Memoria de slo lectura (ROM)

Existe un tipo de memoria que almacena informacin sin necesidad de corriente elctrica; se trata de la ROM (Read Only Memory, o Memoria de Slo Lectura), a veces denominada memoria no voltil, dado que no se orra cuando se apa!a el sistema" Este tipo de memoria permite almacenar la informacin necesaria para iniciar el ordenador" #e $ec$o, no es posi le almacenar esta informacin en el disco duro, dado que los par%metros del disco (vitales para la iniciali&acin) forman parte de dic$a informacin ' resultan esenciales para el arranque" Existen diferentes memorias de tipo ROM que contienen dic$os datos esenciales para iniciar el ordenador, entre ellas( El )*OS,es un pro!rama que permite controlar las principales interfaces de entrada+salida, de a$, el nom re BIOS ROM que a veces se le da al c$ip de la memoria de slo lectura de la placa madre que lo alo-a" El cargador de bootstrap( pro!rama para car!ar memoria (de acceso aleatorio) al sistema operativo ' e-ecutarla" .ste, !eneralmente usca el sistema operativo de la unidad de disquetes ' lue!o el disco duro, lo que permite que el sistema operativo se e-ecute desde el sistema de disquetesen el caso de que ocurra al!/n desperfecto en el sistema instalado en el disco duro" La Configuracin CMOS es la pantalla que se visuali&a al iniciarse el ordenador" Se utili&a para modificar los par%metros del sistema (a menudo errneamente llamada BIOS)" La Auto-prueba de Encendido (POST) es un pro!rama que se e-ecuta autom%ticamente cuando arranca el sistema, permitiendo de esta manera pro ar dic$o sistema (ra&n por la cual el sistema 0cuenta0 la R1M en el inicio)" #ado que las memorias ROM son muc$o m%s lentas que las R1M (el tiempo de acceso en el caso de la ROM es de unos 234 ns, mientras que para la S#R1M es de unos 24 ns), las instrucciones suministradas en la ROM a veces se copian a la R1M en el inicio; proceso denominado respaldo, aunque a menudo se le llama memoria de respaldo)"

5ipos de ROM
Las memorias ROM $an evolucionado !radualmente desde memorias fijas de slo lectura $asta convertirse en memorias que pueden pro!ramarse ' repro!ramarse"

ROM
Las primeras memorias ROM se fa ricaron utili&ando un procedimiento que escri e directamente la informacin inaria en una placa de silicona mediante una m%scara" Este procedimiento $o' en d,a es o soleto"

6ROM

Las memorias PROM (Programmable Read Only Memory , o Memoria 6ro!rama le de Slo Lectura), fueron desarrolladas a fines de la dcada del 74 por una compa8,a llamada Te as Instruments" #ic$as memorias consisten en c$ips que comprimen miles de fusi les (o diodos) capaces de 0quemarse0 mediante un dispositivo denominado 0 programador ROM0, aplicando un alto volta-e (29:) a las ca-as de memoria a marcar" Los fusi les quemados corresponden a 4 ' los dem%s a 2"

E6ROM
Las memorias EPROM (!rasable Programmable Read Only Memory , o Memoria 6ro!rama le ' )orra le de Slo Lectura), son memorias 6ROM que se pueden eliminar" Estos c$ips disponen de un panel de vidrio que de-a entrar los ra'os ultra+violeta" ;uando el c$ip es sometido a ra'os ultra+ violeta de una determinada lon!itud de onda, se reconstitu'en los fusi les, lo que implica que todos los its de memoria vuelven a 2" 6or esta ra&n, este tipo de 6ROM se denomina borrable"

EE6ROM
Las memorias EEPROM (!lectrically !rasable Programmable Read Only Memory , o Memoria 6ro!rama le de Slo Lectura )orra le Elctricamente) tam in son memorias 6ROM orra les, pero a diferencia de stas, se pueden orrar mediante una sencilla corriente elctrica, es decir, incluso si se encuentran en posicin en el ordenador" Existe una variante de estas memorias, conocida como memoria flash(tam in "las# ROM o "las# !PROM)" 1 diferencia de las memorias EE6ROM cl%sicas, que utili&an 9 o < transistores por cada it a memori&ar, la memoria E6ROM =las$ utili&a un solo transistor" 1dem%s, la memoria EE6ROM puede escri irse ' leerse pala ra por pala ra, mientras que la =las$ /nicamente puede orrarse por p%!inas (el tama8o de las p%!inas disminu'e constantemente)" 6or /ltimo, la memoria =las$ es m%s densa, lo que implica que pueden producirse c$ips que conten!an cientos de me!a 'tes" #e esta manera, las memorias EE6ROM son preferi les a la $ora de tener que memori&ar informacin de confi!uracin, mientras que la memoria =las$ se utili&a para cdi!o pro!rama le (pro!ramas de *5)" La accin de repro!ramar una memoria EE6ROM se denomina actuali&acin"

http://es.kioskea.net/contents/399-memoria-de-solo-lectura-rom

MEMORIA ROM ROM, si!las para la memoria inaltera le, memoria de computadora en la cual se $an !ra ado de antemano los datos" >na ve& que los datos se $a'an escrito so re un c$ip ROM, no pueden ser quitados ' pueden ser le,dos solamente" #istinto de la memoria principal (R1M), la ROM conserva su contenido incluso cuando el ordenador se apa!a" ROM se refiere como siendo permanente, mientras que la R1M es vol%til"

La ma'or,a de los ordenadores personales contienen una cantidad peque8a de ROM que salve pro!ramas cr,ticos tales como el pro!rama que inicia el ordenador" 1dem%s, las ROM se utili&an extensivamente en calculadoras ' dispositivos perifricos tales como impresoras l%ser, cu'as fuentes se salvan a menudo en las ROM" >na variacin de una ROM es un 6ROM (memoria inaltera le pro!rama le)" 6ROM son manufacturados como c$ips en lanco en los cuales los datos pueden ser escritos con dispositivo llamado pro!ramador de 6ROM" Leer m%s( $ttp(??@@@"mono!rafias"com?tra a-os?memoria?memoria"s$tmlAix&&9r!eBvC!>

Su definicin es( almacenes internos en el ordenador" El trmino memoria identifica el almacena-e de datos que viene en forma c$ips, ' el almacena-e de la pala ra se utili&a para la memoria que existe en las cintas o los discos" 6or otra parte, el trmino memoria se utili&a !eneralmente como taqui!raf,a para la memoria f,sica, que refiere a los c$ips reales capaces de llevar a ca o datos" 1l!unos ordenadores tam in utili&an la memoria virtual, que ampl,a memoria f,sica so re un disco duro" ;ada ordenador viene con cierta cantidad de memoria f,sica, referida !eneralmente como memoria principal o R1M" Se puede pensar en memoria principal como arre!lo de celdas de memoria, cada una de los cuales puede llevar a ca o un solo 'te de informacin" >n ordenador que tiene 2 me!a 'te de la memoria, por lo tanto, puede llevar a ca o cerca de 2 milln de 'tes (o caracteres) de la informacin" La memoria funciona de manera similar a un -ue!o de cu ,culos divididos usados para clasificar la correspondencia en la oficina postal" 1 cada it de datos se asi!na una direccin" ;ada direccin corresponde a un cu ,culo (u icacin) en la memoria" 6ara !uardar informacin en la memoria, el procesador primero env,a la direccin para los datos" El controlador de memoria encuentra el cu ,culo adecuado ' lue!o el procesador env,a los datos a escri ir" 6ara leer la memoria, el procesador env,a la direccin para los datos requeridos" #e inmediato, el controlador de la memoria encuentra los its de informacin contenidos en el cu ,culo adecuado ' los env,a al us de datos del procesador" Leer m%s( $ttp(??@@@"mono!rafias"com?tra a-os?memoria?memoria"s$tmlAix&&9r!e561cp

-La memoria de solo lectura, conocida tam in como ROM (acrnimo en in!ls de read-only memory), es un medio de almacenamiento utili&ado en ordenadores ' dispositivos electrnicos, que permite slo la lectura de la informacin ' no su escritura, independientemente de la presencia o no de una fuente de ener!,a" Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de manera r%pida o f%cil" Se utili&a principalmente en su sentido m%s estricto, se refiere slo a m%scara ROM +en in!ls, MROM+ (el m%s anti!uo tipo de estado slido ROM), que se fa rica con los datos almacenados de forma permanente ', por lo tanto, su contenido no puede ser modificado de nin!una forma" Sin em ar!o, las ROM m%s modernas, como E6ROM ' =las$ EE6ROM, efectivamente se pueden orrar ' volver a pro!ramar varias veces, aun siendo descritos como 0memoria de slo lectura0 (ROM)" La ra&n de que se las contin/e llamando as, es que el proceso de repro!ramacin en !eneral es poco frecuente, relativamente lento ', a menudo, no se permite la

escritura en lu!ares aleatorios de la memoria" 1 pesar de la simplicidad de la ROM, los dispositivos repro!rama les son m%s flexi les ' econmicos, por lo cual las anti!uas m%scaras ROM no se suelen encontrar en $ard@are producido a partir de 9447"

Historia
#esarrollada por 5os$i a" Los dise8adores rompieron expl,citamente con las pr%cticas del pasado, afirmando que enfoca a 0ser un reempla&o de los discos duros0, m%s que tener el tradicional uso de la ROM como una forma de almacenamiento primario no vol%til" En 9447, D1D# $a avan&ado astante en su meta, ofreciendo un rendimiento compara le al de los discos duros, una me-or tolerancia a los s$ocEs f,sicos, una miniaturi&acin extrema (como por e-emplo memorias >S) ' tar-etas de memoria MicroS#), ' un consumo de potencia muc$o m%s a-o"

Uso para almacenamiento de soft are!editar " editar cdigo#

Memoria de solo lectura conteniendo el )*OSde una vie-a placa madre"

Los ordenadores domsticos a comien&os de los a8os 2FC4 ven,an con todo su sistema operativo en ROM" Do $a ,a otra alternativa ra&ona le 'a que las unidades de disco eran !eneralmente opcionales" La actuali&acin a una nueva versin si!nifica usar un soldador o un !rupo de interruptores #*6 ' reempla&ar el vie-o c$ip de ROM por uno nuevo" 1ctualmente los sistemas operativos en !eneral 'a no van en ROM" 5odav,a los ordenadores pueden de-ar al!unos de sus pro!ramas en memoria ROM, pero incluso en este caso, es m%s frecuente que va'a en memoria flas$" Los telfonos mviles ' los asistentes personales di!itales (6#1) suelen tener pro!ramas en memoria ROM (o por lo menos en memoria flas$)"

Uso para almacenamiento de datos!editar " editar cdigo#

;omo la ROM no puede ser modificada (al menos en la anti!ua versin de m%scara), solo resulta apropiada para almacenar datos que no necesiten ser modificados durante la vida de este dispositivo" ;on este fin, la ROM se $a utili&ado en muc$os ordenadores para !uardar ta las de consulta, utili&adas para la evaluacin de funciones matem%ticas ' l!icas" Esto era especialmente eficiente cuando la unidad central de procesamiento era lenta ' la ROM era arata en comparacin con la R1M" #e $ec$o, una ra&n de que todav,a se utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad, 'a que los discos si!uen siendo m%s lentos" G lo que es a/n m%s importante, no se puede leer un pro!rama que es necesario para e-ecutar un disco desde el propio disco" 6or lo tanto, la )*OS, o el sistema de arranque oportuno del 6; normalmente se encuentran en una memoria ROM"

Do o stante, el uso de la ROM para almacenar !randes cantidades de datos $a ido desapareciendo casi completamente en los ordenadores de propsito !eneral, mientras que la memoria =las$ $a ido ocupando este puesto"

$elocidad de lectura!editar " editar cdigo#

1unque la relacin relativa entre las velocidades de las memorias R1M ' ROM $a ido variando con el tiempo, desde el a8o 9447 la R1M es m%s r%pida para la lectura que la ma'or,a de las ROM, ra&n por la cual el contenido ROM se suele traspasar normalmente a la memoria R1M, desde donde es le,da cuando se utili&a"

$elocidad de escritura!editar " editar cdigo#

6ara los tipos de ROM que puedan ser modificados elctricamente, la velocidad de escritura siempre es muc$o m%s lenta que la velocidad de lectura, pudiendo requerir volta-e excepcionalmente alto, movimiento de -umpers para $a ilitar el modo de escritura, ' comandos especiales de des loqueo" Las memorias =las$ D1D# lo!ran la m%s alta velocidad de escritura entre todos los tipos de memoria ROM repro!rama le, escri iendo !randes loques de celdas de memoria simult%neamente, ' lle!ando a 23 M)?s" La R1M tiene una capacidad m%xima de 29C M) >;:"

Wikipedia
PROM es el acrnimo en in!ls de programmable read$only memory, que si!nifica Hmemoria de solo lectura programableI" Es una memoria di!ital donde el valor de cada it depende del estado de un fusi le (o antifusi le), que puede ser quemado una sola ve&" 6or esto la memoria puede ser pro!ramada (pueden ser escritos los datos) una sola ve& a travs de un dispositivo especial, un pro!ramador 6ROM" Estas memorias son utili&adas para !ra ar datos permanentes en cantidades menores a las ROM, o cuando los datos de en cam iar en muc$os o todos los casos" 6eque8as 6ROM $an venido utili&%ndose como !eneradores de funciones, normalmente en con-uncin con un multiplexor" 1 veces se prefer,an a las ROM porque son ipolares, $a itulamente Sc$ottE', consi!uiendo ma'ores velocidades"
%ndice
JocultarK

2 6ro!ramacin 9 Listoria < E6ROM ' EE6ROM M :ase tam in

6ro!ramacinJeditar N editar cdi!oK

>na 6ROM com/n se encuentra con todos los its en valor 2 como valor por defecto de las f% ricas; el quemado de cada fusi le, cam ia el valor del correspondiente it a 4" La pro!ramacin se reali&a aplicando pulsos de altos volta-es que no se encuentran durante operaciones normales (29 a 92 voltios)" El trmino read$only (solo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias, los datos no pueden ser cam iados (al menos por el usuario final)"

ListoriaJeditar N editar cdi!oK

La memoria 6ROM fue inventada en 2F3O por Pen 5sin! ;$o@, tra a-ando para la H#ivisin 1rmaI, de la 1merican )osc$ 1rma ;orporation en Qarden ;it', Dueva GorE" La invencin fue conce ida a peticin de la =uer&a area de los Estados >nidos, para conse!uir una forma m%s se!ura ' flexi le para almacenar las constantes de los o -etivos en la computadora di!ital del M)*%tlas !&"" La patente ' la tecnolo!,a asociadas fueron mantenidas a-o secreto por varios a8os mientras el %tlas !&" era el principal misil de Estados >nidos" El trmino HquemarI, refirindose al proceso de !ra ar una 6ROM, se encuentra tam in en la patente ori!inal, porque como parte de la implementacin ori!inal de ,a quemarse literalmente los diodos internos con un exceso de corriente para producir la discontinuidad del circuito" Las primeras m%quinas de pro!ramacin de 6ROMs tam in fueron desarrolladas por in!enieros de la #ivisin 1rma a-o la direccin del Sr" ;$o@ ' fueron u icados el la oratorio 1rma de Qarden ;it', ' en la -efatura del ;omando estrat!ico areo de las =uer&as 1reas"

E6ROM ' EE6ROMJeditar N editar cdi!oK

Pen 5sin! ;$o@ ' otros in!enieros de la #ivisin 1rma continuaron con este suceso dise8ando la primera Hmemoria de solo lectura no destrui leI (non$destructive read$only memory' , ()RO) para aplicarlo a misiles !uiados, fundamentado en una ase de do le a ertura ma!ntica" Estas memorias, dise8adas ori!inalmente para mantener constantes de o -etivos, fueron utili&adas para sistemas de armas de misiles al,sticos intercontinentales ' de ran!o medio mvil" La principal motivacin para este invento fue que la =uer&a 1rea Estadounidense necesita a reducir los costes de la fa ricacin de plaquetas de o -etivos asadas en 6ROMs que necesita an cam ios constantes a medida que lle!a a nueva informacin so re o -etivos del loque de naciones comunistas" ;omo estas memorias son orra les, pro!rama les ' re+pro!rama les, constitu'en la primera implementacin de una produccin de memorias E6ROM ' EE6ROM, de fa ricacin anterior al 2FO<" #e e o servarse que los trminos modernos de estos dispositivos, 6ROM, E6ROM ' EE6ROM, no fueron creados $asta un tiempo despus de que las aplicaciones de misiles nucleares !uiados $a'an estado operacionales" Las implementaciones ori!inales de 1rma se refieren a las 6ROMs como 0matri& de almacenamiento de constantes0; ' a las E6ROMs' EE6ROM simplemente eran denominadas Hmemorias D#ROI" Las modernas implementaciones comerciales de las 6ROM, E6ROM ' EE6ROM asadas en circuitos inte!rados, orrado por lu& ultravioleta, ' varias propiedades de los transistores, aparecen unos die& a8os despus" Lasta que esas nuevas implementaciones fueron desarrolladas, fuera de

aplicaciones militares, era m%s arato fa ricar memorias ROM que utili&ar una de las nuevas caras tecnolo!,as desarrolladas ' fa ricados por los contratistas de misiles de las fuer&as areas" #e todas formas, en misiles, naves espaciales, satlites ' otras aplicaciones de muc$a confia ilidad, si!uen en uso muc$os de los mtodos de la implementacin ori!inal de los a8os 2F34"

Wikipedia.

EPROM son las si!las de !rasable Programmable Read$Only Memory (ROM pro!rama le orra le)" Es un tipo de c$ip de memoria ROM no vol%tilinventado por el in!eniero #ov =ro$man" Est% formada por celdas de =1MOS (=loatin! Qate 1valanc$e+*n-ection Metal+Oxide Semiconductor) o 0transistores de puerta flotante0, cada uno de los cuales viene de f% rica sin car!a, por lo que son le,dos como 2 (por eso, una E6ROM sin !ra ar se lee como && en todas sus celdas)"

Las memorias E6ROM se pro!raman mediante un dispositivo electrnico que proporciona volta-es superiores a los normalmente utili&ados en los circuitos electrnicos" Las celdas que reci en car!a se leen entonces como un 4" >na ve& pro!ramada, una E6ROM se puede orrar solamente mediante exposicin a una fuerte lu& ultravioleta" Esto es de ido a que los fotones de la lu& excitan a los electrones de las celdas provocando que se descar!uen" Las E6ROM se reconocen f%cilmente por una ventana transparente en la parte alta del encapsulado, a travs de la cual se puede ver el c$ip de silicio ' que admite la lu& ultravioleta durante el orrado" ;omo el cuar&o de la ventana es caro de fa ricar, se introdu-eron los c$ips O56 (One$Time Programmable, pro!rama les una sola ve&)" La /nica diferencia con la E6ROM es la ausencia de la ventana de cuar&o, por lo que no puede ser orrada" Las versiones O56 se fa rican para sustituir tanto a las E6ROM normales como a las E6ROM incluidas en al!unos microcontroladores" Estas /ltimas fueron siendo sustituidas pro!resivamente por EE6ROMs(para fa ricacin de peque8as cantidades donde el coste no es lo importante) ' por memoria flas$ (en las de ma'or utili&acin)" >na E6ROM pro!ramada retiene sus datos durante die& o veinte a8os, ' se puede leer un n/mero ilimitado de veces" 6ara evitar el orrado accidental por la lu& del sol, la ventana de orrado de e permanecer cu ierta" Las anti!uas )*OS de los ordenadores personales eran frecuentemente E6ROM ' la ventana de orrado esta a $a itualmente cu ierta por una etiqueta que conten,a el nom re del productor de la )*OS, su revisin ' una advertencia decop'ri!$t" Las E6ROM pueden venir en diferentes tama8os ' capacidades" 1s,, para la familia 9744 se pueden encontrar( 'ipo de EPROM 'ama(o ) bits 'ama(o ) *+tes ,ongitud -he./ 0ltima direccin -he./

2749, 27491

9 B its

93O

244

444==

974M

M B its

329

944

442==

974C

C B its

2 B)'tes

M44

44<==

972O, 97;2O

2O B its

9 B)'tes

C44

447==

97<9, 97;<9

<9 B its

M B)'tes

2444

44===

97OM, 97;OM

OM B its

C B)'tes

9444

42===

9729C, 97;29C

29C B its

2O B)'tes

M444

4<===

9793O, 97;93O

93O B its

<9 B)'tes

C444

47===

97329, 97;329

329 B its

OM B)'tes

24444

4====

97;424, 97;244

2 M its

29C B)'tes

94444

2====

97;494

9 M its

93O B)'tes

M4444

<====

97;4M4

M M its

329 B)'tes

C4444

7====

97;4C4

C M its

2 M)'tes

244444

=====

DO51( 2749 E6ROM son 6MOS, las E6ROM de las serie 97x que contienen una ; en el nom re est%n asadas en ;MOS, el resto son DMOS

6ines de la EPROM 1234

+--------------+ VPP |1 A12 |2 A7 |3 A6 |4 A5 |5 A4 |6 A3 |7 A2 |8 A1 |9 A0 |10 D0 |11 D1 |12 D2 |13 GND |14 2764 +--+ 28| VCC 27| /PGM 26| NC 25| A8 24| A9 23| A11 22| /OE 21| A10 20| /CE 19| D7 18| D6 17| D5 16| D4 15| D3

+--------------+

*orrado de un EPROM!editar " editar cdigo#

>na memoria E6ROM puede ser orrada con una l%mpara de lu& >:, del tipo >:+;, que emita radiacin en torno a los 93<7 R (1n!strom) o 93Mnm, a una distancia de unos 9,3 cm de la memoria" La radiacin alcan&a las clulas de la memoria a travs de una ventanilla de cuar&o transparente situada en la parte superior de la misma" 6ara orrar una E6ROM se necesita que la cantidad de radiacin reci ida por la misma se encuentre en torno a los 23 P?cmS9 durante un se!undo" El tiempo de orrado real suele ser de unos 94 minutos de ido a que las l%mparas utili&adas suelen tener potencias en torno a los 29 mP?cmT (29 mP x 94 x O4 s U 2M"M P de potencia suministrada)" Este tiempo tam in depende del fa ricante de la memoria que se desee orrar" En este tiempo todos sus its se ponen a 2" Es importante evitar la so reexposicin del tiempo de radiacin a las E6ROM; es decir, la potencia luminosa suministrada a la memoria, pues se produce un enve-ecimiento prematuro de las mismas" #e ido a que la radiacin solar e incluso la lu& artificial proveniente de tu os fluorescentes orra la memoria lentamente (de una semana a varios meses), es necesario tapar dic$a ventanilla con una etiqueta opaca que lo evite, una ve& que son !ra adas" Se de e aclarar que una E6ROM no puede ser orrada parcial o selectivamente; de a$, que por mu' peque8a que fuese la eventual modificacin a reali&ar en su contenido, inevita lemente se de er% orrar ' repro!ramar en su totalidad"

)orrador de E6ROMJeditar N editar cdi!oK

>n orrador de E6ROM es un ca-a opaca pticamente, con una fuente de lu& >: del tipo ;, la cual tam in es utili&ada para esterili&ar instrumentos quir/r!icos '?o como !ermicida"

L%mpara orradora de E6ROM"

6ara orrar las E6ROM no se puede utili&ar las lu& 0>: De!ra0, (que es com/nmente utili&ada para verificar illetes, ticEets, etc"), que emiten en la re!in >:+1, (<O3 nm)" La /nica lu& que funciona es la >:+;, (93M nm), la cual emite 0lu& peli!rosa0 o 0!ermicida0, (mata !rmenes)" Es 0lu& peli!rosa0 por que la exposicin prolon!ada puede causar cataratas a lar!o pla&o ' da8o en la piel; sin em ar!o una exposicin reve, unos 3 se!undos continuos en la piel, no de er,a de causar m%s que una leve resequedad, por lo que es necesario tomar todas las precauciones para evitar estos pro lemas" #ado que este tipo de lu& >:+; se encuentra en la lu& solar, si se de-a una E6ROM directamente a-o sta, en al!unas d,as o semanas se orraran; por lo que se requiere prote!er las E6ROM una ve& se $a'an pro!ramado" Se puede utili&ar una l%mpara de tu o normal de M P del tipo =M53 (M @att, 3 pul!adas) que da lu& lanca (ver foto)" 5am in un tu o de lu& QM53 0Qermicidal >:;0, que tiene el vidrio claro, para orrar las E6ROM" La 0Q0 es para !ermicidas, lo mismo que la 0=0 es para fosforescentes (aunque no ten!an fsforo)" Otro tipo de l%mpara com/nmente utili&ada es la 6L*L*6S 5>: MP+QM53+ 9M4C43#+MP5>:"

;ircuito simple para orrador de E6ROM, (se le puede a!re!ar tempori&ador)"

Las l%mparas >: que tienen el vidrio morado o lila son para el espectro >:+:isi le o 0>: De!ra0, normalmente est%n marcadas como >M53 o similar ' no funcionan para orrar las E6ROM" >n tu o de lu& fluorescente de lu& lanca, tiene una cu ierta de fsforo en el interior del vidrio" La Lu& >: del mercurio excita el fsforo, el cual re+radia la ener!,a en el ran!o visi le" Las l%mparas

>: para orradores de E6ROM o !ermicidas usan directamente la lu& del vapor de mercurio" El vidrio se de e de $acer de cuar&o, en lu!ar de vidrio ordinario, para evitar que el vidrio a sor a la ma'or parte de los ra'os >:" El cuar&o es m%s transparente en las lon!itudes >: del mercurio" 5am in podr,an ser orrados si son expuestos a la lu& de la soldadura elctrica (de electrodo), con el ries!o que una c#ispa queme el c$ip, de ido a que se de e de acercar la E6ROM como a unos 24 o 23 cm para que reci an la suficiente radiacin para orrarlos" En teor,a tam in se pueden orrar con ra'os V, 0tomando radio!raf,as del E6ROM0, el tiempo de orrado depender% de la cali racin?emisin del equipo de ra'os V utili&ado"

#iferencia entre Eprom ; ' Do+;Jeditar N editar cdi!oK

La /nica diferencia entre los 9793O ' los 97;93O es que los 9793O usan DMOS mientras los 97; usan tecnolo!,a ;MOS" ;MOS slo consume potencia aprecia le cuando una se8al est% cam iando" DMOS usa canal D =E5Ws con elementos resistores, mientras ;MOS evita las resistencias que desperdician ener!,a por utili&ar am os canales D ' 6 =E5" 1dem%s los ;MOS evitan la produccin de calor, permitiendo arre!los m%s compactos de transistores de los que los DMOS son capaces" La alta densidad de elementos de los ;MOS reduce las distancias de interconexin lo cual incrementa la velocidad" 1dem%s ;MOS rilla cuando $a' una cantidad limitada de ener!,a como cuando se utili&a un sistema alimentado por ater,as" Se presentan al!unos pro lemas en las E6ROM ;MOS usando pro!ramadores vie-os, de ido a a las diferencias en los volta-es de pro!ramacin, (;MOS tiene 29,3 :pp)" E6ROM ;MOS tam in requieren una fuente de volta-e, (:cc), de exactamente O :oltios" ;MOS son f%ciles de orrar pero tienden a morir si son so re expuestos a la lu& >:"

#ecodificando los D/meros de los E6ROMJeditar N editar cdi!oK

97(;)VVV son E6ROM o O56ROMS" 37(;)VVV son E6ROM o O56ROMS que permiten C l,neas de direccin a-as a ser multiple&adas con la l,nea de datos (1l!unos M;>Ws multiplexan -untas la direcciones a-as ' la l,nea de datos)" Estos todav,a se pro!raman como los E6ROM 97(;) VVV en los pro!ramadores de olsillos, porque el al!oritmo del soft@are lo tiene en cuenta" 9C(;)VVV son EE6ROM con la ; indicando para ;MOS" 9C=VVV son =las$ EE6ROM con la = se8alando para =las$" Do confundir con E6ROM"

EEPROM
EEPROM o E5PROM son las si!las de !lectrically !rasable Programmable Read$Only Memory (ROM pro!rama le ' orrada elctricamente)" Es un tipo de memoria ROM que puede ser pro!ramada, orrada ' repro!ramada elctricamente, a diferencia de la E6ROM que $a de orrarse mediante un aparato que emite ra'os ultravioleta" Son memorias no vol%tiles"

Las celdas de memoria de una EE6ROM est%n constituidas por un transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura S1MOS), su estado normal est% cortado ' la salida proporciona un 2 l!ico" 1unque una EE6ROM puede ser le,da un n/mero ilimitado de veces, slo puede ser orrada ' repro!ramada entre 244"444 ' un milln de veces" Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como *T;, S6* ' Micro@ire" En otras ocasiones, se inte!ra dentro de c$ips como microcontroladores ' #S6s para lo!rar una ma'or rapide&" La memoria flas$ es una forma avan&ada de EE6ROM creada por el #r" =u-io MasuoEa mientras tra a-a a para 5os$i a en 2FCM ' fue presentada en la Reunin de 1paratos Electrnicos de la*EEE de 2FCM" *ntel vio el potencial de la invencin ' en 2FCC lan& el primer c$ip comercial de tipo DOR"

6L1Jeditar N editar cdi!oK

#efinido en in!ls como( 06ro!ramma le Lo!ic 1rra'0 forma parte de los 6L# simples (S6L#s)" Estos dispositivos fueron los primeros c$ips desarrollados espec,ficamente para implementar circuitos l!icos" ;omo los 61L,anteriormente vistos, disponen de dos planos diferenciados( 1D# ' OR" En este caso, los 6L1 tienen am os planos pro!rama les lo que $ace que su estructura sea ideal para implementar funciones l!icas como sumas de productos, por el contrario $ace que el dispositivo ten!a ma'or tama8o ' menor velocidad" 6or /ltimo existen variantes de este tipo de estructura( PiEi Solo plano 1D# o plano OR 6lano 1D# con re!lamentacin 6lano 1D# ' OR con re!lamentacin ;on re!istros o re!istros pro!rama les

Arreglos Lgicos Programables (PLA) Un PLA combina las caractersticas de la PROM y el PAL proporcionandotanto un arreglo OR programable como un arreglo AND tambin programable. Dadoque tiene dos conjuntos de conexiones fusibles, es mas difcil de fabricar,programar y probar que una PROM o un PAL. Los PLA tambin son conocidos comoArreglos Programables en Campo (FPLA).Un ejemplo de un FPLA real es el TIFPLA840 de Texas Instruments. Sistemas Digitales.

@@@"slides$are"net?panc$oX33?dispositivo+ logico$programable

Arreglo Lgico Programable(PLA) Un circuito combinacional puede tener ocasionalmente condiciones de no importa. Cuando se configura una ROM una condicin de no importa se convierte en una direccin de entradas que nunca ocurre. Las palabras en las direcciones de no importa no necesitan ser programadas y pueden dejarse en un estado original (todos ceros o todos unos . !l resultado es que no todos los patrones de bits disponibles en la ROM se usan" lo cual se considera como un desperdicio de equipo disponible. #ara aquellos casos en los cuales el n$mero de condiciones de no importa es e%cesivo" es mas econmico usar un segundo tipo de componente L&' llamado (rreglo Lgico #rogramable o #L( (viene de #rogramable Logic (rray . Un #L( es similar a una ROM en concepto) sin embargo el #L( no produce la decodificacin completa de las variables y no genera todos los t*rminos m+nimos como en una ROM. !n un #L(" el decodificador se rempla,a mediante un grupo de compuertas (-." cada una de las cuales pueden ser programadas para generar un t*rmino producto de las variables de entrada. Las compuertas (-. y OR dentro de la #L( se fabrican inicialmente con enlaces entre ellas. Las funciones espec+ficas de /oole se ejecutan en la forma de suma de productos al abrir los enlaces adecuados y dejar las cone%iones deseadas.

.iagrama de bloque de la #la Un diagrama de un #L( como se muestra en la figura. !ste consiste en n entradas" m salidas" 0 t*rminos de suma. Los t*rminos de producto constituyen un grupo de 0 compuertas (-. y los t*rminos de suma constituyen grupo de m compuertas OR. Los enlaces se colocan entre todas las entradas n y sus valores complementados. Otro grupo de enlaces en los inversores de salida permiten que se genere la funcin de salida en la forma de (-.1OR. Cuando se rompe el enlace el inversor se vuelve parte del circuito y la funcin se configura en la forma (-.1OR invertida. !l tama2o del #L( se especifica por el n$mero de entradas" el n$mero de t*rminos de producto y el n$mero de salidas (el n$mero de t*rminos de suma es igual al n$mero de salidas . Un t+pico #L( tiene 34 entradas" 56 t*rminos producto y 6 salidas. !l n$mero de enlaces programados es7 8n90:09m:m !l #L( puede ser programable por m;scara o programable por el usuario (programacin de campo . Con un #L( programable por m;scara" el cliente debe entregar una tabla de programacin del #L( al fabricante. !sta tabla se usa por el fabricante para producir un #L( <ec<o para el cliente con los caminos internos requeridos entre las entradas y las salidas. Un segundo tipo de #L( disponible se llama (rreglo Lgico #ogramable en el Campo o =#L( (=ield #rogramable Logic (rray . !l =#L( puede ser programado por el usuario por medio de ciertos procedimientos recomendados. >ay programadores comerciales de materiales (<ard?are para usar conjuntamente con ciertos =#L(.

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Diferencias entre PAL

PLA

! "l concepto de PAL pro#iene de Pro$ramma%le Arra Lo$ic &Arre$lo L'$ico Pro$rama%le( mientras )ue PLA es Pro$ramma%le Lo$ic Arra &L'$ico Arre$lo Pro$rama%le(* aun)ue la diferencia en cuanto a los nom%res es mu sutil* ha una $ran diferencia entre am%os conceptos.

La PLA es un dispositi#o l'$ico pro$rama%le )ue implementa circuitos l'$icos com%inacionales. A este tipo de dispositi#os* tam%i+n se les conoce como ,ield Pro$ramma%le Lo$ic Arra & Arre$los L'$icos Pro$rama%les de -ampo (. .iene am%as matrices &A/D 01( interconectadas entre si adem2s am%as son pro$rama%les de esta forma solo se seleccionan los productos de t+rminos necesarios para las diferentes aplicaciones esto permite ma or eficiencia a la matri3 pro$rama%le hace al dispositi#o m2s #ers2til. "stos PLD4s inclu en adem2s la capacidad de pro$ramar la polaridad de salida* lo )ue permite tra%a5ar con ma6-t+rminos si se re)uieren7 esto se lo$ra a tra#+s de una 01 "6clusi#a.

La PAL tiene su %ase en PLD )ue fue desarrollada para superar ciertas des#enta5as )ue tiene la PLA* por e5emplo* la PLA tiene ma or retraso de%ido a )ue usa dos matrices pro$rama%les tiene un circuito de ma or comple5idad. La PAL consiste en una matri3 A/D pro$rama%le una matri3 01 fi5a. 8u construcci'n permite )ue por cada entrada )ue se a$re$ue no es necesario duplicar la cantidad de fusi%les el tener una matri3 fi5a &01( conduce a un menor retardo en el circuito. .am%i+n inclu e la capacidad de pro$ramar la polaridad de salida. "ste PLD puede incluir una serie de componentes a la salida del plano 01* como pueden ser: 9n#ersores ,lip-,lops* )ue permitan hacer del dispositi#o* un PLD #ers2til. "s por dichas caracter:sticas cualidades )ue la PAL es ma ormente usada )ue la PLA
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ARRE6,OS ,76ICOS PRO6RAMA*,E P,A8

La arquitectura de un 6L# afecta las aplicaciones l!icas para las cuales el dispositivo puede ser usado" Esto es, al $a lar de la arquitectura $acemos referencia a los atri utos que afectan la construccin l!ica del dispositivo (confi!uracin de terminales, el arre!lo ' tama8o de los arre!los pro!rama les, ' la confi!uracin de la l!ica de interface de entrada?salida)" >n 6L# normalmente esta compuesto de un n/mero espec,fico de l,neas de entrada conectadas a travs de un arre!lo fi-o o pro!rama le para un con-unto de compuertas 1D#, las cuales est%n conectadas a un arre!lo fi-o o pro!rama le de compuertas OR" Las compuertas OR proporcionan las se8ales de salida del arre!lo l!ico" Los tipos est%ndar de 6L#Ys son(

o o o

6ROMYs( son utili&ados como elementos de memoria ' tienen un arre!lo fi-o de compuertas 1D# (conocido como decodificador) se!uido por un arre!lo pro!rama le OR" 61LYs ( Estos dispositivos tienen un arre!lo 1D# pro!rama le se!uido de un arre!lo fi-o OR" Q1LYs ( Estos c$ips est%n fa ricados en ase a tecnolo!,a ;MOS, por lo que consumen muc$o menos potencia ' su principal venta-a es que son elctricamente repro!rama les" 1dem%s, sus salidas pueden tam in ser confi!uradas por el usuario" 6L1Ys( Estos circuitos tienen am os arre!los, 1D# ' OR, pro!rama les, lo cual permite !ran flexi ilidad en el dise8o de funciones l!icas comple-as ' con !ran cantidad de entradas?salidas"

El dise8o con 6L#Y s se8ala las si!uientes venta-as en relacin a la l!ica ca leada(

o o o

Econom,a" Menos espacio en los impresos" Se mantiene la reserva del dise8o" Se requiere tener menos inventarios que con circuitos est%ndar SSI, MSI"

Menos alam rado" Ma'or velocidad de operacin Las arquitecturas que se pueden desarrollar pueden ser m%s comple-as Existen diferentes tecnolo!,as de pro!ramacin Menor costo de $ard@are

-P,A9 Programmable ,ogic Arra+/ El P*% es un P*) formado por una matri& %() pro!rama le ' una matri& OR pro!rama le" La P*% $a sido desarrollada para superar al!unas de las limitaciones de las memorias PROM" 5ienen am os planos pro!rama les, esto permite que su costo se eleve ' sea su desventa-a"

Estos dispositivos contienen am os trminos 1D# ' OR pro!rama les lo que permite a cualquier trmino 1D# alimentar cualquier trmino OR" Las 6L1 pro a lemente tienen la ma'or flexi ilidad frente a otros dispositivos con respecto a la l!ica funcional" Dormalmente poseen realimentacin desde la matri& OR $acia la matri& 1D# que puede usarse para implementar m%quinas de estado as,ncronas" La ma'or,a de las m%quinas de estado, sin em ar!o, se implementan como m%quinas s,ncronas" ;on esta perspectiva, los fa ricantes crearon un tipo de 6L1 denominado Secuencial (Sequencer) que posee re!istros de realimentacin desde la salida de la matri& OR $acia la matri& 1D#" Z[u es\

o o o

1rre!lo L!ico 6ro!rama le >na !ran flexi ilidad 'a que los trminos producto se locali&an en las compuertas OR ' sus salidas asociadas" ;aracteri&a a un arre!lo pro!rama le 1D#, ' un arre!lo pro!rama le OR"

!jemplo+ P*% , - con . t/rminos producto

Representacin alternativa 0ue simplifica las estructuras con fan$in alto

Dotacin a reviada de modo que no tenemos que di u-ar todas las l,neas 1dem%s esta notacin se parece m%s a la implantacin real del dispositivo"

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,gica programada
En electrnica ' computacin la ,gica programada es un tipo de dise8o implementado en c$ips que permite la reconfi!uracin de los circuitos con el simple cam io del soft@are que incorpora, es lo contrario de la l!ica ca leada" La l!ica pro!ramada se asa en dispositivos l!icos pro!rama les ( P*)), los cuales tienen una funcin no esta lecida, al contrario que las puertas l!icas que tienen una funcin fi-a en el momento de su fa ricacin" 1ntes de poder utili&ar el 6L# en un circuito, este de e ser pro!ramado"

El uso de ROMs como 6L#sJeditar N editar cdi!oK

1ntes de que se inventasen las 6L#s, los c$ips de memoria de solo lectura (ROM) se utili&a an para crear funciones de l!ica com inacional ar itrarias con un n/mero determinado de entradas" ;onsiderando una ROM con m entradas, a las que se denomina l1neas de direccin; '

con n salidas, a las que se denomina l1neas de datos" ;uando se utili&a como memoria, la ROM contiene pala ras de n its" Supon!amos que las entradas no son direccionadas por una direccin de m+ its, sino por m se8ales l!icas independientes" 5ericamente, $a' funciones ooleanasposi les de estas m se8ales, pero la estructura de la ROM permite solo producir n de estas funciones en los pines de salida" 6or lo tanto, en este caso, la ROM se vuelve un equivalente de ncircuitos l!icos separados, cada uno !enerando una funcin ele!ida de las m entradas" La venta-a de utili&ar una ROM de esta forma es que cualquier funcin conce i le de las m entradas puede ser colocada por las n salidas, $aciendo este el dispositivo l!ico com inacional de ma'or propsito !eneral disponi le" 5am in las 6ROMs (ROMs pro!rama les), E6ROMs (PROMs de orrado por ultravioleta) ' EE6ROMs (PROMs de orrado elctrico) disponi les pueden ser pro!ramadas de esta manera con un pro!ramador 6ROM $ard@are o soft@are" Sin em ar!o, existen varias desventa-as( Son astante m%s lentas que los circuitos l!icos dedicados" Do necesariamente pueden proveer de 0proteccin0 ante transiciones l!icas as,ncronas" ;onsumen ma'or potencia" Slo se utili&a una peque8a fraccin de su capacidad en una sola aplicacin( un uso ineficiente del espacio" 6or si solas no pueden ser utili&adas para circuitos de l!ica secuencial, puesto que no contienen iesta les" 6ara reali&ar al!unos circuitos secuenciales (como m%quinas de estado) se utili&a a un re!istro 55L externo" Las E6ROMs comunes (como la 972O), se si!uen utili&ando a veces de esta forma por !ente que tiene como $o ' el dise8o de circuitos, 'a que a menudo tienen al!unas sueltas" 1 las ROM utili&adas de esta manera se las conoce como la 061L del po re0"

L!ica pro!rama le tempranaJeditar N editar cdi!oK

En 2F74, 5exas *nstruments desarroll un ;* de m%scara pro!rama le asado en la memoria asociativa de slo lectura (RO%M) de *)M" Este dispositivo, el 5MS9444, era pro!ramado alterando la capa met%lica durante la produccin del ;*" El 5MS9444 ten,a $asta 27 entradas ' 2C salidas con C iesta les ^B como memoria" 5exas *nstruments acu8o el trmino 6ro!ramma le lo!ic arra' para este dispositivo" En 2F7< Dational Semiconductor introdu-o un dispositivo 6L1 de m%scara pro!rama le (#M7373) con 2M entradas ' C salidas sin re!istros de memoria" Este era m%s popular que el de 5exas *nstruments, pero el coste de $acer la m%scara met%lica limita a su uso" El dispositivo es si!nificativo por ser la ase de la =6Q1 ("ield Programmable *ogic %rray) producido por Si!netics en 2F73, el C9S244" En 2F72, Qeneral Electric desarrolla a un 6L# asado en la nueva tecnolo!,a 6ROM" Este dispositivo experimental me-or el RO1M de *)M permitindole reali&ar l!ica multinivel" *ntel aca a a de introducir la 6ROM de puerta flotante orra le por >: por lo que los desarrolladores en Qeneral Electric incorporaron esa tecnolo!,a" El dispositivo de Qeneral Electric

era el primer 6L# -am%s desarrollado, antecesora del E6L# de 1ltera en una dcada" Qeneral Electric o tuvo varias patentes tempranas en 6L#s" En 2F7M, Qeneral Electric firm un acuerdo con Monolit$ic Memories para desarrollar un 6L# de m%scara pro!rama le incorporando las innovaciones de Qeneral" El dispositivo se auti& comoProgrammable %ssociative *ogic %rray (61L1, matri& l!ica asociativa pro!rama le)" El MM* 37O4 fue terminado en 2F7O ' pod,a implementar circuitos multinivel o secuenciales de m%s de 244 puertas" El dispositivo esta a soportado por el entorno de desarrollo de Qeneral, donde las ecuaciones )ooleanas pod,an ser convertidas a patrones de m%scara para confi!urar el dispositivo" El inte!rado nunca se comerciali& ($asta a$ora de ido a lo antes comentado)"

61LJeditar N editar cdi!oK

MM* introdu-o un dispositivo revolucionario en 2F7C, la 6ro!ramma le 1rra' Lo!ic (Matri2 lgica programable)" La arquitectura era m%s sencilla que la =6L1 de Si!netics porque omit,a la matri&OR pro!rama le" Esto $i&o los dispositivos m%s r%pidos, m%s peque8os ' m%s aratos" Esta an disponi les en encapsulados de 94 pines ' #*6 de <44 milsimas de pul!ada, mientras que las =6L1s ven,an en encapsulados de 9C pines ' #*6 de O44 milsimas de pul!ada" ;iertas pu licaciones so re 61Ls desmitifica an el proceso de dise8o" El soft@are de dise8o 61L1SM (P%* %ssembler, ensam lador 61L) convert,a las ecuaciones )ooleanas de los in!enieros en el patrn de fusi les requerido para pro!ramar el dispositivo" Los 61L de MM* pronto fueron distri uidos por Dational Semiconductor, 5exas *nstruments ' 1M#" 5ras el xito de MM* con los 61L de 94 pines, 1M# introdu-o los 99:24 de 9M pines con caracter,sticas adicionales" 5ras comprar a MM* (2FC7), 1M# desarroll una operacin consolidada como :antis, adquirida por Lattice Semiconductor en 2FFF" 5am in $a' 6L1s ( 6ro!ramma le Lo!ic 1rra'"

6L1Jeditar N editar cdi!oK

#efinido en in!ls como( 06ro!ramma le Lo!ic 1rra'0 forma parte de los 6L# simples (S6L#s)" Estos dispositivos fueron los primeros c$ips desarrollados espec,ficamente para implementar circuitos l!icos" ;omo los 61L,anteriormente vistos, disponen de dos planos diferenciados( 1D# ' OR" En este caso, los 6L1 tienen am os planos pro!rama les lo que $ace que su estructura sea ideal para implementar funciones l!icas como sumas de productos, por el contrario $ace que el dispositivo ten!a ma'or tama8o ' menor velocidad" 6or /ltimo existen variantes de este tipo de estructura( Solo plano 1D# o plano OR 6lano 1D# con re!lamentacin 6lano 1D# ' OR con re!lamentacin ;on re!istros o re!istros pro!rama les

Q1LsJeditar N editar cdi!oK

%rt1culo principal+ Qeneric arra' lo!ic

Lattice Q1L 2O:C ' 94:C"

>na innovacin del 61L fue la matri2 lgica gen/rica (3eneric array logic) o 3%*" 1m as fueron desarrolladas por Lattice Semiconductor en 2FC3" Este dispositivo tiene las mismas propiedades l!icas que el 61L, pero puede ser orrado ' repro!ramado" La Q1L es mu' /til en la fase de prototipado de un dise8o, cuando un fallo en la l!ica puede ser corre!ido por repro!ramacin" Las Q1Ls se pro!raman ' repro!raman utili&ando un pro!ramador O61L, o utili&ando la tcnica de pro!ramacin circuital en c$ips secundarios" >n dispositivo similar llamado PEE, (programmable electrically erasable logic o lgica programable el/ctricamente borrable) fue introducido por la *nternational ;MOS

&uncionamiento del 6A,Jeditar N editar cdi!oK

>na Q1L permite implementar cualquier expresin en suma de productos con un n/mero de varia les definidas" El proceso de pro!ramacin consiste en activar o desactivar cada celda E9;MOS con el o -etivo de aplicar la com inacin adecuada de varia les a cada compuerta 1D# ' o tener la suma de productos" Las celdas E9;MOS activadas conectan las varia les deseadas o sus complementos con las apropiadas entradas de las puertas 1D#" Las celdas E9;MOS est%n desactivadas cuando una varia le o su complemento no se utili&a en un determinado producto" La salida final de la puerta OR es una suma de productos" ;ada fila est% conectada a la entrada de una puerta 1D#, ' cada columna a una varia le de entrada o a su complemento" Mediante la pro!ramacin se activa o desactiva cada celda E9;MOS, ' se puede aplicar cualquier com inacin de varia les de entrada, o sus complementos, a una puerta 1D# para !enerar cualquier operacin producto que se desee" >na celda activada conecta de forma efectiva su correspondiente fila ' columna, ' una celda desactivada desconecta la fila ' la columna" celdas se pueden orrar ' repro!ramar elctricamente" >na celda E9;MOS t,pica puede mantener el estado en que se $a pro!ramado durante 94 a8os o m%s" Las macroceldas l!icas de salida (OLM;s) est%n formadas por circuitos l!icos que se pueden pro!ramar como l!ica com inacional o como l!ica secuencial" Las OLM;s proporcionan muc$a m%s flexi ilidad que la l!ica de salida fi-a de una 61L" _?p

;6L#sJeditar N editar cdi!oK

%rt1culo principal+ ;6L#

Las 61Ls ' Q1Ls est%n disponi les slo en tama8os peque8os, equivalentes a unos pocos cientos de puertas l!icas" 6ara circuitos l!icos ma'ores, se pueden utili&ar 6L#s comple-os o;6L#s" Estos contienen el equivalente a varias 61L enla&adas por interconexiones pro!rama les, todo ello en el mismo circuito inte!rado" Las ;6L#s pueden reempla&ar miles, o incluso cientos de miles de puertas l!icas" 1l!unas ;6L#s se pro!raman utili&ando un pro!ramador 61L, pero este mtodo no es mane-a le para dispositivos con cientos de pines" >n se!undo mtodo de pro!ramacin es soldar el dispositivo en su circuito impreso" Las ;6L#s contienen un circuito que descodifica la entrada de datos ' confi!ura la ;6L# para reali&ar su funcin l!ica espec,fica" ;ada fa ricante tiene un nom re propietario para este sistema de pro!ramacin" 6or e-emplo, Lattice Semiconductor la llama In$system programming (6ro!ramacin en el sistema)" Sin em ar!o, estos sistemas propietarios est%n de-ando paso al est%ndar del 4oint Test %ction 3roup (^51Q)"

=6Q1sJeditar N editar cdi!oK

%rt1culos principales+ =6Q1 y =ield pro!ramma le !ate arra'5

Mientras el desarrollo de las 61Ls se enfoca a $acia las Q1Ls ' ;6L#s (ver secciones superiores), apareci una corriente de desarrollo distinta" Esta corriente de desarrollo desem oc en un dispositivo asado en la tecnolo!,a de matri& de puertas ' se le denomin field$ programmable gate array (=6Q1)" 1l!unos e-emplos de las primeras =6Q1s son la matri& C9s244 ' el secuenciador C9S243 de Si!netics, presentados a finales de los 74" El C9S244 era una matri& de trminos 1D#, ' tam in ten,a funciones de iesta le" Las =6Q1s utili&an una re-illa de puertas l!icas, similar a la de una matri& de puertas ordinarias, pero la pro!ramacin en este caso la reali&a el cliente, no el fa ricante" El trmino field$ programmable (literamente programable en el campo) se refiere a que la matri& se define fuera de la f% rica, o 0en el campo0" Las =6Q1s se pro!raman normalmente tras ser soldadas en la placa, en una forma similar a los ;6L#s !randes" En las =6Q1s m%s !randes, la confi!uracin es vol%til ' de e ser reescrita cada ve& que se enciende o se necesita una funcionalidad diferente" La confi!uracin se !uarda normalmente en una 6ROM o EE6ROM" Las versiones EE6ROM pueden ser pro!ramadas mediante tcnicas como el uso de ca les ^51Q" Las =6Q1s ' los ;6L#s son uenas opciones para una misma tarea" 1l!unas veces la decisin so re una u otra es m%s econmica que tcnica, o puede depender de la preferencia personal o experiencia del in!eniero"

Otras variantesJeditar N editar cdi!oK

1ctualmente, existe astante inters en sistemas reconfi!ura les" Estos sistemas se asan en circuitos microprocesadores ' contiene al!unas funciones prefi-adas ' otras que pueden ser alteradas por cdi!o en el procesador" 6ara dise8ar sistemas que se auto+alteren, es necesario que los in!enieros aprendan nuevos mtodos ' que nuevas $erramientas de soft@are se desarrollen"

Las 6L#s que se venden actualmente, contienen un microprocesador con una funcin prefi-ada (el n6cleo) rodeado con dispositivos de l!ica pro!rama le" Estos dispositivos permiten a los dise8adores concentrarse en a8adir nuevas caracter,sticas a los dise8os sin tener que preocuparse de $acer que funcione el microprocesador"

1lmacenamiento de la confi!uracin en las 6L#sJeditar N editar cdi!oK

>na 6L# es una com inacin de un dispositivo l!ico ' una memoria" La memoria se utili&a para almacenar el patrn el que se le $a dado al c$ip durante la pro!ramacin" La ma'or,a de los mtodos para almacenar datos en un circuito inte!rado $an sido adaptados para el uso en 6L#s" Entre estos se inclu'en( antifusi les de silicio" SR1Ms" ;lulas E6ROM o EE6ROM" Memoria flas$"

Los antifusi les de silicio son elementos de almacenamiento utili&ados en las 61L, el primer tipo de 6L#" Estos antifusi les se encar!an de formar conexiones mediante la aplicacin de volta-e en un %rea modificada del c$ip" Se le llama antifusi les porque funcionan de manera opuesta a los fusiles normales, los cuales permiten la conexin $asta que se rompen por exceso de corriente elctrica" Las SR1M, o R1M est%ticas, son un tipo vol%til de memoria, lo que quiere decir que su contenido se pierde cada ve& que se desconectan" Las 6L#s asadas en SR1M t,enen que ser pro!ramadas cada ve& que el circuito se enciende" Qeneralmente esto lo $ace otra parte del circuito" >na clula E6ROM es un transistor MOS (metal+xido+semiconductor) que puede activarse atrapando una car!a elctrica permanentemente en su puerta, cosa que reali&a un pro!ramador 61L" La car!a permanece durante al!unos a8os slo puede ser eliminada exponiendo al c$ip a una lu& ultravioleta fuerte en un dispositivo llamado orrador E6ROM" Las memorias flas$ son no vol%tiles, por lo que retienen sus contenidos incluso cuando se les corta la alimentacin" 6uede ser orradas ' repro!ramadas tanto como sea necesario, lo que las $ace /tiles para las memorias 6L#" 1 partir de 9443, la ma'or,a de las ;6L#s son del tipo EE6ROM ' no vol%tiles" Esto se de e a que son demasiado peque8as para -ustificar lo poco conveniente que es la pro!ramacin interna de celdas SR1M cada ve& que se inician, ' lo costoso de las clulas E6ROM de ido a su encapsulado cer%mico con una ventana de cuar&o"

Len!ua-es de pro!ramacin de 6L#sJeditar N editar cdi!oK

:arios dispositivos de pro!ramacin de 61Ls admiten la entrada mediante un formato est%ndar de arc$ivo, denominados com/nmente como Warc$ivos ^E#E;W" Son an%lo!os a los compiladoressoft@are" Los len!ua-es utili&ados como cdi!o fuente para compiladores l!icos se denominan len!ua-es de descripcin de $ard@are (L#Ls)"

61L1SM ' 1)EL se utili&an frecuentemente para dispositivos de a-a comple-idad, mientras que :erilo! ' :L#L son len!ua-es de descripcin de $ard@are de alto nivel mu' populares para dispositivos m%s comple-os" El m%s limitado 1)EL se usa normalmente por ra&ones $istricas, pero para nuevos dise8os es m%s popular :L#L, incluso para dise8os de a-a comple-idad"