Diodo

Diodo en primer plano. Ntese la forma cuadrada del cristal

semiconductor (objeto negro de la izquierda).
Tipo Semiconductor
Principio de
funcionamiento


Efecto Edison
PFecha de invencin
John Ambrose Fleming
(1904)
Smbolo electrnico

Configuracin nodo y Ctodo

Un diodo es un componente electrnico de dos terminales que permite la circulacin de la
corriente elctrica a travs de l en un solo sentido. Este trmino generalmente se usa para
referirse al diodo semiconductor, el ms comn en la actualidad; consta de una pieza de
cristal semiconductor conectada a dos terminales elctricos. El diodo de vaco (que
actualmente ya no se usa, excepto para tecnologas de alta potencia) es un tubo de vaco
con dos electrodos: una lmina como nodo, y un ctodo.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no
conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia elctrica muy
pequea.Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son
dispositivos capaces de suprimir la parte negativa de cualquier seal, como paso inicial para
convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio de funcionamiento est
basado en los experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas o tubos de vaco, tambin llamados vlvulas
termoinicas constituidos por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de cristal, con
un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue desarrollado en 1904
por John Ambrose Fleming, empleado de la empresa Marconi, basndose en observaciones
realizadas por Thomas Alva Edison.
Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de vaco tienen un filamento (el ctodo)
a travs del cual circula la corriente, calentndolo por efecto Joule. El filamento est tratado
con xido de bario, de modo que al calentarse emite electrones al vaco circundante los
cuales son conducidos electrostticamente hacia una placa, curvada por un muelle doble,
cargada positivamente (el nodo), producindose as la conduccin. Evidentemente, si el
ctodo no se calienta, no podr ceder electrones. Por esa razn, los circuitos que utilizaban
vlvulas de vaco requeran un tiempo para que las vlvulas se calentaran antes de poder
funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha facilidad.

Diodos termoinicos y de estado gaseoso


Smbolo de un diodo de vaco o gaseoso. De arriba a abajo, sus componentes son, el nodo,
el ctodo, y el filamento.
Los diodos termoinicos son dispositivos de vlvula termoinica (tambin conocida como
tubo de vaco), que consisten en un arreglo de electrodos empacados en un vidrio al vaco.
Los primeros modelos eran muy parecidos a la lmpara incandescente.
En los diodos de vlvula termoinica, una corriente a travs del filamento que se va a
calentar calienta indirectamente el ctodo, otro electrodo interno tratado con una mezcla de
Bario y xido de estroncio, los cuales son xidos alcalinotrreos; se eligen estas substancias
porque tienen una pequea funcin de trabajo (algunas vlvulas usan calentamiento directo,
donde un filamento de tungsteno acta como calentador y como ctodo). El calentamiento
causa emisin termoinica de electrones en el vaco. En polarizacin directa, el nodo
estaba cargado positivamente por lo cual atraa electrones. Sin embargo, los electrones no
eran fcilmente transportados de la superficie del nodo que no estaba caliente cuando la
vlvula termoinica estaba en polarizacin inversa. Adems, cualquier corriente en este
caso es insignificante.
En la mayora del siglo 20 los diodos de vlvula termoinica se usaron en aplicaciones de
seales anlogas, rectificadores y potencia. Hasta el da de hoy, los diodos de vlvula
solamente se usan en aplicaciones exclusivas como rectificadores en guitarras elctricas,
amplificadores de audio, as como equipo especializado de alta tensin.
Diodo Semiconductor
El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P-N, aadindole
un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una
cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al
nodo (zona P) y al ctodo (Zona N)
El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la
batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la
conexin opuesta. Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de
corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin.
En efecto. si se aplica a este diodo una tensin
alterna, nicamente se producir circulacin de
corriente en las ocasiones en que el nodo sea ms
positivo que el ctodo, es decir, en las alternancias
positivas, quedando bloqueado en las ascendencias
negativas, lo que impide el paso de la corriente por
ser en estas ocasiones el nodo ms negativo que el
ctodo.
La corriente resultante ser pulsante, ya que slo
circular en determinados momentos, pero mediante
los dispositivos y circuitos adecuados situados a
continuacin puede ser convertida en una corriente continua constante, que es el que se
emplea actualmente casi en exclusiva; presenta sobre el de vaco algunas ventajas
fundamentales: - Es de tamao mucho ms reducido, lo que contribuye a la miniaturizacin
de los circuitos.
- La cantidad de calor generado durante el funcionamiento es menor, ya que no necesita
ningn calentamiento de filamento. - Funciona con tensiones mucho ms bajas, lo que
posibilita su empleo en circuitos alimentados a pilas o bateras.

- Pueden ser utilizados en equipos que manejen grandes corrientes, aplicacin que con
diodos de vaco resultaba prohibitiva en ocasiones por el gran tamao de stos. Existen
diodos semiconductores de muy pequeo tamao para aplicaciones que no requieran
conducciones de corrientes altas, tales como la demodulacin en receptores de radio. Estos
suelen estar encapsulados. en una caja cilndrica de vidrio con los terminales en los
extremos, aunque tambin se utiliza para ellos el encapsulado con plstico. Clasificacin
Dentro del amplio conjunto de modelos y tipos diferentes de diodos semiconductores que
actualmente existe en el mercado, se puede realizar una clasificacin de forma que queden
agrupados dos en varias familias, teniendo en cuenta aquellas caractersticas ms
destacadas y que, de hecho, son las que determinan sus aplicaciones. De esta forma se
pueden encontrar las siguientes: - Diodos rectificadores de toda la gama de potencias, con
encapsulado individual o en puente. - Diodos de seal de use general. - Diodos de
conmutacin. - Diodos de alta frecuencia. - Diodos estabilizadores de tensin. - Diodos
especiales.
Diodos rectificadores
El encapsulado de estos diodos depende de la potencia que hayan de disipar. Para los de
baja y media potencia se emplea el plstico hasta un lmite de alrededor de 1 vatio. Por
encima de este valor se hace necesario un encapsulado metlico y en potencias ms altos
deber estar la cpsula preparada para que pueda ser instalado el diodo sobre un radiador de
color, por medio de un sistema de sujecin a tornillo. Cualquier sistema rectificador de
corrientes, tanto monofsicas como trifsicas o polifsicas, se realiza empleando varios
diodos segn una forma de conexin denominada en puente. No obstante, tambin se utiliza
otro sistema con dos diodos, como alternativa del puente en algunos circuitos de
alimentacin monofsicos.

Debido al gran consumo a nivel mundial de diodos que ms tarde son empleados en
montajes puente, los fabricantes decidieron, en un determinado momento, realizar ellos
mismos esta disposicin, uniendo en fbrica los cuatro diodos y cubrindolos con un
encapsulado comn. Esto dio lugar a la aparicin de diversos modelos de puentes de diodos
con diferentes intensidades mximas de corriente y, por lo tanto, con disipaciones de
potencia ms o menos elevadas, en la misma forma que los diodos simples. En los tipos de
mayor disipacin, la cpsula del puente es metlica y est preparada para ser montada sobre
un radiador.
Caractersticas
Cualquier diodo rectificador est caracterizado por los siguientes factores: - Corriente
directa mxima (If). - Tensin directa (Vd), para una corriente If determinada. - Tensin
inversa mxima de pico de trabajo (VRWM). - Tensin inversa mxima de pico repetitiva
(VRRM). - Corriente mxima de pico (Ifsm). - Corriente inversa mxima de pico (IRM),
medida a VRRM. - Potencia total (P/tot).
Estas caractersticas debern ser tenidas en cuenta en el momento de la eleccin del modelo
ms adecuado para cada aplicacin, procurando no ajustarse demasiado a los valores
lmites, ya que ello acortara excesivamente la duracin del componente.
Diodos de seal
Los diodos de seal de use general se emplean en funciones de tratamiento de la seal,
dentro de un circuito o bien para realizar operaciones de tipo digital formando parte de
puertas lgicas y circuitos equivalentes, Son de baja potencia. Las caractersticas de estos
diodos son:
- Tensin inversa (Vr), hasta 75 V como mximo. - Corriente directa (If), 100 mA. -
Potencia mxima (P/tot), 200 milivatios (mW)
El encapsulado es en forma de un cilindro miniatura, de plstico o vidrio, estando los dos
terminales de conexin situados en los extremos. Sobre el cuerpo deber estar marcado el
hilo de conexin que corresponde al ctodo, mediante un anillo situado en las proximidades
de ste.
Diodos de conmutacin
Los diodos de conmutacin o rpidos se caracterizan por ser capaces de trabajar con seales
de tipo digital o <<lgico>> que presenten unos tiempos de subida y bajada de sus flancos
muy breves. El factor o parmetro que caracteriza a estos diodos es el tiempo de
recuperacin inverso (TRR) que expresa el tiempo que tarda la unin P-N en desalojar la
carga elctrica que acumula, cuando se encuentra polarizada inversamente (efecto similar a
la acumulacin de carga de un condensador), y recibe sbitamente un cambio de tensin
que la polariza en sentido directo. Pueden ser considerados rpidos aquellos diodos con un
TRR inferior a 400 nanosegundos, en modelos de media potencia, para los de baja potencia
este tipo es del orden de los 5 nanosegundos.
Diodos de alta frecuencia
Los diodos de alta frecuencia se emplean en aquellas partes de un circuito que deben de
funcionar con frecuencias superiores a 1 megahertz (1 milln de ciclos por segundo). Se
caracterizan por presentar una baja capacidad de difusin (Cd) entre las dos zonas
semiconductoras que forman la unin P-N, cuando stas estn polarizadas en sentido
directo.
Diodos zener
Los diodos estabilizadores de tensin se emplean, como su nombre indica, para producir
una tensin entre sus extremos constante y relativamente independiente de la corriente que
los atraviesa. Aprovechan, para su funcionamiento, una propiedad muy interesante que
presenta la unin semiconductora cuando se polariza inversamente por encima de un
determinado nivel.

Normalmente un diodo que recibe una polarizacin inversa no permite el paso de la
corriente o lo hace dejando pasar una intensidad debilsima. Sin embargo, al alcanzar una
determinada tensin, denominada tensin zener se produce un aumento de la cantidad de
corriente, de forma tal que esta diferencia de potencial entre sus extremos se mantiene
prcticamente constante, aunque se intente aumentar o disminuir a base de variar la
intensidad que lo atraviesa. Existe una amplia gama de tipos clasificados por una serie de
tensiones zener normalizadas y por la potencia que son capaces de disipar, desde 250 mili
vatios hasta decenas de vatios, con encapsulado plstico o metlico. Los parmetros que
caracterizan a un diodo zener son:
- Tensin zener (Vz). - Corriente minima para alcanzar la Vz (Iz). - Potencia mxima
(P/tot).
Diodos especiales
Dentro del grupo de diodos especiales estn comprendidos los diodos varicap, diodos tnel
y diodos Led Los primeros se construyen buscando acentuar al mximo la propiedad que
presente la unin P-N de comportarse de una forma anloga a un condensador, cuando se la
polariza inversamente. La capacidad resultante es, adems, variable con la tensin aplicada;
lo cual permite disponer de una forma muy simple de condensadores variables, controlados
por una diferencia de potencial. Su empleo est muy generalizado en etapas de sintona de
receptores de radio y TV.

Caractersticas tcnicas de los Diodos
Hasta aqu ya tenemos una idea del funcionamiento de un diodo; pero conviene que
profundicemos un poco ms en los conceptos elctricos que determinan este
funcionamiento. Para ello vamos a servirnos de la curva caracterstica tpica de un diodo
semiconductor imaginario, tal como podemos ver en el grfico, el cual nos va a dar datos
sobre el comportamiento de este componente electrnico.
El comportamiento de los diodos es ms o menos similar al proporcionado por esa curva,
pero los valores resultantes pueden cambiar segn la potencia del diodo. Pasemos a explicar
el grfico entonces:
En primer lugar tenemos la corriente en sentido directo (If) representada en miliamperios
(mA) que es la corriente que puede circular por el diodo cuando ste presenta la mnima
resistencia. Por otra parte, en la linea horizontal derecha tenemos la escala de las tensiones
directas (Vf) expresadas en voltios (V) a que puede ser sometido el diodo para el paso de la
corriente. Todo eso contituye la caracterstica directa, es decir, el paso de la corriente en
sentido de paso. Un diodo que tuviera las caractersticas representadas en este grfico, al








aplicarle una tensin de 20 V ya dejara pasar unos 10 mA, pero entre 20 y 35 V se
'disparara' y dejara pasar ms de 60 mA.
En la caracterstica inversa, que est representada por la izquierda y en la parte baja del
grfico, se trata de mostrar el funcionamiento del diodo en el sentido de bloqueo. Obsrvese
que aqu la tensin inversa (Vr) est en unidades de kilovoltios (kV), es decir, fracciones de
1000 V; y la intensidad (Ir) en fracciones mucho ms pequeas, de microamperios (uA), es
decir, fracciones que equivalen a 1/1000000 de amperio. Para que la corriente acceda a
pasar en sentido contrario en un diodo como el representado se precisara una tensin entre
500 a 600 voltios con lo cual se producira el paso de corrientes del orden de los 0,50
miliamperios.
Los valores de la caracterstica inversa se llaman corrientes de fuga (Ir).Volv
Curva caracterstica del diodo

Curva caracterstica del diodo.
Tensin umbral, de codo o de partida (V

).La tensin umbral (tambin llamada

barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la
zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo,
la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente
ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin
externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que
para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la
intensidad de corriente.
Corriente mxima (I
max
).Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir
el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor
que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo.
Corriente inversa de saturacin (I
s
).Es la pequea corriente que se establece al
polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a
la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la
temperatura.
Corriente superficial de fugas.Es la pequea corriente que circula por la superficie
del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada
al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de
fugas.
Tensin de ruptura (V
r
).Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar
antes de darse el efecto avalancha.
Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de
saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal
o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de
diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:
Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares
electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa
es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma
que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de
conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la
tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El
resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este
fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V.
Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es
la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse
como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy
dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de
3 10
5
V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar
electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para
tensiones de 4 V o menores.
Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener,
se puede producir por ambos efectos.
Modelos matemticos
El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford
Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las
aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

Donde:
I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo
V
D
es la diferencia de tensin entre sus extremos.
I
S
es la corriente de saturacin (aproximadamente )
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y
que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el
silicio).
El Voltaje trmico V
T
es aproximadamente 25.85mV en 300K, una temperatura cercana a la
temperatura ambiente, muy usada en los programas de simulacin de circuitos. Para cada
temperatura existe una constante conocida definida por:

Donde k es la constante de Boltzmann, T es la temperatura absoluta de la unin pn, y q es la
magnitud de la carga de un electrn (la carga elemental).
La ecuacin de diodo ideal de Schockley o la ley de diodo se deriva de asumir que solo los
procesos que le dan corriente al diodo son por el flujo (debido al campo elctrico), difusin,
y la recombinacin trmica. Tambin asume que la corriente de recombinacin en la regin
de agotamiento es insignificante. Esto significa que la ecuacin de Schockley no tiene en
cuenta los procesos relacionados con la regin de ruptura e induccin por fotones.
Adicionalmente, no describe la estabilizacin de la curva I-V en polarizacin activa debido
a la resistencia interna.
Bajo voltajes negativos, la exponencial en la ecuacin del diodo es insignificante. y la
corriente es una constante negativa del valor de I
s
. La regin de ruptura no esta modelada
en la ecuacin de diodo de Schockley.
Para voltajes pequeos en la regin de polarizacin directa, se puede eliminar el 1 de la
ecuacin, quedando como resultado:

Con objeto de evitar el uso de exponenciales, en ocasiones se emplean modelos ms
simples an, que modelan las zonas de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los
llamados modelos de continua o de Ram-seal. El ms simple de todos es el diodo ideal.
Tipos de diodo semiconductor


Varios diodos semiconductores. Abajo: Un puente rectificador. En la mayora de los
diodos, el terminal ctodo se indica pintando una franja blanca o negra.
Existen varios tipos de diodos, que pueden diferir en su aspecto fsico, impurezas, uso de
electrodos, que tienen caractersticas elctricas particulares usados para una aplicacin
especial en un circuito. El funcionamiento de estos diodos es fundamentado por principios
de la mecnica cuntica y teora de bandas.
Los diodos normales, los cuales operan como se describa ms arriba, se hacen
generalmente de silicio dopado o germanio. Antes del desarrollo de estos diodos
rectificadores de silicio, se usaba el xido cuproso y el selenio: su baja eficiencia le dio una
cada de tensin muy alta (desde 1,4 a 1,7V) y requeran de una gran disipacin de calor
mucho ms grande que un diodo de silicio. La gran mayora de los diodos pn se encuentran
en circuitos integrados CMOS, que incluyen dos diodos por pin y muchos otros diodos
internos.
Diodo avalancha: Diodos que conducen en direccin contraria cuando el voltaje en
inverso supera el voltaje de ruptura. Electricmente son similares a los diodos
Zener, pero funciona bajo otro fenmeno, el efecto avalancha. Esto sucede cuando
el campo elctrico inverso que atraviesa la unin p-n produce una onda de
ionizacin, similar a una avalancha, produciendo una corriente. Los diodos
avalancha estn diseados para operar en un voltaje inverso definido sin que se
destruya. La diferencia entre el diodo avalancha (el cual tiene un voltaje de reversa
de aproximadamente 6.2V) y el diodo zener es que el ancho del canal del primero
excede la "libre asociacin" de los electrones, por lo que se producen colisiones
entre ellos en el camino. La nica diferencia prctica es que los dos tienen
coeficientes de temperatura de polaridades opuestas.
Diodo de Silicio: Suelen tener un tamao milimtrico y, alineados, constituyen
detectores multicanal que permiten obtener espectros en milisegundos. Son menos
sensibles que los fotomultiplicadores. Es un semiconductor de tipo p (con huecos)
en contacto con un semiconductor de tipo n (electrones). La radiacin comunica la
energa para liberar los electrones que se desplazan hacia los huecos, estableciendo
una corriente elctrica proporcional a la potencia radiante.
Diodo de cristal: Es un tipo de diodo de contacto. El diodo cristal consiste de un
cable de metal afilado presionado contra un cristal semiconductor, generalmente
galena o de una parte de carbn. El cable forma el nodo y el cristal forma el
ctodo. Los diodos de cristal tienen una gran aplicacin en los radio a galena. Los
diodos de cristal estn obsoletos, pero puede conseguirse todava de algunos
fabricantes.
Diodo de corriente constante: Realmente es un JFET, con su compuerta conectada
a la fuente, y funciona como un limitador de corriente de dos terminales anlogo al
diodo Zener, el cual limita el voltaje. Ellos permiten una corriente a travs de ellos
para alcanzar un valor adecuado y as estabilizarse en un valor especfico. Tambin
suele llamarse CLDs (por sus siglas en ingls) o diodo regulador de corriente.
Diodo tnel o Esaki: Tienen una regin de operacin que produce una resistencia
negativa debido al efecto tnel, permitiendo amplificar seales y circuitos muy
simples que poseen dos estados. Debido a la alta concentracin de carga, los diodos
tnel son muy rpidos, pueden usarse en temperaturas muy bajas, campos
magnticos de gran magnitud y en entornos con radiacin alta. Por estas
propiedades, suelen usarse en viajes espaciales.
Diodo Gunn: Similar al diodo tnel son construidos de materiales como GaAs o
InP que produce una resistencia negativa. Bajo condiciones apropiadas, las formas
de dominio del dipolo y propagacin a travs del diodo, permitiendo osciladores de
ondas microondas de alta frecuencia.
Diodo emisor de luz: En un diodo formado de un semiconductor con huecos en su
banda de energa, tal como arseniuro de galio, los portadores de carga que cruzan la
unin emiten fotones cuando se recombinan con los portadores mayoritarios en el
otro lado. Dependiendo del material, la longitud de onda que se pueden producir
vara desde el infrarrojo hasta longitudes de onda cercanas al ultravioleta. El
potencial que admiten estos diodos dependen de la longitud de onda que ellos
emiten: 2.1V corresponde al rojo, 4.0V al violeta. Los primeros LEDs fueron rojos
y amarillos. Los LEDs blancos son en realidad combinaciones de tres LEDs de
diferente color o un LED azul revestido con un centelleador amarillo. Los LEDs
tambin pueden usarse como fotodiodos de baja eficiencia en aplicaciones de
seales. Un LED puede usarse con un fotodiodo o fototransistor para formar un
optoacoplador.
Diodo lser: Cuando la estructura de un LED se introduce en una cavidad resonante
formada al pulir las caras de los extremos, se puede formar un lser. Los diodos
lser se usan frecuentemente en dispositivos de almacenamiento pticos y para la
comunicacin ptica de alta velocidad.
Diodo trmico: Este trmino tambin se usa para los diodos convencionales usados
para monitorear la temperatura a la variacin de voltaje con la temperatura, y para
refrigeradores termoelctricos para la refrigeracin termoelctrica. Los
refrigeradores termoelctricos se hacen de semiconductores, aunque ellos no tienen
ninguna unin de rectificacin, aprovechan el comportamiento distinto de
portadores de carga de los semiconductores tipo P y N para transportar el calor.
Fotodiodos: Todos los semiconductores estn sujetos a portadores de carga pticos.
Generalmente es un efecto no deseado, por lo que muchos de los semiconductores
estn empacados en materiales que bloquean el paso de la luz. Los fotodiodos tienen
la funcin de ser sensibles a la luz (fotocelda), por lo que estn empacados en
materiales que permiten el paso de la luz y son por lo general PIN (tipo de diodo
ms sensible a la luz). Un fotodiodo puede usarse en celdas solares, en fotometra o
en comunicacin ptica. Varios fotodiodos pueden empacarse en un dispositivo
como un arreglo lineal o como un arreglo de dos dimensiones. Estos arreglos no
deben confundirse con los dispositivos de carga acoplada.
Diodo con puntas de contacto: Funcionan igual que los diodos semiconductores de
unin mencionados anteriormente aunque su construccin es ms simple. Se fabrica
una seccin de semiconductor tipo n, y se hace un conductor de punta aguda con un
metal del grupo 3 de manera que haga contacto con el semiconductor. Algo del
metal migra hacia el semiconductor para hacer una pequea regin de tipo p cerca
del contacto. El muy usado 1N34 (de fabricacin alemana) an se usa en receptores
de radio como un detector y ocasionalmente en dispositivos analgicos
especializados.
Diodo PIN: Un diodo PIN tiene una seccin central sin doparse o en otras palabras
una capa intrnseca formando una estructura p-intrinseca-n. Son usados como
interruptores de alta frecuencia y atenuadores. Tambin son usados como detectores
de radiacin ionizante de gran volumen y como fotodetectores. Los diodos PIN
tambin se usan en la electrnica de potencia y su capa central puede soportar altos
voltajes. Adems, la estructura del PIN puede encontrarse en dispositivos
semiconductores de potencia, tales como IGBTs, MOSFETs de potencia y tiristores.
Diodo Schottky: El diodo Schottky estn construidos de un metal a un contacto de
semiconductor. Tiene una tensin de ruptura mucho menor que los diodos pn. Su
tensin de ruptura en corrientes de 1mA est en el rango de 0.15V a 0.45V, lo cual
los hace tiles en aplicaciones de fijacin y prevencin de saturacin en un
transistor. Tambin se pueden usar como rectificadores con bajas prdidas aunque
su corriente de fuga es mucho ms alta que la de otros diodos. Los diodos Schottky
son portadores de carga mayoritarios por lo que no sufren de problemas de
almacenamiento de los portadores de carga minoritarios que ralentizan la mayora
de los dems diodos (por lo que este tipo de diodos tiene una recuperacin inversa
ms rpida que los diodos de unin pn. Tienden a tener una capacitancia de unin
mucho ms baja que los diodos pn que funcionan como interruptores veloces y se
usan para circuitos de alta velocidad como fuentes conmutadas, mezclador de
frecuencias y detectores.
Stabistor: El stabistor (tambin llamado Diodo de Referencia en Directa) es un tipo
especial de diodo de silicio cuyas caractersticas de tensin en directa son
extremadamente estables. Estos dispositivos estn diseados especialmente para
aplicaciones de estabilizacin en bajas tensiones donde se requiera mantener la
tensin muy estable dentro de un amplio rango de corriente y temperatura.
EJEMPLOS
Circuito intermitente con diodos leds usando el integrado 555
Seccin: Proyectos, Electrnica
Palabras Clave: pcb, esquema, 555
Adjuntos
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Este es un circuito tpico usando el NE555 como astable (intermitencia), los diodos de
salida se han dispuesto en forma de flecha a modo de indicador, se han usado 3 rojos y tres
verdes. Se adjunta circuito y placa realizados con el programa Eagle, y tambin otro
esquema del mismo realizado con el LiveWire. Para la fabricacin de la plaqueta se han
seguido los pasos descritos en el artculo,
Tcnicas de fabricacin de circuitos impresos
555 funcionando como astable:
El tiempo que permance la salida encendida (t1) o apagada (t2), depende de los valores de
las Resistencias 1 y 2 y del Condensador, como podemos apreciar en las figuras adjuntas.



Resmen
Un diodo (del griego "dos caminos") es un dispositivo semiconductor que permite el paso
de la corriente elctrica en una nica direccin con caractersticas similares a un interruptor.
De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto (no
conduce), y por encima de ella como un corto circuito con muy pequea resistencia
elctrica.
Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son
dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua. Su principio
de funcionamiento est basado en los experimentos de Lee De Forest.
Los primeros diodos eran vlvulas grandes en chips o tubos de vaco, tambin llamadas
vlvulas termoinicas constituidas por dos electrodos rodeados de vaco en un tubo de
cristal, con un aspecto similar al de las lmparas incandescentes. El invento fue realizado en
1904 por John Ambrose Fleming, de la empresa Marconi, basndose en observaciones
realizadas por Thomas Alva Edison.- Al igual que las lmparas incandescentes, los tubos de
vaco tienen un filamento (el ctodo) a travs del que circula la corriente, calentndolo por
efecto Joule. El filamento est tratado con xido de bario, de modo que al calentarse emite
electrones al vaco circundante; electrones que son conducidos electrostticamente hacia
una placa caracterstica corvada por un muelle doble cargada positivamente (el nodo),
producindose as la conduccin.
Evidentemente, si el ctodo no se calienta, no podr ceder electrones.
Por esa razn los circuitos que utilizaban vlvulas de vaco requeran un tiempo para que
las vlvulas se calentaran antes de poder funcionar y las vlvulas se quemaban con mucha
facilidad.