers disponibles (mtallique, plastique) Composants traversants puis montage en surface Norme JEDEC pour les boitiers de puissance (DOxx, TOxx)
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V. Les boitiers
B. Boitiers mtalliques
Utiliss ds le dbut de la production industrielle pour conditionner les > pastilles de silicium (cot non ngligeable) Embase mtallique + connexions filaires Ddis aux applications forte puissance
V. Les boitiers
B. Boitiers mtalliques : Do et To
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V. Les boitiers
B. Boitiers mtalliques : data sheet
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V. Les boitiers
C. Boitiers plastique
Applications faibles et moyennes puissance Embase cuivre + connexions filaires Boitiers isols ou pas
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V. Les boitiers
C. Boitiers plastiques : exemple de boitiers To
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V. Les boitiers
C. Boitiers plastiques : data sheet
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V. Les boitiers
D. Boitiers isols pour montage plat
Applications forte puissance Pastilles isoles de lembase mtallique Connexions sur la face suprieure
Connexions extrieures et vacuation de la chaleur : 2 fonctions spares Intelligent Power Module (IPM
V. Les boitiers
D. Boitiers isols pour montage plat : exemples
Bras donduleur
Figure V-D-2. Bras donduleur et onduleur complet en boitier isol
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V. Les boitiers
D. Boitiers isols pour montage plat : bras donduleur
Tr
Tr
D Tr
Figure V-D-3. Dtail dun bras donduleur en boitier isol
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V. Les boitiers
D. Boitiers isols pour montage plat : onduleur MOS
D Tr
Figure V-D-4. Onduleur MOSFET
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V. Les boitiers
E. Boitiers pour montage en surface
Applications faibles et moyennes puissance Brasage sur diffrents types de substrats
V. Les boitiers
E. Boitiers pour montage en surface : data sheet
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V. Les boitiers
F. Boitiers contacts presss
Applications forte trs forte puissance Solution contre la fatigue thermique
V. Les boitiers
F. Boitiers contacts presss : exemple
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V. Les boitiers
F. Montage des boitiers : faible puissance
Un composant de puissance doit toujours tre fix sur un refroidisseur Respecter le couple de serrage prconis par le fabricant
V. Les boitiers
F. Montage des boitiers : forte puissance thyristor
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V. Les boitiers
F. Montage des boitiers : forte puissance IGCT
ICGT en boitier
Commande rapproche
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V. Les boitiers
G. Rfrences
Christian Zardini Electronique de puissance EP1 EP2 , polycopi de cours ENSEIRB, 2003 Franois Bernot Electronique de puissance - Introduction , Technique de lingnieur, E3958, Paris (France) Jacques Leclercq Electronique de puissance - Elments de technologie, Technique de lingnieur, D3220, Paris (France)
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