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Deteccin de Radiacin Gamma

con Diodos Semiconductores



Custidiano, Ernesto R. - Ricciardi, Eduardo J. - Busso, Arturo J. - Custidiano Secchi, Adolfo E.

Departamento de Fsica - Facultad de Ciencias Exactas y Naturales y Agrimensura - UNNE.
Campus Universitario - Av. Libertad 5600 - (3400) Corrientes - Argentina.
E-mail: cernesto@exa.unne.edu.ar - ejricciardi@hotmail.com
ANTECEDENTES
INTERACCIN DE LA RADIACIN CON LA MATERIA:
Cuando un ncleo atmico se desintegra, a travs de los distintos procesos posibles, lo hace emitiendo partculas
alfa, beta, neutrones, rayos gamma o rayos X caractersticos (cuando el ncleo interacta con los electrones
orbitales).
En todos los casos, la interaccin de la radiacin con la materia tiene un efecto ionizante, es decir, la energa de
las partculas incidentes se transfiere a los tomos (elctricamente neutros) liberando electrones con energa
cintica proporcional a la energa de interaccin y quedando un tomo con carga neta positiva (ionizado).
En el caso de partculas o (tomos de Helio doblemente ionizados o electrones respectivamente) la interac-
cin es directamente ionizante en virtud de que se trata de partculas con carga y masa y estamos en presen-
cia de colisiones entre la partcula y el tomo en cuestin.
Los neutrones interactan de varias maneras con la materia dependiendo este proceso de la energa del neutrn y
del tipo de material absorbente. La absorcin directa, es una de estas interacciones, ocurre cuando el ncleo del
tomo absorbe el neutrn y una radiacin secundaria ( o ) se produce para establecer el balance energtico;
Otra reaccin posible consiste en la absorcin del neutrn acompaado con la emisin de uno de los componen-
tes del ncleo. Las colisiones entre neutrones y ncleo pueden ser elsticas o inelsticas dependiendo de la masa
nuclear. Algunos tomos, como el Uranio y el Plutonio, pueden fisionarse como resultado de la absorcin de
neutrones.
La interaccin (indirectamente ionizante) que ocurre entre rayos gamma, rayos X; incidentes; y tomos de
materia depende principalmente de la energa del fotn y del nmero atmico del material (Target) en cues-
tin. Hemos utilizado la palabra Fotn con el fin de remarcar la caracterstica de onda electromagntica de
los rayos gamma y X considerados. Cabe aclarar que la radiacin electromagntica que tiene su origen en proce-
sos nucleares se denomina radiacin gamma o rayo gamma mientras que la emisin electromagntica resultan-
te de intercambio de energa con electrones orbitales se denomina Rayos X caractersticos y su energa es una
caracterstica del tomo en cuestin. El fotn puede ser absorbido en el proceso llamado Efecto Fotoelctrico
(lo que es altamente probable de ocurrir cuando los fotones son de baja energa y el blanco es de alto nmero
atmico), dispersado a travs del Scattering Compton (cuando se trata de fotones con energas intermedias) o
convertido en masa mediante la Formacin de Pares (que es la interaccin predominante en fotones de alta
energa).[1 7]

DETECCIN DE RADIACIONES IONIZANTES:
De lo expuesto hasta ahora se deduce que todos los fenmenos de intercambio energtico entre una radiacin
incidente y la materia da como resultado la ionizacin de dicha materia, ya sea sta slida, lquida o gaseosa, de
manera que si colectamos las cargas liberadas en el proceso estamos en condiciones de detectar dicha radiacin y
adems de cuantificarla.
El detector de radiaciones ms antiguo y sencillo, que se conoce, es el Electroscopio de hojas de oro; Se han
desarrollado diversos mtodos para detectar radiaciones ionizantes que se basan en la recoleccin de las cargas
producidas en el proceso de ionizacin, As encontramos las Cmaras de ionizacin, Tubos Geiger-Mller, Con-
tadores proporcionales y Contadores de Centelleo (Escintiladores) los que disponen de propiedades especficas
para distintos tipos de radiacin y/o energas. Tambin podemos citar las Emulsiones nucleares, los Dispositivos
Termoluminiscentes y Detectores Cherenkov entre otros.
Detectores de estado slido, como los de Germanio y Silicio, son utilizados principalmente para espectroscopia
Gamma.
En estos semiconductores se forma una juntura con elementos dopantes (penta o trivalentes) para aprovechar las
caractersticas elctricas en la zona de deplexin del cristal (Fig 1). La corriente generada es una funcin de los
portadores mayoritarios y minoritarios (electrones y huecos) en la regin de la juntura y la Ecuacin de Poisson
nos relaciona el potencial en cualquier punto de la zona de deplexin con la densidad volumtrica de carga en el
punto considerado y cuando una radiacin ionizante acta sobre esta regin se produce la variacin de la densi-
dad de portadores lo que se refleja como variacin en la corriente a la salida del detector.







MATERIALES Y METODO
Se desarroll un amplificador en configuracin no inversor utilizando para ello un operacional TL
081(Amplificador operacional con FETs de entrada), disponible en el comercio local. Tal configuracin nos
asegura una alta impedancia de entrada y, adems, la ganancia del amplificador resulta independiente de las
resistencias de realimentacin. Para alimentacin del circuito, se utiliz una fuente partida de +9, 9 Voltios
mantenindose de esta manera los regmenes tpicos de funcionamiento aconsejados en la hoja tcnica del opera-
cional en cuestin [8 9]. Se agreg el control de offset mediante el preset de 20 Kohm para ajustar el Cero de
la salida del operacional.
El Diodo BPW 34 es un fotodiodo PIN, y se lo polariz en inversa con el fin de crear la zona de Deplexin
dentro del cristal actuando de esta manera como cmara de ionizacin aislndolo pticamente de la luz ambiente.
La tensin de polarizacin se fij en +9V siendo en estas condiciones la capacidad interna de 17 pF. y la corrien-
te de oscuridad (en funcin de la tensin de polarizacin) de 1,8 nA. segn las curvas caractersticas del
fabricante.[10]
Se trabaj principalmente con una ganancia del circuito, A
v
, moderada de 100 y se la extendi, posteriormente a
1000 con el fin de enmascarar las perturbaciones por agitacin trmica de los portadores en el cristal, lo que es
vlido en virtud de la intensidad de la radiacin a que se expuso el semiconductor.




Fig. 2: Circuito utilizado para el detector
Energa
Juntura
Banda de
Conduccin
Banda de
Valencia
Zona de
Deplexin
Campo
elctrico
Carga espacial
de aceptores
Carga espacial
de donores
Fig. 1: Diagrama de Bandas de Energa en una juntura cris-
talina p-n en la que se observa la carga espacial formada por
aceptores y donores en la zona de deplexin.
Nivel de Fermi

Es importante subrayar que el nico elemento expuesto a la radiacin fue el diodo, descartndose de esta manera
cualquier tipo de efecto secundario sobre los otros componentes del circuito.

DISCUSION DE RESULTADOS
Se efectuaron series de mediciones para comprobar el funcionamiento del diodo como detector de radiaciones
Gamma, hacindose un relevamiento de la Planicidad del Campo en un equipo de Cobaltoterapia Theratrn 780,
tomando lecturas desde el centro y hasta el borde para una apertura de campo de 30 x 30 cm obtenindose la
curva de la Figura 3, la que reproduce el perfil reportado en literatura.[12 13].

0
3
6
9
1 2
1 3
1 3 , 5
1 4
1 4 , 5
1 5
1 5 , 5
1 6
0
1 0
2 0
3 0
4 0
5 0
6 0
T
e
n
s
i

n

d
e

s
a
l
i
d
a

(
e
n

m
V
)
Distancia al centro del campo (en cm)
Planicidad del Campo



ANLISIS COMPARATIVO DE LAS MEDICIONES EFECTUADAS:
Haciendo referencia a la Deteccin de Radiaciones Ionizantes, mediante una cmara de ionizacin de aire [2], se
pueden comparar los resultados experimentales donde podemos notar la gran similitud de las curvas ponindose
en evidencia que el detector con semiconductor tiene mejor resolucin en virtud de su menor tamao (Fig.:3 y
Fig.:4).


1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14
15 16 17
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
T
e
n
s
i

n

d
e

S
a
l
i
d
a

(
e
n

V
o
l
t
i
o
s
)
Distancia al centro del haz (en cm)
Planicidad relevada con cmara de ionizacin



Fig. 3: Planicidad del campo para una apertura de 30 x 30 cm y a 80 cm de la fuente.
Fig. 4: Planicidad del campo determinada con cmara de
ionizacin de aire a 80 cm de la fuente y apertura de 30 x 30
cm.


CONCLUSIONES

Se observ un comportamiento estable del equipo durante las mediciones. Se puede destacar la gran ventaja del
pequeo tamao del detector que lo hace apropiado para mediciones muy puntuales ya que su ventana es de 2,65
mm x 2,65 mm.
Tampoco se observaron variaciones en la repeticin de las lecturas que podran indicar cambios en la estructura
cristalina. Con el fin de mejorar la sensibilidad se enfocar el diseo del amplificador con varias etapas para
poder medir la radiacin dispersa.

Los autores agradecen al Centro de Computacin Mdica del Nordeste por la utilizacin del equipo de Radiote-
rapia y en especial al Jefe de Servicio de Radioterapia Dr. Alberto Jara.

Trabajo Financiado por la Secretara General de Ciencia y Tcnica de la UNNE, PI-623

BIBLIOGRAFIA

(1) RADIATION DETECTORS, C. F. G. Delaney and E. C .Finch; Oxford Science Publications 1992.
(2) DISEO Y DESARROLLO DE UN SISTEMA DETECTOR DE RADIACIONES IONIZANTES, Custidiano, E. -
Ricciardi, Eduardo J. - Custidiano Secchi, Adolfo E.; UNIVERSIDAD NACIONAL DEL NORDESTE
Comunicaciones Cientficas y Tecnolgicas 2000.
(3) THE PHYSICS OF RADIOLOGY, Harold E. Johns and John R. Cunningham, Charles Thomas Publisher
1983.
(4) RADIATION PHYSICS, INTERACTIONS, AND UNITS, http://www.ehs.unr.edu/rso/radprin.htm#prtop
(5) CDTE SEMICONDUCTOR GAMMA RADIATION DETECTORS EQUIPPED WITH OHMIC CONTACTS,
http://urila.tripod.com/cdte.htm
(6) CDTE AND CDZNTE SEMICONDUCTOR GAMMA DETECTORS EQUIPPED WITH OHMIC CONTACTS ,
Nucl. Instr. and Methods A436, 146 - 149 (1999).
(7) INTRODUCTION TO RADIATION DETECTORS AND ELECTRONICS V-2 SIGNAL ADQUISITION LECTURE
NOTES, HELMUTH SPIELER, U.C. BERKELEY http://www-physics.lbl.gov/~spieler/physics_198_notes/
1998.
(8) OPERATIONAL AMPLIFIER OP77 DATA SHEET, ANALOG DEVICES, 1996.
(9) OPERATIONAL AMPLIFIER TL081 DATA SHEET, NATIONAL SEMICONDUCTOR, 1995.
(10) SILICON PIN PHOTODIODE BPW34 DATA SHEET, INFINEON TECHNOLOGIES, 2000.
(11) RADIATION DOSIMETRY, Franck Attix, William C. Roesch. Academic Press 1968.
(12) THE PHYSICS OF RADIATION THERAPHY, FAIZ M. KHAN, WILLIAMS AND WILKINS, 1994.
(13) ICRU Report 24, Determination of Absorved Dose in a Patient Irradiated by Beams of X or Gamma
Rays in Radiotheraphy Procedure, International Commission on Radiation Units and Measurements,
1976.

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