EL TRANSISTOR FET

Son transistores que se basan en el campo elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en
un material semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por diferencia
de potencial. Los transistores de efecto de campo o FET ms conocidos son los JFET (Junction
Field Effect Transistor)
El JFET es un dispositivo unipolar, ya que en su funcionamiento slo intervienen los portadores
mayoritarios. Existen 2 tipos de JFET: de "canal N" y "de canal P".

Al comparar el JFET con el TBJ se aprecia que el drenaje (D) es anlogo al colector, en tanto que el
surtidor (S) es anlogo al emisor. Un tercer contacto, la compuerta (G), es anlogo a la base.
La estructura fsica de un JFET (transistor de efecto campo de unin) consiste en un canal de
semiconductor tipo n o p dependiendo del tipo de JFET, con contactos hmicos (no rectificadores)
en cada extremo, llamados FUENTE y DRENADOR. A los lados del canal existen dos regiones de
material semiconductor de diferente tipo al canal, conectados entre s, formando el terminal de
PUERTA.
En el caso del JFET de canal N, la unin puerta canal, se encuentra polarizada en inversa, por lo
que prcticamente no entra ninguna corriente a travs del terminal de la puerta.
El JFET de canal p, tiene una estructura inversa a la de canal n; siendo por tanto necesaria su
polarizacin de puerta tambin inversa respecto al de canal n.
Los JFET se utilizan preferiblemente a los MOSFET en circuitos discretos.
En el smbolo del dispositivo, la flecha indica el sentido de polarizacin directa de la unin pn.
Caractersticas
Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).
No tiene un voltaje de unin cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiacin.
Es menos ruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad trmica.

Ecuaciones del FET
El desempeo del Transistor de Efecto de Campo (FET) fue propuesto por W. Shockley, en 1952. De
ah el nombre que rige la ecuacin de este tipo de transistores; la llamada "ECUACIN DE
SHOCKLEY".
ID = Corriente de Drenaje
IDSS = Corriente de Drenaje de Saturacin
VGS = Voltaje Puerta-Fuente
VP = Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.
Id=Idss1-VGSVp2

Figura 3. Recta de carga
3.1.3 CURVAS CARACTERSTICAS DEL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO.



Configuraciones polarizacin de FET
TIPO CONFIGURACIN
ECUACIONES
PERTINENTES
SOLUCIN
GRFICA
JFET
Con polarizacin fija

V
GSQ
= - V
GG

V
DS
= V
DD
- I
D
R
S


JFET
Con autopolarizacin

V
GSQ
= - I
D
R
S

V
DS
=V
DD
- I
D
(R
D
+ R
S
)

JFET
Con polarizacin
mediante divisor de
voltaje

V
G
= R
2
V
DD
/(R
1
+ R
2
)
V
GS
= V
G
- I
D
R
S

V
DS
=V
DD
- I
D
(R
D
+ R
S
)

Compuerta comn
JFET

V
GSQ
= Vss - I
D
R
S

V
DS
=V
DD
+Vss-I
D
(R
D
+ R
S
)

JFET
(V
GSQ
= 0 V)

V
GSQ
= 0 V
I
DQ
= Iss

JFET
(R
D
= 0 )

V
GSQ
= -I
D
R
S

V
D
= V
DD

V
S
= I
D
R
S

V
DS
=V
DD
- I
D
R
S


MOSFET
De tipo decremental
(todas las
configuraciones arriba
de los casos positivos
donde = + voltaje)
polarizacin Fija

V
GSQ
= + V
GG

V
DS
= V
DD
- I
D
R
S


MOSFET
de tipo decremental
polarizacin mediante
divisor de voltaje

V
G
= R
2
V
DD
/(R
1
+ R
2
)
V
GS
= V
G
- I
S
R
S

V
DS
=V
DD
- I
D
(R
D
+ R
S
)

MOSFET
de tipo incremental
configuracin por
retroalimentacin

V
GSQ
= V
DS

V
DS
= V
DD
- I
D
R
S


MOSFET
de tipo incremental
Polarizacin mediante
divisor de voltaje

V
G
= R
2
V
DD
/(R
1
+ R
2
)
V
GS
= V
G
- I
D
R
S