TRANSISTOR

BIPOLAIRE
1
Rfrences:
2
H. Mathieu, Physique des semi-conducteurs et des composants
lectroniques , 4 dition, Masson 1998.
D.A. Neamen, semiconductor physics and devices , McGraw-Hill, Inc 2003.
P. Leturcq et G.Rey, Physique des composants actifs semi-conducteurs ,
Dunod Universit, 1985.
J. Singh, semiconductors devices :an introduction , McGraw-Hill, Inc 1994.
Y. Taur et T.H. Ning, Fundamentals of Modern VLSI devices , Cambridge
University Press, 1998.
K.K. Ng, complete guide to semiconductor devices , McGraw-Hill, Inc 1995.
D.J. Roulston, Bipolar semiconductor devices , McGraw-Hill, Inc 1990.
Plan
Principe de fonctionnement
Caractristiques statiques
quations dEbers-Moll
Paramtres statiques gains
Effets du second ordre
Transistor en commutation
Transistor en HF
Transistor Htro-jonction TBH ou HBT
3
Gomtrie conventionnelle
Gomtrie:
Latrale
Verticale
Dans les circuits
numriques, structure
verticale
4
latral
vertical
npn
B
C
E
Gomtrie conventionnelle sur IC
5
Muller et Kamins, device electronics for IC ,2nd Ed., Wiley, 1986
Gomtrie avec oxyde disolation
6
Muller et Kamins, device electronics for IC ,2nd Ed., Wiley, 1986
Pourquoi le BJ T fait de la rsistance?
Vitesse de fonctionnement
Faible bruit
Fort gain
Faible rsistance de sortie
On le retrouve encore dans les tlphones portables (parie
analogique)
Faible densit, souvent sur les tage de puissance
BiCMOS
7
Amplificateur
analogue
Principe de fonctionnement
2 jonctions pn tte
bche.
La premire (EB) sert
injecter les porteurs
La deuxime (BC) les
collecter
8
Principe de fonctionnement
J onction en inverse:
Courant faible car
rservoir vide
En modulant le remplissage
du rservoir, modulation du
courant inverse collect
(collecteur)
On remplit le rservoir (la
base) en polarisant en direct
la jonction EB
9
Principe de fonctionnement
La polarisation inverse CB
permet de crer un champ
lectrique favorable la
collecte.
Conditions:
Base fine:
viter les recombinaisons
Base peu dope /metteur
Privilgie un seul type de
porteurs injects (meilleure
efficacit dinjection)
10
Caractristiques statiques
11
Transistor NPN
Transistor NPN
12
Distribution des porteurs minoritaires dans
transistor npn
idal
Avec recombinaisons
Caractristiques statiques +hyp simp
13
Transistor PNP
Pas de recombinaisons dans la
Base! ( )
Approximation 1D
Dopage homogne de la
Base
Faible Injection
Calcul des diffrentes composantes du courant.
quations dEbers-Moll dans NPN
Dans la base:
quation de continuit
Or et
Intgration de E-B C-B:
Soit encore:
En rgime normal, J
n
ngatif ( e
-
vers x<0)
14
dx
n p d
eD
J
n
eD
J
p
p
p
n
n
) . (
=
dx
n p d
eD
J
n
eD
J
p
p
p
n
n
) . (
=
p n
J J >>
p n <<
dx
n p d
eD
J
p
n
n
) . (
=
dx
n p d
eD
J
p
n
n
) . (
=
}
(

=
'
'
) (
) exp( ) exp(
2
C
E
BC BE
i nb n
dx x p
kT
eV
kT
eV
n eD J
}
(

=
'
'
) (
) exp( ) exp(
2
C
E
BC BE
i nb n
dx x p
kT
eV
kT
eV
n eD J
}
(

=
'
'
) (
) 1 ( ) 1 (
2
C
E
kT
eV
kT
eV
i nb n
dx x p
e e
n eD J
BC BE
}
(

=
'
'
) (
) 1 ( ) 1 (
2
C
E
kT
eV
kT
eV
i nb n
dx x p
e e
n eD J
BC BE
Calcul des diffrentes composantes du courant
quations dEbers-Moll dans NPN
15
(
(
(
(
(

=
(

=
} } }
) 1 (
) (
) 1 (
) ( ) (
) 1 ( ) 1 (
'
'
'
'
'
'
2 2
2
kT
eV
C
E
i nb
kT
eV
C
E
i nb
C
E
kT
eV
kT
eV
i nb n
BC BE
BC BE
e
dx x p
n eD
e
dx x p
n eD
dx x p
e e
n eD J
(
(
(
(
(

=
(

=
} } }
) 1 (
) (
) 1 (
) ( ) (
) 1 ( ) 1 (
'
'
'
'
'
'
2 2
2
kT
eV
C
E
i nb
kT
eV
C
E
i nb
C
E
kT
eV
kT
eV
i nb n
BC BE
BC BE
e
dx x p
n eD
e
dx x p
n eD
dx x p
e e
n eD J
Or:
Beff A
C
E
W N dx x p
B
=
}
'
'
) (
Beff A
C
E
W N dx x p
B
=
}
'
'
) (
Donc:
(

=
(
(

= ) 1 ( ) 1 ( ) 1 ( ) 1 (
2 2
kT
eV
kT
eV
Sn
kT
eV
Beff A
nb i
kT
eV
Beff A
nb i
n
BC BE BC
B
BE
B
e e I e
W N
D en
e
W N
D en
J
(

=
(
(

= ) 1 ( ) 1 ( ) 1 ( ) 1 (
2 2
kT
eV
kT
eV
Sn
kT
eV
Beff A
nb i
kT
eV
Beff A
nb i
n
BC BE BC
B
BE
B
e e I e
W N
D en
e
W N
D en
J
Avec :
Beff A
nb i
Sn
W N
D en
I
B
2
=
Beff A
nb i
Sn
W N
D en
I
B
2
=
Courant de saturation des lectrons dans un PN
courte ou sans recombinaison
Calcul des diffrentes composantes du courant
quations dEbers-Moll dans NPN
Dans lmetteur Dans le collecteur
16
|
.
|

\
|
= 1 ) exp(
kT
eV
J J
BE
spE pE
|
.
|

\
|
= 1 ) exp(
kT
eV
J J
BC
spC pC
Courant suivant convention de signes
pC pE E C B
n pC C
n pE E
I I I I I
I I I
I I I
= =
+ =
+ =
E B C
J
pE
J
n
J
pC
I
E
I
B
I
C
NPN
Calcul des diffrentes composantes du courant
quations dEbers-Moll dans NPN
Soit enfin (!) :
17
) 1 (exp
) (
) 1 ](exp
) (
[
'
'
'
'
2 2
+ + = + =
} }
kT
eV
dx x p
D Aen
kT
eV
I
dx x p
D Aen
I I I
BC
C
E
nb i BE
spE
C
E
nb i
pE n E
) 1 ](exp
) (
[ ) 1 (exp
) (
'
'
'
'
2 2
+ + = =
} }
kT
eV
I
dx x p
D Aen
kT
eV
dx x p
D Aen
I I I
BC
spC
C
E
nb i BE
C
E
nb i
pC n C
|
.
|

\
|

|
.
|

\
|
+ = = = 1 ) exp( 1 ) exp(
kT
eV
I
kT
eV
I I I I I I
BC
spC
BE
spE pC pE C E B
I
sn
Calcul des diffrentes composantes du courant
quations dEbers-Moll dans NPN
Lexpression finale est:
18
) 1 (exp ) 1 (exp
2 1
+ =
kT
eV
I
kT
eV
I I
BC
S I
BE
S E
o
) 1 (exp ) 1 (exp
2 1
+ =
kT
eV
I
kT
eV
I I
BC
S
BE
S N C
o
avec:
}
}
+ =
E
D
pe i
C
E
nb i
S
x N
D Aen
dx x ep
D n Ae
I
) (
) (
2
2 2
'
'
1
}
}
+ =
E
D
pe i
C
E
nb i
S
x N
D Aen
dx x ep
D n Ae
I
) (
) (
2
2 2
'
'
1
}
}
+ + =
C
D
pc i
C
E
nb i
S
x N
D Aen
dx x ep
D n Ae
I
) (
) (
2
2 2
'
'
2
}
}
+ + =
C
D
pc i
C
E
nb i
S
x N
D Aen
dx x ep
D n Ae
I
) (
) (
2
2 2
'
'
2
charge dans la base : Q
B
+Q
S
Paramtres statiques du transistor bipolaire
Rgime normal de fonctionnement:
E-B en direct et C-B en inverse
19
kT
eV
I
Q Q
D n Ae
I
BE
SpE
S B
nB i
E
exp ) (
2 2
+
+
=
kT
eV
Q Q
D n Ae
I
BE
S B
nB i
C
exp ) (
2 2
+
+ =
kT
eV
I I I I
BE
SpE C E B
exp
*
= =
kT
eV
dx x p
n eD
A
kT
eV
J A I
BE
C
E
p
ieB nB
E
BE
C E C
exp
) (
exp
'
'
2
0
}
= =
Paramtres statiques du transistor bipolaire
Efficacit dinjection dmetteur:
Gain en courant en base commune:
Gain en courant metteur commun:
20
Ep
n
E
I
I
=
nB i
S B Sp
E
C
D n e
Q Q J
I
I
2 2
) .(
1
1
+
+
= = o
o
o
|

= =
1
B
C
I
I
Rem: si on nglige Recomb
dans la base, identique
|
E

Paramtres statiques du transistor bipolaire

Facteur de transport dans la
base:
Introduction des recombinaisons
dans la rgion neutre de la base
21
n
p p B
n
s
rB
n n AeX
Q
I
eff
t t
2 / ) ) 0 ( (
~ =
t
s
C
Q
I
t
=
1
2
2
2
> = = =
eff
B
n
t
n
rB
C
X
L
I
I
t
t
o
Paramtres statiques du transistor bipolaire
Introduction des recombinaisons
dans la rgion dplte de la base
22
|
|
.
|

\
|
=
kT
eV
W
Aen
I
BE
T
i
rD
2
exp
2t
avec W
T
, largeur de la ZCE E-B.
En tenant compte de cela, on doit
rcrire le courant de Base:
rD rB B B
I I I I + + =
*
Paramtres statiques du transistor bipolaire
Le gain global en courant scrit alors:
Avec:

le courant de base intrinsque (pas de recombinaisons)

le courant de recombinaisons dans la rgion neutre de la Base
le courant de recombinaisons dans la rgion dplte E-B
23
C
rD
E C
rD rB B
C
B
I
I
I
I I I
I
I
+ + =
+ +
= =
o |
1 1 1
*
*
B
I
rB
I
rD
I
Les autres rgimes de fonctionnement
Rgime satur:
Les 2 jonctions sont polarises en direct.
24
kT
eV
B S
nB i
kT
eV
spE
B S
nB i
E
BC BE
e
Q Q
D n Ae
e I
Q Q
D n Ae
I
+
+
|
|
.
|

\
|
+
+
~
2 2 2 2
kT
eV
spC
B S
nB i
kT
eV
B S
nB i
C
BC BE
e I
Q Q
D n Ae
e
Q Q
D n Ae
I
|
|
.
|

\
|
+
+

+
~
2 2 2 2
n(x)
) 0 (
ex
n
) (
B ex
W n
Q
S1
Q
S2
Base
0 W
B
Rgime satur
Rgime de faible injection: (Q
S
<<Q
B
):
Le courant est d aux charges injectes dans la base, ie Q
ST
= Q
S1
+Q
S2
Si base courte (voir PN), cette charge est donne par le
surface du trapze (variation linaire)
25
kT
eV
sn t
kT
eV
A
i
B B B S
kT
eV
sn t
kT
eV
A
i
B B S
BC BC
BE BE
e J e
N
n
W W x en W Q
e J e
N
n
W x en W Q
t
t
= = = =
= = = =
2
2
2
1
2
1
) (
2
1
2
1
) 0 (
2
1
Rgime satur
Rgime de faible injection: (Q
S
<<Q
B
):
Autre reprsentation de la charge de saturation (Ablard):
On considre le transistor en rgime normal avec une charge
Q
SN
correspondant au mme courant I
csat
+ une charge Q
SAT
calculer
26
0 W
B
n(x)
) 0 (
ex
n
) (
B ex
W n
Base
) ( ) 0 (
B ex ex
W n n
Q
SN
Q
SAT
kT
eV
sn t
kT
eV
sn t SN
B B SN
BC BE
e J e J Q
W W n n e Q
t t + =
= )) ( ) 0 ( (
2
1
kT
eV
sn t
kT
eV
sn t SN
B B SN
BC BE
e J e J Q
W W n n e Q
t t + =
= )) ( ) 0 ( (
2
1
On obtient
alors:
kT
eV
sn t SAT
BC
e J Q t 2 =
kT
eV
sn t SAT
BC
e J Q t 2 =
Responsable de la dgradation des
performances dynamiques
Q
ST
= Q
SN
+Q
SAT
Rgime satur
Rgime de forte injection
Dans ce cas, la densit dlectrons injects est gale la
densit de trous dans la base ( )
Une tude similaire la prcdente conduit au rsultat
suivant:
En fait, ces rsultats doivent tre modifis par des effets secondaires ou parasites
27
B
kT
eV
kT
eV
i S
W e e en Q
BC BE
) (
2
1
2 2
+ =
B
kT
eV
kT
eV
i S
W e e en Q
BC BE
) (
2
1
2 2
+ =
kT
eV
i
B
nB kT
eV
i
B
nB
n
BC BE
e n
W
eD
e n
W
eD
J
2 2
2 2
=
kT
eV
i
B
nB kT
eV
i
B
nB
n
BC BE
e n
W
eD
e n
W
eD
J
2 2
2 2
=
p n ~
Effets secondaires
Visualisation sur un Gummel plot :
Reprsentation de I
C
et I
B
en fonction de V
BE
28
1
2
3
Effets secondaires
Effet Early , effet de perage du collecteur
Claquage de la jonction Base - Collecteur
Rsistances srie dmetteur et de Base
Diminution ( collapse ) de I
c
fort courants
Dfocalisation ( crowding effect ) du courant
Effet Early , effet de perage du collecteur
Claquage de la jonction Base - Collecteur
Rsistances srie dmetteur et de Base
Diminution ( collapse ) de I
c
fort courants
Dfocalisation ( crowding effect ) du courant
29
Effet Early - Perage
premire vue , I
c
indpendant de V
CB
En fait, modulation de la largeur de la rgion neutre
de la base, donc Q
B
+Q
S
, doncI
c
!
30
kT
eV
Q Q
D n Ae
I
BE
S B
nB i
C
exp ) (
2 2
+
=
Si V
BC
W
B
Q
B
+Q
S
I
c
ZCE B-C
Effet Early - Perage
Cas limite:
ZCE BC dplte
totalement la base
Le collecteur injecte alors du
courant directement dans E.
Courant uniquement limit
par R
srie
E + C
31
BC
ZCE
SC
B B
dBC
pB
A
W
W eN
C
Q
V
c
= ~
C
C B B
D SC
D A A B
pt
N
N N N eW
V
c 2
) (
2
+
=
Claquage de la jonction B - C
Avalanche de la jonction B-
C:
Apparat souvent avant le
perage
Comment lviter?
Diminuer le champ lectrique:
Diminuer le gradient de dopage
dans le collecteur
Couche peu dope entre Base
et collecteur
32
Ionisation
par impacts
Br Bf B
I I I =
Br Bf B
I I I =
Rsistance dmetteur et de la base (effet 3)
bas courant, effets
ngligeables
Pour circuit rapides, B-C tjs en
inverse (r
c2
et r
c3
le plus petit
possible)
Rsistances r
c
peu deffet
Seules r
e
et r
b
jouent un rle.
Chute de potentiel dans ces
rsistances
33
) exp(
) (
'
'
kT
V e
I I
V V V
r r I I r r I I r V
BE
B B
BE BE BE
b e B C e b B E e BE
A
=
A =
+ + = + = A
0 = + +
B E C
I I I
Courant mesur :I
B
Diminution (collapse) de I
c
fort courant (effet 1)
Plusieurs facteurs peuvent
entraner la diminution de I
C0:
Augmentation de la charge
dans le Base (neutralit)
Augmentation de la largeur de
la rgion neutre de la Base
(dplacement de la ZCE vers
le collecteur): effet Kirk
34
kT
eV
dx x p
n eD
A I
kT
eV
J A I
BE
C
E
p
ieB nB
E C
BE
C E C
exp
) (
exp
'
'
2
0
}
=
=
Nc
Nb
(x)
W
b0
E C
N
c
-An
N
b
+An
(x)
W
b0
E C
35
Et leffet 2 ????????????????
Dfocalisation du courant (crowding effect)
Limage dun dispositif une
dimension est une approximation
Le bord du contact metteur est
plus polaris que le centre
Favorise une forte densit de
courant
Pas bon pour les composants de
puissance
Solutions: technologie inter
digite
36
Transistor bipolaire =interrupteur ?
tat ON : interrupteur
ferm (Tr. Satur)
tat OFF: interrupteur
ouvert (Tr. Bloqu)
tat ON : interrupteur
ferm (Tr. Satur)
tat OFF: interrupteur
ouvert (Tr. Bloqu)
37
Transistor bipolaire =interrupteur ?
Signal de commande
(dentre) le plus faible
possible
Puissance de
commande la plus
petite possible
Emetteur Commun
Signal de commande
(dentre) le plus faible
possible
Puissance de
commande la plus
petite possible
Emetteur Commun
38
Transistor bipolaire =interrupteur ?
quelle vitesse,
linterrupteur fonctionne-t-il
?
Facteurs limitatifs ?
39
Temps de mise en
conduction:
quation de continuit
de la charge:
I
dQ
dt
Q
n
B B
n
= +
t
La charge dans la base
scrit:
Le courant collecteur est
donn par:
temps de transit
dans la Base (courte)
)] exp( 1 [ ) (
n
n B B
t
I t Q
t
t =
t
B
C
t Q
t I
t
) (
) ( =
)] exp( 1 [
) (
n t
n
B c
t
B
t
I I
t Q
t t
t
t
= =
Transistor bipolaire =interrupteur ?
Mise en conduction:
I
C
augmente jusqu
atteindre :
(on nglige V
CEsat
)
La charge limite Q
B
(t
on
)
pour saturer le transistor est
donne par :
Le temps de mise en
conduction est donn par:
40
C
DD
C
R
V
I
sat
~
C
DD
C
R
V
I
sat
~
nB
pB C
S
D
d I
Q
sat
2
2
=
nB
pB C
S
D
d I
Q
sat
2
2
=
(

=
(

=
) ( 1
1
ln
) ( 1
1
ln
o
t
t
t
B c
n
n B S
n ON
I I I Q
t
(

=
(

=
) ( 1
1
ln
) ( 1
1
ln
o
t
t
t
B c
n
n B S
n ON
I I I Q
t
)] exp( 1 [ ) (
n
n B B
t
I t Q
t
t =
Transistor bipolaire =interrupteur ?
Remarque: la charge peut
augmenter pour sursaturer le
transistor
Temps de Blocage: entre 0 :
vacuation de la charge stocke
Cest le temps de stockage t
s
Au del, mme phnomne
que jonction PN
41
|
|
.
|

\
|
=
S
n B
n S
Q
I
t
t
t ln
|
|
.
|

\
|
=
S
n B
n S
Q
I
t
t
t ln
Valeur finale:
B n
I t
Transistor bipolaire =interrupteur ?
Le temps de stockage (de
dsaturation) limite la vitesse
de commutation
2 faons pour le rduire:
Impurets qui tuent la
dure de vie dans la Base
Diode Schottky en // sur la
diode C-B: vite la
sursaturation du transistor
42
Transistor en ac: schma quivalent Transistor en ac: schma quivalent
43
C

I
B Ib Ic
Transistor en ac: schma quivalent
Transconductance :relie la variation du courant collecteur la tension
Base Emetteur, soit
Rsistance dentre : elle relie la variation de la tension Base
Emetteur au courant de base, soit
Rsistance de sortie
44
kT
eI
V
I
g
C
BE
C
m
=
c
c
=
11
1
h
g eI
kT
V
I
r
m B BE
B
= = =
|
|
.
|

\
|
c
c
=

|
t 11
1
h
g eI
kT
V
I
r
m B BE
B
= = =
|
|
.
|

\
|
c
c
=

|
t
22
1
1
h I
V
V
I
r
C
A
CE
C
o
= ~
|
|
.
|

\
|
c
c
=

22
1
1
h I
V
V
I
r
C
A
CE
C
o
= ~
|
|
.
|

\
|
c
c
=

Transistor en ac: schma quivalent
Capacit :
capacit de stockage
temps de transit
Capacit : capacit de jonction de la jonction C B polarise en
inverse
Capacit de la couche de dpltion de la diode collecteur substrat
45
EB
T SE
C C C + =
t
CB
T
C C =

dCS
C
m F SE
g C t =
BC BE B
t t t E F
t t t t + + + = t
t
C

C
Transistor en ac: schma quivalent
Frquence de coupure (gain en courant =1)
On oublie r0
Le gain en courant est donc donn par:
46
be b
be be m c
v C j C j
r
i
v C j v g i
|
|
.
|

\
|
+ + =
=
e e
e
t
t
1
21
) ( ) / 1 (
) ( h
C C j r
C j g
i
i

m
b
c
=
+ +

= =
t t
e
e
e |
21
) ( ) / 1 (
) ( h
C C j r
C j g
i
i

m
b
c
=
+ +

= =
t t
e
e
e |
Ib Ic
x
Transistor en ac: schma quivalent
basse frquence:
Dans les transistors modernes, en gnral,
hautes frquences, partie imaginaire domine
47
m
g C << e
) ( 1
) (

m
b
c
C C r j
r g
i
i
+ +
= ~
t t
t
e
e |
) ( 1
) (

m
b
c
C C r j
r g
i
i
+ +
= ~
t t
t
e
e |
) (
) (

m
C C j
g
+
~
t
e
e |
) (
) (

m
C C j
g
+
~
t
e
e |
Transistor en ac: schma quivalent
On obtient alors la frquence de coupure ( cutoff
frequency ) en faisant i
C
/i
B
=1
Soit encore
48

m
T
C C
g
f
+
=
t
t 2
) ( ) (
2
1
c e T T SE
C
F
T
r r C C C
eI
kT
f
BC BC
+ + + + =t
t
Temps de transit en direct
Transistor en ac: schma quivalent
Frquence max ( maximun oscillation frequency )
gain en puissance=1
tient compte de la rsistance de Base
49
dBC b
T
C r
f
f
t 8
max
=
dBC b
T
C r
f
f
t 8
max
=
Transistor Bipolaire Htrojonction
Expression du gain :
Si la base est courte:
50
(
(

(
(

=
2
2
2
2
2
1 1
1
1
B E B
B
B
E
E
E
n
Beff
p
Beff
i
A
n
p
D
i
E
E
L
W
L
W
n
N
D
D
N
n
o
o

o
(
(

(
(

=
2
2
2
2
2
1 1
1
1
B E B
B
B
E
E
E
n
Beff
p
Beff
i
A
n
p
D
i
E
E
L
W
L
W
n
N
D
D
N
n
o
o

o
(
(

=
E B
B
B
E
E
E
p
Beff
i
A
n
p
D
i
E
E
L
W
n
N
D
D
N
n
2
2
1
1
1 o
o

o
(
(

=
E B
B
B
E
E
E
p
Beff
i
A
n
p
D
i
E
E
L
W
n
N
D
D
N
n
2
2
1
1
1 o
o

o
Transistor Bipolaire Htrojonction
Pour un gain en courant le plus grand possible, on doit
avoir un le plus proche de lunit.
Diminuer le dopage de la Base
Diminuer la longueur de la Base (attention au perage !)
51
o
Augmente la rsistance de la Base, donc
diminue f
max
(
(

=
E B
B
B
E
E
E
p
Beff
i
A
n
p
D
i
E
E
L
W
n
N
D
D
N
n
2
2
1
1
1 o
o

o
(
(

=
E B
B
B
E
E
E
p
Beff
i
A
n
p
D
i
E
E
L
W
n
N
D
D
N
n
2
2
1
1
1 o
o

o
Transistor Bipolaire Htrojonction
Autre solution:
Augmenter le dopage de lmetteur
Amliore lefficacit dinjection
Pb: gap shrinking
52
(
(

=
E B
B
B
E
E
E
p
Beff
i
A
n
p
D
i
E
E
L
W
n
N
D
D
N
n
2
2
1
1
1 o
o

o
(
(

=
E B
B
B
E
E
E
p
Beff
i
A
n
p
D
i
E
E
L
W
n
N
D
D
N
n
2
2
1
1
1 o
o

o
) exp( ) ( ) (
2 2
kT
E
Base n metteur n
g
i i
A
=
. 0
) ( ) (
> = A
metteur g base g g
E E E
Transistor Bipolaire Htrojonction
53
(
(

A
=
kT
E
L
W
n
N
D
D
N
n
g
p
Beff
i
A
n
p
D
i
E B
B
B
E
E
e
exp 1
2
2
o
(
(

A
=
kT
E
L
W
n
N
D
D
N
n
g
p
Beff
i
A
n
p
D
i
E B
B
B
E
E
e
exp 1
2
2
o
(
(

A
=

= 1 ) exp(
1 kT
E
W
L
D
D
N
N
g
Beff
p
p
n
A
D
E
E
B
B
E
o
o
|
(
(

A
=

= 1 ) exp(
1 kT
E
W
L
D
D
N
N
g
Beff
p
p
n
A
D
E
E
B
B
E
o
o
|
On voit donc quil est difficile de concilier un fort dopage
dmetteur, une base peu dope et fineavec un gain important
Transistor Bipolaire Htrojonction
On construit une
structure
diffrence de
gap ngatif:
Le TBH ou HBT
54
e b
Eg Eg Eg = A
55
Besoins pour les dispos bipolaires
Fort gain
Efficacit dmetteur forte
Vitesse leve
Demandes et Problmes dun BJT
Demandes
Problmes
metteur fortement dop
Diminution du Gap:
=>injection par la Base
Base peu dope
Base troite
Forte rsistance Base
Solution:Transistors Bipolaire htro-jonction
Emetteur fortement dop en utilisant un SC gap plus grand que celui de la Base
Base peut tre fortement dope et troite sans augmenter la rsistance de base
Collecteur peut tre choisi tel que la tension de claquage soit leve
56
Dispositifs Bipolaires
57
Si peut tre combin avec:
Silicium amorphe (Eg=1.5 eV)
SiC (Eg=2.2 eV)
Polysilicium (Eg=1.5 eV)
TBH avec Si:
Si/SiGe trs prometteur
avec frquence de coupure
de lordre de 100 GHz
TBH GaAs/AlGaAs
f
t
=150 GHz
Qualit de linterface excellente
=>TBH de hautes performances
Composants intgrs
monolithiquement avec dispo
optolectronique
InGaAs/InAlAS et InGaAs/InP
TBHs
Les valeurs de f
t
>180 GHz
Accord de maille avec InP
Intgration avec composants
optolectroniques
Filire GaN/AlGaN
Haute frquence
vacuation thermique (puissance)
58
Applications numriques
Les dispos sont utiliss en
mode satur et non satur
Logique sature (intgration leve)
Integrated Injection Logic (I
2
L)
Transistor-Transistor Logic (TTL)
Applications mmoires
Bipolaire : mmoires statiques
MOS : mmoires dynamiques
Applications Bi-CMOS
Combinaisons des 2 technologies:
On a lavantage des 2:
=>fort dveloppement
MMIC (Microwave Millimeter
Integrated Circuit)
Proprits HF, puissance
=>amplificateurs, convertisseurs A/N
Les applications des Bipolaires
Transistor base Silicium -
Germanium
59
Concentration
Electrons
kT
eV
I
Q Q
D n Ae
I
BE
SpE
S B
nB i
E
exp ) (
2 2
+
+
=
kT
eV
Q Q
D n Ae
I
BE
S B
nB i
C
exp ) (
2 2
+
+ =
e
m
e
t
t
e
u
r
c
o
l
l
e
c
t
e
u
r
base
) (
2
Si n
i
) (
2
SiGe n
i
Amliore le beta
Amliore le temps de transit
Dgrade la tension dEarly