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Captulo 2 Organizacin Atmica 1.2. Celdas Unitarias Parmetros Reticulares 1.2.1. Celdas Unitarias
La estructura atmica influye en la forma en que los tomos se unen entre s; esto adems nos ayuda a comprender la clasificacin de los materiales como metales, semiconductores, cermicos y polmeros y nos permite llegar a ciertas conclusiones generales referentes a propiedades mecnicas y comportamiento fsico de estas cuatro clases de materiales. La estructura electrnica del tomo, que queda descrita por cuatro nmeros cunticos ayuda a determinar la naturaleza de los enlaces atmicos y las propiedades fsicas y mecnicas de los materiales. a) Enlace metlico: encontrado en los metales, los electrones de valencia se mueven con facilidad, en consecuencia, los metales son dctiles y tienen alta conductividad elctrica y trmica. b) El enlace covalente se encuentra en muchos materiales cermicos, semiconductores y polmeros. Requiere que los tomos compartan electrones de valencia, los enlaces son fuertes y altamente direccionales, haciendo que estos materiales sean frgiles y tengan baja conductividad elctrica y trmica. c) El enlace inico encontrado en muchos cermicos se produce cuando un tomo muy electropositivo dona un electrn a otro muy electronegativo generando un anin y un catin que se unen electrostticamente. Al igual que los materiales enlazados covalentemente, estos tienden a ser frgiles y malos conductores. d) Fuerzas de Van der Waals unen principalmente a molculas que tienen una distribucin desigual de cargas o estn polarizadas. Son de naturaleza electrosttica y se encuentran en polmeros termoplsticos. La energa de unin est relacionada con la fuerza de los enlaces y es alta en materiales unidos en forma inica o covalente. Los materiales con energa de unin alta normalmente tienen: Alta temperatura de fusin Alto mdulo de elasticidad Bajo coeficiente de expansin trmica.

Estructura Cristalina El arreglo de los tomos juega un papel importante en la microestructura, comportamiento y propiedades de un material slido.

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En los metales, algunas disposiciones atmicas permiten una excepcional ductilidad, mientras que otras una gran resistencia. Algunas propiedades fsicas de las cermicas dependen de el arreglo atmico. Los transductores usados para producir una seal elctrica en un estreo deben a su estructura cristalina la capacidad de producir cadas de carga permanente en el material. Los diferentes comportamientos exhibidos por los polmeros como: gomas, plsticos y resinas epxicas dependen de las diferencias en los arreglos atmicos. En este captulo se describirn los arreglos atmicos tpicos que se encuentran en los materiales slidos perfectos, as como tambin la nomenclatura para designar dichos arreglos. Una vez conocidos estos aspectos, se estar preparado para entender como las imperfecciones que existen en los slidos juegan un papel importante en la comprensin de la deformacin y cambios que sufren muchos materiales. Si en un material slido se desprecian las imperfecciones (suponindolo perfecto), pueden encontrarse tres formas de arreglo atmico: Sin ordenamiento: como por ejemplo en los gases nobles en donde los tomos se ubican al azar llenando completamente el espacio donde se encuentran confinados. Ordenamiento corto: es caracterstico de los materiales que presentan arreglos atmicos que se extienden desde un tomo en cuestin hasta su vecino ms cercano. Por ejemplo en el vapor de agua el tomo de oxgeno est enlazado covalentemente a dos tomos de hidrgeno y fuera del sistema que compone una molcula de agua no existe un arreglo especfico. Este tipo de arreglo es caracterstico de polmeros y vidrios. En el polietileno es una cadena carbonada donde cada tomo de carbono est unido a dos de hidrgeno. Un caso similar es el vidrio en el cual cuatro tomos de oxgeno se unen a uno de silicio. Estos materiales son considerados amorfos porque muestran buena resistencia y tenacidad adems de comportamiento quebradizo. Adems se caracterizan por poseer un arreglo atmico regular y predecible slo en una corta distancia (uno o dos espacios atmicos). Ordenamiento largo: est presente en metales, cermicas, semiconductores y algunos polmeros. En estos materiales, el arreglo se extiende a travs de todo el material. Los tomos forman un patrn regular y repetitivo llamado retculo. Un retculo est conformado por un conjunto de puntos o tomos llamados puntos reticulares los cuales se localizan ordenados siguiendo un patrn peridico, de manera que cada retculo est rodeado por otros retculos idnticos. Los retculos varan de un material a otro tanto en tamao como en forma dependiendo del tamao de los tomos y de los enlaces entre ellos. La estructura cristalina de un material se refiere al tamao, forma y ordenamiento de los tomos en el retculo.

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Celda Unitaria: es la subdivisin del retculo cristalino que retiene todas las caractersticas del mismo. Existen 14 tipos de celdas unitarias contenidas en siete estructuras cristalinas o redes de Bravais. Los puntos reticulares se sitan en las esquinas de la celda y en algunos casos en los centros de las caras o en el centro de la misma celda. Una celda unitaria queda denotada completamente por los parmetros reticulares. Los parmetros reticulares definen el tamao y la forma de una celda unitaria. Estos incluyen las dimensiones de los lados de la celda y el ngulo entre ellos. Por ejemplo, para la celda unitaria cbica simple. El parmetro reticular es la longitud de uno de sus lados (ao). El ngulo y las dems aristas estn sobreentendidos. Esta longitud se expresa en angstroms o nanmetros. Celdas unitarias ms complejas requieren un mayor nmero de parmetros reticulares para ser descritas. Por ejemplo, una celda unitaria ortorrmbica debe especificarse con tres parmetros reticulares que son las dimensiones de los tres lados. Principales estructuras cristalinas metlicas: La mayora de los metales elementales alrededor del 90%, cristalizan en tres estructuras cristalinas densamente empaquetadas: Cbica centrada en el cuerpo BCC Cbica centrada en las caras FCC Hexagonal compacta HCP La razn de que se presenten este tipo de estructuras es que los ordenamientos compactos poseen menos energa. A continuacin se analizarn las tres estructuras cristalinas. Estructura cbica centrada en el cuerpo BCC En esta celda el tomo central se encuentra rodeado de 8 vecinos ms cercanos y se dice que tiene un nmero de coordinacin de 8. Si se asla la celda unidad de esferas rgidas obtendremos una celda con un equivalente de 2 tomos por celda. 1 tomo en el centro + 1/8 de esfera por cada vrtice Si consideramos los tomos como esferas rgidas el factor de empaquetamiento atmico o la fraccin de volumen ocupada por los tomos en la celda unidad est definido por:

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Nro de tomos Volumen de cada tomo celda Factor de empaquetamiento = Volumen de la celda Para la celda BCC:
4 Vatomos = 2 R 3 = 8,373R 3 3 4R 3 Vcelda = a = = 12,32 R 3 8,373R 3 Factor de empaquetamiento= = 0, 68 12,32 R 3
3 3

Estructura cbica centrada en las caras FCC En esta celda hay un punto reticular en cada vrtice del cubo y uno en el centro de cada cara del cubo. Figura FCC Una celda FCC tiene 4 tomos por celda unidad:

1 1 8 en cada vertice + 6 en cada cara 8 2 La relacin entre el radio y el parmetro de red es a = 4R 2

El factor de empaquetamiento es 0,74 y representa el mximo posible para tomos esfricos.

Estructura hexagonal compacta HCP

Esta celda posee un factor de empaquetamiento de 0,74 igual que FCC. En esta estructura cada tomo est rodeado de 12 tomos, por lo que el nmero de coordinacin es 12. La celda unidad HCP tiene dos tomos asociados a cada punto reticular: uno en cada vrtice y otro centrado dentro de cada celda. De esta manera se tienen
1 1 1 4 atomos centrados en la celda + 4 atomos en los vertices agudos + 4 en los vertices obtusos=2 at por celda 2 2 6

La estructura HCP est integrada por 3 celdas para dar un total de 6 at. La relacin c/a ideal es aquella que resulte de esferas tan prximas como sea posible y vale 1,633.

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La densidad terica de un metal se puede calcular usando las propiedades de la estructura cristalina:
N atomos masa atomos 1 at-g atomos at-g atomos 6, 024 1023 atomos Volumen celda

masa celda = Volumen celda

Transformaciones alotrpicas o polimrficas

Los materiales que pueden tener ms de una estructura cristalina se llaman alotrpicos o polimrficos. El trmino alotropa se reserva para este comportamiento en elementos puros, mientras que polimorfismo es ms general. En la tabla se ve como el hierro y el titanio pueden tener ms de una estructura cristalina; a bajas temperaturas el hierro es BCC pero a temperaturas ms altas se convierte en FCC. Muchos cermicos como el SiO2 son polimrficos. La transformacin puede venir acompaada de un cambio de volumen durante el calentamiento o enfriamiento. De no estar controlada correctamente, este cambio har que el material se agriete y falle.

Figura 12 Celdas Unitarias comunes (Askeland, 1998)

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Figura 13 Tipos de Celdas Unitarias (Askeland, 1998)

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Figura 14 Parmetros reticulares (Callister, 2001)

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Figura 15

Figura 16 Estructura cbica centrada en las caras (Callister, 2001)

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Figura 17 Estructura cbica centrada en el cuerpo (Callister, 2001)

Figura 18 Estructura hexagonal compacta (Callister, 2001) Tabla 6 Parmetros reticulares de metales (Askeland, 1998)

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Puntos, direcciones y planos en una celda unitaria: Coordenadas de puntos: se emplean para localizar las posiciones de los tomos en la red o dentro de la celda unitaria. La distancia se mide en parmetros de red usando un sistema cartesiano. Direcciones en la celda: Algunas direcciones son de particular importancia. Los metales se deforman a lo largo de aquellas direcciones a travs de las cuales los tomos estn en contacto ms estrecho. Estas direcciones se abrevian usando los ndices de Miller. El procedimiento es el que sigue:

1. Usando el sistema de coordenadas ubique dos puntos que estn contenidos en esa direccin. 2. Preste a las coordenadas del punto final las del inicial. 3. Reduzca las fracciones o resultados obtenidos a mnimos enteros, encierre los tres nmeros entre corchetes y de haber algn negativo colquelo como una barra sobre el nmero. Los ndices de Miller para las direcciones tienen las siguientes caractersticas: 1. Una direccin y su negativo no son iguales, representan una misma lnea con direcciones opuestas. 2. Una direccin y sus mltiplos son idnticas slo falto reducirlas a sus mnimos enteros. 3. Ciertos grupos de direcciones son equivalentes. Sus ndices particulares dependen de cmo se construyen las coordenadas. Estas pueden representarse como familias de direccin encerrados entre parntesis angulares. La densidad lineal es el nmero de puntos de red por unidad de longitud a lo largo de una direccin. Tambin podra calcularse el factor de empaquetamiento lineal en una direccin particular, es decir, la fraccin verdaderamente cubierta por tomos.

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Fraccin de empaquetamiento lineal = densidad lineal * Longitud ocupada por los tomos en la direccin
Planos en la celda unitaria: algunos planos de tomos son significativos. Los metales se deforman a lo largo de los planos de empaquetamiento ms compacto. La determinacin de los ndices de Miller se hace de la siguiente manera:

1. Identifique los puntos en los cuales el plano interseca los ejes coordenados. Si el plano pasa a travs del origen el origen debe moverse. 2. Tome los recprocos de las intersecciones. 3. Elimine las fracciones pero no reduzca a mnimos enteros. 4. Encierre los nmeros resultantes entre parntesis ( ). Los nmeros negativos se escriben con una barra. En relacin a los ndices de Miller de los planos es importante: 1. Los planos y sus negativos son idnticos. 2. Los planos y sus mltiplos no son idnticos. Para demostrar lo anterior se recurre a la densidad planar: es el nmero de tomos por unidad de superficie cuyo centro est sobre el plano. De la misma forma, la fraccin de empaquetamiento, es el rea sobre el plano cubierta por tomos. 3. Para una celda unitaria los planos de una familia se representan encerrndolos entre llaves { }
ndices de Miller para celdas unitarias hexagonales: El sistema usa cuatro ejes en lugar de tres con un eje redundante. El procedimiento para localizar los ndices de los planos requiere cuatro intersecciones. Comportamiento isotrpico y anisotrpico

Un material es anisotrpico si el valor de las propiedades depende de la direccin cristalogrfica a lo largo de la cual se mide la propiedad. Por el contrario, si el valor de la propiedad es el mismo en todas las direcciones en las que se mide, el material es isotrpico. Distancia interplanar: la distancia entre dos planos de tomos, paralelos y adyacentes con los mismos ndices de Millar se conoce como distancia interplanar. La distancia interplanaar para materiales cbicos est dada por:
d hkl = ao h + l2 + k2
2

En donde ao es el parmetro de red y h, l, k, representan los ndices de Millar de los planos adyacentes considerados.
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Sitios intersticiales

En cualquiera de las estructuras que han sido descritas, existen pequeos huecos entre los tomos de la red que pueden ser ocupados por tomos ms pequeos. Estos espacios se conocen como sitios intersticiales. El tomo intersticial tiene un nmero de coordinacin igual al nmero de tomos que toca. Existe el sitio cbico con un nmero de coordinacin de 8, el tetradrico con nmero de coordinacin de 4 y el octadrico con nmero de coordinacin de 6.
Difraccin de rayos X ( 0,5 y 2,5 angstrom)

Cuando un haz monocromtico con una longitud de onda del mismo orden de magnitud que los espacios interatmicos del material golpea al mismo se produce la dispersin de la mayor parte de la radiacin. Sin embargo, los rayos x que golpean los planos cristalogrficos en ngulos especficos se ven reforzados en vez de eliminados. Este refuerzo ocurre siempre que las condiciones satisfagan la Ley de Bragg
sen( ) =

2d hlk

es la mitad del ngulo de difraccin, es la longitud de onda de los rayos empleados, dhlk es la distancia interplanar del refuerzo constructivo del haz. Cuando el material se prepara en forma de polvo fino, siempre habrn algunas partculas de polvo cuyos planos h, k, l, queden orientados en el ngulo para satisfacer la ley de Bragg. En un difractmetro, un detector mvil de rayos x registra los ngulos 2 , dando un patrn caracterstico de difraccin. Para identificar la estructura cristalina de un material cbico: sen(2 ) =

2
4ao
2

(h

+ k2 + l2 )

En los cbicos simples: h 2 + k 2 + l 2 1, 2, 3, 4, 5, 6, 8 En los cbicos centrados en el cuerpo: h 2 + k 2 + l 2 2, 4, 6 En los cbicos centrados en las caras: h 2 + k 2 + l 2 3, 4, 8, 11, 12, 16 BCC (1 1 0) y (2 0 0)

sen 21 = 0,5 sen 2 2

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FCC (1 1 1) y (2 0 0)

sen 21 = 0, 75 sen 2 2

Figura 19 Puntos, direcciones y planos en la celda unitaria

Figura 20 Familia de planos {100} {110}

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Figura 21 La secuencia de apilamiento ABCABCABC de los planos compactos produce la estructura FCC

Figura 22 Planos compactos de la estructura BCC

Figura 23 La secuencia de apilamiento ABABAB de planos compactos produce la estructura HCP

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1.2.2. Sitios instersticiales

Figura 24 Localizacin de los sitios intersticiales en celdas unitarias cbicas, solo se muestran sitios representativos

Figura 25 Sitios intersticiales: Izq. Tetradrico. Der. Octadrico. (Mitchell, 2004)

Figura 26 Localizacin de los sitios intersticiales en FCC (Mitchell, 2004) Tabla 7 Nmero de coordinacin y correlacin de radio en sitios intersticiales (Askeland, 1998)

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1.2.3. Celdas unitarias de materiales cermicos y polimricos

Figura 27 Estructura del cloruro de sodio, una celda unitaria CCC con dos iones (Na+ + Cl-) por punto de red

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Figura 28 Izq. La estructura cristalina de espinel del MgAl2O4. Der. La estructura cristalina de perovsquivita del CaTiO3 Tabla 8 Algunas estructuras inicas simples y sus correspondientes nmeros de coordinacin

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Figura 29 (a) Celda unitaria tetradrica y (b) estructura cbica de diamante (blenda de zinc).

Figura 30 Los tetraedros de silicio-oxgeno y su combinacin para formar la cristobalita del slice

Figura 31 Izq. Estructura del cuarzo, mostrando la red tridimensional de tetrahedros de SiO4. Der. Vista superior de una estructura laminar de silicato que resulta de la unin de tres vrtices del tetraedro de SiO4.

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(A)

(B)

(C)
Figura 32 Estructura del polietileno. (A) Celda unitaria del polietileno cristalino. (B) Vista superior. (C) Microfotografia de cristales de polietileno

Figura 33 Izq. Representacin esquemtica de ordenamiento de cadenas que llevan a la formacin de cristales lquidos y arreglos de cristales que forman esferulitas. Der. Microfotografa de polarizadores cruzados de polietileno mostrando la estructura esferultica.

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1.2.4. Ley de Bragg

Figura 34 Ley de Bragg:Izq. Difraccin de luz lser. Der. ngulo de difraccin y distancia entre planos

Figura 35 Densidad de materiales (Mitchell, 2004)

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