2.

- Semiconductores: Para comprender cmo funcionan los diodos, transistores y circuitos integrados es necesario estudiar los materiales semiconductores: materiales que no se comportan ni como conductores ni como aislantes. Los semiconductores poseen algunos electrones libres, pero lo que les confiere un carcter especial es la presencia de huecos. La estructura de los semiconductores es monocristalina, igual que la de los materiales aislantes. Entre los materiales semiconductores, los ms utilizados en electrnica son el silicio y el germanio. El silicio es un elemento abundante en la naturaleza, y su coste es bajo, aunque resulta encarecido por el proceso de purificacin al que se debe ser sometido. tros semiconductores son elementos compuestos, como el arseniuro de galio, el fosfuro de indio o el sulfuro de plomo. 2.1.- Conductores: El cobre es un buen conductor. La razn es e!idente si se tiene en cuenta su estructura atmica, como se !e en la figura adjunta. El n"cleo o centro del tomo contiene #$ protones %cargas positi!as&. 'uando un tomo de cobre tiene una carga neutra, #$ electrones %cargas negati!as& circulan alrededor del n"cleo, como los planetas alrededor del (ol.

)igura *. +tomos de cobre 2.1.1.- rbitas estables El n"cleo positi!o en la figura * atrae los electrones orbitales. ,stos no caen hacia el n"cleo debido a la fuerza centr-fuga %hacia fuera& creada por su mo!imiento orbital. 'uando un electrn se halla en una rbita estable, la fuerza centr-fuga equilibra e.actamente la atraccin el/ctrica ejercida por el n"cleo. La fuerza centr-fuga es menor en los electrones ms lentos. Los electrones de las rbitas ms alejadas del centro se mue!en a menor !elocidad que los electrones de las rbitas ms cercanas. (e necesita menos fuerza centr-fuga para contrarrestar la atraccin del n"cleo. 2.1.2.- La parte interna del tomo y el electrn libre 'omo se puede apreciar en la figura *, el n"cleo y los electrones de rbitas internas son de poco inter/s en el estudio de la electrnica. 0uestro inter/s estar puesto en la rbita e.terior, tambi/n llamada rbita de valencia. Es esta rbita e.terior la que determina las propiedades el/ctricas del tomo. Para subrayar la importancia de la rbita e.terior, se define la parte interna %core) de un tomo como el n"cleo ms todas las rbitas internas. Para un tomo de cobre, la parte interna es el n"cleo %1#$& y las tres primeras rbitas %2 #3&.

La parte interna de un tomo de cobre tiene una carga resultante de 1*, porque tiene #$ protones y #3 electrones internos. 'omo el electrn de !alencia se encuentra en una rbita e.terior alrededor de la parte interna con una carga resultante de 1*, la atraccin que sufre este electrn es muy peque4a. 'omo la atraccin es tan d/bil, este electrn recibe el nombre de electrn libre. 2.1.3.- Idea principal La idea ms importante que debemos recordar acerca de un tomo de cobre es /sta: como el electrn de !alencia es atra-do muy d/bilmente por la parte interna, una fuerza e.terna puede arrancar fcilmente este electrn libre del tomo. 5 ello se debe que el cobre sea buen conductor. 5un la tensin ms peque4a puede hacer que los electrones libres de un conductor de cobre se mue!an de un tomo al siguiente. Los mejores conductores %plata, cobre y oro& tienen un "nico electrn de !alencia. 2.2.- Aislantes el ctricos 6na !ez !isto los conductores repasemos los aislantes para entender la posicin intermedia de los semiconductores. El aislante perfecto para las aplicaciones el/ctricas ser-a un material absolutamente no conductor, pero ese material no e.iste. Los materiales empleados como aislantes siempre conducen algo la electricidad, pero presentan una resistencia al paso de corriente el/ctrica hasta #,7 8 *9#: !eces mayor que la de los buenos conductores el/ctricos como la plata o el cobre. Estos materiales conductores tienen un gran n"mero de electrones que pueden transportar la corriente; los buenos aislantes apenas poseen estos electrones. 5lgunos materiales, como el silicio o el germanio, que tienen un n"mero limitado de electrones libres, se comportan como materiales semiconductores, tratados en este aparyado del trabajo. 2.3.- Semiconductores: !strucura atmica del silicio y del "ermanio El tomo, como hemos !isto antes, est constituido por un n"cleo rodeado de electrones. El n"cleo atrae a los electrones, pues tiene una carga positi!a, pero, gracias a la fuerza centr-fuga, el electrn se mue!e en una rbita estable. <asndonos en la teor-a de <ohr y (ommerfeld sobre la estructura atmica, analizaremos la distribucin de protones, electrones y neutrones en los tomos del silicio y del germanio. 2.3.1.- !l "ermanio El germanio es un ejemplo de semiconductor. En la figura # se muestra un tomo de germanio. En el centro se halla un n"cleo con =# protones. En este caso los electrones se distribuyen como sigue: # electrones en la primera rbita, 3 en la segunda y *3 en la tercera. Los "ltimos : electrones se localizan en la rbita e.terior o de !alencia.

)igura #. +tomo de germanio

)igura #.*. +tomo de silicio

2.3.2.- !l silicio El material semiconductor ms ampliamente utilizado es el silicio. 6n tomo aislado de silicio tiene *: protones y *: electrones. 'omo puede apreciarse en la figura #.*, la primera rbita contiene # electrones, y la segunda contiene 3. Los : electrones restantes se hallan en la rbita e.terior. En la figura #.*, el n"cleo y las dos primeras rbitas constituyen la parte interna del tomo de silicio. Esta parte interna tiene una carga resultante de 1: debido a los *: protones en el n"cleo y los *9 electrones de las dos primeras rbitas. bs/r!ese que hay : electrones en la rbita e.terior o de !alencia; por este moti!o, el silicio es un semiconductor. 2.3.2.1.- Cristales de silicio 'uando los tomos de silicio se combinan para formar un slido, lo hacen formando una estructura ordenada llamada cristal. 'ada tomo de silicio comparte sus electrones de !alencia con los tomos de silicio !ecinos, de tal manera que tiene 3 electrones en la rbita de !alencia, como se muestra en la figura =. 'uando un tomo posee 3 electrones en su rbita de !alencia, como se aprecia aqu-, se !uel!e qu-micamente estable. Los c-rculos sobreados representan las partes internas del silicio. 5unque el tomo central ten-a originalmente : elctrones en su rbita de !alencia, ahora tiene 3 electrones en esa rbita. 2.3.2.2.- !nlaces co#alentes 'ada tomo !ecino comparte un electrn con el tomo central. >e esta forma, el tomo central parece tener : electrones adicionales, sumando un total de 3 electrones en su rbita de !alencia. En realidad, los electrones dejan de pertenecer a un slo tomo, ya que ahora estn compartidos por tomos adyacentes. En la figura anterior, cada parte interna presenta una carga de 1:. Podemos obser!ar la parte interna central y la que est a su derecha. Estas dos partes mantienen el par de electrones entre ellas atray/ndolos con fuerzas iguales y opuestas. Este equilibrio entre las fuerzas es el que mantiene unidos a los tomos de silicio. La idea es similar a la del juego de tirar de la cuerda. ?ientras los equipos tiren con fuerzas iguales y opuestas, permanecern unidos. 'omo cada uno de los electrones compartidos en la figura = est siendo atra-do en direcciones opuestas, el electrn constituye un enlace entre las partes internas opuestas. 5 este tipo de enlace qu-mico se el da el nombre de enlace covalente. En un cristal de

silicio hay miles de millones de tomos de silicio, cada uno con 3 electrones de !alencia. Estos electrones de !alencia son los enlaces co!alentes que mantienen unido el cristal, dndole solidez.

)igura =. Enlaces co!alentes 2.$.- Las bandas de ener"%a 5dems de la ya mencionada banda de valencia, la f-sica cuntica e.plica que los electrones estn distribuidos en diferentes capas y subni!eles alrededor del n"cleo. >istinguimos: . <anda saturada: Es la banda o ni!el ms pr.imo al n"cleo. Los electrones de esta banda apenas tienen mo!ilidad. . <anda de !alencia: Est ms separada del n"cleo y, en ella, los electrones son semilibres. . <anda de conduccin: Es la zona ms alejada del n"cleo y, en ella, los electrones tienen la suficiente energ-a para mo!erse por el cuerpo. Estas bandas estn definidas por su radio, y estan separadas por bandas prohibidas donde los electrones no pueden !iajar, aunque tu!iesen la energ-a suficiente. un material conductor tiene solapadas las bandas de !alencia y de conduccin y, en cambio, un material aislante tiene una gran separacin entre ambas bandas. Puede deducirse que en un material semiconductor e.iste una separacin entre ambas bandas inferior a la de un material aislante. 0ormalmente, la separacin entre la banda de conduccin y de !alencia en un material semiconductor es de *e@. Para que los electrones realicen el salto de una capa a otra requieren de una aportacin de energ-a, traducible a un incremento de temperatura. Los semiconductores intr-nsecos son aislantes perfectos a la temperatura del cero absoluto %2#AB C'&. En el cero absoluto, la banda de conduccin del semiconductor estar !ac-a y no podr e.istir ninguna corriente. 5 medida que aumente la temperatura, se irn rompiendo enlaces co!alentes, y algunos electrones de la banda de !alencia pasarn a la conduccin. 5 la temperatura ambiente %#7C'&, el silicio se comporta como un semiconductor: no es ni buen aislante, ni buen conductor. 2.&.- Comportamiento el ctrico El n"cleo atrae a los electrones, por tanto para que un electrn !aya de una rbita peque4a a una ms grande debe efectuar un trabajo para no ser atra-do por el n"cleo. 5s-, los electrones ms alejados del n"cleo poseern ms energ-a potencial. 'uando un electrn salta de la banda de !alencia a la de conduccin, se libera del enlace co!alente y se con!ierte en un portador de carga; as- facilita la conduccin de la corriente. El electrn que salta deja un hueco %carga positi!a&, que ser rellenado por un electrn que pertenezca a un tomo pr.imo. Ese hueco ser rellenado por otro electrn y assucesi!amente.

2.'.- Semiconductores intr%nsecos 6n semiconductor intr-nseco es un semiconductor puro. 6n cristal de silicio es un semiconductor intr-nseco si cada tomo del cristal es un tomo de silicio. 5 temperatura ambiente, un cristal de silicio se comporta ms o menos como un aislante, ya que tiene solamente unos cuantos electrones libres y sus huecos producidos por e.citacin t/rmica. 2.'.1.- (lu)o de electrones libres La figura : muestra parte de un cristal de silicio entre dos placas metlicas cargadas. (upngase que la energ-a t/rmica ha producido un electrn libre y un hueco. El electrn libre se halla en una rbita grande en el e.tremo derecho del cristal. >ebido a la placa cargada negati!amente, el electrn libre es repelido hacia la izquierda. Este electrn puede pasar de una rbita grande a la siguiente hasta alcanzar la placa positi!a.

)igura :. )lujo de huecos 2.'.2.- (lu)o de *uecos bs/r!ese el hueco a la izquierda de la figura :. Este hueco atrae al electrn de !alencia del punto 5, lo que pro!oca que el electrn de !alencia se mue!a hacia el hueco. Esta accin no es la misma que la recombinacin, en la cual un electrn libre, cae en un hueco. En !ez de un electrn libre se tiene un electrn de !alencia mo!i/ndose hacia un hueco. 'uando el electrn de !alencia en el punto 5 se mue!e hacia la izquierda, crea un nue!o hueco en el punto 5. El efecto es el mismo que si el hueco original se desplazara hacia la derecha. El nue!o hueco en el punto 5 puede atraer y capturar otro electrn de !alencia. >e esta forma los electrones de !alencia pueden desplazarse a lo largo de la trayectoria indicada por las flechas. Esto quiere decir que el hueco se puede mo!er en el sentido opuesto a lo largo de la trayectoria 52<2'2>2E2). 2.+.- ,os tipos de -lu)o La figura :.* muestra un semiconductor intr-nseco. bs/r!ese que tiene el mismo n"mero de electrones libres que de huecos. Esto se debe a que por accin de la energ-a t/rmica se producen los electrones libres y los huecos por pares. La tensin aplicada forzar a los electrones libres a circular hacia la izquierda y a los huecos hacia la derecha. 'uando los electrones libres llegan al e.tremo izquierdo del cristal, entran al conductor e.terno y circulan hacia el terminal positi!o de la bater-a. Por otra parte, los electrones libres en el terminal negati!o de la bater-a fluirn hacia el e.tremo derecho del cristal. En este punto, entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al e.tremo derecho del cristal. 5s-, se produce un flujo estable de electrones libres y huecos dentro del semiconductor.

)igura :.*. (emiconductor intr-nseco En la figura :.*, los electrones libres y los huecos se mue!en en direcciones opuestas. 5 partir de ahora concebiremos la corriente en un semiconductor como el efecto combinado de los dos tipos de flujo: el de los electrones libres en una direccin y el de los huecos en direccin opuesta. Los electrones libres y los huecos reciben a menudo la denominacin com"n de portadores debido a que transportan la carga el/ctrica de un lugar a otro. 2...- ,opado de un semiconductor: Semiconductores e/tr%nsecos 6na forma de aumentar la conducti!idad de un semiconductor es mediante el dopado. El dopado supone que deliberadamente se a4adan tomos de impurezas a un cristal intr-nseco para modificar su conducti!idad el/ctrica. 6n semiconductor dopado se llama semiconductor e.tr-nseco. 2...1.- Aumento del n0mero de electrones libres 5 continuacin comentaremos el proceso de dopado de un cristal de silicio. El primer paso consiste en fundir un cristal puro de silicio para romper los enlaces co!alentes y cambiar el estado dels silicio de slid. 'on el fin de aumentar el n"mero de electrones libres, se a4aden tomos penta!alentes al silicio fundido. Los tomos penta!alentes tienen 7 electrones en la rbita de !alencia. El ars/nico, antimonio y el fsforo son ejemplos de tomos penta!alentes. 'omo estos materiales donarn un electrn e.tra al cristal de silicio se les conoce como impurezas donadoras La figura 7.* muestra cmo queda el cristal de silicio despu/s de enfriarse y !ol!er a tomar su estructura de cristal slido. En el centro se halla un tomo penta!alente rodeado por cuatro tomos de silicio. 'omo antes, los tomos !ecinos comparten un electrn con el tomo con el tomo central. Pero en este caso queda un electrn adicional. Decu/rdese que cada tomo penta!alente tiene 7 electrones de !alencia. 'omo "nicamente pueden situarse 3 electrones en la rbita de !alencia, el electrn adicional queda en una rbita mayor. En otras palabras, se trata de un electrn libre. 'ada tomo penta!alente, o donador, en un cristal de silicio produce un electrn libre.6n fabricante controla as- la conducti!idad de un semiconductor dopado. 'uantas ms impurezas se a4adan, mayor ser la conducti!idad. 5s-, un semiconductor se puede dopar ligera o fuertemente. 6n semiconductor dopado ligeramente tiene una gran resistencia el/ctrica y uno fuertemente dopado tiene resistencia peque4a.

)igura 7.*. Encremento del n"mero de electrones 2...2.- Aumento del n0mero de *uecos

Para dopar un cristal de silicio y obtener un e.ceso de huecos debemos utilizar una impureza tri!alente; es decir, una impureza cuyos tomos tengan slo = electrones de !alencia, como, por ejemplo, el aluminio, el boro o el galio. La figura 7.# muestra un tomo tri!alente en el centro. Est rodeado por cuatro tomos de silicio, cada uno compartiendo uno de sus electrones de !alencia. 'omo el tomo tri!alente ten-a al principio slo = electrones de !alencia y comparte un electrn con cada uno de sus !ecinos, hay slo A electrones en la rbita de !alencia. Esto significa que hay un hueco en la rbita de !alencia de cada tomo tri!alente. 6n tomo tri!alente se denomina tambi/n tomo aceptor, porque cada uno de los huecos con que contribuye puede aceptar un electrn libre durante la recombinacin. Por recombinacin se entiende la unin de un electrn libre y un hueco.

)igura 7.#. Encremento del n"mero de huecos 2.1.- ,os tipos de semiconductores e/tr%nsecos. 6n semiconductor se puede dopar para que tenga un e.ceso de electrones libres o un e.ceso de huecos. >ebido a ello, e.isten dos tipos de semiconductores dopados. 2.1.1.- Semiconductor tipo n El silicio que ha sido dopado con una impureza penta!alente se llama semiconductor tipo n. 'omo los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios. 5l aplicarse una tensin, los electrones libres dentro del semiconductor se mue!en hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. 'uando un hueco llega al e.tremo derecho del cristal, uno de los electrones del circuito e.terno entra al semiconductor y se recombina con el hueco. Los electrones libres mostrados en la figura B.* circulan hacia el e.tremo izquierdo, donde entran al conductor y fluyen hacia el terminal positi!o de la bater-a. 5dems de los electrones libres, alg"n electrn de !alencia abandona ocasionalmente el e.tremo izquierdo del cristal. La salida de este electrn de !alencia crea un hueco en el e.tremo izquierdo de cristal.

)igura B.*. (emiconductor tipo n 2.1.2.- Semiconductor tipo p El silicio que ha sido dopado con impurezas tri!alentes se llama semiconductor tipo p, donde p hace referencia a positi!o. La )igura B.# representa un semiconductor tipo p.

'omo el n"mero de huecos supera el n"mero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. 5l aplicarse una tensin, los electrones libres se mue!en hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la )igura B.#, los huecos que llegan al e.tremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuito e.terno. En el diagrama de la )igura B.# hay tambi/n un flujo de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. 'omo hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.

)igura B.#. (emiconductor tipo p 2.1.- 2nin PN (i se produce un cristal que tenga una mitad de tipo p y la otra de tipo n, conseguiremos una unin donde se encuentran las regiones p y n. Decordemos que el lado p tiene un e.ceso de huecos, mientras que el lado n tiene muchos electrones libres. En el lado n e.istir una repulsin entre todos los electrones, que har que se difundan en todas las direcciones. (i un electrn libre abandona esta region n, dejar un ion positi!o %tomo cargado positi!amente& en la regin n. 'uando el electrn entre la zona p, encontrar muchos huecos y rpidamente caer en uno de ellos. En este momento desaparecer el hueco y aparecer un ion negati!o %tomo cargado negati!amente&. @emos que en este proceso se genera un par de iones . Los iones quedan fijos en la estructura co!alente del crsital y no pueden mo!erse. Llega el momento que los pares de iones son cada !ez ms numerosos e impiden que haya mo!imiento entre los electrones libres y huecos. La regin cerca de la unin que se agota de electrones libres y huecos recibe el nombrede barrera de potencial. Fenemos as- una carga positi!a en la regin n y una negati!a en la regin de tipo p. Decibe el nombre de barrera, porque en ausencia de polarizacin repele los electrones de la regin n y los huecos de la region p, manteniendo a ambos alejados de la unin como se puede obser!ar en la figura A.

)igura A. 6nin pn 2.1.1.- 3olari4acin de una unin pn @eamos ahora qu/ sucede cuando a una unin pn se le conecta una pila. >ependiendo de donde se coloque el polo positi!o de la pila, e.isten dos tipos de polarizaciones: . Polarizacin directa de la unin pn: (e obtiene conectando el polo positi!o de una pila al semiconductor tipo p y el polo negati!o al semiconductor tipo n. 'uando la

tensin de la pila aumenta a partir de cero, un gran n"mero de electrones es empujado hacia la unin. Este hecho consigue disminuir la barrera de potencial, reduci/ndose tanto ms cuanto mayor sea la tensin aplicada. Ello consigue que a tra!/s de la unin aparezca una corriente que aumenta rpidamente, aunque los incrementos de tensin sean peque4os. En la figura 3.* puede apreciarse que el flujo de electrones se mantiene gracias a la pila y que circula con el sentido el/ctrico real, que es el contrario al con!encional indicado por E. Esta corriente puede llegar a fundirse. Para e!itarlo, habr que conectaruna resistencia limitadora en serie y controlar la tensin aplicada mediante la pila.

)igura 3.*. 6nin pn polarizada en directo . Polarizacin in!ersa de la unin pn. Esta polarizacin se conseguir cuando se in!iertan los polos de la pila %)igura 3.#&. Los electrones de la regin n se alejarn de la zona de unin hacia el polo positi!o de la pila y, por su parte, los huecos de la regin p se alejarn dirigi/ndose al polo negati!o de la pila. Los electrones que se han alejado dejarn iones positi!os a la unin, mientras que los huecos dejan ms iones negati!os. 'omo consecuencia, la barrera de potencial se ensanchar, a medida que aumente la tensin de la pila. La barrera impedir la circulacin de electrones y huecos a partir de la unin. 0o obstante, la energ-a t/rmica crea un n"mero limitado de electrones libres y huecos a cada lado de la unin, que har que e.ista una peque4-sima corriente, que recibe el nombre de corriente de saturacin. (i se aumenta el !oltaje in!erso sobrepasando el denominado !oltaje de ruptura, el diodo puede conducir intensamente. El electrn es atra-do al polo positi!o de la pila y, a medida que aumenta la tensin, el electrn gana !elocidad a la !ez que gana energ-a. (i la energ-a es la suficiente , puede llegar a desprender un electrn de !alencia, con lo que habr dos electrones libres. Este proceso har aumentar el n"mero de electrones libres y producir una a!alancha , y aumentar e.cesi!amente la conduccin, e.istiendo el peligro de destruccin por una ele!ada disipacin de potencia. 5 modo de conclusin, podemos decir que una unin pn act"a como un buen conductor cuando se polariza en directo y como un buen aislante cuando se polariza en in!erso. 2.1.2.- La unin pn y la lu4 'uando a una unin pn se le aplica energ-a luminosa, se produce un incremento de los pares electrn2hueco. Esto hace que el comportamiento sea diferente al hasta aque.plicado. Las aplicaciones que nos interesan son cuando la unin pn se polariza en in!erso y en ausencia de polarizacin.

. Polarizacin in!ersa. Fambi/n e.iste una corriente in!ersa, pero su !alor es proporcional a la intensidad luminosa que se recibe, y casi independiente de las !ariaciones de tensin que se apliquen. . 5usencia de polarizacin. (in aplicar ninguna polarizacin, esto es, sin alimentar mediante generador el semiconductor, conseguimos, al incidir energ-a luminosa, la aparicin de una tensin entre los terminales de una unin pn. Es decir, conseguimos transformar, mediante la unin pn, energ-a luminosa en el/ctrica a tra!/s de una carga %resistencia&. En esta propiedad se basa la fabricacin de c/lulas solares. 3.- !l ,iodo El diodo %)igura $& es el dispositi!o ms sencillo construido con una unin pn. Fiene dos terminales, uno conectado a la unin p y otro conectado a la unin n, y un encapsulado que lo protege. (u comportamiento es id/ntico al de una unin pn.

)igura $. >iodos. a&Estructura. b&(-mbolo. c&Encapsulados. 3.1.- !l s%mbolo el ctrico 5lgunos dispositi!os electrnicos son lineales; es decir, su corriente es directamente proporcional a su tensin. La razn por la cual se les llama lineales es que la representacin de la corriente en funcin de la tensin es una l-nea recta. El ejemplo ms sencillo de un dispositi!o lineal es una resistencia. (i se dibuja su corriente en funcin de su tensin, se obtiene una l-nea recta. 6n diodo es diferente. >ebido a la barrera de potencial e.istente, no se comporta como lo hace una resistencia. 'omo se !er, la representacin de la corriente en funcin de la tensin para un diodo es una cur!a y, por tanto, no es lineal. La figura $ muestra el s-mbolo el/ctrico de un diodo rectificador. El lado p se llama nodo y el lado n es el ctodo. El s-mbolo del diodo es una flecha que apunta del lado p al lado n, del nodo al ctodo. Por ello, la flecha del diodo recuerda que la corriente con!encional circula con facilidad del lado p al lado n. (i se trabaja con el flujo de electrones, hay que tener en cuenta que /stos fluyen en direccin opuesta a la de la flecha del diodo. 3.2.- La cur#a del diodo 'uando un fabricante dise4a un diodo para con!ertir corriente alterna en corriente continua, el diodo recibe el nombre de diodo rectificador. 6na de sus aplicaciones principales se halla en las fuentes de alimentacin, circuitos que con!ierten la tensin alterna de la red en tensin continua. En la figura *9 se muestra uno de los circuitos ms sencillos con diodos. Para determinar si el diodo est polarizado directa o in!ersamente debemos comprobar si la corriente con!encional est en la misma direccin que la flecha del diodo. (i es /ste el caso sabremos que el diodo est polarizado directamente.

)igura *9. Polarizacin directa 3.3.- La 4ona directa La figura *9, !ista en el apartado anterior, es un circuito que hemos montado en el laboratorio. Fras conectarlo pudimos medir la tensin en el diodo y la corriente que el atra!iesa. Esto nos permiti obtener !alores de @ e E con los que posteriormente dibujamos la grfica.

)igura **. 'ur!a del diodo 3.3.1.- 5ensin umbral La figura ** muestra la cur!a para un diodo de silicio con polarizacin directa. La grfica nos indica, en primer lugar, que la corriente es peque4a para las primeras d/cimas de !oltio. 5 medida que nos acercamos a 9,A @, los electrones libres comienzan a cruzar la unin en grandes cantidades. Para tensiones mayores de 9,A @, el menor incremento en la tensin del diodo produce un gran aumento en la corriente. La tensin para la que la corriente empieza a aumentar rpidamente se llama tensin umbral del diodo. Para un diodo de silicio, la tensin umbral puede apro.imarse a la barrera de potencial, apro.imadamente 9,A @. 6n diodo de germanio, por otra parte, tiene una tensin umbral de apro.imadamente 9,= @. 3.3.2.- ,ispositi#o no lineal 6n diodo es un dispositi!o no lineal. Por debajo de 9,A @, por el diodo circula muy poca corriente. Por encima de los 9,A @, la corriente aumenta rpidamente. Este efecto es muy diferente al que se da en una resistencia en la que la corriente aumenta en proporcin directa a la tensin. La razn de que el diodo sea diferente es que /ste tiene una barrera de potencial producida en su zona de deple.in. Decordemos que la zona de deple.in es la zona de la unin pn que contiene pares de iones con cargas opuestas en cada lado de la citada unin. 3.3.3.- 6esistencia interna. Para tensiones mayores que la tensin umbral, la corriente del diodo aumenta rpidamente. Esto quiere decir que aumentos peque4os en la tensin del diodo originarn grandes aumentos en su corriente. La causa es la siguiente: despu/s de superada la barrera de potencial, lo "nico que se opone a la corriente es la resistencia de las zonas p y n. 5 la suma de estas resistencias se le llama resistencia interna del diodo. sea,

r< G r P 1 r 0 El !alor de la resistencia interna depende del ni!el de dopado y del tama4o de las zonas p y n. 0ormalmente, la resistencia interna de los diodos rectificadores es menor de *. 3.3.$.- 7/ima corriente continua con polari4acin directa (i la corriente en un diodo es demasiado grande, el calor e.cesi!o destruir el diodo. <asta acercarse al !alor del calor m.imo, aun cuando no se alcance, para acortar la !ida del diodo y degradar otras propiedades. Por esta razn, la hoja de caracter-sticas que proporcionan los fabricantes especifica la corriente m.ima que un diodo puede soportar sin peligro de acortar su !ida o degradar sus propiedades. La corriente m.ima con polarizacin directa es una de las limitaciones dadas en una hoja de caracter-sticas. Esta corriente puede aparecer como E )%mH.&, E , etc; dependiendo del fabricante. Por ejemplo un *0:7B tiene una corriente m.ima de *=7 m5. Este dato significa que puede conducir con seguridad una corriente continua con polarizacin directa igual a *=7 m5. 3.3.&.- 6esistencia para limitacin de corriente En la figura *9, la resistencia que aparece se conoce como resistencia limitadora de corriente. 'uanto mayor sea la resistencia, menor ser la corriente en el diodo. 'omo m-nimo, la resistencia de limitacin de corriente tiene que mantener la corriente del diodo menor que la m.ima corriente La corriente por el diodo !iene dada por @( 2 @> EG D donde @( es la tensin de la fuente y @> es la tensin en el diodo. Esta ecuacin es la ley de hm aplicada a la resistencia limitadora de corriente. En otras palabras, la tensin en la resistencia es igual a @( 2 @>. >i!idiendo esta tensin entre la resistencia se obtiene la corriente en la resistencia. 'omo este es un circuito en serie, la corriente del diodo tiene el mismo !alor que la corriente en la resistencia. 3.3.'.- ,isipacin m/ima de la potencia La disipacin m.ima de la potencia est estrechamente relacionada con la m.ima corriente continua con polarizacin directa. 'omo sucede con una resistencia, un diodo tiene una limitacin de potencia. ,sta indica cunta potencia puede disipar el diodo sin peligro de acortar su !ida ni degradar sus propiedades. 'uando la corriente es continua, el producto de la tensin en el diodo y la corriente en el diodo es igual a la potencia disipada por /ste. 3.$.- La 4ona in#ersa 'uando un diodo se polariza en in!erso, fluye una peque4a corriente de fugas. ?idiendo la tensin y la corriente del diodo puede trazarse la cur!a para la polarizacin in!ersa; ser ms o menos como la zona in!ersa de la figura **. La corriente del diodo es muy peque4a para todas las tensiones in!ersas menores que la tensin de ruptura. En la ruptura la corriente aumenta rpidamente con peque4os incrementos de tensin. La figura ** indica el !alor de la corriente por el diodo en funcin de la tensin en sus bornas. Encluso cuando se midan la corriente y la tensin en el circuito de la figura *9, la cur!a de la figura ** se puede emplear para cualquier circuito con diodo. Esto se debe a que la relacin entre la corriente y la tensin en el diodo es la misma, sin importar cmo est/ conectado el diodo.

3.&.- Apro/imaciones 5 modo de ampliacin introduciremos ahora las tres apro.imaciones utlizadas ampliamente para los diodos de silicio. 'ada una de ellas es "til en ciertas condiciones. Para saber qu/ apro.imacin hay que usar hemos de tener en cuenta si se estn detectando a!er-as o si se est haciendo un anlisis preliminar. (i /ste es el caso son aceptables errores grandes, mientras que si el circuito contiene resistencias de precisin con una tolerancia de * por *99, puede ser necesario utilizar la tercera apro.imacin. 5"n as- en la mayor parte de los casos, la segunda apro.imacin resulta el mejor compromiso. 3.&.1.- !l diodo ideal 'omo hemos !isto, un diodo rectificador conduce bien en la zona directa y conduce mal en la zona in!ersa. En teor-a, un diodo rectificador se comporta como un conductor perfecto %resistencia cero& cuando tiene polarizacin directa, y lo hace como un aislante perfecto %resistencia infinita& cuando tiene polarizacin in!ersa. En la figura 3 se ofrece la grfica corriente2tensin de un diodo ideal. Defleja lo que se acaba de decir: resistencia cero con polarizacin directa y resistencia infinita con polarizacin in!ersa. 5 decir !erdad, es imposible construir un dispositi!o con esas caracter-sticas, pero es lo que los fabricantes har-a si pudiesen. (lo e.iste un dispositi!o real que act"e como un diodo ideal. (e trata de un interruptor ya que /ste tiene resistencia cero al estar cerrado, y resistencia infinita al estar abierto. Por tanto, un diodo ideal act"a como un interruptor que se cierra al tener polarizacin directa y se abre con polarizacin in!ersa. En la figura *#.* se resume esta idea del interruptor.

)igura *#.*. 'ur!a, funcionamiento y ejemplo de un diodo ideal 3.&.2.- La se"unda apro/imacin La figura *#.# contiene el grfico de la corriente en funcin de la tensin para la segunda apro.imacin. El dibujo indica que no hay corriente hasta que aparecen 9,A @ en el diodo. En este punto el diodo se acti!a. >e ah- en adelante slo aparecern 9,A @ en el diodo, independientemente del !alor de la corriente. La figura muestra tambi/n el circuito equi!alente para la segunda apro.imacin. El diodo se asemeja a un interruptor en serie con una pila de 9,A @. (i la tensin de la fuente es por lo menos de 9,A @, el interruptor cerrar. En ese caso, la tensin en el dispositi!o ser de 9,A @ para cualquier !alor de la corriente con polarizacin directa. Por otra parte, si la tensin de la fuente es menor de 9,A @ o si la tensin de la fuente es negati!a %polaridad in!ertida&, el interruptor se abre. Entonces la barrera de potencial no tiene ning"n efecto y el diodo puede considerarse como un interruptor abierto.

)igura *#.#. 'ur!a, comportamiento y ejemplo de circuito de la segunda apro.imacin 3.&.3.- La tercera apro/imacin En la tercera apro.imacin de un diodo se incluye la resistencia interna r <. La figura *=.= muestra el efecto que r< tiene sobre la cur!a del diodo. >espu/s de que el diodo de silicio comienza a conducir, la tensin aumenta lineal o proporcionalmente con los aumentos de la corriente. 'uanto mayor sea la corriente, mayor es la tensin, al tener que incluirse la ca-da de tensin de r< a la tensin total del diodo. El circuito equi!alente para la tercera apro.imacin es un interruptor en serie con una barrera de potencial de 9,A @ y una resistencia r <. 'uando la tensin aplicada es mayor que 9, A @, el diodo conduce. La tensin total en el diodo es igual a @> G 9,A 1 E> r<

)igura *#.=. 'ur!a, circuito equi!alente y ejemplo de para la tercera apro.imacin $.- Clases de diodos Ia hemos !isto que un diodo es un dispositi!o basado en la unin pn. La unin tiene propiedades, como la rectificacin, la conduccin en in!ersa en el !oltaje de ruptura y la deteccin y emisin de luz. Fodas estas propiedades se utilizan en la fabricacin de diodos, potenciando una u otras caracter-sticas seg"n sea la funcin del diodo. >istinguimos bsicamente cuatro clases de diodos: los diodos de unin, los diodos t"nel, los fotodiodos y los diodos emisores de luz. $.1.- ,iodos de unin Los diodos de unin son los basados en las propiedades ya descritas de la unin pn. En este grupo se incluyen los diodos rectificadores, los diodos de conmutacin, los diodos de ruptura %zener& y los !aractores. $.1.1.- 6ecti-icadores 8Rectifiers9 La propiedad ms ob!ia de la unin pn es su carcter unilateral, es decir, la corriente slo puede ir en una direccin. Decordemos que un diodo ideal es un interruptor, y un

buen rectificador debe acercarse a esta caracter-stica. La corriente in!ersa debe ser casi despreciable, y la tensin in!ersa de ruptura debe ser grande, mientras que la tensin umbral debe ser lo ms peque4a posible. 5 la hora de dise4ar un diodo rectificador, habr que tener en cuenta la amplitud de la banda prohibida %entre la banda de !alencia y la de conduccin&. La corriente in!ersa de saturacin decrementa cuando se incrementa la banda. Fambi/n la temperatura afecta menos al semiconductor cuanto mayor es la banda. 'omo los rectificadores a menudo se someten a altas corrientes directas, la temperatura sube, y por eso, interesa una banda grande, a pesar del incon!eniente de la tensin umbral. El silicio se prefiere al germanio por su banda prohibida ms amplia, sus bajas corrientes de fuga y su alta tensin de ruptura. El encapsulado tambi/n se tiene en cuenta. Para los diodos rectificadores que se usen en circuitos con bajas corrientes se puede utilizar el cristal o plstico. (in embargo, para corrientes altas donde se debe disipar mucho calor se requieren encapsulados especiales. 6n rectificador t-pico de silicio para corrientes altas es el que se monta en un disco de tungsteno o molibdeno. $.1.2.- ,iodos de conmutacin 8Switching diodes9 'uando nos refer-amos a los diodos rectificadores, dec-amos que era importante minimizar la corriente in!ersa y la tensin umbral. En muchas aplicaciones, el tiempo de respuesta es muy importante. 6n diodo de unin puede ser usado como interruptor, y el tiempo entre cone.in y descone.in debe ser casi cero. Para que el diodo tenga estas propiedades debe tener muy pocas cargas fijas o portadores con un tiempo de !ida muy corto, o ambas caracter-sticas. Para este propsito, la t/cnica ms utilizada para fabricar diodos de conmutacin es a4adir al semiconductor un metal que sea eficaz para disminuir los potadores. En el caso de los diodos de silicio, se suele dopar con oro. $.1.3.- ,iodo de ruptura 8Breakdown diodes9 La tensin de ruptura puede !ariar seg"n el tipo de dopaje realizado. E.isten dos t/cnicas: un fuerte dopado llamado efecto zener, o una alta ionizacin I llamado efecto a!alancha. 'uando un diodo se dise4a para un espec-fico !oltaje de ruptura, recibe el nombre de diodo de ruptura. 5 estos diodo se les suele llamar diodos zener, pero hay que matizar que slo lo sern cuando el m/todo de fabricacin sea el del alto dopado. 5ctualmente, la mayor-a de diodos de ruptura estn construidos basndose en el efecto a!alancha. Este error en la terminolog-a se debe a que la tensin de ruptura se representa po 6J utilizando la abre!iatura de zener. Estos diodos se utilizan como reguladores de tensin en circuitos con entradas !ariables. $.1.$.- ,iodos #aractor 5l aumentar la tensin in!ersa, aumenta la barrera de potencial y, por consiguiente, hay una disminucin de la capacidad de la unin pn. Esta caracter-stica se apro!echa para modular la frecuencia de los transistores de )?, para generacin de armnicos y filtros acti!os. $.2.- ,iodos t0nel Los diodos t"nel estn formados bsicamente por una unin pn, pero a diferencia del diodo semiconductor bsico, las dos partes de germanio tienen un dopado fort-simo. 'uando se polariza el diodo directamente y se somete a pocos !oltios %por debajo de la tensin umbral de un diodo normal&, la corriente asciende rpidamente. Llegado un punto m.imo, la corriente disminuye a medida que la tensin !a aumentando. Luego sigue el comportamiento de un diodo normal.

El trozo de cur!a comprendido entre la cresta y el descenso de corriente nos interesa porque corresponde a un dispositi!o con resistencia negati!a %en una corriente negati!a, la pendiente ser negati!a&. La resistencia negati!a de un diodo t"nel puede ser utilizada en numerosas aplicaciones: para conmutaciones, osciladores y amplificacin. Este amplio margen de aplicaciones concuerda con el hecho de que este diodo no presenta retardos y, por eso, se utiliza mucho para conmutadores muy rpidos. (in embargo, presenta el incon!eniente de no soportar altas corrientes, y esto hace que se prefieran otros dispositi!os ms lentos en multitud de ocasiones. $.3.- (otodiodos Decordemos que podemos estudiar tres comportamientos cuando aplicamos luz a una unin pn: el de la polarizacin directa, in!ersa y la generacin de corriente continua. El primer comportamiento nos lle!a a la construccin de diodos fotoemisores, el segundo a los fotodetectores y, por "ltimo, la generacin de corriente continua corresponde a las c/lulas solares. $.3.1.- ,iodos -otoemisores %)igura **&. Es una unin pn que tiene la propiedad de emitir la energ-a en forma de radiaciones luminosas, adems de en forma de calor, cuando conduce. (eg"n el material semiconductor que se utilice, la radiacin puede ser !isible o in!isible. En el primer caso hablamos de diodos LE>, en los que la luz puede ser roja, !erde o amarilla, y en el segundo de EDE>, en los que se emiten infrarrojos. (us aplicaciones son numerosas y muy cotidianas: se4alizadores indi!iduales, o !isualizadores alfanum/ricos, para representar s-mbolos y letras %en las calculadoras antiguas se utilizaban de color !erde&. Fienen la !entaja de tener una gran !isibilidad y el incon!eniente de que necesitan corrientes ele!adas. Por eso, han sido sustituidos por los fabricados con L'> %indicador de cristal l-quido&, aunque estos "ltimos tengan mucha menos !isibilidad y sean ms sensibles a cualquier colisin. $.3.2.- ,iodos -otodetectores 'uando el diodo opera en el tercer cuadrante %polarizacin in!ersa&, la corriente es independiente del !oltaje, pero es proporcional a la energ-a luminosa. 'omo dispositi!o podemos medir mediante la corriente los ni!eles de iluminacin o con!ertir las !ariaciones de se4ales pticas. En muchas de las aplicaciones, la !elocidad de la respuesta es cr-tica. Por ejemplo, si el fotodiodo tiene que responder a una serie de impulsos luminosos separados por * ns, el tiempo de respuesta del fotodetector tiene que ser mucho menor que * ns. $.3.3.- C lulas solares Decordemos que una unin pn puede con!ertir la energ-a solar en energ-a el/ctrica. En el diodo de silicio, la tensin umbral es menor de * @, la corriente generada depender del rea iluminada, pero t-picamente la corriente generada %en sentido in!erso, est en la grfica en el cuarto cuadrante& es de *92*99 m5 para un rea de apro.imadamente * cm#. &.- 5ransistores bipolares &.1.- Introduccin En *$:3 <ardeen y <rattain anunciaron el descubrimiento de un nue!o componente electrnico, al que dieron el nombre de transistor, contraccin de los !ocablos transfer y

resistor. 5l igual que la !l!ula electrnica, el transistor puede amplificar la energ-a el/ctrica, pero el principio en que se basa es completamente distinto. El funcionamiento del transistor difiere tanto del de la !l!ula electrnica que podr-a decirse que toda semejanza con los elementos de amplificacin e.istentes es puramente casual y no deliberada. El descubrimiento del transistor al que puede considerarse como un perfeccionamiento del detector de cristal, despert un enorme inter/s en los medios t/cnicos. 0o slo los cient-ficos, sino tambi/n los industriales de todas las ramas de la electrnica se preguntaban si este descubrimiento iba a suponer una re!olucin en el dise4o de sus productos. ?uchos usuarios de !l!ulas electrnicas esperaban que el transistor, aun sin llegar a sustituirlas por completo, tu!iera un gran n"mero de nue!as aplicaciones. El hecho de que el transistor tu!iera un desarrollo muy rpido se debe principalmente a las profundas in!estigaciones lle!adas a cabo en los laboratorios <ell bajo la direccin de (hocKley. &.2.- Comparaciones entre el transistor y la #l#ula electrnica 5ntes de *$7*, las !l!ulas eran el elemento principal empleado para amplificar se4ales d/biles. 5 pesar de que amplifican muy bien, estas !l!ulas tienen !arias des!entajas. Estos incon!enientes fueron superados con la in!encin del transistor, el cual posee las siguientes !entajas: . En general, el transistor es mucho ms peque4o que la !l!ula electrnica. Por tanto, los aparatos pro!istos de transistores pueden ser mucho ms compactos, a condicin de que los dems componentes tambi/n sea miniatura. . 0o se necesita ninguna energ-a para la calefaccin del ctodo. 5dems, gracias a sus propiedades el/ctricas, los transistores se pueden usar con mayor rendimiento %mayor impedancia de carga& que las !l!ulas electrnicas. Fodo esto hace que el consumo total de energ-a sea mucho menor, permitiendo equipar con bater-as ms peque4as y econmicas los aparatos porttiles. tra !entaja es su peque4o desarrollo de calor, por lo que no presenta ning"n problema la disipacin t/rmica en un montaje lo ms compacto posible. (obre todo, en lo que respecta a los grandes aparatos, esto significa un enorme ahorro de espacio y de energ-a. Las tensiones necesarias son ms bajas por lo que se elimina el riesgo de descargas, calambres, etc. . (u duracin es muy larga. Fambi/n esto es muy importante, sobre todo en los grandes aparatos,en los que se usaban centanares de !l!ulas. . (e suprime la microfon-a. La resistencia a los golpes es tambi/n muy grande. . Por "ltimo, gracias al transistor se han logrado muchos otro in!entos, incluyendo el circuito integrado %'E&, peque4o dispositi!o que contiene miles de resistencias y transistores. Las computadoras modernas y otros milagros de la electrnica son posibles gracias al 'E. (in embargo, contra estas !entajas descritas, e.isten una serie de incon!enientes que describimos a continuacin: . Las propiedades del transistor dependen grandemente de la temperatura. Por ello, han de tomarse medidas especiales para e!itar sus efectos en los circuitos. . La amplificacin de baja frecuencia que puede obtenersecon un transistor es inferior a la de una !l!ula. La relacin entre transistor y !l!ula !iene a ser de #:* a =:#, por lo que para una amplificacin determinada, se necesitan ms transistores. &.3.- !l transistor sin polari4acin 6n transistor tiene tres zonas de dopado, como se muestra en la figura *=. La zona inferior es el emisor, la zona central es la base y la zona superior es el colector. Este transistor en particular en un dipositi!o npn. Fambi/n e.isten transistores pnp.

&.3.1.- ,iodos de emisor y de colector El transistor de la figura *=.* tiene dos uniones: 6na entre el emisor y la base y otra entre la base y el colector. Por tanto, un tansistor es similar a dos diodos. El emisor y la base forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. >e aquen adelante, nos referiremos a estos diodos como diodo de emisor %inferior& y diodo de colector %superior&.

)igura *=.*. Estructura de un transistor

)igura *=.#. Jonas de deple.in

&.3.2.- Antes y despu s de la di-usin La figura *=.* muestra las zonas del transistor antes de que ocurra la difusin. 'omo se !io anteriormente, los electrones libres de la zona n se difunden a tra!/s de la unin y se recombinan con los huecos del lado p. Emag-nese los electrones libres de cada zona n atra!esando la unin y recombinndose con los huecos. El resultado son las dos zonas de deple.in mostradas en la figura *=.#. En cada una de estas zonas de deple.in la barrera de potencial es apro.imadamente de 9,A @ a #7 C'. 'omo en cap-tulos anteriores, nos centraremos en los dispositi!os de silicio, ya que se utilizan mucho ms que los dispoditi!os de germanio. &.$.- !l transistor polari4ado 6n transistor sin polarizacin es similar a dos diodos contrapuestos. 'ada diodo tiene una barrera de potencial de 9,A @, apro.imadamente. (i se conectan fuentes de tensin e.ternas para polarizar al transistor, se obtienen resultados nue!os e inesperados. &.$.1.- !lectrones del emisor En la figura *: se muestra un transistor polarizado. Los signos menos %2& representan electrones libres. El emisor est fuertemente dopado; su funcin consiste en emitir o inyectar electrones libres a la base. Esta es muy estrecha y tiene un dopado muy ligero; deja pasar hacia el colector la mayor parte de los electrones inyectados por el emisor. El ni!el de dopado del colector es un !alor intermedio entre el fuerte dopado del emisor y el ligero dopado de la base. El colector se llama as- porque colecta o recoge electrones pro!enientes de la base. La fuente de la izquierda en la figura *=.# polariza directamente el diodo de emisor, mientras que la fuente de la derecha polariza in!ersamente el diodo de colector.

)igura *:. Fransistor polarizado &.$.2.- !lectrones de la base (i @<< es mayor que la barrera de potencial, fluir una ele!ada corriente de electrones del emisor hacia la base, como se obser!a en la figura *7.*. Estos electrones libres pueden circular en cualquiera de las dos direcciones siguientes: por una parte, pueden circular hacia la izquierda saliendo de la base, pasando a tra!/s de D< en su camino hacia el terminal positi!o de la fuente. Por otra parte, los electrones libres pueden circular hacia el colector. La mayor-a de los electrones seguir el camino hacia el colector por dos razones; la primera es el d/bil dopado de la base. Por esta causa, los electrones libres tienen una larga !ida en la zona de la base; por tanto, tienen tiempo suficiente para llegar al colector. %Lay que tener en cuenta que los electrones son minoritarios en la base y, por tanto, atra!iesan con mucha facilidad la unin base2colector que est polarizada en in!ersa.& En otras palabras, los electrones libres, para fluir desde la base a la resistencia e.terna, deben primero recombinarse con los huecos de la base. Entonces, ya como electrones de !alencia, pueden fluir hacia la izquierda hasta salir de la base y entrar en el conductor e.terno de cone.in. 'omo la base est ligeramente dopada y es muy estrecha, muy pocos electrones pueden recombinarse y escapar por la cone.in e.terna.

)igura *7.*. Electrones que entran en la base &.$.3.- !lectrones del colector 'asi todos los electrones libres !an hacia el colector, como se !en en la figura *7.#. Estando ya en el colector, son atra-dos por la fuente de tensin @ ''. 'omo consecuencia

de ello, los electrones libres fluyen a tra!/s del colector y a tra!/s de D ' hasta que alcanzan el terminal positi!o de la fuente de tensin del colector. Desmiendo bre!emente lo que sucede, se tiene lo siguiente: En la figura *7.#, @<< polariza directamente el diodo emisor, obligando a los electrones libres del emisor a entrar en la base. La estrecha y apenas dopada base hace que casi todos ellos tengan el tiempo suficiente para difundirse en el colector. Estos electrones circulan a tra!/s del colector, a tra!/s de D' y hacia el terminal positi!o de la fuente de tensin @ ''. En la mayor-a de los transistores, ms del $7 por *99 de los electrones del emisor fluyen hacia el colector y, por tanto, menos del 7 por *99 fluyen hacia la cone.in e.terna de la base.

)igura *7.#. Electrones que entran al colector &.&.- Corrientes en un transistor

)igura *B. (-mbolo de un transistor La figura *B muestra el s-mbolo de un transistor. %(i hacemos uso de la corriente con!encional, utilizaremos la figura *Ba; si se preferimos la corriente de electrones, usaremos la figura *Bb.& En la figura *B hay tres corrientes distintas en el transistor: la corriente de emisor EE, la corriente de base E< y la corriente de colectro E'. 'omo el emisor es la fuente de electrones, su corriente es la mayor de las tres. 'asi todos los electrones del emisor circulan hacia el colector; por tanto, la corriente de colector es apro.imadamente igual a la corriente de emisor. La corriente de base es muy peque4a comparada con las otras dos corrientes. En transistores de baja potencia, la corriente de base generalmente es menor que el * por *99 de la corriente del colector. Decu/rdese la ley de las corrientes de Mirchhoff. Establece que la suma de todas las corrientes que entran a un nudo o unin es igual a la suma de todas las corrientes que salen de ese nudo o unin. 5l aplicarse a un transistor, la ley de Mirchhoff proporciona esta importante relacin entre las tres corrientes del transistor. EE G E ' 1 E < Esta ecuacin indica que la corriente de emisor es la suma de la corriente de colector y la corriente de base. Feniendo en cuenta que la corriente de base es mucho menor que la

corriente de colector, es habitual hacer la siguiente apro.imacin: la corriente de colector es igual a la corriente de emisor. 6na de las cosas que hacen que el transistor sea "til es que la corriente de colector es mucho mayor que la corriente de base. La ganancia de corriente cc de un transistor se define como la corriente de colector di!idida entre la corriente de base. Esta relacin se e.presa: E' cc G E< Para transistores de baja potencia, la ganancia de corriente generalmente oscila entre *99 y =99. Encluso algunos transistores de alta potencia tienen ganancias de corriente entre #9 y *99. Este dato significa que el $7 por *99 o ms de los electrones del emisor pasan hacia el colector, mientra que menos del 7 por *99 escapan a tra!/s de la cone.in de la base. La ecuacin anterior se puede despejar de dos formas equi!alentes. La primera, cuando se conocen los !alores de '' e E<, es posible calcular la corriente de colector mediante esta ecuacin: E' G ccE< La segunda, cuando se conocen los !alores de la corriente de colector y cc, se puede calcular la corriente de base as-: E' E< G cc E.iste otro parmetro utilizado y que e.presa la relacin entre la corriente de colector y la corriente de emisor. (u !alor es muy cercano a la unidad y se representa mediante la letra . 5l igual que la ganancia de corriente, este parmetro tambi/n es adimensional %aquel que no se e.presa en ninguna unidad&. E' G EE >e las ecuaciones !istas anteriormente se deducen las dos siguientes ecuaciones que nos dan la relacin entre los parmetros y : G % 1 *& G %* 2 & &.'.- La cone/in en !C En la figura *A, el lado com"n o masa de cada fuente de tensin est conectado al emisor. >ebido a esto, el circuito se conoce como configuracin en emisor com"n %en E'&. (e puede obser!ar que el circuito tiene dos mallas. La malla de la izquierda es el circuito de base y la malla de la derecha es el circuito de colector. Por lo general, @ << est comprendido entre y 7 y *7 @ en la mayor parte de las aplicaciones de baja potencia. 6sando diferentes !alores de @<< yNo D<, se puede controlar la corriente de base. >icha

corriente controla a su !ez la corriente de colector. 5s-, cualquier cambio en la corriente de base produce un cambio en la corriente de colector. En el circuito de colector hay una fuente de tensin de !alor @ '' y una resistencia limitadora de corriente D'. La tensin entre el colector y el emisor se simboliza con @ 'E. La fuente de tensin @'' debe polarizar in!ersamente el diodo de colector, o de lo contrario el transistor no funcionar-a adecuadamente. Esta condicin, por lo general, se satisface si @'E es mayor que * @. 6n inter!alo t-pico de @'E es mayor que * @ en circuitos de baja potencia.

)igura *A. 'one.in en E' &.+.- Cur#a caracter%stica de entrada La cur!a de E< en funcin de @<E es como la cur!a de un diodo rectificador normal, como se puede !er en la figura *3. Esto se debe a que estamos hablando acerca de la corriente de base y la tensin del diodo de emisor, por lo que ser-a de esperar el !er una cur!a similar a la caracter-stica de corriente en funcin de la tensin de un diodo. Lo que esto significa es que podemos usar cualquiera de las tres apro.imaciones de un diodo analizadas con anterioridad. La mayor parte de las !eces, ya sea que se estan detectando fallos o se est/ dise4ando, la segunda apro.imacin resultar ser el mejor compromiso entre la rapidez que da la apro.imacin ideal y la precisin de la tercera apro.imacin. Lo "nico que se necesita recordar para la segunda apro.imacin es que @<E es 9,A @ como se !e en la figura comentada.

)igura *3. 'ur!a caracter-stica de entrada 5 continuacin se indicar cmo calcular la corriente de base para la figura *A. La tensin en la resistencia de base es igual a la diferencia entre la tensin de la fuente @ << y la tensin base2emisor @<E. 5plicando la ley de hm a la resistencia de base para hallar la corriente de base: @<< 2 @<E E< G D< Lay que indicar que las tensiones con un solo sub-ndice %@ ', @<, @E& son las de uno de los terminales del transistor con respecto a la masa. Los sub-ndices dobles %@ <E, @'E, @'<& se refieren a la tensin entre dos terminales del transistor. 6na tensin con

sub-ndice doble se puede calcular restando las correspondientes tensiones con un solo sub-ndice. Por ejemplo, para obtener @'E, se resta @E de @': @'E G @' 2 @E Para obtener @'<, se resta @< de @': @'< G @' 2 @< Para obtener @<E, se resta @E de @<: @<E G @< 2 @E &...- Cur#a caracter%stica de salida En la figura *A se puede !ariar @<< y @'' para establecer diferentes tensiones y corrientes en el transistor. ?idiendo E ' y @'E se obtienen los datos para una cur!a de E ' en funcin de @'E. Por ejemplo, se puede suponer que se fija E < en *9 5. Entonces se puede !ariar @'' y medir los !alores resultantes de E ' y @'E. Frazando los datos, se obtiene la cur!a que se muestra en la figura siguiente %)igura *$&. 'uando @'E es cero, el diodo de colector no tiene polarizacin in!ersa y la corriente de colector !ale cero. Para @'E entre cero y apro.imadamente * @, la corriente de colector se ele!a rpidamente y luego se mantiene casi constante. Esto concuerda con la idea de la polarizacin in!ersa del diodo de colector. (e requieren cerca de 9,A @ para polarizar in!ersamente el diodo de colector. 6na !ez alcanzado este ni!el, el colector recoge todos los electrones que lleguen a su zona de deple.in. Para tensiones mayores de 9,A @, el !alor e.acto de @ 'E no es muy importante, ya que incluso un !alor peque4o de polarizacin in!ersa es suficiente para reunir todos los electrones disponibles de la base. Esta es la razn por la que la cur!a se hace horizontal cuando @'E es mayor que apro.imadamente * @. La horizontalidad de la cur!a indica que la corriente de colector es constante y apro.imadamente igual a *m5 para cualquier tensin de colector2emisor entre * y :9 @. %La cur!a representada es similar a la del transistor #0=$9:, un transistor de baja potencia muy utilizado.&

)igura *$. 'ur!a de salida &...1.- 5ensin de colector y potencia La ley de Mirchhoff se4ala que la suma de todas las tensiones a lo largo de una malla o trayectoria cerrada es igual a cero. (i se aplica al circuito de colector de la figura *A, la ley de las tensiones de Mirchhoff nos da esta importante ecuacin: @'E G @'' 2 E'D'

Esta ecuacin indica que la tensin colector2emisor es igual a la tensin de la fuente de polarizacin de colector %@''& menos la tensin que hay en la resistencia de colector. Esta ecuacin es esencial para la deteccin de a!er-as y para el dise4o. En la figura *A, el transistor presenta una disipacin de potencia apro.imada de P> G @'EE'

Esta ecuacin dice que la potencia disipada por el transistor es igual a la tensin colector2emisor multiplicada por la corriente de colector. Es esta la potencia, la que hace que aumente la temperatura de la unin del diodo de colector. 'uanto mayor sea la potencia, mayor ser la temperatura de la unin. El transistor se quemar si la temperatura de la unin llega a !alores comprendidos entre *79 y #99 C'. 6na de las informaciones ms importantes que aparece en las hojas de caracter-sticas es la potencia m.ima P>%m.&. El consumo de potencia dado por la ecuacin anterior debe ser menor que P>%m.& para e!itar que se destruya el transistor. &...2.- 5res 4onas de -uncionamiento La cur!a de la figura *:.# e.hibe tres zonas o regiones, en cada una de las cuales el funcionamiento del transistor es diferente . Primero tenemos la zona central, en la que el !alor de @'E puede estar entre * y :9 @, apro.imadamente. Esta es la zona ms importante, ya que representa el funcionamiento normal del transistor. En ella el diodo de emisor est polarizado en directa y el diodo de colector tiene polarizacin in!ersa. 5dems el colector, se encuentra recogiendo casi todos los electrones que el emisor ha en!iado a la base. Por ello, los cambios en la tensin de colector no tienen efecto sobre la corriente de colector. 5 esta zona se el da el nombre de zona acti!a o de amplificacin, donde el transistor es gobernado por por una peque4a corriente de E <, que puede controlar corrientes mucho mayores en colectro y emisor. Orficamente, la zona acti!a es la parte horizontal de la cur!a. . tra de las zonas de funcionamiento es la zona de ruptura. El transistor nunca debe funcionar en ella, ya que en tal caso ser-a altamente probable su destruccin o bien su degradacin. 5 diferencia del diodo Jener, que est adaptado para la zona de ruptura, un transistor no est dise4ado para funcionar en dicha zona. . )inalmente, tenemos la parte ascendente de la cur!a, donde @'E est comprendida entre cero y apro.imadamente * @. Esta parte inclinada de la cur!a se llama zona de saturacin. En esta zona, el diodo de colector no est polarizado in!ersamente. En resumen, la cur!a de la figura *$ tiene una zona de saturacin, una zona acti!a y una zona de ruptura. 6n transistor puede funcionar sin peligro en la zona de saturacin o en la zona acti!a, pero no en la de ruptura. En aplicaciones en las que el transistor amplifique se4ales d/biles de radio y tele!isin, siempre estar funcionando en la zona acti!a. &...3.- 7s cur#as (i se miden E' y @'E para E< G #9 5, se puede trazar la segunda cur!a de la figura #9 Esta cur!a es similar a la primera, e.cepto que la corriente de colector es de #m5 en la zona acti!a. >e nue!o, la corriente de colector es prcticamente constante en la zona acti!a. 'uando se trazan !arias cur!as sobre los mismos ejes, se obtiene una familia de cur!as de colector como las de la figura que se muestra a continuacin %)igura #9&. tra forma de obtener esta familia de cur!as es utilizar un trazador de cur!as %instrumento de prueba con una pantalla de !-deo&. En la zona acti!a de la figura comentada, cada corriente de colector es *99 !eces mayor que la corriente de base que le corresponde. Por ejemplo, la cur!a superior tiene una corriente de colector de A m5 y una corriente de base de A9 5, lo que representa una ganancia de corriente igual a A m5 cc G A9 5

)igura #9. )amilia de cur!as de salida &...$.- :ona de corte La figura #9 tiene una cur!a no esperada que se halla en la parte inferior. (e puede obser!ar que la corriente de base es cero, aunque toda!-a hay cierta corriente de colector. En un trazador de cur!as, esta corriente, por lo general, es tan peque4a que no se !e. La cur!a inferior se ha e.agerado dibujndola mayor de lo que es en realidad. Esta cur!a recibe el nombre de zona de corte del transistor, y la peque4a corriente de colector es la corriente de corte de colector. Esta corriente e.iste porque el diodo colector, como cualquier otro diodo, tiene una corriente in!ersa de portadores minoritarios y una corriente de fugas superficial. La corriente de corte de colector se puede ignorar si la corriente de colector es mucho mayor. Por ejemplo, un #0=$9: tiene una corriente de corte de colector de 79 n5. Estos 79 n5 se pueden ignorar si la corriente que circula normalmente por el colector es por lo menos #9 !eces mayor que 7 n5, es decir, * 5. Esto garantiza un error de clculo menor del 7 por *99. &.1.- Apro/imaciones para el transistor 'omo ya !imos en los diodo, en la mayor parte del trabajo en electrnica, las respuestas e.actas son solamente una p/rdida de tiempo. 'asi todos usan apro.imaciones, ya que las respuestas as- obtenidas son adecuadas en la mayor-a de las aplicaciones. 0o e.plicaremos las caracter-sticas de cada apro.imacin pero si cabe destacar que el transistor ideal es "til en la deteccin de fallos, la tercera apro.imacin en el dise4o con precisin y la segunda apro.imacin es un t/rmino medio entre la deteccin de fallos y el dise4o. &.1;.- Cone/in en base com0n Polaricemos directamente el diodo de emisor e in!ersamente el diodo de colector y !eamos lo que sucede. En la figura #*a es de esperar una gran corriente de emisor porque el diodo de emisor tiene polarizacin directa. Pero no es de esperar una gran corriente de colector al tener el diodo de colector polarizacin in!ersa. 0o obstante, la corriente de colector es casi tan grande como la de emisor. 5 continuacin e.plicaremos por qu/ se obtiene una gran corriente de colector en la figura #*. En el instante en que se aplique la polarizacin directa al diodo de emisor, los electrones del emisor a"n no habrn entrado en la zona de la base %figura #*b&. (i @ <E es mayor que la tensin umbral del diodo base2emisor %de 9,B a 9,A @ para transistores de

silicio&, muchos electrones del emisor entrarn en la zona de base, como se !e en la figura #*c. Estos electrones en la base pueden circular en una de las dos direcciones: descendiendo por la base estrecha hacia la cone.in e.terna de la base o bien a tra!/s de la unin de colector hacia la zona de colector. El componente descendiente de la corriente de base recibe el nombre de corriente de recombinacin. Es peque4o porque la base est ligeramente dopada slo con algunos huecos. 6na segunda idea crucial acerca del funcionamiento del transistor es que la base es muy estrecha. En la figura *7c, la base est cargada de electrones inyectados en la banda de conduccin, originando una difusin hacia la zona de deple.in del colector %figura #*d&. Estos electrones del colector pueden fluir hacia la cone.in e.terna del colector, como se muestra en la figura. Desmiendo, en la figura #*d obser!amos una corriente de electrones abandonando el terminal negati!o de la fuente y entrando en la zona de emisor. Estos electrones se !en obligados a entrar en la base, que al ser estrecha y apenas dopada, los deja a casi todos el tiempo de !ida suficiente para difundirse hacia la zona del colector.

)igura #*. 'one.in en base com"n '.- (undamentos de los transistores En este apartado trataremos las fluctuaciones de la ganancia de corriente a causa de los cambios en la corriente de colector, cambios de temperatura o la sustitucin del transistor con que se est/ trabajando. 5dems de tratar la naturaleza del problema estudiaremos las posibles soluciones a esta cuestin. '.1.- <ariaciones de la "anancia de corriente 5 consecuencia de las tolerancias de fabricacin, la ganancia de corriente de un transistor puede tener un inter!alo de !ariacin hasta de = a * cuando se cambia de un transistor a otro del mismo tipo. Por ejemplo, la hoja de caracter-sticas de un #0=$9: indica una h )E m-nima de *99 y una h)E m.ima de =99 cuando la corriente de colector es de *9 m5. (i

se producen en serie miles de circuitos que usen el transistor #0=$9:, se !er que algunos de los transistores tienen una gariancia de corriente de apenas *99, mientras que en otros la ganancia de corriente llega a ser hasta de =99. Lay otros dos factores que tambien afectan a la ganancia de corriente de un transistor. La )igura *B muestra la grafica de la ganancia de corriente m-nima para un #0=$9:. (e puede obser!ar que el !alor de la ganancia de corriente depende del !alor de la corriente de colector y de la temperatura de la unin. 'omo puede apreciarse, las fluctuaciones en la ganancia de corriente son muy grandes.

)igura ##. Oanancia de corriente '.2.- La recta de car"a La recta de carga en continua es una recta trazada sobre las cur!as de salida del transistor para mostrar todos y cada uno de los puntos de trabajo posibles del transistor. La figura #=, por ejemplo, ofrece un circuito con polarizacion de base, con un !alor de tensin de la fuente de polarizacin de colector de *7 @ y una resistencia de colector de = K. 5 la derecha del circuito hay una grfica de las cur!as de salida. La recta de carga es la recta dibujada entre 7 m5 sobre el eje !ertical y *7 @ sobre el eje horizontal. La recta de carga es "til porque contiene todos los puntos de trabajo posibles para el circuito. >icho de otra forma, cuando la resistencia de base cambia de cero a infinito, la corriente de colector y la tensin colector2emisor tambi/n cambian. (i se dibuja cada par de !alores E' y @'E, lo que se obtiene es una serie de puntos de trabajo localizados sobre la recta de carga. Por tanto, la recta de carga es un resumen !isual de los posibles puntos de trabajo.

)igura #=. Decta de carga '.2.1.- !l punto de saturacin

El punto de saturacin es el punto en que la recta de carga corta a la zona de saturacin de las cur!as de salida. 'omo la tension colector2emisor en saturacin es muy peque4a, el punto de saturacin es casi id/ntico al e.tremo superior de la recta de carga. En lo sucesi!o, tomaremos el punto de saturacin como apro.imadamente igual al e.tremo superior de la recta de carga, pero recordando siempre que esa apro.imacin implica un peque4o error. El punto de saturacin indica la m.ima corriente de colector que es posible alcanzar en el circuito. En este ejemplo, la m.ima corriente de colector posible en la figura #= es apro.imadamente de 7 m5. (i se cambia el !alor de tensin de la fuente de polarizacin de colector o bien la resistencia de colector, se obtiene un punto de saturacin diferente. Lay una forma fcil de hallar la corriente en el punto de saturacin. Podemos imaginar un cortocircuito entre el colector y el emisor en la )igura #=, entonces @'E !aldr cero. Los *7 @ de la fuente de colector aparecern en la resistencia de = K ; por tanto, la corriente en la resistencia de colector es *7 @ E' G G 7 m5 = K Este m/todo se puede aplicar a cualquier circuito con polarizacin de base. 'onsiste en imaginar que hay un cortocircuito entre los terminales colector2emisor del transistor. Luego se calcula la corriente de colector bajo esas condiciones. 5 continuacion se indica la formula que corresponde a los circuitos con polarizacin de base: @'' E'%sat& G D' 5s- se e.presa que el !alor de saturacin de la corriente de colector es igual a la tensin de la fuente de polarizacion de colector di!idida entre la resistencia de colector. Decuerde que esta frmula solo se aplica al circuito con polarizacin de base mostrado en la figura comentada anteriormente %)igura #=&.

'.2.3.- !I punto de corte El punto de corte es el punto en el que la recta de carga corta a la zona de corte de las cur!as de salida. 'omo la corriente de colector en corte es muy peque4a, el punto de corte es casi id/ntico al e.tremo inferior de la recta de carga. En lo sucesi!o, supondremos que el punto de corte es apro.imadamente igual al e.tremo inferior de la recta de carga. EE punto de corte indica la m.ima tensin colector2emisor que es posible alcanzar en el circuito. En la )igura #=, la m.ima tensin posible colector2emisor es apro.imadamente *7 @, que es el !alor de la fuente de tensin del colector. (i en esta figura se cambia la fuente de tensin de polarizacin de colector, se obtiene un punto de corte diferente. Lay un proceso simple para hallar la tension de corte. En el transistor de la figura #= !isualicemos un circuito abierto interno entre el colector y el emisor. 'omo no circula corriente en la resistencia de colector para esta situacin de circuito abierto, los *7 @ de la fuente de polarizacin de colector aparecern en el terminal del colector. 5s-, la tensin entre el colector y masa sera igual a *7 @. 'omo el emisor esta puesto a masa, la tension colector2emisor tiene el mismo !alor que la tension colector a masa: @'E G *7 @ La fmula para la tensin de corte en la figura descrita es

@'E%corte& G @'' '.3.- !l punto de traba)o 'ada circuito con transistores tiene su propia recta de carga. >ado un circuito, se pueden calcular la corriente de saturacin y la tensin de corte. Estos !alores se dibujan en los ejes !ertical y horizontal. Luego se traza una recta a tra!/s de estos dos puntos para obtener la recta de carga. '.3.1.- ,eterminacion del punto = La )igura #: muestra un circuito con polarizacin de base cuya resistencia de base es de 799 K. La corriente de saturacin y la tensin de corte se obtienen mediante el proceso indicado anteriormente. En primer lugar, podemos imaginar un cortocircuito entre los terminales colector2emisor. Entonces toda la tensin de la fuente de polarizacin de colector aparece en la resistencia de colector, lo cual da una corriente de saturacin de 7 m5. En segundo lugar, imaginemos que los terminales colector2emisor estn abiertos. En ese caso no hay corriente, y toda la tensin de fuente aparece en los terminales colector2 emisor, lo que da una tensin de corte de *7 @. (i se halla la corriente de saturacin y la tensin de corte, se puede dibujar la recta de carga que se !e en la )igura #:. Para simplificar las cosas, supongamos por el momento que el transistor es ideal. Fal suposicion implica que toda la tensin de la fuente de la base aparecer entre los e.tremos de la resistencia de base. Por tanto, la corriente de base es *7 @ E< G G =9 5 799 K 0o podemos continuar si no disponemos de un !alor para la ganancia de corriente. (upondremos que la ganancia de corriente de este transistor es de *99. Entonces la corriente de colector !ale E' G *99%=9 5& G = m5 Esta corriente, al circular por los = K , produce una tension de $ @ en la resistencia de colector. 'uando esta cifra se resta del !alor de la fuente de tensin de colector, se obtiene la tensin colector2emisor del transistor. Los calculos son estos: @'E G *7 @ 2 %= m5&%= K& G B @ Lle!ando a la grfica las coordenadas = m5 y B @ %la corriente y la tensin de colector&, se obtiene el punto de trabajo mostrado en la recta de carga de la figura #:. El punto de trabajo se indica mediante una P.

)igura #:. btencin del punto P '.3.2.- La -luctuacin del punto = (e supuso una ganancia de corriente igual a *99. (i esta ganancia fuera de 79 o *79, por poner un ejemplo, la corriente de base no cambia porque en este circuito la ganancia de

corriente no tiene efecto sobre la corriente de base. En teor-a, la corriente de base es de =9 5. (i la ganancia de corriente es de 79 entonces. E' G 79%=9 5& G *,7 m5 y la tensin colector2emisor es @'E G *7 @ 2 %*,7m5&%= K& G *9,7 @ Frazando los !alores se obtiene el punto PL que se !e en la figura #:. (i la gananacia de corriente es de *79, el proceso es id/ntico E' G *79%=9 5& G :,7 m5 y la tensin colector2emisor es @'E G *7 @ 2 %:,7 m5&%= K& G *,7 @ Frazando estos !alores se obtiene el punto PL que se !e en la figura utilizada. Desumiendo, las frmulas utilizadas para calcular el punto q son las siguientes: @<< 2 @<E E<< G D< E' G ccE< @'E G @'' 2 E'D' '.$.- 6econocimiento de la saturacin 'uando se mira por !ez primera un circuito con transistores, no es posible decir si estn saturados o funcionando en la zona acti!a. En esta seccin se e.ponen dos m/todos para reconocer la saturacin.

'.$.1.- 6educcin al absurdo Le aqu- un m/todo para analizar un circuito nue!o. 'onsiste en suponer que el transistor funciona en la zona acti!a, y, a continuacin, se in!estiga si esta suposicin lle!a a una contradiccin. Puienes detectan a!er-as, los dise4adores, emplean esta poderosa t/cnica, conocida como reduccin el absurdo, porque indica con rapidez la zona de funcionamiento. El proceso es el que sigue: *. (uponemos que la zona es la acti!a. #. Efectuamos los clculos. =. (i surge una respuesta absurda, la suposicin ser falsa. Por ejemplo, la )igura #7 muestra un circuito con polarizacin de base. (uponemos que se desea conocer la tensin colector2emisor. Entonces se procede as-: idealmente, la corriente de base es de 9,* m5. La ganancia de corriente de 79 se aplica slo a la zona acti!a. (uponiendo que el transistor funciona en la zona acti!a, la corriente de colector debe ser E' G 79%9,* m5& G 7 m5 y la tension colector2emisor debe ser @'E G #9 @ 2 %7 m5&%*9 K& G 2=9 @ Esta respuesta es imposible. La tensin colector2emisor no puede ser negati!a si el transistor est funcionando en la zona acti!a. Este resultado absurdo se obtu!o porque se supuso que la zona era la acti!a. En realidad el transistor est en saturacin.

)igura #7. 'mo conocer la saturacin '.$.2.- >tro m todo (e comienza calculando la corriente de saturacin de colector en la )igura #7: #9 @ E'%sat& G G # m5 *9 K ,ste es el m.imo !alor posible porque ocurre en el e.tremo superior de la recta de carga. En teor-a, la corriente de base debe ser de 9,* m5, que ha sido calculada anteriormente. (uponiendo que la ganancia de corriente es de 79, como se !e, la corriente de colector es E' G 79%9,* m5& G 7 m5 Pero /sta es mayor que el !alor de saturacin de # m5. Por tanto, el transistor debe estar saturado. '.&.- !l transistor en conmutacin La polarizacin de base es "til en los circuitos digitales, ya que, por lo general, estos circuitos se dise4an para funcionar en saturacin y en corte. Por ello, tienen una tensin de salida baja o alta. >icho con otras palabras, no se emplea ning"n punto P entre saturacin y corte. >ebido a este moti!o, las !ariaciones en el punto P no importan, ya que el transistor se mantiene en saturacin o en corte al cambiar la ganancia de corriente. 5 continuacin, comprobaremos esto con un ejemplo de cmo se usa un circuito con polarizacin de base para conmutar %cambiar& entre saturacin y corte. La figura #B muestra un ejemplo de un transistor en saturacin fuerte. En consecuencia, la tensin de salida es apro.imadamente de 9 @. Esto implica que el punto P se halla en el e.tremo superior de la recta de carga. 'uando el conmutador se abre, la corriente de base se hace cero, por lo que la corriente de colector tambi/n se hace cero. 5l no haber corriente en la resistencia de * K, toda la tensin de la fuente de colector aparece entre los terminales colector2emisor. Por tanto, la tensin de salida se ele!a a *9 @. El circuito slo puede tener dos tensiones de salida: 9 @ o 1 *9 @. 5s- es como se puede reconocer un circuito digital. (lo tiene dos ni!eles de salida: bajo o alto. Los !alores e.actos de las dos tensiones de salida no son importantes. Lo que importa es que las tensiones se puedan diferenciar en su ni!el, bajo o alto. 5 los circuitos digitales a menudo se les llama circuitos de conmutacin porque su punto P conmuta o cambia entre dos puntos de la recta de carga. En la mayor parte de los dise4os esos dos puntos son el de saturacin y el de corte. tro nombre que tambi/n se acostumbra a darles es el de circuitos de dos estados, refiri/ndose a las salidas a ni!el alto y bajo.

)igura #B. Polarizacin de emisor y ejemplo '.'.- 3olari4acin de emisor Los circuitos digitales son el tipo de circuitos que se emplean en las computadoras. En esta aplicacin, la polarizacin de base y los circuitos deri!ados de ella son in"tiles. Pero cuando se trata de amplificadores, se necesitan circuitos cuyos puntos P sean inmunes a los cambios en la ganancia de corriente. La )igura #B muestra la polarizacin de emisor. 'omo se puede !er, la resistencia se ha cambiado del circuito de base al circuito emisor. Ese "nico cambio pro!oca una enorme diferencia. El punto P para este nue!o circuito es ahora inamo!ible. 'uando la ganancia de corriente cambia de 79 a *79, el punto P casi no se desplaza sobre la recta de carga. '.'.1.- Idea bsica La fuente de polarizacin de la base se aplica ahora directamente a la base. Por tanto, hallararemos @<< entre la base y la masa. El emisor ya no esta puesto a tierra. 5hora la tension de emisor es mayor que la de masa y esta dada por @E G @<< 2 @<E '.'.2.- Cmo *allar el punto = 5nalicemos el circuito con polarizacin de emisor de la )igura #B. La fuente de polarizacin de base es slo de 7 @. La tensin entre la base y masa es de 7 @. >e ahora en adelante, nos referiremos a esta tensin base2masa simplemente como la tensin de la base; o sea, @<. La tensin entre los terminales base2emisor es de 9,A @. 5 esta tensin la llamaremos tensin base2emisor, o @<E. La tensin entre el emisor y masa ser llamada tensin de emisor. Es igual a @E G 7 @ 2 9,A @ G :,= @ Esta tensin est presente entre los e.tremos de la resistencia de emisor, por lo que se puede usar la ley de hm para calcular la corriente de emisor: :,= @ EE G #,# K Esto supone que, en muy buena apro.imacin, la corriente de colector es de *,$7 m5. 'uando esta corriente de colector circula por la resistencia de colector, produce una ca-da de tensin de *,$7 @. Destando este !alor de la tensin de la fuente de colector se obtiene la tensin entre el colector y masa: @' G *7 @ 2 %*,$7 m5&%* K& G *=,* @ 5 partir de aqu-, nos referiremos a esta tensin de colector a masa simplemente como tensin de colector. Esta es la tensin que un detector de a!er-as medir-a al probar un circuito transistorizado.(e puede obser!ar que uno de los terminales del !olt-metro se conectar-a

al colector, mientras que el otro terminal se conectar-a a masa. (i se desea la tensin colector2emisor, hay que restar la tensin de emisor a la tensin de colector, como sigue: @'E G *=,* @ 2 :,= @ G 3,3 @ 5s-, el circuito con polarizacin de emisor de la )igura #B tiene un punto P con estas coordenadas: E' G *,$7 m5 y @'E G 3,3 @. La tensin colector2emisor es la tensin empleada para dibujar las rectas de carga y para leer las hojas de caracter-sticas del transistor. 'omo frmula: @'E G @' 2 @E 0ormalmente un detector de a!er-as no mide la tensin colector2emisor directamente, ya que la cone.ion com"n en muchos !olt-metros est puesta a masa internamente. Esto es un problema porque al conectar cl terminal positi!o del !olt-metro al colector y el terminal com"n al emisor pondr al emisor en cortocircuito con la masa, de lo que resultar una lectura incorrecta. Por tanto, la forma usual en la que un detector de a!er-as determina la tensin colector2 emisor se desarrolla mediante un proceso de tres pasos: *. ?edir la tensin de colector a masa, @'. #. ?edir la tensin de emisor a masa, @E. =. Destar @E, de @' para obtener @'E. 5hora se !er donde radica la importancia de la polarizacin de emisor. El punto P de un circuito con polarizacin de emisor es inmune a los cambios de la ganancia de corriente. E.aminando el proceso empleado para analizar el circuito se puede !er la razn de esta caracter-stica. Estos son los pasos que se aplicaron anteriormente: *. btener la tensin de emisor. #. 'alcular la corriente de emisor. =. Lallar la tensin de colector. :. Destar la tensin de emisor de la tensin de colector para obtener @'E. En ning"n momento hubo necesidad de utilizar la ganancia de corriente en el proceso anterior. 'omo /sta no se emplea para calcular la corriente de emisor, la corriente de colector, etc., su !alor e.acto ya no es importante. 5* cambiar la resistencia del circuito de base al circuito de emisor, se obliga a que la tensin de la base a masa sea igual a la tensin de la fuente de base. 5nteriormente, casi toda esta tensin aparec-a en la resistencia de base, estableciendo una corriente fija en la base. 5hora, toda esta tensin de la fuente menos 9,A @ aparece en la resistencia de emisor, estableciendo una corriente fija en el emisor. La ganancia de corriente tiene un efecto muy peque4o sobre la corriente de colector. En todas las condiciones de funcionamiento las tres corrientes estan relacionadas por la ecuacion: EE G E ' 1 E < que se puede reescribir como E' EE G E ' 1 cc Esta ecuacin se resuel!e para la corriente de colector y se obteniene cc E' G EE cc 1 * La cantidad que multiplica EE recibe el nombre de factor de correccin. Es un indicador de cuanto difiere E' de EE. (i la ganancia de corriente es de *99, el factor de correccin es cc *99 G G 9,$$

cc 1 * *99 1 * Lo cual quiere decir que la corriente de colector es igual al $$ por *99 de la corriente de emisor. Por tanto, se comete un error slo del * por *99 si se ignora el factor de correccin y se dice que la corriente de colector es igual a la corriente de emisor. +.- 3olari4acin de los transisitores. Lasta ahora hemos estudiado la polarizacin de base, utilizada en circuitos digitales y la polarizacin de emisor, usada en el dise4o de circuitos amplificadores. 5 partir de aqu!eremos los circuitos deri!ados de la polarizacin de emisor. +.1.- 3olari4acin por di#isin de tensin +.1.1.- Introduccin El circuito de polarizacin ms e.tensamente utilizado es el llamado polarizacin por di!isor de tensin. 5 continuacin se indica cmo se obtiene a partir del circuito de polarizacin de emisor. En la figura #A se muestra el prototipo de polarizacin de emisor.

)igura #A. Prototipo de polarizacin de emisor 5 !eces, la tensin de una fuente de alimentacin es demasiado ele!ada para aplicarse directamente a la base, como se muestra en la )igura #A. (e puede reducir esa tensin si insertamos un di!isor de tensin, como se muestra en la figura #3. Eligiendo !alores apropiados para D* y D#, la tensin se puede reducir al !alor que sea adecuado para el dise4o. La tension en D# es @#. ,sta se aplica directamente a la base; lo que implica que @< G @#. El proceso de anlisis es el mismo que antes e.cepto que en este caso se empieza por calcular la tensin en D#. 6na !ez obtenida, se le resta 9,A @ para determinar la tension de emisor, y entonces se est en camino de lograr una solucin.

)igura #3. ?odificacin a la polarizacin de emisor

+.1.2.- Anlisis de un circuito por polari4acin por tensin En la )igura #$ se muestra un circuito polarizado por di!isor de tensin con unos !alores espec-ficos. Para analizarlo se comenzar por hallar la tensin de base. >espu/s, el resto del proceso es el mismo que el mostrado al hablar de la polarizacin de emisor. Puien dise4a un circuito como el de la anterior necesita respuestas ms e.actas que quien !a a detectar a!er-as, pero aun as- es posible asumir compromisos lgicos. 'omo el dise4o es un proceso abierto en el que e.isten muchas respuestas correctas, no puede haber reglas formales que abarquen todos los casos. En algunos dise4os pueden ser permisibles errores de clculo hasta el #9 por *99, mientras que en otros, quiz los errores tengan que ser menores del * por *99. Lo que utilizaremos aqu- es el dise4o t-pico que permite errores del 7 por *99 o menos. El proceso comienza hallando la tensin de base. Para lograrlo, hay que hacer una suposicin: la corriente de base es tan peque4a que no tiene ning"n efecto sobre el di!isor de tensin. En ese caso, se puede calcular la corriente e.istente en el di!isor de tensin de la )igura #$ como sigue: @'' EG D* 1 D# Esta es la ley de hm aplicada a la resistencia total del di!isor de tensin. En la )igura #$ la tensin de la fuente de polarizacin de colector es de *9 @, mientras que la resistencia total del di!isor es de *#,# K. Por tanto, la corriente en el di!isor de tensin es apro.imadamente de *9 @ EG G 9,3# m5 *#,# K La corriente de base debe ser por lo menos #9 !eces menor que la corriente del di!isor de tensin. En el ejemplo utilizado la corriente debe ser menor que 9,3# m5 E< G G :* 5 #9 (i esta condicin se satisface, se puede calcular la tensin de base de la siguiente manera: @< G ED# Esta es la tensin en D#. 'omo la base est conectada a la parte superior de D#, la tensin de base tambi/n es de *,3 @. @< G %9,3# m5&%#,# K& G *,3 @ 5 continuacin determinaremos la tensin y la corriente de emisor en el circuito. La tensin de emisor la calculamos mediante la frmula @E G @< 2 @<E Esta ecuacin indica que la tensin de emisor es igual a la de base menos la ca-da de tensin en el diodo de emisor. 6sando la segunda apro.imacin se obtiene @E G *,3 @ 2 9,A @ G *,* @ La corriente de emisor se obtiene mediante la ley de hm: @E EE G DE Es decir, la corriente de emisor es igual a la tensin de emisor di!idida entre la resistencia de emisor. 'omo hay *,* @ en * K, la corriente de emisor es *,* @ EE G G *,* m5 * K

I por "ltimo !eremos la tensin de colector y la tensin colector2emisor: La tensin de colector se calcula mediante la siguiente ecuacin @' G @'' 2 E'D' Esta ecuacin nos indica que la tensin de colector es igual a la tensin de la fuente de polarizacin de colector menos la ca-da de tensin en la resistencia de colector. 'omo la corriente de colector es apro.imadamente igual a la corriente de emisor, @' G *9 @ 2 %*,* m5&%=,B K& G B,9: @ Puesto que la tensin de emisor es superior a la tensin de masa, se tiene que emplear la siguiente ecuacin para determinar la tensin colector2emisor: @'E G @' 2 @E Esta ecuacin indica que debe restarse la tensin de emisor a la de colector para obtener la tensin colector2emisor. Por tanto, realizamos el clculo: @'E G B,9: @ 2 *,* @ G :,$: @

)igura #$. Ejemplo de polarizacin por di!isor de tensin +.1.3.- !l punto = ?antener la corriente de base peque4a facilita el anlisis de la polarizacin a tra!/s de un di!isor de tensin. Pero lo que es a"n ms importante, hace que el punto P sea inmune a los cambios de la ganancia de corriente. La razn es la siguiente. (i la corriente de base es tan peque4a que no tiene ning"n efecto sobre la tensin de base, entonces los cambios de la ganancia de corriente no tendrn efecto sobre la tensin de base. Pero una tensin de base constante implica una tensin de emisor constante, una corriente de emisor constante, una corriente de colector constante y una tensin de colector constante. Podemos decir, entonces, que el punto P no se !e afectado por los cambios en la ganancia de corriente. (i esta "ltima cambia, lo unico que cambia es la corriente de base. ,sta puede aumentar o disminuir. Pero este dato no es importante porque la corriente de base est fuera del proceso. >e hecho, la polarizacin a tra!/s de un di!isor de tensin es en realidad una polarizacin de emisor disfrazada. (i el di!isor de tensin es constante, produce una tensin muy estable en la base. Pero eso es equi!alente a un circuito con polarizacin de emisor. Por tanto, un circuito de polarizacin a tra!/s de un di!isor de tensin tiene un funcionamiento similar al de un circuito de polarizacin de emisor. (i deseamos mo!er el punto P a tra!/s de la recta de carga podemos !ariar la resistencia de emisor. +.2.- 3olari4acin de emisor con dos -uentes de alimentacin

5lgunos equipos electrnicos tienen una fuente de alimentacin que produce tensiones positi!as y negati!as. Por ejemplo, en la )igura =9 se muestra un circuito con dos fuentes de alimentacion: 1 *9 @ y 2 # @. La fuente negati!a polariza directamente el diodo de emisor. La fuente positi!a polariza in!ersamente el diodo de colector. Este circuito se deri!a del circuito de polarizacin de emisor. Por esta razn, nos referimos a /l simplemente como de polarizacin de emisor con dos fuentes.

)igura =9. Polariacin de emisor con dos fuentes. +.2.1.- Anlisis de un e)emplo Lo primero que hay que hacer es dibujar de nue!o el circuito como aparece habitualmente en los esquemas. Fal hecho es necesario en los esquemas porque por lo general no aparecen s-mbolos de bater-a en los esquemas complicados. Foda la informacin sigue estando en el circuito, slo que en forma condensada. Es decir, hay una tensin de polarizacin de 2 # @ aplicada a la parte inferior de la resistenca de * K , y una tensin de polarizacin de 1 *9 @ aplicada a la parte superior de la resistencia de =,B K.

)igura =*. Ejemplo de polarizacin de emisor con dos fuentes 'uando este tipo de circuitos esta dise4ado correctamente, la corriente de base ser insuficientemente peque4a como para ser ignorada. Esto equi!ale a decir que la tensin de base es de 9 @ apro.imadamente, como se !e en la )igura =*. La tensin en el diodo de emisor es de 9,A @, y por eso aparece 2 9,A @ en el emisor. Lay una ca-da de ms a menos de 9,A @ al ir de la base al emisor. (i la tensin de base es de 9 @, la tensin de emisor no puede ser de 1 9,A @, tiene que ser de 2 9,A @.

En la )igura =*, la resistencia de emisor de nue!o desempe4a el papel cla!e a la hora de establecer la corriente de emisor. Para hallar esta corriente, se aplica la ley de hm a la resistencia de emisor como sigue: la parte superior de la resistencia de emisor tiene una tension de 2 9,A @ y la parte inferior tiene una tension de 2 # @. Por tanto, la tensin en la resistencia de emisor es igual a la diferencia entre estas dos tensiones. Para llegar a la respuesta correcta, se resta el !alor ms negati!o del !alor ms positi!o. En este caso, el !alor ms negati!o es 2 #, por lo que @DE G 2 9,A @ 2 %2 # @& G *,= @ 6na !ez calculada la tensin en la resistencia de emisor, se calcula la corriente de emisor con ayuda de la ley de hm: *,= @ EE G G *,= m5 * K Esta corriente circula a tra!/s de la resistencia de =,B K produciendo una ca-da de tensin que se resta de 1 *9 @ como sigue: @' G *9 @ 2 %*,= m5&%=,B K& G 7,=# @ La tensin colector2emisor es la diferencia entre la tensin de colector y la tensin del emisor: @'E G 7,=# @ 2 % 2 9,A @& G B,9# @ +.3.- >tros tipos de polari4acin Por "ltimo e.aminaremos algunos tipos diferentes de polarizacin. 0o se requiere un anlisis detallado de los mismos, pues su uso es poco frecuente. +.3.1.- 3olari4acin con realimentacin de emisor +.3.1.1.- Concepto de realimentacin La realimentacin negati!a consiste en que la corriente de base es una se4al de entrada para el transistor, mientras que las corrientes de colector y de emisor son corrientes de salida. 'uando la ganancia de corriente aumenta, hace que se incremente una !ariable de salida %la corriente de emisor&. ,sta circula por la resistencia de emisor, lo que hace que decrezca una !ariable de entrada %la corriente de base&. Esto es muy importante: la salida ha hecho que cambie la entrada. Este fenmeno se denomina realimentacin y se refiere al hecho de que la salida controla la entrada, al menos parcialmente. 'omo un aumento en la corriente de emisor produce una disminucin en la corriente de base, a este tipo de realimentacin se le llama realimentacin negati!a. +.3.1.2.- Anlisis de la polari4acin con realimentacin de emisor La polarizacin con realimentacin de emisor nunca ha llegado a ser popular. La realimentacin negati!a s- reduce los desplazamientos del punto P con respecto a los cambios de la ganancia de corriente, pero no los elimina de la forma en que lo hace la polarizacin con un di!isor de tensin. El desplazamiento del punto P sigue siendo demasiado grande en la mayor parte de las aplicaciones. Las formulas e.actas son las siguientes: @'' 2 @<E E' G DE 1 D<N%cc 1 *& y @' G @'' 2 E'D'

)igura =#. Polarizacin con realimentacin de emisor +.3.2.- 3olari4acin con realimentacin de colector En la )igura =# se muestra la polarizacin con realimentacin de colector. Listricamente, /ste fue otro intento de estabilizar el punto P empleando la realimentacin negati!a. El in!entor supuso que la ganancia de corriente aumenta debido a un aumento de la temperatura. Esto har-a que se ele!ara la corriente de colector, pro!ocndose una disminucin de la tensin de colector. 6na disminucin en la tensin de colector origina una menor tensin en bornas de la resistencia de base, lo que implica una menor corriente de base. Pero menor corriente de base significa menor corriente de colector. Por tanto, la resistencia que se halla con realimentacin entre el colector y la base produce realimentacin negati!a de colector. Escribiendo dos ecuaciones de mallas es posible deducir las frmulas e.actas: @'' 2 @<E E' G D' 1 D<N%cc 1 *& y @' G @'' 2 E'D'

)igura ==. Polarizacin con realimentacin de colector. Posteriormente, se intentaron polarizaciones con realimentacin de colector y emisor, que igualmente se quedaron a medio camino. Por "ltimo se lleg a la polarizacin por di!isin de tensin, que es lo que el in!entor buscaba desde un principio. En la polarizacin por di!isin de tensin la realimentacin negati!a funciona e.tremadamente bien.

)igura ==. E!olucin de la polarizacin del transistor +.$.- 5ransistores pnp En la )igura == se muestra la estructura de un transistor pnp y su s-mbolo el/ctrico. 'omo las zonas dopadas son de tipo opuesto, es necesario in!ertir la forma de considerar su funcionamiento. Espec-ficamente, tal cambio quiere decir que los huecos son los portadores mayoritarios en el emisor en !ez de serlo los electrones libres.

)igura =:. Fransistor pnp +.$.1.- Ideas bsicas >e manera bre!e, la e.plicacin de lo que sucede a ni!el atmico es la siguiente. El emisor inyecta huecos en la base. La mayor parte de /stos fluyen hacia el colector. Por esta razn, la corriente de colector es casi igual a la corriente de emisor. La corriente de base es mucho menor que le cualquiera de las dos anteriores. 'omo en el otro caso, la ganancia de corriente del transistor es igual a la corriente de colector di!idida entre la corriente de la base. Egual que con los transistores npn, la ganancia de corriente !ar-a much-simo con la corriente de colector, la temperatura y la sustitucin de un transistor por otro. En la )igura =7 se !en las tres corrientes del transistor indicadas seg"n el flujo con!encional y tambi/n desde el punto de !ista del flujo de electrones. 'omo antes, la relacin entre la corriente es EE G E ' 1 E < La ganancia de corriente se e.presa como E' cc G E< que tiene las formas equi!alentes E' E' G ccE< E< G cc

(i se tiene un circuito con transistores npn, se puede emplear el mismo circuito con una fuente de alimentacion negati!a y transistores pnp.

)igura =7. (-mbolo y corrientes para un transistor pnp ..- !l transistor de e-ecto de campo El transistor de efecto de campo, a diferencia del transistor bipolar, se basa en un solo tipo de carga, que puede ser electrones o huecos; de ah- que se trate de un transistor unipolar. E.isten tres transistores de efecto de campo bsicos: el )EF de unin o simplemente )EF, el ? ()EF de enriquecimiento y el ? ()EF de empobrecimiento. 5 continuacin se detallan las caracter-sticas ms rele!antes de cada uno de ellos ..1.- !l (!5 de unin El )EF de unin, o simplemente )EF, guarda muchas similitudes con el transistor bipolar. 5* igual que /ste, posee tres terminales: fuente, puerta y drenador. ,stos son anlogos al emisor, base y colector, respecti!amente. En la figura =B se muestra el s-mbolo el/ctrico de )EF, en este caso de canal 0, porque el canal entre las zonas de deple.ion esta hecho de semiconductor tipo 0.

)igura =B. (-mbolo el/ctrico del )EF de canal N. El )EF tiene dos diodos internos: el diodo de puerta2fuente y el diodo de puerta2 drenador. Estos diodos conducirn si estn polarizados con ms de 9,A @. 5 diferencia del transistor bipolar, donde el diodo base2emisor est polarizado en directo, el diodo de puerta2drenador est polarizado en in!erso en funcionamiento normal. La !entaja principal del )EF respecto a un transistor bipolar es que tiene una resistencia de entrada en continua que tiende a infinito %un )EF t-pico tiene una resistencia de entrada del orden de cientos de megohmios&. Esto es posible gracias a que la corriente de puerta es prcticamente nula. >ebido a la polarizacicin in!ersa, slo e.iste una corriente in!ersa muy peque4a en el terminal de cone.in de la puerta. 'omo contrapartida, tiene mucha menor ganancia de tensin que un transistor bipolar, ya que es menos sensible a cambios en la tensin de entrada. Las cur!as de salida de un )EF son semejantes a las de un transistor bipolar, e.cepto que la

entrada de control es @O( en lugar de ser E<. Estas cur!as se muestran en la figura siguiente %)igura =A.*&

)igura =A.*. 'aracter-sticas de salida El )EF act"a como una fuente de corriente a lo largo de la parte horizontal de las cur!as de salida y como una resistencia a lo largo de las partes casi !erticales de la cur!a de salida. La caracter-stica de transferencia es la grfica de la corriente de drenador en funcin de la tensin de la puerta. La cur!a no es lineal, es parte de una parbola %figura =A.#&. Los )EF tienen su aplicacin en unos circuitos de comunicaciones llamados mezcladores.

)igura =A.#. 'aracter-stica de transferencia ..2.- !l 7>S(!5 de empobrecimiento El transistor de efecto de campo semiconductor de metal2.ido se abre!ia ? ()EF. 5l igual que el )EF de unin comprende una fuente, una puerta y un drenador. (u simbolog-a se muestra en la figura =3

)igura =3. (-mbolos el/ctricos del ? ()EF de empobrecimiento La puerta est aislada el/ctricamente del canal. Por ello, la resistencia de entrada en continua es a"n mayor que la de un )EF. El ? ()EF de empobrecimiento est normalmente conduciendo cuando @O( es nula. Fiene cur!as de salida y circuitos semejantes al )EF. La "nica diferencia es que puede funcionar con tensiones de puerta tanto positi!as como negati!as. En la figura =$ se muestran las cur!as de salida y de transferencia para un ? ()EF de empobrecimiento.

)igura =$. a&'ur!as de salida. b&'ur!a de transferencia. ..3.- !l 7>S(!5 de enri?uecimiento El ? ()EF de enriquecimiento ha re!olucionado la industria electrnica, teniendo una enorme importancia en la electrnica digital y en el rea de los ordenadores. 5l igual que el )EF de unin y el ? ()EF de empobrecimiento tiene tres terminales de cone.in: puerta, fuente y drenador. Los s-mbolos el/ctricos se muestran en la figura :9.

)igura :9. (-mbolos el/ctricos. a&'anal N. b&'anal P. Este dispositi!o est normalmente cortado cuando la tensin de puerta es cero. Para acti!arlo, se tiene que aplicar una tensin suficientemente positi!a a la puerta. La tensin umbral es la de puerta que lo hace conducir. El dispositi!o act"a como fuente de corriente o como resistencia. 5 continuacin, en la figura :*, se muestran las cur!as de salida y de transferencia para un ? ()EF de enriquecimiento. La entrada de control, al igual que en los otros transistores de efecto de campo, es @ O(, en lugar de la corriente de base E< como en los transistores bipolares.

)igura :*. a&'ur!as de salida. b&'ur!a de transferencia

7 E L Q5( >E '5D5'FEDE(FE'5( >E 60 FD50(E(F D Los transistores tienen limitaciones m.imas con respecto a sus tensiones, corrientes y potencias. El conocimiento de los !alores de estas limitaciones es de !ital importancia a la hora de hacer cualquier dise4o. (u desconocimiento har-a que, con toda seguridad, se sobrepasarn dichos !alores y por lo tanto se producir-a la consecuente destruccin del dispositi!o afectado. Las hojas de caracter-sticas que nos facilita el fabricante indican estas especificaciones m.imas. >ebido a su importancia, es necesario saber interpretarlas con precisin.