Electronica

1
CURSO DE ELECTRNICA BSICA E INSTRUMENTACIN

1 Tema2: Introduccin a la electrnica
Concepto de electricidad
Fenmeno fsico originado por las fuerzas de
interaccin entre partculas subatmicas
2
Modelo atmico
Consideramos que el tomo est
compuesto de ncleo y corteza.
Entre los electrones y protones
se ejercen fuerzas de atraccin.
Las fuerzas se deben a una
propiedad denominada carga
elctrica.
Las cargas del electrn y del
protn tienen el mismo valor,
pero de signo opuesto.
Electrn: Carga negativa (-)
Protn: Carga positiva (+)
En la regin del espacio donde se manifiestas las
fuerzas sobre cargas elctricas, decimos que hay
un Campo Elctrico.
Entre los protones y electrones se ejercen fuerzas mutuas,
adems de las fuerzas gravitacionales.
Estas fuerzas se explican adjudicando a los protones y
electrones una propiedad denominada carga elctrica.
Las cargas elctricas crean en el espacio que les rodea un
campo elctrico.
Al igual que la regin del espacio donde se manifiestan las
fuerzas entre masas se denomina campo gravitatorio.
A diferencia de las fuerzas gravitacionales, las fuerzas elctricas
ocasionadas por las cargas elctricas pueden ser atractivas o
repulsivas.
Cualquier tomo de cualquier sustancia contiene el mismo
nmero de protones que de neutrones, por lo que resulta
elctricamente neutro. Cualquier tomo o sustancia es
elctricamente neutra.
Podemos valorar la magnitud del Campo Elctrico observando la
fuerza ejercida sobre la unidad de carga:
E=F/q , unidades N/C
3
Fuerza entre cargas elctricas estticas
De distinto signo se atraen: Del mismo signo se repelen:
La magnitud de la fuerza entre las cargas fue deducida
experimentalmente por Culomb.
Valoramos la magnitud de un campo elctrico observando la
fuerza que ejerce sobre la unidad de carga: F=q . E (N)
Un Culombio es la cantidad de carga que a la distancia de 1m
ejerce sobre otra cantidad de carga igual, la fuerza de 9 x 10
9
N
El Campo Elctrico en un punto del espacio es la fuerza que experimenta
por unidad de carga. E = F/q
Si en un punto hay n cargas, la fuerza que experimentan es F=n.q.E
Un cuerpo cargado es aquel que tiene un nmero de protones o
electrones en exceso.
En 1776 Charles Agustn de Coulomb (1736-1806) invent la balanza de
torsin con la cual, midi con exactitud la fuerza entre las cargas
elctricas y corrobor que dicha fuerza era proporcional al producto de las
cargas individuales e inversamente proporcional al cuadrado de la
distancia que las separa.
Ley de Culomb:La fuerza de atraccin o repulsin entre cuerpos cargados
es directamente proporcional al producto de sus cargas, e inversamente
proporcional al cuadrado de la distancia que los separa.
La carga de un electrn o un protn es 1,601 E-10 Culombios
La unidad de carga es el Culombio, y se define como la cantidad de carga
por segundo que atraviesa una seccin de conductor por el cual circula
una corriente constante de un amperio.
En el sistema electrosttico, la unidad de carga se define como aquella
que repele (o atrae) a otra con la fuerza de un 1 dina cuando ambas
cargas estn separadas 1 centmetro.
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Energa
En fsica, llamamos Energa
a la capacidad de obrar,
transformar y poner en
movimiento.
Qumica Elctrica Potencial
Cuando esta capacidad se
materializa, hablamos de
realizacin de Trabajo.
La potencia es la facilidad
que tiene un sistema para
convertir energa en trabajo.
Para que haya trabajo debe existir desplazamiento,
en caso contrario solo hay esfuerzo.
Todos los cuerpos, pueden poseer energa debido a su movimiento, a su
composicin qumica, a su posicin, a su temperatura, a su masa y a
algunas otras propiedades. En las diversas disciplinas de la fsica y la
ciencia, se dan varias definiciones de energa, por supuesto todas
coherentes y complementarias entre s, todas ellas siempre relacionadas
con el concepto de trabajo.
Las unidades de Trabajo son las de Fuerza x Distancia (N x m), y se
denominan Julios. Tambin podemos expresar el trabajo en Caloras,
Watios, Caballos de Vapor.
Las unidades de potencia son unidades de trabajo en la unidad de tiempo
(Caloras/hora, Watios/segundo, Kilowatios/hora, etc.)
En electricidad la fuerza que desencadena el trabajo es la del campo
elctrico, y el movimiento es el de los portadores de carga.
5
Tensin Diferencia de Potencial
Entre dos puntos en los que existe
una diferencia de potencial
elctrico, tender a producirse un
flujo de cargas elctricas.
A la diferencia del valor del campo
elctrico que existe entre dos puntos,
multiplicado por la distancia que los
separa se la llama diferencia de potencial
elctrica.
A la diferencia de potencial elctrico
se la denomina Tensin Elctrica (V),
se mide en Voltios.
( ) Voltios V - V d ) E (E
2 1 2 1
=
) V - q(V d ) E ( q W
d F W
2 1 2 1
= =
=
E
) V (V i P
) V - (V i d E
t
q

t
W

t
W
P
2 1
2 1
=
= =
=
Esta diferencia de potencial
representa el trabajo que hay que
realizar para transportar la unidad de
carga entre los dos puntos.
La tensin elctrica de un punto respecto de otro punto, tambin
denominada diferencia de potencial entre 2 puntos, representa el trabajo
que hay que realizar sobre la unidad de carga elctrica para trasladarla
entre los dos puntos de un campo elctrico.
El trabajo por unidad de carga que hay que realizar, es el producto de la
Fuerza por el desplazamiento (F x r)/q.
Como resulta que la Fuerza por unidad de carga es el Campo Elctrico
(E), resulta que el trabajo que hay que realizar para desplazar la unidad
de carga entre dos puntos V1-V2 es igual a E x r, es decir, la diferencia
de potencial.
El flujo de cargas en un conductor metlico son electrones libres, que se
mueven por la fuerza ejercida por un campo elctrico (diferencia de
potencial o tensin).
La unidad de tensin elctrica es el Voltio
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Corriente elctrica
Flujo de cargas elctricas en
una direccin determinada por
unidad de tiempo.
Se mide en Amperios;
1 Amperio es igual al flujo de
cargas en una seccin de
material de un Culombio por
segundo.
Para que se produzca un flujo
de cargas entre dos puntos,
tiene que existir una diferencia
de potencial elctrico entre
ellos.
El tipo y la geometra del material sobre el que se establezca este
flujo de cargas (corriente elctrica) tiene mucha influencia sobre la
magnitud de la corriente establecida.
Si dos puntos que tienen una diferencia de potencial se unen mediante un
conductor, se producir un flujo de corriente elctrica. Parte de la carga
que crea el punto de mayor potencial se trasladar a travs del conductor
al punto de menor potencial y, en ausencia de una fuente externa
(generador), esta corriente cesar cuando ambos puntos igualen su
potencial elctrico (Ley de Henry). Este traslado de cargas es lo que se
conoce como corriente elctrica.
La corriente elctrica se establece porque los portadores de carga se
desplazan en el seno del material. En funcin de la densidad volumtrica
de portadores y de la velocidad de desplazamiento, se puede expresar la
corriente elctrica como I=n.q.vd.A
n=numero de portadores de carga por unidad de volumen
Vd= velocidad de desplazamiento( hay que tener en cuenta que se
producen numerosas colisiones que detienen el avance de los portadores
de carga)
q=carga de los portadores
A= seccin del conductor
El flujo de cargas en un electrolito son iones (positivos o negativos)
Al ser flujo de cargas (Q) por unidad de tiempo(t), las unidades de
Amperios y Culombios/segundo son equivalentes.
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Conductores y Aislantes
Los materiales se pueden
clasificar segn la facilidad para
ser recorridos por una corriente
elctrica en
Conductores
Semiconductores
Aislantes
Esta propiedad elctrica
depende de los elementos que
formen el material y del tipo de
enlace qumico que presenten.
Dependiendo de la distancia interatmica y del nmero de electrones de
enlace entre otros factores, pueden formarse distintos conjuntos de
bandas que pueden estar llenas, vacas o separaciones entre bandas por
zonas prohibidas o bandas prohibidas, formndose as bandas de
valencia, bandas de conduccin y bandas prohibidas.
As en un aislante la separacin entre la banda de valencia y la banda de
conduccin es muy grande ( 10 eV), y esto significa que un electrn en
la banda de valencia necesita mucha energa para ser liberado y
convertirse en un electrn libre necesario para la conduccin. En un
conductor las dos bandas estn solapadas, no necesitndose ninguna
energa para alcanzar la conduccin. En un semiconductor la banda
prohibida es estrecha, o lo que es lo mismo, es fcil que un electrn sea
liberado y pueda contribuir a la conduccin.
Los metales tienen hasta 3 electrones corticales (en la ultima capa), que
pueden ceder a la red cristalina del metal, bajo efecto de un campo
elctrico externo producido por distintos medios. El flujo o movimiento de
dichos electrones a travs del metal es la corriente elctrica, y genera
efectos magnticos en su entorno, y efectos trmicos como consecuencia
de su choque en su desplazamiento, con los tomos de la red, calentando
el metal.
Los semiconductores, como el Carbono y silicio, tienen cuatro electrones
en su capa externa, permitiendo formar enlaces covalentes sobre los
cuales se pueden introducir impurezas de otros elementos con 3 o 5
electrones en su capa externa, que sern los que favorezcan la movilidad
electrnica.
Los aislantes, como los plsticos y polmetros orgnicos, la madera seca,
el alquitrn y derivados del petrleo que impiden prcticamente el paso
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Densidad de Corriente
La densidad de corriente J en un conductor es la corriente
elctrica establecida por unidad de rea del conductor:
Al disminuir la seccin del conductor, y recorrerlo la misma
corriente aumentar la densidad de corriente en la seccin ms
estrecha.
La densidad de corriente mxima admitida por un hilo conductor
suele estar comprendida entre 2 o 3 A por mm2 de seccin
( )
2
/
S
I
J m A =
(para corrientes uniformes y seccin transversal perpendicular a la direccin de la
corriente)
9
Resistencia elctrica
Se denomina Resistencia
Elctrica, R, de una sustancia,
a la oposicin que encuentra la
corriente elctrica para
atravesarla, y depende del
material, la geometra y su
temperatura.
Su valor se mide en Ohmios, y
se designa con la letra griega
omega mayscula ().
La facilidad de un material a ser
atravesado por la corriente
depende de una propiedad fsica
denominada Resistividad.
( ) =
S
L
R
La resistividad es una propiedad del material

La resistencia es una propiedad del objeto.
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Ley de Ohm
La Intensidad de la corriente
que circula por un dispositivo
es directamente proporcional a
la Tensin aplicada, e
inversamente proporcional a la
Resistencia del mismo.
La resistencia elctrica forma parte de
un circuito, bien en la resistencia de
los propios conductores y/o en
componentes receptores de energa.
Se representa grficamente en un esquema mediante su smbolo
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Circuito y Componentes
Un circuito es la representacin grfica de una serie de elementos
elctricos o electrnicos (componentes) interconectados mediante
conductores, en uno o ms bucles cerrados, con la finalidad de
implementar una funcin.
Cada uno de los componentes tiene una representacin grfica
normalizada para su identificacin dentro del circuito.
Cada uno de los componentes tiene una ecuacin que modela su
funcionamiento (ideal o aproximadamente)
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Anlisis de Circuitos
Disciplina que tiene por objeto
establecer y resolver las ecuaciones
matemticas que describen el
comportamiento del circuito.
En un circuito elctrico se cumplen las
relaciones entre tensiones y corrientes
descritas en las Leyes de Kirchhoff
Nudo: Punto de interconexin de dos o
mas componentes
Malla: Camino cerrado que contenga dos
o ms nudos.
Circuito serie: La corriente es la
misma por todos los elementos.
Circuito paralelo: La tensin es
la misma en todos los elementos.
Ley de Kirchhoff de Tensiones: La suma de las diferencias de tensin a lo largo de
una malla cerrada en de un circuito debe de ser nula.
Justificacin: La diferencia de potencial entre dos puntos del circuito es independiente
del camino recorrido.
Ley de Kirchhoff de corrientes: La suma de las corrientes entrantes a un nudo debe
ser igual a la suma de las corrientes que salen de el.
Justificacin: No puede existir acumulacin de cargas en un nudo de un circuito.
TEOREMA DE THEVENIN.
El teorema de Thevenin es una herramienta muy til para el estudio de circuitos
complejos. Se basa en que todo circuito que contenga nicamente componentes y
generadores lineales puede reducirse a otro ms sencillo, denominado circuito
equivalente Thevenin, formado por un generador de tensin ideal mas una resistencia en
serie.
TEOREMA DE NORTON
Es un teorema similar al de Thevenin, que se emplea cuando se tienen generadores de
corriente en el circuito. El circuito equivalente de Norton est formado por un generador
de intensidad con una resistencia en paralelo.
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Resistencia Equivalente
2 1 L L
V V + =
2 1 L L eq
R R R + =
2 1 L L Total
I I I + =
2 1
1 1 1
L L eq
R R R
+ =
Circuito serie: La corriente es la misma por todos los elementos.
La resistencia equivalente es la suma de las resistencias en serie.
Circuito paralelo: La tensin es la misma en todos los elementos.
La resistencia equivalente es la inversa de la suma de la suma de
las inversas de las resistencias en paralelo.
Comentar que en serie si falla cualquiera de las lmparas, el circuito entero se
apaga
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Clasificacin de los Componentes
1. Segn su presentacin
Discretos:
Integrados:
3.- Segn su comportamiento
Activos.
Pasivos.
2.- Segn el material base de
fabricacin
Semiconductores:
No semiconductores:
Clasificacin de los componentes. De acuerdo con el criterio que se elija podemos
obtener distintas clasificaciones. Seguidamente se detallan las comnmente ms aceptadas.
Discretos: Son aquellos que estn encapsulados uno a uno, como es el caso de las resistencias,
condensadores, bobinas, diodos, etc.
Integrados: Forman conjuntos ms complejos, como por ejemplo un amplificador operacional
o una puerta lgica. Pueden contener desde unos pocos componentes discretos hasta millones de
ellos. Son los denominados circuitos integrados.
Semiconductores. Utilizan cristales de silicio o germanio dopados. Normalmente forman
parte de los Circuitos Integrados.
Activos: Los componentes activos son aquellos que son capaces de excitar los circuitos o de
realizar ganancias o control del mismo.
Pasivos: Son los encargados de la conexin entre los diferentes componentes activos,
asegurando la transmisin de las seales elctricas o modificando su nivel, sin aportar excitacin,
ganancia o control.
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Componentes Electrnicos Pasivos
Componente Funcin ms comn
Resistencia
Divisin de intensidad o tensin, limitacin de
intensidad.
Potencimetro
Variacin la corriente elctrica o la tensin.
Condensador
Almacena energa, filtrado, adaptacin de
impedancias
Bobina
Almacena energa, adaptacin de impedancias.
Fusible
Proteccin contra sobre-intensidades.
Conmutador
Reencaminar una entrada a una salida elegida e
dos o ms.
Interruptor
Apertura o cierre permanente de circuitos
manualmente.
Pulsador
Apertura o cierre temporal de dos circuitos
manualmente
Rel
Apertura o cierre de circuitos mediante seales
control.
Cable
Conduccin de la electricidad.
Transductor
Transformacin de una magnitud fsica en una
elctrica
Varistor
Proteccin contra sobre-tensiones.
Display
Muestra de datos o imgenes.
Altavoz
Reproducccin de sonido.
Resistencia no Lineal VDR, NTC, PTC, LDR.
CRISTAL DE CUARZO Osciladores

Altavoz Reproducccin de sonido.
Cable Conduccin de la electricidad.
Condensador Almacenamiento de energa, filtrado, adaptacin impedancias.
Conmutador Reencaminar una entrada a una salida elegida entre dos o ms.
Fusible Proteccin contra sobre-intensidades. Inductor Adaptacin de
impedancias.
Interruptor Apertura o cierre de circuitos manualmente.
Potencimetro Variacin la corriente elctrica o la tensin.
Rel Apertura o cierre de circuitos mediante seales de control.
Resistor Divisin de intensidad o tensin, limitacin de intensidad.
Transductor Transformacin de una magnitud fsica en una elctrica (ver
enlace).
Varistor Proteccin contra sobre-tensiones.
Resistencias no lineales
Dependientes de la tensin (VDR)
Con coeficiente de temperatura negativo (NTC)
Con coeficiente de temperatura positivo (PTC)
Con resistencias dependiente de la luz (LDR)
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Tipos de Resistencias
Bobinadas
De pelcula de carbn
De pelcula metlica
De pelcula cermet
De carbn aglomerado
Bobinadas Vitrificadas
Sobre circuitos impresos
SMD de pelcula gruesa
SMD de pelcula metlica
De carbn aglomerado: El elemento resistivo es una masa de grafito mezclado
con una resina que acta como aglomerante. Tienen varios inconvenientes:
oxidacin del carbn que repercute en variacin de su valor, adems tienen un
elevado nivel de ruido. Son las ms baratas.
De pelcula de carbn: El elemento resistivo es una capa de grafito cristalizado
depositada sobre un cuerpo aislante. Ventaja: estabilidad frente a cambios de
corriente, frente a la humedad, nivel reducido de ruido, baratas.
De pelcula metlica: El elemento resistivo es una capa de aleacin metlica y
xido metlico. Ventajas: mayor precisin. Inconvenientes, ms caras y no
pueden disipar mucha potencia (unos pocos watios).
De pelcula cermet. El elemento resistivo es una capa de cermet (material
cermico refractario mezclado con metales en polvo). Ventaja: se pueden fabricar
elevado valores de resistencia.
Bobinadas:El elemento conductor es hilo de constantn (cobre, nquel,
manganeso) u otros metales que tengan resistividad elevada, este hilo se bobina
sobre una base aislante de cermica, mica, etc. con un diseo hueco que
favorezca la refrigeracin. Ventajas: Pueden soportar grandes potencias.
Inconvenientes: son muy grandes en tamao, y no se pueden fabricar de valores
elevados (220K).
Bobinadas Vitrificadas: El elemento resistivo es idntico a las bobinadas, pero
se recubren de un prisma cermico vitrificado por razones de aislamiento
trmico.
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Caractersticas Tcnicas
Valor hmico: Oposicin al
paso de la corriente.
No tiene relacin con su
tamao.
Estn disponibles los valores
normalizados por la E.I.A.
Tensin de ruido: o ruido de
fondo, es una variacin de tensin
provocada por la propia agitacin
molecular trmica del componente.
(%) 100
ico Valor ter
ico Valor ter - real Valor
Potencia de disipacin:
Lmite de carga en vatios que
puede disipar antes de
destruirse por calentamiento.
Tiene relacin con el tamao
Tolerancia: mxima desviacin
relativa admisible en el valor de
una resistencia.
Lmites de Frecuencia:
Variacin de la resistencia con
la frecuencia debido a efectos
inductivos.
Coeficiente de Temperatura:
valor que indica la variacin
porcentual de la resistencia con
la temperatura.
18
Identificacin de resistencias /1
19
Valores Normalizados
COLUMNA TOLERANCIA
E192 0,5%
E96 1%
E48 2%
E24 5%
E12 10%
E6 20%
Esta serie de valores fue confeccionada durante los aos 40 por la E.I.A.
(Asociacin de Industrias Electrnicas de EEUU).
Se recogen los valores de resistencia disponibles para cada serie de tolerancias.
COLUMNA TOLERANCIA
E192 0,5%
E96 1%
E48 2%
E24 5%
E12 10%
E6 20%
20
Unidades de Prefijo en Ingeniera
10
-18
a Atto
10
-15
f Fempto
10
-12
p Pico
10
-9
n Nano
10
-6
Micro
10
-3
m Mili
10
0
(nada)
10
3
k Kilo
10
6
M Mega
10
9
G Giga
10
12
T Tera
Valor Valor Abreviaci Abreviaci n n Prefijo Prefijo
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Resistencias variables. Potencimetros
Son resistencias que pueden variar
entre un valor mnimo (normalmente
0 hmios) y su valor nominal.
Cuando slo se utilizan dos
terminales se denominan
resistencia ajustable.
Cuando se utilizan los tres
terminales se denomina
potencimetro.
Tipos de potencimetros:
Lineales
Logartmicos.
Los potencimetros son unas resistencias especiales que estn formadas por
una parte fija con la resistencia y una mvil en contacto con la misma que, al
desplazarse, hace variar la resistencia entre las tomas. Consiguen variar la
resistencia que ofrecen en funcin de un mayor o menor giro manual de su parte
mvil.
Suelen disponer de unos mandos giratorios que facilitan la operacin, o bien
unas muescas para introducir un destornillador adecuado.
TIPOS DE POTENCIMETRO
En funcin del modo de regulacin:
- Lineales, que recorren casi 360 y que van respondiendo progresivamente con
el giro.
- Logartmicos, que al principio responden con una progresin muy pequea, y
despus, con unos pocos grados de giro, sus valores crecen rpidamente.
Otras formas de variacin menos empleadas son las antilogartmicas y las de
senocoseno.
En funcin del modo de fabricacin:
Bobinados, llamados reostatos, para potencias elevadas.
De pelcula de carbn, en diversos tamaos y formas, de gran precisin.
22
Resistencias no lineales - Sensores
Son resistencias cuyo valor hmico no es constante, sino
que depende de una magnitud fsica externa a ellas:
-Termistores o resistencias NTC y PTC. En ellas la
resistencia es funcin de la temperatura.
-Varistores o resistencias VDR. En ellas la resistencia es
funcin de la tensin.
-Fotoresistencias o resistencias LDR. En estas ltimas
la resistencia es funcin de la luz
Estas resistencias se caracterizan porque su valor ohmico, que vara de
forma no lineal, es funcin de distintas magnitudes fsicas como puede
ser la temperatura, tensin, luz, campos magnticos,etc.. As estas
resistencias estn consideradas como sensores.
23
Termistores
NTC: Resistencias con
coeficiente de temperatura
negativo.
PTC: Resistencias con
coeficiente de temperatura
positivo.
24
Condensadores
Es el componente que resulta del
enfrentamiento de dos placas
conductoras (armaduras)que
estn separadas por un material
aislante (dielctrico).
Al aplicar una tensin en sus
armaduras, almacena energa
en forma de Campo Elctrico.
Se define la CAPACIDAD de un condensador
como el cociente entre la carga de una de las
armaduras y la tensin que exista entre las
mismas. Sus unidades son Culombios/Voltio, y
se denominan Faradios
Principio de Funcionamiento: Al aplicar una diferencia de potencial
elctrico a las armaduras del condensador, se produce un
almacenamiento de cargas en una de las placas. Estas cargas originan
un campo elctrico sobre el dielctrico, que a su vez induce un
almacenamiento de cargas igual pero de signo contrario en la armadura
inferior.
Las cargas almacenadas provienen de la fuente de potencial, y provocan
una corriente elctrica que perdura hasta que el campo elctrico
generado en el condensador iguala al de la fuente de potencial aplicada.
25
Capacidad
La capacidad de un
condensador dependen de su
geometra (plana, cilndrica,
esfrica, etc.), y es funcin de:
Superficie de las armaduras A
Distancia entre armaduras d
Constante dielctrica o
permitividad
(Faradios)
d
A
C =
Las diferentes geometras y
materiales empleados como
dilctricos originan los
diversos tipos de
condensadores fabricados.
Las caractersticas elctricas
de cada uno determinarn el
condensador adecuado para
cada aplicacin.
La permitividad es una cantidad fsica que describe cmo un campo
elctrico afecta y es afectado por un medio. La permitividad del vaco (o)
es 8,85x10
-12
F/m. La permitividad de un material respecto a la del vacio
se denomina permitividad relativa (r= /o)
La permitividad es determinada por la habilidad de un material de
polarizarse en respuesta a un campo elctrico aplicado y, de esa forma,
cancelar parcialmente el campo dentro del material. Por ejemplo, en un
condensador una alta permitividad hace que la misma cantidad de carga
elctrica sea guardada con un campo elctrico menor y, por ende, a un
potencial menor, llevando a una mayor capacitancia del mismo.
26
Tipos de condensadores
Condensador de aire
Condensador
electroltico
Condensador de poliester
Condensadores de polipropileno
Condensadores
cermicos
Condensador de mica
Condensador tntalo
Tipos de condensador
Condensador de aire. Se trata de condensadores, normalmente de placas paralelas,
con dielctrico de aire y encapsulados en vidrio. Como la permitividad elctrica es la
unidad, slo permite valores de capacidad muy pequeos. Se utiliz en radio y radar,
pues carecen de prdidas y polarizacin en el dielctrico, funcionando bien a frecuencias
elevadas.
Condensador de mica. La mica es un silicato de aluminio con una mezcla variable de
sales, de resistividad muy elevada, posee varias propiedades que la hacen adecuada
para dielctrico de condensadores: Bajas prdidas, exfoliacin en lminas finas, soporta
altas temperaturas y no se degrada por oxidacin o con la humedad.
Condensadores de papel. El dielctrico es papel parafinado, bakelizado o sometido a
algn otro tratamiento que reduce su higroscopa aumenta el aislamiento.
Condensadores autoregenerables.. Los condensadores autoregenerables son
condensadores de papel, pero la armadura se realiza depositando aluminio sobre el
papel. Ante una situacin de sobrecarga que supere la rigidez dielctrica del dielctrico,
el papel se rompe en algn punto, producindose un cortocircuito entre las armaduras,
pero este corto provoca una alta densidad de corriente por las armaduras en la zona de
la rotura. Esta corriente funde la fina capa de aluminio que rodea al cortocircuito,
restableciendo el aislamiento entre las armaduras.
Condensador electroltico. El dielctrico es una disolucin electroltica que ocupa una
cuba electroltica. Con la tensin adecuada, el electrolito deposita una capa aislante muy
fina sobre la cuba, que acta como una armadura y el electrolito como la otra. Consigue
capacidades muy elevadas, pero tienen una polaridad determinada, por lo que no son
adecuados para funcionar con corriente alterna. La polarizacin inversa destruye el
xido, produciendo una corriente en el electrolito que aumenta la temperatura, pudiendo
hacer arder o estallar el condensador. Existen de varios tipos:
Condensador de aluminio. Es el tipo normal. La cuba es de aluminio y el electrolito
una disolucin de cido brico. Funciona bien a bajas frecuencias, pero presenta
prdidas grandes a frecuencias medias y altas. Se emplea en fuentes de alimentacin y
equipos de audio.
Condensador de aluminio seco. Es una evolucin del anterior, que funciona a
frecuencias ms altas. Muy utilizado en fuentes de alimentacin conmutadas.
Condensador de tantalio (tntalos) Es otro condensador electroltico pero emplea
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Caractersticas Tcnicas
Valor Capacitivo
Tolerancia
Tensin mxima de trabajo
Tensin de prueba
Tangente de delta
Coeficiente de temperatura
Valor Capacitivo
Cantidad de carga almacenada por voltio
Tolerancia
Discrepancia del valor real respecto del terico
Tensin mxima de trabajo
Tensin nominal o de servicio. Mayor valor de tensin al que puede ser
utilizado. Es funcin de la frecuencia.
Tensin de prueba
Tensin que al aplicarse al condensador se perfora el dielctrico.
Tangente de delta
Proporcin de la corriente de fuga debido a que el dielctrico no es
perfecto (equivale a una resistencia en paralelo con el condensador, y
vara con la temperatura).
Coeficiente de temperatura
Variacin de la capacidad debido al cambio en la conductividad del
dielctrico en funcin de la temperatura
28
Identificacin de Condensadores
Identificacin por colores. La unidad base es el picofaradio.
Codificacin 101. La unidad base es el picofaradio. Con este sistema
se imprimen tres cifras; las dos primeras son significativas y la tercera es el
factor multiplicador (nmero de ceros).
Codificacin mediante letras y nmeros. Con
este sistema se indica el valor de la capacidad y la
tolerancia, que se indica con una letra. La unidad base es
el picofaradio, a no se que se indique lo contrario con las
letras n (nano) 0 (micro)
Condensadores de tntalo: La unidad base es el F
Los valores de la capacidad de los condensadores vienen impresos sobre
el mismo componente, o estn indicados mediante aros coloreados, de
forma anloga a como se hace con las resistencias.
El cdigo 101 se utiliza en los condensadores cermicos como
alternativa al cdigo de colores. Con este sistema se imprimen 3 cifras,
las dos primeras son las significativas y la tercera indica el nmero de
ceros que se deben aadir a las precedentes. El resultado se expresa
siempre en picofaradios (pF).
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Magnetismo
Cuando circula una corriente
elctrica por un conductor, crea
un campo magntico a su
alrededor .
Este campo magntico se
puede detectar con una brjula
situada en sus inmediaciones.
Se observa que al mover el
iman cerca del conductor
bobinado, el ampermetro
detecta una corriente elctrica..
Un campo magntico variable
provoca una circulacin de
corriente inducida en un
conductor situado en sus
inmediaciones
El estudio de los fenmenos magnticos se basa en dos hechos
experimentales:
1.- Cuando circula una corriente elctrica por un conductor, crea un
campo magntico a su alrededor. (Experimento de Oersted). Los estudios
de Biot y Savart demostraron que el campo magntico es proporcional a
la corriente, y disminuye con el cuadrado de la distancia.
La manera de obtener con facilidad el sentido del campo magntico es la
regla de la mano derecha: si con esta mano envolvemos el conductor,
como si nos fusemos a afirmar de l, de modo que el pulgar apunte en el
sentido de la corriente (de + a ), las puntas de los restantes dedos
sealarn el sentido del campo magntico B.
Si la corriente que circula por el conductor cambia de sentido, el campo
magntico generado tambin variar de sentido.
2.- Un campo magntico variable provoca una circulacin de corriente
inducida en un conductor situado en sus inmediaciones (Ley de Faraday).
Los estudios de Lenz demostraron que la f.e.m. Inducida en el conductor
depende de la rapidez de la variacin del campo magntico y de la
geometra del circuito.
Actualmente el estudio de los fenmenos electromagnticos se basa
principalmente en las fuerzas originadas por las cargas elctricas en
movimiento.
30
Bobinas Autoinduccin
Una bobina es un componente pasivo
formado por varias espiras de un
conductor, enrolladas sobre un ncleo
(que puede ser aire).
Se llama autoinduccin de un circuito a
la formacin de corrientes inducidas en el
circuito por la variacin su propio campo
magntico.
La corriente autoinducida genera una
fuerza contraelectromotiz f.c.e.m.
autoinducida que se opone a la f.e.m.
aplicada a la bobina.
(Voltios)
dt
di
f.c.e.m. = L
La f.c.e.m. autoinducida es proporcional a la velocidad de
variacin de la corriente.
El coeficiente de proporcionalidad, que depende de la
geometra y construccin del circuito, se llama Coeficiente
de autoinduccin L se mide en Henrios
Segn la experiencia de Oersted, cuando circula una corriente por una
bobina, se genera un campo magntico.
Si la corriente que circula por la bobina es variable, se genera un
campo magntico tambin variable. Y Segn la ley de Faraday, la
bobina sometida a su propio campo magntico variable generar una
f.e.m. autonducida sobre las propias espiras del conductor en forma de
bobina, ahora ser f.e.m. Autoinducida, y que segn la ley de Lenz se
opone a la f.e.m. Aplicada a la propia bobina. Esta tensin recibe el
nombre de fuerza contra electromotriz fcem.
31
Reles electromecnicos
Es un interruptor controlado
por un electroiman.
Cuando aplicamos a la bobina una
tensin, se genera un campo
magntico que magnetiza el ncleo de
la bobina..
Este ncleo imantado atrae a la
armadura, que es solidaria a los contactos
elctricos, los cuales pueden ser abiertos
o cerrados.
Los contactos permanecen en esta
situacin hasta que cesa la tensin en la
bobina.
Es un dispositivo electromecnico, que funciona como un interruptor
controlado por un electroiman. Consta de dos circuitos diferentes: un
circuito electromagntico (electroimn) y un circuito de contactos, al cual
aplicaremos el circuito que queremos controlar.
Su funcionamiento se basa en el fenmeno electromagntico. Cuando la
corriente contnua atraviesa la bobina, produce un campo magntico que
magnetiza un ncleo de hierro dulce (ferrita). Este atrae al inducido que
fuerza a los contactos a tocarse. Cuando la corriente se desconecta
vuelven a separarse.
Cuando se excita la bobina de un rel con corriente alterna, el flujo
magntico en el circuito magntico, tambin es alterno, produciendo una
fuerza pulsante sobre los contactos.. Este hecho se aprovecha en
algunos timbres y zumbadores
32
Tipos de Reles
Rel de Tipo Armadura
Rels de Nucleo Movil.
Rel tipo Reed o de Lengeta
Rels Polarizados
Tipo Armadura. Son los ms antiguos y tambin los ms utilizados. Su
esquema se corresponde con la figura de la transparencia anterior. El
electroimn hace vascular la armadura al ser excitada, cerrando los
contactos dependiendo de si es N.O N.C (normalmente abierto o
normalmente cerrado).
Rels de Nucleo Movil. Estos tienen un mbolo en lugar de la armadura
anterior. Se utiliza un solenoide para cerrar sus contactos, debido a su
mayor fuerza atractiva (por ello es til para manejar altas corrientes).
Rel tipo Reed o de Lengeta Formados por una ampolla de vidrio, en
cuyo interior estn situados los contactos (pueden se mltiples) montados
sobre delgadas lminas metlicas. Dichos contactos se cierran por medio
de la excitacin de una bobina, que est situada alrededor de dicha
ampolla.
Rels Polarizados Llevan una pequea armadura, solidaria a un imn
permanente. El extremo inferior puede girar dentro de los polos de un
electroimn y el otro lleva una cabeza de contacto. Si se excita al
electroimn, se mueve la armadura y cierra los contactos. Si la polaridad
es la opuesta girar en sentido contrario, abriendo los contactos
cerrando otro circuito( varios)
33
Transformadores
Mquina elctrica utilizada para
variar tensiones y corrientes
alternas manteniendo fija la
frecuencia.
Constan de dos bobinados
sobre un ncleo de material
ferromagntico.
La relacin de transformacin
entre las tensiones est en
proporcin a la relacin entre el
nmero de espiras de los
bobinados.
Principio de funcionamiento: Cuando sobre las espiras de una de las
bobinas (primario) se aplica una tensin alterna, la corriente alterna que
circula por ella origina un campo magntico tambin variable en el tiempo,
y por tanto un flujo magntico variable en el tiempo. El ncleo de material
ferromagntico se utiliza para que la mayor cantidad posible de lneas de
flujo magntico queden confinadas en l. De este modo, por la espiras de
la otra bobina (secundario) sern atravesadas por ese flujo magntico
variable en el tiempo, por lo que de acuerdo a la Ley de Faraday,
aparecer una fuerza electromotriz inducida.
34
Generadores de Tensin
El dispositivo que suministra la energa elctrica suficiente para
que se produzca una corriente estacionaria en un conductor se
llama fuente de fuerza electromotriz (fem ). Convierte la energa
qumica o mecnica en energa elctrica
El generador ideal mantiene la tensin constante entre sus bornes,
independientemente de la corriente suministrada
En el generador real la tensin disminuye al solicitarle ms
corriente, debido a su resistencia interna
35
Pilas
Son generadores de corriente
contnua basados en dos
metales (electrodos) de distinta
tensin electroqumica, puestos
en contacto mediante un
electrolito.
En las pilas hmedas el
electrolito es una disolucin
que permite el movimiento de
las cargas entre los electrodos.
En las pilas secas el electrolito
es una pasta densa de sales de
amoniaco.
36
Acumuladores
Son generadores que almacenan energa qumica en forma de
energa elctrica en el proceso de carga, para suministrarla a los
receptores en el proceso de descarga
Los ms usados son los de
plomo y los de hierro/niquel
La capacidad de un acumulador
es la energa que se puede
obtener en el proceso de
descarga. Se mide en
Amperios/hora
El rendimiento de la descarga
vara con la intensidad de
descarga y la temperatura.
Por ejemplo, una bateria de 40
Ah quiere decir que debe
suministrar una corriente de 1 A
durante 1 h sin bajar su tensin
en bornes.
Otro dato importante son los
ciclos de carga descarga (vida
til), la descarga mxima
admisible y el porcentaje de
descarga espontnea.
37
Semiconductores
Estructura cristalina:
Cada tomo comparte sus 4
electrones de valencia con
los 4 tomos vecinos,
formando una estructura
muy estable.
Semiconductor: Al aplicar
una tensin, se produce
una corriente muy baja,
originada por los pocos
electrones que son
arrancados de la estructura
estable.
Con la denominacin general de semiconductores, se califican ciertos
cuerpos simples, tales como el silicio, germanio, etc., cuya estructura
cristalina hace que no dispongan de electrones libres capaces de
establecer una corriente elctrica; sin embargo, bajo determinadas
condiciones, sus electrones exteriores o de valencia pueden ser liberados
y, como consecuencia, se convierten en cuerpos conductores.
Para conseguir este efecto se recurre a diversos procedimientos, tales
como la luz o el calor, y sin duda el ms importante, introduciendo en la
estructura cristalina del cuerpo ciertas sustancias de constitucin atmica
determinada.
Entre los materiales ms utilizados en la fabricacin de diodos
semiconductores destacan el germanio y el silicio.
Si se somete el cristal a una diferencia de tensin, se producen dos
corrientes elctricas. Por un lado la debida al movimiento de los
electrones libres de la banda de conduccin, y por otro, la debida al
desplazamiento de los electrones en la banda de valencia, que tendern a
saltar a los huecos prximos (2), originando una corriente de huecos en
la direccin contraria al campo elctrico cuya velocidad y magnitud es
muy inferior a la de la banda de conduccin.
38
Dopado
Consiste en introducir impurezas en los cristales de silicio o germanio
Los tomos de 5 electrones de
valencia aportan electrones
libres al material.
Obtenemos un cristal
semiconductor tipo N
Los tomos de 3 electrones de
valencia aportan huecos libres al
material.
Obtenemos un cristal
semiconductor tipo P
Semiconductores extrnsecos
Si a un semiconductor intrnseco, como el anterior, se le aade un pequeo porcentaje
de impurezas, es decir, elementos trivalentes o pentavalentes, el semiconductor se
denomina extrnseco, y se dice que est dopado. Evidentemente, las impurezas
debern formar parte de la estructura cristalina sustituyendo al correspondiente tomo de
silicio.
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de
portadores de carga libres (en este caso, negativas), que se denominan portadores
mayoritarios.
Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin
conocido como material donante ya que da algunos de sus electrones.
Al aplicar una diferencia de potencial elctrico entre dos catas de un cristal tipo N, los
portadores mayoritarios (electrones), son atraidos y se desplazan hacia el polo positivo
de la fuente de alimentacin.
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo
un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores
de carga libres (en este caso positivos).
Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente
vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido
como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son
conocidos como huecos.
Al aplicar una diferencia de potencial elctrico entre dos catas de un cristal tipo P, los
portadores mayoritarios (huecos), son atrados y se desplazan hacia el polo negativo de
la fuente de alimentacin.
39
Unin P-N
Al combinar un cristal tipo P con otro tipo N, obtenemos una unin P-N.
En la zona de unin, los electrones de la zona N se recombinan con los huecos de la
zona P, creando una zona libre de portadores de carga, en la que el semiconductor
tipo P tiene un exceso de electrones y el semiconductor tipo N tiene un exceso de
huecos (Barrera de Potencial).
Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductore extrnsecos tipos
p y n, por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que
destacar que ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya
que en cada cristal, el nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que
podemos decir que los dos cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga
neta es 0).
La unin no es la composicin de dos cristales, sino que constituye un nico
cristal que ha sido dopado con diferentes impurezas en cada una de sus
mitades durante su fabricacin.
Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al
p.
Al establecerse estas corrientes de difusin, aparecen cargas fijas en una zona
a ambos lados de la unin, zona que recibe diferentes denominaciones como
zona de carga espacial, de agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc.
A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va
incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la
unin. Sin embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones
negativos en la zona p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los
electrones libres de la zona n con una determinada fuerza de desplazamiento,
que se opondr a la corriente de electrones y terminar detenindolos.
Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de
tensin entre las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V
0
) es de 0,7 V en el
caso del silicio y 0,3 V si los cristales son de germanio.
40
Diodo
Dispositivo semiconductor formado por una
unin P-N y encapsulada convenientemente.
Polarizacin Directa: CONDUCE
Smbolo
Encapsulado
Curva caracterstica
Polarizacin Inversa: NO CONDUCE
Polarizacin directa
El bloque PN en principio no permite el establecimiento de una corriente elctrica entre
sus terminales puesto que la zona de deplexin no es conductora.
Sin embargo, si se aplica una tensin positiva en el nodo, se generar un campo
elctrico que "empujar" los huecos hacia la unin, provocando un estrechamiento
de la zona de deplexin. Sin embargo, mientras sta exista no ser posible la
conduccin.
Si la tensin aplicada supera a la de barrera, desaparece la zona de deplexin y el
dispositivo conduce. De forma simplificada e ideal, lo que sucede es que:
1. Electrones y huecos se dirigen a la unin.
2. En la unin se recombinan.
En resumen, polarizar un diodo PN en directa es aplicar tensin positiva a la zona P y
negativa a la zona N. Un diodo PN conduce en directa porque se inunda de cargas
mviles la zona de deplexin
La tensin aplicada se emplea en:
Vencer la barrera de potencial.
Mover los portadores de carga.
Polarizacin inversa
Al aplicar una tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P, se retiran portadores
mayoritarios prximos a la unin. Estos portadores son atrados hacia los contactos
aumentando la anchura de la zona de deplexin. Esto hace que la corriente debido a
los portadores mayoritarios sea nula .
Ahora bien, en ambas zonas hay portadores minoritarios. Un diodo polarizado en inversa
lo est en directa para los minoritarios, que son atrados hacia la unin. El
movimiento de estos portadores minoritarios crea una corriente, aunque muy inferior
que la obtenida en polarizacin directa para los mismos niveles de tensin.
Al aumentar la tensin inversa, llega un momento en que se produce la ruptura de la
zona de deplexin, al igual que sucede en un material aislante: el campo elctrico
puede ser tan elevado que arranque electrones que forman los enlaces covalentes
entre los tomos de silicio, originando un proceso de rotura por avalancha.
41
Diodo Rectificador
Rectificador de media onda
Rectificador de onda completa
Los fabricantes clasifican sus diodos en dos grandes grupos: diodos para pequea
seal y diodos rectificadores. Adems deben tenerse en cuenta las caractersticas
de tensin y corriente que soportar el diodo:
Tensin inversa mxima.
Tensin inversa de pico repetitivo mxima
Intensidad de corriente mxima en sentido directo
Intensidad de corriente de pico repetitivo mxima en sentido directo
Temperatura ambiente mxima.
Cuando se desea rectificar una corriente alterna de RadioFrecuencia (RF), es
preciso recurrir a un tipo especial de diodo rectificador de recuperacin
rpida cuya peculiaridad principal est en la conmutacin rpida del estado de
conduccin al de bloqueo, ya que los diodos rectificadores de uso comn tardan
un cierto tiempo en pasar de un estado a otro.
42
Diodo Zener
Diodo preparado para trabar en la
zona inversa:
Polarizado directamente funciona
como un diodo normal.
Polarizado inversamente, se
produce una gran conduccin al
llegar a la tensin de avalancha,
manteniendo la tensin constante
(V zener)
Se emplea como regulador
de tensin
El diodo Zener es un tipo especial de diodo preparado para trabajar en la zona
inversa. Cuando se alcanza la denominada tensin Zener en polarizacin
inversa, ante un aumento de la corriente a travs del diodo, ste mantiene la
tensin constante entre sus terminales dentro de ciertos mrgenes. Si la
corriente es muy pequea la tensin empezar a disminuir, pero si es excesiva
puede destruir el diodo.
Para conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la unin PN cuando se
polariza inversamente al llegar a la tensin de ruptura (tensin de zener), pues,
la intensidad inversa del diodo sufre un aumento brusco. Para evitar la
destruccin del diodo por la avalancha producida por el aumento de la
intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente. Se
producen desde 3,3v y con una potencia mnima de 250mW.
Los encapsulados pueden ser de plstico o metlico segn la potencia que
tenga que disipar.
Esta propiedad hace que el diodo Zener sea utilizado como regulador de tensin
en las fuentes de alimentacin.
Cuando la tensin de entrada aumenta se produce un aumento de la corriente
de entrada, como la tensin del diodo zener es constante no le queda ms
remedio que absorber el exceso de corriente, mientras en la resistencia de
entrada se absorbe esta variacin de tensin. Si se produce una disminucin de
la tensin de entrada la cada de tensin en la resistencia de entrada disminuir,
compensando la disminucin inicial, por el zener circular menor corriente.
Del circuito se deduce que para que el zener estabilize correctamente, la tensin
mnima a su entrada (U
IN
), debe ser mayor que la tensin de referencia del
zener (Vz). Tambin hay un lmite de tensin mxima debida a las limitaciones
de potencia del dispositivo. Si se cumplen estas premisas, la tensin en la carga
ser muy aproximada igual a la del zener.
43
Diodos emisores de luz (LED)
Diodos capaces de radiar luz visible
cuando por ellos circula una corriente
elctrica en sentido directo.
Al recombinarse los portadores (electrones-huecos) se libera energa radiante en el espectro visible

Material Color (nm) Tensin en directo
GaAs Infrarrojo 880 1,3v
Ga AsP Rojo 660 1,7v
N/GaP Naranja 610 2,0v
GaPAs Amarillo 590 2,5v
GaP Verde 555 2,5v
CSi Azul 480 3,0v

Este diodo presenta un comportamiento parecido al de un diodo rectificador sin
embargo, su tensin de umbral, se encuentra entre 1,3 y 4v dependiendo del
color del diodo.
El conocimiento de esta tensin es fundamental para el diseo del circuito en el
que sea necesaria su presencia, pues, normalmente se le coloca en serie una
resistencia que limita la intensidad que circular por el. Cuando se polariza
directamente se comporta como una lamparita que emite una luz cuyo color
depende de los materiales con los que se fabrica. Cuando se polariza
inversamente no se enciende y adems no deja circular la corriente.
La intensidad mnima para que un diodo LED emita luz visible es de 4mA y, por
precaucin como mximo debe aplicarse 50mA.
Para identificar los terminales del diodo LED observaremos como el ctodo ser
el terminal ms corto, siendo el ms largo el nodo. Adems en el encapsulado,
normalmente de plstico, se observa un chafln en el lado en el que se
encuentra el ctodo.
Se utilizan como seal visual y en el caso de los infrarrojos en los mandos a
distancia.
Se fabrican algunos LEDs especiales:
LED bicolor.- Estn formados por dos diodos conectados en paralelo e inverso.
Se suele utilizar en la deteccin de polaridad.
LED tricolor.- Formado por dos diodos LED (verde y rojo) montado con el ctodo
comn. El terminal ms corto es el nodo rojo, el del centro, es el ctodo comn
y el tercero es el nodo verde.
Display.- Es una combinacin de diodos LED que permiten visualizar letras y
nmeros. Se denominan comnmente displays de 7 segmentos. Se fabrican en
dos configuraciones: nodo comn y ctodo comn.
44
Transistores
Dentro de la denominacin de transistor se engloban un conjunto de dispositivos
semiconductores que tienen en comn disponer de tres terminales en el
encapsulado y un funcionamiento parecido, que consiste en controlar una
corriente principal entre dos de sus terminales por medio de una tensin o
corriente en el tercero.
Pueden cumplir funciones de amplificacin, oscilacin, rectificacin o
conmutacin.
Los transistores son componentes esenciales porque toda la electrnica
moderna los utiliza, ya sea en forma individual (discreta) como tambin
formando parte de circuitos integrados, analgicos o digitales, de todo tipo:
microprocesadores, controladores de motores elctricos, procesadores de seal,
reguladores de voltaje, etc.
Los transistores bipolares son dispositivos controlados por corriente, que
constan de dos uniones PN.
Los transistores JFET (Junction Field Effect Transistor) y MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field Effect Transistor), son dispositivos semiconductores de tres
terminales cuyas corrientes se controlan mediante un campo elctrico creado
por una tensin aplicada entre dos de sus terminales. Son dispositivos
controlados por tensin.
Tambin a diferencia de los BJT los procesos de conduccin tienen lugar en
ellos fundamentalmente por los portadores mayoritarios, lo cual da pie a la
denominacin de transistores unipolares.
Existen dos tipos bsicos de transistores unipolares: FET de unin (JFET) y
FET de puerta aislada (IGFET). Este ltimo tipo se conoce ms por las
denominaciones: MOS, MOST o MOSFET. Se usarn las denominaciones FET
para el primer tipo y MOSFET para el segundo.
De cada uno de los dos tipos de transistores unipolares, FET o MOSFET,
existen dos formas bsicas: canal n y canal p.
45
Transistor bipolar
Dispositivo semiconductor
formado por dos uniones PN
Segn la disposicin de las
regiones se denominan PNP
NPN
La regin comn que queda en
medio se denomina base (es la
ms estrecha), y las otras dos
regiones emisor y colector.
46
Principio Funcionamiento
1.- El transistor tiene mayor concentracin de impurezas en el emisor. La regin
tipo P (base) es ms estrecha que las regiones tipo N (Colector y Emisor).
2.- Al Al polarizar el transistor, este no conduce, ya que equivale a dos diodos
conectados en serie-contrafase.
En las uniones se produce una difusin de electrones y huecos del colector hacia
el polo positivo de la pila, y de emisor hacia la regin de la base (empujados por
el campo negativo de la pila).
3.- El campo elctrico forzado por la fuente e voltaje se divide entre las dos
uniones, siendo mayor en la zona donde es mayor el dopado.
4.- Al polarizar el diodo base-emisor, se suprime la barrera en su unin, lo que
permite no solo la circulacin de portadores en el mismo, sino que tambin
obliga a la difusin de portadores hacia el colector.
47
Funcionamiento del transistor
En conmutacin funciona como un interruptor controlado por la
corriente de base.
En zona lineal se comporta como un amplificador de corriente.
Se define la ganancia en corriente como la relacin entre la
corriente de colector y la corriente de base:
B
C
fe
I
I
h =
Al polarizar nicamente las zonas N (emisor y colector), no se establecer
corriente ya que los portadores no pueden atravesar la zona P de la base.
En esta situacin, tenemos dos diodos (Colector-Base y Base-Emisor) sin
polarizar.
Si aplicamos una pequea polarizacin positiva en la base, tendremos el
diodo Emisor-Base polarizado en directa, por lo que conducir. Debemos
recordar que la tensin de polarizacin de un diodo en directa est entre
0 a 0,7V.
Como la base es muy estrecha, los portadores mayoritarios
procedecentes del emisor se sentirn atrados por la tensin de colector
que debe ser mucho mayor que la de base, con lo cual la corriente de
electrones que atraves la unin Emisor-Base atravesar tambin la
unin Base-Colector, y la corriente principal mayoritaria establecida en el
dispositivo ser la corriente Emisor Colector, que ser tanto ms
potente cuanto mayor sea la tensin del diodo base-emisor.
En conclusin, aplicando una polarizacin entre Emisor y Colector, la
tensin de base controla la corriente por el dispositivo.
48
Transistores Unipolares JFET
La construccin de este tipo de transistores consiste en un canal que
puede ser P N (n en la figura), que dispone de dos terminales
denominados Fuente y Drenaje, entre los cuales es posible hacer circular
una corriente elctrica proporcional a la tensin aplicada V- DS.
A los lados del canal se encuentra una capa de material semiconductor
del tipo distinto al del canal (p en la figura), que es accesible mediante un
terminal denominado Compuerta (G gate).
Polarizando convenientemente la compuerta respecto al terminal de
Fuente, polarizaremos una unipon P-N en sentido inverso, aumentando la
zona de empobrecimiento y disminuyendo la anchura del canal inicial. Al
disminuir el canal la corriente entre Drenador y Fuente disminuir,
pudiendo llegar a extinguirla completamente.
De esta forma, controlamos la corriente entre Drenador y Fuente
mediante la tensin aplicada al terminal de Puerta.
49
Transistores unipolares MOSFET
Dispositivo semiconductor en los
que la puerta se encuentra
aislada de los cristales.
Enriquecimiento: No existe el
canal hasta que la tensin V gs
no supera un valor humbral Vt.
Empobrecimiento: Funciona de
manera similar al JFET, la tensin
de puerta controla la anchura del
canal.
MOSFET: Metal-Oxido-Semiconductor Fiel-Effect Transistor.
Tambin se denominan Transistores de Efecto de Campo con Puerta
Aislada (Insulated Gate Field Effect Transistor, IGFET).
Su caracterstica diferenciadores respecto a los JFET es que el cristal
semiconductor denominado Puerta no se encuentra en contacto con el
cristal principal, sino que se encuentra aislada mediante una placa y un
xido metlico.
Los pares complementarios CMOS constituyen el elemento bsico de los
circuitos integrados digitales de las familia lgica CMOS. Con esta
tecnologa se fabrican actualmente la mayora de los circuitos digitales de
los ordenadores personales.
50
Tiristores
Un tiristor es un rectificador
controlado, donde la corriente
circula de forma unidireccional
(desde el nodo al ctodo).
Esta circulacin de corriente es
iniciada por una corriente
pequea de seal desde la
puerta al ctodo (haciendo su
puerta positiva respecto al
ctodo)
Permanece activado hasta que
la corriente Anodo-Ctodo
desciende de un valor.
IL= Corriente de carga que debe atravesar el dispositivo para que este se
mantenga disparado, es decir, si aplicamos una tensin de puerta pero la corriente
Anodo Ctodo no se mantiene por encima del valor de IL, el dispositivo no se
activar.
IH= Corriente de carga mnima para garantizarnos que el dispositivo se encuentra
bloqueado. Es decir, si la corriente de carga no desciende de IH, es posible que el
siguiente ciclo vuelva a conducir incluso sin tensin de puerta.
51
TRIAC
Un triac poder mirarse como un
"tiristor bidireccional" debido a
que conduce en ambas
direcciones, la corriente circula
actual en cualquiera de las dos
direcciones entre los terminales
principales MT1 y MT2.
El disparo es iniciado por una
corriente pequea (positiva o
negativa) aplicada entre el
terminal de puerta y MT1.
52
Comprobacin de Semiconductores
Diodo
Transistor Bipolar
Tiristor
Transistor MOSFET
Un polmetro digital en la posicin
de diodo permite medir la cada
de tensin en la unin.
0,4 a 0,7 en directa
Circuito abierto en inversa
DIODOS
Al conectar el diodo con la pinza positiva (rojo) en el nodo y la pinza negativa
(negro) en el ctodo, el polmetro medir la cada de tensin en la unin. Al
conectar las pinzas alternadas, estaremos polarizando el diodo en sentido inverso,
y marcar circuito abierto (normalmente 1)
TRANSISTOR
Para comprobar el transistor, en primer lugar deberemos identificar los
terminales de Emisor, Base y Colector, y el tipo de transistor (NPN PNP). A
continuacin se procede comprobando cada una de las uniones como en el caso
del diodo.
TIRISTOR
Para comprobar el tiristor, en primer lugar deberemos identificar los terminales
de nodo, Ctodo y Puerta. Al situar las pinzas en el nodo y ctodo
alternativamente, marcar circuito abierto.
A continuacin situamos la pinza positiva en el nodo y la pinza negativa en el
ctodo, conectamos momentneamente la Puerta con el nodo, lo cual permitir
el paso de corriente, y el multmetro marcar la cada de tensin en la unin
(depende del tipo de tiristor).
TRANSISTOR MOSFET
Situar la pinza negativa en el terminal de fuente.
Situar la pinza positiva en el terminal de puerta.
A continuacin situar la pinza positiva al terminal drenaje. Debemos obtener
una lectura baja. La capacidad de la puerta se ha cargado y el dispositivo es
altamente conductor.
Con el terminal an situada en el drenaje, tocar con el dedo entre fuente y
puerta. La puerta se descarga a travs de la impedancia de la piel, y el medidor
53
Encapsulados
Se llama encapsulado al soporte fsico en el que se aloja el dispositivo
semiconductor.
Existen multitud de encapsulados distintos, cada uno con unas propiedades
trmicas o de tamao que las hace indicadas para cada aplicacin.
Los encapsulados mostrados para transistores son tambin utilizado para otros
dispositivos semiconductores, tanto discretos (transistores, diodos, etc.) como
integrados (reguladores, comparadores, etc.).
En la figura se muestran, a modo de ejemplo, algunos de los tipos de
encapsulados ms utilizados.
54
Amplificador
Un circuito electrnico, formado
por dispositivos activos y
pasivos, cuya misin es
aumentar o amplificar el valor
(en tensin, corriente o
potencia) de una seal
aplicada.
La seal a amplificar se aplica en los terminales de entrada, y la
seal obtenida se obtiene de los terminales de salida.
Se pueden encontrar como
equipos aislados o como
bloque que forma parte de
otros sistemas
Las principales caractersticas
que debemos observar en la
eleccin de un amplificador
son:
Ganancia (en potencia, tensin
o corriente)
Impedancia de entrada
Impedancia de salida
Ancho de banda
Distorsin
Respuesta en frecuencia
Un amplificador puede ser definido como un dispositivo o circuito capaz de aumentar una
seal dada. Para conseguir una amplificacin trabajamos con los llamados componentes
activos, que son dispositivos capaces de provocar cambios en las condiciones de un
circuito reaccionando ante las seales aplicadas. Podemos considerar que los elementos
activos aportan energa al circuito (que obtienen de la fuente de alimentacin), en lugar
de consumirla (como es el caso con las resistencias, condensadores y bobinas). La
mayora de los elementos activos utilizados en los circuitos modernos son dispositivos
creados a partir de materiales semiconductores.
TIPOS DE AMPLIFICADORES:
Amplificadores clase A
Son aquellos amplificadores cuyas etapas de potencia consumen corrientes altas y
continuas de su fuente de alimentacin, independientemente de si existe seal de
entrada o no.
Amplificadores de clase B
Son aquellos amplificadores que tienen la peculiaridad de no disponer de corriente a
travs de los semiconductores de salida si no existe una seal de entrada presente.
Amplificadores de clase AB
Son aquellos amplificadores que producen a la salida una pequea alimentacin
constante, independiente del estado de las entradas.
Amplificadores de clase D
Los amplificadores de clase D se basan en la conmutacin entre dos estados (aunque
existen variaciones multinivel), con lo que los dispositivos de salida siempre se
encuentran en corte o en saturacin.
55
Caractersticas de un amplificador
Respuesta en frecuencia: curva
que nos muestra el comportamiento
de la ganancia del amplificador para
cada frecuencia de entrada.
Ancho de banda: Intervalo de
frecuencias en las que la ganancia
es de al menos el 70% de la
mxima del amplificador.
Ganancia en tensin: Es la relacin entre
la tensin de salida y la tensin de entrada
del amplificador
entrada V
salida V
=
V
A
Ganancia en corriente: Es la relacin
entre la corriente de salida y la corriente de
entrada del amplificador
Ganancia en potencia: Es la relacin entre
la potencia entregada a la salida y la potencia
de entrada del amplificador
Distorsin: Deformacin sufrida por
la seal de entrada al pasar por el
amplificador.
Impedancia de entrada: la impedancia
que presenta el amplificador desde sus
terminales de entrada.
Impedancia de salida: impedancia que
presenta el amplificador desde sus
terminales de salida
La distorsin es el fenmeno por el cual una seal pura (una sola frecuencia) se
deforma al pasar por el amplificador, apareciendo a la salida la seal introducida
ms una serie de armnicos de esta.
Esto se traduce en que en el dominio del tiempo (osciloscopio) al comparar las
dos seales se apreciar una distorsin entre ambas, y en el dominio de la
frecuencia (analizador de espectro) aparecern componentes de otras frecuencias.
56
Decibelios
Es una unidad de medida utilizada en electrnica
para indicar la relacin entre un valor de entrada y
salida cuando su rango es muy amplio.
entrada P
salida P
log 10 = dB
Ganancia dB
1 0
2 0,301
3 0,477
4 0,602
5 0,699
10 1
20 1,301
30 1,477
40 1,602
50 1,699
100 2
200 2,301
300 2,477
400 2,262
500 2,699
100 3

La ganancia en dB del amplificador
ser:
Las expresiones en decibelios (dB), son comparaciones logartmicas (en
base 10) entre magnitudes del mismo tipo, por tanto son adimensionales.
Se utilizan ampliamente en telecomunicaciones por razones de tipo
prctico: convierten las multiplicaciones y divisiones en sumas y restas
respectivamente, simplificando por tanto las expresiones numricas.
Para calcular la ganancia total de un sistema de varias etapas, se
multiplican las ganancia de cada etapa. De forma que si la ganancia viene
expresada en dB, la ganancia total de sistema ser la suma de los dB de
cada etapa
57
Amplificador Operacional
Componente electrnico
integrado que bsicamente
realiza la funcin de amplificar.
Se utiliza y analiza como un
bloque (sin tener en cuenta sus
elementos constitutivos)
La tensin de salida es igual al
producto de la ganancia A por la
diferencia de tensin entre las
entradas Vd.
Caracterstica IDEALES REALES
Ganancia en
lazo abierto
Infinita 10
3
a 10
6

Ancho de Banda Infinito 0 a MHz
Impedancia de
entrada
Infinita 10
6
a 10
12
?
Impedancia de
salida
Nula 100 ?
Ofset de
entrada
Cero V

Alimentacin negativa (-Vcc)
Salida
Entrada no inversora
-
+
Alimentacin positiva (+Vcc)
Entrada inversora
Parmetros
Ganancia en lazo abierto. Indica la ganancia de tensin en ausencia de
realimentacin. Se puede expresar en unidades naturales (V/V, V/mV) o
logartmicas (dB). Son valores habituales 100.000 a 1.000.000 V/V.
Tensin en modo comn. Es el valor medio de tensin aplicado a ambas
entradas del operacional.
Tensin de Offset. Es la diferencia de tensin, aplicada a travs de resistencias
iguales, entre las entradas de un operacional que hace que su salida tome el valor
cero.
Corriente de Offset. Es la diferencia de corriente entre las dos entradas del
operacional que hace que su salida tome el valor cero.
Margen de entrada diferencial. Es la mayor diferencia de tensin entre las
entradas del operacional que mantienen el dispositivo dentro de las
especificaciones.
Corrientes de polarizacin (Bias) de entrada. Corriente media que circula por
las entradas del operacional en ausencia de seal
Slew rate. Velocidad de cambio de la tensin de salida ante un escaln a la
entrada. Se mide en V/s, kV/s o similares.
Rechazo de Rizado en modo comn. Cociente entre la ganancia en modo
diferencial y la ganancia en modo comn (Relacin entre la tensin de salida y la
semisuma de las entradas cuando ambas estn al mismo potencial).. Se mide en
dB.
58
Circuitos con Amplificadores Operacionales
Las caractersticas reales se pueden
modificar con la realimentacin
aplicada.
La realimentacin normalmente es
negativa.
Existen multitud de montajes para
realizar diversas operaciones
59
Filtros
Frecuencia: Es una medida que
indica el nmero veces que se
repite una seal elctrica en la
unidad de tiempo.
Periodo: Indica la duracin
temporal de una onda completa de
la seal. Es la inversa de la
frecuencia.
Espectro de frecuencia: Representacin de la localizacin de las
frecuencias de una seal respecto de su intensidad
Frecuencia: La frecuencia es el nmero de oscilaciones completas que
una onda efecta en el intervalo de tiempo de 1 segundo. Tambin
llamada ciclos por segundo, se mide en Hertz (Hz), en honor al famoso
fsico austriaco.
Longitud de onda: indica el tamao de una onda. Entendiendo por
tamao de la onda, la distancia entre el principio y el final de una onda
completa (ciclo). Por ser una distancia se mide en metros, o en
cualquiera de sus submltiplos (centmetros o milmetros). Tambin se
define como la separacin espacial existente entre dos puntos cuyo
estado de movimiento es idntico. La longitud de onda se representa con
la letra griega (lambda).
El espectro de frecuencia es una medida de la distribucin de amplitudes
de cada frecuencia. Tambin se llama espectro de frecuencia al grfico
de intensidad frente a frecuencia de una onda particular.
60
Filtros 2
Filtro: elemento que elimina (filtra)
la seal que tiene una determinada
frecuencia, sin modificar el resto.
Filtrado paso-bajo: Mantiene las
bandas de frecuencia por debajo de
la frecuencia de corte del filtro
Filtrado paso-alto: Mantiene las
bandas de frecuencia por encima
de la frecuencia de corte del filtro
Filtrado paso-banda: Elimina las
bandas de frecuencia anterior y
posterior a la frecuencia de paso
del filtro
Filtrado banda-eliminada:
Elimina una bandas de frecuencia
que no coinciden con las frecuencias
del filtro
Un filtro elctrico es un elemento que discrimina una determinada frecuencia o gama de
frecuencias de una seal elctrica que pasa a travs de l, pudiendo modificar tanto su
amplitud como su fase.
La frecuencia de corte es aquella donde la amplitud de la seal entrante cae hasta un
70.7 % de su valor mximo.
El rango de frecuencias que resultan eliminadas se denomina Banda Eliminada
El rango de frecuencias que dejan pasar se denomina Banda de Paso
Tipos de filtro
Atendiendo a sus componentes constitutivos, naturaleza de las seales que tratan,
respuesta en frecuencia y mtodo de diseo, los filtros se clasifican en los distintos
grupos:
Segn respuesta frecuencia
Filtro paso bajo: Es aquel que permite el paso de frecuencias bajas, desde frecuencia 0
o continua hasta una determinada. Presentan ceros a alta frecuencia y polos a bajas
frecuencia.
Filtro paso alto: Es el que permite el paso de frecuencias desde una frecuencia de corte
determinada hacia arriba, sin que exista un lmite superior especificado. Presentan ceros
a bajas frecuencias y polos a altas frecuencias.
Filtro paso banda: Son aquellos que permiten el paso de componentes frecuenciales
contenidos en un determinado rango de frecuencias, comprendido entre una frecuencia
de corte superior y otra inferior.
Filtro banda eliminada: Tambin llamado filtro rechaza banda, es el que dificulta el paso
de componentes frecuenciales contenidos en un determinado rango de frecuencias,
comprendido entre una frecuencia de corte superior y otra inferior.
Filtros activos y pasivos
Filtro pasivo: Es el constituido nicamente por componentes pasivos como
condensadores, bobinas y resistencias.
Filtro activo: Es aquel que puede presentar ganancia en toda o parte de la seal de
salida respecto a la de entrada. En su implementacin se combinan elementos activos y
pasivos. Siendo frecuente el uso de amplificadores operacionales
61
Seales en un circuito elctrico
Seal analgica:
Puede tomar cualquier valor
de amplitud.
Variacin continua de
amplitud en el tiempo
Normalmente la seal
obtenida fsicamente es
analgica
Seal digital:
Solo toma un numero finito de
amplitudes
En lgica binaria dos
Usualmente cambia la amplitud
en instantes espaciados
uniformemente
62
Sistemas de Codificacin binarios
63
Conversin Analgico/Digital
Se trata de convertir la seal analgica continua, que puede tomar cualquier valor
en el tiempo, a seal digital, que solo puede tomar dos valores.
Para realizar la conversin se utiliza un sistema de codificacin binario, que
asigna a cada rango de valores analgicos una cifra decimal.
64
Conversin Digital/Analgica
Se trata de reconstruir la seal analgica original a partir de las cifras decimales
en las que se encuentra codificada.
Para ello se asigna un valor de tensin a cada palabra.
65
Procesamiento Digital de Seales

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