Livre ELE2302 PDF

COLE POLYTECHNIQUE DE MONTRAL
Circuits lectroniques
ELE2302

Manuel de cours
VERSION 1.0

Dans la peau dun lectron

Philippe Levesque

Dpartement de gnie lectrique

Janvier 2005

Manuel de cours v1.0
ELE2302 Circuits lectroniques

Page ii
Table des matires
1 Prface ...................................................................................................................... 11
2 Introduction aux semi-conducteurs ...................................................................... 11
2.1 Dplacement des particules charges dans un solide ........................................ 11
2.2 Conductivit ...................................................................................................... 14
2.3 Diffusion ........................................................................................................... 17
2.4 Couches dnergie dans un solide ..................................................................... 20
2.5 Matriau semi-conducteur ................................................................................ 23
2.6 Proprit intrinsque du silicium ...................................................................... 24
2.7 Proprit du silicium dop ................................................................................ 28
2.7.1 Donneur..................................................................................................... 28
2.7.2 Accepteur .................................................................................................. 31
2.7.3 Accepteur et Donneur ............................................................................... 33
2.8 Conclusion sur la drive et la diffusion ............................................................ 34
3 Diode ........................................................................................................................ 34
3.1 Symbolisation ................................................................................................... 35
3.2 Jonction pn en quilibre .................................................................................... 36
3.3 Polarisation ....................................................................................................... 42
3.3.1 Polarisation avant ...................................................................................... 43
3.3.2 Polarisation inverse ................................................................................... 43
3.3.3 Polarisation de cassure .............................................................................. 44
3.4 quation de la diode.......................................................................................... 45
3.5 Caractristiques de la diode .............................................................................. 47
3.5.1 Courant inverse de la diode ....................................................................... 48
3.5.2 Effet de la temprature .............................................................................. 49
3.5.3 Temps de rtablissement ........................................................................... 49
3.5.4 Fiches techniques ...................................................................................... 50
3.6 Modle de la diode ............................................................................................ 51
3.6.1 Modle exponentiel ................................................................................... 51
3.6.2 Modle linaire par morceau .................................................................... 54
3.6.3 Modle chute de tension ........................................................................... 56
3.6.4 Modle de la diode idale ......................................................................... 58
3.6.5 Modle petit signal .................................................................................... 58
3.6.6 Rsum des modles ................................................................................. 62
3.7 Type de diodes .................................................................................................. 63
3.7.1 Diode Zener .............................................................................................. 63
3.7.2 Diode de Schottky ..................................................................................... 67
3.7.3 Diode capacitive........................................................................................ 69
3.7.4 Diode effet tunnel ................................................................................... 71
3.7.5 Diode lectroluminescente ........................................................................ 74
3.7.6 Photodiodes ............................................................................................... 76
3.7.7 Piles photovoltaques ................................................................................ 78
3.7.8 Cellules photoconductrices ....................................................................... 81
3.8 Application ........................................................................................................ 83
3.8.1 crteur ..................................................................................................... 83
3.8.2 Verrouillage .............................................................................................. 85

Page iii
3.8.3 Circuits dalimentation DC ....................................................................... 86
3.8.4 Multiplicateur de tension ........................................................................ 103
3.8.5 Superdiode .............................................................................................. 105
3.9 Limportance de la diode ................................................................................ 106
4 Transistor effet de champ ................................................................................. 107
4.1 MOSFET ......................................................................................................... 107
4.1.1 MOSFET enrichissement ..................................................................... 108
4.1.2 MOSFET appauvrissement .................................................................. 125
4.2 JFET ................................................................................................................ 130
4.2.1 Structure du JFET ................................................................................... 131
4.2.2 Symbolisation du JFET ........................................................................... 133
4.3 Rsum des transistors effet de champ ........................................................ 138
4.4 Amplificateur transistor ............................................................................... 139
4.4.1 Analyse graphique .................................................................................. 139
4.4.2 Analyse algbrique.................................................................................. 141
4.4.3 Calcul de la transconductance ................................................................. 143
4.5 Polarisation ..................................................................................................... 145
4.5.1 Rtroaction par rsistance de source ....................................................... 145
4.5.2 Rtroaction par rsistance de drain ......................................................... 150
4.6 Modle petit signal .......................................................................................... 155
4.6.1 Modle petit signal de base ..................................................................... 155
4.6.2 Exemple : Modle petit signal de base ................................................... 158
4.6.3 Modle petit signal en T ......................................................................... 160
4.7 Configuration damplificateur ........................................................................ 162
4.7.1 Source-commune .................................................................................... 163
4.7.2 Grille-commune ...................................................................................... 165
4.7.3 Drain-commune ...................................................................................... 167
4.7.4 Rsum des 3 configurations .................................................................. 170
4.7.5 Exemple .................................................................................................. 170
4.8 Utilisation des MOSFET comme portes linaires .......................................... 173
4.8.1 Porte linaire NMOS enrichissement ................................................... 176
4.8.2 Porte linaire avec NMOS et PMOS enrichissement ........................... 179
4.8.3 Exemple de calcul dune prote linaire MOSFET .................................. 183
4.8.4 Exemple de fiche technique dune porte linaire MOSFET ................... 185
5 Transistor bipolaire .............................................................................................. 188
5.1 Structure .......................................................................................................... 188
5.2 Fonctionnement du BJT .................................................................................. 189
5.2.1 Fonctionnement du BJT npn ................................................................... 190
5.2.2 Fonctionnement et modle du BJT pnp .................................................. 199
5.3 Symbolisation ................................................................................................. 201
5.4 Exemples ......................................................................................................... 202
5.4.1 Exemple 1 ............................................................................................... 202
5.4.2 Exemple 2 ............................................................................................... 205
5.5 Caractristique i
C
-V
BE
du transistor BJT ........................................................ 206
5.5.1 Exemple sur leffet Early ........................................................................ 209
5.6 Amplificateur transistor ............................................................................... 210

Page iv
5.6.1 Calcul de la transconductance ................................................................. 211
5.6.2 Le BJT en tant damplificateur ............................................................... 214
5.7 Polarisation ..................................................................................................... 216
5.7.1 Polarisation par une seule alimentation .................................................. 220
5.7.2 Polarisation par une alimentation double ................................................ 223
5.7.3 Polarisation par rtroaction de la tension de collecteur .......................... 225
5.7.4 Polarisation par source de courant lmetteur ...................................... 226
5.8 Modle petit signal .......................................................................................... 228
5.8.1 Modle hybride- .................................................................................... 229
5.8.2 Exemple : Modle hybride- .................................................................. 230
5.8.3 Modle en T ............................................................................................ 232
5.8.4 Exemple : Modle petit signal de base ................................................... 233
5.8.5 Modification du modle hybride- pour leffet Early............................. 235
5.8.6 Exemple : Modle hybride- avec leffet Early ...................................... 236
5.9 Configuration damplificateur ........................................................................ 238
5.9.1 metteur-commun................................................................................... 239
5.9.2 Base-commune ........................................................................................ 248
5.9.3 Collecteur-commun................................................................................. 251
5.9.4 Rsum des 3 configurations .................................................................. 255
5.9.5 Exemple pour les 3 configurations damplificateur BJT ........................ 255
5.9.6 Amplificateur universel avec polarisation par source de courant ........... 257
6 Familles logiques ................................................................................................... 257
Familles logiques .................................................................................................... 257
Marge de bruit ......................................................................................................... 258


Page v
Table des figures
Figure 1.1: Invention du transistor .................................................................................... 11
Figure 2.1.1 : Dplacement alatoire dun lectron dans un solide; ........................... 12
Figure 2.2.1 : Conductivit dun matriau homogne ...................................................... 14
Figure 2.2.2: Conductivit des matriaux ......................................................................... 16
Figure 2.3.1 : Reprsentation de la concentration des particules charges dans un solide 17
Figure 2.3.2 : Diffusion des particules chargs dans un solide ......................................... 18
Figure 2.3.3 : Graphique reprsentant la solution de la 2
e
loi de Fick .............................. 20
Figure 2.4.1 : Diagramme de niveau dnergie................................................................. 21
Figure 2.4.2 : Diagramme de couche dnergie; ......................................................... 22
Figure 2.6.1 : Structure cristalline du silicium intrinsque ......................................... 25
Figure 2.6.2 : Structure ionise dun cristal de silicium .............................................. 26
Figure 2.6.3 : Gnration de pair lectron-trou ........................................................... 27
Figure 2.6.4 : Recombinaison de pair lectron-trou .................................................... 27
Figure 2.6.5 : Ionisation thermique du silicium intrinsque ........................................ 28
Figure 2.7.1.1 : Cristal de silicium dop par un donneur (type-n) ............................. 29
Figure 2.7.1.2 : Diagramme de couche dnergie pour du silicium dop par un
donneur 29
Figure 2.7.1.3 : Mobilit et rsistivit selon le niveau de dopage; ............................. 30
(b) Rsistivit selon la concentration du dopant (type-n et type-p). ................................. 30
Figure 2.7.2.1 : Cristal de silicium dop par un receveur (type-p) ............................. 32
Figure 2.7.2.2 : Diagramme de couche dnergie pour du silicium dop par un
receveur 33
Figure 3.1 : Diode (tube vide) en 1905 .......................................................................... 34
Figure 3.1.1 : Structure physique simplifi dune diode jonction ............................ 35
Figure 3.1.2 : La diode idale; ..................................................................................... 36
Figure 3.2.1 : Rgions isoles dun cristal de silicium dop ....................................... 37
Figure 3.2.2 : Jonction pn dune diode; ....................................................................... 38
Figure 3.2.3 : Jonction pn en quilibre ............................................................................. 41
Figure 3.3.1.1 : Polarisation avant dune jonction pn ....................................................... 43
Figure 3.3.2.1 : Polarisation inverse dune jonction pn .................................................... 44
Figure 3.5.1 : Courbe caractristique i-v de la diode ........................................................ 48
Figure 3.5.3.1 : Temps de rtablissement ......................................................................... 50
Figure 3.6.1.1.1 : Circuit simple en polarisation avant ..................................................... 52
Figure 3.6.1.1.2 : Analyse graphique ................................................................................ 52
Figure 3.6.2.1 : Approximation linaire par morceau ....................................................... 55
Figure 3.6.2.2 : Modle linaire par morceau ................................................................... 56
Figure 3.6.2.3 : Circuit quivalent avec le modle linaire par morceau ......................... 56
Figure 3.6.3.1 : Approximation chute de tension.............................................................. 57
Figure 3.6.3.2 : Modle chute de tension .......................................................................... 57
Figure 3.6.4.1 : Approximation diode idal ...................................................................... 58
Figure 3.6.5.1 : Approximation petit signal (=2) ............................................................ 59
Figure 3.6.5.2 : Source de tension constante (exemple petit signal)................................. 61
Figure 3.6.6.1 : Modles de la diode ................................................................................. 63
Figure 3.7.1.1 : Symbole de la diode Zener ...................................................................... 64
Figure 3.7.1.2 : Caractristique i-v de la diode Zener ...................................................... 64

Page vi
Figure 3.7.1.3 : modle de la diode Zener ........................................................................ 65
Figure 3.7.1.4 : Exemple dun circuit avec une diode Zener ............................................ 66
Figure 3.7.2.1 : Dide de Schottky ..................................................................................... 68
Figure 3.7.2.2 : Courbes caractristiques des diodes ........................................................ 68
Figure 3.7.2.3 : Circuit quivalent et symbole de la diode de Schottky ........................... 69
Figure 3.7.3.1 : Courbe caractristique dune diode capacitive ........................................ 70
Figure 3.7.3.2 : Circuit quivalent et symbole de la diode capacitive .............................. 71
Figure 3.7.4.1 : Courbe caractristique de la diode effet tunnel .................................... 71
Figure 3.7.4.2 : Circuit quivalent de la diode effet tunnel ............................................ 72
Figure 3.7.4.3 : Courbes caractristiques de la diode effet tunnel en fonction des
matriaux................................................................................................................... 72
Figure 3.7.4.4 : Circuit quivalent et symbole de la diode effet tunnel ......................... 72
Figure 3.7.4.5 : Oscillateur sinusodale avec perte ........................................................... 73
Figure 3.7.4.5 : Oscillateur sinusodale sans perte ............................................................ 74
Figure 3.7.5.1 : Diode lectroluminescente ...................................................................... 74
Figure 3.7.5.2 : Diode lectroluminescente discrte ......................................................... 75
Figure 3.7.5.3 : Intensit relative par rapport au courant de polarisation ......................... 75
Figure 3.7.5.4 : Longueur donde mise ........................................................................... 76
Figure 3.7.6.1 : Photodiode ............................................................................................... 77
Figure 3.7.6.2 : Courbe caractristique de la photodiode ................................................. 78
Figure 3.7.7.1 : Piles photovoltaques ............................................................................... 79
Figure 3.7.7.2 : Courbe caractristique des piles photovoltaques ................................... 79
Figure 3.7.7.3 : Puissance disponible des piles photovoltaques ...................................... 80
Figure 3.7.7.4 : Rponse aux longueurs donde de diffrents matriaux ......................... 81
Figure 3.7.8.1 : Cellule photoconductrice :....................................................................... 81
Figure 3.7.8.2 : Courbe caractristique dune cellule photo-conductrice ......................... 82
Figure 3.7.8.3 : Rgulateur de tension cellule photo-conductrice.................................. 83
Figure 3.8.1.1 : Fonction de transfert dun crteur gnral ...................................... 84
Figure 3.8.1.2 Rsultat dun circuit crteur appliqu sur une onde sinusodale ............ 84
Figure 3.8.1.3 Circuit crteur de base ............................................................................ 85
Figure 3.8.2.1 Circuit de verrouillage .............................................................................. 86
Figure 3.8.3.1 Schma bloc dun circuit dallimentation DC .......................................... 87
Figure 3.8.3.1.1 Tension moyenne................................................................................... 87
Figure 3.8.3.2.1.1 Redresseur simple alternance ............................................................. 88
Figure 3.8.3.2.1.2 Exemple dun circuit redresseur simple alternance ............................. 89
Figure 3.8.3.2.1.3 Reprsentation de langle de conduction ............................................. 90
Figure 3.8.3.2.2.1 : Redresseur double alternance prise mdiane .................................. 92
Figure 3.8.3.2.3.1 : Redresseur double alternance en pont ............................................... 94
Figure 3.8.3.3.1 : Filtre idal............................................................................................. 97
Figure 3.8.3.3.2 : Filtre rel ............................................................................................ 101
Figure 3.8.3.4.1 : Exemple dun circuit dalimentation DC ........................................... 102
Figure 3.8.4.1 : Doubleur de tension............................................................................... 104
Figure 3.8.5.1 : Superdiode ............................................................................................. 105
Figure 3.8.5.2 : Superdiode amliore ............................................................................ 106
Figure 4.1.1.1.1 : Structure simplifie dun MOSFET enrichissement canal n ........ 108
Figure 4.1.1.2.1 : Cration dun canal entre la source et le drain ................................... 109

Page vii
Figure 4.1.1.2.2 : Canal induit ........................................................................................ 110
Figure 4.1.1.2.3 : Tension de seuil V
t
............................................................................. 111
Figure 4.1.1.2.4 : Canal induit dans la rgion de saturation ........................................... 111
Figure 4.1.1.2.5 : Courbe caractristique i
D
-V
DS
du MOSFET enrichissement canal n
................................................................................................................................. 112
Figure 4..1.1.2.6 : Profondeur du canal versus V
DS
........................................................ 112
Figure 4.1.1.3.1 : Structure et courbes caractristiques dun MOSFET enrichissement
canal p ..................................................................................................................... 113
Figure 4.1.1.4.1 : Description physique du MOSFET NMOS........................................ 114
Figure 4.1.1.5.1 : Courbe caractristique i-v du MOSFET enrichissement ................. 116
Figure 4.1.1.5.2.1 : Courbe caractristique modle grands signaux ............................... 118
Figure 4.1.1.5.2.2 : Modle grands signaux simplifi ................................................... 119
Figure 4.1.1.6.1 : Modle grands signaux avec modulation de canal ............................ 120
Figure 4.1.1.6.2 : Courbes caractristiques i
D
versus V
DS
avec le phnomne de
modulation du canal ................................................................................................ 120
Figure 4.1.1.7.1 : Symbolisation MOSFET enrichissement ....................................... 121
Figure 4.1.1.8.1.1 Circuit exemple 1 rgion de triode ................................................. 122
Figure 4.1.1.8.2.1 Circuit exemple 2 rgion de saturation ........................................... 123
Figure 4.1.1.8.3.1 Circuit exemple 3 rgion de saturation ........................................... 125
Figure 4.1.2.1.1 : Structure dun MOSFET appauvrissement canal n ...................... 126
Figure 4.1.2.2.1 : i
D
versus V
GS
pour un MOSFET appauvrissement canal n .......... 127
D
-V
DS
pour un MOSFET appauvrissement
canal n ..................................................................................................................... 128
Figure 4.1.2.3.1: Symbole dun MOSFET appauvrissement canal n ........................ 129
Figure 4.1.2.3.2 : Notation des courants et des tensions dun MOSFET appauvrissement
................................................................................................................................. 129
Figure 4.1.2.4.1 : Exemple MOSFET appauvrissement canal n ............................... 130
Figure 4.2.1.1 : Structure du JFET .................................................................................. 131
Figure 4.2.1.1.1 : Caractristique du JFET (V
GE
) .......................................................... 132
DS
) .......................................................... 133
Figure 4.2.2.1 : Symboles du JFET ................................................................................ 133
Figure 4.2.2.1.1 : Courbes caractristique du JFET ........................................................ 134
Figure 4.4.1.1 : FET comme amplificateur ..................................................................... 139
Figure 4.4.1.2 : Analyse graphique dun amplificateur FET .......................................... 140
Figure 4.4.1.3 : Limportance du point de polarisation .................................................. 141
Figure 4.4.2.1 : Analyse algbrique dun amplificateur FET ......................................... 141
Figure 4.4.2.2 : Reprsentation graphique de g
m
............................................................ 143
Figure 4.4.3.1 : amplificateur FET.................................................................................. 144
Figure 4.5.1.1 : Rtroaction par rsistance de source, simple alimentation .................... 146
Figure 4.5.1.2 : Rtroaction par rsistance de source, double alimentation ................... 146
Figure 4.5.1.3 : Sensibilit aux variations de V
GG
.......................................................... 147
GG
avec R
S
............................................. 148
Figure 4.5.1.5 : Rtroaction par rsistance de source, simple alimentation avec R
S
...... 148
Figure 4.5.1.1.1 : Exemple rtroaction par rsistance de source .................................... 149
Figure 4.5.2.1 : Rtroaction par rsistance de drain ....................................................... 151
Figure 4.5.2.2 : Point de repos pour la rtroaction par rsistance de drain ..................... 151

Page viii
Figure 4.5.2.3 : Stabilisation du point de repos par la rsistance de drain ...................... 153
Figure 4.5.2.1.1 : Exemple de la rtroaction par rsistance de drain .............................. 154
Figure 4.6.1.1 : Circuit damplification FET ................................................................. 156
Figure 4.6.1.2 : Fonctionnement petit signal dun FET ................................................. 157
Figure 4.6.1.3 : Modle petit signal dun FET avec r
o
.................................................... 158
Figure 4.6.2.1 : Amplificateur avec rtroaction de la rsistance de drain ...................... 158
Figure 4.6.2.2 : Circuit quivalent dun amplificateur avec rtroaction de la rsistance de
drain ........................................................................................................................ 159
Figure 4.6.3.1 : Transformation du modle en T quivalent ......................................... 161
Figure 4.6.3.2 : Modle en T avec modulation du canal................................................. 161
Figure 4.7.1 : Amplificateur universel FET .................................................................... 162
Figure 4.7.1.1 : Configuration source-commune ............................................................ 163
Figure 4.7.1.2 : Circuit quivalent de la configuration source-commune ...................... 163
Figure 4.7.1.3 : Capacit parasite dans la configuration source-commune ................... 165
Figure 4.7.2.1 : Configuration grille-commune .............................................................. 166
Figure 4.7.2.2 : Circuit quivalent de la configuration grille-commune ........................ 166
Figure 4.7.3.1 : Configuration drain-commun ................................................................ 167
Figure 4.7.3.2 : Circuit quivalent de la configuration drain-commun .......................... 168
Figure 4.7.3.3 : Rsistance de sortie de la configuration drain-commun ....................... 168
Figure 4.7.3.4 : Gain de tension en circuit ouvert de la configuration drain-commun ... 169
Figure 4.7.5.1 : Circuit damplificateur FET universel pour lexemple ......................... 170
Figure 4.8.1 : MOSFET comme porte linaire ............................................................... 174
Figure 4.8.2 : Circuit NMOS et courbes carctristiques ................................................. 175
Figure 4.8.1.1 : Porte linaire NMOS enrichissement ................................................. 176
Figure 4.8.1.2 : Porte linaire NMOS enrichissement avec V
c
=-3V ........................... 177
Figure 4.8.1.3 : Interchachement du drain et de la source avec V
c
=-3V ........................ 177
c
=+7V ....................... 178
Figure 4.8.2.2 : Inverseur ................................................................................................ 180
Figure 4.8.2.2 : Configuration dune porte linaire avec NMOS et PMOS
enrichissement......................................................................................................... 181
Figure 4.8.3.1 : Exemple dune porte linaire MOSFET ................................................ 183
Figure 4.8.3.2 : Circuit quivalent de la porte linaire ................................................... 184
Figure 4.8.4.1 : Fiche technique MAX364/MAX365 .................................................... 187
Figure 5.1.1 Structure simplifie dun transistor BJT npn............................................. 188
Figure 5.1.2 Vue de coupe simplifie dun transistor BJT npn ..................................... 189
Figure 5.1.3 Structure simplifie dun transistor BJT pnp............................................. 189
Figure 5.2.1 : Tensions aux jonction EB et CB .............................................................. 190
Figure 5.2.1.1 : BJT npn sans la polarisation collecteur-base ........................................ 191
Figure 5.2.1.2 : BJT npn sans la polarisation collecteur-metteur.................................. 192
Figure 5.2.1.3 Transistor BJT npn dans sa rgion active ............................................... 193
Figure 5.2.1.4 Concentrations de porteurs minoritaires ................................................. 194
Figure 5.2.1.4.1.1 Modle en T (npn): source de courant contrle par une tension .... 197
Figure 5.2.1.4.1.2 Modle en T (npn): source de courant contrle par un courant ...... 197
Figure 5.2.1.4.2.1 Modle hybride en (npn): source de courant contrle par une
tension ..................................................................................................................... 198

Page ix
Figure 5.4.1.4.2.2 Modle hybride en (npn): source de courant contrle par courant
................................................................................................................................. 198
Figure 5.2.2.1 : Transistor pnp construit sur un substrat de type p ................................. 199
Figure 5.2.2.2 Transistor BJT pnp dans sa rgion active ............................................... 200
Figure 5.2.2.3 : Modle en T (pnp): source de courant contrle par une tension ......... 201
Figure 5.2.2.4 : Modle hybride en (pnp): source de courant contrle par un courant
................................................................................................................................. 201
Figure 5.3.1 : Symbolisation BJT npn et pnp ................................................................. 202
Figure 5.3.2 : Convention de courant et de tension pour les BJTs ................................. 202
Figure 5.4.1.1: Circuit pour lexemple 1......................................................................... 203
Figure 5.4.1.2: Solution pour lexemple 1 ...................................................................... 205
Figure 5.4.2.1: Circuit pour lexemple 2......................................................................... 205
Figure 5.5.1 : Courbe caractristique i
C
-V
BE
du BJT ...................................................... 207
Figure 5.5.2 : Effet de la temprature sur la courbe caractristique i
C
-V
BE
du BJT ....... 207
. 207
C
-V
CB
du BJT ...................................................... 208
Figure 5.5.4 : Effet Early ................................................................................................ 208
Figure 5.5.1.1 : Exemple sufr leffet Early ..................................................................... 210
Figure 5.6.1.1 : Polarisation tablie par une pile ............................................................ 211
Figure 5.6.1.2 : Principe de superposition ...................................................................... 211
Figure 5.6.1.3 : Graphique de la transconductance ......................................................... 213
Figure 5.6.2.1 : Circuit BJT illustrant la convension ...................................................... 214
Figure 5.7.1 : Courbes caractristiques dun transistor.................................................. 217
Figure 5.7.2 : Polarisation partir dune seule alimentation .......................................... 218
Figure 5.7.3 : Polarisation partir dune alimentation double ....................................... 218
Figure 5.7.4 : Polarisation par rtroaction de la tension de collecteur ............................ 219
Figure 5.7.5 : Polarisation par source de courant lmetteur ....................................... 219
Figure 5.7.1.1 : Technique la plus frquemment utilise pour polariser un BJT ............ 220
Figure 5.7.1.1.1 : Exemple de polarisation dun BJT (une seule alimentation) ............. 222
Figure 5.7.2.1 : Polarisation par une alimentation double .............................................. 223
Figure 5.7.2.1.1 : Exemple de polarisation dun BJT (alimentation double).................. 224
Figure 5.7.3.1 : Polarisation par rtroaction de la tension au collecteur ......................... 225
Figure 5.7.4.1 : Polarisation par source de courant lmetteur .................................... 226
Figure 5.7.4.2 : Circuit de source de courant (miroir de courant) .................................. 227
Figure 5.7.4.1.1 : Exemple de polarisation dun BJT (source de courant lmetteur) . 228
Figure 5.8.1 : Convention pour un BJT .......................................................................... 229
Figure 5.8.1.1 : Modle hybride- ................................................................................. 229
Figure 5.8.2.1 : Circuit pour lexemple du modle hybride- ........................................ 230
Figure 5.8.2.2 : Circuit au point de repos ....................................................................... 230
Figure 5.8.2.3 : Modle hybride- de lexemple ............................................................ 231
Figure 5.8.3.1 : Modle en T........................................................................................... 232
Figure 5.8.4.1 : Circuit pour lexemple du modle en T................................................. 233
Figure 5.8.4.2 : Point de repos du circuit ....................................................................... 234
Figure 5.8.4.3 : Modle en T de lexemple ..................................................................... 234
Figure 5.8.5.1 : Modle hybride- avec leffet Early ..................................................... 236
Figure 5.8.6.1 : Exemple de circuit pour le modle hybride- avec leffet Early .......... 236

Page x
Figure 5.8.6.1 : Modle hybride- avec leffet Early de lexemple ................................ 237
Figure 5.9.1 : Amplificateur universel BJT .................................................................... 238
Figure 5.9.1.1 : Configuration metteur-commun .......................................................... 239
Figure 5.9.1.2 : Circuit quivalent de la configuration metteur-commun ..................... 239
Figure 5.9.1.3 : Simplification du circuit quivalent de la configuration metteur-commun
................................................................................................................................. 240
Figure 5.9.1.1.1 : Configuration metteur-commun avec rsistance lmetteur .......... 242
Figure 5.9.1.1.2 : Circuit quivalent de la configuration metteur-commun avec rsistance
lmetteur ............................................................................................................. 242
Figure 5.9.1.1.3 : Rsistance dentre de la configuration metteur-commun avec
rsistance lmetteur............................................................................................. 243
Figure 5.9.1.1.4 : Rsistance de sortie de la configuration metteur-commun avec
rsistance lmetteur............................................................................................. 245
Figure 5.91..5 :Technique utilise pour calculer la rsistance de sortie ......................... 245
Figure 5.9.1.1.6 : Gain de courant de la configuration metteur-commun avec rsistance
lmetteur ................................................................................................................ 247
Figure 5.9.2.1 : Configuration base-commune ............................................................... 248
Figure 5.9.2.2 : Circuit quivalent de la configuration base-commune .......................... 249
Figure 5.9.2.3 : Gain de tension et de courant de la configuration base-commune ........ 250
Figure 5.9.3.1 : Configuration collecteur-commun ........................................................ 251
Figure 5.9.3.2 : Circuit quivalent de la configuration collecteur-commun ................... 252
Figure 5.9.5.1 : Amplificatuer BJT universel pour lexemple ........................................ 256

Table des tableaux
Tableau 2.5.1 : Tableau priodique pour les colonne III, IV et V ............................. 23
Tableau 3.6.1.2.1 : Rsultat des itrations de la mthode itrative ................................... 54
Tableau 4.3.1 : Rsum des transistors effet de champ ............................................... 138
Tableau 4.7.4.1 : Rsum des 3 configuration damplificateur FET .............................. 170
Tableau 4.7.5.1 : Rsultat de lexercice pour les 3 configurations ................................. 173
Table 5.2.1: Modes dopration BJT .............................................................................. 190
Tableau 5.9.4.1 : Rsum des 3 configurations damplificateur BJT ............................. 255
Tableau 5.9.5.1 : Solution pour les 3 configurations damplificateur BJT ..................... 257


Page 11
1 Prface

faire

Remerciement Michel Bertrand, Robert Guardo, Oxford University Press et

2 Introduction aux semi-conducteurs

Le 30 juin 1948, Bell Tlphone annonce linvention du transistor. Depuis, la technologie
des semi-conducteurs a grandement volue. Cette technologie a maintenant un grand
impact sur notre vie.

Principles of Electronic Circuits - Second Edition Burns/Bond
Copyright 1997 by PWS Publishing Company

Figure 1.1: Invention du transistor

La comprhension des phnomnes physiques de base qui rgissent le fonctionnement
des composants semi-conducteur offre aux tudiants une meilleure capacit danalyse,
et de synthse des circuits lectroniques. En effet, cette comprhension des phnomnes
physiques constitue une base solide sur laquelle repose lensemble de ltude des
composants semi-conducteur.
2.1 Dplacement des particules charges dans un solide

Deux mcanismes sont utiliss afin de dcrire le dplacement des particules charges
dans un solide. Le premier mcanisme, drive, est associ aux dplacements des
particules charges dans un champ lectrique. Le second mcanisme, la diffusion, est
associ aux dplacements des particules charges d la variation de la densit de charge
dun solide (gradient).

Un lectron qui se trouve sur la couche externe dun atome dun conducteur est
relativement libre de se dplacer. Il possde une vlocit denviron 10
7
cm/s
temprature ambiante (300K). Le mouvement est d strictement un effet thermique. Le

Page 12
parcourt de llectron, sans la prsence de champ lectrique, est alatoire. La direction
change continuellement suite aux collisions avec des phonons (vibrations atomiques), des
photons et dautres lectrons. Aprs chaque collision, la nouvelle vlocit est
pratiquement indpendante de lancienne. La longueur du parcours varie. Toutefois, le
dplacement net, sur une priode de temps, est nul.

La figure suivante illustre le dplacement alatoire dun lectron dans un solide sans et
avec la prsence dun champ lectrique :

E
(a)
(b)

Figure 2.1.1 : Dplacement alatoire dun lectron dans un solide;
a) Sans la prsence dun champ lectrique,
b) Avec la prsence dun champ lectrique

Puisque le dplacement net dun lectron, sans la superposition dun champ lectrique,
est nul, on a par dfinition :

Courant moyen 0
Q
t
= =

Q : transfert de charge net

Par contre, avec la prsence dun champ lectrique E
, le dplacement net ne sera pas nul

et un courant non nul en rsultera.

Le dplacement de drive de llectron par unit de temps est dfini par :

d n
v E =

d
v
: Vlocit de drive de llectron

n
: Mobilit de llectron

La vlocit de drive est habituellement petite comparativement la vlocit thermique.
Lapplication dun champ lectrique modifie la vlocit que trs faiblement. Le

Page 13
changement de la vlocit ne peut pas tre considrable d aux collisions avec les
particules qui composent le solide. En effet, aprs chaque collision, la vlocit redmarre
zro.

Nous pouvons estimer le changement de la vlocit afin dapproximer
n
, la mobilit de
llectron. Un lectron de masse m
e
subira une acclration entre les collisions de

e e
F qE dv
a
m m dt
= = =

q : la charge dun lectron, 1,6 x 10
-19
C

En considrant t
c
, le temps moyen entre les collisions, alors la vlocit maximale sera :

max
c
e
t qE
v
m
=

La quantit t
c
est appele temps de relaxation. Puisque lacclration varie linairement
entre t=0 et t=t
c
, lincrmentation moyen de la vlocit est :

2
c
d
e
t qE
v
m
=

On peut donc obtenir
n
:
2
c
n
e
t q
m
=

Note : Il est not que t
c
nest pas vident connatre.

T=300K (27
o
C),
n
cuivre = 0,0032 m
2
/Vs et
n
aluminium = 0,0012 m
2
/Vs

Exemple : Estimez le temps de relaxation et la vlocit de drive dun conducteur en
cuivre avec la prsence dun champ lectrique de 1V/m.

Solution :
( ) ( )( )
( )
2 31
14
19
2 0, 0032 m V-s 9,1x10 kg
2
3, 64x10 s
1, 6x10 C
e n
c
m
t
q
= = =

( )( )
2
0, 0032 m V-s 1 V m 0, 32 cm s
2
c
d n
e
t qE
v E
m
= = = =

Note : la vlocit thermique est denviron 10
7
cm/s


Page 14
2.2 Conductivit

La conductivit, , est une proprit des matriaux. Elle require la combinaison de la
mobilit avec la densit des porteurs de charge.

Assumons un matriau homogne,

x
N
n
L A
=

n : concentration des particule charges (cm
-3
)

N : nombre total de particules charges dans un volume donne par x L A

L
L
A
I I

Figure 2.2.1 : Conductivit dun matriau homogne

Le courant est donn par :

Q nq
I
t t
= =

(A)

Puisque les N porteurs de charge voyage une vlocit moyenne de

d
L
v
t

Donc,

d
Nqv
I
L
=

La densit de courant (en 1D) scrit :


Page 15
d
d n
Nqv I
J nqv nq E
A A
= = = =

La conductivit peut donc tre dfini par :

J E =

Donc,

-1
( -cm)
n
nq =

La rsistivit dun matriau est donn par :

1
( -cm)
=

La figure suivante illustre les diffrentes conductivits des matriaux :


Page 16


Figure 2.2.2: Conductivit des matriaux

Le meilleur conducteur tant largent qui possde une conductivit = 6,3x10
5
(-cm)
-1

et le meilleur isolant tant le quartz avec une conductivit = 10
-20
(-cm)
-1
. Le groupe
de matriaux qui se situe entre 10
-6
et 1 (-cm)
-1
se nomme semi-conducteur.


Page 17

La loi dOhm (V=RI) peut donc scrire :
V L L
R
I A A
= = = ()

Exemple : Trouvez la valeur de la rsistance dun fil AWG#20 en cuivre de 10m de
longueur. Notez quun fil AWG#20 a une section de 0,52mm
2
.

Solution : Pour le cuivre = 5,8x10
5
(-cm)
-1

( )( )
5 6
10
0, 33
5, 8x10 0, 52x10
L m
R
A

= = =

2.3 Diffusion

Normalement et sans la prsence dun champ lectrique externe, les particules libres dans
un solide sont continuellement en mouvement alatoire. Cependant, sil y a prsence
dune concentration lev de particule charge dans une rgion comparativement une
autre, il y aura galement la prsence dun mouvement net des particules qui tente
dquilibrer les concentrations. Ce mouvement de charge produira ce quon nomme un
courant de diffusion.

Microelectronic Circuits - Fifth Edition Sedra/Smith
Copyright 2004 by Oxford University Press, Inc.

Figure 2.3.1 : Reprsentation de la concentration des particules charges dans un solide

Le nombre de particules charges qui traversent un volume unitaire (figure suivante)
pendant un intervalle de temps donn est proportionnel une constante caractristique du
matriau et une variation de la concentration de particules charges dans le matriau
(1
re
loi de Fick).

Page 18

(en 1D)
n
f D
x

f : Le flux de particules (nombre par unit de volume par unit de temps) dans la
direction
x
D : Constante (ou coefficient) de diffusion, dpend du matriau et de la temprature

0
lim
x
n n
x x
: Variation diffrentielle du gradient de concentration

Le signe - : La diffusion se fait dans le sens inverse du gradient

n est fonction du temps et de la distance

n(x)
x
diffusion des
particules
zone 1 zone 2
A
x

Figure 2.3.2 : Diffusion des particules chargs dans un solide

Nous pouvons constater que la densit de courant de diffusion dun lectron est :

n n
n
J qD
x
=
et que la densit de courant de diffusion dune particule charg positivement est :

p p
n
J qD
x
=


Page 19
La constante de diffusion ainsi que la mobilit caractrise le phnomne de collision et le
mouvement des particules. Nous pouvons donc tablir une relation entre D
p
et
p,
et D
n
et
n
. Cest la relation dEinstein.

et
p
n
n p
D
D kT kT
q q
= =

k = 1,38x10
-3
J/K (constante de Boltzman)

0, 026 300K
kT
V
q

Nous pouvons donc reprsente
kT
q
par
T
V , la tension thermique.

Le flux net qui entre dans la surface 1 est f et le flux net qui sort de la surface 2 est
f
f x
x
. En soustrayant le flux net dans A x on a :

f f
f f x x
x x

+ =

.

En appliquant la 1
re
loi de Fick, on obtient :

( ) ( )
2
2
, , n x t n x t f
x D x D x
x x x x

= =

.

Puisque la variation de laccumulation des particules charges dans le volume Ax
est
( ) , n x t
x
t
, on obtient :
( ) ( )
2
2
, , n x t n x t
D
t x

=

Cest la 2
e
loi de Fick qui se nomme quation de diffusion (en 1D). La solution, en
supposant une concentration fixe au temps de dpart et concentre x=0, est :

( )
( )
2
0 4
, pour -
2
x
Dt
n
n x t e x
Dt
= < <


Page 20
t = 0
t1 > 0
t2 > t1
n(x)
x

Figure 2.3.3 : Graphique reprsentant la solution de la 2
e
loi de Fick

2.4 Couches dnergie dans un solide

Nous pouvons diviser les matriaux en trois groupe : isolant, semi-conducteur et
conducteur. Cette division est base sur la densit de porteurs de charge qui peuvent se
dplacer sous linfluence dun champ lectrique et la facilit (mobilit) de se dplacer.

Conducteurs :
Possdent gnralement de 1 3 lectrons libres (sur lorbite de
valence).
Peuvent abandonner ou recevoir trs facilement des lectrons.

Isolants :
Nont pas dlectrons libres
La dernire couche est en saturation (couche de valence remplie).
Les lectrons sont retenus leur noyau par des forces
considrables.

Semi-conducteurs :
Possdent 4 lectrons de valence.
Ils ne sont ni conducteurs, ni isolants.

Le diagramme de niveau dnergie prsente diffrente quantit dnergie ncessaire un
lectron pour se situe sur une orbite donne autour du noyau. Le passage dun lectron
dune orbite sur une autre dgage ou ncessite de lnergie.

hc
E hf
= =


Page 21
8 8
2, 998x10 m s (vlocit de la lumire 3x10 m s) c f =

h : constante de Planck, 6,626x10
-34
J-s

f : frquence en Hz

938
950
972
1216
18 765
12 821
10 939
4102
4341
4861
6562
absorption
Srie de Lyman
(ultraviolet)
1026
-0,378 eV
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
A
-0,543 eV
-0,85 eV
-1,51 eV
-3,39 eV
-13,58 eV
Srie de Paschen
(infrarouge)
Srie de Balmer
(visible)
ultraviolet visible infrarouge
A A
A A 912
4000 7000
8206
radiation

Figure 2.4.1 : Diagramme de niveau dnergie

Exemple : Prouvez que la srie de Balmer met dans la partie visible du spectre.

Solution : De -1,51 eV -3,39 eV, E = 3,39 - 1,51 = 1,88 eV.

( )( )
-19
14
-34
1, 88 1, 6x10
4, 5x10 Hz
6, 626x10
f = =

8
-7
14
3x10
6, 6x10 m 6600
4, 54x10
c
f
= = = =

Note : 1 = 10
-10
m.
Inversement, un photon de = 6600 sera absorb par latome et
augmentera le niveau dnergie de llectron de -3,39 -1,51 eV.

Tout en rapprochant des atomes afin de former un solide, les niveaux dnergie
individuelle interagissent. Cette interaction forme des bandes continues de mme nergie.
La reprsentation graphique de ces couches dnergie se nomme diagramme de couche
dnergie.

Page 22

EC
EV
Saut de
couches
Couches de valence
Eg > quelques eV
Couche conductrice
EC
EV
Eg = 1,1 eV
EC
EV
(a) (b) (c)

Figure 2.4.2 : Diagramme de couche dnergie;
(a) Matriau isolant,
(b) Matriau semi-conducteur,
(c) Matriau conducteur.

Les couches de valence sont des couches dnergies compltement remplies et les
lectrons qui sy trouvent ne sont pas mobiles. Ces lectrons ne contribuent pas la
conduction du courant lectrique.

La premire couche dnergie au-dessus de la couche de valence quun lectron peut
occuper se nomme couche conductrice et est habituellement partiellement remplie. Les
lectrons qui sy retrouvent peuvent se dplacer facilement avec lapport dune faible
quantit dnergie extrieur tel quun champ lectrique. Les lectrons qui se trouvent
dans la couche conductrice contribuer donc la conduction du courant lectrique.

Lcart dnergie entre la couche de valence et la couche conductrice est une zone o les
particules charges ne peuvent demeurer. La classification des matriaux conducteur,
isolant et semi-conducteur se fait selon cet cart dnergie. En effet, plus cet cart est
grand, plus il est ncessaire de fournir de lnergie afin de permettre un lectron de
passer de la couche de valence vers la couche conductrice.

Les isolants possdent un grand cart dnergie. Pour quun lectron franchisse cette
barrire, il faut un grand champ lectrique. Le claquage dun dilectrique est le passage
dun lectron de la couche de valence vers la couche conductrice dun isolant et est un
mcanisme destructif pour les isolant.

Les conducteurs ne prsentent virtuellement pas dcart dnergie. Une grande quantit
dlectrons est donc disponible dans la couche conductrice temprature ambiante.
Typiquement, chaque atome dun conducteur possde un lectron dans la couche
conductrice.

Les semi-conducteurs possdent un cart dnergie relativement faible. Un lectron peut
donc recevoir de lnergie thermique et passer dans la couche conductrice facilement.


Page 23
Il est possible destimer le nombre dlectrons qui peut tre thermiquement excit vers la
couche conductrice.

5797
3
15 3
2 2
2
2
2 4, 8x10 lectrons/cm
g g
E E
e kT T
m kT
n e T e
h

1 | |

| 1
\ ]

T : temprature en kelvins

k : constante de Boltzmann 1,38x10
-23
J/K ou 8,617x10
-5
eV/K

h : constante de Planck 6,626x10
-34
J-s

m
e
: masse dun lectron 9,1x10
-31
kg

E
g
: cart dnergie en lectron volts o 1 eV=1,6x10
-19
J

Exemple : Le silicium a un cart dnergie de 1,1 eV. Calculer le nombre dlectrons
thermiquement excits dans la couche conductrice 300K.

Solution : ( )
( ) 5797 1,1
3
15 10 3
300 2
4, 8x10 300 1, 46x10 lectrons/cm n e
=

Note : La valeur 1,5x10
10
lectrons/cm
3
est habituellement utilise comme
approximation.

2.5 Matriau semi-conducteur

Le tableau suivant prsente les caractristiques atomiques des principaux matriaux
utiliss dans la fabrication dun semi-conducteur.

Tableau 2.5.1 : Tableau priodique pour les colonne III, IV et V
Colonne III
+3

Accepteur (dopant p)
Colonne IV
+4

Colonne V
+5

Donneur (dopant n)
Bore B


Page 24
5 10,81
(numro (poids
atomique) atomique)
[Carbone] [Azote]
Aluminium Al

13 26,98
Silicium Si

14 28,09
Phosphore P

15 30,97
Galium Ga

31 69,72
Germanium Ge

32 72,59
Arsenic As

33 74,92
Indium In

49 114,82

[tain]
Antimoine Sb

51 121,75

Les lments semi-conducteurs sont typiquement composs soit de silicium, soit
darsenic de galium ou soit de germanium. Le silicium et le germanium sont situs dans
la colonne IV du tableau priodique (tableau 2.5.1). Nous nous intressons galement au
bore, laluminium et lindium qui se trouvent dans la colonne III ; au phosphore,
larsenic et lantimoine qui se trouvent dans la colonne V.

Les substances formes par les lments se trouvant dans la colonne III ou V sont
utilises dans une vaste varit dapplications telles que les micro-ondes, la logique
grande vitesse, la photonique, etc. Des composants plus spcialiss tels que certaines
DELs, les lasers, les transistors micro-ondes et la logique trs grande vitesse sont
fabriqus avec de larsenic de galium.

Ltude que nous effectuons porte principalement sur les semi-conducteurs fabriqus
partir de silicium. Le silicium est un des lments les plus abondant sur la plante Terre.
Il reprsente plus de 25% de la composition de la Terre, seulement loxygne est plus
abondant. La forme la plus courante du silicium est SiO
2
, le sable. Le silicium se retrouve
principalement sous forme minrale. Les minraux les plus commun qui contiennent du
silicium sont : lamiante, le mica, le quartz, le granite, largile et lopale. Dans lindustrie
des semi-conducteurs, le silicium doit tre purifi afin de prsenter moins de une
impuret par 10
10
atomes de silicium. Le silicium pur est un matriau intrinsque. Un
ajout contrl dimpuret est effectu afin de modifier les proprits du silicium. Ce
procd est nomm dopage.

2.6 Proprit intrinsque du silicium

Le silicium solide peut se retrouver sous trois formes :

Amorphe ;
Polycristal ;
Cristal.


Page 25
Ex : La forme amorphe du carbone est le graphite (mine de crayon) et la forme cristal
est le diamant. Nous constatons que le cot et les proprits sont diffrents selon la
forme.

La structure cristalline du silicium est la suivante :


Figure 2.6.1 : Structure cristalline du silicium intrinsque

La question qui se pose est la suivante : Comment se fait-il que la conductivit du
silicium nest pas nulle puisque tous les lectrons de valence forment un lien covalent ?

En effet, la conductivit est 0 T=0K. Au-dessus du zro absolu, de lnergie est
disponible sous forme thermique qui induit des vibrations dans le cristal. Cette nergie
de vibration produit des phonons, comparativement lnergie de radiation qui produit
des photons.


Page 26
Si un photon ou un phonon frappent un lien covalent, il y a certaine probabilit pour que
le lien se brise et libre un lectron. Cet lectron peut donc se dplacer sous linfluence
dun champ lectrique externe.


Figure 2.6.2 : Structure ionise dun cristal de silicium

Lors de la libration de llectron, il y a, par le fait mme, libration dune charge nette
positive dans le lien covalent. Cette charge positive est nomm trou. Ce phnomne se
nomme gnration de pair lectron-trou.

EC
EV
Eg
La couche conductrise possde
maintenant un lectron
La couche valence possde
maintenant un trou (charge positive)


Page 27

Figure 2.6.3 : Gnration de pair lectron-trou

Le taux de gnration G(T), le nombre de pair dlectron-trou gnr par seconde,
dpend de la temprature. De plus, la concentration intrinsque dlectron et de trou dans
le matriau est :

n = p = n
i
= p
i

La densit de courant est donc :

( )
n p
J nq pq E E = + =

Le processus inverse existe et se nomme recombinaison. Le taux de recombinaison R(T),
nombre de pair dlectron-trou qui se recombine par seconde, est proportionnel la
concentration de trou et dlectron.

EC
EV
Eg
La couche conductrise se vide
La couche valence se remplie

Figure 2.6.4 : Recombinaison de pair lectron-trou

lquilibre, G=R ; nous pouvons donc crire :

G(T) = R(T) = knp

Selon la loi de laction de masse : np = n
i
2
= p
i
2
.

Donc, G(T) = R(T) = kn
i
2
(T) = kp
i
2
(T).

-5797
15 3 2 3
4,8x10 T porteur cm
g
E T
i i
n p e = =


Page 28
EC
EV
Eg
EC
EV
Eg
EC
EV
Eg
T = 0 K T1 > 0 K T2 > T1

Figure 2.6.5 : Ionisation thermique du silicium intrinsque

Exemple : Quelle est la conductivit du silicium intrinsque T=300K

Solution : n
i
= p
i
= 1,5x10
10
particules charges/cm
3

p
=480 et
n
=1500

=(1,5x10
10
)(1500)(1,6x10
-19
)+ (1,5x10
10
)(480)(1,6x10
-19
)
=4,75x10
-6
(-cm)
-1

Note : cuivre : =5,8x10
5
(-cm)
-1

2.7 Proprit du silicium dop

La grande versatilit des applications des semi-conducteurs est le rsultat de notre
habilet de contrler la proprit de conduction du silicium intrinsque. Nous pouvons
augmenter le nombre dlectron ou le nombre de trou disponible pour la conduction en
ajoutant des impurets. Cette impuret est nomm dopant et se divise en deux catgories :
les accepteurs et les donneurs.

2.7.1 Donneur

Les lments suivants : phosphore, arsenic et antimoine se retrouve dans la 5
e
colonne du
tableau priodique. Ce qui indique quils possdent 5 lectrons de valence. Si nous
ajoutons une faible quantit dun des lments de la 5
e
colonne comme impuret, nous
obtenons un cristal tel quillustr :


Page 29


Figure 2.7.1.1 : Cristal de silicium dop par un donneur (type-n)

EC
EV
Eg
nergie
d'ionisation
ED
Ea
Couche de
valence remplie
Niveau d'nergie
du donneur
lectron libre dans la
couche conductrice
atomes ioniss du
donneur

Figure 2.7.1.2 : Diagramme de couche dnergie pour du silicium dop par un donneur


Page 30
Quatre des cinq lectrons de valence du dopant forment un lien de covalence et le 5
e

lectron agit comme un lectron libre dans le matriau. Noter que les trous dans un semi-
conducteur dop avec un donneur sont des porteurs minoritaires. La concentration des
trous est infrieure p
i
. Ce phnomne sappelle suppression des porteurs minoritaire et
rsulte du remplissage des trous par les lectrons excdentaires. Les dopants donneurs
sont de type-n et la conduction du courant est principalement ralise par les lectrons.

D D
n N p N = +
n D n
N q
N
D
: nombre datome donneur par cm
3

Laddition dimpuret modifie galement la mobilit par rapport la valeur intrinsque.
Ce phnomne est caus par la distorsion de la structure cristalline du silicium dop. Les
graphiques suivants prsentent la mobilit et la rsistivit obtenues pour diffrentes
concentrations de dopant.


Figure 2.7.1.3 : Mobilit et rsistivit selon le niveau de dopage;
(a) Mobilit selon la concentration du dopant (type-n et type-p),
(b) Rsistivit selon la concentration du dopant (type-n et type-p).

Exemple : Trouvez la concentration dlectron et de trou ainsi que la conductivit du
silicium doper avec N
D
=10
7
atomes/cm
3
.


Page 31
Solution :
( )
2
10
2 2
3
17
1, 5x10
et 2250 trous cm
10
i i
D
D
n n
n N p
n N
= = = =
( ) ( )( ) ( )
1
17 19
10 1, 6x10 750 12 -cm

=

Exemple : Un chantillon de silicium est dop avec un atome de phosphore pour
chaque 10
8
atomes de silicium. Trouvez la concentration des lectrons et
des trous, la conductivit et la rsistivit.

Solution : Le phosphore est un donneur et T=300K,
D
n N . Il y a 5x10
22
atomes
de silicium par cm
3
donc,

22
14 3
8
5x10
5x10 atomes cm de phosphore
10
D
N = =

( )
( )
2
10
2 2
5 3
14
1, 5x10
4, 5x10 trous
5x10
i i
D D
n p
p cm
N N
= = = =

Note : Il y a une diminution dordre 5 par rapport la concentration p
i
.

2
1250 cm V-sec
n
= (Selon le graphique)

( )( )( ) ( )
1
14 -19
5x10 1, 6x10 1250 0,10 -cm

= =

1
10, 0 -cm
= =

Note : augmente dordre 4 par rapport la conductivit intrinsque.

2.7.2 Accepteur

Les lments suivant : bore, galium et indium se retrouvent dans la 3
e
colonne du tableau
priodique. Ce qui indique quils possdent 3 lectrons de valence. Si nous ajoutons une
faible quantit dun des lments de la 3
e
colonne comme impuret, nous obtenons un
cristal tel quillustr :


Page 32


Figure 2.7.2.1 : Cristal de silicium dop par un receveur (type-p)

EC
EV
Eg
nergie
d'ionisation
EA
Ea
Couche de
valence avec
des trous
Niveau d'nergie
de l'accepteur
atomes ioniss de
l'accepteur
trous
Couche conductrice
vide


Page 33
Figure 2.7.2.2 : Diagramme de couche dnergie pour du silicium dop par un receveur

Afin de complter les 4 liens covalents, un lectron de la couche infrieur est utilis (par
attraction). Ce qui cre un trou (porteur positif) dans la structure. Les lectrons sont donc
minoritaires et les trous, majoritaires. Les dopants accepteurs sont de type-p et la
conduction du courant est principalement ralise par les trous. Le phnomne de
suppression des porteurs minoritaire est prsent et modifie la concentration des porteurs.

A A
p N n N = +
p A p
N q
N
A
: nombre datome accepteur par cm
3

Exemple : Du silicium est dop avec 2x10
16
trous/cm
3
de bore. Trouvez la
concentration dlectron et de trous 300K.

Solution : T=300K,
16 3
2x10 trous
A
p N cm = .

( )
2
10
2 2 2
3
16
1, 5x10
11250 lectrons cm
2x10
i i i
A
n p p
n
p p N
= = = = =

2
350 cm V-sec (Selon le graphique)
p
=

( )( )( ) ( )
1
16 19
2x10 1, 6x10 350 1,12 -cm

=

Note : Il est intressant de constater quen ajoutant un atome dimpuret
2,5x10
6
atomes de silicium, la conductivit passe de 4,75x10
-6

(-cm)
-1
1,12 (-cm)
-1
. Ce qui reprsente une augmentation
dordre 6 mais qui demeure infrieur dordre 7 par rapport au
cuivre.

2.7.3 Accepteur et Donneur

Si les deux types de dopant, donneur et accepteur, sont prsent :

pour
D A D A
n N N N N >

ou

pour
A D D A
p N N N N <

Page 34

2.8 Conclusion sur la drive et la diffusion

Rappel sur le principe de fonctionnement de la diffusion et de la drive :

Diffusion :
Dans un morceau de silicium ayant une concentration uniforme de
trous et dlectrons libres, le mouvement alatoire des trous et des
lectrons rsultant de lagitation thermique produit un courant net qui
est nul.

Dans un morceau de silicium ayant une concentration non-uniforme
(ex : concentration dun type de porteurs (trou ou lectron) plus lev
dun ct du morceau) alors il y aura une diffusion de ce type de
porteurs du ct o la concentration est plus forte vers le ct o elle
est plus faible. Ce mouvement de porteurs de charges produit un
courant de diffusion dont lintensit est proportionnelle au gradient de
concentration.

Drive :
La drive dun type de porteurs se produit lorsquun champ lectrique
est appliqu un morceau de silicium. Les lectrons libres et les trous
sont acclrs par le champ lectrique et acquirent une composante de
vlocit (qui se superpose au mouvement alatoire). Les dplacements
de trous ou dlectrons produisent des courants de drive. La densit
de courant de drive est proportionnelle au champ lectrique : J = E.

3 Diode

Le franais Holweck et langlais John Fleming travaillent sur leffet Edison (lmission
dlectrons dun fil (trs) chaud dans le vide) et dcouvrent la diode en 1905 Lancaster.

Figure 3.1 : Diode (tube vide) en 1905

La diode semi-conductrice est un dispositif deux bornes utilis dans le but de permettre
la circulation du courant dans une seule direction. Elle est considre comme un lment
conduction unidirectionnelle.


Page 35
3.1 Symbolisation

Avant dentreprendre lanalyse de ses principales caractristiques de fonctionnements,
voyons dabord la structure physique de la diode semi-conductrice qui engendre le
phnomne de conduction du courant lectrique dans une seule direction. La diode est
constitue dun monocristal de semi-conducteur possdant deux rgion : une dope type-
n et lautre dope type-n. Comme lillustre la figure suivante, la borne mtallique qui
relie la rgion type-p se nomme anode et la borne mtallique qui relie la rgion type-n se
nomme cathode.


Figure 3.1.1 : Structure physique simplifi dune diode jonction

La figure suivante prsente le symbole de la diode (a). La flche indique le sens de la
circulation du courant lectrique ltat passant (d), de la zone p vers la zone n. Le trait
reprsente une barrire qui soppose au passage du courant lorsque la diode est ltat
bloqu (c). La fonction de transfert de la diode idal est prsente en (b).

NOTE : Une astuce utile afin de diffrencier la notation des bornes : la lettre K
inverse reprsente le ct cathode.


Page 36


Figure 3.1.2 : La diode idale;
(a) Symbole de la diode, (b) caractristique i-v,
(c) Circuit quivalent en polarisation inverse,
(d) Circuit quivalent en polarisation avant.
3.2 Jonction pn en quilibre

Considrez la situation dans un cristal semi-conducteur qui possde physiquement deux
rgions isoles (figure suivante); une doper avec un accepteur et lautre, avec un donneur.


Page 37


Figure 3.2.1 : Rgions isoles dun cristal de silicium dop

On nomme jonction pn la frontire entre ces deux rgions. la frontire de la jonction
pn, les lectrons libre, , du ct n sont attirs vers les trous, +, du ct p, linverse, les
trous provoquent un effet dattraction sur les lectrons libres. Il est important de
mentionner quil ne doit pas avoir de discontinuit dans le cristal linterface des deux
rgions. La densit de courant associ la diffusion des lectrons qui passe de la rgion n
(grande concentration) vers la rgion p (faible concentration) est :

n n
dn
J qD
dx
=

Par similitude :
p p
dp
J qD
dx
=

Les ions prs de la jonction ne sont plus neutraliss par les porteurs de charges (trous-
lectrons). Il stablit alors une zone dappauvrissement (ou rgion de dpltion) aux
abords de la jonction pn (figure suivante). Lors de la fabrication dune jonction pn, la
zone dappauvrissement se cre trs rapidement pour atteindre un tat dquilibre. Les
lectrons et les trous cessent leur diffusion et la jonction se stabilise.


Page 38


Figure 3.2.2 : Jonction pn dune diode;
(a) Structure de la junction pn
(b) Distribution de potential de la junction pn

La densit de la charge dans les zones charges est gale la concentration de limpuret
multiplie par la charge dun ion. Avec la distribution de charge, nous pouvons obtenir la
distribution du champ lectrique.

dE
dx
=

: densit de charge
: permittivit
=
r

o
,
o
= 8,85x10
-14
F/cm

type-p :
( )
, - 0
p
x
A
p p
w
qN
E dx x w w x
= = + < <

type-n : ( ), 0
n
x
D
n n
w
qN
E dx x w x w

= = < <


Page 39
x = 0,
A p D n
N w N w =

Le champ lectrique E (signe -) cre un courant de drive :

n n
J qn E =

Ce courant repousse les porteurs en dehors de la rgion (lectron de p vers n).

Note : La diffusion de lectron est de n vers p.

En situation dquilibre (il ny a pas de tension appliqu lexterne donc le courant
net=0) le courant de diffusion vers la droite est de mme amplitude que le courant de
drive vers la gauche. La dimension (longueur) de la zone charge se stabilise une
valeur qui permet ce que chaque lectron qui diffuse vers la rgion p sous linfluence du
gradient de concentration des lectrons est compens par un lectron qui pntre dans la
rgion charge depuis la rgion p et qui a t dplac par le champ lectrique vers la
rgion n. Le mme argument peut tre appliqu pour les trous.

La variation du potentiel sur la rgion charge peut tre trouv en intgrant le champ
lectrique :

V Edx =

Pour la jonction pn :

( ) ( ) ( )
0
2 2
0
2
n n
p p
w w
A D
J p n A p D n
w w
qN qN q
V Edx x w dx w x dx N w N w

= = + + = +

lquilibre V
J
est le potentiel de contact V
o
(ou
J
).

En fait, afin de dterminer la valeur de V
o
, nous utilisons les courants de drive et de
diffusion lquilibre.

0
0 n n
dn
qD qn E
dx
=

n
0
: Concentration des lectrons lquilibre dans la rgion charge.

En utilisant la relation dEinstein 0, 026 300K
n
T
n
D kT
V V
q
= = ,


Page 40
0
0
T
dn
V Edx
n
=

0
0
0
0
n n
p p
n w
T
n w
dn
V Edx
n

=

0
n
n
: Concentration des lectrons du ct n.
0
p
n : Concentration des lectrons du ct p.

0
0
0
ln
n
T
p
n
V V
n
=

Puisque
0
p D
n N = et
0
2
i
p
A
n
n
N
= alors,

0 2
ln
D A
T
i
N N
V V
n
=

Nous pouvons observer que le potentiel de contact dpend seulement du dopage et de la
temprature.


Page 41


Figure 3.2.3 : Jonction pn en quilibre

Nous pouvons galement obtenir la dimension des rgions charges w
n
et w
p
lquilibre
comme le prsente la figure prcdente. La largeur de la zone de dpltion est donne
par :

0
2 1 1
S
dep
A D
W V
q N N

= +


Page 42
W
dep
: largeur de la zone de dpltion

S
: permitivit du semiconducteur (=11,7
o
pour le silicium)

N
A
, N
D
: concentration dimpurets

V
0
: diffrence de potentiel da la jonction (0,6 0,8 V pour Si)

On a galement :
A
n p
D
N
W W
N
=

Il est noter que le dveloppement des quations sest fait en supposant une jonction
abrupte. Des calculs similaires peuvent dcouler pour une jonction graduelle, cest--dire
que la concentration des dopants varie graduellement dun ct lautre.

Exemple : Une jonction pn de silicium possde N
A
=10
14
accepteurs/cm
3
et N
D
=10
16

donneurs/cm
3
T=300K. Trouvez le potentiel de contact ainsi que les
paisseurs w
n
et w
p
.

Solution : =
r
o
= (11,7)(8,85x10
-14
)=1,04x10
-12
F/cm
300K, V
T
=0,026V et n
i
=1,5x10
10
lectrons/cm
3
donc,

14 16
0 2 20
10 10
ln 0, 026ln 0, 58
2, 25x10
D A
T
i
N N
V V V
n
= = =

( )
( )
-12
-4
0 -19 14 16
2 1, 04x10
2 1 1 1 1
0, 58 2, 76x10
1, 6x10 10 10
S
dep
A D
W V cm
q N N

= + = + =

-6
2, 73x10
1
dep
n
D
A
W
W cm
N
N
= =
+

-4
2, 73x10
1
dep
p
A
D
W
W cm
N
N
= =
+

3.3 Polarisation

En pratique, la zone dappauvrissement peut tre considre comme une zone
isolante . Une fois quelle est constitue, plus aucune charge (lectron ou trou) ne peut
franchir la jonction sans quune force extrieure y soit exerce. Dans cette section, nous

Page 43
analyserons les impacts des diffrents types de polarisations qui peuvent tre appliques
sur la diode.

3.3.1 Polarisation avant

Si une tension positive est appliqu au matriaux p pendant quune tension ngative est
simultanment applique au matriau n, les charges sont forces de franchir la
jonction de p vers n. Ceci a pour effet de rduire la zone dappauvrissement une zone si
petite quelle devient pratiquement nulle. On dit alors que la diode est en polarisation
avant (ou direct).


Figure 3.3.1.1 : Polarisation avant dune jonction pn

En effet, la tension externe V
D
se superpose au potentiel de jonction et la barrire de
potentiel est diminue, ce qui permet plus dlectrons de diffuser vers le ct p (et les
trous vers le ct n).

Pour nous, lextrieur, la polarisation directe cre un petit dbalancement entre le
courant de diffusion et le courant de drive. Le courant de diffusion domine, ce qui cre
un courant net non nul de p vers n. On conclut quune diode semi-conductrice soumise
une polarisation avant se comporte comme un conducteur. La diode est ltat passant.
3.3.2 Polarisation inverse

Si la tension externe V
D
est ngative (>V
ZK
), le courant I qui polarise la jonction va de n
vers p. On dit que la diode est en polarisation inverse. Contrairement la polarisation

Page 44
directe, la barrire nergtique est augmente. Le champ lectrique est donc plus fort. La
rgion de dpltion est plus grande et le courant de diffusion est rduit zro. La densit
des trous p
n
(0) du ct n est :

0
D
qv
kT
n
p e

Il est noter que la concentration est plus petite que celle lquilibre. Une faible tension
inverse suffit pour rduire p
n
(0) zro. Il y a donc relativement peu de porteur dans la
zone charge. Le courant de drive dpasse le courant de diffusion. Le courant
lintrieur de la diode est donc compos de la diffusion des porteurs minoritaires (produit
thermiquement) vers la zone charg et pouss de lautre ct par le champ lectrique de
la jonction. Un nouvel quilibre est atteint (aprs une transitoire) lorsque I
S
-I
D
=I. Les
lectrons se dplacent donc de la gauche vers la droite et les trous, de la droite vers la
gauche. Ce courant est trs petit et dans le sens inverse de la polarisation avant.


Figure 3.3.2.1 : Polarisation inverse dune jonction pn

3.3.3 Polarisation de cassure

Si la source de courant externe servant polariser la diode en inverse est augmente au-
del de I
S
(ou si la tension externe de polarisation inverse dpasse V
ZK
), on dit que la
diode entre dans la rgion de cassure. Nous avons vu que le fait dappliquer une source
de courant externe, < I
S
, largissait la rgion dappauvrissement, V
0
augmentait jusqu
ce quun nouvel quilibre soit atteint et qualors I
S
-I
D
=I. Si on augmente le courant de

Page 45
polarisation inverse au point I > I
S
, le mcanisme qui agissait en rduisant I
D
pour
respecter la condition dquilibre (largissement de la rgion dappauvrissement et
augmentation de V
0
) ne suffit plus. Deux phnomnes peuvent se produire pour permettre
I de dpasser I
S
: leffet Zener et lavalange.

Si la cassure dans la caractristique i-v de la jonction se produit une tension V
Z
<5V, le
mcanisme en cause est habituellement leffet Zener. Ce type de cassure survient lorsque
le champ lectrique dans la rgion dappauvrissement augmente au point o des liens
covalents sont rompus et quil y a cration de paires lectrons-trous. Les lectrons ainsi
gnrs sont acclrs par le champ lectrique du ct n, tandis que les trous son
acclrs du ct p. Ces mouvements de porteurs constituent un courant inverse travers
la jonction qui vient supporter le courant I impos par la source dexcitation externe sans
quil y ait daugmentation apprciable de la diffrence de potentiel aux bornes de la
jonction. La cassure par leffet Zener est rversible condition de limiter le courant qui
passe dans la jonction de faon ne pas excder sa limite de dissipation de puissance.

Si la cassure se produit pour un potentiel de polarisation inverse V
Z
>7V, le mcanisme
est un davalanche. Ce mcanisme se produit lorsque les porteurs minoritaires qui
traversent la rgion dappauvrissement sous leffet du champ lectrique acquirent
suffisamment dnergie cintique pour briser les liens covalents des atomes avec lesquels
ils entrent en collision. Les porteurs librs par ce processus peuvent avoir une nergie
suffisante pour que dautres porteurs soient librs suite dautres collisions qui se
produisent comme dans une raction en chane. Le rsultat de ce processus est la
libration dun grand nombre de porteurs qui viennent supporter le courant I impos par
la source dexcitation externe sans augmentation apprciable de la diffrence de potentiel
aux bornes de la jonction. Lavalanche est rversible condition, tout comme leffet
Zener, de limiter la dissipation de puissance.

La cassure peut tre due soit leffet Zener, soit au phnomne davalanche ou soit une
combinaison des deux si la tensions V
Z
est entre 5 et 7V.

3.4 quation de la diode

Nous pouvons maintenant dterminer le courant de la diode en fonction de la tension. Si
nous assumons que les rgions n et p sont plusieurs fois plus grande que la rgion de
dpltion, alors nous pouvons considrer la rgion de dpltion comme tant un plan
x=0. Nous assumons donc quil y a un faible taux dinjection et quil ny a pas de
gradient de tension dans cette rgion.

x=0
+
, tous les courants de trous sont des courants de diffusions et x=0
-
, tous les
courants dlectrons sont galement des courants de diffusions. Cela est vrai puisque avec
un faible taux dinjection, il ny a pas de champ significatif dans les rgions neutres ; la
neutralit des charges est maintenue par la grande concentration des porteurs majoritaire
avec un gradient de potentiel minimal. En ngligeant la recombinaison dans la trs petite

Page 46
zone de dpltion, nous pouvons assumer que le courant total est la somme des deux
composants de la diffusion.

( )
D j n p j n p
dn dp
i A J J A qD qD
dx dx

= =

A
j
: aire de la section de la diode

Avec x=0 du ct p,

0 0
1 1
D
D
T
V
qV
p p V
kT
n n
n n
dn
e e
dx L L

= =

Et par similitude, avec x=0 du ct n,

0
1
D
T
V
n V
p
p
dp
e
dx L

=

Nous obtenons donc lquation de la diode qui est :

0 0
1
D
T
V
n p p n V
D j
n p
D n D p
i A q e
L L

=

1
D
T
V
V
D S
i I e

=

I
S
est le courant de saturation inverse. Le terme saturation relate du fait que pour une
faible tension ngative V
D
, le courant I
S
est atteint et naugmente pas mme si V
D
devient
encore plus ngatif. Les constantes de diffusion et les longueurs de diffusions sont pour
les porteurs minoritaire.

Notez que 0 x , le courant de jonction nest pas entirement compos de courant de
diffusion mais le courant total demeure constant. Lquation plus gnrale est donc :

1
D
T
V
V
D S
i I e

=

O = 1 pour un courant de diffusion pur.

Si la recombinaison dans la rgion de dpltion est trs significative (si V
D
est plus petit
que 0,5V pour du silicium) peut ncessit de se faire incrmenter jusqu = 2. Il est

Page 47
galement vrai que = 2 pour un haut taux dinjection. Pour un courant de diode modr,
1 < < 2. Habituellement, = 1.

Exemple : Une jonction pn possde une section de 10
-2
cm
2
, N
A
=10
18
accepteurs/cm
3

et N
D
=10
16
donneurs/cm
3
. Le temps de vie des porteurs est de 1s,
T=300K et = 1. Trouver lquation de cette diode.

Solution : Avec les courbes, on trouve :
n
=360 cm
2
/V-s et
p
=390 cm
2
/V-s.
( )
0
2
10
2
4 3
16
1, 5x10
2, 25x10 trous/cm
10
i
n
D
n
p
N
= = = et
0
2 3
2, 25x10 lectrons/cm
p
n =
2
9, 3 cm s
n n
kT
D
q
= = et
2
10,1 cm s
p
D =
-3
3,1x10 cm
n n
L D = = et
-3
3, 2x10 cm
p p
L D = =

( )( )
( )( ) ( )( )
2 4
-19 -2 -13
-3
2,25x10 9, 3 2,25x10 10,1
1, 6x10 10 1,1x10 A
3,1x10
s
I

+
= =

( )
39 -13
1,1x10 1 A
D
V
D
i e =

3.5 Caractristiques de la diode

La figure suivante illustre la courbe caractristique i-v de la diode :


Page 48


Figure 3.5.1 : Courbe caractristique i-v de la diode

Puisque V
T
est, approximativement, 26mV la temprature ambiante (300K), i
D
a un
comportement exponentiel pour V
D
plus positif que 50mV. De plus, pour V
D
plus ngatif
que -50mV, le courant de la diode sature a I
S
. Il est noter que lchelle est exagre
afin de bien visualiser le faible courant I
S
. La figure prsente galement le fait que
lquation de la diode est invalide pour V
D
suffisamment ngatif, o le courant augmente
rapidement (provoqu par la tension de cassure).

3.5.1 Courant inverse de la diode

Le courant inverse de saturation I
S
est fonction de la dimension de la jonction, de la
constante de diffusion des porteurs minoritaires, de la concentration des porteurs
minoritaires lquilibre et de la longueur de diffusion de porteurs minoritaires. Ces
paramtres sont fonctions de la temprature et du niveau de dopage. Le courant de

Page 49
saturation se situe dans lordre des micros ampres pour une diode en germanium et dans
lordre des nano ampres pour une petite diode en silicium.

3.5.2 Effet de la temprature

Nous avons vu que I
S
varie avec la densit des porteurs minoritaires qui varie selon n
i
2
et
n
i
2
est fonction de la temprature. Il peut tre dmontr que I
S
double (pour du silicium)
pour un incrment de 5
o
au-dessus de 25
o
C. Pour V
D
en polarisation directe, i
D
double
pour 10
o
daugmentation prs de 25
o
C. i
D
constant, V
D
dcrmente denviron 2mV
pour chaque
o
C daugmentation au-dessus de 25
o
C dpendamment de .

2
D
o D
i
dV
mV C
dT
= et ( ) 0, 072
D
o D
D
V
di
I A C
dT
=

3.5.3 Temps de rtablissement

Deux capacit sont prsentes aux bornes de la diode : la capacit de transition C
T
et la
capacit de diffusion C
d
.

T
dep
A
C
W
= et , : le temps de transit
T
d T
T
dQ
C I
dV V

= =

La capacit de transition domine quand la diode est en polarisation inverse, tandis que la
capacit de diffusion domine quand la diode est en polarisation avant. La capacit de
transition est due la sparation des charges lies (prs de la jonction) par une rgion o
il ny a pratiquement pas de porteurs libre (rgion dappauvrissement). La capacit de
diffusion est due lexcdant de porteurs minoritaires qui se trouvent de part et dautre
de la jonction quand la diode conduit. Quand la diode change de polarit, la diode ne
pourra devenir bloque quaprs que ces charges excdentaires se seront dissipes.

Un changement brusque de la tension aux bornes de la diode fait donc apparatre, durant
un certain temps t
s
, un courant inverse beaucoup plus grand que le courant de saturation
I
S
. Ce courant dcrot exponentiellement, comme lillustre la figure suivante, pour
devenir gal I
S
aprs un temps t
rr
(appel temps de rtablissement reverse recovery
time ). Le temps de rtablissement est de lordre de quelques dizaines de nanosecondes
quelques microsecondes pour les diodes en silicium ordinaires et de quelques
nanosecondes pour les diodes de Schottky.


Page 50
ts tt
trr
Rponse
dsire
Rponse
obtenue
ID
t

Figure 3.5.3.1 : Temps de rtablissement
3.5.4 Fiches techniques

Les fiches techniques servent habituellement identifier le composant qui sera utilis
pour une application donne. Voici quelques informations qui peuvent guider notre
choix.

3.5.4.1 Limites absolues

Ces paramtres doivent tre considrs comme des contraintes maximales dutilisation
dans un circuit.

Tension inverse de crte rptitive V
RRM
(pas de limite de temps)
Tension inverse de crtre non rptitive V
RSM
(courte dure sur une
priode de temps)
Courant directe moyen I
D
(sans limite de temps)
Courant directe maximal rptitif I
FRM
(en ode normal)
Courant direct de surcharge non rptitif I
FS
(courte dure sur une
priode de temps)
Temprature maximale de la jonction T
Jmax

3.5.4.2 Caractristiques lectriques

Chute de tension V
f
aux borne de la diode ltat passant (V
f
varie en fonction du
courant I
o
et T).
Courant de fuite I
r
ltat bloqu (en fonction de la temprature de jonction T
J
).


Page 51
3.5.4.3 Caractristiques mcaniques

Les fabricants indiquent les dimensions du composant, la masse, la temprature
maximale permise, couple de serrage (composant vis), les dissipateurs de chaleur.

3.5.4.4 Caractristiques supplmentaires

Plage de frquence
Niveau de bruit
Capacit
Temps de commutation
Puissance dissipe
D D D
P V I = (pour un point de fonctionnement particulier)

3.6 Modle de la diode

Il existe plusieurs modles qui peuvent tre utiliss afin deffectuer lanalyse ou la
synthse dun circuit lectronique. Le choix dun modle repose sur la prcision et la
complexit des calculs ncessaire afin dobtenir le renseignement dsir. Le modle
exponentiel (mthode graphique et mthode itrative), linaire par morceau, chute de
tension, diode idale et petit signal prsentent tous des avantages et des inconvnients et
ils seront traits dans cette section.
3.6.1 Modle exponentiel

Le modle exponentiel est la description la plus juste de la diode. Cependant, sa nature
non linaire rend ce modle difficile utiliser.

3.6.1.1 Mthode graphique

Considrons le circuit suivant.


Page 52

Figure 3.6.1.1.1 : Circuit simple en polarisation avant

On dsire calculer le courant de boucle I
D
et la tension V
D
aux bornes de la diode. En
supposant que V
DD
>0,5V, la diode est alors en polarisation avant et le courant dans la
diode est donc beaucoup plus grand que I
S.
On peut prendre lquation suivante afin de
reprsenter la courbe i-v de la diode :

T
v
V
S
i I e

=

Dautre part, en appliquant la loi de Kirchoff, on obtient :

0
DD D D
V RI V =
soit :

1
(y=mx+b)
DD
D D
V
I V
R R
= +

Ce qui reprsente lquation dune droite de pente -1/R et dabscisse lorigine de
V
DD
/R.

La mthode graphique est donc ralise en obtenant les coordonnes du point
dintersection (Q) de la droite de charge et de la courbe caractristique de la diode. Ce
point dintersection est appel point dopration et fournis les valeurs I
D
et V
D
.

Figure 3.6.1.1.2 : Analyse graphique


Page 53
La mthode graphique aide visualiser lopration du circuit. Toutefois, les efforts
ncessaires pour effectuer lanalyse dun circuit complexe sont trop grands pour tre
justifi en pratique.
3.6.1.2 Mthode itrative

Les deux quations qui sappliquent au problme sont :

DD D
D
V V
I
R
= et
T
v
V
S
i I e

=

Ces quations peuvent tre solutionn en appliquant la mthode itrative prsente :

a) Obtenir une premire approximation de I
D
en supposant V
D
=0,7V.

b) Utiliser lquation de la diode pour obtenir un estim de V
D
.

Pour deux tension v=V
1
et v=V
2
, on a

( )
1 1
ln ln
T S
V V I I = ( )
2 2
ln ln
T S
V V I I =
( )
1 1 1
1 2
2 2 2
ln 2, 3 log 0, 05 log
T T
I I I
V V V V
I I I

= =

1
2 1
2
0, 05 log
I
V V
I
= +

c) Recalculer I
D
pour la valeur V
D
trouv en b) et passez litration suivante.

Exemple : On dsire calculer le courant de boucle I
D
et la tension V
D
aux bornes de
la diode en supposant que V
DD
= 5V et R=1k. Supposons que lon utilise
une diode dont la tension aux bornes est de 0,7V lorsque le courant est de
1mA et que =2.

Solution : La premire approximation de I
D
est :

3
5 0, 7
4, 3
1x10
DD D
D
V V
I mA
R

= = =

En utilisant lquation de la diode afin dobtenir un estim de V
D
:

( )
1
2 1
2
4, 3
0, 05 log 0, 7 0, 05 2 log 0, 763
1
I
V V V
I
= + = + =

Pour la seconde itration, on recalcule I
D
pour V
D
=0,763V.

Page 54

3
5 0, 763
4, 237
1x10
DD D
D
V V
I mA
R

= = =

On substitue I
D
dans lquation de la diode et on obtient :

( )
2
4, 237
0, 763 0, 05 2 log 0, 762
4, 3
V V = + =

Tableau 3.6.1.2.1 : Rsultat des itrations de la mthode itrative
#Itration I
D
V
D
0 1 mA 0,7 V
1 4,3 mA 0,763 V
2 4,237 mA 0,762 V

Le processus de calcul peut tre reprsent laide du pseudo-code suivant :

RPTER
Obtenir un premier estim du courant de
boucle en utilisant VD=0,7V dans l'quation
DD D
D
V V
I
R
=
Calculer le courant
Calculer la tension
soit infrieur au seuil d'erreur recherch TANT QUE
( ) ( ) 1 k k
D D
V V

pour l'itration k courante, en utilisant

de l'itration prcdente dans l'quation
pour l'itration courante avec l'quation
( ) k
D
V
( ) k
D
I
DD D
D
V V
I
R
=
( ) ( )
( )
( )
1
T
1
2, 3nV log
k
k k
D
D D
k
D
I
V V
I

= +

( ) 1 k
D
V

Le dsavantage de cette mthode est le temps ncessaire afin dobtenir la rponse.
Toutefois, il existe des situations ou leffort et le temps requis sont justifis.

3.6.2 Modle linaire par morceau

Le modle linaire par morceau approxime la courbe exponentielle de lquation de la
diode par deux droites. Une droite horizontale pour la portion qui ne varie pas rapidement

Page 55
et une droite de pente 1/r
D
pour la portion qui varie plus rapidement. La valeur de r
D

reprsente la rsistante quivalente de la diode. Il est noter que lapproximation nest
pas unique et que le choix de r
D
peut dpendre du point de fonctionnement du circuit.

Figure 3.6.2.1 : Approximation linaire par morceau


Page 56
Figure 3.6.2.2 : Modle linaire par morceau


Figure 3.6.2.3 : Circuit quivalent avec le modle linaire par morceau

D
et la tension V
D
aux bornes de
DD
une diode V
D0
= 0,65V et r
D
=20.

Solution :
( )
0
3
5 0, 65
4, 26
1 0, 02 x10
DD D
D
D
V V
I mA
R r

= = =
+ +

0
0, 65 4, 26x0,02 0, 735
D D D D
V V I r V = + = + =

Si on compare ces rsultats ceux obtenus par la mthode itrative, on
constate que lerreur nest que de 0,5% sur I
D
et de 3,5% sur V
D
.

3.6.3 Modle chute de tension

Le modle de la diode avec une chute de tension constante simplifie la pente 1/r
D
du
modle linaire par morceau en la remplaant par une droite verticale. La tension V
D

(voltage drop) est habituellement de 0,7V. Notez que sur la courbe caractristique de la
diode suivant, le courant varie de 0,1mA 10mA avec une variation de 0,1V autour de
V
D
.


Page 57


Figure 3.6.3.1 : Approximation chute de tension


Figure 3.6.3.2 : Modle chute de tension


Page 58
Le modle de la chute de tension constante est le plus frquemment utilis dans la
premire phase danalyse dun circuit. Cela est spcialement vrai pour les circuits o les
dtails sur les caractristiques des diodes ne sont pas fournis.

D
et la tension V
D
aux bornes de
DD
une diode avec V
D0
= 0,7V.

Solution :
0
3
5 0, 7
4, 3
1x10
DD D
D
V V
I mA
R

= = =

0
0, 7 0, 7
D D
V V V = = =

Si on compare ces rsultats ceux obtenus par la mthode itrative, on
constate que lerreur est de 1,5% sur I
D
et de 8,6% sur V
D
.

3.6.4 Modle de la diode idale

Le modle de la diode idale peut servir afin de dterminer quelles diodes sont en
conduction et ceux qui ne le sont pas dans un circuit donn. Par contre, si lapplication
ncessite une plus grande prcision ou que le niveau de tension est infrieur 0,6-0,8V,
le modle de la diode idale nest pas recommand.


Figure 3.6.4.1 : Approximation diode idal
3.6.5 Modle petit signal

Dans certaines applications, une diode est polarise en un point donn de la courbe i-v et
un petit signal AC est superpos au potentiel de polarisation DC. Pour ces applications, il
est utilis de dvelopper un modle de la diode bas sur la rsistance dynamique de la
diode au point de polarisation.


Page 59


Figure 3.6.5.1 : Approximation petit signal (=2)

Pour la tension de polarisation V
D
, on a

D
T
V
V
D S
I I e
=

Lorsque le signal v
d
(t) est appliqu, la tension totale instantane est

V
D
(t)=V
D
+v
d
(t)

Donc,

( )
( ) ( ) ( ) ( )
D D d d d D
T T T T T
V t V v t v t v t V
V V V V V
D S S S D
i t I e I e I e e I e

+
= = = =

Si
( )
( )
( )
1 1
d d
D D
T T
v t v t
i t I
V V

+

( ) ( ) ( )
D
D D d D d
T
I
i t I i t I v t
V
= + = +

Page 60
( ) ( )
D
d d
T
I
i t v t
V
=

La conductance (A/V) faible signal de la diode est :

D
d
T
I
g
V
=

La rsistance faible signal ou rsistance dynamique de la diode est :

T
d
D
V
r
I
=

Note : Le fait dutiliser un modle faible signal correspond considrer que les
variations du signal sont suffisamment petites pour que la caractristique i-v de la
diode autour du point dopration Q soit une droite. La pente de cette droite est
gale la conductance.

Soit V
D0
, le point dintersection de la doite de pente 1/r
d
avec laxe v
D
, on a

( ) ( )
0 0 0 D D D d D D d d D D d d d D d d
v V i r V I i r V I r i r V i r = + = + + = + + = +

Donc, la composante signal de la tension aux bornes de la diode est :

d d d
v i r =

Exemple : On dispose dun bloc dalimentation dont la sortie est de 10V dc, auquel
est superpos un signal sinusodale de 2V crte--crte 60Hz. On dsire
produire une source de tension constante de 2,1V en mettant 3 diodes au
Si en srie.


Page 61


Figure 3.6.5.2 : Source de tension constante (exemple petit signal)

a) Calculer le % de changement dans la tension de sortie V
o
produit par
la variation de 2V crte--crteprsente lentre.
b) Calculer le % de changement dans la tension de sortie V
o
produit par
le branchement dune rsistance de charge de 1k.

Solution :

a) Sans la rsistance de charge, le courant de boucle est :

( ) 10 2,1
7, 9
1
V
I mA
k
= =

La rsistance dynamique de chaque diode est :

T
d
V
r
I
=

En utilisant =2 :

2x25
6, 3
7, 9
d
mV
r
mA
= =

Les 3 diodes en srie prsentent une rsistance dynamique totale de
r=3r
d
=18,9. Cette rsistance r en srie avec R forme un diviseur de tension. La
variation crte--crte dans la tension de sortie est donc :


Page 62
18, 9
2 2 37,1
18, 9 1000
d
o
d
r
v mV
r R
= = =
+ +

Relativement la tension moyenne de sortie (2,1V) ceci reprsente une variation
de :

18, 5
x100%= 0,9%
2,1
mV
V

La variation est de 6,2mV par diode, lutilisation du modle petit signal est donc
justifie.

b) La rsistance de 1k aux bornes du trio de diodes tire un courant moyen de
2,1mA. Le courant passant dans les diodes diminue de 2,1mA, ce qui fait diminuer
la tension aux bornes du trio de diodes de v
o
=-2,1mAx18,9=-39,7mV. Chaque
diode subit donc un changement de 13,2mV. Lutilisation du modle petit signal
nest pas entirement justifie. Toutefois, si lon reprend les calculs en utilisant la
relation i-v exponentielle, on obtient v
o
=-35,5mV, ce qui nest pas trs diffrent
du rsultat obtenu avec ce modle.

3.6.6 Rsum des modles

La figure suivante prsente les diffrents modles de la diode prsents dans cette
section.


Page 63


Figure 3.6.6.1 : Modles de la diode

3.7 Type de diodes

Il existe plusieurs types de diode. Dans cette section, nous prsentons la diode Zener, la
diode de Schottky, la diode capacitive, la diode effet tunnel, la diode
lectroluminescente, la diode photovoltaque, la photodiode et la diode photoconductrice.
3.7.1 Diode Zener

Si on examine la courbe caractristique i-v de la diodes dans la rgion de cassure, on
constate quil y a une augmentation trs importante du courant de polarisation inverse,
alors que la tension aux bornes de la diode varie trs peu. Ce comportement nous suggre
quune diode en polarisation inverse peut tre utilises comme rgulateur de tension. En
fait, il existe des diodes spcialement conues pour fonctionner dans la rgion de cassure.
On les appelle diodes Zener, daprs le nom dun chercheur en physique des semi-
conducteurs.

La figure suivante illustre le symbole de la diode Zener ainsi que le point dopration sur
la courbe v-i de la diode.


Page 64


Figure 3.7.1.1 : Symbole de la diode Zener


Figure 3.7.1.2 : Caractristique i-v de la diode Zener

En fonctionnement normale, la cathode est reli une tension positive relativement
lanode (polarisation inverse). La valeur de V
Z
donne dans la fiche technique dune
diode Zener correspond un courant I
Z
spcifique. Ces valeurs (V
Z
et I
Z
) correspondent
aux coordonnes dun point dopration Q situ dans la courbe i-v. Par exemple, une
Zener spcifie 6,8V prsentera une chute de tension de 6,8V un courant de test
spcifi (ex : 10mA). Si on fait passer un courant I
ZT
dans cette Zener, la tension aux
bornes de la diodes sera diffrente de V
Z
. La variation de la tension V est relie au
changement de courant I par : V=r
Z
I, o r
Z
est linverse de la pente dune droite
tangente la courbe i-v au point Q.


Page 65
r
Z
est appel rsistance dynamique de la diode Zener et sa valeur est donne dans la fiche
technique. Les valeurs typiques de r
Z
sont de quelques quelques dizaines de selon
les types de diodes Zener. videmment, plus r
Z
est faible, meilleure sera la diode en tant
que rgulateur de tension. Des diodes Zener sont disponibles pour des V
Z
allant de
quelques volts quelques centaines de volts. Les fiches techniques donnent les valeurs de
V
Z
( un I
ZT
), r
Z
, I
ZK
et la puissance maximum pouvant tre dissipe par la diode.

La courbe i-v dans la rgion de Zener tant quasi linaire, on peut reprsenter la diode
Zener par un circuit quivalent comportant une pile de tension V
Z0
en srie avec une
rsistance r
Z
.


Figure 3.7.1.3 : modle de la diode Zener

On a donc la relation :

0 Z Z Z Z
V V r I = + qui sapplique lorsque
A Z0
et V >V
Z ZK
I I >

Note : r
Z
est la rsistance dynamique de la diode et V
Z0
est la tension laquelle la droite
tangente la courbe i-v au point Q intersecte laxe v.

Exemple : On dispose dun bloc dalimentation fournissant une tension V
+
de 10V
avec des variation de 1V. On dsire rgulariser la sortie 6,8 V laide
dune diode Zener ayant les caractristiques suivantes :

V
Z
= 6,8 V I
Z
= 5 mA, r
Z
= 20 et I
ZK
= 0,2 mA

a) Calculer V
o
sans la charge et lorsque V
+
=10 V.

Page 66
b) Calculez V
o
produit par un changement de 1V sur V
+
.
c) Calculez V
o
produit en branchant une rsistance de charge
R
L
=2k .
d) Calculez V
o
produit en branchant une rsistance de charge
R
L
=0,5k .
e) Quelle est la plus petite valeur de R
L
qui permet de faire
fonctionner la diode Zener dans la rgion de cassure ?


Figure 3.7.1.4 : Exemple dun circuit avec une diode Zener

Solution :
a) Calculons dabord la valeur V
Zo
du modle de la Zener. On utilise
lquation :
0 Z Z Z Z
V V r I = +
( )
-3
0
6,8 20 5x10 6, 7
Z
V V = =
Lorsque aucune charge nest branche au rgulateur, le courant
passant dans la diode Zener est :
( )
0
3
10 6, 7
6, 35
0, 5 0, 02 x10
Z
Z
Z
V V
I I mA
R r
+

= = = =
+ +

La tension V
o
sortie est alors :
O 0
V 6, 7 6, 35x0,002=6,83V
Z Z Z
V I r = + = +

b) On peut considrer quune variation de 1V autour du point de
polarisation de la diode naffecte pas beaucoup sa rsistance
dynamique et utilise le modle petit signal. On trouve alors :

20
x 1x 38, 5
20+500
Z
O
Z
r
V V mV
r R
+
= = =
+


Page 67
c) Le courant dans la rsistance de charge de 2 k est :
6, 8
3, 4
2
L
V
I mA
k
=

Le courant dans la diode Zener diminuera donc de 3,4mA et le
changement correspondant dans la tension de sortie sera :

( )
Z
x I 20x -3,4 68
O Z
V r mV = = =

d) Une rsistance de charge de 0,5 k tire un courant denviron 6,8/0,5
mA, soit environ 13,6 mA. Cela nest pas possible puisque le courant
fourni par R la tension nominale de 10V nest que de 6,4 mA lorsque
aucune charge nest branche. Par consquence, la diode Zener se
trouve dans sa rgion de polarisation inverse (pratiquement en circuit
ouvert). La tension de sortie est alors dtermine par le diviseur de
tension form de R et R
L
:
L
L
R 0,5
x 10x 5
R 0,5+0,5
O
V V V
R
+
= = =
+

e) La diode fonctionne encore dans la rgion de cassure lorsque
I
Z
=I
ZK
=0,2mA. ce courant, la tension aux bornes de la diode Zener
est :
( )
-3
6, 7 20 0, 2x10 6, 7
Z ZO Z Z
V V r I V = + = +
Le courant fourni par la rsistance srie R lorsque la tension V
+
est
minimum est :

min
min
9 6, 7
I 46
0, 5
Z
V V
mA
R
+

= = =

et le courant disponible la charge est :

min
I 4, 6 0, 2 4, 4
L Z
I I mA = = =

La valeur de la rsistance de charge est donc :

6, 7
1, 5
4, 4
Z
L
L
V
R k
I
= = =

3.7.2 Diode de Schottky

La jonction dune diode de Schottky est constitue dun mtal et dun semi-conducteur.
Le semi-conducteur est, normalement, du silicium de type-n et le mtal est soit du

Page 68
molybdne, soit du platine, soit du chrome ou soit du tungstne. Llectron est le porteur
majoritaire dans les deux matriaux (le nombre de trou dans le mtal est ngligeable).

Figure 3.7.2.1 : Dide de Schottky

Cest cette particularit qui est responsable des caractristiques exceptionnelles de la
diode de Schottky. En effet, la faible capacit de jonction permet dutiliser ce type de
diode dans les applications dans les circuits logiques rapides et les circuits trs hautes
frquences (RF). Le potentiel de jonction, pour un courant donn, est plus faible que les
diodes conventionnelles et le temps de rtablissement est trs cour (10ns), mme pour des
fort courant. La diode de Schottky peut oprer jusqu des frquences de lordre de
20GHz. Pour des frquences encore plus leves, on utilise la diode pointe de contact.
Un avantage important de la diode de Schottky est son faible facteur de bruit, lment
essentiel considrer dans le cas des rcepteurs de communication et des radars. Les
diodes de Schottky peuvent supporter une grande densit de courant (ex : 100 A).

Diode de
Schottky
Diode de
Schottky
Diode
jonction
p-n
Diode
jonction
p-n
Diode
pointe de
contact
Diode
pointe de
contact
i
v
Diode de
Schottky
Diode de
Schottky
Diode
jonction
p-n
Diode
jonction
p-n
Diode
pointe de
contact
Diode
pointe de
contact
i
v

Figure 3.7.2.2 : Courbes caractristiques des diodes

Page 69

Un des champs dapplication des diodes de Schottky concerne les blocs dalimentation en
commutation fonctionnant des frquence de 20 kHz et plus. Une diode de Schottky
peut, par exemple, supporter un courant de 50A pour une tension avant de 0,6V et
prsenter un temps de rtablissement de lordre de 10ns, alors quune diode
conventionnelle de 50A aura une chute de 1,1V et un temps de rtablissement de 30
50ns. En termes de puissance dissipe dans la diode :

( ) 0, 6 x 50A=30W P Schottky V =
( ) 1,1 x 50A=55W P pn V =

Cest une diminution denviron 45% de la puissance dissipe, donc une amlioration
significative de lefficacit du bloc dalimentation.

Figure 3.7.2.3 : Circuit quivalent et symbole de la diode de Schottky

3.7.3 Diode capacitive

La diode capacitive est une diode dont la capacit est ajustable en variant la tension de
polarisation inverse. Ce type de diode est galement nomm diode varicap ou varctor.


Page 70

Figure 3.7.3.1 : Courbe caractristique dune diode capacitive

La capacit de transitoire peut tre value laide de la relation :

( )
0
T n
r
k
C
V V
=
+

En termes de la capacit C(0) en polarisation nulle :

( )
0
0
1
T n
r
C
C
V
V
=

+

k : constante dtermine par le procd de fabrication et par le matriau semi-conducteur
utilis

V
0
: tension de seuil

V
r
: tension en polarisation inverse applique

n : 1/2 pour les diodes alliage et 1/3 pour les diodes jonction diffuse.


Page 71

Figure 3.7.3.2 : Circuit quivalent et symbole de la diode capacitive

3.7.4 Diode effet tunnel

La diode effet tunnel possde une rgion de rsistance ngative o tout
accroissement de tension aux bornes de la diode produit une diminution de courant dans
celle-ci. Elle diffre de la diode conventionnelle par un dopage de 100 1000 fois plus
lev, ce qui produit une rgion dappauvrissement trs petite (10
-6
cm), soit environ 0,01
fois celle dune diode ordinaire. Cette mince rgion dappauvrissement peut facilement
tre vaincue par la grande quantit de porteurs introduits dans la diode, ce qui explique la
crte de sa courbe caractristique. De plus, elle permet aux porteurs de circuler des
vitesses trs suprieures celles dune diode ordinaire. La diode effet tunnel est utilise
dans des circuits de mesure o des temps de commutation de lordre de la picoseconde
sont requis. On utilise galement de diode effet tunnel pour raliser des oscillateurs
relaxation et des oscillateurs harmoniques fonctionnant trs haute frquence.

Figure 3.7.4.1 : Courbe caractristique de la diode effet tunnel

Page 72

Figure 3.7.4.2 : Circuit quivalent de la diode effet tunnel

Les matriaux les plus frquemment utiliss pour la fabrication de la diode effet tunnel
sont le germanium et larsniure de gallium. Le rapport I
p
/I
v
(courant de crte sur courant
de valle) est dune grande importance pour la diode effet tunnel ; il est de lordre de
20 :1 pour le GaAs et de 10 :1 pour le Ge.

Figure 3.7.4.3 : Courbes caractristiques de la diode effet tunnel en fonction des matriaux

Le circuit quivalent dune diode effet tunnel pour la rgion de rsistance ngative et
les reprsentations utilises sont donns la figure suivante :

Figure 3.7.4.4 : Circuit quivalent et symbole de la diode effet tunnel

Page 73

Linductance L
S
et la rsistance R
S
sont dues aux bornes de connexion. La capacit C est
celle de diffusion de la jonction et R, la rsistance ngative.

Considrons un circuit accord form dune inductance et dun condensateur en parallle.
Si on excite le circuit par une impulsion de courant, on pourra observer aux bornes de
celui-ci une oscillation de frquence :
LC
f
2
1
=

Les oscillations vont toutefois disparatre au bout dun certain temps cause de pertes
ohmiques dans le fil de linductance et le dilectrique du condensateur. Ces pertes sont
reprsentes ici par la rsistance Rl.

Figure 3.7.4.5 : Oscillateur sinusodale avec perte

Si lon met en srie avec L et C une diode tunnel polarise de faon ce que Rl soit
neutralise par la rsistance ngative, les oscillations induites par une impulsion de
courant vont se poursuivre tant que la diode tunnel est alimente.

Page 74

Figure 3.7.4.5 : Oscillateur sinusodale sans perte

3.7.5 Diode lectroluminescente

Il existe au sein de la structure cristalline prs de toute jonction pn (en polarisation avant)
une recombinaison de trous et dlectrons. Cette recombinaison exige un changement du
niveau dnergie des lectrons libres. Une partie de cette nergie sera libre sous forme
de chaleur et une infime partie sous forme de photons. Pour le silicium et le germanium,
la quantit de photons mis est ngligeable. Toutefois, pour dautres matriaux tels que le
phosphate darsniure de gallium (GaAsP) ou le phosphate de gallium (GaP), la quantit
de photons mis est suffisamment importante pour crer une source de lumire. Noter
que la surface conductrice du bloc de type p est de dimension rduite, permettant une plus
grande mergence des photons engendrs par le processus de recombinaison.

Figure 3.7.5.1 : Diode lectroluminescente


Page 75

Figure 3.7.5.2 : Diode lectroluminescente discrte

Lintensit du courant en polarisation avant qui circule dans la jonction p-n a une
influence directe sur lintensit de la lumire mise. La courbe ci-contre est pour une
diode ayant une dissipation maximale de 100 mW et un courant continu maximal de 50
mA (lintensit indique est relative celle obtenue pour un courant de 20 mA). Noter
galement que la longueur donde dpend du courant de polarisation avant. Le type de
matriau utilis dterminera la longueur donde (donc, la couleur) de la lumire mise.

Figure 3.7.5.3 : Intensit relative par rapport au courant de polarisation

Les DEL sont disponibles commercialement en rouge, en orange, en jaune, en vert et
bleu. (N.B. le spectre du visible stend de 450 nm 750 nm; 660 nm correspond au
rouge fonc).


Page 76

Figure 3.7.5.4 : Longueur donde mise

3.7.6 Photodiodes

La photodiode est un dispositif conu pour que le courant en polarisation inverse soit
proportionnel lintensit de la lumire incidente. Nous avons vu un cours prcdent
que le courant de saturation en polarisation inverse dune diode tait d lagitation
thermique de porteurs minoritaires dans les matriaux n et p. Si on illumine la jonction,
de lnergie sera transfre des photons la structure cristalline. Ceci provoque un
accroissement du nombre de porteurs minoritaires et, par consquent, une augmentation
du courant de saturation en polarisation inverse. La longueur donde de la lumire
incidente a videmment une grande importance pour lefficacit de ce processus, puisque
lnergie dun photon est lie la longueur donde par :

joules
v
E =

o :

s joules 10 6.624 : Plank de constante =
m/s 10 3 : lumire la de vlocit la = v
m en onde d' longueur =
34 -
8


Page 77

Figure 3.7.6.1 : Photodiode

Le fonctionnement de la photodiode est limit la rgion de polarisation inverse. On
remarque dans le diagramme ci-contre (et encore mieux dans la figure du bas) que si la
diode est polarise avec une source de tension constante (disons -20 V), le courant de la
photodiode est proportionnel au flux lumineux. Le flux est exprim ici en footcandles
(fc) :

2 9
m W 10 609 . 1 1

= fc


Page 78

Figure 3.7.6.2 : Courbe caractristique de la photodiode

Le courant rsiduel ( dark current ) est le courant correspondant un flux lumineux
nul. La rponse dune photodiode une impulsion lumineuse est trs rapide (temps de
monte et de descente de lordre de 1 ns). On les utilise dans les opto-coupleurs et
comme rcepteurs dans les systmes de communication par fibre optique.

3.7.7 Piles photovoltaques

La densit de puissance reue du soleil au niveau de la mer est de 1 kW/m2. Les piles
solaires, ou piles photovoltaques, ( solar cells ) sont des dispositifs jonction p-n
conus pour gnrer un voltage lorsque leur surface sensible est expose une source
lumineuse.Le conducteur mtallique reli au matriau de type p et lpaisseur du
matriau de type p sont conus de faon ce que le plus grand nombre possible de
photons atteignent la jonction.Un photon peut alors entrer en collision avec un lectron de
valence et lui donner suffisamment dnergie pour quil devienne libre, crant ainsi des
paires trous-lectrons. Ce phnomne se fera de part et dautre de la jonction.

Page 79

Figure 3.7.7.1 : Piles photovoltaques

Dans le matriau de type p, les lectrons libres sont des porteurs minoritaires et ils
circulent librement sans lapport dune polarisation externe.Ce phnomne se produit
aussi pour les trous gnrs dans le matriau de type n. Il en rsulte un courant de
porteurs minoritaires, dont le signe est oppos celui du courant avant dans une jonction
p-n. Cette augmentation de courant inverse est illustre la figure suivante.

Figure 3.7.7.2 : Courbe caractristique des piles photovoltaques


Page 80
On notera les points suivants :
Pour un clairement nul, la courbe caractristique
passe par lorigine;
Le courant de court-circuit et la tension en circuit
ouvert (tension photovoltaque) sont tous deux nuls.

Pour un clairement fC
1
, le courant de court-circuit est ISC
1
et le voltage photovoltaque
VOC
1
. La puissance lectrique fournie par la pile est non nulle. Pour un clairement fC
2
,
correspondant un flux lumineux 2 fois plus grand de fC
1
, le courant de court-circuit est
2 fois plus grand mais le voltage photovoltaque est peine plus grand.Une ligne de
charge (trace dans le quatrime quadrant) permet de trouver le courant dans la charge et
la tension apparaissant aux bornes de la charge, pour un clairement donn. Ce dernier
point est plus vident dans la figure suivante. Si lintensit lumineuse double (fC
1
2fC
1
),
le courant de court-circuit double aussi; par contre, la tension VOC naugmente pas dans
un aussi grand rapport. Cependant, la puissance disponible augmente de faon
substantielle.

Figure 3.7.7.3 : Puissance disponible des piles photovoltaques

Les matriaux les plus utiliss pour les piles solaires sont le slnium (Se) et le silicium
(Si). On utilise aussi larsniure de gallium (AsGa), larsniure dindium (AsIn) et le
sulfate de cadmium (SCd).La sensibilit de la pile la longueur donde de la lumire
incidente est illustre la figure ci-contre pour le Se et le Si. Notons que la pile au
slnium ragit la lumire incidente de la mme faon que loeil humain. Ceci est
commode pour les applications en photographie, telles que les posemtres et les
obturateurs automatiques.


Page 81

Figure 3.7.7.4 : Rponse aux longueurs donde de diffrents matriaux

3.7.8 Cellules photoconductrices

La cellule photoconductrice est un dispositif semi-conducteur dont la rsistance varie en
fonction de lintensit de la lumire incidente. Il ne sagit pas, proprement parler, dune
diode, car il ny a pas de jonction p-n. Nous lincluons ici pour complter la prsentation
de capteurs photosensibles.

Figure 3.7.8.1 : Cellule photoconductrice :
a) photographie et b) reprsentation graphique.


Page 82
Les matriaux utiliss sont ordinairement le sulfure de cadmium (CdS) ou le slniure de
cadmium (CdSe). La rponse spectrale de ces lments montre une crte de sensibilit
510 nm pour le CdS et 615 nm pour le CdSe.Le temps de rtablissement de la cellule
une impulsion lumineuse est de lordre de 100 ms pour le CdS et de 10 ms pour le CdSe.
Lorsque lclairement augmente, le niveau dnergie dun grand nombre dlectrons
augmente cause dintractions avec les photons. Un plus grand nombre dlectrons se
retrouvent dans la bande de conduction et peuvent driver en prsence dun champ
lectrique. La rsistance de la cellule diminue.

La courbe caractristique dune cellule photo-conductrice est illustre dans la figure
suivante.

Figure 3.7.8.2 : Courbe caractristique dune cellule photo-conductrice

Notons la linarit (chelle log-log) de la courbe de la cellule en fonction de lclairement
et la grande variation de la rsistance (100 1000 k).Une application simple, mais
intressante, dun tel dispositif est illustre ci-dessus. Le but du circuit est de maintenir la
tension vO constante quelles que soient les variations de vi.Lorsque vi diminue, lintensit
lumineuse de lampoule dcrot, ce qui se traduit par une augmentation de la rsistance
R de la cellule photoconductrice. Alors, si la rsistance augmente, la tension de sortie
tend se stabiliser la valeur :

i
i
O
R R
v R
v
+


Page 83

Figure 3.7.8.3 : Rgulateur de tension cellule photo-conductrice

3.8 Application

La diode peut tre utilis plusieurs fins. Dans cette section, nous limitons notre tude
sur le circuit crteur, le circuit de verrouillages, le circuit dalimentation, le circuit
multiplicateur de tension et le circuit super diode.
3.8.1 crteur

Le circuit crteur sert liminer une partie du signal dentre tout en laissant passer le
signal le reste du temps. Le circuit crteur comporte au moins deux lments : une
rsistance et une diode. Lutilisation dune pile est galement frquemment courant. Les
circuits crteurs peuvent se diviser en deux groupes qui jouent des rles distincts :

Limiter lamplitude dune onde
Permettre la transmission dune partie de londe

Il existe une multitude de circuits crteurs (limiter). Toutefois, le principe de base reste
toujours le mme. Il sagit de bloquer ou de forcer la conduction dune diode par la
combinaison de seuil de tension. Afin danalyser ces circuits, il est donc suggr de
considrer le signal dentre, variable dans le temps, comme une source DC un instant
donn pour dterminer ltat de polarisation de la diode.


Page 84


Figure 3.8.1.1 : Fonction de transfert dun crteur gnral


Figure 3.8.1.2 Rsultat dun circuit crteur appliqu sur une onde sinusodale


Page 85


Figure 3.8.1.3 Circuit crteur de base

3.8.2 Verrouillage

Un circuit de verrouillage (restorer) a pour but de changer, la hausse ou la baisse, la
valeur moyenne de la composante continue de londe dentre. Le circuit de verrouillage
se compose dau moins trois lments : une rsistance, un condensateur et une diode.
Lutilisation dune pile est galement frquemment courant. La constante de temps,
=RC, doit tre suffisamment grande pour que la tension aux bornes du condensateur soit
peu prs constante durant un demi-cycle. Lors de ltude des circuits de verrouillage, il
est suggr dexaminer au dpart les conditions pour lesquelles la diode sera en
polarisation avant.

tudions le circuit suivant qui est soumis un signal dune onde carre.


Page 86
t
+
-
Vo Vi
C
R D
t
Vo
-(VA+VB)
t1 t2 t0
Vi
VA
-VB
t1 t2 t0

Figure 3.8.2.1 Circuit de verrouillage

Supposons que la constante de temps =RC est beaucoup plus grande que la priode de
londe carre du signal dentre. Supposons aussi que le condensateur est dcharg au
temps t=0.Durant le demi-cycle positif (0 t
1
), la diode est en polarisation avant, la
tension de sortie est donc nulle. Le condensateur se charge rapidement a la valeur
maximale de londe dentre, soit V
A
car la diode apparat comme un court-circuit.
Lorsque la tension dentre passe V
B
(t
1
t
2
), la diode est en polarisation inverse
(circuit ouvert) et la tension de sortie devient gale la somme de la tension dentre,
V
B
, et celle de la charge du condensateur, -V
A
.

3.8.3 Circuits dalimentation DC

Voici un schma bloc dun circuit dalimentation DC :



Page 87
Figure 3.8.3.1 Schma bloc dun circuit dallimentation DC

La source primaire est lalimentation du secteur, soit 120V rms 60Hz. Un
transformateur rduit la tension de 120V AC en une tension v
S
plus base qui est ensuite
redresse par une ou plusieurs diodes (selon le type de circuit redresseur). La sortie du
redresseur est un tension pulse (sinusodale demi-onde ou pleine onde) dont la valeur
moyenne diffre de zro. Cette tension pulse est ensuite filtre puis rgularise pour
fournir une tension V
O
la charge. Lobjectif est de fournir une tension V
O
aussi
constante que possible en dpit des fluctuations de la tension AC du secteur et des
variations du courant I
L
utilis par la charge.
3.8.3.1 Tension moyenne

Pour mesurer la valeur moyenne du signal (V
CC
), nous pouvons calculer la surface sous la
courbe et diviser cette valeur par la priode (T) de londe. Par exemple, considrons une
demi-onde sinusodale damplitude maximale V
m
telle dillustr par la figure suivante.

V
Vm
0
2
Vcc
t

Figure 3.8.3.1.1 Tension moyenne

( ) [ ]
0
0 0
1 1
sin cos 0, 318
2 2
T
m m
CC moy m m
V V
V V vdt V d V
T

= = = = = =

3.8.3.2 Redresseur

Les circuits redresseurs servent transformer une source de tension alternative, dont la
valeur moyenne est nulle, en une tension dont la valeur moyenne est plus grande que
zro. Nous allons voir trois types de redresseur : le redresseur demi-onde, le redresseur
pleine onde avec prise mdiane et le redresseur pleine onde en pont.
3.8.3.2.1 Redresseur demi-onde

Le redresseur demi-onde ou simple alternance utilise des demi-cycles alternatifs de la
sinusode dentre. La figure en (b) montre le circuit quivalent du redresseur demi-onde.

Page 88


Figure 3.8.3.2.1.1 Redresseur simple alternance

La diode relle (en (a)) a t remplace par un modle constitu dune diode idale, dune
pile V
DO
et dune rsistance r
D
. Avec ce modle, on peut crire :

0 lorsque
O S DO
v v V = <

et

( ) lorsque
O S DO S DO
D
R
v v V v V
R r
=
+

Ces quations dfinissent la fonction de transfert du circuit telle quillustre en (c).

Si
D
R r , on peut ngliger r
D
et crire :

O S DO
v v V

Ce qui reprsente la figure (d).
Il y a deux caractristiques importantes quil faut considrer dans le choix de la diode qui
est utilises dans le redresseur : la tension inverse de crte T.I.C. ( Peak Inverse
Voltage P.I.V.) et le courant maximal. La T.I.C. est la tension maximale aux bornes de

Page 89
la diode pour laquelle celle-ci demeure bloqu et nentre pas dans la rgion de cassure.
Pour le circuit redresseur demi-onde, la tension maximale aux bornes de la diode, lorsque
celle-ci est polarise en inverse, est V
S
. La T.I.C. ainsi que le courant maximum que la
diode peut faire passer en polarisation avant sont spcifis dans la fiche technique de la
diode. Dans la conception dun circuit redresseur demi-onde, il est suggr de choisir une
diode dont la T.I.C. est au moins deux fois la tension crte du signal dentre. De mme,
la diode doit permettre un courant en polarisation avant dau moins deux fois le courant
moyen fournis la charge.

Exemple : La diode dans le circuit ci-dessous possde un V
DO
=0,7V et une r
D

ngligeable comparativement R. R=100 et v
S
=12V (rms).


Figure 3.8.3.2.1.2 Exemple dun circuit redresseur simple alternance

a) Calculer langle de la sinusode dentre partir duquel la diode
commence conduire.
b) Quel est langle total de conduction ?
c) Calculer la valeur moyenne de la tension de sortie v
O
.
d) Quel est le courant maximum passant dans la diode ?
e) Quelle doit tre la T.I.C. de la diode ?

Solution :


Page 90
V
VS
VO
t
angle de dbut de
conducttion

Figure 3.8.3.2.1.3 Reprsentation de langle de conduction

a) On reprsente la sinusode dentre par : sin
S m
v V t =
La diode conduit lorsque :
S DO
v V
Donc,
DO
sin t=V
m
V
1
sin et sin
DO DO
m m
V V
t t
V V

= =

La tension crte dune sinusode de 12V (rms) est :

2 ( ) 1, 414x12=16,9 V
m S
V v rms = =

Langle de dbut de conduction est donc :

1
0, 7
sin 2, 37
16, 9
o
C
t

= = =

b) Par symtrie, si la diode commence conduire un angle de
C
, elle sarrtera
de conduire un angle de -
C
. Langle total de conduction sera donc :

tot
180 2 175
o
C C
=

c) Pour une demi-sinusode, la valeur moyenne est gale 0,318V
m
. Donc,

DO
moy
V
V =0,318x16,9- =5,06V
2


Page 91
d)
max
16, 9 0, 7
I 162
100
m DO
V V
mA
R

= = =

e) La T.I.C. doit tre au moins gale V
m
(16,9V)

3.8.3.2.2 Redresseur pleine onde prise mdiane

Comme lefficacit dun redresseur simple alternance tourne autour de seulement 40%, il
serait prfrable dobtenir une tension moyenne plus grande que celle de 0,318 de la
tension maximale. De plus, nous remarquons quaucune tension nest prsente pendant
une moiti du cycle. laide dun transformateur prise mdiane (center tap), il devient
possible de raliser un redresseur pleine onde (double alternance) avec seulement deux
diodes.

La figure suivante montre que dans un transformateur prise mdiane, la tension
maximale se forme dans chaque moiti du transformateur en se servant de la partie
mdiane comme point neutre. un instant donn, lorsque la borne du haut est positive
par rapport au point neutre (au centre), la borne du bas est alors ngative par rapport ce
mme point neutre.



Page 92
Figure 3.8.3.2.2.1 : Redresseur double alternance prise mdiane

Pendant toute la dure de lalternance positive du signal Dentre, la borne du haut de
secondaire du transformateur est positive par rapport au neutre et polarise la diode D
1
en
sens direct. Pendant ce temps, la diode D
2
se trouve en polarisation inverse et bloque le
passage du courant. Durant toute lalternance positive, un courant circule travers la
charge par lentremise de la diode D
1
.

Au contraire, pendant toute la dure de lalternance ngative du signal dentre, la borne
du bas du secondaire du transformateur devient positive par rapport qu neutre et polarise
la diode D
2
en sens direct. Pendant ce temps, cest la diode D
1
qui se trouve en
polarisation inverse et bloque le passage du courant. Durant toute lalternance ngative,
un courant circule travers la charge par lentremise de la diode D
2
.

Notez que la tension de sortie prsente aux bornes de la rsistance de charge est de mme
polarit durant les deux alternances du signal dentre. Un courant unidirectionnel puls
circule en permanence dans la charge.

La tension moyenne pour un signal redress plein onde est deux fois plus grande que
celle obtenu avec un redresseur demi-onde. En effet,

( ) [ ]
0
0 0
2 1 1
sin cos 0, 636
T
m m
CC moy m m
V V
V V vdt V d V
T

= = = = = =

Nous pouvons observer dans la figure prcdente que les extrmits des cathodes des
diodes sont relies. un instant donn, elles seront donc au mme potentiel. Lorsque la
tension alternative de la borne du haut passe sa valeur maximale (E
max
), la cathode de la
diode D
2
est au potentiel E
max
si nous ngligeons la chute de tension aux bornes de la
diode D
1
. Au mme instant, lanode de D
2
relie la borne du bas se trouve au potentiel
-E
max
. La tension inverse de crte (T.I.C.) supporte par la diode D
2
est alors gale
2V
m
. De manire semblable, lorsque la borne du bas est positive, la diode D
1
supporte
une T.I.C. gale 2V
m
.

Le redresseur double alternance prise mdiane prsente lavantage de dvelopper une
tension moyenne plus grande avec la mme valeur de tension maximale. Cependant, il
possde le dsavantage dutiliser une diode devant supporter le double de tension inverse
et ncessite lutilisation dun transformateur prise mdiane (plus coteux quun
transformateur ordinaire).

Exemple : On dispose dun transformateur aliment sur un secteur dont le
secondaire, prise mdiane, fournit 12V rms par section. Les diodes ont
les caractristiques suivantes : V
DO
=0,7V, r
D
est ngligeable
comparativement la rsistance de charge R=100.

a) Calculer le % de la priode de la sinusode dentre durant lequel lune ou
lautre des diodes conduit.

Page 93
b) Calculer la tension moyenne dc la sortie.
c) Quel est le courant maximum passant dans chaque diode ?
d) Quelle est la tension inverse de crte que doit supporter chaque diode ?

Solution :

a) La valeur crte V
m
correspondant 12V rms est:

2 ( ) 1, 414x12=16,9V
m S
V V rms = =

La diode D
1
commence conduire un angle de :

1 1
0, 7
sin sin 2, 37
16, 9
o DO
C
m
V
V

= = =

Et arrte de conduire un angle de (-
C
).

La diode D
2
commence conduire un angle de (+
C
) et arrte de conduire
un angle de (2-
C
).

Langle de construction total est donc : 2(-2
C
).

Le % de la priode durant lequel une diode conduit est :

( ) 2
x100% 97,4%
2
C

b) Pour un redresseur plein onde, la tension moyenne est :

2
0, 636x16,9=10,8V
moy m
V V
= =
Toutefois, il y a une chute de V
DO
aux bornes de la diode qui conduit, donc la
tension moyenne la sortie est 10,1 V.

c)
max
16, 9 0, 7
I 162
100
m DO
V V
mA
R

= = =

d) . . . 2 2x16,9-0,7=33,1V
m DO
T I C V V = =

3.8.3.2.3 Redresseur pleine onde en pont

Le redresseur double alternance en pont nexige pas lemploi dun transformateur prise
mdiane. Il utilise plutt quatre diodes montes en pont afin deffectuer un redressement

Page 94
pleine onde, tel quillustr par la figure suivante. De plus, la tension inverse crte des
diodes est gale V
m
au lieu de 2V
m
avec le montage prise mdiane. Pour ces raisons,
le redresseur double alternance en pont devient le montage le plus utilis.


Figure 3.8.3.2.3.1 : Redresseur double alternance en pont

Pendant toute la dure de lalternance positive du signal dentre, la borne du haut du
secondaire du transformateur est positive par rapport la borne du bas et polarise les
diodes D
2
et D
3
en sens direct. Pendant ce temps, les diodes D
1
et D
4
se trouvent en
polarisation inverse et bloquent le passage du courant. Durant toute lalternance positive,
un courant circule travers la charge par lentremise des diodes D
2
et D
3
.

Au contraire, pendant toute la dure de lalternance ngative du signal dentre, la borne
du bas du secondaire du transformateur devient positive par rapport la borne du haut et
polarise les diodes D
1
et D
4
en sens direct. Pendant ce temps, ce sont les diodes D
2
et D
3

qui se trouvent en polarisation inverse et bloquent le passage du courant. Durant toute
lalternance ngative, un courant circule travers la charge par lentremise des diodes D
1

et D
4
.

Pendant toute la dure de lalternance positive, chacune des diodes ltat bloqu (D
1
et
D
4
) supporte toute la tension de lenroulement secondaire du transformateur. La tension
inverse de crte (T.I.C.) est donc de V
m
.

Page 95

Exemple : Un redresseur double alternance en pont est aliment par lintermdiaire
dun transformateur branch sur le secteur 120V, 60Hz. Le rapport de
transformation du transformateur est N
s
/N
p
=1/1. La charge rsistive est
gale 1k et le comportement des composants est considr comme
idal.

a) Calculer le courant moyen dans la charge.
b) Calculer le courant moyen dans chaque diode.
c) Calculer la tension inverse de crte supporte par chaque diode.
d) Calculer la puissance continue dissipe dans la charge.

Solution :

a) La tension maximale de sortie est :

1
2 2x120( )x 169, 7
1
s
m P
p
N
V V rms V
N
= = =

La tension moyenne est donc :

m
0, 636xV 0, 636x169,7=108V
moy
V = =

Le courant moyen dans la charge est de :

,
108
0,108
1000
moy
moy R
V
I A
R
= = =

b)
,
,
0,108
54
2 2
moy R
moy D
I
I mA = = =

c) . . . 169, 7
m
T I C V V = =

d)
,
x 108x0,108=11,7W
DC moy moy R
P V I = =
3.8.3.3 Filtre

Pour fonctionner correctement, la plupart des circuits lectroniques requirent une
alimentation plus constante que le signal puls obtenu la sortie des circuits redresseurs.
Des filtres comprenant un ou plusieurs condensateurs ou bien des inductances et des
condensateurs sont alors utiliss pour rduire les ondulations la sortie du redresseur.

Une des manires de comparer lefficacit dun filtre consiste calculer le facteur
dondulation de la tension redresse. Par dfinition, le taux d,ondulation est le quatient de

Page 96
la valeur efficace de la tension dondulation par la valeur moyenne de la tension
redresse, soit :

( ) Tension d'ondulation (rms)
% x100= x100
Tension dc
r
dc
V rms
r
V

=

Un voltmtre dc indiquera la moyenne ou niveau dc de la sortie, tandis quun voltmtre
ac (rms) indiquera la valeur efficace de la composante ac.

Un autre facteur important pour une alimentation est le taux de changement de la tension
dc de sortie lorsque le circuit est en fonctionnement. La tension de sortie mesure en
circuit ouvert diminue lorsquon relie lalimentation une charge et quelle dbite du
courant. Le changement relatif de tension de sortie est reprsent par un facteur appel
rgulation de tension.
Tension sans charge - Tension pleine charge
Rgulation de tension (R.T.) % = x100
Tension pleine charge

. .% x100
SC PC
PC
V V
RT
V
=

Pour comprendre comment un condensateur peut tre utilis pour filtrer le signal de sortie
dun circuit redresseur, considrons dabord le cas idal (comme illustr par la figure
suivante) o :

Il ny a pas de charge
La diode est idale
Il ny a aucune perte dilectrique dans le condensateur.


Page 97

Figure 3.8.3.3.1 : Filtre idal

Soit v
i
, un signal sinusodal damplitude crte gale V
p
. Lors du demi-cycle positif, la
diode est en polarisation avant et le condensateur se charge travers la rsistance nulle de
la diode idale. La tension de sortie v
o
suit la tension dentre jusqu ce que v
i
atteigne la
valeur crte V
p
. Aprs avoir atteint la valeur crte, la tension v
i
commence diminuer, la
diode devient polarise linverse et ne conduit plus. La tension aux bornes du
condensateur demeure donc gale V
p
.

Considrons maintenant le cas plus raliste o il y a une rsistance de charge R la sortie
du circuit tel quillustr par la figure suivante.


Figure 3.29 Voltage and current waveforms in the peak rectifier circuit with CR @ T. The diode
is assumed ideal.

Comme dans le cas ideal, le condensateur se charge la valeur crte V
p
du signal
dentre. Puis, la diode devient polarise linverse et le condensateur commence se
dcharger dans la rsistance R. La dcharge du condensateur se produit pendant presque
tout le cycle, jusquau moment o vi devient plus positif que la tension aux bornes de
C. Alors, la diode conduit et recharge C la tension V
p
. Il est important que la constante
RC soit beaucoup plus grande que la priode du sinus si lon veut que lamplitude de
londulation, V
r
, soit faible.

La figure montre le signal dentre v
i
et de sortie v
o
en rgime permanent et en supposant
que RC T (o T est la priode du sinus). Le courant dans la rsistance de charge R est :

o
L
v
i
R
=

Page 98

Le courant dans la diode est :

i
D C L L
dv
i i i C i
dt
= + = +

Les courbes i
L
et i
D
sont galement prsentes. On note que :

La diode conduit pendant un intervalle trs bref, t, juste avant que v
i
sapproche
de la tension crte lors des demi-cycles positifs. Durant cet intervalle t, le
courant i
D
augmente fortement de faon fournir au condensateur la charge perdu
durant le reste du cycle. On suppose que t est << T de faon considrer que le
temps de dcharge est T.
En supposant une diode idale, la diode commence conduire au temps t
1
qui
correspond linstant o v
i
est gal la tension de sortie v
o
telle que :

( )
( )
1
1
t
RC
o p i
v t V e v
= =
La diode arrte de conduire au temps t
2
, aprs que v
1
a atteint sa valeur crte. LA
valeur exacte de t
2
peut tre trouve en recherchant la valeur de t pour laquelle :

0
0
i
D
dv v
i C
dt R
= + =

Pendant tout le temps o la diode est bloque, le condensateur se dcharge dans
R. On peut donc crire pour la tension de sortie durant la dcharge :

( )
( )
t
RC
o P
v t V e

=

La dcharge commence peu de temps aprs que v
i
a atteint la crte et dure
approximativement T seconde. La tension la fin de la dcharge est :

( )
o p r
v t V V =

O V
r
est la tension dondulation. V
r
est petit si RC >> T.

Si V
r
est petit, v
o
est presque constant et gale la valeur crte de v
i
. Donc, la
tension dc est :

o p
V V =

Et le courant dans la charge est :


Page 99
p
L
V
I
R
=

Une valeur plus prcise pour la tension dc de sortie V
o
est donne par la moyenne
des extrmes de v
o
:

1
2
o p r
V V V =

Suite ces observations, on peut trouver des expressions pour V
r
et les valeurs moyennes
et crte du courant qui passe dans la diode. Durant lintervalle pendant lequel la diode est
bloque, on peut crire :

( )
t
RC
o p
v V e

=

la fin de lintervalle de dcharge, on a :

( )
T
RC
p r p
V V V e

=

Puisque RC >> T, on peut remplacer lexponentielle par un dveloppement en srie, en
conservant les deux premiers termes. On obtient alors :

r p
T
V V
RC

En remplaant T par linverse de la frquence du sinus :

r p
T
V V
fRC

En supposant que la diode cesse de conduire presque la crte de v
i
, on peut dterminer
lintervalle de conduction, t, en faisant :

( ) cos
p p r
V t V V =

O =2f est la frquence angulaire de v
i
.

Puisque (t) est un petit angle, on peut remplacer cos(t) par les deux premiers
termes dun dveloppement en srie :

( ) ( )
2 1
cos 1
2
t t


Page 100
On a alors lquation :

( )
2 1
1
2
p p r
V t V V

=

Qui nous donne pour langle de conduction t :

2
r
p
V
t
V
=

Le courant moyen dans la diode, i
Dav
, peut tre obtenu en faisant le bilan de la charge qui
est fourni C pendant t et de la charge perdu par C endant T- t. La charge fournie C
est :

f Cav
Q i t =

La charge perdue par C est :

p r
Q CV =

Puisque Q
f
=Q
p
, on obtient :

Cav r
i t CV =

Finalement, on trouve :

1 2
p
Dav L
r
V
I I
V

= +

O I
L
=V
p
/R est le courant moyen dans la charge.

Le courant maximum dans la diode, i
Dmax
, peut tre dtermin en valuant :

1
D L
dv
i C i
dt
= +

A linstant o la diode entre en conduction. Cet instant est t=t
1
=-t (t=0 tant linstant o v
1
est
maximum).

On trouve :


Page 101
max
1 2 2
p
D L
r
V
i I
V

= +

Lorsque V
r
<<V
p
, on a :

max
2x
D Dav
i i =

Nous pouvons porter les dveloppements prcdents pour le redresseur pleine onde en
remplaant la priode de dcharge T par T/2. On obtient alors les quations suivantes :

Tension dondulation :

2
p
r
V
V
fRC
=

Courant moyen dans la diode :

1
2
p
Dav L
r
V
I I
V

= +

Courant maximum dans la diode :

max
1 2
2
p
D L
r
V
i I
V

= +


Figure 3.8.3.3.2 : Filtre rel


Page 102
En comparant ces expressions aux prcdentes, on remarque que pour des valeurs gales
de V
p
, f, R et V
r
, on a besoin dun condensateur deux fois moins grand pour un redresseur
pleine onde que pour un redresseur demi-onde. De plus, le courant passant dans chaque
diode dun redresseur pleine onde est prs de la moiti de celui passant dans la diode dun
redresseur demi-onde.

3.8.3.4 Exemple circuits dalimentation DC

R
C

Figure 3.8.3.4.1 : Exemple dun circuit dalimentation DC

Soit un circuit dalimentation dc partir du secteur (f=60Hz) comportant un
transformateur de 12V rms au secondaire, un redresseur en pont et un condensateur pour
filtrer la tension de sortie. La charge est reprsente par R. On suppose que les diodes ont
un V
DO
=0,8V et une rsistance r
D
ngligeable.

a) Quelle doit tre la valeur de C pour que la tension dondulation nexde pas 1V
crte--crte lorsquon a une charge de 100 ?
b) Quelle est la tension moyenne de sortie ?
c) Quel est le courant moyen passant dans la charge ?
d) Quel est langle de conduction des diodes ?

Solution :

a) Puisquon doit tenir compte de V
DO
, on remplace V
p
par (V
p
-2V
DO
) dans les
quations dun redresseur en pont (par (V
p
-V
DO
) dans le cas dun redresseur demi-
onde et pleine onde). Ainsi on obtient :

2x12V-2x0,8V=15,4V
p
V =


Page 103
En partant de lquation
2
p
r
V
V
fRC
= pour la tension dondulation, on obtient :

1 15, 4 1
x x 1283
2fR 1 2x60x100
p
r
V
C F
V
= = =

b) Compte tenu de londulation, la tension moyenne de sortie est :

1
15, 4 0, 5 14, 9
2
o p r
V V V V = =

c)
14, 9
0,149
100
o
L
V
I A
R
= = =

d) On utilise
o
1
2 2 0, 36 ou 20,6
15, 4
r
p
V
t rad
V
= =

3.8.4 Multiplicateur de tension

Certains circuits ncessitent une tension dalimentation continue encore plus grande que
celle disponible par la source. Le multiplicateur de tension a pour but de multiplier
(doubler, tripler, ) la tension maximale de londe alternative dorigine pour fournir une
tension continue de sortie beaucoup plus leve. Par exemple, le circuit de la figure
suivante comprenant deux paires de diodes-condensateurs aura une tension continue de
sortie gale au double de la tension maximale dentre.


Page 104


Figure 3.8.4.1 : Doubleur de tension

Pendant le demi-cycle o la tension est positive au transformateur, la diode D
1
conduit et
recharge le condensateur C
1
jusqu la tension crte V
p
. La diode D
2
demeure bloque
durant cette priode.

Pendant le demi-cycle ngatif, la diode D
1
est bloque et la diode D
2
conduit, permettant
la recharge du condensateur C
2
la valeur combine de la charge C
1
et celle de lentre.
En effet, puisque la diode D
2
agit comme un court-circuit pendant le demi-cycle ngatif
(la diode D
1
quivaut un circuit ouvert), nous pouvons faire la somme des tension de la
boucle :
2 1
0
C C p
V V V + + =

2
0
C p p
V V V + + =
Donc,
2
2
C p
V V =

Lors du demi-cycle positif suivant, la diode D
2
est bloque et le condensateur C
2
se
dcharge via la rsistance de charge (non illustre). La tension aux bornes de C
2
diminue
pendant le demi-cycle positif et le condensatuer se recharge 2V
p
lors du demi-cycle
ngatif. La forme du signal aux bornes de C
2
est identique celle du signal demi-onde
filtr par un condensateur. Ce circuit peut tre tendu pour fournir des tensions gales
des multiples entiers de V
p
.

Page 105

En pratique, on utilise des diodes de redressement et des condensateurs lectrolytiques de
capacit assez grande, selon la charge soumise au circuit. Pour minimiser les pertes de
tension, il faut que la constante de temps RC soit de beaucoup suprieure la priode du
cycle.
3.8.5 Superdiode

Pour certaines applications, o le signal traiter a une amplitude plus faible que la
tension de polarisation avant dune diode normale, il peut tre requis dutiliser un
redresseur de prcision (superdiode). Comme lillustre la figure suivante, une superdiode
peut tre ralise en plaant une diode dans la boucle de rtroaction dun amplificateur
oprationnel. La fonction de transfert de ce circuit est galement prsente et elle
correspond celle dun redresseur demi-onde idal.


Figure 3.8.5.1 : Superdiode

Lorsque v
1
> 0, la sortie de lampli-op v
a
tend vers la limite de saturation positive L
+
sans
toutefois latteindre. En effet, la diode est polarise en avant et la faible rsistance
dynamique de la diode ferme la boucle de rtroaction. Lampli-op se comporte donc
comme un suiveur; le signal v
o
est gal v
i
( quelques mV prs). Il est not que pour
permettre la diode dentrer en polarisation avant, il faut que v
a
soit V
DO
(tension de
polarisation). Cest--dire que v
i
est V
DO
/A
0
, o A
0
est le gain en boucle ouverte de
lampli-op. Puisque le gain en boucle ouverte de lampli-op est trs grand, la tension v
o

v
i
- V
DO
/A
0
peut tre approxim v
i
. La tension V
DO
nintervient donc pas dans v
o
.

Pour v
1
< 0, la sortie de lampli-op tend suivre v
1
et devient ngatif. Ceci va polariser la
diode en inverse et aucun courant ne passera dans la rsistance. La tension v
o
sera donc
nulle.

Ce circuit comporte toutefois deux inconvnients majeurs :

Page 106

Lorsque v
1
devient ngatif, v
o
=0 et la tension v
i
apparat directement entre les
deux entres de lampli-op. Si v
i
excde quelques volts, lampli-op peut tre
endommag sil ny a pas de protection incorpore au circuit.

Lorsque v
i
<0, lampli-op fonctionne en boucle ouverte et sa sortie va saturer L
-
.
Le retour au fonctionnement linaire, lorsque v
i
redevient positif, ncessite un
certain temps et le redresseur ne peut donc pas fonctionner trs haute frquence.

Afin dviter que lampli-op se retrouve en boucle ouverte et de permettre un
fonctionnement plus haute frquence, la topologie de la superdiode amliore, illustr
par la figure suivante, peut tre utilise.

vi
vo
D1
D2
R2
R1
1
1
vo
vi
0
(a) (b)

Figure 3.8.5.2 : Superdiode amliore

Lorsque v
i
>0, la sortie de lampli-op tend devenir ngatif. La diode D
2
conduit et limite
la sortie de lampli-op V
D0
. Cette tension ngative polarise en inverse la diode D
1
qui
apparat alors comme un circuit ouvert. La tension v
o
est donc approximativement gale
la tension de lentre de lampli-op. Cette dernire tant une masse virtuelle, alors
v
o
0.

Pour v
i
<0, la sortie de lampli-op tend devenir positive. La diode D
2
devient polarise
en inverse tandis que D
1
est polarise en avant. D
1
ferme donc la boucle de rtroaction
forant lentre de lampli-op devenir une masse virtuelle. On a alors un ampli
inverseur o v
o
= -v
i
x R
2
/R
1.
Pour R
1
= R
2
, on obtient la fonction de transfert dun
redresseur de prcision idale.

3.9 Limportance de la diode


Page 107
Virtuellement, tous les composants lectroniques semi-conducteur dpendent sur la
jonction pn. Ce chapitre vous a prsent la distribution de la charge, le champ lectrique,
la distribution de potentiel et la densit de courant dans la jonction pn dune diode
lquilibre et avec une polarisation externe. Le rsultat le plus important fut obtenu en
drivant lquation de la diode qui a t utilise afin de modliser la diode. La jonction pn
forme la base du mode de fonctionnement des transistors bipolaires et effet de champ
qui seront prsents dans les prochains chapitres.

Les caractristiques et spcifications importantes de la diode tels que la sensibilit la
temprature, la tension de cassure, la capacit de transition se retrouvent (ou peuvent tre
dduites) dans la spcification.

4 Transistor effet de champ

Maintenant que nous avons tudi la diode jonction, un des lments semi-conducteur
de base deux bornes, nous allons tourner notre attention sur des composants semi-
conducteurs trois bornes. Ces composants sont beaucoup plus utiles que ceux deux
bornes puisquils peuvent tre utiliss dans une multitude dapplications; de
lamplificateur la logique numrique en passant par les circuits de mmoire.

Le principe de base implique lusage de la tension entre deux bornes afin de contrler le
courant dans la troisime. De cette faon, il est possible de raliser une source contrle.

Il existe deux principaux type de composants semi-conducteurs trois bornes : transistor
jonction bipolaire (BJT) et transistor effet de champs (FET). Ces deux types de
transistors ont une importance gale et offrent des avantages dans des domaines
dapplications diffrents. Dans ce chapitre, nous allons tudier le type de transistor le plus
utilis de nos jours : le transistor effet de champ (FET). Nous traiterons les BJT dans un
prochain chapitre.

Le nom du transistor effet de champ dcoule de son mode dopration physique. Il sera
montr que le mcanisme de contrle du courant est bas sur ltablissement dun champ
lectrique par lapplication dune tension sur les bornes de contrle. Il sera galement
montr que le courant est conduit par quun seul type de porteur (lectron ou trou)
dpendamment du type de FET (canal n ou canal p). Les FET possde donc un autre
nom : transistor unipolaire.

Nous retrouvons deux grandes familles dans les FET : les transistors effet de champ
jonction (JFET) et les transistors effet de champ grille (MOSFET).

4.1 MOSFET

Les MOSFET sont les transistors effet de champ les plus utiliss. En effet, le courant de
grille destructeur de JFET devenait problmatique pour les concepteurs de circuits. Les

Page 108
fabricants dcidrent damliorer les JFET et crrent la catgorie des transistors effet
de champ grille. La nouveaut du dispositif consiste lisolation de la grille par une
mince couche doxyde de mtal, do lappellation courante MOSFET metal-oxyde
semiconductor field effect transistor . Nous retrouvons deux catgories de MOSFET :
enrichissement et dpltion.
4.1.1 MOSFET enrichissement

Il existe deux types de MOSFET enrichissement : canal n et canal p.
4.1.1.1 Structure du MOSFET enrichissement canal n

Le transistor MOSFET enrichissement canal n est fabriqu sur un substrat de type p.
Deux rgions de type n fortement dopes (n
+
) forme le drain (D) et la source (S). Une
mince couche de SiO
2
, un excellent isolant, est forme la surface du substrat entre la
source et le drain. Une couche de polysilicium, un conducteur, est dpose sur la couche
de SiO
2
pour former la grille (G). Des contacts mtalliques sont aussi dposs sur les
rgions n
+
et sur le substrat pour former les bornes (S), (D) et (B). La grille est
lectriquement isole du substrat et des trois autres bornes du transistor par la couche
doxyde. Cest cette isolation qui est responsable du faible courant de grille (de lordre de
10
-15
A) et donc de la trs grande rsistance dentre que lon peut obtenir avec des
circuits MOSFET.

Les rgions de source et de drain forment des jonctions pn avec le substrat. Dans les
conditions normales de fonctionnement du MOSFET, ces deux jonctions sont toujours
polarises en inverse. Puisque la tension applique au drain est positive relativement la
source, on peut faire en sorte que les deux jonctions pn soient en polarisation inverse
simplement en reliant le substrat la source. On considrera alors le MOSFET comme un
dispositif trois bornes : grille, drain et source.


Figure 4.1.1.1.1 : Structure simplifie dun MOSFET enrichissement canal n


Page 109
On dmontrera que la tension applique la grille contrle le courant qui circule dans la
rgion du canal entre la source et le drain. La tension positive applique la grille a aussi
pour effet dattirer des lectrons de rgions n
+
de la source et du drain, l o ils se
trouvent en abondance. Lorsquun nombre suffisant dlectrons se trouve prs de la
surface du substrat sous la grille, une rgion de type n est effectivement cre. Cette
rgion de type n runit la source au drain par un canal qui permet le passage du courant
entre ces deux bornes lorsquon applique une diffrence de potentiel. Ce type de
transistor sappelle MOSFET canal n ou transistor NMOS.

4.1.1.2 Fonctionnement du MOSFET enrichissement canal n

Comme nous lavons not prcdemment, les rgions de source et de drain forment des
jonctions pn avec le substrat. Si toutes les bornes du MOSFET sont relies la masse, ces
jonctions sont naturellement en polarisation inverse. Mme en appliquant une tension
entre la source et le drain, si V
GS
=0 ces deux rgions sont spares par des jonction pn
polarises en inverse et seul un courant trs faible circulera (la rsistance r
DS
est de
lordre de 10
12
).

Supposons que les bornes S, D et B sont relies la masse et quune tension positive, par
rapport au substrat, est applique la grille. Les porteurs majoritaires (trous) se trouvant
juste sous la grille dans le substrat seront repousss loin de la grille par la tension positive
appliques la grille. Les trous seront repousss dans le substrat vers le bas en laissant
derrire eux une rgion pauvre en porteurs majoritaires, que lon appelle aussi rgion
dappauvrissement. Il reste dans cette rgion des porteurs minoritaires, soit des lectrons
qui taient originalement lis aux atomes accepteurs et qui servent au dopage du matriau
de type p.


Figure 4.1.1.2.1 : Cration dun canal entre la source et le drain

Page 110

Ayant introduit un canal n par lapplication dune tension V
GS
> 0, nous appliquons
maintenant une petite tension (100 200mV) entre le drain et la source. La tension V
DS

provoque le passage dun courant i
D
par le canal n induit. Ce courant est d des
lectrons libres circulant de la source vers le drain (do le nom donn ces bornes).
Lamplitude de ce courant dpend de la densit dlectrons dans le canal n, laquelle
dpend son tour de lamplitude de V
GS
. Spcifiquement, on peut parler dun seuil de
tension V
t
tel que, si V
GS
=V
t
, le canal existe peine et le courant i
DS
sera ngligeable.
Toute tension grille-sourcce positive suprieure la tension seuil fait augmenter la valeur
du courant i
D
proportionnellement (V
GS
xV
t
)xV
DS
.


Figure 4.1.1.2.2 : Canal induit


Page 111


Figure 4.1.1.2.3 : Tension de seuil V
t

Considrons la situation lorsquon augmente V
DS
. Afin de simplifier lanalyse, on
suppose que V
GS
est maintenu une valeur suprieure V
t
. Le passage du courant i
D
dans
le canal n induit cre un gradient de potentiel. Cest--dire que si lon parcoure le canal
depuis la source jusquau drain, la tension mesure en x relativement la source
augmente de 0 V
DS
.


Figure 4.1.1.2.4 : Canal induit dans la rgion de saturation

Page 112

Par consquent, la diffrence de potentiel entre la grille et un point x le long du canal
diminue progressivement de V
GS
la source, jusqu (V
GS
-V
DS
) au drain. Puisque la
profondeur du canal dpend de cette diffrence de potentiel, il sensuit que le canal na
pas une profondeur uniforme sur toute sa longueur. En fait, il y aura un forme biseaute
(tapered). Si on augmente encore V
DS
, la profondeur du canal du ct du drain devient
ventuellement tellement faible que le courant i
D
ne dpend presque pas de V
DS
. On entre
alors dans la zone de saturation de la courbe i
D
-V
DS
.


D
-V
DS
du MOSFET enrichissement canal n


Figure 4..1.1.2.6 : Profondeur du canal versus V
DS


Page 113
4.1.1.3 Structure et Fonctionnement du MOSFET enrichissement
canal p

Un MOSFET enrichissement canal p (ou transistor PMOS) est construit de la mme
faon que le NMOS, mais les types de matriaux semi-conducteurs sont inverss
(substrat de type n et rgion de source et de drain de type p
+
). Le principe de
fonctionnement est identique celui du NMOS, except que V
GS
et V
DS
sont ngatifs et
que la tension de seuil est aussi ngative. La technologie PMOS tait autrefois la
technologie dominante pour la fabrication de MOSFET. Aujourdhui, la technologie
NMOS domine parce quil est possible de fabriquer des transistors plus petits et
beaucoup plus rapides.

Substrat de type n
p+ p+ Oxyde
(SiO)
2
Grille (G)
Source (S) Drain (D)
Zone de formation
d'un canal p
Substrat (B)

V
DS
(volts)
i
D
(mA)
0
V
GS
= -6V
-5V
-3V
--4V
-V
t
(volts) 0 V
GS
I
D

Figure 4.1.1.3.1 : Structure et courbes caractristiques dun MOSFET enrichissement canal p

4.1.1.4 Modle du MOSFET enrichissement

La description du fonctionnement physique du MOSFET peut driv lexpression de la
relation entre i
D
et V
DS
. On peut voir, sur la figure suivante, que la capacit de loxyde
par unit de surface, C
OX
, dpend de la permittivit de loxyde et de son paisseur (
OX

pour loxyde de silicium est de 3,9x8,854x10
-12
=3,45x10
-11
F/m).

OX
OX
OX
C
t
=

Page 114


Figure 4.1.1.4.1 : Description physique du MOSFET NMOS

La charge lectrique au point x est donc de :

( ) ( )
OX GS t
dq x C Wdx V V x V =

La tension V
DS
produit un champ lectrique dans le canal qui une direction de sens
inverse laxe des x. Ce champ lectrique au point x peut tre exprim par :

( )
( ) dV x
E x
dx
=

Ce champ lectrique produit un mouvement de drive de la charge dx. La vlocit dx/dt
est :

( )
n n
dx dV
E x
dt dx
= =

Le courant de drive obtenu est donc :

dq dx
i
dx dt
=

Page 115

En remplaant la charge par unit de longueur dq/dt et la vlocit de drive dx/dt, on
obtient :

( )
n OX GS t D
dV
i C Wdx V V x V i
dx
= =

En intgrant des deux cts de x=0 x=L,

( )
0 0
L L
n OX GS t
idx C Wdx V V x V dv =

On obtient :
( ) ( )
2
1
2
d n OX GS t DS DS
i L C W V V V V

=

( ) ( )
2
1
2
d n OX GS t DS DS
W
i C V V V V
L

=

Avec '
n OX
k C =

Le MOSFET enrichissement canal n conduit si V
GS
> V
t

Rgion triode si V
DS
<V
GS
-V
t

( )
2
1
'
2
d GS t DS DS
W
i k V V V V
L

=

Peut tre simplifi si V
DS
< 1 :

( ) ( )
d n OX GS t DS
W
i C V V V
L
=

Rgion saturation si V
DS
V
GS
-V
t

( )
2
'
d GS t
W
i k V V
L

=


Page 116
4.1.1.5 Caractristique i-v du MOSFET enrichissement

Les courbes caractristiques dun NMOS enrichissement indiquent lexistence de 3
rgions de fonctionnement :

Rgion dtranglement
Rgion de saturation
Rgion de triode


Figure 4.1.1.5.1 : Courbe caractristique i-v du MOSFET enrichissement

Si le transistor doit servir de commutateur (ex : porte logique), on doit le faire passer de
la rgion dtranglement la rgion de triode pour passer de la condition OFF la
condition ON. Le transistor peut servir de rsistance variable contrle par une tension si
on le fait fonctionner dans la rgion triode. Pour ce faire, il faut dabord induire le canal
en faisant en sorte que V
GS
V
t
, puis sassurer que V
DS
soit suffisamment petit pour que le
canal demeure continu (quil ne se produise pas dtranglement du ct drain).
Finalement, le transistor peut servir damplificateur lorsquil se trouve dans la rgion de
saturation.

4.1.1.5.1 Rgion de triode

Un transistor NMOS enrichissement fonctionne dans la rgion de triode lorsque :


Page 117
1. V
GS
V
t
(induction du canal)
2. V
GD
>V
t
(le canal est continu; pas dtranglement)

La deuxime condition peut tre exprime en termes de V
DS
en crivant :

V
GD
=V
GS
+V
SD
=V
GS
-V
DS

Donc, V
GD
> V
t
peut aussi scrire V
GS
-V
DS
>V
t

Cest--dire V
DS
<V
GS
-V
t

En mots, la tension au drain doit tre plus base que la tension de grille dau moins V
t

volts. Dans la rgion de triode, les courbes i
D
versus V
DS
peuvent tre reprsentes par :

( )
' 2
1
2
d n GS t DS DS
W
i k V V V V
L

=

Si la tension V
DS
est suffisamment petite, le terme en V
DS
2
dans lquation devint
ngligeable et on peut donc crire :

( )
'
d n GS t DS
W
i k V V V
L
=

Le transistor se comporte donc comme un rsistance qui est fonction de la grille:

( )
'
1
DS
DS
D
n GS t
V
r
W
i
k V V
L
=

4.1.1.5.2 Rgion de saturation

Un transistor NMOS enrichissement canal n fonctionne dans la rgion de saturation
lorsque :

1. V
GS
> V
t
(induction du canal)
2. V
GD
V
t
(le canal est trangl du ct du drain)

La deuxime condition sexprime en termes de tension V
DS
par :

V
DS
V
GS
-V
t

En mots, la tension au drain doit tre suprieure la tension de grille dau moins V
t
volts.

Page 118

La frontire qui spare la rgion de fonctionnement en triode de la rgion de saturation
est caractrise par :

V
DS
=V
GS
-V
t

Si on substitue V
DS
dans lquation du courant on obtient le courant de saturation

( )
2
'
d n GS t
W
i k V V
L
=


Figure 4.1.1.5.2.1 : Courbe caractristique modle grands signaux

Donc en saturation, le MOSFET fournit un courant de drain qui est indpendant de la
tension V
DS
et qui est proportionnel au carr de la diffrence de potentiel (V
GS
-V
t
).


Page 119


Figure 4.1.1.5.2.2 : Modle grands signaux simplifi

4.1.1.6 Rsistance de sortie dans la rgion de saturation

Le modle grands signaux utilis jusqu prsent tait bas sur la prmisse que lorsque le
canal est trangl prs du drain, une augmentation de V
DS
naura pas deffet sur la forme
du canal et, par consquent, le courant i
D
ne varie plus. En pratique, en augmentant V
DS
,
le point o se produit ltranglement du canal se rapproche de plus en plus de la source.
Ainsi, la longueur effective du canal diminue, un phnomne appel modulation de la
longueur du canal (channel-length modulation). Puisque K est inversement proportionnel
la longueur du canal, une augmentation de V
DS
produit une augmentation de K et par
consquent, une augmentation de i
D
. On peut donc modliser cette dpendance de i
D

envers V
DS
par une rsistance r
o
en parallle avec la source de courant commande.



Page 120
Figure 4.1.1.6.1 : Modle grands signaux avec modulation de canal

Les courbes caractristiques i
D
versus V
DS
illustre bien le phnomne de modulation du
canal. La lgre dpendance de i
D
envers V
DS
dans la rgion de saturation peut tre
reprsente analytiquement par un facteur 1 + V
DS
.

( ) ( )
2
'
1
1
2
D n GS t DS
W
i k V V V
L
= +

est une constante positive spcifique au MOSFET (valeurs types : = 0,005 0,3 V
-1
).
Dans la figure, on peut voir quen extrapolant les courbes, celle-ci interceptent laxe V
DS

en un point V
DS
= -1/ = -V
A
(valeurs types : V
A
= 200 30 V).


Figure 4.1.1.6.2 : Courbes caractristiques i
D
versus V
DS
avec le phnomne de modulation du canal

La rsistance de sortie dans la rgion de saturation, r
o
, est dfinie par :

-1
constante
GS
D
o
DS
V
i
r
V
=

=


Page 121
Soit :

( )
1
2
'
1
2
o n GS t
W
r k V V
L

=

Que lon peut approximer par :

[ ]
1
o D
r I

=

O I
D
est le courant de drain correspondant au V
GS
pour lequel on dsire obtenir r
o
.

Puisque V
A
= -1/, on peut crire :

1
A
o
D
V
r
I

=

Ce qui fait ressortir que r
o
est inversement proportionnel au courant I
D
au point de
polarisation.

4.1.1.7 Symbolisation

Pour les deux type de MOSFET enrichissement, la notation source, grille et drain
demeure la mme ainsi que la notation des courants et des tensions. La flche diffrencie
le MOSFET canal n du MOSFET canal p en indiquant le sens du courant dans le
substrat.


Figure 4.1.1.7.1 : Symbolisation MOSFET enrichissement


Page 122
4.1.1.8 Exemple MOSFET enrichissement canal n

4.1.1.8.1 Exemple 1 : Rgion de triode


Figure 4.1.1.8.1.1 Circuit exemple 1 rgion de triode

Calculer R
D
pour que la tension au drain soit de +0,1V. Quelle est la rsistance R
DS
entre
le drain et la source pour ce point de fonctionnement ? Supposer que V
t
=1V et
k
n
(W/L)=1mA/V
2
.

Solution :

Puisque V
DS
=+0,1V est plus petit que (V
GS
-V
t
) et que V
GS
>V
t
, le transistor
fonctionne dans la rgion de triode.

Le courant de drain :

( ) ( ) ( ) ( )
2
' 2
1 1
1x 5 1 0,1 0,1 0,395mA
2 2
d n GS t DS DS
W
i k V V V V
L
1 1
= = =
1 1
] ]

La rsistance R
D
:

5 0,1
12, 5
0, 395
DD D
D
D
V V
R k
i

= = =

La rsistance r
DS
:

Page 123

0,1
253
0, 395
DS
DS
D
V
r
i
= = =

4.1.1.8.2 Exemple 2 : Rgion de saturation


Figure 4.1.1.8.2.1 Circuit exemple 2 rgion de saturation

Calculer les valeurs de R
D
et de R
S
pour que :

I
D
=0,4mA et V
D
=+0,5V

Supposer que V
t

= 0,7V,
n
C
ox

= 100A/V
2
, L = 1m et W = 32m.

Solution :

On commence par calculer la constante K du modle :

( )
2
1 1 32
100 1600
2 2 1
n ox
W A
K C
L V
| | | |
= = =
| |
\ \


Page 124
Faisons lhypothse que le transistor fonctionne dans la rgion de saturation
(V
D
>V
G
). On peut alors se servir du modle grands signaux pour estimer V
GS
:

( )
2
D GS t
I K V V =

( )
2
0, 4 1, 6 0, 7
GS
mA V =

La solution de cette quation donne deux valeurs de V
GS
: 0,2V et 1,2V. Seul
V
GS
=1,2V est conforme lhypothse que le transistor fonctionne dans la rgion
de saturation. Avec V
GS
= 0,2V, il ny aurait pas de canal induit.

Puisque la grille est relie la masse, le potentiel de source V
S
=0-V
GS
=-3V.

La valeur requise pour R
S
est :

( ) 1, 2 2, 5
3, 25
0, 4
S SS
S
D
V V
R k
I

= = =

Pour que le potentiel de drain soit gal +0,5V, il faut donc une rsistance R
D
de :

2, 5 0, 5
5
0, 4
DD D
S
D
V V
R k
I

= = =

4.1.1.8.3 Exemple 3 : Rgion de saturation


Page 125

Figure 4.1.1.8.3.1 Circuit exemple 3 rgion de saturation

Calculer la valeur de R pour obtenir un courant I
D
=0,08mA. Supposer que V
t
=0,6V,
n
C
ox

= 200A/V
2
, L = 0,8m et W = 4m.

Solution :

On commence par calculer la constante K du modle :

( )
2
1 1 4
200 500
2 2 0, 8
n ox
W A
K C
L V

= = =

Puisque la grille est relie au drain, V
GD
=0, et le transistor est forcment dans la
rgion de saturation. On utilise donc le modle grands signaux :

( )
2
D GS t
I K V V =

( )
2
0, 08 0, 5 0, 6
GS
mA V =

La solution de cette quation donne deux valeurs de V
GS
: 0,2V et 1V. V
GS
=0,2V
est rejeter car V
GS
serait infrieur V
t
.

Donc V
GS
=V
DS
=V
D
=1V. La valeur requise pour la rsistance est :

3 1
25
0, 08
DD D
D
V V
R k
I

= = =

4.1.2 MOSFET appauvrissement

Il existe deux types de MOSFET appauvrissement (aussi nomm dpltion) : canal n
et canal p.
4.1.2.1 Structure du MOSFET appauvrissement canal n

Le MOSFET appauvrissement canal n est constitu dun substrat de type p sur lequel
est diffue une rgion mince de type n. Cette rgion n constitue le canal. Le drain et la
source sont relis par des mtaux deux rgions fortement dopes de type n
+
. Une
couche de polysilicium est dpose sur la couche doxyde de silicium qui, elle, repose sur
le canal n. La couche doxyde constitue lisolant qui permet dobtenir une trs grande

Page 126
rsistance dentre. La diffrence entre le MOSFET enrichissement et
appauvrissement est que ce dernier possde un canal physiquement implant. Un courant
peut donc circuler entre le drain et la source mme avec V
GS
=0.

Substrat de type p
n+ n+
Oxyde
(SiO )
2
Grille (G)
Source (S) Drain (D)
Canal
implant
Substrat (B)
n

Figure 4.1.2.1.1 : Structure dun MOSFET appauvrissement canal n
4.1.2.2 Fonctionnement et Caractristique du MOSFET
appauvrissement canal n

Dans un MOSFET appauvrissement, la profondeur du canal, et par consquent sa
conductivit, peut tre contrler exactement de la mme faon que dans un MOSFET
enrichissement. En appliquant une tension V
GS
positive, on augmente la profondeur du
canal en y attirant un plus grand nombre dlectrons. Cependant, on peut aussi appliquer
une tension V
GS
ngative, ce qui aura pour effet de dpeupler dlectron le canal n et
donc de diminuer sa conductivit. Une tension V
GS
suffisamment ngative peut bloquer
totalement le dispositif. Ceci se produit pour V
GS
plus petit que la tension de seuil V
t
. En
effet, une tension grille-source plus ngative que la tension de seuil dpeuble le canal n
dlectrons, de sorte quaucun courant ne circule peu importe la tension V
DS
applique.
Le courant de saturation, I
DSS
, est le courant de drain quand V
GS
=0.


Page 127


Figure 4.1.2.2.1 : i
D
versus V
GS
pour un MOSFET appauvrissement canal n

Il y a une lgre pente (non illustre par la figure suivante) dans les courbes
caractristiques i
D
versus V
DS
dun MOSFET canal n dpltion dans la rgion de
saturation qui reprsente la dpendance de i
D
envers V
DS
. Cette dpendance sexplique
par le mme phnomne de modulation de la longueur du canal que pour le MOSFET
enrichissement. Les mmes quations reprsentent i
D
en fonction de V
GS
et V
DS
que pour
le MOSFET enrichissement. La seule diffrence est que V
t
est ngatif.


Page 128


D
-V
DS
pour un MOSFET appauvrissement canal n

Dans la rgion de triode :

( )
2
2
D GS t DS DS
i K V V V V =

Dans la rgion de saturation :

( ) ( )
2
1
D GS t DS
i K V V V

= +

Rsistance de sortie :
A
o
D
V
r
I
=

Courant de saturation :
2
0
DSS t GS
I KV V = =


Page 129
O,
'
1
2
n
W
K k
L
=
4.1.2.3 Symbolisation

Pour les deux type de MOSFET eappauvrissement, la notation source, grille et drain
demeure la mme ainsi que la notation des courants et des tensions. La flche diffrencie
le MOSFET canal n du MOSFET canal p en indiquant le sens du courant dans le
substrat.


Figure 4.1.2.3.1: Symbole dun MOSFET appauvrissement canal n


Figure 4.1.2.3.2 : Notation des courants et des tensions dun MOSFET appauvrissement


Page 130
4.1.2.4 Exemple MOSFET appauvrissement canal n

G
D
S
V
DS
= 3V
V
GS
= 1V
V
GD
= -2V

Figure 4.1.2.4.1 : Exemple MOSFET appauvrissement canal n

Pour un transistor NMOS appauvrissement o V
t
=-2V et k=2mA/V
2
, trouver la tension
V
DS
minimum pour quil fonctionne dans la rgion de saturation lorsque V
GS
=+1V.
Quelle sera la valeur de i
D
dans ces conditions ?

Solution :

Pour que le transistor fonctionne dans la rgion de saturation, il faut que V
DS

V
GS
V
t
. Donc, le V
DS
minimum est de (+1)-(-2)=3V.

Dans la rgion de saturation, on a :

( ) ( )
2
1
D GS t DS
i K V V V = +

Si on ignore leffet de modulation du canal (=0) :

( ) ( )
2
2 1 2 18
D
i mA = + =

4.2 JFET

Les transistors effet de champ jonction sont, probablement, les transistors les plus
simples disponibles. Ils possdent quelques caractristiques importantes, notamment une
rsistance dentre trs leve. Malheureusement (pour les JFET), les MOSFET en
possde une encore beaucoup plus grande. Cela, avec plusieurs autres avantages des
transistors MOSFET ont rendu les JFET virtuellement dpasss.

Prsentement, leurs applications se limitent aux circuits discrets o ils sont utiliss
comme amplificateur et interrupteur. Pour les circuits intgrs, les JFET sont quelques
fois utiliss comme tage dentre pour certains types damplificateur oprationnel.

Page 131
4.2.1 Structure du JFET

La structure physique du transistor effet de champ jonction comporte trois bornes. La
borne centrale se rattache deux rgions qui entourent le canal du FET. Il existe deux
types de JFET, soit canal n, soit canal p. La figure suivante prsente leur structure
avec lidentification des bornes : source, grille et drain.

canal
p
n
p
Drain
(D)
(S)
Source
Grille
(G)

Figure 4.2.1.1 : Structure du JFET

Le JFET canal n est constitu dun barreau de silicium de type n auquel on a diffus
deux rgions de type p. Les deux rgions de type p sont relies ensemble et forment la
grille. Un JFET canal p possde la mme structure, lexception du substrat qui est de
type p et des rgions formant la grille qui sont de type n.

4.2.1.1 Fonctionnement du FET canal n

Le fonctionnement du JFET est bas sur le principe suivant : en polarisant linverse les
jonctions pn, on cre une rgion dappauvrissement dans le canal qui rduit la
conductivit de celui-ci. On peut donc, en changeant la tension de polarisation de la
grille, contrler le courant passant de la source au drain.

Avec V
GS
=0, un courant i
D
circule entre la source et le drain si on applique une diffrence
de potentiel V
DS
(V
DS
petit). Si lon diminue V
GS
pour quil devienne ngatif, la rgion
dappauvrissement autour de chaque jonction slargit et la largeur du canal diminue.
Cette diminution de lageur de canal implique une diminution de i
D
. tant donn que V
DS

est petit, la largeur du canal demeure peu prs uniforme dans la partie situe entre les
deux rgions p. Le JFET se comporte comme une rsistance dont la valeur est contrle

Page 132
par la tension V
GS
. Si V
GS
devient plus ngatif, on atteint un point o les deux rgions
dappauvrissement se touchent. Le canal est alors toute fin pratique inexistant. Cette
valeur particulire de V
GS
est la tension de seuil V
t
. Noter que V
t
est ngatif pour un
JFET canal n et positif pour un JFET canal p.

p
n
p
D
S
Grille
(G)
+
-
+
-
V
GS
V
DS
(petit)
i
D
Rgion
d'appauvris-
sement
I
G
= 0
i
D
Rgion
d'appauvris-
sement
i i
S D
=

V
p
(ngatif) V
GS
(volts)
i
D
(mA)
0
I
DSS

GE
)

Considrons le cas o V
DS
est fix une valeur plus grande que la tension de seuil V
t
et
que lon fait varier V
DS
. Puisque V
DS
produit un gradient de potentiel dans le canal, le
potentiel augmente graduellement au fur et mesure que lon se dplace de la source au
drain (ex : le potentiel en un point de canal situ juste au-dessus de la source est 0, alors
que le potentiel est de V
DS
un point situ juste au-dessous de drain). Il sensuit que la
tension de polarisation inverse entre la grille et le canal varie en diffrents points du
canal; elle est plus grande du ct du drain. La caractristique i
D
versus V
DS
devient non
linaire. Lorsque la tension de polarisation inverse du ct du drain, V
GD
, devient
infrieure la tension de seuil V
t
, le canal est trangl et le courant i
D
demeure peu prs
constant.

Page 133

p
n
p
D
S
Grille
(G)
+
-
+
-
V
GS
V
DS
i
D
Rgion
d'appauvris-
sement
i
G
=0
i
D
Rgion
d'appauvris-
sement
i i
S D
=
constant

V
DS
i
D
courant constant
dans le canal n
pincement du
canal n
pente due la rsistance
du barreau de silicium qui
compose le canal n

DS
)

4.2.2 Symbolisation du JFET

La figure suivante illustre les symboles des JFET. La flche sur la broche de
raccordement de la grille prcise le sens du courant lorsque la jonction grille-canal est
polarise en sens direct (de p vers n). Le sens de la flche permet donc de diffrencier le
symbole dun JFET canal n de celui dun JFET canal p.

G
D
S

G
D
S

JFET canal n JFET canal p
Figure 4.2.2.1 : Symboles du JFET

4.2.2.1 Caractristique i-v du JFET canal n

Les caractristique i
D
versus V
DS
et i
D
versus V
GS
pour un JFET canal n avec V
t
=-4V et
K=1 mA/V
2
sont illustres ci-dessous :


Page 134
V
DS
(volts)
i
D
(mA)
0
V
GS
= -2 V
V
GS
= + 0.2V
V
GS
= -1 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= +0.1 V
rgion de
triode
rgion de saturation
I
DSS
24
8
16
12
-V
t
4 8

V
DS
i
D
courant constant
dans le canal n
pincement du
canal n
pente due la rsistance
du barreau de silicium qui
compose le canal n

Figure 4.2.2.1.1 : Courbes caractristique du JFET

Pour un JFET, la rgion de saturation est gnralement appel rgion de pincement et la
tension de seuil, tension de pincement, donc V
p
=V
t
. galement, au lieu de spcifier le
paramtre de conductance K, les fabricants de JFET spcifient la valeur du courant de
drain lorsque V
GS
=0. Cette valeur est note I
DSS
. On peut dmontrer que :

2 2
DSS t p
I KV KV = =

Les caractristiques du JFET peuvent tre dcrites analytiquement par les mmes
quations que lon a utilises pour le MOSFET. Spcifiquement, en substituant V
p
pour
V
t
:

Le JFET sera bloqu si :

( 0)
GS p p
V V o V <

Le JFET conduit si :

Page 135

0 et 0
p GS DS
V V V < >

Le JFET fonctionne dans la rgion de triode si :

DS GS p
V V V

Le courant dans la rgion de triode est :

( )
2
2
D GS p DS DS
i K V V V V

=

En remplaant KV
p
2
par I
DSS
, on a :

2
2 1
GS DS DS
D DSS
p p p
V V V
i I
V V V
1
| | | |
1
=
| |
| |
1
\ \
]

Le JFET fonctionne dans la rgion de saturation si :

DS GS p
V V V

Le courant dans la rgion de saturation est :

( )
2
1 1
GS
D DSS DS
p
V
i I V
V

1
| |
1
= +
|
|
1
\
]

O =1/V
A
est une constante positive qui tient compte du phnomne de
modulation de la longueur du canal.

Puisque les jonctions grille-canal sont toujours polarises linverse, le courant de grille
est trs faible (de lordre de 10
-9
A). Mme si i
G
est trs faible et que lon peut
gnralement le considrer nul dans les calculs, on doit noter quil est beaucoup plus
grand que le courant de grille dun MOSFET. La raison pour cela est que dans un
MOSFET, la grille est effectivement isole du canal par la couche doxyde de silicium.
Le courant de grille est fortement dpendant de la temprature (il double environ
chaque augmentation de 10
o
C de la temprature) ce qui constitue un inconvnient dans
certaines applications.
4.2.2.2 Exemple JFET appauvrissement canal n


Page 136
Soit un JFET canal n pour lequel V
p
=-4V et I
DSS
=10mA. moins dindication
contraire, considrer que la rsistance de sortie, r
o
, est infini.

a) Calculer les valeurs de V
t
et de K.
b) Pour V
GS
=-2V, calculer la valeur minimum de V
DS
pour que le transistor
fonctionne dans la rgion de saturation. Calculer i
D
pour V
GS
=-2V et V
DS
=3V.
c) Pour V
DS
=3V, calculer le changement dans i
D
qui correspond un changement
dans V
GS
de -2V -1,6V.
d) Pour des tensions V
DS
trs petites, calculer r
DS
V
GS
=0V et V
GS
=-3V.

Solution :

a) V
t
est identique V
p
, donc V
t
=-4V et

( )
2
2 2
10
0, 625 /
4
DSS
p
I
K mA V
V
= = =

b) Pour que le JFET fonctionne dans la rgion de saturation :
DS GS p
V V V

Donc la valeur minimum de V
DS
est :
min
2 ( 4) 2
DS
V V = = .

Dans la rgion de saturation et en supposant =0, le courant de drain est :

( )
2
2
2
1 1 10 1 2, 5
4
GS
D DSS DS
p
V
i I V mA
V

1
| |
| |
1
= + = =
|
|
|
1 \
\
]

NOTE : La spcification V
DS
=3V ne sert qu confirmer que lon doit utiliser
lquation de i
D
pour la rgion de saturation, puisque V
DS
>V
DSmin
.

c) Avec V
DS
=3V, on se trouve dans la rgion de saturation, donc :

2
2
2
2
1 10 1 2, 5
4
GS
GS
D V V DSS
p
V
i I mA
V
=
1
| |
| |
1
| = = =
|
|
|
1 \
\
]

2
2
1,6
1, 6
1 10 1 3, 6
4
GS
GS
D V V DSS
p
V
i I mA
V
=
1
| |
| |
1
| = = =
|
|
|
1 \
\
]

Donc un changement i
D
=1,1mA.


Page 137

d) Le JFET fonctionne dans la rgion de triode puisque
DS GS p
V V V et V
DS
est
petit.

Le courant est :
2
2 1
GS DS DS
D DSS
p p p
V V V
i I
V V V
1
| | | |
1
=
| |
| |
1
\ \
]
qui peut tre approxim :

2 1
GS DS
D DSS
p p
V V
i I
V V
1 | |
= 1 |
|

1
\ ]

Donc,

2 1
p
DS
DS
D
GS
DSS
p
V
V
r
i
V
I
V
=
1 | |
1 |
|
1
\ ]

r
DS
=200 pour V
GS
=0V et r
DS
=800 pour V
GS
=-3V


Page 138

4.3 Rsum des transistors effet de champ

Voici un tableau qui illustre les diffrents transistors effets de champ et leurs
principales caractristiques :

Tableau 4.3.1 : Rsum des transistors effet de champ
Canal n Canal p
MOSFET
Enrichissement
MOSFET
Appauvrissement
JFET MOSFET
Enrichissement
MOSFET
Appauvrissement
JFET
Symbole

V
t
+ - - - + +
K

1
2
n OX
W
K C
L
=

2
DSS
p
I
K
V
=

1
2
n OX
W
K C
L
=

2
DSS
p
I
K
V
=
ON
GS t
V V >
GS t
V V <
V
DS
+ -
Condition
Triode

DS GS t
V V V

DS GS t
V V V
Condition
Saturation

DS GS t
V V V

DS GS t
V V V
=1/V
A
+ -
Rgion
triode

( )
2
2
D GS p DS DS
i K V V V V

=

Rgion
saturation

( ) ( )
2
1
D GS t DS
i K V V V = +

r
o

A
o
D
V
r
I
=

Page 139

4.4 Amplificateur transistor

Nous allons tudier le fonctionnement des FET dans des circuits damplificateurs. Bien
que les circuits prsents utilisent des transistors enrichissement, les rsultats et les
mthodes de calcul sont semblables pour les autres types de FET.

4.4.1 Analyse graphique

Dans le circuit suivant, le transistor est polaris dans la rgion de saturation par une pile
de 5V (point Q). Une onde triangulaire v
gs
est supperpose la tension de polarisation de
la batterie. La tension instantane entre la grille et la source est donc : v
GS
=V
GS
+v
gs
.

v
gs
t
+0.5V
-0.5V
0

R
D
= 1.33 k
v
DS
v
gs
+
-
+
-
V
GS
+ = 20 V V
DD
0.1 F
+
-
5 V

Figure 4.4.1.1 : FET comme amplificateur

Le point de repos (Q) se trouve sur la courbe i
D
versus V
DS
la valeur spcifique de V
GS
.
Sa position exacte sur la courbe dpend de V
DD
et de R
D
: v
DS
=V
DD
-R
D
i
D
, que lon peut
crire :

1
DD
D DS
D D
V
i v
R R
=

Ceci est lquation dune droite de pente
1
D
R
qui intercepte laxe des v
DS
au point
v
DS
=V
DD
. Puisque R
D
est la rsistance de charge de lamplificateur, on appelle cette
droite, la droite de charge.


Page 140
On peut tracer, point par point, les valeurs de v
DS
qui correspondent des variations de
v
GS
allant de 4,5V 5,5V. On saperoit que v
DS
varierait de 8V crte--crte et, qu part
linversion de signe, d
ds
reproduit fidlement la forme du signal dentre.

droite de pente 1/R
d

DD
d
V
R
16
12
8
4
0
iD (mA)
4 2 8 6 12 10 16 18 20
vGS = 6.0 V
vGS = 5.5 V
vGS = 5.0 V
vGS = 4.5 V
14
iD
id
ID
RD = 1.33 k
VDS
VDS
vDS
vDS
VDD
(V)
v
ds

t
Triode Saturation
ID
Q

Figure 4.4.1.2 : Analyse graphique dun amplificateur FET

Le point dopration du FET est situ lintersection de la ligne de charge et de la courbe
i
D
versus v
DS
qui correspond la valeur de polarisation de v
GS
.

La figure suivante illustre limportance de bien choisir le point de polarisation Q. La
rsistance de charge R
D
, originalement de 1,33k a t augmente 1,78k. Le point de
repos Q (correspondant v
GS
=5V) se trouve maintenant prs de la courbe marquant la
transition entre la rgion de triode et la rgion de saturation. Lorsque le signal dentre,
v
gs
, sapproche de +0,5V, le point de fonctionnement se dplace le long de la ligne de
chargee et entre dans la rgion de triode. Le courant i
D
tant fortement dpendant de v
DS

dans cette rgion. Il sensuit une distorsion importante du signal de sortie.


Page 141

Avec R
D
plus grand
16
16
12
12 14 18 20 10 0
8
8 6
4
4 2
v
GS
= 5.5 V
v
GS
= 6.0 V
v
GS
= 5.0 V
v
GS
= 4.5 V
i
D

v
DS

V
DD

v
DS

(V)
I
D

R
D
= 1.78 k
V
DS

Triode Saturation
Q
t
t

Figure 4.4.1.3 : Limportance du point de polarisation

Pour que le FET fonctionne comme amplificateur linaire, on doit choisir un point de
polarisation Q peu prs au centre de la rgion de saturation. Le point de
fonctionnement doit, en tout temps, demeurer lintrieur de la rgion de saturation.

4.4.2 Analyse algbrique

Reprenons lanalyse du mme amplificateur. On utilise un FET NMOS enrichissement
avec V
t
=2V et K=1mA/V
2
. Le signal dentre v
gs
est une onde triangulaire de 1V crte--
crte.

R
D
= 1.33 k
v
DS
v
gs
+
-
+
-
V
GS
+ = 20 V V
DD
0.1 F
+
-
5 V

Figure 4.4.2.1 : Analyse algbrique dun amplificateur FET

Page 142

Avec v
gs
=0V, on peut calculer les coordonnes au point de polarisation Q :

( ) ( )
2 2
1 5 2 9
D GS t
I K V V mA = = =

20 1, 33x9 8
DS D DD D D
V V V R I V = = = =

Avec le signal v
gs
superpos V
GS
, tel que v
GS
=V
GS
+v
gs
, le courant instantan
correspondant est :

( ) ( ) ( ) ( )
2
2 2
2
2
D GS t GS gs t GS t GS t gs gs
i K v V K V v V K V V K V V v Kv = = + = + +

( )
2
GS t
K V V : Le premier terme est tout simplement I
D
, le courant au point de
repos Q.

( ) 2
GS t gs
K V V v : Le deuxime terme est directement proportionnel au signal
dentre v
gs
.

2
gs
Kv : Le troisime terme est proportionnel au carr du signal dentre. Cest un
terme indsirable puisquil reprsente de la distorsion (non-linarit).

Pour un fonctionnement linaire de lamplificateur, lamplitude du signal dentre doit
tre limit de faon ce que :

( ) 2
gs GS t
v V V

On peut alors ngliger le troisime terme et exprimer i
D
par : i
D
=I
D
+i
d
o la composante
de courant contrle par le signal dentre i
d
est donne par :

( ) 2
d GS t gs
i K V V v =

La constante qui relie i
d
v
gs
est la trasconductance g
m
(exprim en A/V ou Siemens) :

( ) 2
d
m GS t
gs
i
g K V V
v
=

Graphiquement, g
m
est la pente de la tangente la courbe i
D
versus v
GS
, au point Q :
GS GS
D
m
GS
v V
i
g
V
=


Page 143

Figure 4.4.2.2 : Reprsentation graphique de g
m

4.4.3 Calcul de la transconductance

Examinons lexpression de la transconductance dun MOSFET :

( ) 2
d
m GS t
gs
i
g K V V
v
=

Si on remplace K par :

1
2
n OX
W
K C
L
=

Page 144

On obtient :

( )
m n OX GS t
W
g C V V
L
=

Cette expression montre que g
m
est proportionnel au rapport W/L du transistor MOS.
Pour que la transconductance soit la plus grande possible, il faut des transistors courts et
larges. On remarque aussi que, pour un transistor donn, la transconductance est
proportionnelle la tension excdentaire V=V
GS
-V
t
. Toutefois, si on essaie dobtenir un
plus grand g
m
en polarisant le transistor un plus grand V
GS
, on rduit la plage
dynamique du signal dentre (cest--dire lamplitude maximale du signal dentre qui
ne produit pas de distorsion la sortie).

Pour un MOSFET avec
n
C
OX
=20mA/V
2
et polaris I
D
=1mA,les valeurs typiques de g
m

sont :

g
m
=0,2mA/V (0,2mS) pour un rapport W/L = 1;
g
m
=2mA/V (2mS) pour un rapport W/L = 10.

Par comparaison, le g
m
dun transistor bipolaire (BJT) polaris un courant de collecteur
de 1mA est de lordre de 40mA/V.

Reprenons le circuit damplificateur du dbut.

R
D
= 1.33 k
v
DS
v
gs
+
-
+
-
V
GS
+ = 20 V V
DD
0.1 F
+
-
5 V

Figure 4.4.3.1 : amplificateur FET

La tension instantane au drain est : v
D
=v
DS
=V
DD
-R
D
i
D
. Sous la condition que le signal
dentre soit petit, nous avons :

( )
D DD D D d
v V R I i =

Page 145

( )
D D d DD D D D d
v V v V R I R i = + =

La composante du signal pour la tension au drain est donc :

d d D m gs D
v i R g v R = =

Le gain de tension de lamplificateur est donc :

d
m D
gs
v
g R
v
=

Le signe indique que le signal de sortie est dphas de 180
o
(invers) relativement au
signal dentre v
gs
. Dans le cas de ce circuit, on avait calcul un g
m
de 6mS, donc le gain
de tension est -6 x 1,33 = -8, ce qui correspond bien au gain trouv par analyse graphique.

4.5 Polarisation

La premire tape dans la conception dun amplificateur consiste calculer un point de
polarisation stable (Q : point de repos, quiescent point ). La stabilit de la polarisation
veut dire essentiellement que le courant I
D
(la composante dc du courant total de drain)
doit demeurer aussi constant que possible lorsque les conditions de fonctionnement du
circuit changent. Exemple : substitution dun transistor par un autre du mme type (donc,
avec des caractristiques lgrement diffrentes), changement dans la temprature
ambiante, changement dans la tension dalimentation, etc.

Pour que lamplificateur fonctionne sans distorsion, le point de repos doit tre choisi de
faon ce que le FET opre toujours dans la rgion de saturation. Habituellement, on fixe
le point de repos au centre de la rgion de saturation de faon obtenir la plus grande
plage dynamique possible pour le signal dentre.

4.5.1 Rtroaction par rsistance de source

Le circuit illustr est couramment utilis pour polariser un FET lorsquon dispose dune
seule alimentation.


Page 146

R
D
V
DD
R
S
R
G2
R
G1
I
D
I
D
V
GG
I
G
=0
V
GS

Figure 4.5.1.1 : Rtroaction par rsistance de source, simple alimentation

Lorsquon dispose dune double alimentation, nous pouvons utiliser le circuit suivant :

R
D
V
SS
V
DD
R
S
R
G

Figure 4.5.1.2 : Rtroaction par rsistance de source, double alimentation

Les deux circuits utilisent la rtroaction produite par la rsistance de source, R
S
, pour
stabiliser le point de repos. Bien que ces circuits utilisent un transistor NMOS
enrichissement, la mme approche peut tre utilise avec des MOSFET dpltion et
avec des JFET.

Considrons le circuit qui nutilise quune seule alimentation. Le diviseur de tension
form par les rsistance R
G1
et R
G2
fournit la grille une tension dc constante, V
GG
:

2
1 2
G
GG DD
G G
R
V V
R R
=
+


Page 147
Si R
S
tait nul, cette tension apparat directement entre la grille et la source, et le I
D

correspondant dpendrait de la valeur exacte de V
GG
ainsi que des paramtres K et V
t
du
transistor.

La sensibilit aux variation de V
GG
est illustre ici pour deux transistors de mme type,
mais qui ont des K et V
t
diffrents en raison des tolrances dans le procd de fabrication
(les diffrences sont exagres pour mieux illustrer notre propos).

V
GS
(volts)
i
D
0
V
GG
I
D1
I
D2
transistor # 2
transistor # 1
I
Saturation

GG

Par contre, dans le circuit avec une rsistance de source R
S
:

x
GG GS D S
V V I R = =

1
GG
D GS
S S
V
I V
R R
=

Qui est lquation de la droite dans la figure suivante :

V
GS
i
D
0
V
GG
I
D 1
I
D 2
transistor # 2
transistor # 1
1
pente
s
-

R
=
(ou transistor #1 T
o
)


Page 148
GG
avec R
S

Avec R
S
> 0, on note une rduction apprciable de la diffrence entre les courants I
D
pour
les deux mmes transistors.

Reprenons le circuit alimentation simple. Pour dmontrer comment la rsistance R
S

produit une rtroaction qui stabilise le point de repos, supposons que, pour une raison
quelconque (par exemple un changement de temprature), le courant de drain augmente
de i
D
.

R
D
V
DD
R
S
R
G2
R
G1
I
D
I
D
V
GG
2 1 in G G
R // R Z
(effet suiveur en )

Figure 4.5.1.5 : Rtroaction par rsistance de source, simple alimentation avec R
S

Cette augmentation du courant de polarisation produit une augmentation v
S
de la
tension de source : v
S
=R
S
i
D
. Puisque la tension de grille est maintenue constante
V
GG
, une augmentation de la tension de source, v
S
, produit une diminution de la tension
V
GS
: v
GS
=-v
S
=-R
S
i
D
. tant donn quune diminution de V
GS
entrane une diminution
de I
D
(puisque I
D
=K(V
GS
-V
t
)
2
), laugmentation nette de I
D
sera moindre que la valeur i
D

suppose originalement. On est donc en prsence dun mcanisme de rtroaction qui tend
stabiliser I
D
.

4.5.1.1 Exemple : rtroaction par rsistance de source

Considrer le circuit suivant qui possde un transistor NMOS enrichissement dont les
paramtres sont K=0,25mA/V
2
et V
t
=2V. Calculer les valeurs des rsistances qui
permettront de polariser le transistor un courant de repos I
D
=1mA.


Page 149
R
D
V
DD
= 20 V
R
S
R
G2
R
G1
I
D
I
D
+
-
v
I
v
O
V
GS

Figure 4.5.1.1.1 : Exemple rtroaction par rsistance de source

Solution :

1. Dterminer la valeur de V
GS
en utilisant la relation :

( )
2
D GS t
I K V V =

( )
2
1 0, 25 2
GS
V =

On trouve V
GS
=4V (la solution V
GS
=0 est rejete car < V
t
)

2. Dcider quelle devra tre la chute de tension aux bornes de R
S
.

Plusieurs possibilits existent, mais on aurait intrt choisir une valeur qui ne
limitera pas trop les variations de tension au drain, de faon avoir une bonne
plage dynamique. Supposons que lon choisit une chute de 4V. La tension de
grille V
GG
devra donc tre de 8V. Cette tension de grille est obtenue en divisant
V
DD
par les rsistances R
G1
et R
G2
:

2
1 2
8 20
G
G G
R
V V
R R
=
+

Le choix des valeurs de R
G1
et de R
G2
est dict en partie par la rsistance dentre
que lon veut que lamplificateur prsente la source de signal v
i
. Un choix
acceptable serait R
G1
=1,2M et R
G2
=0,8M, de sorte que R
in
0,5M.

Page 150

3. Calculer R
S
:
4
4
1
S
S
D
V V
R k
I mA
= = =

4. Calculer R
D
:

Ici, le choix des valeurs est rgi par le gain de tension que lon dsire obtenir et
les variations crte--crte attendues du signal dentre v
i
. En effet, il faut choisir
R
D
pour que la tension de drain au point de repos soit telle que les variations
crte--crte du signal de sortie permettent au transistor de demeurer dans la
rgion de saturation. La condition pour que le FET reste dans la rgion de
saturation est : v
DS
v
GS
-V
t
. Dans le cas prsent, V
GS
=4V et V
t
=2V. Donc
V
DSmin
=4-2=2V.

La tension source, V
S
, au point de repos tant 4V, la tension minimum admissible
au drain sera : V
Dmin
=V
S
+V
DSmin
=4+2=6V. Si on choisit 10V comme valeur de
repos pour V
D
, le signal v
o
pourra avoir une plage dynamique de 4V autour du
point de repos (cest--dire quil pourra varier de +6V +14V).

Donc,

20 10
10
1
DD D
D
D
V V
R k
I

= = =

On verra plus loin que le gain de tension est - R
D
/R
S
, soit -2,5V/V dans le cas
prsent.

4.5.2 Rtroaction par rsistance de drain

Voici un autre circuit de polarisation avec stabilisation. Une rsistance R
G
,
habituellement trs grande, est relie entre le drain et la grille dun MOSFET
enrichissement. Puisque le courant de grille est pratiquement nul, il nay aura pas de
chute de tension aux bornes de R
G
, et la grille se trouve donc au mme potentiel que le
drain. Pour un MOSFET enrichissement, cette condition assure que le transistor
fonctionne dans la rgion de saturation (Cest--dire que la condition v
DS
v
GS
-V
t
est
automatiquement satisfaite pour V
t
positif puisque v
DS
=v
GS
dans le circuit). Noter quon
ne peut pas utiliser tel quel ce circuit de polarisation avec des MOSFET
appauvrissement ou de JFET.


Page 151
R
D
+ V
DD
R
G
I
D
v
O
V
GS
I
G
=0

Figure 4.5.2.1 : Rtroaction par rsistance de drain

Pour dterminer le pont de repos de ce circuit, examinons la courbe caractristique i
D

versus v
DS
du MOSFET. La frontire entre la rgion de triode et la rgion de saturation
est dlimite par la courbe parabolique trace en pointill. Cette courbe reprsente le lieu
des points rpondant lquation :

DS GS t
v v V =

Figure 4.5.2.2 : Point de repos pour la rtroaction par rsistance de drain


Page 152
Si on dcale latralement cette courbe de V
t
volts, on obtiendra le lieu des points pour
lesquels v
DS
=v
GS
. Le point de repos (Q) doit ncessairement se trouver sur cette courbe
(reprsente par la parabole en trait plein). Dautre part, le point de ropos doit galement
se trouver sur la droite de charge :

DS DD D D
v V R i =

Qui scrit aussi :

1
DD
D DS
D D
V
i v
R R
=

Le point de repos Q se trouve donc lintersection des deux courbes. On peut trouver les
coordonnes (V
Q
,I
Q
) du point Q par analyse graphique comme on vient de le faire, ou
bien trouver la solution de faon analytique en procdant comme suit :

Lquation de la courbe dcrivant le lieu des points o v
DS
=v
GS
est : i
D
=K(v
DS
-
V
t
)
2
o on a nglig le terme tenant compte du phnomne de modulation du
canal.

Si on remplace i
D
donn ci-dessus dans lquation de la droite de charge, la valeur
particulire de v
DS
qui satisfait les deux quations est la tension v
DS
au point Q :

( )
2
1
DD
Q t Q
D D
V
K V V V
R R
=

2 2
1
2 0
DD
Q Q t t
D D
V
KV V KV KV
R R

+ + + =

La solution de cette quation quadratique donnera deux valeurs de V
Q
, mais une
seule sera valide (cest--dire qui correspondra un point de repos situ dans la
rgion de saturation).

Une fois V
Q
obtenu, on peut calculer I
Q
laide de lquation de la droite de
charge.

Pour comprendre comment la rsistance de drain agit pour stabiliser le point de repos,
supposons que, pour une raison quelconque (exemple : changement de temprature), le
courant de drain augmente de i
D
. Daprs le circuit, il est vident que la tension au drain
diminuera de R
D
i
D
. Or, puisque le courant de grille est nul, il ny aura pas de chute de
tension travers R
G
et la tension la grille diminuera galement de R
D
i
D
. Cependant,
tant donne que i
d
=K(v
GS
-V
t
)
2
, une diminution de la tension de grille produira une

Page 153
diminution de i
D
. Donc, laugmentation nette du courant de drain sera moins grande que
le i
D
suppos originalement.
R
D
+ V
DD
R
G
I I
D D
+
V R I
DS D D
-
V R I
GS D D
-
I
G
=0

Figure 4.5.2.3 : Stabilisation du point de repos par la rsistance de drain

Une augmentation du courant de drain i
D
produit une diminution R
D
fois plus grande de
la tension de grille. Ceci vient contrecarrer le changement de courant de drain.

4.5.2.1 Exemple : rtroaction par rsistance de drain

Le transistor NMOS enrichissement a les caractristiques suivantes : V
t
=2V et
K=0,25mA/V
2
.


Page 154
R
D
V
DD
= +20 V
R
G
I
D
v
DS
V
GS
I
G
=0

Figure 4.5.2.1.1 : Exemple de la rtroaction par rsistance de drain

a) Trouver R
D
qui tablit un courant I
D
=1mA au point de repos.
b) De combien varie I
D
si on utilise un transistor de mme type mais avec V
t
=3V ?

Solution :

a) Le choix de R
G
nest pas critique, puisque le courant de grille est nul. Toutefois,
pour le circuit prsente une rsistance dentre assez grande, on choisit R
G
grand;
disons 1M.

Le courant de grille tant nul, le drain et la grille sont au mme potentiel.
Lquation dcrivant le lieu des points o v
DS
=v
GS
est :

( )
2
D DS t
i K v V =

Pour I
D
=1mA, on trouve donc V
DS
=V
GS
au point de repos gale :

1
2 4
0, 25
D
DS GS t
I
V V V V
K
= = + = + =

La droite de charge v
DS
=V
DD
-R
D
i
D
nous permet de trouver :

20 4
16
1
DD DS
D
D
V v
R k
I

= = =

Page 155

b) On a vu prcdemment que les coordonnes du point de repos (I
Q
et V
Q
) se
trouvaient lintersection de la droite de charge et de la courbe o v
GS
=v
DS
. Ceci
pouvait sexprimer sous la forme dune quation quadratique (ax
2
+bx+c=0) :

2 2
1
2 0
DD
Q Q t t
D D
V
KV V KV KV
R R

+ + + =

En substituant les valeurs connues :

( ) ( )
2
2
1 20
0, 25 2 0, 25 3 0, 25 3 0
16 16
Q Q
V V

+ + + =

2
0, 25 1, 4375 1 0
Q Q
V V + =

On trouve deux valeurs :

2
1 2
4
,
2
b b ac
x x
a

=

V
Q1
=4,94V et V
Q2
=0,81V.

La deuxime solution, V
Q2
=0,81V, est rejeter puisquelle est plus petite que V
t
.
On trouve ensuite le courant I
Q
en utilisant lquation de la droite de charge.

Ainsi :

1 20 4, 94
0, 94
16 16
DD
Q Q
D D
V
I V mA
R R
= = =

Le changement de courant, relativement au I
D
au point de repos, est donc de -6%.

4.6 Modle petit signal

4.6.1 Modle petit signal de base

Dans le circuit damplificateur illustr, une onde triangulaire de faible amplitude, v
gs
, est
superpose la tension V
GS
dune pile qui sert polariser le FET au point de repos.


Page 156
R
D
+ V
DD
i I i
D D d
= +
v
DS
V
GS
+
-
v
gs

Figure 4.6.1.1 : Circuit damplification FET

Nous avons vu que si le choix du point de repos et de lamplitude du signal v
gs
taient tels
que le transistor restait toujours dans la rgion de saturation, on pouvait exprimer le
courant instantan total par :

( ) ( )
2
2
2
D GS t GS t gs gs
i K V V K V V v Kv = + +

Ainsi, le courant instantan total au drain comprend un terme qui est en fait le courant I
D

au point de repos, suivi dun terme g
m
v
gs
qui reprsente la contribution du signal dentre
et, enfin, un terme Kv
gs
2
de distorsion. Pour que lon puisse utiliser un modle petit
signal pour reprsenter un FET, il est essentiel de limiter lamplitude du signal de faon
ce que le terme de distorsion soit ngligeable comparativement au terme reprsentant la
contribution linaire du signal, cest--dire :

v
gs
<<2(V
GS
-V
t
)

Lanalyse des circuits FET est considrablement simplifie en respectant cette
condition sur v
gs
. En effet, on peut alors dissocier entirement lanalyse des conditions
menant une polarisation stable du FET de lanalyse du comportement du FET face un
signal qui varie dans le temps.

Si on reprend lquation du courant instantan total, sans le terme de distorsion :

( ) ( )
2
2
D GS t GS t gs
i K V V K V V v = +

On peut crire :


Page 157
( )
2
D GS t
I K V V =
( ) 2
d GS t gs
i K V V v =

Du point de vue du signal, le FET se comporte donc comme une source de courant
contrle par une tension. Le signal v
gs
appliqu entre la grille et la source produit un
courant g
m
v
gs
au drain. La rsistance dentre de cette source de courant contrle est trs
grande, puisque la grille est soit isole par une couche doxyde, dans le cas dun
MOSFET, ou soit fait partie dune fonction polarise linverse, dans le cas dun JFET.
Limpdance de sortie est galement grande si on nglige le phnomne de modulation
de longueur de canal. Ces observation conduisent au modle ci-dessous pour reprsenter
le fonctionnement petit signal dun FET.

G D
g v
m gs
v
gs
+
-
S

Figure 4.6.1.2 : Fonctionnement petit signal dun FET

O
( ) 2
d
m GS t
gs
i
g K V V
v
=

Pour un MOSFET :

2
d
m n OX D
gs
i W
g C I
v L
=

Pour un JFET, puisque les valeurs normalement spcifies par le fabricant sont V
p
et I
DSS
, on a :

2
d DSS D
m
gs DSS p
i I I
g
v I V
=

Dans certaines applications, il est important de tenir compte de la rsistance de sortie
finie du FET. Rappelons que cette rsistance de sortie traduit la prsence du phnomne
de modulation de canal que nous avons dj tudi. Dans ces applications, on doit
utiliser un modle petit signal qui comprend une rsistance r
o
entre la source et le drain :

Page 158

A
o
D
V
r
I
=

G
D
g v
m gs
v
gs
+
-
i
d
i
g
= 0
S
i
s
r
o

Figure 4.6.1.3 : Modle petit signal dun FET avec r
o

4.6.2 Exemple : Modle petit signal de base

Lamplificateur ci-dessous utilise la polarisation par rtroaction de la rsistance de drain.
Le signal dentre, v
i
, est coupl la grille par un condensateur suffisamment grand pour
quil reprsente un court-circuit aux frquences du signal. Un condensateur semblable au
drain sert coupler la composante signal v
ds
une charge de 10k. Les caractristiques
du NMOS enrichissement sont : V
t
=1,5V, K=0,125mA/V
2
et V
A
=50V. Trouver le gain
de tension de cet amplificateur ainsi que la rsistance dentre.

R
D
=10 k
V
DD
= +15 V
R
G
=10 M
v
O
v
i
+
-

R
L
=10 k
R
in
MOSFET
enrichissement
R
D
=10 k
V
DD
= +15 V
R
G
=10 M
v
O
v
i
+
-

R
L
=10 k
R
in
MOSFET
enrichissement

Figure 4.6.2.1 : Amplificateur avec rtroaction de la rsistance de drain

Solution :


Page 159
Voici le circuit quivalent :

G
D
g v
m gs
v
gs
+
-
i
d
i
i
r
o
+
-
v
i R
D
R
L
v
o
+
-
R
in
S
R
g

Figure 4.6.2.2 : Circuit quivalent dun amplificateur avec rtroaction de la rsistance de drain

On value en premier lieu le courant I
D
et la tension de drain V
D
au point de
repos. Pour simplifier les calculs, ngligeons leffet de la modulation de la
longueur du canal. Donc, I
D
=K(V
GS
-V
t
)
2
et, puisque le courant de grille I
G
=0, il
ny aura pas de chute de tension travers R
G
. On a alors V
GS
=V
DS
=V
D
. La
solution simultane de lquation I
D
=K(V
GS
-V
t
)
2
et de lquation de la droite de
charge : V
D
=V
DD
-R
D
I
D
donne I
D
=1,06mA et V
D
=4,4V au point de repos.

On calcule ensuite la transconductance pour V
GS
au point de repos (i.e. V
GS
=V
D
) :

( )
2 2
2 ( ) 2 0,125 (4, 4 1, 5) 0, 725 /
m GS t
g K V V mA V = = =

On calcule enfin la rsistance r
o
du modle :

50
47
1, 06
A
o
D
V
r k
I
= = =

Examinons le circuit quivalent de lamplificateur. Puisque R
G
est trs grand
(10M), le courant i
i
est ngligeable comparativement au courant de la source
contrle g
m
v
gs
. On peut donc crire que la tension de sortie : v
o
-
g
m
v
gs
(R
D
//R
L
//r
o
).

Puisque v
gs
=v
i
, le gain de tension de lamplificateur est :

( )
1
// // 0, 725 3, 3
1 1 1
10 10 47
o
v m D L o
i
v
A g R R r V V
v

= = =

+ +

Pour valuer la rsistance dentre, il faut noter que le courant i
i
est donn par :


Page 160
( )
0 0
1 1
i i i
i v
G G i G
v v v v v
i A
R R v R

= = =

Donc :

( ) ( ) ( )
10 10
2, 33
1 4, 3 1 3, 3
i G
in
i v
v R
R M
i A
= = = =

4.6.3 Modle petit signal en T

Par une srie de transformations simples du modle de base, on peut arriver un modle
quivalent en T qui savre utile dans lanalyse de certains circuits FET. Noter que
lon effectuera ces transformations sans considrer la rsistance r
o
afin de simplifier les
dessins.


Page 161

Figure 4.6.3.1 : Transformation du modle en T quivalent

La premire transformation (ab) consiste ajouter une seconde source contrle g
m
v
gs

en srie avec la premire. Lajout de cette source de courant ne change videmment rien
aux courants des 3 bornes et le circuit transform est donc quivalent loriginal.

On peut maintenant runir la grille au nud qui est commun aux deux sources g
m
v
gs
(bc). Il ny a toujours rein de chang, puisque la somme des courants au nud X est
encore 0.

La dernire transformation (cd) fait appel au thorme dabsorption des sources.
Essentiellement, ce thorme dit que lon peut remplacer une source de courant par une
rsistance, la condition que cette rsistance tire le mme courant que la source quelle
remplace. Ici, la source qui se trouvait originalement entre le nud X et la borne S a t
remplace par une rsistance gale 1/g
m
. Noter que le courant passant dans cette
rsistance est v
gs
g
m
, donc le mme que celui de la source de courant quelle remplace.

Si on veut modifier leffet de la modulation du canal, il suffit dinclure la rsistance r
o

entre le drain et la source.

Figure 4.6.3.2 : Modle en T avec modulation du canal


Page 162
4.7 Configuration damplificateur

Nous allons maintenant tudier les trois configurations de base dun amplificateur FET.
Comme nous le verrons, chaque configuration offre des caractristiques particulires qui
les rendent utiles dans des applications diffrentes. Il est plus facile de dmontrer ces
particularits si on considre un amplificateur avec un couplage capacitif des signaux
dentre et de sortie, car on peut sparer le calcul du point de repos des calculs du gain et
des impdances dentre et de sortie.

La polarisation du FET est ralis ici en utilisant une source de courant constant I entre la
source et lalimentation ngative. On aurait pu utiliser dautres circuits de polarisation,
mais le calcul du point de repos aurait t un peu plus complexe.

R
D
+ V
DD
R
G
z
y
I
- V
SS
x

Figure 4.7.1 : Amplificateur universel FET

Configuration source-commune

v
in
en X, v
out
en Z et la borne Y (source) relie la masse.

Configuration grille-commune

v
in
en Y, v
out
en Z et la borne X (grille) relie la masse.

Configuration drain-commun

Page 163

v
in
en X, v
out
en Y et la borne Z (drain) relie la masse ou V
DD
.

4.7.1 Source-commune

La configuration source-commune est obtenu en reliant la borne Y la masse. Les
condensateurs sont choisis suffisamment grands pour quils reprsentent des courts-
circuits aux frquences du signal.

R
D
+ V
DD
R
G
z
y
I
- V
SS
x
R
out
+
-
R
in
R
L
+
-
v
o

Figure 4.7.1.1 : Configuration source-commune

G
D
g v
m gs
v
gs
+
-
S
r
o
x
+
-
R
in
R
G
R
D
R
L
v
o
+
-
z
R
out
v
i

Figure 4.7.1.2 : Circuit quivalent de la configuration source-commune

La rsistance dentre, R
in
, peut tre trouve par simple examen du circuit quivalent :


Page 164
R
in
=R
G

La rsistance de sortie est R
D
en parallle r
o
:

R
out
=r
o
//R
D

Le gain de tension peut tre obtenu de deux faons. En tenant compte de la rsistance de
charge directement :

( ) // //
o
v m L D o
i
v
A g R R r
v
=

Ou bien en calculant le gain pour une rsistance de charge infinie :

( ) //
L
o
vo m D o
i
R
v
A g R r
v
=
=

Puis, en trouvant le gain de tension pour un R
L
donn, appliquant la rgle du diviseur de
tension :

L
v vo
L out
R
A A
R R
=
+

Cette configuration permet donc une rsistance dentres relativement leve (limit par
R
G
), un gain de tension avec inversion de phase qui peut galement tre assez lev.
Toutefois, la rsistance de sortie est assez grande.

Le principal inconvnient de cette configuration est une largeur de bande limite. Ceci est
d la prsence dune capacit parasite (prsente dans tous les transistors MOSFET ou
BJT) et de linversion de phase inhrente la configuration source-commune. Ainsi, si le
signal dentre augmente de v
i
, la tension au drain diminue de
v i
A v


Page 165
R
D
+ V
DD
R
G
z
y
I
- V
SS
x
R
out
+
-
R
in
R
L
+
-
v
o
C
capacit
parasite

Figure 4.7.1.3 : Capacit parasite dans la configuration source-commune

La tension aux bornes de C change donc de
( )
1
v i
A v +

On peut voir ceci comme si la capacit C tait (1+|A
v
|) plus grande quelle ne lest en
ralit (on appelle ceci leffet Miller). Cette capacit quivalente forme avec R
G
et R
D
un
filtre passe-bas qui limite la rponse en haute frquence de lamplificateur source-
commune.

4.7.2 Grille-commune

La configuration grille-commune est obtenue en reliant la borne X la masse. Le signal
dentre est appliqu la borne Y et le signal de sortie est prlev la borne Z.

R
D
+ V
DD
R
G
z
y
I
- V
SS
x
R
out
R
in
R
L
+
-
v
o
R
D
+ V
DD
R
G
z
y
I
- V
SS
x
R
out
R
in
R
L
+
-
v
o
R
D
+ V
DD
R
G
z
y
I
- V
SS
x
R
out
R
in
R
L
+
-
v
o


Page 166
Figure 4.7.2.1 : Configuration grille-commune

G
D
g v
m gs
v
gs
+
-
S
r
o
x
+
-
R
in
R
G
R
D
R
L
v
o
+
-
z
R
out
v
i
i
s
i
d

Figure 4.7.2.2 : Circuit quivalent de la configuration grille-commune

En examinant le circuit quivalent, on note que la rsistance R
G
est en fait court-circuite.
Dans un montage pratique de cet amplificateur, on pourrait donc liminer R
G
et relier la
grille directement la masse, sans le condensateur de couplage. On note aussi que v
gs
=-
v
i
. La rsistance dentre, R
in
, obtenue en divisant la tension dentre par le courant
dentre :

1
gs
i i
in
S m gs m gs m
v
v v
R
i g v g v g
= = =

O on a nglig r
o
. De mme, si on nglige r
o
, on a :

( ) ( ) // //
o D L D m L D i
v i R R g R R v = =

( ) //
o
v m L D
i
v
A g R R
v
=

La rsistance de sortie peut tre obtenue par simple inspection du circuit quivalent :
R
out
=R
D
//r
o
.

Leffet de la rsistance r
o
sur la rsistance dentre est ngligeable. Une analyse plus
pousse permet de tenir compte de r
o
dans le calcul du gain de tension. On trouve :

( ) // //
v m L D o
A g R R r

Le gain est donc semblable au gain de la configuration source-commune, mais sans
inversion de phase. Une diffrence majeure entre la configuration grille-commune et celle
de source-commune rside dans la rsistance dentre : elle est beaucoup plus faible pour
la configuration grille-commune.


Page 167
En raison du R
in
faible, la configuration grille-commune est presque toujours utilise dans
les applications o le signal provient dune source de courant, plutt que dune source de
tension. Lamplificateur grille-commune agit comme un suiveur de courant : le courant
de sortie (au drain) est presque identique qu courant dentre ( la source), mais
lamplificateur produit une adaptation dimpdance : faible lentre, grande la sortie.

Leffet Miller, discut dans le cas de lamplificateur source-commune, ne se produit pas
dans lamplificateur grille-commune. Cette configuration est donc souvent utilise pour
raliser des amplificateurs fonctionnant haute frquence.
4.7.3 Drain-commune

La configuration drain-commun (ou suiveur) est obtenu en reliant le point Z la masse.
En pratique, on limine R
D
et le condensateur de couplage, et on relie le drain
directement V
DD
. Le drain se trouve donc la masse, du point de vue signal, alors que
la source est commune la fois au signal dentre et au signal de sortie.

R
D
+ V
DD
R
G
z
y
I
- V
SS
x
R
out
+
-
R
in R
L
+
-
v
o
R
D
+ V
DD
R
G
z
y
I
- V
SS
x
R
out
+
-
R
in R
L
+
-
v
o

Figure 4.7.3.1 : Configuration drain-commun


Page 168
G
D
g v
m gs
v
gs
+
-
S
r
o
x
+
-
R
G
R
L
v
o
+
-
v
i
y
z

Figure 4.7.3.2 : Circuit quivalent de la configuration drain-commun

La rsistance dentre de lamplificateur peut tre dtermine par inspection du circuit
quivalent : R
in
=R
G
. La rsistance R
G
est gnralement choisie assez grande (~M), car
le courant de grille est prqtiquement nul. R
in
est donc grand et on peut laugmenter en
liminant R
G
et en reliant la source de signal v
i
directement la grille sans le
condensateur. Toutefois, on doit utiliser une rsistance R
G
si on utilise un condensateur.

La rsistance de sortie peut tre obtenue en court-circuitant v
i
et en appliquant une
tension test v
y
la sortie.

G
D
g v
m gs
v
gs
+
-
S
r
o
x
+
-
R
G
v
y
y
z
i
y

Figure 4.7.3.3 : Rsistance de sortie de la configuration drain-commun

On note que v
gs
=-v
y
et que le courant i
y
:

y m gs y o m y y o
i g v v r g v v r = + = +


Page 169
Donc, la rsistance de sortie :

1 1
//
1
y
out o
y m
m
o
v
R r
i g
g
r
= =
+

Habituellement, r
o
>> 1/g
m
, donc : R
out
1/g
m

Le gain de tension en circuit ouvert (i.e.
L
R ) est obtenu de la faon suivante :

G
D
g v
m gs
v
gs
+
-
S
r
o
x
+
-
R
G
v
o
+
-
v
i
y
z

Figure 4.7.3.4 : Gain de tension en circuit ouvert de la configuration drain-commun

o s m o
v v g r = =

i gs o
v v v = +

En remplaant v
gs
=v
i
-v
o
, on obtient :

( )
o m o i o
v g r v v =
Donc,

1
1
1
L
o
vo
i
R
m o
v
A
v
g r
=
=

+

On voit aue A
vo
est < 1, mais trs prs de 1, car g
m
r
o
est trs grand. Pour une rsistance de
charge R
L
, le gain de tension est :


Page 170
L
v vo
L out
R
A A
R R
=
+

Cette configuration damplificateur est frquemment utilise comme tage de sortie dans
les amplificateurs multi-tage (ex : les amplificatieurs oprationnels) pour avoir une
impdance de sortie trs faible. On lutilise galement comme suiveur pour les sources de
signal ayant une rsistance interne trs grande et qui doivent tre adaptes des circuits
avec une impdance dentre faible.

4.7.4 Rsum des 3 configurations

Le tableau suivant rsume les caractristiques des trois configurations damplificateur :

Tableau 4.7.4.1 : Rsum des 3 configuration damplificateur FET
Source-commune Grille-commune Drain-commun
R
in
R
G
1/g
m
R
G

R
out
(R
D
//r
o
) (R
D
//r
o
) 1/g
m
// r
o

A
v
-g
m
(R
L
//R
D
//r
o
) g
m
(R
L
//R
D
//r
o
) R
L
/(R
L
+R
out
)
A
v0
-g
m
(R
D
//r
o
) g
m
(R
D
//r
o
) 1 (si R
L
trs grand)

4.7.5 Exemple

Considrons le circuit ci-contre avec un transistor NMOS enrichissement ayant les
caractristiques suivantes :
n
C
OX
=20A/V
2
, W/L=100, V
t
=1V, V
A
=50V et I=1mA.

+ 2 V
- 2 V
R
D
V
DD
= 5 V
R
G
z
y
I
V
SS
= -5 V
x
= 3 K
+ 2 V
- 2 V
R
D
V
DD
= 5 V
R
G
z
y
I
V
SS
= -5 V
x
= 3 K

Figure 4.7.5.1 : Circuit damplificateur FET universel pour lexemple

Page 171

a) Trouver les tensions dc la grille, source et drain
b) Calculer la transconductance
c) Calculer R
in
, R
out
, et A
v
pour un amplificateur source-commune avec une
rsistance de charge R
L
=3k.
d) Calculer R
in
, R
out
, et A
v
pour un amplificateur grille-commune avec une rsistance
de charge R
L
=3k.
e) Calculer R
in
, R
out
, et A
v
pour un amplificateur drain-commun avec une rsistance
de charge R
L
=3k.

Solution :

a) La grille est 0V, tant donn que le courant de grille est nul et que la rsistance
R
G
relie la grille la masse.

Calculons K :

( ) ( )
2
1 1
20 100 1 /
2 2
n OX
W
K C mA V
L
= = =

Si on ne tient pas compte du phnomne de modulation de longueur du canal, on
peut calculer V
GS
laide de lquation suivante :

( )
2
D GS t
I K V V =

Do :
2
D
GS t GS
I
V V V V
K
= + =

Donc la source se trouve -2V.

La tension au drain :

( ) 5 1 3 2
D DD D D
V V I R V = = =

b) La transconductance est :

( ) ( )( )
2
20
100 2 1 2 /
m n OX GS
W A
g C V Vt mA V
L V

= = =

c) Pour lamplificateur source-commune :


Page 172
La rsistance R
in
:

1
in G
R R M = =
La rsistance r
o
:
50
50
1
A
o
D
V V
r k
I mA
= = =

La rsistance de sortie R
out
:

( )
( )( ) 3 50
// 2, 83
53
D o
out D o
D o
R r
R R r k
R r
= = = =
+

Le gain de tension A
v
:

( )
( )( )
( ) ( )
50 1, 5
// // 2 2, 91
50 1, 5
v m
mA V
A g RL RD ro
V V

= = =

+

d) Pour lamplificateur grille-commune :

La rsistance R
in
:

1
0, 5
in
m
R k
g
= =

La rsistance r
o
:
50
50
1
A
o
D
V V
r k
I mA
= = =

out
:

( )( ) 3 50
2, 83
53
D o
out
D o
R r
R k
R r
= = =
+

v
:

( )
( )( )
( ) ( )
50 1, 5
// // 2 2, 91
50 1, 5
v m
mA V
A g RL RD ro
V V

= = =

+

e) Pour lamplificateur drain-commun :

Page 173

La rsistance R
in
:

1
in G
R R M = =

La rsistance r
o
:
50
50
1
A
o
D
V V
r k
I mA
= = =

out
:

( )( )
1
0, 5 50
1
// 495
1
50, 5
o
m
out o
m
o
m
r
g
R r
g
r
g

= = = =

+

v
:

3
0,858
3 0, 495
L
v
L out
R V
A
R R V
= = =
+ +

Tableau 4.7.5.1 : Rsultat de lexercice pour les 3 configurations
Source-commune Grille-commune Drain-commun
R
in
1 M 0,5 k 1 M
R
out
2,83 k 2,83 k 495
A
v
-2,91 V/V 2,91 V/V 0,85 V/V

4.8 Utilisation des MOSFET comme portes linaires

Une porte linaire (en anglais, analog gate ou analog switch ) est un composant
lectronique (gnralement un circuit intgr) qui permet de connecter et de dconnecter
deux noeuds dun circuit analogique sous le contrle dun signal logique. On trouve des
portes linaires dans les convertisseurs A/N et N/A, les chantillonneurs/bloqueurs, les
intgrateurs, etc. Les portes linaires sont gnralement ralises en technologie CMOS
(MOSFET de type complmentaire).


Page 174

R
L
+
-
signal de
contrle
v
a
C
L
v
o
+
-

Figure 4.8.1 : MOSFET comme porte linaire

Caractristiques recherches
rsistance de connexion : r
ON
0
rsistance disolation : r
OFF

temps de commutation (passage du mode connect au mode isol et vice-versa)
trs court.
faible couplage entre le signal de contrle et les bornes de la porte (c.--d. faibles
capacits parasites).

Considrons un circuit comportant un NMOS enrichissement et 2 sources de tension,
v
GS
et v
DS
.

I
G
= 0
i
D
v
DS
V
GS
+
-
+
-
R


Page 175
V
DS
(volts)
i
D
(mA)
0
V v
GS t

V v
GS t
= + 8V
V v
GS t
= + 2V
V v
GS t
= + 4V
V v
GS t
= + 6V
V v v
DS GS t
= -
rgion de
triode
rgion de saturation
rgion de coupure

Figure 4.8.2 : Circuit NMOS et courbes carctristiques

Contrairement lutilisation habituelle dun tel transistor dans des circuits
damplificateurs, o on polariserait le transistor pour quil reste dans la rgion de
saturation, son utilisation comme porte linaire implique le choix de deux valeurs de v
GS

qui font passer le transistor de la rgion de triode la rgion de coupure (v
gs
< V
T
).

Dans la rgion de coupure :

On a ( )
GS t
v V et on remarque que i
D
est trs faible quel que soit v
DS
. En fait, le
canal est inexistant (puisquil sagit dun MOSFET enrichissement) et on peut
considrer quil ny a pas de connexion entre la source et le drain. En pratique, la
rsistance du canal, r
DS
(OFF), est de lordre de 10
9
. En fait, ce sont les
courants de fuite du transistor qui limitent la rsistance disolation.

Dans la rgion de triode :

On a ( )
DS GS t
v v V et ( ) ( )
1
ON
DS n GS t
W
r K V V
L
1 | |
=
| 1
\ ]
.

Pour un transistor avec V
t
= 1 V et
2
0.5 mA V
n
W
K
L

=

, on obtient un r
DS

(ON) de lordre de 500 pour V
GS
= 5 V.


Page 176
En contrlant v
GS
pour que le transistor fonctionne dans la rgion de coupure ou dans la
rgion de triode, on peut varier la rsistance du canal de r
DS
(OFF) 109 r
DS
(ON) 500
. On a donc, peu de choses prs, lquivalent dun interrupteur.

4.8.1 Porte linaire NMOS enrichissement

Considrons le circuit de porte linaire ci-contre, ralis avec un MOSFET (NMOS)
enrichissement ayant une tension de seuil V
t
= 2 V.

G
B
-5 V
+
-
V = 2 V
t
R
L
C
L
v
A
-4 V
+4 V
+
-
v
C
-3 V
ou
+7 V
v
o
b a

Substrat de type p
n+ n+
L
Oxyde
(SiO )
2
Grille ( ) G
Source ( ) S Drain ( ) D
Rgion du
canal
Substrat ( ) B

Figure 4.8.1.1 : Porte linaire NMOS enrichissement

La porte linaire doit servir connecter / dconnecter un signal de 4 V crte une charge
reprsente par la rsistance R
L
et le condensateur C
L
. On note que le substrat ( body )
du transistor nest pas connect la source, comme cest gnralement le cas, mais plutt
une tension de -5 V. tant donn que la source de signal analogique, v
A
, varie entre - 4
V et + 4 V, le branchement du substrat - 5 V assure que les jonctions pn (substrat-
source et substrat-drain) sont en polarisation inverse. Il ny a donc pas de conduction
entre la source et le drain tant quun canal ne sera pas induit par une tension v
GS
> V
t
. Le
substrat doit tre une tension que la tension la plus ngative du signal analogique.

Cas o Vc = -3 V


Page 177
G
B
-5 V
+
-
V
t
= 2 V
R
L
C
L
v
A
-4 V
+4 V
+
-
v
C
-3 V
v
o
b a

Figure 4.8.1.2 : Porte linaire NMOS enrichissement avec V
c
=-3V

On note que le drain et la source ne sont pas identifis sur le circuit. Cest que le
MOSFET a une structure symtrique et que lon peut interchanger la source et le
drain sans affecter le fonctionnement du transistor. Pour faciliter lanalyse, on peut
convenir de considrer comme le drain la borne a ou b qui est la plus positive un
instant donn.

+4 V
+
-
R
L
C
L
v
c
= -3V v
o
a
b

-4 V
+
-
R
L
C
L
v
c
= -3V
v
o
b
a

c
=-3V

Pour v
c
= - 3 V, on reprsentera donc le circuit comme en (a) lorsque v
A
= + 4 V et
comme en (b) lorsque v
A
= - 4 V. Dans les deux cas, v
GS
V
t
et le transistor est dans
la rgion de coupure et ne conduit pas.

Pour lanalyse du circuit a ), supposer dabord que le transistor est dans la rgion de
coupure, puis vrifier lhypothse. Ainsi, si le transistor est dans la rgion de coupure,
le courant de source = 0 et vo = 0. Donc, v
GS
= -3 V est < V
t
et lhypothse est
vrifie.

Page 178

Pour le circuit b ), v
GS
= -3 - (-4 ) = 1 V et v
GS
= 1 V < V
t
= 2 V.

Cas o vc = + 7 V

De nouveau, on dsigne comme drain la borne a ou b qui est la plus positive un
instant donn. Lorsque le signal analogique, v
A
, est positif, on aura donc la situation
illustre la figure (a) et lorsque v
A
est ngatif, la situation illustre en (b).

+4 V
+
-
R
L
C
L
v
c
= +7V
v
o
a
b
(a)

-4 V
+
-
R
L
C
L
v
c
= +7V
v
o
b
a
(b)

c
=+7V

Supposons que le transistor fonctionne dans la rgion de triode et vrifions ensuite
lhypothse. la fig. (a), si le transistor est dans la rgion de triode, la rsistance r
DS

est faible et le potentiel la borne b (source) est prs de + 4 V.

On a alors v
GS
= +7 - (+4) = 3 V et v
DS
0 V.

La condition v
DS
v
GS
Vt vrifie le fonctionnement dans la rgion de triode.
0 3 - 2

Il en va de mme pour le circuit illustr en (b).

On a : v
GS
= +7 - (-4) = 11 V et v
DS
0 V qui vrifient que le transistor fonctionne
bien dans la rgion de triode :

v
DS
v
GS
- V
t

0 11 - 2

En conclusion :

Le circuit lmentaire tudi fonctionne comme une porte linaire avec les tensions :

v
c
= -3 et +7 V et v
A
compris entre -4 et +4 V.

Page 179

Toutefois, ce circuit comporte deux inconvnients :
1) Pour commuter un signal analogique dont lamplitude varie de -4 +4 V,
il faut un signal binaire dont les niveaux sont -3 V et +7 V. Ce ne sont pas
les niveaux utiliss dans les circuits logiques conventionnels qui
fonctionnent avec des alimentations de 0 et 5 V (selon la famille logique).

2) Quand la porte conduit (v
c
= +7 V), la rsistance r
DS
(ON) varie de faon
significative selon que v
A
est sa limite positive ou sa limite ngative. Si
RL nest pas trs grand, la variation de r
DS
(ON) produira une attnuation
diffrente selon que v
A
est positif ou ngatif.

La variation de r
DS
(ON) avec v
A
:

( )
1
ON
DS
n GS t
r
W
K v V
L
=

avec
2
mA
0.5 et 2 V
n t
W
K V
L v

= =

Lorsque v
A
= +4 V, v
GS
= 3V et r
DS
(ON) = 2 k.
Lorsque v
A
= -4 V, v
GS
= 11 V et r
DS
(ON) = 222

Ceci reprsente une variation de r
DS
(ON) de ~10 : 1.

4.8.2 Porte linaire avec NMOS et PMOS enrichissement

Le circuit de porte linaire suivant permet dliminer les principaux inconvnients de la
porte lmentaire dcrite prcdemment.


Page 180
-5 V
bas : -5 V
haut : +5 V
(-5 V+5 V)
+5 V
R
L
+
-
-
+
+
-
a b
b a
C
L
canal n
canal p
v
c
v
c
V 2 =
t
V
v
c
-5 V
bas : -5 V
haut : +5 V
bas : -5 V
haut : +5 V
(-5 V+5 V)
+5 V
R
L
+
-
-
+
+
-
a b
b a
C
L
canal n
canal p
v
c
v
c
v
c
V 2 =
t
V
v
c

Figure 4.8.2.1 : Porte linaire avec NMOS et PMOS enrichissement

Ce circuit utilise deux MOSFET enrichissement de types complmentaires : un NMOS
(en bas de la figure) et un PMOS (en haut). Supposons que la plage dynamique du signal
analogique est de -5 V +5 V. Pour sassurer que les jonctions pn (substrat-source et
substrat-drain) du NMOS sont en polarisation inverse, le substrat de ce transistor est reli
lalimentation -5 V. De mme, le substrat PMOS est reli lalimentation +5 V pour
sassurer que les jonctions pn (substrat-source et substrat-drain sont en polarisation
inverse. Les signaux logiques qui commandent la porte linaire sont de +5 V et -5 V. Ils
sont produits par un circuit logique appel inverseur .

v
c
v
c

Figure 4.8.2.2 : Inverseur

Fonctionnement avec v
c
= -5 V

Lorsque le signal de contrle v
c
= -5 V (tat logique bas ), la grille du transistor
NMOS est -5 V et le transistor est dans la rgion de coupure, puisque


Page 181
o 2V
GS t t
v V V =

pour une tension v
A
comprise entre -5 et +5 V. Il ny a donc pas de conduction entre
les noeuds a et b. Simultanment, le signal complmentaire v
c
= +5 V, et la grille du
transistor PMOS est +5 V. Le transistor PMOS est aussi dans la rgion de coupure,
puisque
GS t
v V

pour tout v
A
compris entre -5 V et +5 V. Il ny a donc pas de conduction entre les
noeuds a et b. Noter que pour un PMOS, v
GS
, v
DS
et V
t
sont ngatifs.

Lorsque le signal de contrle, vc, est dans ltat logique bas (c.--d. vc = -5 V),
les deux transistors fonctionnent dans la rgion de coupure et il ny a pas de
conduction entre la source et le drain. La porte linaire est alors dans le mode
isolation (c.--d. que la source de signal est isole de la charge).

Fonctionnement avec v
c
= +5 V

Le fonctionnement de la porte linaire CMOS lorsque le signal de contrle v
c
= +5 V
(tat logique haut ) peut tre analys en considrant sparment le cas o le signal
analogique v
A
est positif (fig. (a)) et le cas o il est ngatif (fig. (b)).

R
L
C
L
v
o
5 V
a
b
-
+
+
-
a
5 V
R
L
C
L
v
o
5 V
a
b
-
+
+
-
+
-
a
5 V
5 V
R
L
C
L
v
o
a
b
a
5 V
v
A
(ngatif)
-
+
+
-
5 V
R
L
C
L
v
o
a
b
a
5 V
v
A
(ngatif)
-
+
-
+
+
-
+
-

(a) (b)
Figure 4.8.2.2 : Configuration dune porte linaire avec NMOS et PMOS enrichissement

Cas o v
A
0 :

Pour le NMOS, on suppose que le noeud, aou b, qui est le plus positif est le
DRAIN, tandis que pour le PMOS, le noeud, a ou b, qui est le plus positif est la
SOURCE.


Page 182

Cas o v
A
< 0 :

En appliquant ces mmes rgles pour dfinir le rle de DRAIN et de SOURCE
des quatre noeuds, on trouve la topologie de la figure (b).

Faisons lhypothse quau moins un des deux transistors fonctionne dans la rgion de
triode. Par consquent, v
o
est une tension voisine de v
A
(supposons-la gale v
A
).

Pour le NMOS, on a alors : 0 et 5
DS GS A
v v v = =

La condition de fonctionnement dans la rgion de triode :
DS GS t
v v V

scrit : 0 5 2
A
v

et est vrifie si 3 V
A
v +

Pour le PMOS, on a : 0 et 5
DS GS A
v v v = =
La condition de fonctionnement dans la rgion de triode scrit :
( ) 0 5 2
DS GS t
A
v v V
v

et est vrifie si 3 V
A
v

Donc, jusqu v
A
= +5 V, lhypothse est vrifie.

Une dmarche semblable permet de vrifier que, dans le circuit de la fig. (b), le NMOS
fonctionne dans la rgion de triode jusqu v
A
= -5 V, tandis que le PMOS fonctionne
dans cette rgion jusqu v
A
= -3 V.

En rsum, lorsque 5
c
v = +

Si 3 3V
A
v +

les deux transistors (NMOS et PMOS) fonctionnent dans leur rgion de triode.
Les rsistances r
DS
des transistors sont en parallle et la rsistance de la porte
linaire, r
on
, est faible;

Si 3V
A
v > +

Page 183

seul le transistor PMOS est dans la rgion de triode;

Si 3V
A
v <

seul le transistor NMOS est dans la rgion de triode.

La rsistance de connexion r
on
de la porte linaire dpend de v
A
, mais les variations sont
moins prononces que pour la porte lmentaire 1 seul transistor. En particulier, dans la
plage -3 v
A
+3 V, le r
on
varie peu, car lorsque le r
DS
du NMOS augmente celui du
PMOS diminue et vice-versa.

4.8.3 Exemple de calcul dune prote linaire MOSFET

Les deux transistors dans le circuit de la figure suivante ont pour caractristiques :

2
2 V et 100 A/
t
W
V k v
L

= =

5 V
R
L
C
L
v
o
a
b
a
5 V
v
A
(ngatif)
-
+
+
-
5 V
R
L
C
L
v
o
a
b
a
5 V
v
A
(ngatif)
-
+
-
+
+
-
+
-

Figure 4.8.3.1 : Exemple dune porte linaire MOSFET

Si R
L
= 50 k, calculer r
on
de la porte linaire, ainsi que la tension de sortie, v
o
, pour les
trois valeurs suivantes de v
A
:

( ) ( ) ( ) a 5 V ; b 2 V ; et c 0 V
A A A
v v v = = =

SOLUTION :

a) Pour v
A
= -5 V, seul le transistor NMOS est dans la rgion de triode. La
rsistance drain-source est :

Page 184
( )
( )
( )
2 2
1
ON
1
1.25 k
100 A/ 10 2 V
GS t
DS
W
k n v V
L
r
v

=
= =

Le circuit quivalent de la porte linaire de v
A
et de la charge est donc
celui illustr ci-contre.

+
-
R
L
=
50 K
V
O
r
on
= 1.25 k
-5V
V
A

Figure 4.8.3.2 : Circuit quivalent de la porte linaire

ON
50
5 4.878 V
50 1.25
L
o A
L
R
v v
R r
=
+
= =
+

b) Pour v
A
= -2 V, les deux transistors sont dans la rgion de triode et le r
ON

de la porte est donn par la combinaison parallle des r
DS
(ON) des deux
transistors :

( )
( )
( )
2
1
ON du NMOS
1
2 k
100 A/ V 7 2 V
DS
n GS t
r
W
K v V
L
=

= =

( )
( )
( )
2
1
ON du PMOS
1
10 k
100 A/ V 5 2 2
DS
p GS t
r
W
K v V
L
=
| |

|
\
= =
1
]
(eq. A)


Page 185
Donc
ON
2 k //10 k 1.67 r = =

et la tension
ON
50
2 1.935 V
50 1.67
L
O A
L
R
v v
R R
= = =
+ +

En ralit, le r
DS
(ON) du PMOS sera un peu plus petit que 10 k, car la
tension la source de ce transistor va tre un peu moins que -2 V (on a
trouv, en 1
re
approx. v
S
= -1.935 V). Donc, le terme entre crochets au
dnominateur de lq. (A) est lgrement plus grand que 1.

On peut obtenir un meilleur estim du r
DS
(ON) du PMOS en prenant le v
O

trouv en 1
re
approximation comme tension de source :

( )
( )
2
1
ON du PMOS 9.39 k
100 A/ V 5 1.935 2
DS
r
= =

Le nouveau r
ON
de la porte linaire 2 k // 9.39 k 1.649 k =

et la tension de sortie :
50
2 1.936 V
50 1.649
O
v = =
+

c) Pour vA = 0 V, les deux transistors sont dans la rgion de triode. On
trouve :

( )
( )
( )
2
2
ON
1
ON du NMOS 3.333 k
100 A/ V 5 2
1
ON du PMOS 3.333 k
100 A/ V 5 2 V
de la porte 3.333 k // 3.333 k 1.667k
0 V
DS
DS
O
r
r
r
v
= =
= =

= =
=

4.8.4 Exemple de fiche technique dune porte linaire MOSFET

Voici un exemple de fiche technique dune porte linaire MOSFET :


Page 186


Page 187
r
ON
en fonction de v
A
et des tensions dalimentation
Courant de fuite en fonction de la temprature
-2
M
A
X
7
8
6
4
/
5
-
1
Courants de fuite ON
15
I
C
O
M
(
n
A
)
I
S(ON)
+ I
D(ON)
V
NC
,V
NO
,V
COM
(V)
T
A
=+125
o
C
T
A
=+85
o
C
V+=15 V
V-=-15 V
2
1
-1
-15
0
0
-2
M
A
X
7
8
6
4
/
5
-
1
Courants de fuite ON
15
I
C
O
M
(
n
A
)
I
S(ON)
+ I
D(ON)
V
NC
,V
NO
,V
COM
(V)
T
A
=+125
o
C
T
A
=+85
o
C
V+=15 V
V-=-15 V
2
1
-1
-15
0
0
Rsistance ON vs V
COM
et
M
A
X
7
8
6
4
/
5
-
3
V
COM
(V)
R
O
N

(
)
120
90
60
30
0
0 -20 -10 10 20
5V
15V
10V
20V
Tension dalimentation bipolaire
Rsistance ON vs V
COM
et
M
A
X
7
8
6
4
/
5
-
3
V
COM
(V)
R
O
N

(
)
120
90
60
30
0
0 -20 -10 10 20
5V
15V
10V
20V
V
COM
(V)
R
O
N

(
)
120
90
60
30
0
0 -20 -10 10 20
5V
15V
10V
20V
Tension dalimentation bipolaire Tension dalimentation unipolaire
M
A
X
7
8
6
4
/
5
-
4
20
Rsistance ON vs V
COM
et
V
COM
(V)
R
O
N

(
)
150
125
100
75
50
25
15 5 0
0
10
V+=15V
V+=20 V
V+=10V
M
A
X
7
8
6
4
/
5
-
4
20
Rsistance ON vs V
COM
et
V
COM
(V)
R
O
N

(
)
150
125
100
75
50
25
15 5 0
0
10
V+=15V
V+=20 V
V+=10V
0
I
N
C
o
u

I
N
O
(
n
A
)
T
A
=+125
o
C
T
A
=+85
o
C
V+=15V
V-=-15V
M
A
X
7
8
6
4
/
5
-
2
15
-15
1
-1
0
V
NC
,V
NO
,V
COM
(V)
Courants de fuite OFF
0
0
I
N
C
o
u

I
N
O
(
n
A
)
T
A
=+125
o
C
T
A
=+85
o
C
V+=15V
V-=-15V
M
A
X
7
8
6
4
/
5
-
2
15
-15
1
-1
0
V
NC
,V
NO
,V
COM
(V)
Courants de fuite OFF
0
MAX364/MAX365

Figure 4.8.4.1 : Fiche technique MAX364/MAX365


Page 188
5 Transistor bipolaire

Dans ce chapitre, nous allons tudier lautre principal type de transistor : le transistor
bipolaire (BJT). Comme dans le cas des FETs, la tension entre deux bornes contrle le
courant dans la troisime. Le BJT peut donc tre utilis comme un amplificateur et un
interrupteur. Les BJT sont constitu de deux jonctions pn en srie connect selon une
topologie spciale. Les lectrons et les trous transportent le courant, do le nom
bipolaire.

5.1 Structure

Les transistors bipolaires ou BJT (de langlais Bipolar Junction Transisitro) sont des
lments semi-conducteurs trois couches, soit deux de type n et une de type p dans un
transistor npn, et deux de type p et une de type n dans un transistor pnp. Les trois couches
comportent des contacts mtalliques qui permettent de relier aux bornes du transistor. Ces
bornes sont appeles metteur (E), Base (B) et Collecteur (C).

La figure suivante illustre une architecture dun BJT. Ce BJT est compos de trois
rgions : lmetteur (type-n), la base (type-p) et le collecteur (type-n). Ce type de BJT est
nomm npn.


Figure 5.1.1 Structure simplifie dun transistor BJT npn



Page 189
Figure 5.1.2 Vue de coupe simplifie dun transistor BJT npn

Une autre architecture possible est la suivante : lmetteur est de type-p; la base, de type-
n et le collecteur, de type-p. Cette architecture est nomm pnp.


Figure 5.1.3 Structure simplifie dun transistor BJT pnp

Le transistor est compos de deux jonctions pn; la jonction metteur-base (EBJ) et la
jonction collecteur-base (CBJ). Nous pouvons reprsenter les transistors npn ou pnp
laide dune double jonction. Chacune de ces jonctions se comportent comme une diode
semi-conductrice.

La rgion base est beaucoup plus petite que celle de lmetteur et du collecteur afin de
permettre leffet transistor. Lmetteur sert normalement de source de porteurs de charge.
La rgion metteur est donc plus fortement dop. Ce dsquilibre favorise la circulation
des porteurs de charge entre les diffrentes zones du semi-conducteur.

5.2 Fonctionnement du BJT

Dpendamment de la polarisation des deux jonctions du transistor (EBJ et CBJ),
diffrents modes dopration soffre nous.


Page 190
n n p
C E
v
BE
v
CB
B
n n p
C E
v
BE
v
CB
B

Figure 5.2.1 : Tensions aux jonction EB et CB

Table 5.2.1: Modes dopration BJT
Mode V
BE
V
CB

Coupure Inverse Inverse
Actif Avant Inverse
Saturation Avant Avant

Le fonctionnement du transistor est donc conditionn par ltat de polarisation des deux
jonctions pn; ce que lon peut contrler par les tensions V
BE
et V
CB
quon applique aux
bornes. Dans un BJT utilis comme amplificateur, les jonctions sont polarises pour
fonctionner dans la rgion active. Lorsque le BJT est utilis comme commutateur (ex :
circuits logiques), le signal dentre sert changer la polarisation de la rgion de coupure
(ou de la rgion active) la rgion de saturation et vice-versa.

5.2.1 Fonctionnement du BJT npn

La figure suivante montre un transistor npn sans la polarisation collecteur-base. La
jonction metteur-base est polarise en avant par la tension V
BE
. Cette situation est
semblable celle dune diode en polarisation avant. Noter que la zone dappauvrissement
est trs troite, ce qui entrane un important courant de porteurs majoritaires (lectrons)
de la rgion de type n la rgion de type p.


Page 191
v
BE
n
C
B
p n
E
Rgion
dappauvrissement
v
BE
n
C
B
p n
E
Rgion
dappauvrissement

Figure 5.2.1.1 : BJT npn sans la polarisation collecteur-base

Retirons maintenant la polarisation base-metteur et polarisons en inverse la jonction
base-collecteur par la tension V
CE
. Cette situation semblable celle dune diode en
polarisation inverse. Noter que la zone dappauvrissement est trs large. Le courant de
porteur majoritaire (trous) est nul et il nexiste quun faible courant de diffusion de
porteurs minoritaire (lectrons) de la rgion de type p la rgion de type n.


Page 192
n n p
C E
v
CB
B
Rgion
dappauvrissement
n n p
C E
v
CB
B
Rgion
dappauvrissement

Figure 5.2.1.2 : BJT npn sans la polarisation collecteur-metteur

La figure suivante illustre un transistor dans la rgion active. La jonction base-metteur
est polarise avant par la tension V
BE
et la jonction base-collecteur est polarise en
inverse par la tension V
CB
. La taille des flches indique lintensit relative des courants
minoritaires et majoritaires. Un grand nombre de porteurs majoritaires (lectrons) sont
diffuss, via la jonction np polarise avant, vers le bloc de type p. Il sagit maintenant de
savoir si ces porteurs contribuent au courant de base I
B
ou sils se dirigent directement
vers le bloc du type n du collecteur.


Page 193


Figure 5.2.1.3 Transistor BJT npn dans sa rgion active

Rappel :

Dure de vie des porteurs minoritaires :

Les lectrons injects dans la rgion p (base) ont tendance se recombiner avec les
trous prsents en grand nombre dans cette gion; il le font au bout dun temps ,
appel dure de vie des porteurs minoritaires. Cette dure de vie est lun des
paramtres fondamentaux qui dterminent la qualit de la jonction. Plus est grand,
plus leffet redresseur est marqu. Le silicium est un des meilleurs semi-conducteurs
connus; peut atteindre 1ms, alors quil est de lordre de la s pour la plupart des
autres semi-conducteur.

Longueur de diffusion :

Un lectron inject dans la rgion p diffuse sur une certaine distance L avant de se
recombiner au bout du temps ; cest cette longueur moyenne parcourue par les
lectrons dans la rgion p qui est appele longueur de diffusion. Elle est de lordre de
plusieurs m pour le silicium.

Si lpaisseur de la base dun transistor est plus petite que la longueur de diffusion, les
lectrons atteignent la jonction pn polarise en inverse; ils sont fortement acclrs dans
cette jonction dite collectrice et sont recueillis dans la rgion n.

La figure suivante montre de faon plus dtaille les concentrations de porteurs
minoritaires dans lmetteur et la Base. Noter que la concentration dlectrons dans la
base es nulle du ct du collecteur. Ceci est d au champ lectrique cr par la tension
externe V
CB
. Tout lectron qui arrive prs de la rgion dappauvrissement subit

Page 194
linfluence de ce champ lectrique pour driver et passer ventuellement travers la
jonction BC.


Figure 5.2.1.4 Concentrations de porteurs minoritaires

Le profil de concentration dlectrons dans la base produit un courant de diffusion, de la
base au collecteur, qui est proportionnel la pente de la droite, donc n
p
(0)/W. Quelques
lectrons qui diffusent dans la base vont se recombiner avec des trous, qui sont les
proteurs majoritaires dans la base (puisque cest un matriau de type p). Toutefois, la
base tant trs mince, la proportion dlectrons perdus par recombinaison avec des trous
est trs faible. Cette recombinaison explique pourquoi le profil de concentration
dlectrons nest pas une droite mais est plutt lgrement parabolique.

On peut conclure que la majorit des lectrons ayant diffus dans la Base vont atteindre
la rgion dappauvrissement de la jonction BC et, de l, vont driver vers le collecteur
sous leffet du champ lectrique produit par la tension externe V
CB
. Par convention, on
indique le sens du courant i
c
dans le sens oppos celui des lectrons. Cest pourquoi i
C

est indiqu comme entrant dans le collecteur. Il est important de noter que lamplitude de
i
C
ne dpend pas de la tension V
CB
. Cest--dire que du moment que le collecteur est
positif relativement la base, les lectrons qui arrivent du ct collecteur de la rgion p
seront emports travers la jonction et contribueront au courant de collecteur.

5.2.1.1 Courant du collecteur

Le courant du collecteur est :


Page 195
BE
T
V
V
C S
i I e =

O I
S
est une constante appele courant de saturation et V
T
le potentiel thermique.

Le courant de saturation, I
S
, est inversement proportionnel la largeur de la base et
directement proportionnel la surface de la jonction base-metteur. Les valeurs typiques
de I
S
sont de 10
-12
10
-15
A. Puisque I
S
est directement proportionnel la surface de la
jonction BE, on lappelle aussi facteur dchelle du courant de collecteur (current scale
factor). Noter que I
S
double approximativement tous les 5
o
C.

Deux transistors identiques, mais dont la surface de la jonction BE de lun est deux fois
plus grande que celle de lautre, auront des courant de saturation dans le mme rapport,
cest--dire de deux pour un. Cette dpendance gomtrique est frquemment utilise
dans la conception de circuits intgrs.

5.2.1.2 Courant de base

Le courant de base a deux composants :

1 2 B B B
i i i = +

Le premier composant, i
B1
, est d aux trous injects de la base vers lmetteur (i
B1
>>i
B2
).

Ce composant est proportionnel
BE
V
T
e
V
et au niveau de dopage de la base.

Le second composant, i
B2
, est d aux trous qui doivent tre fournis par le circuit externe
pour remplacer les trous qui se sont recombins avec des lectrons dans la base. Le
nombre dlectrons (et donc de trous) qui se recombinent est proportionnel la
concentration n
p
(0) et la largeur de base W.

Donc, i
B2
est proportionnel
BE
T
V
V
e et W.

De ce qui prcde, on peut conclure que le courant total de base est proportionnel
BE
T
V
V
e .
Nous pouvons donc exprimer i
B
comme une fraction de i
C
:

C
B
i
i
=
Donc,

Page 196
BE
T
V
V S
B
I
i e
=

est une constante. Pour les transistors npn, varie de 100 200, mais il peut tre aussi
lev que 1000 pour des composants spciaux (transistor super bta).

5.2.1.3 Courant dmetteur

Si on fait le bilan des courants entrant et sortant du transistor, on a : i
E
=i
C
+i
B
. Or, puisque
i
B
=i
C
/, on a :

1
E C
i i
+
=

1
BE
T
V
V
E S
i I e
+
=

Le rapport
1
+
est aussi appel :
1
BE
T
V
V
E S
i I e
=

Pour des raisons qui deviendront apparentes lorsquon tudiera les circuits, on appelle

: le gain de courant en base-commune

: le gain de courant en metteur-commun

5.2.1.4 Modles grand signal du BJT npn

5.2.1.4.1 Modle en T

Le circuit quivalent du modle grand signal du BJT npn peut tre reprsent soit par une
source de courant (non linaire) contrle par une tension, soit par une source de courant
contrle par un courant par le modle en T. Dans les deux cas, la jonction base-metteur
est reprsente par une diode D
E
dont le courant de saturation est I
S
/.

Dans le cas de la source de courant contrle par une tension, le courant de la source
contrle, gal au courant de collecteur, est dtermin par V
BE
selon lexpression :

Page 197
BE
T
V
V
C S
i I e = et
BE
T
V
V S
E
I
i e
=

C
i
E
D
E
( / ) I
S
T BE
V v
S
e I
i
C
B
i
B
E
-
+
V
BE

Figure 5.2.1.4.1.1 Modle en T (npn): source de courant contrle par une tension

Dans le cas de la source de courant contrle par un courant, le courant de la source
contrle, gal au courant de collecteur, est i
E
:

C E
i i = et
BE
T
V
V S
E
I
i e
=

C
i
E
D
E
( / ) I
S
E
I
i
C
B
i
B
E
V
BE
-
+

Figure 5.2.1.4.1.2 Modle en T (npn): source de courant contrle par un courant

5.2.1.4.2 Modle hybride en

Page 198

Le modle hybride en reprsente le circuit quivalent du modle grand signal du BJT
npn soit par une source de courant (non linaire) contrle par une tension, soit par une
source de courant contrle par un courant. Dans les deux cas, la diode D
E
conduit le
courant de base et son courant de saturation est I
S
/.

Dans le cas de la source de courant contrle par une tension, le courant de la source
contrle, gal au courant de collecteur, est dtermin par V
BE
selon lexpression :

C
i
E
D
B
( / ) I
S
T BE
V v
S
e I
i
C
B
i
B
E
-
+
V
BE

BE
T
V
V
C S
i I e = et
1 1
1
BE BE
T T
V V
V V C
E S S
i
i I e I e

+
= + = =

Figure 5.2.1.4.2.1 Modle hybride en (npn): source de courant contrle par une tension

Dans le cas de la source de courant contrle par un courant, le courant de la source
contrle, gal au courant de collecteur, est :

C
i
E
D
B
( / ) I
S
i
C
B
i
B
E
-
+
V
BE
B
I

Figure 5.4.1.4.2.2 Modle hybride en (npn): source de courant contrle par courant

C B
i i = et
1 1
1
BE BE
T T
V V
V V C
E S S
i
i I e I e

+
= + = =


Page 199

5.2.2 Fonctionnement et modle du BJT pnp

Il existe diverses configurations de transistors pnp. Certaines sont particulirement
conues pour la fabrication de circuits intgrs comportant des BJT de types
complmentaires. Une de ces technique de fabrication donne ce que lon appelle de pnp
latraux dont le est faible (parfois peine plus grand que 1), mais qui permet la
ralisation de transistors de type complmentaire sur un mme substrat. La figure
suivante illustre une vue en plan et une vue en coupe dun transistor pnp construit sur un
substrat de type p.

p+ p+
p+
n+
substrat p
Base n
C E B C
p+ p+
p+
n+
substrat p
Base n
C E B C

Figure 5.2.2.1 : Transistor pnp construit sur un substrat de type p

En gnral, le des transistors pnp est plus faible que celui des transistors npn de mme
gomtrie. La frquence de coupure f
T
est aussi plus basse pour les transistors pnp, d au
fait que les porteurs majoritaires sont des trous et que leur mobilit est plus faibles que
celle des lectrons.

Le fonctionnement du transistor pnp est semblable celui du transistor npn dcrit
prcdemment. La tension V
BE
place la jonction base-metteur en polarisation avant,
tandis que la tension V
BC
, place la jonction base-metteur en polarisation avant, tandis
que la tension V
BC
place la jonction collecteur-base en polarisation inverse.
Contrairement au transistor npn, le courant de collecteur dans un transistor pnp est d aux
trous injects de lmetteur vers la base par la tension de polarisation V
BE
. La composante
du courant dmetteur provenant des lectrons injects dans la base vers lmetteur est

Page 200
relativement faible en raison du faible dopage de la base. Le courant de base, i
B
, a deux
composantes :

i
B1
: Le courant dlectrons injects dans la base drivant vers lmetteur.

i
B2
: Le courant dlectrons provenant du circuit externe et servant remplacer les
lectrons qui se sont recombins avec des trous dans la rgion de la base.

Le courant i
B1
est la composante dominante du courant i
B
.


Figure 5.2.2.2 Transistor BJT pnp dans sa rgion active

Les trous qui atteignent la rgion dappauvrissement de la jonction collecteur-base vont
driver travers cette rgion sous leffet du champ lectrique produit par V
BC
et vont
contribuer au courant de collecteur. On peut dduire de ce qui prcde que les
dpendances entre les diverses tensions et les courants seront semblables celles du
transistor npn. Le seule diffrence est que lon devra utiliser V
EB
au lieu de V
BE
dans les
expressions.

Les relations tension-courant tant les mmes pour les transistors npn et pnp, on peut
utiliser les mmes modles pour reprsenter leur comportement dans des circuits
quivalents.


Page 201
E
B
C
i
C
i
E
D
E
(I
S
/)
T EB
V / v
S
e I
i
B
+
-
v
EB
E
B
C
i
C
i
E
D
E
(I
S
/)
T EB
V / v
S
e I
i
B
+
-
E
B
C
i
C
i
E
D
E
(I
S
/)
T EB
V / v
S
e I
i
B
+
-
v
EB

Figure 5.2.2.3 : Modle en T (pnp): source de courant contrle par une tension

i
C
E
C
v
EB
i
E
D
B
(I
S
/)
T EB
V / v
S
e I
i
B
+
-
i
C
E
C
v
EB
i
E
D
B
(I
S
/)
T EB
V / v
S
e I
i
B
+
-

Figure 5.2.2.4 : Modle hybride en (pnp): source de courant contrle par un courant

5.3 Symbolisation

Les symboles utiliss pour reprsenter les BJT npn et pnp sont illustrs ci-contre. La
flche sert distinguer lmetteur du Collecteur. Cette distinction est importante car,
contrairement aux transistors effet de champ o la source et le drain sont
interchangeables, les BJT ne sont pas symtriques. Ainsi, si lon change lmetteur pour
le Collecteur, le facteur sera beaucoup plus faible.


Page 202


Figure 5.3.1 : Symbolisation BJT npn et pnp

Afin de faciliter lanalyse des circuits BJT, on adoptera la convention que la tension
dalimentation la plus positive se trouve en haut du schma. La masse (ou la tension
dalimentation ngative, si cest le cas) se trouve en bas du schma. Cette notation des
courants et des tensions du transistor bipolaire respecte la mme convention que celle du
transistor effet de champ, soit laide dindice reprsentant les bornes du BJT.


Figure 5.3.2 : Convention de courant et de tension pour les BJTs

Note : Avec cette convention, les courants iB, iC et iE devraient toujours donner des
valeurs positives.

5.4 Exemples

5.4.1 Exemple 1


Page 203
Le BJT du circuit suivant a un =100 et V
BE
=0,7V i
C
=1mA. Calculer la valeur des
rsistance R
C
et R
E
pour que la tension au collecteur soit +5V lorque le courant de
collecteur est de 2mA.


Figure 5.4.1.1: Circuit pour lexemple 1

Solution :

1. Indiquer le sens des courants i
B
, i
C
et i
E
selon la convention.

2. Calculer R
C

La tension au collecteur doit tre +5V relativement la masse; la chute de
tension aux bornes de R
C
doit donc tre de V
CC
-V
C
=10V. Cette chute de
tension doit tre produite par un courant de collecteur de 2mA, on obtient
la valeur de R
C
:

10
5
2
CC C
C
C
V V V
R k
I mA
= = =

3. Calculer V
BE
pour un courant I
C
=2mA

On part de lquation :

BE
T
V
V
C S
i I e =

On ne connat pas I
S
, mais on pourrait le trouver sachant que pour ce
transistor V
BE
=0,7V lorsque i
C
=1mA. On peut donc crire :

Page 204

( ) ( ) ( )
1 2
1 2
ln ln ln
BE BE
S C C
T T
V V
I i i
V V
= =

( )
2
2 1
1
1
ln
C
BE BE
C T
i
V V
i V

=

( )
2
2 1
ln 0, 7
1 0, 025
BE
mA
V
mA

=

Et on trouve V
BE2
=0,717V pour un courant I
C
=2mA.

4. Connaissant V
BE
pour I
C
=2mA, on peut calculer la tension lmetteur :

0 0, 717 0, 717
E B BE
V V V V V = = =

La chute de tension aux bornes de la rsistance R
E
est donc :

( ) 0, 717 15 14, 28
E EE
V V V = =

Le courant dmetteur :

2.02
C
E B C E
I
I I I I mA
= + = + =

Donc la rsistance R
E
doit tre gale :

14, 28
7, 07
2.02
E EE
E
E
V V V
R k
I mA
= = =


Page 205


Figure 5.4.1.2: Solution pour lexemple 1

5.4.2 Exemple 2

Des mesures effectues sur ce circuit indiquent que V
B
=+1,0V et V
E
=1,7V. Calculer le
et le du transistor, puis la tension V
C
.


Figure 5.4.2.1: Circuit pour lexemple 2

Solution :


Page 206
1. On indique le sens des courants selon la convention. Puis, sachant la
valeur de R
E
et la chute de tension aux bornes de celle-ci, on calcule le
courant dmetteur :

( ) 10 1, 7
1, 66
5
EE E
E
E
V
V V
I mA
R k
= = =

2. En supposant que le voltmtre ayant servi mesurer V
B
a une rsistance
dentre trs grande, on peut calculer I
B
:

1.0
0, 01
100
B
B
B
V V
I mA
R k
= = =

3. I
C
=I
E
-I
B
=1,66-0,01=165mA

1, 65
0, 994
1, 66
C
E
I
I
= = =

1, 65
165
0, 01
C
B
I
I
= = =

4. 10 1, 65x5 1, 75
C CC C C
V V I R V = + = + =

5.5 Caractristique i
C
-V
BE
du transistor BJT

La relation entre le courant de collecteur, i
C
, et la tension base-metteur,V
BE
, est donne
par :
BE
T
V
V
C S
i I e =


Page 207


C
-V
BE
du BJT

Cette expression est semblable celle de la relation i-v dune diode dont serait gal 1.
Les relation i
E
versus V
BE
, et i
B
versus V
BE
, ont la mme forme exponentielle avec des
facteurs dchelle diffrents : I
S
/ pour i
E
et I
S
/ pour i
B
. Pour V
BE
<0,5V, le courant i
C
est
ngligeable. Pour la plage normale de i
C
, V
BE
est compris entre 0,6 et 0,8V. Si on veut
effectuer un calcul rapide, on prend gnralement V
BE
=0,7V comme premier estim.

Comme pour les diodes au silicium, la tension travers la jonction metteur-base dcrot
denviron 2mV pour chaque augmentation de 1
o
C, condition que la jonction fonctionne
un courant constant. Cette dpendance de la temprature est illustre par trois courbes
i
C
versus V
BE
.


Figure 5.5.2 : Effet de la temprature sur la courbe caractristique i
C
-V
BE
du BJT
.

La figure suivante illustre la relation entre le courant de collecteur, i
C
, et la tension
collecteur-base pour diffrents courants dmetteur. Noter que les courbes pour V
CB
0
correspond la rgion active pour un transistor npn. Cette partie des courbes
caractristiques sont des droites presque horizontales, confirmant que le collecteur agit
comme source de courant constant. Dans ce cas-ci, i
C
est proportionnel i
E
et le transistor
peut tre vu comme une source de courant contrler par i
E
.


Page 208


C
-V
CB
du BJT

En ralit, les BJT affichent une certaine dpendance du courant de collecteur envers V
CB

et les droites ne sont pas tout fait horizontales. Le circuit ci-dessous permet deffectuer
des mesures de i
C
en faisant varier V
CB
et V
BE
pour obtenir une famille de courbes qui
illustrent cette dpendance.


Figure 5.5.4 : Effet Early


Page 209
La tension V
CE
est variable partir de 0V. Pour de faibles valeurs de V
CE
, lorsque la
tension au collecteur est infrieure la tension de la base, la jonction collecteur-base est
en polarisation avant et le transistor se trouve dans la rgion de saturation. Le
fonctionnement dans la rgion de saturation est surtout utilis dans les applications o le
BJT agit comme commutateur (ex : circuits logiques). En augmentant V
CE
pour que la
jonction collecteur-base soit en polarisation inverse, le BJT entre dans la rgion de
fonctionnement linaire. Les courbes i
C
versus V
CE
pour diffrents V
BE
, montre que
celles-ci ont une lgre pente positive (fortement exagre dans la figure) et quelles
convergent vers un point V
A
situ sur la partie ngative de laxe V
CE
. La tension V
A
, o
les courbes intersectent laxe V
CE
, est une caractristique du transistor. On lappelle
tension Early, du nom du chercheur qui a le premier tudier ce phnomne. Les valeurs
typiques de V
A
sont de 50 100V.

Leffet Early sexplique comme suit. Pour un V
BE
donn, une augmentation de V
CE

augmente la tension de polarisation inverse de la jonction collecteur-base, ce qui
augmente la largeur de la rgion dappauvrissement de cette jonction. Ceci diminue la
largeur efficace de la base, W. tant donn que I
S
est inversement proportionnel W, une
augmentation de V
CE
fait augmenter i
C
.

La dpendance linaire de i
C
envers V
CE
peut tre exprime en supposant que I
S
demeure
constant et en ajoutant un facteur multiplicatif lquation de i
C
:

1
BE
T
V
V CE
C S
A
V
i I e
V

= +

La pente non nulle des droites i
C
versus V
CE
dans la rgion active du transistor indique
que la rsistance de sortie vue du collecteur nest pas infini, mais plutt une valeur :

1
(avec constant)
C
o BE
CE
i
r V
V

En utilisant lquation i
C
ci-dessus, on dmontre que :

A
o
C
V
r
I

O I
C
est le courant de collecteur correspondant au V
BE
utilis.

5.5.1 Exemple sur leffet Early

Soit le circuit suivant. V
CE
=1V, on ajuste V
BE
pour obtenir un courant de
collecteur de 1mA. Puis, en gardant V
BE
constant, on augmente V
CE
11V. Quelle
sera la nouvelle valeur de I
C
si la tension Early du transistor est V
A
=100V?

Page 210


Figure 5.5.1.1 : Exemple sufr leffet Early

Solution :

Lexpression complte pour le courant de collecteur tenant compte de
leffet Early doit tre utilise :

1
BE
T
V
V CE
C S
A
V
i I e
V

= +

Dans cette exprience, V
BE
est maintenu constant une certaine valeur V
BE
et on peut
crire :

1 2
1 2
constante
1 1
BE
T
V
V C C
S
CE CE
A A
i i
I e
V V
V V
= = =

+ +

Donc,

2
2 1
1
11
1
1
100 11 100
1 1 1, 09
1 100 1
1
1
100
CE
A
C C
CE
A
V
V
i i mA
V
V

+
+

+

= = = =
+
+
+

5.6 Amplificateur transistor


Page 211
5.6.1 Calcul de la transconductance

Considrons le circuit suivant o la polarisation est tablie par une pile de V
BE
volt en
srie avec la source de signal amplifier, v
be
.

v
CE
i
C
v
BE
+
-
+
-
v
be
V
BE
V
CC
R
C
i
E
i
B
v
CE
i
C
v
BE
+
-
+
-
v
be
V
BE
V
CC
R
C
i
E
i
B

Figure 5.6.1.1 : Polarisation tablie par une pile

On peut appliquer le principe de superposition pour analyser ce circuit. En court-
circuitant momentanment la source de signal v
be
pour calculer les courant I
C
, I
B
et I
E
au
point de repos, on obtient :

v
CE
i
C
+
- V
BE
V
CC
R
C
I
E
i
B
v
CE
i
C
+
- V
BE
V
CC
R
C
I
E
i
B

Figure 5.6.1.2 : Principe de superposition

/
BE T
V V
C S
I I e =
C
E
I
I
=


Page 212
C
B
I
I
=

C CE CC C C
V V V I R = =

Pour que le transistor fonctionne dans la rgion active, V
C
doit tre plus grand que V
B
et
la diffrence doit tre assez grande pour que le transistor demeure dans cette rgion
mme quand le signal v
be
sera appliqu. Si le signal v
be
est prsent, la tension totale
instantane applique la jonction base-metteur est :

BE BE be
v V v = +

Le courant de collecteur sera :

( )
BE be T BE T
be T BE T
V v V v V
c S S
v V V V
S
i I e I e
I e e
+
= =
=

Si v
be
<< V
T
, on peut approximer lexponentielle par les deux premiers termes de son
dveloppement en srie :

1
be
be
v
v be C
c C C C m
T T
v I
i I I I g
V V

+ + = +

Cette approximation est valable si v
be
est infrieur 10mV environ. On lappelle
approximation pour petits signaux. Donc :

C
c C be
T
I
i I v
V
= +

Ce qui est reprsent par la figure suivante pour le cas o v
be
est un signal de forme
triangulaire.


Page 213
v
BE
V
BE
v
be
Q
t
Pente = g
m
i
c
v
BE
V
BE
v
be
Q
t
Pente = g
m
i
c

Figure 5.6.1.3 : Graphique de la transconductance

On observe que le courant total de collecteur i
c
possde deux composantes : une
constante qui correspond au courant au point de repos (I
C
) et un terme proportionnel au
signal v
be
. La constante de proportionnalit est la transconductance, g
m
:

C
m
T
I
g
V
=

La transconductance est donc proportionnelle au courant de collecteur au point de repos.
De plus, il est noter que la transconductance des BJT est beaucoup plus grande que
celle des FET, ce qui constitue un avantage majeur des BJT sur les FET dans certaines
applications.

Une dfinition plus juste de la transconductance est :

C C
c
m
be
i I
i
g
v
=

Ceci mne une interprtation graphique de gm comme tant la pente de la tangente la
courbe i
c
versus v
BE
, valu au point i
C
=I
C
. Lanalyse qui prcde suggre que, pour des
petits signaux (v
be
<< V
T
), le transistor se comporte comme une source de courant
contrle par une tension.


Page 214

5.6.2 Le BJT en tant damplificateur

Gain de tension de lamplificateur

Reprenons lexpression pour la tension au collecteur :

( )
( )

c
c
C CC C C
CC C c C
CC C C C C
v
V
v V i R
V I i R
V I R i R
=
= +
=

o V
c
est la tension au collecteur au point de repos.

La composante provenant du signal dentre est :

c c C m be C
v i R g v R = =

Donc le gain en tension de cet amplificateur est :

c
v m C
be
v
A g R
v
=

Rsistance dentre de lamplificateur (v
be
/i
b
)

La figure suivant peut tre utilise afin de bien visualiser la convention utilise.

vCE
iC
+
-
vbe
VBE
VCC
RC
iE
iB
r

Figure 5.6.2.1 : Circuit BJT illustrant la convension

Pour dterminer la rsistance qui est vue par la source de signal v
be
, nous calculons
dabord le courant de base i
B
:

Page 215

( )

be
Courant de base
Composante provenant du
au point de repos
signal d'entre
1
total
b
total
c C C
B B be
T
v i
i I I
i i v
V
= = = +

La composante provenant du signal dentre, i
b
, est donc :

1 1
C
b be m be
T
I
i v g v
V
= =

La rsistance dentre de lamplificateur pour des petits signaux est appele r

:

25mV
donc
be T
b m B B
v V
r r
i g I I

= = =

Le courant total dmetteur i
E
est :

E e
C C c
E
I i
i I i
i

= = +

o I
E
est le courant dmetteur au point de repos et i
e
, la composante provenant du signal
v
be
.

La composante provenant du signal dentre, i
c
, est donc :

( )
1 1
c C E
e m be be be
T T
i I I
i g v v v
V V
= = = =

La rsistance vue par une source de signal relie lmetteur est appele r
e
:

be T
e e
e E m
v V
r r
i I g
= =

La relation entre r
et r
e
peut tre trouve en comparant leurs dfinitions :


Page 216

e
be b e e e
b
i
v i r i r r r
i

= = =

Donc :

( ) 1
e
r r
= +

5.6.2.1 Exemple dun amplificateur ralis avec un BJT

Un BJT avec un de 100 est polaris avec un courant de collecteur de 1 mA au point de
repos. Trouver la valeur de la transconductance, g
m
, et des rsistances re et r.

Solution

La transconductance est donne par :
C
m
T
I
g
V
=

Donc, ( )
1 mA mA
40 ou 40 mS
25 mV V
m
g = =

La rsistance
T
e
E
V
r
I
= , ce qui est quivalent
e
m
r
g
= .

Sachant que :
100
0.99
1 101
= = =
+
,

on obtient :
0.99 V
25
40 mA
e
m
r
g
= = =

La rsistance dentre :
( )
( )
1
101 25
2.5 k
e
r r
= +
=
=

5.7 Polarisation


Page 217
Pour que le BJT puisse fonctionner comme amplificateur, il faut quil soit polaris dans
la rgion active. Le problme de la polarisation consiste tablir les conditions pour que
le collecteur soit stable et prvisible. Notamment, on fera en sorte que le courant de
collecteur soit le moins sensible possible aux variations de temprature et ltalement
des valeurs des paramtres (ex :) des transistors utiliss.

La fiche technique dun transistor comporte, dans la section absolute maximum
ratings , trois donnes importantes pour le choix du point de repos. Il sagit de la
dissipation de puissance du collecteur (P
Cmax
), de la tension maximale applicable (V
CEmax
)
et du courant maximum de collecteur (I
Cmax
). Par exemple, pour le transistor dont les
courbes i
C
versus v
CE
sont prsentes ci-dessous, les valeurs nominales sont :

max
max
max
30mW
20V
6mA
C
CE
C
P
V
I
=
=
=

Figure 5.7.1 : Courbes caractristiques dun transistor

La dissipation de puissance est le produit de la tension au collecteur et du courant au
collecteur :

max
C CE C
P V I =

Le lieu des points pour lesquels le produit V
CE
par I
C
est gal P
Cmax
est reprsent dans
la figure prcdente par une courbe hyperbolique, appele courbe dquipuissance. La
rgion scuritaire de fonctionnement du transistor est la rgion dlimite par la courbe
dquipuissance et par les droites i
C
=I
Cmax
et v
CE
=V
CEmax
.

Page 218

La polarisation dun BJT se rsume essentiellement trouver les conditions qui
permettent davoir un courant dmetteur (ou de collecteur) qui soit facilement calculable
et le moins sensible possible aux variations de temprature et ltalement dans les
valeurs des paramtres (ex : ) qui sont le rsultat du procd de fabrication. Nous allons
traiter ici des principales techniques utilises pour polariser des BJT sous forme discrte
(par oposition aux BJT utiliss dans des circuits intgrs). Les figures suivantes illustrent
les quatre principaux circuits de polarisations.

1) Polarisation partir dune seule alimentation :

R
C
V
CC
R
E
R
2
R
1

Figure 5.7.2 : Polarisation partir dune seule alimentation

2) Polarisation partir dune alimentation double:

R
C
V
CC
- V
EE
R
E
R
B

Figure 5.7.3 : Polarisation partir dune alimentation double


Page 219
3) Polarisation par rtroaction de la tension de collecteur :

R
C
V
CC

Figure 5.7.4 : Polarisation par rtroaction de la tension de collecteur

1) Polarisation par source de courant lmetteur :

R
C
V
CC
- V
EE
I
R
B

R
C
V
CC
- V
EE
I

Figure 5.7.5 : Polarisation par source de courant lmetteur

La polarisation dun BJT se rsume essentiellement trouver les conditions qui
permettent :

davoir un courant dmetteur (ou de collecteur) qui soit le moins sensible
possible aux variations de temprature et ltalement dans les valeurs des
paramtres (tel le )qui sont le rsultat du procd de fabrication;

de fixer un point dopration qui satisfait aux contraintes de dissipation, de
tension et de courant maximum du transistor ou de consommation maximale de la
source dalimentation;


Page 220
de fixer un point dopration permettant dobtenir une amplitude maximale du
signal sans distorsion.

Nous allons traiter ici des principales techniques utilises pour polariser des BJT sous
forme discrte (par opposition aux BJT utiliss dans des circuits intgrs).
5.7.1 Polarisation par une seule alimentation

Le circuit suivant illustre la technique la plus frquemment utilise pour polariser un BJT
quand une seule alimentation est disponible. LA tension la base du transistor est fournie
par un diviseur rsistif form de R
1
et R
2
. Lquivalent Thvenin du circuit de
polarisation est galement montr.

R
C
V
CC
R
E
R
2
R
1

R
C
V
CC
R
E
R
B
V
BB
I
B
L
I
E
I
C

quivalent Thvenin
Figure 5.7.1.1 : Technique la plus frquemment utilise pour polariser un BJT

2
1 2
BB CC
R
V V
R R
=
+

1 2
1 2
1 2
//
B
R R
R R R
R R
= =
+

Le courant dmetteur dtermin par ce circuit de polarisation est obtenu en appliquant la
loi de Kirchhof :

0 o
1
E
BB B B BE E E B
I
V R I V R R I
= =
+

Donc :


Page 221
1
BB BE
E
B
E
V V
I
R
R
=
+
+

Rappelons que V
BE
et sont tous deux fonction de la temprature; donc, pour minimiser
linfluence de la temprature sur I
E
, il faut choisir des rsistances qui feront que :
et
1
B
BB BE E
R
V V R
+

La condition V
BB
>>V
BE
nous insite utiliser un V
BB
le plus prs possible de V
CC
.
Toutefois, ceci pose un problme en rduisant la plage dynamique de la somme de
tension V
CE
et I
C
R
C
. Par exemple, dans les configurations damplificateurs metteur-
commun et base-commune, le signal de sortie est pris au collecteur. Si on choisit V
BB

trop grand, il faut prendre un R
C
faible pour que V
C
au point de repos soit bien dans la
rgion active de BJT. Un R
C
faible entrne un gain de tension faible. Un bon compromis
est de choisir des rsistances qui feront que :

( )
1 1 1
ou
3 3 3
BB CC CB CE CC C C CC
V V V V V I R V

La deuxime condition, ( ) / 1
E B
R R + , conduit galement des compromis. Par
exemple on peut choisir des rsistances R
1
et R
2
telles que R
B
=R
1
//R
2
soit le plus petit
possible. Toutefois, ceci pourrait mener ce quune bonne partie du courant
dalimentation du circuit serve uniquement la polarisation du transistor (pas pratique
pour les circuits fonctionnant batterie). De plus, dans un ampli metteur-commun, la
rsistance dentre (R
in
vue par la source du signal) serait faible. Dautre part, si on
choisit R
E
trop grand, on limite la plage dynamique. De faon gnrale, on choisit des
rsistances R
1
et R
2
telles que le courant passant dans le circuit de polarisation soit de
lordre de 0,1 I
E
.
5.7.1.1 Exemple : Polarisation par une seule alimentation

Calculer les valeurs des rsistances pour tablir un courant I
E
=1mA.


Page 222

R
C
V
CC
=12V
R
E
R
2
R
1

Figure 5.7.1.1.1 : Exemple de polarisation dun BJT (une seule alimentation)

Solution : Nous allons utiliser la rgle empirique mentionne prcdemment et
allouer un tier (1/3) de la tension dalimentation V
B
, un tier V
CE
et un
tier la chute de tension dans R
C
.

4
3
CC
B
V
V V = =

Donc,
4 3, 3
E BE
V V V = =
et
3, 3
3, 3
1
E
E
E
V V
R k
I mA
= = =

4
CC C
C
C
V V
R k
I
=

Choisissons R
1
et R
2
pour que le courant dans ce rseau soit 0,1I
E
, on peut
crire (en ngligeant I
B
) :

1 2
1 2
12
0,1 120
0,1x1
CC
E
V V
I R R k
R R mA
= + = =
+

2 2
1 2
4 12 4
120
CC
R R
V V V V
R R k
= =
+

2 1
40 et 80 R k R k = =


Page 223
Si on connat le du transistor, on peut reprendre les calculs en tenant
compte du courant I
B
. Toutefois, si est de 100 ou plus, la diffrence dans
les rsultats est ngligeable.

5.7.2 Polarisation par une alimentation double

La figure suivante illustre la technique la plus frquemment utilise pour polariser un
BJT lorsquon dispose de deux alimentations.

R
C
V
CC
R
E
R
B
-V
EE
I
B
L
I
E
I
C

Figure 5.7.2.1 : Polarisation par une alimentation double

Le courant de base correspond au I
E
dsir est donn par :

1
E
B
I
I
=
+

Et en appliquant la loi de Kirchoff, on a :

0
B B BE E E EE
I R V I R V + + =

Donc :

1
EE BE
E
B
E
V V
I
R
R
=
+
+

Pour minimiser leffet des variations de temprature sur I
E
, on doit choisir des
composants tels que :
et
1
B
EE BE E
R
V V R
+


Page 224

On a les mmes contraintes que pour le circuit de polarisation une seule alimentation,
sauf que V
EE
remplace V
BB
. Dans un amplificateur base-commune, la rsistance R
B
peut
tre remplace par un court circuit.

5.7.2.1 Exemple : Polarisation par une alimentation double

Calculer les valeurs des rsistances dans ce circuit pour tablir un courant I
E
=1mA, tout
en permettant des variation de 2V pour le signal apparaissant au collecteur. Le signal
dentre est appliqu lmetteur travers un condensateur.

R
C
V
CC
=10V
R
E
R
B
V
EE
=-5V
I
B
I
E
I
C
+
-
=1mA
V
c
V
i

Figure 5.7.2.1.1 : Exemple de polarisation dun BJT (alimentation double)

Solution : Puisque le signal dentre doit tre lmetteur laide dun condensateur
de couplage et que le signal de sortie est obtenu au collecteur, il sagit
dun amplificateur base-commune. Dans ce cas, on peut remplacer R
B
par
un court-circuit. Donc avec R
B
=0 :

La tension V
E
au point de repos sera : 0 0, 7
BE
V V =

La rsistance dmetteur :
( ) 0, 7 5
4, 3
1
E EE
E
E
V
V V
R k
I mA

= = =

Plusieurs possibilits existent pour calculer R
C
. On pourrait, par exemple,
chercher le R
C
qui donne le gain de tension maximum. Puisque V
B
=0, le
transistor est encore actif lorsque V
C
=0. Ceci pourrait correspondre
lexcursion la plus ngative du signal de sortie. La plage dynamique
exige est de 2V et la tension lexcursion la plus positive +4V.


Page 225
Donc,
( ) 10 2
8
1
CC C CC C
C E
V V V V V
RC k
I I mA

= = =

5.7.3 Polarisation par rtroaction de la tension de collecteur

Le circuit de polarisation ci-dessous est particulirement efficace mais ne peut
malheureusement tre utilis que pour un amplificateur metteur-commun. Noter que le
courant dans R
C
est gal I
C
+I
B
=I
E
.

R
C
V
CC
R
B
I
B
I
B
I
E
V V I R
c BE B B
= +
I I I
C B E
+ =

Figure 5.7.3.1 : Polarisation par rtroaction de la tension au collecteur

Puisque lmetteur est reli la masse, on a :

CC E C B B BE
V I R I R V = + +

Do on tire :

1
CC BE
E
B
C
V V
I
R
R
=
+
+

Encore une fois, pour que I
E
soit le moins sensible possible aux variations de
temprature, on doit choisir :

et
1
B
CC BE C
R
V V R
+

On retrouve donc les mmes contraintes que pour le circuit de polarisation prcdent,
sauf que V
CC
remplace V
EE
et que R
C
remplace R
E
. Notamment, si, pour satisfaire la

Page 226
deuxime condition, on utilise un R
B
petit, la rsistance dentre vue par la source de
signal sera faible. Par contre, si on utilise un R
C
grand, on limitera sensiblement la plage
dynamique du signal de sortie.

5.7.4 Polarisation par source de courant lmetteur

Le BJT peut tre polaris avec une source de courant lmetteur tel que montr par la
figure suivante.

R
C
V
CC
- V
EE
I
R
B

Figure 5.7.4.1 : Polarisation par source de courant lmetteur

Lavantage de ce circuit est que le courant dmetteur est indpendant des valeurs de et
de R
B
. On peut donc choisir une grande valeur de rsistance pour R
B
, permettant ainsi
dobtenir une grande rsistance dentre dans les configurations damplificateur
metteur-commun et collecteur-commun.

La source de courant peut tre ralise laide dun transistor effet de champ, dun
ampli-op ou par deux transistors BJT comme lillustre la figure suivante.


Page 227

R
V
CC
- V
EE
I I
REF
Q
1
Q
2
v

Figure 5.7.4.2 : Circuit de source de courant (miroir de courant)

Idalement, Q
1
et Q
2
devraient tre des transistors apparis avec un bon contact
thermique entre les deux. De tels transistors existent sous forme discrte et, videmment,
ils sont faciles fabriquer dans un circuit intgr. On note que le transistor Q
1
est en fait
utilis comme une diode, puisque la base est relie au collecteur. Si le de ces transistors
est grand, on peut ngliger le courant de base. Le courant dans Q
1
sera donc ~I
REF
:

( )
CC EE BE
REF
V V V
I
R

=

Puisque Q
1
et Q
2
ont le mme V
BE
, leurs courants de collecteur seront gaux :

CC EE BE
REF
V V V
I I
R
+
= =

En ngligeant leffet Early, le courant de collecteur sera gal I donn par lquation
prcdente, tant que Q
2
demeure dans la rgion active. Pour cela, il faut sassurer que la
tension V au collecteur soit plus grande que la tension la base (-V
EE
+V
BE
). Ce type de
source de courant est appel un miroir (current mirror).

5.7.4.1 Exemple : Polarisation par source de courant lmetteur

Pour le circuit suivant, calculer les tensions de base, de collecteur et dmetteur au point
de repos.

Page 228

Figure 5.7.4.1.1 : Exemple de polarisation dun BJT (source de courant lmetteur)

Solution : Le courant de base :
1
1 101
E
B
I mA
I
= =
+

La tension de base est donc :
1
0 0 100 1
101
B B
mA
VB R I k V = =

La tension dmetteur : 0, 7 1, 7
E B
V V V = =

La tension de collecteur : 10 7, 5 x 1 2, 5
C CC C C
V V R I k mA V = =

5.8 Modle petit signal

Lanalyse effectu prcdemment montre que chaque courant et chaque tension dans le
circuit peut tre dcompos en deux parties : une composante dc refltant les conditions
au point de repos et une composante proportionnelle au signal dentre. La composante
dc des courants et tensions du circuit peut tre dtermine en liminant la source du
signal, cest--dire en court-circuitant la source si le signal provient dune source de
tension ou en ouvrant la source si le signal provient dune source de courant. De la mme
faon, le comportement du circuit en rponse au signal appliqu peut tre dtermin en
liminant les composantes dc qui servent polariser le transistor au point de repos. La
figure suivante montre les expressions des courants i
c
, i
e
et i
b
rsultant dun petit signal
v
be
appliqu lentre. Le but dun modle quivalent est de reproduire le comportement
dun BJT, en rponse un petit signal, au moyen dun circuit qui est facile analyser.


Page 229
v
be
R
C
C i
c
= g
m
v
be
i
e
= v
be
/r
v
ce
+
-
v
be
+
-
E
B
e
be
e
r
v
i =
v
be
R
C
C i
c
= g
m
v
be
i
e
= v
be
/r
v
ce
+
-
v
be
+
-
E
B
e
be
e
r
v
i =

Figure 5.8.1 : Convention pour un BJT

5.8.1 Modle hybride-

Deux formes hybride- sont illustres sur la figure suivante. Le circuit en a) reprsente le
BJT comme une source de courant contrle par une tension et le circuit en b), comme
une source de courant contrle par un courant.

m
T C m
g / r
V / I g
=
=
B
E
i
e
i
c
C
i
b
v
be
+
-
r
g
m
v
be
B
E
i
e
i
c
C
i
b
v
be
+
-
r
g
m
v
be
B
E
i
e
i
c
C
i
b
v
be
+
-
r

ib
B
E
i
e
i
c
C
i
b
v
be
+
-
r

ib

Figure 5.8.1.1 : Modle hybride-

Le modle reproduit exactement toutes les expressions reliant les courants i
b
, i
e
et i
c
au
signal v
be
:

c m be
i g v = ,
be
b
v
i
r
= et ( ) ( )
( )
1 1
1
be be be be be
e m be m
e
v v v v v
i g v g r
r
r r r r
= + = + = + = =
+

Nous verrons plus loin comment ce modle peut tre modifi pour tenir compte de leffet
Early.

Page 230
5.8.2 Exemple : Modle hybride-

Calculer le gain de tension de lamplificateur. Le transistor utilis possde un de 100.

V
CC
= +10 V
R
C
= 3 k
R
BB
= 100 k
V
BB
= 3 V
v
i
V
CC
= +10 V
R
C
= 3 k
R
BB
= 100 k
V
BB
= 3 V
v
i

Figure 5.8.2.1 : Circuit pour lexemple du modle hybride-

Solution :
1. Redessiner le circuit pour calculer les courants et les tensions au point
de repos.

+10 V
2.3 mA
0.023 mA
+3 V
100 k
3 k
+0.7 V
2.323 mA
+3.1 V
+10 V
2.3 mA
0.023 mA
+3 V
100 k
3 k
+0.7 V
2.323 mA
+3.1 V

Figure 5.8.2.2 : Circuit au point de repos

On suppose que la tension base-metteur V
BE
=0,7V, et on calcule le
courant de base :

3 0, 7
0, 023
100
B
V
I mA
k
= =

Le courant dc au collecteur est donc : 100x0, 023 2, 3
C B
I I mA = = =

Page 231

La tension au collecteur : 10 2, 3x3 3,1
C CC C C
V V I R V = = =

Puisque V
B
=0,7V, la jonction collecteur-base est polarise en inverse
et le transistor fonctionne bien dans la rgion active :

2, 323
E B C
I I I mA = + =

2. Ayant dtermin les courants au point de repos, on peut calculer les
paramtres du modle petits signaux :

v
i
R
BB
= 100 k
R
C
= 3 k
B C
E
v
o
v
be
+
-
r
g
m
v
be
v
i
R
BB
= 100 k
R
C
= 3 k
B C
E
v
o
v
be
+
-
r
g
m
v
be

Figure 5.8.2.3 : Modle hybride- de lexemple

2, 3
92
25
C
m
T
I mA mA
g
V mV V
= = =

100
1, 09
92
m
r k
mA
g
V
= = =

i
b
BB
v
i
R r
=
+

be b i
BB
r
v r i v
R r

= =

+

c m be m i
BB
r
i g v g v
R r

= =

+

o C c C m i
BB
r
v R i R g v
R r

= =

+


Page 232
Le gain de tension est donc :

1, 09
3x92 3, 04
100 1, 09
o
v C m
i BB
v r
A R g
v R r

= = =

+ +

O le signe ngatif pour le gain indique une inversion de phase.

5.8.3 Modle en T

Le modle hybride- est de loin le plus utilis pour lanalyse de circuit BJT. Toutefois,
dans certains cas, une topologie diffrente, appele modle en T peut simplifier lanalyse.
Comme pour le modle hybride-, le modle en T prsente deux formes diffrentes :
lune utilisant une source de courant contrle par une tension, lautre une source de
courant contrle par un courant.

m E
T
e
T C m
g I
V
r
V / I g
= =
=
C
i
b
g
m
v
be
E
r
e
v
be
+
-
B
i
c
i
e
C
i
b
g
m
v
be
E
r
e
v
be
+
-
B
i
c
i
e
v
be
+
-
C
E
i
c
i
b
i
e
r
e
i
e
v
be
+
-
C
E
i
c
i
b
i
e
r
e
i
e

Figure 5.8.3.1 : Modle en T

Les relations entre i
b
, i
e
, i
c
et v
be
sont reproduites par le modle :

( ) ( )
( )
2
1 1 1
1 1
be be be be be be
b m be m e
e e e e
v v v v v v
i g v g r
r r r r r r

= = = = = =

+ +

c m be
i g v = et
be
b
e
v
i
r
=


Page 233
5.8.4 Exemple : Modle petit signal de base

Le circuit suivant est un amplificateur base-commune avec couplage capacitif de la
source de signal dentre v
i
et du signal de sortie v
o
. Le couplage capacitif permet de
sparer lanalyse dc pour la polarisation du BJT au point de repos, de lanalyse ac avec le
modle petit signal.

+
-
V
+
= +10 V
R
E
= 10 k
R
C
= 5 k
V
-
= -10 V
C =
v
o
v
i
+
-
+
-
+
-
V
+
= +10 V
R
E
= 10 k
R
C
= 5 k
V
-
= -10 V
C =
v
o
v
i

Figure 5.8.4.1 : Circuit pour lexemple du modle en T

Calculer le gain de tension de cet amplificateur.

Solution :
1. Calculer les courants et tensions au point de repos. La base tant relie
la masse, on calcule la courant dmetteur :

10 0, 7
0, 93
10
BE
E
E
V V
I mA
R
+

= = =

Avec =100, on a : 0, 99
1
= =
+

Le courant de collecteur est donc : 0, 92
C E
I I mA = =

La tension de collecteur : 10 0, 92x5 5, 4
C C C
V V I R V
= + = + =


Page 234
+10 V
-10 V
10 k
5 k
0.93 mA
0.92 mA
+0.7 V
-5.4 V
+10 V
-10 V
10 k
5 k
0.93 mA
0.92 mA
+0.7 V
-5.4 V

Figure 5.8.4.2 : Point de repos du circuit

2. Calculer les paramtres du modle petit signal. En fait, on naura
besoin que de r
e
et de pour calculer le gain :

25
27
0, 93
T
e
E
V mV
r
I mA
= = =

3. Dessiner le circuit quivalent ac de lamplificateur.

R
E
v
i
B
E
C
R
C
i
e
r
e
v
o
i
e
R
E
v
i
B
E
C
R
C
i
e
r
e
v
o
i
e

Figure 5.8.4.3 : Modle en T de lexemple


Page 235

Voici un exemple o le modle en T savre plus pratique que le
modle hybride-. On choisit la forme du modle en T comportant une
source de courant contrle par un courant :

i
e
e
v
i
r
=

C
o e C i
e
R
v i R v
r
= =

Le gain de tension : 1883, 3
o C
v
i e
v R V
A
v r V
= = =

On note que le gain est positif, ce qui veut dire que le signal de sortie est en phase
avec le signal dentre. Ceci est une caractristique de lamplificateur base-
commune et na rien voir avec le fait que lon ait utilis un transistor pnp.

Dans le circuit, on note que v
eb
=v
i
. Si lon dsire que lapproximation petit signal
soit valide, la valeur crte de v
i
doit tre limite 10mV. Puisque lamplificateur
a un gain de 183,3 V/V, la valeur crte du signal de sortie qui correspond ce v
i

sera de 1,833V. Nous avons calcul une tension V
C
=-5,4V au point de repos.
Cette tension permet donc des variations de 1,833V de part et dautre du point de
repos sans quil y ait de saturation.
5.8.5 Modification du modle hybride- pour leffet Early

Dans un transistor rel (i.e. non idal), le courant de collecteur nest pas entirement
indpendant de v
CE
, puisquun changement dans la tension de polarisation inverse de la
jonction collecteur-base modifie la largeur efficace de la base, W. Cette dpendance de i
c

envers v
CE
est commue sous le nom deffet Early.

On peut tenir compte de leffet Early dans le hybride- du BJT en ajoutant une rsistance
r
o
en parallle avec la source de courant contrle. La valeur de r
o
est donne part :

A
o
C
V
r
I
=

O V
A
est la tension de Early et I
C
est le courant de collecteur au point de repos.

Linfluence de r
o
sur les caractristiques dun circuit BJT dpend de la configuration du
circuit et des valeurs relatives de r
o
vis--vis dautres rsistances dans le circuit.


Page 236
B
E
v
+
-
C
g
m
v
r
o
r
B
E
v
+
-
C
g
m
v
r
o
r
i
b
i
b
B
E
C
r
o
r
i
b
i
b
B
E
C
r
o
r

Figure 5.8.5.1 : Modle hybride- avec leffet Early

5.8.6 Exemple : Modle hybride- avec leffet Early

Le transistor dans le circuit est polaris par une source de courant de 1mA lmetteur.
=100 et V
A
=100V.

R
C
=8k
V
CC
=10V
R
S
=2k
I=1mA
- V
EE
+
-
R
L
=8k
+
-
v
o
R
B
=10k
v
i
R
C
=8k
V
CC
=10V
R
S
=2k
I=1mA
- V
EE
+
-
R
L
=8k
+
-
v
o
R
B
=10k
v
i

Figure 5.8.6.1 : Exemple de circuit pour le modle hybride- avec leffet Early

a) Trouver les tensions au point de repos
b) Calculer g
m
, r
et r
o

c) Calculer le gain de tension

Solution :


Page 237
B
C
g
m
v
be
E
r
o
+
-
R
B
R
C
R
L
v
o
+
-
v
i
=10k
R
S
=2k
r
=8k
=8k
B
C
g
m
v
be
E
r
o
+
-
R
B
R
C
R
L
v
o
+
-
v
i
=10k
R
S
=2k
r
=8k
=8k

Figure 5.8.6.1 : Modle hybride- avec leffet Early de lexemple

a) Puisque I
E
=I=1mA et que =100, le courant de base :

1
0, 01
1 100 1
E
B
I mA
I mA
= =
+ +

Ce courant doit facilement passer par la rsistance R
B
cause du condensateur
de couplage qui bloque le dc.

0 0,1
B B B
V I R V = =

En supposant que le transistor fonctionne dans la rgion active

0, 7 0, 8
E B
V V V = =

Le courant au collecteur : 0, 99
C E
I I mA = =

Et la tension au collecteur : 10 0, 99x8 2
C CC C C
V V I R V = = =

La jonction collecteur-base est donc polaris en inverse et le transistor
fonctionne bien dans la rgion active.

b) 40
C
m
T
I mA
g
V V
= = , 2, 5
T
B
V
r k
I
= = et 100
A
o
C
V
r k
I
= =

c)
( )
( ) ( )
//
10// 2, 5
// 2 10// 2, 5 2
B i
be i i
S B
R r v
v v v
R R r
= = =
+ +

c m be
i g v = et ( ) // //
o c o C L
v i r R R =


Page 238
donc, ( )
1
// // 77
2
o
v m o C L
i
v V
A g r R R
v V
= = =

Si on ignore r
o
, le gain augmente de 3,9%.
5.9 Configuration damplificateur

Pour tudier les trois configurations de base dun amplificateur BJT, nous utilisons le
circuit damplificateur universel ci-dessous.

B
C Z
X
E Y
+V
CC
-V
EE
R
B
R
E
R
CC
C
2
C
1
C
3
B
C Z
X
E Y
+V
CC
-V
EE
R
B
R
E
R
CC
C
2
C
1
C
3

Figure 5.9.1 : Amplificateur universel BJT

Selon la configuration dsire, le signal dentre sera appliqu soit la borne X ou soit
la borne Y; le signal de sortie sera prlev une autre borne et la troisime borne sera
relie la masse. Puisque deux alimentations sont disponibles, la polarisation du BJT
sera faite selon la technique deux alimentations vue prcdemment. Les condensateur
C
1
, C
2
et C
3
sont suffisamment grands pour quon puisse les considrer comme des
courts-circuits aux frquences dintrt. Noter que mme si lanalyse des circuit se fait
avec des condensateurs pour le couplage ac des signaux, les caractristiques des
amplificateurs (gain, R
in
et R
out
) restent les mme que si on utilisait un couplage direct.

Configuration Signal dentre Signal de sortie Commun
metteur-commun v
i
en X V
out
en Z Y la masse
base-commune

v
i
en Y V
out
en Z X la masse
collecteur-commun v
i
en X V
out
en Y Z la masse


Page 239
5.9.1 metteur-commun

La configuration metteur-commun est obtenu en reliant la borne X la source du signal,
la borne Y la masse et en prlevant le signal de sortie la borne Z. Puisque les
condensateurs sont considrs comme des courts-circuits aux frquences dintrt du
signal, le circuit quivalent petit signal nous montre la source du signal relie la borne
X travers la rsistance interne de la source (R
S
), la rsistance dmetteur R
E
court-
circuite et la charge R
L
directement la borne Z de sortie. Le circuit quivalent suivant
utilise le modle hybride- du BJT.

R
C
R
L
R
s
R
B
R
E
i
i
-V
EE
+
R
i
v
i
-
+
v
o
-
+
v
o
-
C
3
=
C
1
=
C
2
=
C
X
B
Z
Y
R
o
E
+
-
+
-
v
s
+V
CC

Figure 5.9.1.1 : Configuration metteur-commun

v
i
+
-
R
s
X
g
m
v
R
L
i
o
R
o
B
R
i
R
B
-
v
+
r
E
C Z
+
-
R
C
+
v
o
-
v
i
+
-
R
s
X
g
m
v
R
L
i
o
R
o
B
R
i
R
B
-
v
+
r
E
C Z
+
-
R
C
+
v
o
-
+
v
o
-

Figure 5.9.1.2 : Circuit quivalent de la configuration metteur-commun

Une simplification supplmentaire de ce circuit quivalent peut tre effectue en le
transformant en circuit quivalent dun amplificateur transconductance pour lequel :

R
i
=R
B
//r
, G
m
=-g
m
et R
o
=R
C
//r
o


Page 240

+
-
v
s
v
i

+
-
R
i

R
s
i
i

X
G
m
v
i

-
Z
R
L

i
o

v
o

+
R
o

Figure 5.9.1.3 : Simplification du circuit quivalent de la configuration metteur-commun

La rsistance dentre est obtenue par inspection du circuit quivalent :

R
i
= R
B
// r
si R
B
>> r

La transconductance G
m
est dfini par :

0
L
o m
m
i
R
i g v
G gm
v v
= =

Pour dterminer la rsistance de sortie, on court-circuite la source de signal dentre, on
enlve la charge R, on applique un courant i
x
la sortie de lamplificateur et on mesure la
tension de sortie v
x
:

0
//
i
x
o C o
x
v
v
R R r
i
=
=

Le gain de tension en boucle ouverte est :

( ) //
L
o
vo m o m c o
i
R
v
A G R g R r
v
=
= =

Gnralement, r
o
>>R
c
et A
vo
-g
m
R
c

Le gain de tension de lensemble, incluant R
L
et R
S
:

( )
( )
( )
( )
//
// // //
//
B i o i
v m o L m c o L
s i i S B S
R r v v R
A G R R g R r R
v v R R R r R
= = =
+ +

Si R
B
>>r
, lexpression du gain de tension peut tre simplifie :


Page 241
( ) // //
v m c o L
S
r
A g R r R
r R
=
+

Et en remplaant g
m
r
=

( ) // //
c o L
v
S
R r R
A
r R
=
+

Noter que si R
S
=0, le gain de tension devient indpendant de puisque r
=/g
m
.

Par dfinition, le gain de courant en court-circuit est :

0
S
L
m i
o
i m i
i
i
R
i
G v
i
A G R
v
i
R
=
= =

Donc,

( ) //
S
m B
i m B
B
g r R
A g R r
R r
= =
+

Et en remplaant g
m
r
= :

si
S
B
i B
B
R
A R r
R r

= >>
+

En rsum, la configuration metteur-commun permet dobtenir :

Une rsistance dentre intermdiaire (r
)
Une rsistance de sortie intermdiaire (R
C
//r
o
)
Des gains de tension et de courant grands

Noter quil y a une inversion de phase entre le signal dentre et le signal de sortie.

5.9.1.1 metteur-commun avec une rsistance lmetteur

Le fait dinclure une rsistance entre lmetteur et la masse apporte des modifications
importantes aux caractristiques de lamplificateur metteur-commun. Noter, dans le
circuit suivant, que la rsistance totale lmetteur R
E
=R
c
+R
E1
est celle qui est effective
en dc et donc celle qui doit tre utilise dans le calcul du point de repos. Toutefois,
puisque C
2
est trs grand et apparat comme un court-circuit aux frquences dintrt du
signal, la rsistance effective entre lmetteur et la masse ces frquences est R
c
.

Page 242

+V
CC
-V
EE
B
X
Z
C
+
-
Y
R
B
R
C
R
s
R
L
R
o
R
ib
R
E
R
C
R
i
R
E1
v
s
i
i
C
1
=
C
2
=
C
3
=
+
+ -
-
v
i
v
o
+V
CC
-V
EE
B
X
Z
C
+
-
+
-
+
-
+
-
+
-
Y
R
B
R
C
R
s
R
L
R
o
R
ib
R
E
R
C
R
i
R
E1
v
s
i
i
C
1
=
C
2
=
C
3
=
+
+ -
-
v
i
v
o

Figure 5.9.1.1.1 : Configuration metteur-commun avec rsistance lmetteur

Le circuit quivalent, bas sur le modle hybride- du BJT, est donn ici :

v
s
v
i
+
-
R
s
i
i
X
g
m
v
R
L
i
o
R
o
B
R
i
R
B
-
v
+
r
E
C Z
+
-
R
C
R
ib
R
e
R
oc
r
o
-
v
o
+
v
s
v
i
+
-
R
s
i
i
X
g
m
v
R
L
i
o
R
o
B
R
i
R
B
-
v
+
r
E
C Z
+
-
+
-
+
-
R
C
R
ib
R
e
R
oc
r
o
-
v
o
+

Figure 5.9.1.1.2 : Circuit quivalent de la configuration metteur-commun avec rsistance
lmetteur

La prsence de r
o
complique lanalyse de circuit puisquelle relie, en quelque sorte, la
sortie de lamplificateur lentre de celui-ci. Puisque r
o
est trs grand, son influence sur
la rsistance dentre, R
i
, et la transconductance, G
m
, de lamplificateur peut, en gnral,
tre nglige. Par contre, r
o
a une grande influence sur la rsistance de sortie (R
OC
de la
figure prcdente) et on devra en tenir compte.


Page 243
Pour calculer la rsistance dentre, on utilise le circuit quivalent o lon ignare r
o
et on
obtient :

R
B
R
s
i
b
=v
/r
v
i v
s
R
C
R
L
R
e
r
g
m
v
v
o
C
i
o
E
B
i
i
i
i
v
R
+ v
r
g
m
1
b
i
b
b
ib
i
v
i
v
R =
+ +
- -
+
-
v
v
b
R
B
R
s
i
b
=v
/r
v
i v
s
R
C
R
L
R
e
r
g
m
v
v
o
C
i
o
E
B
i
i
i
i
v
R
+ v
r
g
m
1
b
i
b
b
ib
i
v
i
v
R =
+ +
- -
+
-
v
v
b

Figure 5.9.1.1.3 : Rsistance dentre de la configuration metteur-commun avec rsistance
lmetteur

//
i
i B ib
i
v
R R R
i
=

O R
ib
est la rsistance dentre lorsquon regarde la base :

b
ib
b
v
R
i

En examinant le circuit, on note que v
b
=v
i
, alors que i
b
=v
/r

:

1
b m e
v v g v R
r

= + +

Et en remplaant

1
m
g
r

+

par
1
e
r

On a :

1
e
b
e
R
v v
r

= +

Par consquent :


Page 244
1
1
e
e b e
ib
b e
R
v
r v R
R r
v
i r
r

+

= = +

Le fait dinclure R
c
lmetteur a donc pour effet daccrotre la rsistance dentre par un
facteur :

1 1
e
m e
e
R
g R
r

+ +

Donc,

( ) 1
ib m e
R r g R
+
Et

( ) // 1
i B m e
R R r g R
= +

Si on remplace r
par (+1)r
e
dans lquation R
ib
= r
(1+R
e
/r
e
) on obtient :

( ) ( ) 1
ib e e
R r R = + +

Qui nous indique que la rsistance dentre vue par la base est (+1) fois la rsistance
totale lmetteur. Le facteur (+1) provient du fait que le courant de base est 1/(+1)
fois le courant dmetteur.

La transconductance G
m
de lamplificateur est :

0

L
o m
m
i i
R
i g v
G
v v
=
=

Puisque v
b
=v
i
, et que lon a vu prcdemment que :

1
e
b
e
R
v v
r

= +

donc :

1
1
m m
m
e
m e
e
g g
G
R
g R
r

=
+
+


Page 245

Puisque

1 1
m
e
g
r r
= +

Et que
1
r
est ngligeable devant g

m
, la transconductance est donc rduite dun facteur
(1+g
m
R
e
), le mme facteur par lequel la rsistance dentre R
ib
est augmente.

Pour calculer la rsistance de sortie R
o
, il faut reprendre le circuit quivalent comprenant
r
o
.

v
s
v
i
+
-
R
s
i
i
X
g
m
v
R
L
i
o
R
o
B
R
i
R
B
-
v
+
r
E
C Z
+
-
R
C
R
ib
R
e
R
oc
r
o
-
v
o
+
v
s
v
i
+
-
R
s
i
i
X
g
m
v
R
L
i
o
R
o
B
R
i
R
B
-
v
+
r
E
C Z
+
-
+
-
+
-
R
C
R
ib
R
e
R
oc
r
o
-
v
o
+

Figure 5.9.1.1.4 : Rsistance de sortie de la configuration metteur-commun avec rsistance
lmetteur

Pour dterminer la rsistance de sortie dun amplificateur, on court-circuite la source de
signal dentre, on applique un courant la sortie et on dtermine la tension de sortie qui
est produite :

R
s
X
g
m
v
R
B
-
v
+
r
E
C
R
e
r
o
-
v
x
+
i
x
i
x
( i
x
-g
m
v
)
( )
s B
e
R R r
v
+
e s e
R i v
R
s
X
g
m
v
R
B
-
v
+
r
E
C
R
e
r
o
-
v
x
+
i
x
i
x
( i
x
-g
m
v
)
( )
s B
e
R R r
v
+
e s e
R i v

Figure 5.91..5 :Technique utilise pour calculer la rsistance de sortie
1

Page 246

x
oc
x
v
R
i

Le courant passant par r
o
est :

( )
x m
i g v

Tandis que le courant qui atteint le noeud E est i
x
.

Au noeud E, le courant i
x
se divise en deux branches :

lune forme de R
e
,
lautre de r
+ (R
B
// R
S
).

Gnralement, R
e
<< r
+ (R
B
// R
S
), donc v
e
i
x
R
e
.

La fraction du courant i
x
qui passe par r
est donc :
( ) //
e
r
B S
v
i
r R R
+

Ce qui dveloppe une tension :
( ) //
x e
B S
i R r
v
r R R
=
+

Enfin, la tension entre le collecteur et la masse :
( ) //
m x e
x x o x e
B S
g i R r
v i r i R
r R R

= + +

+

Donc,
( )
1
//
x m e
oc o e
x B S
v g R r
R r R
i r R R

= + +

+

Habituellement, R
e
<< r
o
, et on peut ignorer ce second terme.

( )
( )
1
1 // /
// // 1
1 // /
m e
oc o
b S
m e
o c oc c o
b S
g R
R r
R R r
g R
R R R R r
R R r

+

+

= = +

+

Et si ( ) //
S B
r R R
>> alors
o c
R R .

Les calculs prcdents vont nous permettre dutiliser le modle damplificateur
transconductance pour dterminer les gains de tension et de courant.


Page 247

Gain de tension:

( )
( )
( )
( )
//
// 1
//
1 // 1
o i o i
v m o L
s s i i S
B m e
m
c e
m e B m e S
v v v R
A G R R
v v v R R
R r g R
g
R R
g R R r g R R
= =

+
+

=
+ + +

( )
( )
//
1
C L
v
m e S
R R
A
r g R R

+ + +

et si R
B
>> (1 + g
m
R
e
) et R
S
est petit :
( ) //
C L
v
e e
R R
A
r R

+

Gain de courant:

+
-
v
s
v
i
+
-
R
i
R
s
i
i
X
G
m
v
i
-
Z
R
L
i
o
v
o
+
R
o
e m
m
m
R g
g
G
+
=
1
C o
R R ( )
e m B i
R g r // R R + = 1
+
-
+
-
+
-
v
s
v
i
+
-
R
i
R
s
i
i
X
G
m
v
i
-
Z
R
L
i
o
v
o
+
R
o
e m
m
m
R g
g
G
+
=
1
C o
R R ( )
e m B i
R g r // R R + = 1
e m
m
m
R g
g
G
+
=
1
C o
R R ( )
e m B i
R g r // R R + = 1

Figure 5.9.1.1.6 : Gain de courant de la configuration metteur-commun avec rsistance lmetteur

Rsum :

Le fait dinclure une rsistance R
e
dans lmetteur procure les avantages suivants :

1) La rsistance dentre R
i
est augmente dun facteur (1 + g
m
Re).

2) Le gain de tension, bien que rduit, est beaucoup moins dpendant du du transistor
( la condition que R
s
soit petit).

3) La plage dynamique du signal dentre est augmente dun facteur (1 + g
m
R
e
).


Page 248
5.9.2 Base-commune
La configuration base-commune est obtenue de lamplificateur universel en reliant la
borne Y la source de signal, la borne X la masse et en prlevant le signal de sortie la
borne Z. Noter que la rsistance R
B
peut tre remplace par un court-circuit et le
condensateur C
1
limin. La valeur des condensateurs est suffisamment grande pour
quon puisse les considrer comme des courts-circuits aux frquences dintrt du signal.
Le circuit quivalent petit signal montre la source du signal relie la borne Y via la
rsistance de source R
S
, tandis que la charge R
L
est relie directement la borne Z.
Gnralement, la rsistance r
o
du BJT a un effet ngligeable sur les caractristiques de
lamplificateur base-commune, cest pourquoi cette rsistance napparat pas dans le
circuit.

+V
CC
+
-
R
C
R
L
R
s
R
o
R
B
R
E
R
i
i
o +
v
o
i
i
v
s
v
i
-V
EE
+
-
-
C
3
=
C
1
=
C
2
=
C
X
E
B
Z
Y
+V
CC
+
-
+
-
+
-
R
C
R
L
R
s
R
o
R
o
R
B
R
E
R
i
R
i
i
o +
v
o
i
i
v
s
v
i
-V
EE
+
-
-
C
3
=
C
1
=
C
2
=
C
X
E
B
Z
Y

Figure 5.9.2.1 : Configuration base-commune

Lanalyse du circuit damplification base-commune deffectue plus facilement en prenant
le modle en T du BJT. Nous allons calculer R
i
, G
m
et R
o
de lamplificateur
transconductance en fonction des paramtres g
m
, , , r
et r
e
du transistor.


Page 249
+
-
B
C Z
E
Y
R
C
R
s
R
E
R
i
R
L
R
o
i
o
v
o
i
i
v
i
v
s
i
e
r
e
i
e
+
-
+
-
+
-
+
-
B
C Z
E
Y
R
C
R
s
R
E
R
i
R
L
R
o
i
o
v
o
i
i
v
i
v
s
i
e
r
e
i
e
+
-
+
-

Figure 5.9.2.2 : Circuit quivalent de la configuration base-commune

La rsistance dentre, R
i
, est obtenue par inspection du circuit prcdent.

//
i E e
R R r = mais puisque
E e
R r >> alors
i e
R r

La transconductance Gm est calcule comme suit :

0
L
o e
m
i i
R
i i
G
v v
=

mais daprs le circuit, on voit que :
i
e
e
v
i
r
=

Donc :
m m
e
G g
r
= =

Pour dterminer R
o
, on force v
S
0, ce qui rend i
e
= 0 (B et E sont tous deux 0 ) et la
source de courant i
e
= 0.

En regardant par la borne Z, sans la charge R
L
, on trouve :
o C
R R =

Reprenons le circuit quivalent de lampli base-commune pour calculer le gain de tension
A
vo
et le gain de courant A
is
.


Page 250
e i
r R
C o
R R
v
s
v
i
+
-
+
-
R
i
R
s
i
i
m m
g G =
-
Z
R
L
i
o
v
o
+
R
o
G
m
v
i
Y
e i
r R
C o
R R
v
s
v
i
+
-
+
-
R
i
R
s
i
i
v
s
v
i
+
-
+
-
+
-
+
-
R
i
R
s
i
i
m m
g G =
-
Z
R
L
i
o
v
o
+
R
o
G
m
v
i
Y

Figure 5.9.2.3 : Gain de tension et de courant de la configuration base-commune

Le gain de tension en circuit ouvert est :

o
L
o m i o
v m o
i i
R
v G v R
A G R
v v
=
= =

donc, avec Gm = gm et Ro = RC :
o
v m C
A g R =

Le gain de courant en court-circuit est :

0
S
L
o m i
i m i
i
i
R
i
i G v
A G R
v
i
R
=
= =

donc, avec Gm = gm et Ri re :
S
i m e
A g r = =

Le gain de tension effectif est :

( )
( )
//
//
i
v m C L
i S
e
m C L
e S
R
A G R R
R R
r
g R R
r R
=
+
=
+

En rsum :

Les principales caractristiques de lamplificateur base-comune sont :

1) une rsistance dentre trs faible :
i e
R r

2) une rsistance de sortie grande :
o C
R R =

Page 251

3) un gain de courant prs de 1:
s
i
A =

4) un gain de tension trs grand :
o
v m C
A g R = et sans inversion de signe.

Le fait que A
vo
soit positif limine leffet Miller. Lampli base-commune a donc une plus
grande largeur de bande que lampli metteur-commun.

5.9.3 Collecteur-commun

La configuration collecteur-commun est obtenue de lamplificateur universel en reliant la
borne X la source, la borne Z la masse et en prlevant le signal de sortie la borne Y.
C
1
et C
3
sont considrs comme des court-circuits aux frquances dintrt. Dans le
circuit quivalent, le collecteur se retrouve la masse, la source de signal est relie la
base via R
S
et la rsistance de charge, R
L
, est relie lmetteur. En pratique R
C
peut tre
remplace par un court-circuit et C3 limin.

C
1
=
B
+
-
C
Z
E
Y
i
o
v
o
+
-
R
L
R
o
C
2
=
C
3
=
R
C
R
ib
R
E
V
CC
-V
EE
R
B
v
s
R
s
X
i
i
v
i
+
-
C
1
=
B
+
-
+
-
+
-
+
-
C
Z
E
Y
i
o
v
o
+
-
R
L
R
o
C
2
=
C
3
=
R
C
R
ib
R
E
V
CC
-V
EE
R
B
v
s
R
s
X
i
i
v
i
+
-

Figure 5.9.3.1 : Configuration collecteur-commun

Lanalyse du circuit est plus simple si on utilise le modle hybride- du BJT dans sa
forme source de courant contrle par un courant.


Page 252

B
E
Y
i
o

v
o

+
-
R
L

R
o

R
ib

R
E

R
B

v
s

R
s

X
i
i

v
i

+
-
+
-
C
i
b

i
b
r
o
r

Figure 5.9.3.2 : Circuit quivalent de la configuration collecteur-commun

Calculons R
i
, A
v
et R
o
de lamplificateur collecteur-commun en fonction des paramtres
g
m
, , , r
et r
e
du transistor.

La rsistance dentre Ri est : //
i B ib
R R R =

Avant de calculer R
ib
, il faut noter que le ro du BJT se trouve en parallle avec R
E
et R
L
.

La rsistance totale lmetteur est donc : // //
E o E L
R r R R =

La tension lmetteur : ( ) 1
e b e
v i R = +

La tension la base :
b b e
v r i v
= +

Donc, la rsistance vue par la base :

( )
( ) ( )( )
1
1 1
b
b b
i e
b b
i b e e e
v i
R r R
i i
R r R r R

= + +

= + + = + +

Et la rsistance dentre : ( ) ( ) // 1 // //
i B e o E L
R R r r R R = + +

En examinant lexpression pour la rsistance dentre :

( ) ( ) // 1 // //
i B e o E L
R R r r R R = + +

On note que R
i
sera gnralement trs grande en raison du facteur ( + 1) qui multiplie le
terme entre crochets. Ceci est une caractristique importante de lamplificateur
collecteur-commun. En fait, pour que Ri soit grande, il faut choisir R
B
grande aussi.

Page 253
Comme nous lavons vu dans lanalyse des circuits de polarisation, une grande rsistance
R
B
augmente la sensibilit du courant de polarisation aux variations du des transistors.
Ceci nest pas un problme majeur pour lampli collecteur-commun car, comme nous le
verrons, le gain de tension nest pas trs affect par les variations de . Enfin, notons que,
dans le cas o un couplage dc de la source de signal est possible, on peut liminer R
B
et
remplacer C
1
par un court-circuit.

Gain de tension :

Dans lanalyse de lampli metteur-commun, nous avions trouv :

be e
b e e
v R
v R r
=
+

o Re tait la rsistance lmetteur. Nous pouvons appliquer ce rsultat lampli
collecteur-commun en notant que v
b
= v
i
, v
e
= v
o
et R
e
= R
E
// r
o
// R
L
.

Donc,

( )
( )
// //
// //
E o L o
i E o L e
R r R v
v R r R r
=
+

Dautre part, le signal v
i
apparaissant lentre de lamplificateur est :

i
i s
i S
R
v v
R R
=
+

De sorte que le gain effectif de lamplificateur collecteur-commun est :

( )
( )
// //
// //
E o L o i
v
s i S E o L e
R r R v R
A
v R R R r R r
=
+ +

Puisque R
i
>> R
S
et (R
E
// r
o
// R
L
) > r
e
, le gain de tension Av sera gnralement prs de
1. Une approximation utile (et justifie lorsque R
L
<< (R
E
// r
o
) et que R
B
est grande) pour
le gain de tension est :

( )
( )
1
1
L
v
L S
R
A
R r R
+ + +


Page 254
Gain de courant :

( )
o
o o i L
i
s
i i L
s i
v
i v R R
A
v
i v R
R R
= =
+

et en remplaant v
o
/v
i
par lexpression trouve pralablement :

( )
( )
// //
// //
E o L i i
i
L E o L e L
R r R R R
A
R R r R r R
=
+

Quand R
L
<< (R
e
// r
o
) et R
B
>> R
ib
, R
i
peut tre remplac par : ( ) 1
L
r R
+ +

et le gain de courant par : ( ) 1
i
A +

Rsistance de sortie :

Par inspection du circuit quivalent, on note que la rsistance de sortie Ro est :

// //
e
o E o i
R R r R =

o
e
x
i
v
R
i

mais ( ) 1
b b b
i i i i = = + et
( ) //
x
b
S B
v
i
r R R
=
+

Donc
( )
( )
//
1
S B
ie
r R R
R

+
=
+

Et
( ) //
// //
1
S B
o E o
r R R
R R r

+
=
+

En rsum :
Les principales caractristiques de lamplificateur collecteur-commun sont :

1) une rsistance dentre trs grande : ( ) 1
i L
R R +

2) un gain de tension prs de 1 :

Page 255
( )
( )
1
1
L
v
L S
R
A
R r R
+ + +

3) un gain de courant trs grand : ( ) 1
i
A +

4) une rsistance de sortie trs faible :
( ) //
1
S B
o
r R R
R

+

5.9.4 Rsum des 3 configurations

Tableau 5.9.4.1 : Rsum des 3 configurations damplificateur BJT
i
R
o
R
0 = =
L
i
o
m
R
v
i
G
s
o
v
v
v
A
i
o
i
i
i
A

r r // R
B
C o C
R r // R
m
g
( )
L
L o C
L o C m
L
B
R
R // r // R
R // r // R g
R
r // R

( )
( )
( )
s
o L C
L o C m
s B
B
R r
r // R // R
R // r // R g
R r // R
r // R
+
( )( )
( )
e m B
e e B
R g r // R
R r // R
+
+ +
1
1
( )
C
B s
e m
o C
R
r / R // R
R g
r // R
+
+
1
1
( )
e m m
R g / g + 1
( )
( ) [ ]
( )
( )
( )
( ) ( )
e e L C
s e m
L C
L C
e m
m
s e m B
e m B
R r / R // R
R R g r
R // R
R // R
R g
g
R R g r // R
R g r // R
+
+ +

+ + +
+
1
1 1
1
( )
( )
( )
L
L C
L C
e m
m
L
e m B
R
R // R
R // R
R g
g
R
R g r // R

+
+

1
1
e
r
C
R
m
g
s e
L C
R r
R // R
+
L
L C
R
R // R
( ) ( ) [ ]
L o E e B
R // r // R r // R + + 1
+
+
1
B s
e E
R // R
r // R
non pertinent
( )
( )
( )
s L
L
e L o E
L o E
s i
i
R r R
R
r R // r // R
R // r // R
R R
R
+ + +
+
+ +
1
1
( )
L
L E
L i
R
R // R
R / R
1 +
metteur-commun
metteur-commun
avec rsistance R
e
Base-
commune Collecteur-commun

5.9.5 Exemple pour les 3 configurations damplificateur BJT


Page 256
Les composants du circuit suivant sont : R
B
=100k, R
E
=10k, R
C
=10k et on suppose
R
S
=R
L
=10k. Les alimentations disponibles sont : V
CC
=10V et V
EE
=-10V. Les
paramtres du transistor sont : =100 et V
A
=100V.

B
C Z
X
E Y
+V
CC
-V
EE
R
B
R
E
R
CC
C
2
C
1
C
3
B
C Z
X
E Y
+V
CC
-V
EE
R
B
R
E
R
CC
C
2
C
1
C
3

Figure 5.9.5.1 : Amplificatuer BJT universel pour lexemple

a) En effectuant lanalyse du rseau de polarisation, donner les valeurs de V
B
, V
E
,
V
C
et I
C
.
b) Donner les valeurs de g
m
, r
e
, r
et r
o
.
c) Donner les valeurs de R
i
, R
o
, G
m
A
v
et A
i
pour les configurations metteur-
commun, metteur-commun avec R
e
=170, base-commune et collecteur-
commun.

Solution :

a) Lanalyse du rseau de polarisation donne les valeurs suivantes :

0.84 V 1.6 V
0.84 mA 1.54 V
B C
C E
V V
I V
= = +
= =

b) Do lon obtient :
33.6 mA V
30 , 3 k
119 k
m
e
o
g
r r
r
=

=

c)


Page 257

Tableau 5.9.5.1 : Solution pour les 3 configurations damplificateur BJT
R
i
(k)
R
o
(k)
G
m
(mA/V)
A
v
(V/V)
A
i
(A/A)
2.9
-36.2
9.2
-33.6
-46.7
16.7
9.7
-5
-15.6
-41.7
0.03
10
33.6
0.5
0.5
83
0.118
0.89
8.9
non pertinent
metteur
-commun
metteur-commun
avec R
e
=170
Base-
commune
Collecteur-
commun
R
i
(k)
R
o
(k)
G
m
(mA/V)
A
v
(V/V)
A
i
(A/A)
2.9
-36.2
9.2
-33.6
-46.7
16.7
9.7
-5
-15.6
-41.7
0.03
10
33.6
0.5
0.5
83
0.118
0.89
8.9
non pertinent
metteur
-commun
metteur-commun
avec R
e
=170
Base-
commune
Collecteur-
commun

5.9.6 Amplificateur universel avec polarisation par source de
courant

Lanalyse des trois configurations de base damplificateurs BJT peut tre reprise en
considrant un amplificateur polaris par une source de courant lmetteur plutt
quune rsistance R
E
. Toutefois, on peut simplement supposer que la source de courant a
une rsistance interne
E
R et utiliser les expressions de R
i
, R
o
, G
m
, A
v
et A
i
tablies
prcdemment, dans lesquelles R
E
a t remplace par une trs grande valeur de faon
ce que R
E
apparaisse comme un circuit-ouvert lorsquelle est en parallle avec dautres
rsistances. La figure suivante montre une ralisation possible de source de courant
pouvant tre utilise pour polariser le BJT dans lamplificateur universel. Dautres
ralisations de sources de courant sont possibles avec des JFET ou des MOSFET.

6 Familles logiques
faire
Familles logiques

Un designer na pas toujours une vaste panoplie de familles logiques sa disposition lors
de sa conception. Toutefois, il doit tre familier avec leurs caractristiques : mission,

Page 258
immunit, susceptibilit. En effet, le choix dune famille logique plutt quune autre
ltape du design peut savr crucial. Voici quelques caractristiques intressantes :

Famille
logique
Temps de
monter
(ns)
Saut de tension
de la sortie
(V)
Ratio du
front
montant
Marge de bruit
(mV)
Coefficient marge de
bruit/temps de
monter
(mV/ns)
a b c d=c/b e f=e/b
ECL-10K 2 0,8 0,4 125 63
ECL-100K 0,75 0,8 1,07 100 133
TTL 10 3,4 0,34 400 40
LP-TTL 15 3,5 0,23 400 27
STTL 3 3,4 1,13 300 100
LS-TTL 8 3,4 0,43 300 38
CMOS-3,3V 1,5 1,2 0,8 800 533
CMOS-5V 100 5,0 0,05 1000 10
CMOS-15V 50 15,0 0,30 4500 90
HS-CMOS 10 5,0 0,50 1000 100

Un temps de monter plus rapide signifie une plus grande quantit dharmoniques.
Dpendamment des demandes du circuit, un temps de monter plus lent est souhaitable.
Les familles logiques possdant une marge de bruit plus leve et un saut de tension de
sortie plus lev sont plus rsistant aux ondes EM. Limmunit aux ondes EM est rduite
si les familles logiques sont mlanges.
Marge de bruit

La marge de bruit est une mesure de lextension du niveau logique quune technologie
qui lui permet de supporter une quantit de bruit.

La marge de bruit haut est donne par :

Page 259

NH OH(min) IH(min)
V = V - V

La marge de bruit bas est donne par :

NL IL(max) OL(max)
V = V - V

V
NH
et V
NL
donne le niveau de tension maximal du bruit qui ne causera pas de niveau
logique erron ou ambigu pour, respectivement, le niveau haut (H) et bas (L).

La marge de bruit est un facteur important puisquelle offre une certaine tolrance aux
radiations dondes EM.

Livre ELE2302 PDF

Uploaded by

Document Information

Original Title

Copyright

Available Formats

Share this document

Share or Embed Document

Sharing Options

Did you find this document useful?

Is this content inappropriate?

Copyright:

Available Formats

Livre ELE2302 PDF

Uploaded by

Copyright:

Available Formats

COLE POLYTECHNIQUE DE MONTRAL

, le dplacement net ne sera pas nul

: Vlocit de drive de llectron

: Variation diffrentielle du gradient de concentration

. En soustrayant le flux net dans A x on a :

pour l'itration k courante, en utilisant

, lexpression du gain de tension peut tre simplifie :

est ngligeable devant g

You might also like