Laboratorio de Electrnica Instituto de Fsica Universidad de Antioquia

Profesora Lucelly Reyes H

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Practica: Caractersticas del Transistores de unin

Objetivo: Conocer los parmetros ms importantes del transistor bipolar como base
fundamental para el diseo.

Material:

- 1 resistencia de 100 K
- 2 resistencias de 1 K
- 1 transistor bipolar 2N2222 (o similar)
- 2 pares de puntas para fuente
- 1 Multmetro y puntas para multmetro
- 1 Fuente de voltaje dual
- 1 Tablero para conexiones (protoboard)
- 1 par de cables con banana y caimn

Introduccin

El transistor bipolar ha sido uno de los dispositivos electrnicos ms importantes de la
industria electrnica; para el diseo de circuitos es necesario primero conocer los
parmetros elctricos que lo caracterizan, stas caractersticas estn contenidas en el
manual que brinda el fabricante o pueden obtenerse realizando pruebas elctricas.

Un transistor de unin consiste en dos uniones pn yuxtapuestas en el mismo monocristal y
separadas por una distancia inferior a la longitud de difusin de los portadores minoritarios.
Son posibles dos tipos diferentes, transistores pnp y transistor npn, segn sea el tipo de
conductibilidad de la regin comn.


Las capas exteriores del transistor son materiales semiconductores con alto nivel de
dopado, y que tienen anchos mucho mayores que los correspondientes al material
emparedado del tipo p o n.

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El funcionamiento de los dos es el mismo conceptualmente salvo en lo que se refiere al
intercambio de los tipos de portadores minoritarios y mayoritarios (y la polaridad le los
potenciales de polarizacin), por lo que bastar estudiar el transistor pnp.
Formas en que circula la corriente en el transistor de unin
Para explicar la operacin del transistor, se desarrolla un modelo matemtico simple
basado en las caractersticas operacionales del dispositivo para la regin en donde se est
trabajando. A fin de mantener la sencillez del modelo, se restringe inicialmente el anlisis a
bajas frecuencias.
Fsicamente, el transistor consiste en tres partes emisor, base y colector siendo la
regin de base muy delgada. su funcionamiento puede explicarse cualitativamente del
modo siguiente:


La fuente V
ee
(batera 1) polariza en sentido directo la unin np emisor-base, haciendo que
el emisor inyecte huecos en el material n. La mayor parte de los huecos se desplazan por
la estrecha regin de base, a travs de la segunda unin, hasta la regin p de la derecha
polarizada negativamente (colector).

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Una pequea cantidad de huecos (aproximadamente un 1%) es capturada en el material n
recogida por la base. Los electrones del material n que forma la base se desplazan hacia
el emisor tal como se muestra en la figura anterior.
Mientras que la unin emisor-base representa un diodo polarizado en sentido directo con
sus propiedades caractersticas de baja impedancia y baja cada de tensin, la unin
colector-base est polarizada en sentido inverso a causa de la polaridad de la batera 2. Es
esencialmente un diodo polarizado en sentido inverso, y la impedancia colector-base es
por lo tanto muy elevada.
La corriente medida en el circuito de emisor se llama corriente de emisor I
E
, y es positiva
en el material. La corriente medida en el circuito de colector se llama corriente de colector
I
C
. Esta corriente consta de dos trminos, representando el termino predominante el
porcentaje de la corriente de emisor que llega al colector. Este porcentaje depende casi
exclusivamente de la construccin de transistor (tamao y forma del material y la
contaminacin del emisor), y puede considerarse constante para un transistor dado. La
constante de proporcionalidad se llama o, de modo que la mayor parte de la corriente de
colector es o I
E
. Los valores tpicos de o estn comprendidos entre 0.90 y 0.99.
El segundo termino representa el flujo de corriente a travs de la unin colector-base
polarizada en sentido inverso cuando I
E
= 0 Esta corriente se llama I
CBO
(llamada Io en el
diodo), y es muy pequea. Como las dos corrientes circulan en direccin al colector, este
sentido se define como sentido positivo de la corriente de colector, y

Aplicando la ley de Kirchhoff de corriente al transistor se tiene

combinando estas dos ecuaciones, la corriente de base ser:

El smbolo | se utiliza para representar la relacin entre las corrientes de colector y de
base.

Amplificacin de corriente en el transistor
En la seccin anterior se ha hecho una descripcin muy abreviada de la forma en que
circula la corriente en el transistor de unin. Ello es suficiente para permitirnos deducir
algunas de las relaciones entre las magnitudes en los terminales del transistor para
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funcionamiento lineal. En esta seccin la discusin se ampla a la explicacin de cmo se
realiza la amplificacin de corriente.
Brevemente, el proceso puede explicarse de esta manera; considerando las ecuaciones 1
y 2 se ve que si o ~ 1 y I
CBO
es pequea, un cambio en la corriente de emisor I
E
produce
un cambio de aproximadamente la misma cantidad en la corriente de colector

y un
cambio mucho menor en la corriente da base.

Un cambio de

produce un cambio de

tal que,
C
B
B
B B
B
B
B
i
i
i
i i
i
i
i
A
A
A
A
A
A
A
A
~
+ = + |
|
|
|

Esta razn se llama factor de amplificacin de corriente para seales dbiles h
fe
.
Por consiguiente,

La figura indica la variacin tpica de | y hfe con la corriente de colector. Ntese que
dentro de una gama de funcionamiento tpica de 1 a 100 mA, h
fe
es aproximadamente
igual a | y es relativamente independiente de los cambios en la corriente de colector. Para
simplificar el anlisis a menudo se hace la solucin de que | = h
fe
= constante. Haremos
esta suposicin a lo largo del curso.







fe
B
B
B
B FE h
i
i si
i
i h
= + < = |
| |
| |
A
A
A
A
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Hay tres circuitos bsicos a transistores, ellos son:
- Emisor comn
- Base comn y
- Colector comn

Estas configuraciones provienen de la eleccin de los terminales que sirven de entrada y
de salida. En cada una de ellas las condiciones de polarizacin han sido satisfechas; es
decir, la juntura del colector con la base esta polarizada en contra y la del emisor con la
base est a favor de la conduccin. (Por supuesto que las polarizaciones de los voltajes de
polarizacin depende de si el transistor es PNP o NPN).
Caractersticas estticas
Si reemplazamos las fuentes de polarizacin
por fuentes variables se producirn cambios
en los parmetros de entrada y salida, las
cuales se pueden resumir en grficas como
las de configuracin de emisor comn.
(curvas dadas generalmente por el
fabricante).
Estas curvas de entrada representan

, con

como parmetro. Las

curvas son similares a las del diodo. Al
aumentar la polarizacin inversa de la unin
colector-base disminuye la anchura de la
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base y la corriente de recombinacin en la misma (Efecto Early).

curvas representan

, con

como parmetro.
En las caractersticas de salida del transistor se distinguen tres regiones:
- Regin activa (I): En esta regin la unin de colector se polariza inversamente y la
del emisor directamente, y es en esta regin es donde se obtiene la amplificacin
lineal. La regin activa tiene lmites superiores e inferiores de corriente de colector
que puede correr sin daar fsicamente el transistor. Este valor esta siempre
especificado por el fabricante. El lmite inferior se llama corriente de corte de
colector, y ms abajo de este lmite no circula corriente. Generalmente se toma cero
como valor de la corriente de corte.
- Regin de saturacin (III): Las uniones de colector y emisor se polarizan
directamente. La tensin de saturacin colector emisor que define esta regin es
generalmente de 0.1 a 0,2 V para los transistores de baja potencia (menos de 1 W), y
puede llegar hasta 1 y 2 V para transistores de alta potencia. En esta regin un
incremento de la corriente de base no acarrea un incremento proporcional de la
corriente de colector. As, en proyectos de amplificadores lineales, se evita la regin de
saturacin.
- Regin de corte (II): Las uniones de colector emisor de polarizan inversamente. Su
caracterstica es que la corriente de emisor es nula (I
E
=0).


Procedimiento

Verificacin del dispositivo
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Compruebe que el transistor se encuentra en buen estado identificando las terminales
(base, emisor y colector) usando el hmetro en la opcin de continuidad y prueba de
diodos, reporte las mediciones entre terminales (polarizando directa e inversamente);
verifique los resultados comprobndolos con la configuracin indicada en las hojas de
especificacin del dispositivo.

Terminales Z
pol directa
() Z
pol inversa
()
Base - Emisor
Base - Colector
Colector - Emisor

Curva Caracterstica Base-Emisor

Arme el circuito; coloque V
BB
a cero y ajuste V
CC
hasta tener un voltaje V
CE
= 1 V, mida V
BE

e I
B
(aplique ley de ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base); para cada nuevo
valor de V
BB
reajuste V
CC
para mantener V
CE
= 1 V y complete la tabla.



V
BB
(V) V
BE
(V) I
b
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
VCE = 1V

Ajuste de nuevo V
BB
= 0V y repita el procedimiento manteniendo V
CE
= 3V, luego para V
CE

= 5V y por ltimo para V
CE
= 7V.

V
BB
(V) V
BE
(V) I
b
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
VCE = 3V
V
BB
(V) V
BE
(V) I
b
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
VCE = 5V
V
BB
(V) V
BE
(V) I
b
(A)
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
VCE = 7V

Grafique V
BE
vs I
b
(las 4 curvas en el mismo grfico).

Curva Caracterstica Colector-Emisor
VBB
100k
1k
1k
VCC
VCE
B
C
E
Ib
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8



Arme el circuito; coloque V
CC
a +12 Volts y ajuste V
BB
hasta tener una corriente de base
I
b
=3 A (aplique ley de Ohm midiendo el voltaje en la resistencia de base); ajuste V
CC
a
cero y complete la tabla.





V
CC
(V) V
CE
(V) I
C
(mA)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Ib = 3A

Ajuste de nuevo V
CC
en +12 Volts y repita el procedimiento para I
b
= 7 A, 8 A y 12 A.

V
CC
(V) V
CE
(V) I
C
(mA)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Ib = 7A
V
CC
(V) V
CE
(V) I
C
(mA)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Ib = 8A
V
CC
(V) V
CE
(V) I
C
(mA)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
Ib = 12A

Grafique V
CE
vs I
C
(las 4 curvas en el mismo grfico).

Simulacin

Haga en multisim todos los pasos anteriores y verifique sus resultados experimentales.
VBB
100k
1k
1k
VCC
VCE
B
C
E
Ib
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Profesora Lucelly Reyes Notas de clase
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Cuestionario

1. A que se le conoce como modelo hbrido de un transistor bipolar, en que se utiliza
dicho modelo?

2. Investiga que otros modelos equivalentes para el transistor bipolar existen

3. Explique el significado fsico de los parmetros indicados as como la situacin en la
que se utilizan:

a) h
FE

b) h
fe

c) f
T

d) f

4. Investigue el significado de las siguientes siglas (indicadas en hojas de
especificacin de transistores).

a) SW
b) AF
c) RF
d) PW

Conclusiones