1

wiczenie nr 6 (cz teoretyczna)

Przeczanie tranzystora

Normalnym stanem pracy tranzystora bipolarnego s takie warunki pracy, e w stanie
spoczynkowym, czyli bez sygnau wejciowego, warto prdu kolektora jest rwna poowie
maksymalnej wartoci prdu kolektora w danym ukadzie aplikacyjnym. Dziki temu
moliwe jest wywoanie zarwno dodatnich przyrostw prdu kolektora jak i ujemnych
przyrostw (zmniejszenia wartoci) w zalenoci od sygnau wejciowego. Ten tryb pracy
tranzystora (nazywany klas A) zapewnia najmniejszy stopie znieksztace wzmocnionego
sygnau wejciowego. Stosowany jest w wikszoci wzmacniaczy sygnaowych oraz
wzmacniaczy pomiarowych. Cech charakterystyczn tego typu pracy jest fakt, e niezalenie
od amplitudy sygnau wejciowego w kolektorze tranzystora tracona jest energia, ktra
przekracza warto maksymalnej energii, ktra jest przekazywana do kolejnego stopnia, czyli
odbiornika. Mwimy, e taki wzmacniacz ma ma sprawno energetyczn, ktr okrelamy
jako stosunek mocy wyjciowej do cakowitej mocy dostarczonej do wzmacniacza.
W przypadku wspomnianej klasy sprawno energetyczna jest mniejsza od 25%.
Tryb pracy w ktrym tranzystor pracuje jako cznik prdowy (klucz) zapewnia
uzyskanie znacznie wikszej sprawnoci energetycznej. Dziki stosunkowo duej szybkoci
przeczania moliwe jest znaczne zmniejszenie gabarytw elementw indukcyjnych, co
przekada si na wielokrotnie mniejsz wag, rozmiary i koszty materiaw. Przykadowo
transformator o mocy 100W odbiornika radiowego z lat 60-tych way ok. 2kg. Obecnie
zasilacz komputera o mocy 300W ma mas ok. 0.3kg, a cakowita masa wszystkich
elementw zawartych w nim elementw indukcyjnych nie przekracza 100g.
Impulsowy tryb pracy tranzystora stanowi wic alternatyw w stosunku do
wspomnianego wczeniej trybu cigego. W wiczeniu zostanie pokazane, e poprawa
jednego z parametrw (sprawnoci energetycznej) opacona jest pogorszeniem innego
parametru. W jzyku angielskim doskonale okrela to sowo trade-off . Warto zapamita
to sowo, poniewa w praktyce niemal zawsze, popraw jednego z parametrw uzyskuje si
kosztem innego.

Idealny cznik powinien posiada nastpujce parametry:
rezystancja w stanie zaczonym = 0[O|
rezystancja w stanie wyczonym = [O|
opnienie przy zaczaniu = 0sek.
opnienie przy wyczaniu = 0sek.
dopuszczalne napicie na czniku w stanie rozczenia = [V]

W rzeczywistym czniku kady z wymienionych parametrw jest ograniczony.
Na rysunku poniej przedstawiono charakterystyki napiciowo prdowe tranzystora
bipolarnego, gdzie parametrem jest prd bazy. Nakrelono te charakterystyk napiciowo
2
prdow rezystora R poczonego szeregowo z cznikiem tranzystorowym i doczonego do
rda napicia zasilania.

Rys. 1
W celu okrelenia wartoci prdu pyncego przez oba elementy. Charakterystyk
napiciowo prdow rezystora R przesunito do punktu odpowiadajcego wartoci napicia
zasilajcego Uz. nastpnie dokonano obrotu przesunitej charakterystyki wok wertykalnej
osi w punkcie UZ. Odwrcona charakterystyka rezystora R stanowi graficzne rozwizanie
rwnania opisujcego zaleno pomidzy napiciem na tranzystorze, a wartoci prdu
kolektora:
C C Z CE
I R U U =
(1)
gdzie:
U
CE
- napicie pomidzy emiterem i kolektorem tranzystora,
U
Z
- napicie zasilajce,
I
C
- prd kolektora,
R- rezystancja obcienia.
Oznacza to, e wszystkie rozwizania rwnania (1) znajduj si na odcinku prostej pomidzy
punktami: {0[V], U
Z
/R [A]}, { U
Z
[V], 0[A]}. Ten odcinek odwrconej charakterystyki
rezystora R (w przypadku wzmacniacza RC) czasami nazywany jest prost pracy.
Poniewa tranzystor bipolarny sterowany jest za porednictwem prdu bazy, dla okrelonej
wartoci prdu bazy otrzymamy szczeglne rozwizanie rwnania (1). Bdzie to punkt
przecicia odwrconej charakterystyki rezystora R z charakterystyk wyjciow tranzystora
dla okrelonej wartoci prdu bazy.
Na rysunku 1 nakrelono take charakterystyk napiciowo prdow tranzystora bipolarnego,
w ktrym baza tranzystora zostaa poczona z kolektorem tranzystora. Charakterystyka
napiciowo prdowa, tak skonfigurowanego dwjnika, rozdziela rodzin charakterystyk
wyjciowych tranzystora bipolarnego na dwa obszary. Obszar pracy normalnej (jeeli
3
U
CE
>U
BE
) i obszar pracy w stanie nasycenia (jeeli U
CE
<U
BE
). Czym si rni oba te
obszary?

A praca w stanie normalnym
W stanie pracy normalnej tranzystor jest przewidywalny, tzn. zaleno pomidzy prdem
kolektora i prdem bazy okrelona jest jednoznaczn zalenoci Ic= I
B

W stanie nasycenia Ic<I
B
, a dalsze zwikszanie wartoci prdu bazy ma niewielki wpyw
na warto prdu kolektora.
Z uwagi na fakt, e tranzystor peni funkcj cznika korzystne jest, aby warto napicia
pomidzy kolektorem i emiterem bya jak najnisza, wwczas moc tracona na czniku w
stanie zaczenia, ktra jest iloczynem napicia kolektor-emiter i prdu kolektora, bdzie
minimalna. Silne przesterowanie tranzystora zmniejsza warto napicia kolektor emiter dla
stanu zaczenia, jednake na skutek przesterowania nastpuje pogorszenie parametrw w
tranzystora/cznika w dziedzinie czstotliwoci. Czasy zaczenia i wyczenia ulegaj
wydueniu, co ogranicza maksymaln czstotliwo pracy.
Rysunek 2 przedstawia rozkad nonikw mniejszociowych w obszarze bazy dla
uproszczonego, jednowymiarowego model tranzystora bipolarnego.

Rys. 2 Rozkad koncentracji nadmiarowych nonikw w obszarze neutralnym bazy dla normalnego stanu
pracy (U
CE
>U
BE
) . Odczenie prdu emitera spowoduje stopniowy zanik adunku, co ilustruj kolejne wykresy
t
1
, t
2
, itd..


Wstrzykiwane przez emiter noniki w obszarze neutralnym bazy (brak pola elektrycznego)
przemieszczaj si na skutek dyfuzji w kierunku kolektora, gdzie ulegn rekombinacji, co
spowoduje przepyw prdu kolektora.
Aby proces dyfuzji mg zachodzi w okrelonym kierunku musi istnie ujemny gradient
koncentracji. Zatem, dla okrelonej wartoci prdu emitera rozkad koncentracji nonikw
mona przedstawi za pomoc funkcji n(x, t=0).
4
Jeeli w chwili t
0
zostanie przerwane wstrzykiwanie nonikw przez emiter (czyli wyczony
zostanie prd bazy) adunek Q
N
bdzie stopniowo zanika jak pokazano na rysunku 2, male
bdzie gradient koncentracji, a wic i warto prdu kolektora.
W warunkach normalnego stanu pracy ( zcze baza kolektor spolaryzowane zaporowo)
adunek nonikw nadmiarowych w obszarze bazy jest wprost proporcjonalny do natenia
przepywajcego prdu oraz czasu przelotu nadmiarowych nonikw mniejszociowych przez
obszar bazy.
C N
I TT Q = [1]
gdzie:
TT- czas przelotu nonikw prze baz,
I
C
- prd kolektora


B praca tranzystora w stanie nasycenia
Jeeli do bazy zostanie doprowadzony prd o wartoci wikszej anieli (I
C
/) napicie
kolektor emiter zmaleje do takiego poziomu, e zcze kolektora-baza zostanie
spolaryzowane w kierunku przewodzenia. Kolektor nie zbierze wszystkich nonikw,
skutkiem czego tu przy kolektorze wzronie koncentracja nonikw nadmiarowych.
W efekcie w obszarze bazy zostanie zgromadzony dodatkowy adunek nonikw
mniejszociowych Q
S
, ktrego warto mona wyrazi jako:
) (

C
BF S S
I
I Q =
[2]
gdzie:

S
- czas usuwania dodatkowych-nadmiarowych
1
nonikw mniejszociowych

Ten dodatkowy adunek w obszarze bazy silnie opnia proces wyczania tranzystora. Jeeli
w chwili t
0
zostanie przerwane wstrzykiwanie nonikw przez emiter (czyli wyczony
zostanie prd bazy) prd kolektora bdzie jeszcze pyn przez pewien okres czasu
S
, a jego
warto nadal bdzie ograniczona przez rezystancj obcienia. adunek nadmiarowych
nonikw mniejszociowych bdzie male do momentu
S
(jak pokazano na rysunku 3).
Poczwszy od momentu
S
rozpocznie si proces wyczania tranzystora prd kolektora
zacznie male, poniewa od tego momentu zmienia si bdzie gradient koncentracji
nonikw mniejszociowych.

Jeeli nagle wstrzymamy przepyw prdu emitera, to zgromadzony adunek bdzie zanika
wskutek trzech czynnikw:
1. wewntrznego prdu rekombinacji , w obszarze bazy; Q
S
/t
S

2. zewntrznego prdu polaryzacji bazy I
BR

3. dyfuzji nadmiarowych nonikw mniejszociowych do kolektora
1
; I
C
/|



1
Uwzgldniamy tylko prd w bazie niezbdny do utrzymania zadanej wartoci prdu kolektora.
5


Rys. 3 Rozkad koncentracji nadmiarowych nonikw w obszarze neutralnym bazy dla stanu nasycenia
(U
CE
<U
BE
), stan przejciowy (proces wyczania tranzystora). Po wyczeniu prdu bazy emiter nie wstrzykuje
nonikw do bazy. adunek przesterowania Q
S
stopniowo zanika jednak przez cay czas jednak pynie
maksymalny prd kolektora. W momencie t
S
tranzystor wychodzi ze stanu nasycenia, prd kolektora stopniowo
maleje poniewa zmienia si gradient koncentracji nonikw w bazie.

Zmian adunku wskutek tych czynnikw wyraa wzr poniej:


C
BR
S
S S
I
I
Q
t
Q

=
c
c
[3]

po zrniczkowaniu rwnania [3] otrzymamy:
0
2
2
=
c
c
+
c
c

t
Q
t
Q
S S
S
[4]
rozwizaniem rwnania [4] jest funkcja w postaci:
B e A t Q
S
t
S
+ =

) ( [5]
po podstawieniu [5] do [3] otrzymamy:
) (

C
BR S
I
I B + =


W momencie zmiany kierunku prdu czyli w czasie t=0 (warunek pocztkowy)
) ( ) (

C
BR S
t
C
F B S S
I
I e A
I
I Q
S
+ = =

[6]

zatem,
S BR F B
I I A + = ) (

ostatecznie otrzymujemy:
6
) ( ) ( ) (

C
BR S
t
BR BF S S
I
I e I I t Q
S
+ + =

[7]
naley teraz tylko obliczy czas po ktrym Q
S
(t) jest rwne zero:

C
BR
BR BF
S S
I
I
I I
t t
+
+
= = ln
[8]
gdzie:
I
C
- prd kolektora,
I
BF
prd bazy zaczajcy,
I
BF
prd bazy rewersyjny

Sposb pomiaru czasu t
S
wyjania rysunek nr 4. Rysunek pokazuje znaczne opnienie przy
wyczaniu tranzystora spowodowane

Rys. 4 pomiar czasu magazynowania

Wzr [8] jest podobny do przedstawionego wczeniej, w wiczeniu nr 3, wzoru [13].
Dla diody ten parametr nazwalimy czasem przelotu przez baz diody. Dla tranzystora wzr
[8] okrela czas magazynowania nonikw w obszarze bazy. Klucz tranzystorowy pozostanie
tak dugo w stanie zaczonym dopki dodatkowe-nadmiarowe noniki mniejszociowe nie
zostan usunite z obszaru bazy. Jeeli I
C
/ jest rwne I
BF
wyraenie pod logarytmem
przyjmuje warto 1, a warto logarytmu jest rwna 0 , zatem otrzymujemy zerowy
7
czas magazynowania. Wwczas tranzystor nie wchodzi w stan nasycenia. Wzr [8] pokazuje
rwnie, e jeeli tranzystor jest sterowany impulsowo dua warto wspczynnika
wzmocnienia prdowego nie jest korzystna.


Pomiar czas ycia nonikw w bazie
Pomiar czasu ycia nonikw w bazie mona przeprowadzi w oparciu o metod (Open
Circuit Voltage Decay), (OCVD) przedstawion w wiczeniu nr 3 wzr [6].
Czas ycia mona rwnie wyznaczy na podstawie pomiaru czasu narastania prdu
kolektora. Czas po ktrym prd kolektora osiga 63% maksymalnej wartoci prdu kolektora
jest rwny czasowi ycia nonikw w bazie. Przy pomiarze szybkoci narastania prdu
kolektora tranzystor nie moe wchodzi w stan nasycenia.
Znajomo czasu ycia nonikw w bazie umoliwia oszacowanie adunku nonikw
mniejszociowych w bazie tranzystora.
BF BN B
I Q = [9]
Jeeli tranzystor pracuje w stanie normalnym (U
CE
>U
BE
) adunek ten niemal w caoci
przechwytywany jest przez kolektor tranzystora, zatem;

N B
Q Q = [10]

C N BF BN
I I = [11]
gdzie:

BN
czas ycia nonikw mniejszociowych w bazie,

N =
TT

czas przelotu nonikw przez baz,
I
C
- prd kolektora,
I
BF
prd bazy

za pomoc wzorw [9] , [11] mona rwnie wyznaczy zalenoci dla pracy inwersyjnej
tranzystora.
8
Pomiar szybkoci narastania prdu kolektora wyjania rysunek 5.

Rys 5 pomiar staej czasowej
BN
.

POMIARY Przeczanie tranzystorw bipolarnych


Przyrzdy pomiarowe:
1. przystawka pomiarowa.
2. oscyloskop dwukanaowy,


Rys. 6 Schemat blokowy przystawki pomiarowej


9
Przy pomocy oscyloskopu oraz przystawki pomiarowej zawierajcej dwa kluczowane rda
prdu przeprowadzi nastpujce badania i pomiary:

1. zmierzy czasy narastania prdu kolektora dla polaryzacji normalnej i polaryzacji
inwersyjnej,
2. zmierzy wspczynniki wzmocnienia prdowego dla polaryzacji normalnej i
polaryzacji inwersyjnej,
3. obliczy stae czasowe :

4. przesterowa tranzystor wprowadzajc na baz tranzystora prd o wartoci co
najmniej dwukrotnie wikszej anieli wymagana warto prdu bazy dla ustalenia
maksymalnego prdu kolektora przy rezystancji kolektora R
C
=100Ohm,
5. zmierzy czas magazynowania
S
dla przesterowania x2, x4,
sprawdzi zaleno (1) dla rnych wartoci prdw I
BF
, I
BR
,




(1)


gdzie :
I
BF
zaczajcy prd bazy
I
BR
wyczajcy prd bazy
I
C
- prd kolektora
t
S
- czas magazynowania

6. okreli wpyw parametrw prdowych impulsw sterujcych na parametry sygnau
wyjciowego.
7. oszacowa maksymaln czstotliwo pracy tranzystora jako klucz prdowy, przy
zaoeniu, e tranzystor jest przesterowany: (a) dwukrotnie, (b) czterokrotnie przy
czym dopuszczalna zmiana wspczynnika wypenienia impulsw nie powinna
przekracza 10% w stosunku do sygnau sterujcego na bazie tranzystora.
8. porwna zmierzone i obliczone wartoci parametrw

z analogicznymi parametrami z parametrami opisujcymi dany element w programie
symulacyjnym (Spice, Multisim , Workbench).




zbigmag

C
BR
BR BF
I
I
I I
S S
t
+
+
= ln