In solid-state physics, a band gap, also called an energy gap or bandgap, is an energy range in a solid

where no electron states can exist. In graphs of the electronic band structure of solids, the band gap
generally refers to the energy difference (in electron volts) between the top of the valence band and the
bottom of the conduction band in insulators and semiconductors. This is equivalent to the energy
required to free an outer shell electron from its orbit about the nucleus to become a mobile charge
carrier, able to move freely within the solid material, so the band gap is a major factor determining the
electrical conductivity of a solid. Substances with large band gaps are generally insulators, those with
smaller band gaps are semiconductors, while conductors either have very small band gaps or none,
because the valence and conduction bands overlap.
Every solid has its own characteristic energy-band structure. This variation in band structure is
responsible for the wide range of electrical characteristics observed in various materials. In
semiconductors and insulators, electrons are confined to a number of bands of energy, and forbidden
from other regions. The term "band gap" refers to the energy difference between the top of the valence
band and the bottom of the conduction band. Electrons are able to jump from one band to another.
However, in order for an electron to jump from a valence band to a conduction band, it requires a
specific minimum amount of energy for the transition. The required energy differs with different
materials. Electrons can gain enough energy to jump to the conduction band by absorbing either a
phonon (heat) or a photon (light).

A semiconductor is a material with a small but non-zero band gap that behaves as an insulator at
absolute zero but allows thermal excitation of electrons into its conduction band at temperatures that
are below its melting point. In contrast, a material with a large band gap is an insulator. In conductors,
the valence and conduction bands may overlap, so they may not have a band gap.

The conductivity of intrinsic semiconductors is strongly dependent on the band gap. The only available
charge carriers for conduction are the electrons that have enough thermal energy to be excited across
the band gap.

Band-gap engineering is the process of controlling or altering the band gap of a material by controlling
the composition of certain semiconductor alloys, such as GaAlAs, InGaAs, and InAlAs. It is also possible
to construct layered materials with alternating compositions by techniques like molecular-beam epitaxy.
These methods are exploited in the design of heterojunction bipolar transistors (HBTs), laser diodes and
solar cells.

The distinction between semiconductors and insulators is a matter of convention. One approach is to
think of semiconductors as a type of insulator with a narrow band gap. Insulators with a larger band gap,
usually greater than 3 eV,[citation needed] are not considered semiconductors and generally do not
exhibit semiconductive behaviour under practical conditions. Electron mobility also plays a role in
determining a material's informal classification.

Dalam fisika solid-state , celah pita , juga disebut gap energi atau bandgap , merupakan rentang energi
dalam padat di mana tidak ada negara elektron bisa eksis . Dalam grafik dari struktur pita elektronik
padatan , band gap umumnya mengacu pada perbedaan energi ( dalam elektron volt ) antara bagian
atas pita valensi dan bagian bawah pita konduksi di isolator dan semikonduktor . Hal ini setara dengan
energi yang dibutuhkan untuk membebaskan kulit elektron terluar dari orbitnya sekitar inti untuk
menjadi pembawa muatan mobile, mampu bergerak bebas dalam bahan padat , sehingga band gap
merupakan faktor utama yang menentukan konduktivitas listrik yang solid . Zat dengan kesenjangan
band besar umumnya isolator , mereka dengan kesenjangan band yang lebih kecil adalah semikonduktor
, sementara konduktor baik memiliki kesenjangan band yang sangat kecil atau tidak ada , karena valensi
dan pita konduksi saling tumpang tindih .
Setiap padat memiliki struktur energi -band karakteristik sendiri . Variasi dalam struktur pita
bertanggung jawab atas berbagai karakteristik listrik diamati dalam berbagai bahan . Dalam
semikonduktor dan isolator , elektron terbatas pada sejumlah band energi , dan dilarang dari daerah lain
. Istilah " band gap " mengacu pada perbedaan energi antara bagian atas pita valensi dan bagian bawah
pita konduksi . Elektron dapat melompat dari satu kelompok ke kelompok lainnya . Namun, dalam
rangka untuk sebuah elektron untuk melompat dari pita valensi ke pita konduksi , membutuhkan jumlah
minimum energi tertentu untuk transisi . Energi yang dibutuhkan berbeda dengan bahan yang berbeda .
Elektron dapat memperoleh energi yang cukup untuk melompat ke pita konduksi dengan menyerap baik
phonon ( panas ) atau foton ( cahaya) .

Sebuah semikonduktor adalah bahan dengan celah pita kecil tapi non - nol yang berperilaku sebagai
isolator pada nol mutlak tetapi memungkinkan eksitasi termal elektron ke pita konduksi pada suhu yang
berada di bawah titik leleh . Sebaliknya , bahan dengan celah pita besar adalah isolator . Dalam
konduktor , valensi dan pita konduksi mungkin tumpang tindih , sehingga mereka mungkin tidak
memiliki celah pita .

Konduktivitas semikonduktor intrinsik sangat tergantung pada band gap . Satu-satunya pembawa
muatan yang tersedia untuk konduksi adalah elektron yang memiliki energi panas yang cukup untuk
menjadi gembira melintasi celah pita .

Engineering band-gap adalah proses mengendalikan atau mengubah celah pita dari bahan dengan
mengendalikan komposisi paduan semikonduktor tertentu, seperti GaAlAs , InGaAs , dan InAlAs . Hal ini
juga memungkinkan untuk membangun bahan berlapis dengan bolak komposisinya dengan teknik
seperti molekul - epitaksi balok . Metode ini dieksploitasi dalam desain transistor hetero bipolar ( HBTs )
, dioda laser dan sel surya .

Perbedaan antara semikonduktor dan isolator adalah masalah konvensi . Satu pendekatan adalah untuk
memikirkan semikonduktor sebagai jenis isolator dengan band gap sempit . Isolator dengan kesenjangan
yang lebih besar pita , biasanya lebih besar dari 3 eV , [ rujukan? ] Tidak dianggap semikonduktor dan
umumnya tidak menunjukkan perilaku semiconductive di bawah kondisi praktis . Mobilitas elektron juga
memainkan peran dalam menentukan klasifikasi informal merupakan suatu material.