Facultad de Ingeniera - Depto. de Ingeniera Elctrica
I. IDENTIFICACION Asignatura Cdigo Crditos Horas de Trabajo Acadmico Dispositivos Semiconductores 543241 4 12 Carrera Ao Aplicacin Fecha Actualizacin Nivel (Semestre) Ingeniera Civil Electrnica 2006 2006 4 Pre-Requisitos Oblig. Elect. Compl. Presencial Semi Presencial 543201 Electromagnetismo X X Co-Requisitos Horas Semestral Anual Teo. Prac. Lab. 543265 Teo Ctos I 3 2 - X
II. DESCRIPCION Curso terico de ciencias de Ingeniera que da a conocer los fundamentos fsicos, principios de operacin y diseo bsico de los dispositivos de estado slido. El programa contempla la teora bsica de la fsica de semiconductores, las formas de operacin y los modelos fsicos de circuito de dispositivos semiconductores elementales.
III. OBJETIVOS Entregar los conocimientos necesarios para que los estudiantes logren una slida comprensin de los principios de operacin de los Dispositivos Semiconductores, los fundamentos fsicos que conducen a los modelos de circuito, comprender las caractersticas estticas y dinmicas tpicas, operar y aplicar los dispositivos de estado slido como celdas bsicas en circuitos electrnicos, memorias, sensores y de interfase.
IV. CONTENIDOS 1. Banda de Energa en los slidos. Naturaleza del tomo. Niveles de energa atmica. Colisin de los electrones con los tomos. Naturaleza del fotn de luz. Mecnica ondulatoria. Estructura electrnica de los elementos. Principio de exclusin. Teora de las bandas de energa. Aislantes, semiconductores y metales. 2. Fsica de los Semiconductores. Movilidad y Conductividad. Huecos y los electrones en un semiconductor intrnseco. El enlace covalente. Impurezas donadoras y receptoras. El efecto Hall. Generacin y recombinacin de cargas. Difusin. La ecuacin de continuidad. Funcin de Fermi-Dirac. Nivel de Fermi en los semiconductores con impurezas. 3. Diodos de unin. Unin pn en circuito abierto. La unin pn como rectificador. Ecuacin del diodo de unin y modelo de circuito. Componentes de corriente en un diodo pn. Caractersticas tensin-corriente. Dependencia de la caracterstica V/I con respecto a la temperatura. Capacidad de la carga espacial o de transicin. Modelo del control de carga de un diodo. Tiempo de - 22 de 87 - - 23 de 87 - conmutacin del diodo de unin. Diodos de avalancha. Diodo tnel. Diodo Schottky. 4. Transistores de unin bipolar. Transistor de unin pnp y npn. Componentes de corrientes de un transistor BJT. Ecuaciones de Ebers-Moll y modelo de circuito, polarizacin de BJT, el transistor como amplificador, el transistor como conmutador. Caractersticas dinmicas del transistor y expresiones analticas asociadas. 5. Opto electrnica. Fotodiodos y Diodos emisores de luz. El fototransistor y caractersticas de operacin, Opto acopladores. 6. Transistores de efecto de campo. Principios de operacin, tensin de contraccin. Caractersticas corriente/voltaje de un JFET, ecuaciones fsicas y modelo de circuito. 7. MOSFETs. Capacitor MOS. Diagrama de bandas y electrosttica. Acumulacin e inversin. El transistor MOSFET. Estructura y operacin, ecuaciones fsicas, caractersticas corriente/voltaje. Efectos no idealizados. Conduccin en sub- umbral. Modelos de pequea seal. Tecnologa CMOS y compuertas lgicas. Fabricacin de circuitos integrados CMOS. Efectos de escalamiento tecnolgico. Tecnologa SOI. Dispositivos de memoria en MOS: SRAM, DRAM, EEPROM, Flash. CCD.
V. METODOLOGIA DE TRABAJO Clases tericas, complementadas con clases prcticas de resolucin de ejercicios, tcnicas de simulacin de semiconductores usando circuito equivalente, y aplicaciones.
VI. EVALUACION De acuerdo al Reglamento de Docencia de Pregrado de la Facultad de Ingeniera.
VII. BIBLIOGRAFIA 1. Semiconductor Device Fundamentals by Robert F. Pierret, (2004). 2. "Solid State Electronics Devices by Ben Streetman," Prentice Hall Inc., 5th Edition, (2004). 3. "Semiconductor Device Modeling with Spice," by Antognetti P. Massobrio G. Mac Graw Hill, (1988). 4. Dispositivos Semiconductores Jasprid Singh, Ed McGraw Hill, 1997.