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1) Symboles et conventions
Les diffrents symboles qu'on rencontre pour le transistor sont rappels dans
la figure 1.
IC
IC
IB
IB
IE
IE
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
(a)
(b)
E
PNP
(c)
Figure 1
Notez que la reprsentation (a) est la plus courante et c'est celle que nous
utiliserons en gnral.
Dans tous les cas, la flche sur l'metteur indique le sens passant de la
jonction metteur-base. C'est aussi le sens rel du courant metteur.
Par convention:
a) Les courants sont compts positifs lorsqu'ils sont rentrants. Ainsi,
Pour un PNP, IB et IC sont ngatifs et IE est positif.
Pour un NPN, IB et IC sont positifs et IE est ngatif.
Dans tous les cas, on a la relation fondamentale:
IC + IB + IE =0
b) Parmi les trois lectrodes du transistor, l'une d'elles sera considre comme
lectrode commune aux signaux d'entre et de sortie (signaux en continu ou en
alternatif). On dfinit ainsi trois montages (Emetteur commun, Base commune,
Collecteur commun) qui auront des proprits lectriques diffrentes bien qu'ils
se ramnent facilement l'un l'autre, comme nous le verrons dans le chapitre
suivant.
c) On dsigne tensions, courants et puissances continues par des lettres
majuscules suivies d'indices majuscules dsignant les lectrodes auxquelles se
rapportent ces valeurs.
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M. HADDADI Cours et Exercices d'Electronique Gnrale
2 Partie: L'AMPLIFICATION
Exemples:
IB dsigne le courant continu de base.
VCE dsigne la tension continue entre collecteur et metteur. etc...
Pour les signaux variables, la figure 2 rsume la convention d'criture:
Le courant total est iB avec iB=IB+ib
IB est la partie continue
ib=Ib2sint la partie variable
* Le signal total (partie continue et partie
variable) sera dsign par une lettre minuscule
indice en majuscule.
* La partie variable est dsigne par une lettre
minuscule indice en minuscule.
* La valeur efficace de la partie variable est
crite avec une majuscule indice en
minuscule.
iB
IB
Ib2
t
0
Figure 2
Exemples:
vCE =VCE +vce =VCE +Vce 2 sint
Composante continue
Composante variable
iC=IC+ic=IC+Ic2 sint
etc...
2) Point de repos
Vous avez certainement devin que le but de l'utilisation d'un transistor est
l'amplification d'un signal. Essayons alors d'amplifier une sinusode, suppose
d'amplitude convenable (c'est--dire suprieure au seuil de la jonction), en utilisant le
montage de la figure 3a: On ne rcupre en sortie qu'une demi sinusode. Que s'est-il
donc pass ?
IB
VCC
Signal de
0
sortie
Signal
dentre
RC
VCC
Cette partie du
signal ne fournit
pas de courant iB
VBE
b : Construction graphique du courant IB
Figure 3
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
+
VBE
Figure 4
Dans ce cas, on voit de faon simplifie qu' toute variation du signal d'entre
correspond sur la caractristique statique du transistor un courant base, donc un courant
collecteur (on suppose que le signal d'attaque est faible: on dit qu'on travaille "en petits
signaux").
Dans la pratique, et en utilisant une seule source, il y a deux principales faons
de polariser un transistor (figure 5):
- En fixant son courant de base (figure 5a)
- Ou en fixant sa tension de base (figure 5b).
Cette dernire mthode, au prix d'une rsistance supplmentaire, prsente l'avantage
d'une meilleure protection de la jonction metteur-base.
VCC
VCC
RC
RB
RC
R2
IB
R1
VBE
VCC-VBE VCC
= Cste
RB
RB
VBE=
R1
VCC =Cste
R1+R2
Figure 5
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
3) Droites de charge
a) Droite de charge statique
En appliquant le thorme de Thvenin l'un ou l'autre des montages de la
figure 5, on obtient le circuit de la figure 6:
On a pour le circuit de la figure 5b :
RC
IC
IB
VBB
VCC
RB
VBB =
R1
VCC
R1 +R 2
R 1R 2
R1 +R 2
Le circuit de la figure 5a sen dduit
(en mettant R1 infinie par exemple)
RB =
VBE
Figure 6
VCC
RC
Droites de charge
IBM
P
VBB
RB
IB=0
IBM
VCC
VCE sat
M
VCE
VBB
VCE off
VCE sat= tension VCE de saturation
VCE off= tension VCE de blocage
On a
VCE sat 0
VCE off VCC
Figure 7
Droites de charge statiques
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
VCC
RC
IB2
IBM
VBB
RB
VBB+egMAX
RB
VBB-egMAX
RB
VCE
IB1
IB2
iC
IB1
IBM
VCC
IB
VBB-egMAX
VBB
(Pour t=3T/4)
2 Partie: L'AMPLIFICATION
Un exemple de ce type vous est propos en exercice. Notez qu'il arrive souvent
que la charge du transistor soit une rsistance RL couple au collecteur par une
capacit. Dans ce cas, la "charge dynamique" du transistor est constitue par (RC //RL )
et on parle de droite de charge dynamique, passant par le point de repos et de pente
1
(car VCE =-(RC //RL) IC)
R C //R L
Nous n'insisterons pas beaucoup sur ces constructions graphiques car pour les
utiliser, il est indispensable de disposer des caractristiques des transistors, ce qui n'est
presque jamais le cas en pratique.
VCEMAX
Figure 10
Aire de scurit dun transistor
Nous venons de voir comment fixer le point de repos du transistor et, dans
l'exemple de l'amplificateur que nous avons pris, tout ira pour le mieux mais la
condition que ce point de repos reste stable et n'volue pas en dehors de ces limites.
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
2) Facteurs de stabilit
Dans la ralit, le courant collecteur d'un transistor a tendance varier sous
l'effet de la temprature. (Quand on parle de temprature, ne pensez pas uniquement
la temprature ambiante mais la temprature du semi-conducteur qui, sous l'effet de
la dissipation de puissance, s'chauffe).
Cette variation de IC est due l'effet cumulatif de trois facteurs:
a) Variation de ICB0 :
On a vu que (figure 11)
ICB0
A
100
ICB0 =CT e
10
1
T
60 C
25
Wi
kT
Wi nergie de conduction
C coefficient qui dpend du semiconducteur.
T temprature absolue
On calcule que ICB0 double tous
les 10 pour le Silicium et tous les
15 pour le Germanium.
Figure 11
En fait, malgr l'apparence, le Silicium est meilleur que le Germanium du point
de vue comportement en fonction de la temprature car 25C, ICB0 est de l'ordre des
nA alors qu'il est de l'ordre des A pour le Germanium.
300
200
T
60 (C)
25
Figure 12
La variation de VBE avec la temprature est sensiblement linaire si bien que
les jonctions PN sont trs utilises comme capteurs de temprature.
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
la
le
le
le
c) Variation de :
1,5
1
T
60 (C)
25
Figure 13
Ainsi, on peut crire, en ce qui concerne les variations possibles du courant
collecteur IC et puisque IC =f(ICB0,VBE,) :
I
I
I
dIC = C dICB0 + C dVBE + C d
VBE
ICB0
soit :
minimum
100
420
20
typique
maximum
300
800
45
42
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
R5
R7
R3
R1
R6
VCC
R2
R4
Figure 14
Schma gnral de polarisation
RC
IC
IE
R1
RE
Figure 15
Ce type de polarisation est aussi appel "auto-polarisation", probablement en
souvenir de la polarisation des anciens tubes lectroniques (triode, pentode, etc...).
Comme ce schma est le plus courant, nous allons traiter titre d'exemple l'exercice
suivant:
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
EXERCICE D'APPLICATION:
Dans le montage de la figure 16, le transistor tant au Silicium, on dsire fixer
le point de fonctionnement VCE =8V et IC =5 mA, IC ne devant varier que de 20%
si la temprature passe de 25 35C et si passe de 50 100 ( cause de la
dispersion des caractristiques). Dterminer les rsistances R1 ,R2 et RE .
On prendra s'il le faut ICB0 =50 nA 25 C
VCC=15V
R2
RC
1k
R1
RE
Figure 16
Le schma quivalent de ce montage obtenu par application du thorme de
Thvenin (figure 17) nous permet d'crire:
RC
IB
IC
RB
VCC
VBE
VBB
IC+IB
RE
VBB=RBIB+VBE+RE(IC+IB)
(1)
Avec
R1
VBB =VCC
R1 +R 2
RR
et RB = 1 2
R1 +R 2
On en dduit alors, VBE tant
indpendant de IC :
dI B
RE
=dIC R E +R B
Figure 17
donc SI =
1+
RE
1+
R E +R B
Cette expression de SI montre que pour une bonne stabilisation par rapport au
courant de fuite (SI faible), il faudra que RB<< RE . Le facteur de stabilit S ne
dpendra plus alors que de SV et de S .
Dans le cas de cet exercice, on remarque que ICB0 est toujours ngligeable
devant IC et la variation de IC ne sera due qu'aux variations de VBE et de .
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
Dterminons SV :
IC -(+1)ICB0
R +R
R +(1+)R E
IC
Et VBE =VBB + B E (+1)ICB0 - B
Alors:
I
-
SI
SV = C =
=R B +R E 1+
VBE R B +(1+)R E
On a IC = IB +( +1)ICB0
donc I B =
(2)
On remarque que la stabilisation n'est bonne que si SI est bon car SV est
proportionnel SI
Il nous reste dterminer S:
Nous tirons de l'quation (2):
R +R
VBB + B E (+1)ICB0 -VBE
= [ VBB +V-VBE ]
IC =
R B +(1+)R E
R B +(1+)R E
R B +R E
(+1)ICB0 (RB+RE )ICB0 =Cste
SI
On trouve alors S = I C
(1+)
En posant V=
SI IC
(1+)
Le problme qui se pose maintenant est qu'on ne sait pas quel utiliser dans
les expressions de SI , SV et S : 1 , 2 ou leur moyenne?
I -I
Pour lever cette quivoque, on crira: S = C2 C1
2 -1
La variation de IC due la variation de est donc: IC =S =
IC2 2 R B +(1+1 )R E
IC2
R B +R E
=
et
-1=( 2 -1)
IC1 1 R B +(1+ 2 )R E
IC1
1
R B +(1+ 2 )R E
I -I
S I
d'o: S = C2 C1 = I2 C1 (=0,04)
2 -1 1 (1+ 2 )
L'ambigut est ainsi tout fait leve.
Pour revenir cet exercice, on a VCC=VCE+(RC +RE )IC
avec:
VCC -VCE
=1400 do RE =400
IC
De l'expression de S , on tire SI2 =50,2 et de l'expression de SI2 , on tire
RB=39,4 k.
L'quation (2) nous donne enfin, avec ICB0 =50 nA et VBE=0,6V:
R C +R E =
VBB = 5,39 V
On tire enfin: R1=61,3 k et R2 = 109,6 k
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
RC
IB
(IC+IB) IC
RB
VCC
VCE
VBE
, on
RB
RB
voit bien que IC va diminuer.
Et comme
IB =
RE
RC
I B
=IC R C +R E
1+
R C
1+
R C +R B
Il est facile de monter que pour un circuit polarisation par rsistance de base,
on a SI =1+.
On voit donc qu'il y a ici une stabilisation certaine mais condition que RC soit
trs suprieure RB (RC >> RB). Il n'en est malheureusement pas toujours ainsi, surtout
lorsque la charge est un transformateur (RC est alors trs faible) et la stabilisation est
alors insignifiante.
Dterminons SV et S :
I
(1) s'crit: VCC =R C IC +(R B +R C ) C +VBE donc, avec +1 :
SI
=SV = C =VBE R B +R C
R C +R B
En remplaant dans (1) IB par son expression tire de IC =IB +(1+)ICB0,
on trouve:
K
I B =
avec K = VCC -VBE +(RC +RB )ICB0
R B +KR C
En drivant par rapport , on trouve:
I
I
SI
RB
RB
S = C = C
= I 2C
I B R B +R C R B +R C
On voit bien sur cet exemple que SV et S sont proportionnels SI .
D'autres exemples de stabilisations vous sont proposs en exercices.
IB =
et
donc SI =
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
III. COMPENSATIONS
L'amplificateur contre raction collecteur et celui avec rsistance d'metteur
(on dit aussi dgnration d'metteur) sont des exemples qui utilisent, pour la
stabilisation du courant collecteur, la contre-raction. C'est une technique que nous
tudierons dans la suite de ce cours mais prcisons tout de suite qu'elle entrane en
gnral une rduction de l'amplification de l'tage. Alors, pour certaines applications
dans lesquelles le maintien du gain est impratif, il faudra donc viter la contreraction et utiliser des techniques de compensation pour rduire le dplacement du
point de fonctionnement. Ces techniques font appel des dispositifs thermosensibles (diodes, transistors, thermistances) qui dlivrent des tensions de compensation telles que le point de fonctionnement soit maintenu constant.
On voit que :
V -V
V
I= CC BE CC =Cste
R
R
et IB=I-I0
donc
IC=(I-I0)+( +1)ICB0
I + (ICB0-I)
RC
R
IC
(figure 19)
IB
I0
Figure 19
On a dans ce cas :
RC
IC =
RB
RE
RD
V0 D
+
VDD
Figure 20
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
R=R 0 e
R0 rsistance la temprature T0
b constante qui dpend du matriau utilis (gnralement entre 3000 et 5000 K)
1 dR
b
Le coefficient de temprature des CTN est dfini par: =
=- 2
R dT
T
Il varie de -2,5 -5 % par degr Celcius.
Pour utiliser convenablement une thermistance, il faudra connatre les paramtres suivants:
- L'intensit nominale pour laquelle la thermistance atteint la temprature maximale admissible dans une ambiance de 25C.
- La puissance nominale que dissipe la thermistance lorsqu'elle est parcourue
par l'intensit nominale (on pourra utiliser des systmes de refroidissement pour augmenter cette puissance).
- La constante de temps thermique, lie au temps ncessaire pour que la
temprature propre de la thermistance varie de 63% de la diffrence entre la
temprature initiale T0 et une temprature plus leve T1. Cette constante varie selon le
type de thermistance entre quelques secondes et plusieurs minutes).
Il est vident qu'en rgime transitoire, la thermistance se comporte comme une
rsistance pure.
La figure 21 montre l'allure de la caractristique lectrique des thermistances
CTN. Cette courbe est une courbe d'quilibre, atteinte aprs un certain temps de
stabilisation.
faible (<1%)
-tC
symbole
moyen (2%)
lev (>3%)
Point de
basculement
I
Figure 21
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
I
Courant
nominal
RT
E
-tC
Rfilament
Figure 22
- Elment de compensation:
Un exemple de compensation par thermistance est illustr par la figure 23.
-VCC
R2
RC
IC
RT
IE
R1
RE
Figure 23
On trouve aussi d'autres types de montages avec
compensation par
thermistances mais il faut prciser que l'utilisation de ces lments n'est pas trs aise
car pour affiner les compensations, il faudra trouver la thermistance qui prsente la
variation inverse adquate. Ce n'est pas vident. C'est pourquoi on trouve en gnral
dans les montages ces thermistances associes des rsistances variables destines
ajuster au mieux les effets de compensation.
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
IC
IC
Tj
P
IC
Tj
Condition de stabilit :
P T IC
1
IC P Tj
Tj
P
Figure 24
Nous devrions alors, pour chaque circuit, valuer chacune de ces transmittances
et vrifier que la condition de stabilit est assure. (En fait, ce sont les circuits de
puissance qui peuvent prsenter le phnomne d'emballement thermique).
Plutt que d'valuer directement ces transmittances, nous allons, ce qui
reviendra au mme, effectuer une autre approche aprs l'introduction de quelques
notions de thermique.
1) Rsistance thermique
Lorsque vous branchez votre fer souder, sa panne atteint une certaine temprature qui est proportionnelle essentiellement la puissance lectrique P de sa
rsistance.
On appelle rsistance thermique ce facteur de proportionnalit et on peut crire,
en appelant Tf la temprature atteinte par le fer,
Tf -Ti = Rth P
2 Partie: L'AMPLIFICATION
V
I
R
T
P
Rth
Nous pouvons alors donner le schma thermique simplifi d'un transistor (figure 25):
Collecteur
Rth(j-c)
Tj
Rth(c-s)
Botier
Support
Ts
Tc
Rth(s-a)
Ambiante
Ta
Figure 25
IC
VCC
RC+RE
Le point B passe en B
o la puissance dissipe
est plus petite
B
x
xB
Le point A passe en A
o la puissance dissipe
est plus grande
M
A x
P2>P1
P1
x
A
VCC
2
VCC
VCE
Figure 26
Par contre, si on se polarise gauche du point M (en B), on remarque qu' une
augmentation du courant IC correspond une diminution de la puissance dissipe et le
risque d'emballement est cart. Ainsi, pour prvenir l'emballement thermique, il faudra
V
choisir un point de fonctionnement tel que VCE CC
2
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
I
T
C j Rth
P
avec: C = VCC -2 IC (RC +RE )
IC
IC
I
V
= S I CB0 + SV BE
Tj
Tj
Tj
+ S
Tj
Pour un transistor, toutes ces grandeurs sont connues. Il faudra alors choisir Rth
pour satisfaire la condition de stabilit.
Dans la pratique, seule la variation due ICB0 est prendre en compte.
Dans ce cas, la condition de stabilit s'crit:
PC ICB0 1
S I
T
T
j
j
Rth
On admet en gnral que ICB0 augmente de 7% par degr Celsius tant pour le
Germanium que pour le Silicium:
ICB0
0,07 ICB0
Tj
1
On a donc: [VCC -2(RC +RE )IC ]SI .0,07ICB0 <
R th
ICB0 , SI et Rth tant des quantits positives, cette ingalit sera toujours
satisfaite si le terme entre crochets est ngatif soit:
VCC
V
ce qui implique VCE CC
IC
2(R C +R E )
2
C'est le rsultat que nous avons trouv graphiquement et qui est une condition
suffisante (et non ncessaire) pour viter l'emballement thermique.
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2 Partie: L'AMPLIFICATION
Exemple :
VCC=9V
R2
R1
RE
1,5
160
Figure 27
L'enroulement du transformateur tant suppos trs faible rsistance, la
tension metteur est de 3 V et la tension base sera donc de 3,2 V puisque le transistor
est au Germanium.
On en dduit:
I
V
I E =IC = E =2A do I B C = 50 mA
RE
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2 Partie: L'AMPLIFICATION