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(Gua de Clases)
CONTENIDO
Introduccin Estabilidad en el punto de trabajo Punto de trabajo de un transistor Variacin del punto de trabajo Variacin con la temperatura Variacin por cambio de componentes o dispositivos Factores de estabilidad Definicin Clculo de las variaciones de tensin o corriente Polarizacin Tcnicas de estabilizacin Tcnicas de compensacin Compensacin de la variacin de VBE mediante diodo o transistor Compensacin de la variacin de IC0 mediante diodo BIBLIOGRAFA
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Introduccin
La estabilidad de funcionamiento de los circuitos con transistores es un aspecto fundamental en el diseo de los mismos. El diseador no slo ha de asegurar que el circuito funciona, sino que lo hace dentro de los lmites mximos y mnimos indicados por las especificaciones del mismo. Adems ha de prever posibles eventualidades al funcionamiento que puedan hacer que el circuito deje de funcionar. La eleccin de la red de polarizacin de un transistor puede resultar clave a la hora de garantizar que el circuito se adaptar a nuestras expectativas.
ANOTACIONES
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VCC
IC
VCC RC 2 VCC RC 1
RB1 RB2
RC
Q2
Q1 VCE VCC
Los componentes, y las caractersticas del transistor, pueden variar por numerosos motivos, entre los cuales los ms importantes son: Debido a cambios de temperatura Debido a cambio del componente en s por otro igual o diferente Variacin con la temperatura La temperatura afecta a todos los componentes y dispositivos, aunque a unos ms que a otros. Por ejemplo un incremento de temperatura afectar a la resistividad de una resistencia, provocando una bajada de su valor, sin embargo este efecto suele ser despreciable. El efecto de la temperatura se hace mucho ms importante cuando afecta a un semiconductor en s. Concretamente existen dos caractersticas del mismo que dependen de la temperatura de forma importante: La tensin base-emisor (VBE): Su variacin para transistores de silicio suele ser VBE ( T ) = 2,5 mV C , es decir, disminuye al aumentar la temperatura La corriente inversa de la unin colector-base (IC0): El valor de este parmetro se duplica aproximadamente por cada 10 grados de incremento de la temperatura, por lo que podemos obtener su valor aplicando la siguiente frmula: I C 0 (T2 ) = I C 0 (T1 ) 2
( T2 T1 ) 10
ANOTACIONES
Estabilidad en el punto de trabajo. Gua de clases Variacin por cambio de componentes o dispositivos
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Es evidente que al cambiar un componente de un circuito nunca vamos a conseguir que tenga exactamente las mismas caractersticas y valores que el antiguo, debido a las tolerancias de fabricacin. As, si estbamos usando una resistencia de 1K (con 10% de tolerancia), el valor real de la resistencia poda ser, por ejemplo, 980. Si cambiamos esta resistencia por otra del mismo valor nominal (es decir, 1K) podemos encontrarnos fcilmente que la nueva tiene una resistencia real igual a 1080, valor que est dentro de los mrgenes de tolerancia del componente, pero que sin embargo puede hacer que nuestro circuito deje de funcionar correctamente. La dispersin de valores, y las tolerancias, son mucho ms acusadas con los dispositivos semiconductores. As, por ejemplo, dentro de una misma serie de transistores, podemos tener unidades con grandes diferencias en sus caractersticas. En las hojas caractersticas de los mismos podemos observar este hecho, por ejemplo en la ; los fabricantes suelen dar un margen de tolerancia al parmetro, y en ocasiones del valor mnimo al mximo puede haber diferencias de ms de 100 unidades o ms. Teniendo lo anterior en cuenta, a la hora de disear un circuito hay que tener en cuenta que cualquier cambio de componentes que hay que hacer puede llevar al mismo a dejar de funcionar correctamente, por variar su punto de trabajo fuera de los lmites admisibles. Ejemplo De las hojas caractersticas del transistor 2N3904 (un transistor bipolar de tipo NPN del fabricante Motorola), obtenemos la siguiente informacin: Characteristic DC Current Gain (IC = 10 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) Base-Emitter Saturation Voltage (IC = 10 mAdc, IB = 1.0 mAdc) Symbol Min 100 VBE(sat) 0.65 0.85 Max 300 Vdc Unit -
Se puede observar la gran diferencia de caractersticas entre transistores de la misma serie, pues la tabla nos indica que, por ejemplo, la del transistor que adquiramos, puede estar comprendida entre 100 y 300.
ANOTACIONES
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Factores de estabilidad
Definicin
Los factores de estabilidad nos dan la variacin de una tensin o una corriente en funcin de alguno de los parmetros susceptibles de cambio en el dispositivo. Por ejemplo, si consideramos la corriente de colector como elemento a observar, podemos definir al menos cuatro factores de estabilidad, que nos indican la variacin de dicha corriente con respecto a otros cuatro elementos como son la tensin base-emisor, la corriente inversa colector-base, la ganancia en continua () y la tensin de alimentacin del circuito. Las definiciones seran concretamente:
SI C0 =
I C I C 0
SV BE =
I C 0 VBE
S =
I C
SVCC =
I C VCC
Las definiciones seran anlogas si hubisemos considerado como valor a observar la tensin de colector, o la corriente de base.
Datos de los que se dispone IC(T1) VBE (T1 a T2) IC0 (T1 a T2) (T1 a T2) VCC (T1 a T2)
Como se puede observar en la tabla anterior, para realizar el clculo necesitamos la variacin de IC con respecto a la temperatura, pero generalmente no se dispone de este dato, y s de otros como son las variaciones de la tensin VBE, la corriente IC0, y VCC con la temperatura. La solucin del
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problema pasa entonces por poner IC en funcin de estos cuatro valores: I C = f (V BE , I C 0 , ,VCC ) , derivando ahora con respecto a los cuatro parmetros podemos obtener lo siguiente:
I C =
Dado el circuito de la figura, y conocidos los datos que se indican a continuacin, calcular el valor de la corriente de colector cuando la temperatura pasa de 25 a 30C. DATOS: (A la temperatura de 25C) RC = 1K RB = 49K VCC = 12 V = 49 VBE = 0,6 V (Datos que varan con la temperatura) (T) = 5 C-1 VBE(T) = -2,5 mV/C
VCC RB RC
Solucin: La corriente de colector se puede obtener a partir de las dos ecuaciones siguientes: I C = I B VCC VBE I B = RB VCC V BE = f ( ,VCC ,V BE ) ( I ) RB Como podemos observar, la corriente de colector depende de , VCC y VBE, de los cules slo y VBE dependen de la temperatura (segn los datos de los que disponemos). IC = Podemos calcular inmediatamente el valor de IC a la temperatura de 25C que resulta:
IC = 12V 0,6V = 11,4 mA 49 K
ANOTACIONES
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Y para calcular su valor a 30C necesitaremos previamente calcular la variacin de IC con la temperatura, que podemos obtener con la siguiente ecuacin: I C = S + SVBE V BE ( II )
Los factores de estabilidad se obtiene inmediatamente a partir de la ecuacin (I) y se su definicin: I VCC VBE VCC VBE S = C = = 232,7 A = RB RB
SV BE =
Es de particular importancia observar las unidades de cada factor. El primero (S) resulta de una corriente dividida por un parmetro adimensional, luego tiene unidades de corriente (amperios), mientras que el segundo ( SVBE ) tiene unidades de -1, pues resulta de dividir una corriente por una tensin. En general, y por comodidad para su uso posterior, se emplean unidades de mA para el primero, y mA/V para el segundo caso. Calculamos ahora las variaciones de y VBE en los 5 grados de diferencia que existen entre la temperatura inicial (25C) y la final (30C):
= (T ) (T2 T1 ) = 5 (30 25) = 25 VBE = VBE (T ) (T2 T1 ) = 2,5 mV C 5 C = 12,5mV
El clculo ahora de la variacin de la corriente de colector resulta inmediato, aplicando la ecuacin (II), con los valores obtenidos de los factores y de la variacin de y VBE con la temperatura:
I C (25 C 30 C ) = S + SV BE VBE = 0,23mA 25 + ( 1mAV ) ( 0,0125V ) I C = 5,75mA + 0,0125mA = 5,76mA
como resultado final tenemos que IC a 30C resulta: I C (30 C ) = I C (25 C ) + I C = 11,4mA + 5,76mA = 17,16mA
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Polarizacin
A la hora de polarizar un circuito con transistores para un correcto funcionamiento teniendo en cuenta que se pueden producir las variaciones antes comentadas, tenemos dos tipos de tcnicas: Tcnicas de estabilizacin Tcnicas de compensacin
Tcnicas de estabilizacin
Las tcnicas de estabilizacin se basan en el uso de circuitos de polarizacin resistivos que, ante variaciones de los diversos parmetros antes mencionados, actan sobre la corriente de base del transistor compensando su efecto. Un ejemplo clsico es el uso de una resistencia de emisor, en una configuracin amplificadora en Emisor Comn. Si la corriente de colector aumenta tambin lo hace la tensin en la resistencia RE, provocando una disminucin de la tensin base-emisor, y por consiguiente una reduccin en IB que lleva a una disminucin de IC. Las variaciones de corriente o tensin se ven de esta forma estabilizados (vase figura).
RE
Tcnicas de compensacin
Las tcnicas de compensacin van encaminadas a paliar en la medida de lo posible los efectos de la temperatura, u otros parmetros, en las caractersticas del transistor del diseo, mediante el uso de otros transistores, diodos o termistores que compensen dichos efectos.
ANOTACIONES
Estabilidad en el punto de trabajo. Gua de clases Compensacin de la variacin de VBE mediante diodo o transistor Para compensar los efectos de la temperatura en la tensin VBE del transistor se puede usar otra unin PN (transistor o diodo) de idnticas caractersticas a la unin base-emisor del transistor empleado. En el ejemplo de la figura se puede deducir fcilmente que si la dependencia de la tensin VBE del transistor con la temperatura es idntica a la de la tensin del diodo (V), entonces se compensan y la corriente de colector no vara al cambiar la temperatura.
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Efectivamente, la corriente de colector la podemos poner como (suponiendo IC IE): V VBE IC = , y de aqu obtenemos la variacin con la temperatura como: RE V BE V I C T T = T RE Aplicando la suposicin de que ambas uniones tienen la misma variacin, es decir, suponiendo I C V VBE = , obtenemos que = 0 , es decir, que la corriente de colector quede compensada T T T frente a variaciones de temperatura. Compensacin de la variacin de IC0 mediante diodo De forma anloga al apartado anterior, podemos colocar un diodo en un circuito con un transistor para compensar el efecto de la temperatura sobre el parmetro IC0. En la figura vemos cmo quedara el circuito.
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BIBLIOGRAFA
Diseo electrnico. Circuitos y sistemas C.J. Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 2 edicin, 1992 El captulo 5 de este libro trata el tema de la estabilidad de una forma sencilla y conceptual, con numerosos ejemplos de clculo. Habla tanto de la estabilidad de transistores bipolares como FET.
ANOTACIONES