Fsica de semiconductores

La Fsica de Semiconductores es el conjunto de teoras y modelos que explican el comportamiento de los semiconductores, bajo diversas condiciones. Sin embargo gran parte de los semiconductores son estudiados en Fsica del estado slido.

Tabla de contenidos

1 Primeras observaciones !ontaminacin o dopaje " !onduccin el#ctrica

o

".1 Portadores de cargas

Primeras observaciones
$ic%ael Faraday descubri que el sul&uro de plata tiene un coe&iciente negativo de resistencia. 'n 1(") *. '. +ecquerel observ un &otovoltaje al alumbrar un electrodo de un electrolito. ,. Smit%, en 1.(-", advirti que la resistencia del selenio disminuye al iluminarlo. 'n 1(-., F. +raun descubri que la resistencia de los contactos entre metales y pirirtas de galena depende de la tensin aplicada sobre ellos/ *. Sc%uster observ algo similar en super&icies pulidas y no pulidas en cables de cobre. 'n 1.(-0, ,. 1. *dams y 2. '. 3ay construyen la primer &otoc#lula, y !. '. Fritts presenta el primer recti&icador con selenio. 'n la d#cada de 1)"4, '. 5. 5all descubre que la cantidad de portadores de carga el#ctrica en los semiconductores es muc%o menor que en los metales, aunque a di&erencia de #stos, aumentan r6pidamente con la temperatura, y tambi#n que en los semiconductores tienen muc%a mayor movilidad. 7ambi#n observ que en algunos casos los portadores eran negativos y en otros positivos.

Contaminacin o dopaje
Los semiconductores en s no presentan propiedades pr6cticas, por esto se los contamina para darles alguna propiedad especial, como alterar la probalilidad de ocupacin de las bandas de energa, crear centros de recombinacin, y otros. Por ejemplo, en un cristal de silicio o de germanio, dopado con elementos pentavalentes 8*s, P o Sb9/ al tener #stos elementos : electrones en la ;ltima capa, resultar6 que al &ormarse la estructura cristalina, el quinto electrn no estar6 ligado en ning;n enlace covalente, encontr6ndose, a;n sin estar libre, en un nivel energ#tico superior a los cuatro restantes. Si consideramos el e&ecto de la temperatura, observaremos que a%ora, adem6s de la &ormacin de pares e<%, se liberar6n tambi#n los electrones no enla=ados, ya que la energa necesaria para liberar el electrn excedente es del orden de la cent#sima parte de la correspondiente a los electrones de los enlaces covalentes 8en torno a 4,41 e>9.

*s, en el semiconductor aparecer6 una mayor cantidad de electrones que de %uecos/ por ello se dice que los electrones son los portadores mayoritarios de la energa el#ctrica y puesto que este excedente de electrones procede de las impure=as pentavalentes, a #stas se las llama donadoras. *;n siendo mayor n que p, la ley de masas se sigue cumpliendo, dado que aunque aparentemente slo se aumente el n;mero de electrones libres, al %acerlo, se incrementa la probabilidad de recombinacin, lo que resulta en un disminucin del n;mero de %uecos p, es decir? ?n @ ni A pi @ p, tal que? nBp A niC Por lo que respecta a la conductividad del material, #sta aumenta enormemente, as, por ejemplo, introduciendo slo un 6tomo donador por cada 1444 6tomos de silicio, la conductividad es .144 veces mayor que la del silicio puro. 'n cambio si se %a dopado con elementos trivalentes 8*l, +, 1a o Dn9, las impure=as aportan una vacante, por lo que se las denomina aceptoras 8de electrones, se entiende9. *%ora bien, el espacio vacante no es un hueco como el &ormado antes con el salto de un electrn, si no que tiene un nivel energ#tico ligeramente superior al de la banda de valencia 8del orden de 4,41 e>9.

'n este caso, los electrones saltar6n a las vacantes con &acilidad dejando %uecos en la banda de valencia en mayor n;mero que electrones en la banda de conduccin, de modo que a%ora son los %uecos los portadores mayoritarios. *l igual que en el caso anterior, el incremento del n;mero de %uecos se ve compensado en cierta medida por la mayor probabilidad de recombinacin, de modo que la ley de masas tambi#n se cumple en este caso? 'nerga de ioni=acin para impure=as en el silicio Etomo

Fs&oro *stato *ntimonio +ismuto +oro *luminio 1alio Dndio 7alio Finc

4.4.. 4.4.) 4.4") 4.404.4.: 4.4:4.40: 4.10 4. 0 4.:: 4."1 4..) 4. . 4.:. 4.": 4.:: 4..4 4.:" 4.4""

3 3 3 3 * * * * * * * * * * 3 3 3 3 3

!obre

Gro

5ierro $n Litio HeditarI

Conduccin elctrica
3ebido a que la banda que e&ectivamente conduce es la que est6 casi vaca o casi llena, la poca densidad de los portadores de carga en el seno del cristal %ace que se comporten como un gas cl6sico o maxJeliano.

Portadores de cargas
'n un cristal %ay dos clases de portadores de carga? electrones y %uecos. Si bien estos ;ltimos son &icticios, ya que resultan de un estado vacante en la banda de valencia, esta condicin no invalida los modelos. Sin entrar en detalles, un semiconductor presenta dos tipos de corriente el#ctrica?

!orriente de conduccin? debida a un campo el#ctrico. !orriente de di&usin? debida a la di&erencia de concentracin de portadores.

Gbtenido de K%ttp?LLes.JiMipedia.orgLJiMiLFN!"N*3sicaOdeOsemiconductoresK