Las siguientes imgenes son fotografas tomadas a la pantalla de un osciloscopio analgico, con la finalidad de poder observar el comportamiento de la seal SPW a distintas las distintas frecuencias.
Las seales que se observan en las distintas imgenes muestran en la parte
superior de la referencia al canal 1 y en la parte inferior al canal 2; como se puede
apreciar las seales son complementarias para poder comandar los pares
respectivos de transistores en el puente inversor. El tiempo muerto entre la
activacin de cada par de transistores es de 450usg, este tiempo evita los picos
por corrientes inversas.
Una consideracin importante previa es que las seales del microcontrolador
deben ser inversas ya que los ingresos de seal del driver son activos a 0. 60Hz 10V/Div - 2msg/Div Seal en el Microcontrolador 60Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal en el Microcontrolador 82
60Hz 10V/Div - 0.2msg/Div Seal en el Microcontrolador 60Hz 10V/Div - 0.1msg/Div Seal en el Microcontrolador 30Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal en el Microcontrolador 30Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal en el Microcontrolador 25Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal en el Microcontrolador 25Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal en el Microcontrolador 83
20Hz 10V/Div - 10msg/Div Seal en el Microcontrolador 20Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal en el Microcontrolador 10Hz 10V/Div - 10msg/Div Seal en el Microcontrolador 10Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal en el Microcontrolador 3.2 SEALES DE ENTRADA PARA EL PUENTE INVERSOR
En las siguientes grficas se observa el canal 1 en la parte superior de la pantalla y canal 2 en la parte inferior de la misma, las seales que se visualizan constituyen las seales que ingresan a los terminales de Gate de una misma rama del puente H. El canal 1 se encuentra con su sonda atenuada 10 veces, por eso el voltaje que se muestra aplicado es igual a 170v como se observa esa doble lnea representa el voltaje que el circuito de BOOTSTRAP del driver le suma al voltaje de 170v del source del transistor para su conmutacin, este voltaje de desplazamiento es aproximadamente 18v. 84
El canal 2 no se encuentra atenuado en su sonda, por tanto el voltaje que llega al transistor mosfet es de 18v aproximadamente, esto debido a que su terminal de source esta directamente conectado a tierra. 60Hz 10V/Div - 2msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 60Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 60Hz 10V/Div - 0.2msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 60Hz 10V/Div - 0.1msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 55Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 55Hz 10V/Div - 2msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 85
50Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 50Hz 10V/Div - 2msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 45Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 45Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 40Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 40Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 86
35Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 35Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 30Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 30Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 25Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 25Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal ingreso Puente Inversor A frecuencias bajas, inferiores a 15Hz el muestreo del osciloscopio no es el adecuado, por lo cual existe un parpadeo de la seal mostrada en el osciloscopio, por eso en las graficas correspondientes a estas frecuencias se vern nicamente partes de esta seal y no la seal completa.
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15Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 15Hz 10V/Div - 10msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 10Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 10Hz 10V/Div - 10msg/Div Seal ingreso Puente Inversor 3.3 SEALES EN LA CARGA
La sonda que se utilizo para la medicin de estas seales posee una atencin de un valor de x10, por motivos de visualizacin. Cabe aclarar que algunas imgenes, inferiores a los 15Hz no se podrn apreciar de manera ptima porque el muestreo del osciloscopio no es el adecuado.
3.3.1 Resistiva con carga de 10 K
A continuacin se muestra la seal sobre una carga Resistiva de 10K. Como se puede observar a medida que el ancho del pulso en alto crece la seal disminuye su cercana a cero hasta que el pulso se vuelve constante. 88
60Hz 10V/Div - 2msg/Div Seal con Carga R de 10K 60Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga R de 10K 60Hz 10V/Div - 0.2msg/Div Seal con Carga R de 10K 60Hz 10V/Div - 0.1msg/Div Seal con Carga R de 10K 55Hz 10V/Div - 2msg/Div Seal con Carga R de 10K 55Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga R de 10K 89
50Hz 10V/Div - 2msg/Div Seal con Carga R de 10K 50Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga R de 10K 45Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal con Carga R de 10K 45Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga R de 10K 40Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal con Carga R de 10K 40Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga R de 10K 90
35Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal con Carga R de 10K 35Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga R de 10K 30Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal con Carga R de 10K 30Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga R de 10K 25Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal con Carga R de 10K 25Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga R de 10K 91
20Hz 10V/Div - 10msg/Div Seal con Carga R de 10K 20Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga R de 10K 15Hz 10V/Div - 10msg/Div Seal con Carga R de 10K 15Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga R de 10K 10Hz 10V/Div - 10msg/Div Seal con Carga R de 10K 10Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga R de 10K 3.3.2 Resistiva / Capacitiva En esta grafica se aprecia el efecto de aumentar un capacitor a la carga, el cual es un alisamiento y curvatura en las esquinas del pulso. Los valores de la carga
92
son: resistencia de 10K en paralelo con un condensador de 16.5nF y en serie con una resistencia 10K. 60Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 60Hz 10V/Div - 2msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 60Hz 10V/Div - 0.2msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 60Hz 10V/Div - 0.1msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 55Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 55Hz 10V/Div - 2msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 93
50Hz 10V/Div - 2msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 50Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 45Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 45Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 40Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 40Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 94
35Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 35Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 30Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 30Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 25Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 25Hz 10V/Div - 5msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 95
20Hz 10V/Div - 10msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 20Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 15Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 15Hz 10V/Div - 10msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 10Hz 10V/Div - 10msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 10Hz 10V/Div - 1msg/Div Seal con Carga C de 16.5nF 3.3.3 Resistiva / Inductiva Se coloco un inductor con magnitud de 0.72H en paralelo a una resistencia de 10K, la salida como se observa en las graficas siguientes sufre una disminucin drstica en su voltaje, esto a consecuencia de que se amplifican los picos de 96
corriente, en este caso acta la realimentacin del driver IR 2136, que desactiva los transistores cada vez que los picos superan el lmite permitido, por esta razn deja de funcionar el puente en instantes disminuyendo el voltaje de la salida final.
Los picos que se visualizan en las seales son producidos directamente por el valor de la bobina. 60Hz 10V/Div - 1msg/Div Bobinas 0.72H, Paralelo Resis 10k 3.3.4 Bombilla incandescente de 60 Watts Esta prueba se la realizo para comprobar los lmites de corriente de cada una de las salidas, obteniendo un valor superior al 0,5 A para el cual esta diseado cada salida, es decir: 140.2Vlts a 0.52A. 60Hz 10V/Div - 5msg/Div 138.2Vlts / 0.52A Bombilla de 60 Watts 60Hz 10V/Div - 2msg/Div 138.2Vlts / 0.52A Bombilla de 60 Watts 97
20Hz 10V/Div - 10msg/Div 142Vlts / 0.52A Bombilla de 60 Watts 20Hz 10V/Div - 1msg/Div 142Vlts / 0.52A Bombilla de 60 Watts 10Hz 10V/Div - 1msg/Div 139.2Vlts / 0.51A Bombilla de 60 Watts 10Hz 10V/Div - 10msg/Div 139.2Vlts / 0.51A Bombilla de 60 Watts 3.3.5 Radio en serie con una resistencia de 10K Esta prueba se la realizo para comprobar el funcionamiento con una carga RLC
desconocida, en este caso un radio, para comprobar la utilidad del modulo como
inversor, adems para realizar la integracin de la seal y mostrar una seal casi
seno. Se utilizo un partidor de tensin, dado que la corriente que consuma el
radio era muy baja y el voltaje no disminua de los 163V, para evitar quemarlo se
hizo un partidor con 2 resistencias de 10K y un condensador de integracin de
10nF, obteniendo sobre el radio un voltaje de 85V y una corriente de 10.3mA. 99
60Hz 10V/Div - 1msg/Div 85V / 10.3mA 3.3.6 Pruebas con una bombilla incandescente de 40 Watts Se conecto una bombilla incandescente de 40 Watts, en paralelo a un arreglo de resistencias de 12K y una capacitancia de 220nF a 250V. 60Hz 10V/Div - 10msg/Div 100
60Hz 10V/Div - 10msg/Div 101
CONCLUSIONES
1. Diseo. En cuanto al diseo la primera consideracin fue implementar dos microcontroladores, a fin de que el microcontrolador que genere la seal SPWM este totalmente libre de funciones como interface con el usuario, monitoreo, conversiones etc. Es decir el microcontrolador M8 se encarga exclusivamente de generar la seal SPWM, esta decisin se tomo a partir de que en pruebas iniciales utilizando nicamente el M16 para realizar todas las funciones, pese a trabajar a 16 millones de instrucciones por segundo, existan instantes en donde la seal generada sufra pequeas discontinuidades, esto debido a que el microcontrolador atenda interrupciones externas en esos instantes de tiempo. Posterior a eso implementamos compuertas lgicas para controlar de que en casos como el encendido y un reset del sistema las seales SPWM que se enviaban hacia al puente jams coincidan y siempre cumplan la condicin de complementariedad, esto impide que se activen 2 transistores de la misma rama del puente H, lo cual provocara un cortocircuito. Para el control de los transistores en el puente H inicialmente intentamos hacerlo mediante optotransitores que conectaban 4 fuentes independientes a los gates de los transistores, lamentablemente tenamos los siguientes problemas. Los optotransitores no respondan correctamente a las frecuencias de la seal SPWM superiores a 2 Khz. Se necesitaban 4 fuentes de 12 voltios mnimo adems de las que se utilizaban para el circuito de control y potencia es decir 6 en total. Aumentaba el tamao del circuito porque los optotransitores no cerraban o abran por completo lo cual hacia que los transistores no se abran por completo en los tiempos requeridos provocando cortos. X
Para solucionar todos estos problemas mediante investigaciones encontramos un Driver para Variadores Trifsicos, al cual mediante pruebas y las hojas de especificaciones del fabricante lo acoplamos para controlar el puente de nuestro Variador Monofsico. Las ventajas de este Driver (IR2136) corregan todas las desventajas descritas del diseo anterior con optotransitores. 2. Control di/dt dv/dt Otro de los puntos claves para el funcionamiento de este variador de frecuencia, es el control de los picos de corriente y voltaje es decir di/dt y dv/dt. El sistema sin un control de di/dt y dv/dt no funciona, debido a que el driver posee una realimentacin a la salida del puente esta detecta las variaciones en corriente y voltaje, cuando los valores de estas variables exceden el lmite de funcionamiento a pesar de ser valores instantneos el driver inhibe sus salidas dejando los 4 transistores abiertos, es decir el puente H se apaga. Debido a que estos valores picos son repetitivos pero no siempre peridicos, sin un adecuado control de ellos el sistema permanece inhibido, es decir el sistema est inactivo. Mediante una combinacin RC (resistencia en serie a un condensador) en paralelo a cada uno de los transistores, y una bobina en serie en la parte superior del puente, se logro controlar estos picos y permitir un adecuado funcionamiento del sistema. Cabe destacar que los valores de estos componentes se determinan mediante un clculo que consta en el captulo 2, y si bien los valores determinados cumplen con controlar estos valores picos un incremento en el valor de la combinacin RC de hasta 10 veces los calculados le otorga mayor estabilidad al sistema, esto lo pudimos determinar de forma experimental ya que resulta muy complicado visualizar mediante el osciloscopio estos picos de tensin y corriente por sus caractersticas de una muy reducida duracin; pero el efecto apreciable es una eliminacin casi completa de discontinuidades en la seal sobre la carga. XI
3. Pruebas Durante las pruebas se pudo observar que con cargas puramente resistivas la seal de salida es bastante limpia y el sistema plenamente estable; con carga resistiva capacitiva, se observa la integracin de la seal y como la onda de salida empieza o tomar la forma de una onda seno perfecta. Con carga resistiva inductiva se observa el aparecimiento de ruido en la seal de salida y discontinuidades producto de los picos de corriente que se amplifican en el inductor y provocan que el sistema se inhiba o desconecte. Con cargas RLC el sistema es estable, pero cabe recalcar que un valor alto o predominante de L o C se debe tomar en cuenta para las protecciones di/dt y dv/dt. Para utilizar cargas puramente inductivas o capacitivas se debe hacer un estudio previo para compensar ese desbalance de di/dt o dv/dt con sus respectivas protecciones dentro del puente. Las frecuencias inferiores a 20Hz sufren una disminucin de su voltaje, consecuencia de esto una distorsin en la seal de salida seno sobre la carga, debido a que por recomendaciones del Ing. Flavio Quizhpi, el comportamiento en motores a frecuencias bajas se refleja en el consumo de menor corriente es decir mantienen su par a un voltaje menor. Esto debido al control V/F que se realiza en motores, por eso no elevamos el voltaje a frecuencias bajas y obtenemos una seno perfecta como en las frecuencias anteriores, debido a que para elevar el voltaje se deberan hacer pruebas en motores, esto por preservar el inducido del motor que podra quemarse con una corriente excesiva, si subisemos el voltaje excesivamente. 4. Objetivos Respecto a los objetivos planteados al iniciar esta tesis, se los ha cumplido a cabalidad, XII Al analizar los objetivos especficos, podemos decir: Se analizo el principio y funcionamiento de la modulacin SPWM. Llevamos a cabo el diseo y construccin del modulo de Modulacin Senoidal AVR. de Ancho de Pulso (SPWM), utilizando microcontroladores Realizamos las pruebas del modulo, cumpliendo con los parmetros respectivos. Por lo tanto el objetivo general fue alcanzado al realizar el estudio, diseo y construccin de un modulo de Modulacin Senoidal de Ancho de Pulso (SPWM) como etapa de control en mdulos de pequea y gran escala, para aplicaciones en variadores de frecuencia. XIII