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POLARISATION ET STABILISATION DU TRANSISTOR

I. POLARISATION D'UN TRANSISTOR


Avant d'aborder la notion de polarisation, nous allons effectuer quelques
rappels.

1) Symboles et conventions
Les diffrents symboles qu'on rencontre pour le transistor sont rappels dans
la figure 1.

IC

IC

IB

IB

IE

IE

NPN

PNP

NPN

PNP

NPN

(a)

(b)

E
PNP
(c)

Figure 1
Notez que la reprsentation (a) est la plus courante et c'est celle que nous
utiliserons en gnral.
Dans tous les cas, la flche sur l'metteur indique le sens passant de la
jonction metteur-base. C'est aussi le sens rel du courant metteur.
Par convention:
a) Les courants sont compts positifs lorsqu'ils sont rentrants. Ainsi,
Pour un PNP, IB et IC sont ngatifs et IE est positif.
Pour un NPN, IB et IC sont positifs et IE est ngatif.
Dans tous les cas, on a la relation fondamentale:
IC + IB + IE =0
b) Parmi les trois lectrodes du transistor, l'une d'elles sera considre comme
lectrode commune aux signaux d'entre et de sortie (signaux en continu ou en
alternatif). On dfinit ainsi trois montages (Emetteur commun, Base commune,
Collecteur commun) qui auront des proprits lectriques diffrentes bien qu'ils
se ramnent facilement l'un l'autre, comme nous le verrons dans le chapitre
suivant.
c) On dsigne tensions, courants et puissances continues par des lettres
majuscules suivies d'indices majuscules dsignant les lectrodes auxquelles se
rapportent ces valeurs.

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2 Partie: L'AMPLIFICATION

Exemples:
IB dsigne le courant continu de base.
VCE dsigne la tension continue entre collecteur et metteur. etc...
Pour les signaux variables, la figure 2 rsume la convention d'criture:
Le courant total est iB avec iB=IB+ib
IB est la partie continue
ib=Ib2sint la partie variable
* Le signal total (partie continue et partie
variable) sera dsign par une lettre minuscule
indice en majuscule.
* La partie variable est dsigne par une lettre
minuscule indice en minuscule.
* La valeur efficace de la partie variable est
crite avec une majuscule indice en
minuscule.

iB

IB

Ib2

t
0
Figure 2

Exemples:
vCE =VCE +vce =VCE +Vce 2 sint
Composante continue
Composante variable

iC=IC+ic=IC+Ic2 sint
etc...

2) Point de repos
Vous avez certainement devin que le but de l'utilisation d'un transistor est
l'amplification d'un signal. Essayons alors d'amplifier une sinusode, suppose
d'amplitude convenable (c'est--dire suprieure au seuil de la jonction), en utilisant le
montage de la figure 3a: On ne rcupre en sortie qu'une demi sinusode. Que s'est-il
donc pass ?
IB
VCC
Signal de
0
sortie

Signal
dentre

RC

VCC

Cette partie du
signal ne fournit
pas de courant iB

VBE
b : Construction graphique du courant IB

a : Le transistor nest pas polaris

Figure 3
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2 Partie: L'AMPLIFICATION

Tout simplement que, pendant la demi-priode o le signal d'entre tait


ngatif, le transistor avait sa jonction d'entre bloque et de ce fait, il ne pouvait pas
conduire, comme le montre la construction graphique de la figure 3b, qui utilise la
caractristique statique d'entre du transistor.
Le remde se dduit de cette situation: il faudra que, en absence de signal (on dira
"au repos"), le transistor soit conducteur de manire telle que mme les alternances
ngatives ne le bloquent pas. On y arrive en "polarisant" le transistor par fixation d'un
"point de repos" (figure 4).
IB

+
VBE

Figure 4
Dans ce cas, on voit de faon simplifie qu' toute variation du signal d'entre
correspond sur la caractristique statique du transistor un courant base, donc un courant
collecteur (on suppose que le signal d'attaque est faible: on dit qu'on travaille "en petits
signaux").
Dans la pratique, et en utilisant une seule source, il y a deux principales faons
de polariser un transistor (figure 5):
- En fixant son courant de base (figure 5a)
- Ou en fixant sa tension de base (figure 5b).
Cette dernire mthode, au prix d'une rsistance supplmentaire, prsente l'avantage
d'une meilleure protection de la jonction metteur-base.
VCC
VCC
RC

RB

RC

R2

IB

R1

a : Polarisation par rsistance de base


IB =

VBE

b : Polarisation par pont de base

VCC-VBE VCC
= Cste
RB
RB

VBE=

Le courant base est constant

R1
VCC =Cste
R1+R2

La tension base-metteur est constante

Figure 5
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2 Partie: L'AMPLIFICATION

3) Droites de charge
a) Droite de charge statique
En appliquant le thorme de Thvenin l'un ou l'autre des montages de la
figure 5, on obtient le circuit de la figure 6:
On a pour le circuit de la figure 5b :

RC
IC
IB
VBB

VCC

RB

VBB =

R1
VCC
R1 +R 2

R 1R 2
R1 +R 2
Le circuit de la figure 5a sen dduit
(en mettant R1 infinie par exemple)
RB =

VBE
Figure 6

On peut crire alors les quations suivantes:


- A l'entre: VBE = VBB - RB IB
- A la sortie: VCE = VCC - RC IC
Dans le rseau de caractristiques du transistor, ces deux quations sont celles
de deux droites, appeles droites de charge, l'une dans le rseau d'entre et l'autre dans
le rseau de sortie du transistor (figure 7). C'est l'intersection de ces droites avec les
caractristiques statiques convenables qui dfinit le point de repos ( l'entre et la
sortie).

VCC
RC
Droites de charge

IBM

P
VBB
RB

IB=0

IBM
VCC
VCE sat

M
VCE

VBB

VCE off
VCE sat= tension VCE de saturation
VCE off= tension VCE de blocage
On a
VCE sat 0
VCE off VCC

Figure 7
Droites de charge statiques
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2 Partie: L'AMPLIFICATION

Remarque: Utilisation du transistor en interrupteur


Dans certaines applications, on ne cherche pas polariser le transistor car il est utilis comme
commutateur permettant ou empchant le passage du courant.
Ce fonctionnement peut se dcrire en regardant le rseau de sortie de la figure 7:
- Lorsque le courant base est nul, le courant collecteur est trs faible (c'est ICE0 ) et la tension aux
bornes du transistor est maximale ( VCC ): on dit que le transistor est bloqu. Il se comporte
comme un interrupteur ouvert.
- En augmentant le courant de base, on rencontre un point partir duquel le courant collecteur
n'augmente plus: on a atteint la zone de saturation dans laquelle le courant collecteur est son
maximum et la tension aux bornes du transistor son minimum VCE 0: le transistor se
comporte comme un interrupteur ferm.

b) Droites de charge dynamique


La technique graphique peut aussi tre utilise pour tudier le transistor en
rgime dynamique.
Si on considre le montage de
la figure 8 qui schmatise un tage
amplificateur attaqu par un
RC
gnrateur sinusodal (eg, Rg), on
iC
voit qu' chaque instant, on peut
VCC
construire une droite dans le rseau
iB
RB
dentre puisque
vCE
vBE(t)=VBB+egMAXsin t-RBi(t) :
eg ~
vBE
on lappellera droite dattaque.
On dtermine alors iB(t) puis, VBB
laide du rseau de sortie, on
construira iC(t) et vCE(t).
Figure 8
-

Construction graphique (figure 9):

VCC
RC

IB2
IBM

VBB
RB
VBB+egMAX
RB

VBB-egMAX
RB

VCE

IB1

IB2

iC

IB1

IBM

VCC

IB

VBB-egMAX
VBB

(Pour t=3T/4)

VBB+egMAX (Pour t=T/4)


Figure 9
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2 Partie: L'AMPLIFICATION

Un exemple de ce type vous est propos en exercice. Notez qu'il arrive souvent
que la charge du transistor soit une rsistance RL couple au collecteur par une
capacit. Dans ce cas, la "charge dynamique" du transistor est constitue par (RC //RL )
et on parle de droite de charge dynamique, passant par le point de repos et de pente
1
(car VCE =-(RC //RL) IC)
R C //R L
Nous n'insisterons pas beaucoup sur ces constructions graphiques car pour les
utiliser, il est indispensable de disposer des caractristiques des transistors, ce qui n'est
presque jamais le cas en pratique.

II. STABILISATION DU TRANSISTOR


1) Aire de scurit d'un transistor
Nous venons de voir comment polariser un transistor. Il faudra bien videmment
choisir le point de repos l'intrieur de certaines limites en dehors desquelles le
transistor est soit dtruit, soit fonctionne mal. Ces limites sont les suivantes:
- Au dessous d'un courant maximal ICMAX impos par le constructeur pour des
raisons videntes de technologie (section des fils de contacts, surface du semiconducteur, etc...)
- Avant une tension VCEMAX au del de laquelle se produit le claquage de la
jonction. Nous verrons dans le cas du transistor de puissance quil existe une
normalisation de cette tension limite.
- Il faut savoir que lorsqu'un transistor est en fonctionnement, il dissipe une
puissance P VCEIC . Cette puissance entrane son chauffement et il ne faudra jamais
atteindre un certain maximum dfini par le constructeur. Dans le plan (VCE, IC), il
faudra donc toujours rester au dessous d'une hyperbole dite hyperbole de dissipation
maximale PMAX.
- Il faut rester hors de la zone de blocage et de la zone de saturation (pour un
amplificateur). Ces limites dterminent dans le plan de sortie une zone dite zone de
scurit pour le transistor ("SOAR", de Safe Operating Area) et il faut que le point de
repos, dans tous les cas, y soit maintenu (figure 10).

VCEMAX
Figure 10
Aire de scurit dun transistor
Nous venons de voir comment fixer le point de repos du transistor et, dans
l'exemple de l'amplificateur que nous avons pris, tout ira pour le mieux mais la
condition que ce point de repos reste stable et n'volue pas en dehors de ces limites.
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2 Partie: L'AMPLIFICATION

2) Facteurs de stabilit
Dans la ralit, le courant collecteur d'un transistor a tendance varier sous
l'effet de la temprature. (Quand on parle de temprature, ne pensez pas uniquement
la temprature ambiante mais la temprature du semi-conducteur qui, sous l'effet de
la dissipation de puissance, s'chauffe).
Cette variation de IC est due l'effet cumulatif de trois facteurs:

a) Variation de ICB0 :
On a vu que (figure 11)

ICB0
A
100

ICB0 =CT e

10
1
T
60 C

25

Wi
kT

Wi nergie de conduction
C coefficient qui dpend du semiconducteur.
T temprature absolue
On calcule que ICB0 double tous
les 10 pour le Silicium et tous les
15 pour le Germanium.

Figure 11
En fait, malgr l'apparence, le Silicium est meilleur que le Germanium du point
de vue comportement en fonction de la temprature car 25C, ICB0 est de l'ordre des
nA alors qu'il est de l'ordre des A pour le Germanium.

b) Variation de VBE: (figure 12)


VBE
(mV)

Comme pour toute jonction PN,


courant constant, VBE diminue avec
temprature (de -1,8 mV/C pour
Germanium et de -2,1mV/C pour
Silicium).
Dans la pratique, on admet que :
V
BE -2,2 mV/C
T
tant pour le Germanium que pour
Silicium.

300

200
T
60 (C)

25

Figure 12
La variation de VBE avec la temprature est sensiblement linaire si bien que
les jonctions PN sont trs utilises comme capteurs de temprature.

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2 Partie: L'AMPLIFICATION

la
le
le

le

c) Variation de :

La temprature agissant sur la dure de


vie des porteurs minoritaires, elle va
influer sur le gain en courant .

On montre que le rapport


varie peu
0
prs de 1% tous les 10.

1,5
1
T
60 (C)

25

Figure 13
Ainsi, on peut crire, en ce qui concerne les variations possibles du courant
collecteur IC et puisque IC =f(ICB0,VBE,) :
I
I
I
dIC = C dICB0 + C dVBE + C d

VBE
ICB0
soit :

IC =SI dICB0 +SV dVBE +S d

ce qui introduit trois facteurs de stabilit (SI en courant de fuite, SV en tension,


S en gain).
Il est clair qu'une polarisation bien conue devra minimiser les variations de IC ,
donc les facteurs de stabilit. Nous verrons plus loin que, SV et S tant proportionnels SI , c'est toujours de ce dernier facteur qu'on se proccupe. On peut dire que:
SI <5
: trs bonne stabilit
5< SI <10 : bonne stabilit
SI > 10 : mauvaise stabilit

3) Dispersion des caractristiques des transistors


Dans la fabrication des semi-conducteurs en gnral, il s'agit, pour prendre un
exemple, lors du dopage, d'injecter des quantits infinitsimales d'impurets. On
comprend alors qu'il est trs difficile d'obtenir des lments tout fait identiques, dans
une mme srie (au lieu d'un milliard d'atomes, un second lment aura reu un milliard
plus deux atomes !). Il n'y a pas que ce facteur qui rentre en jeu. On parle alors de
"dispersion" dans les caractristiques. Ainsi, les fabricants ne donnent jamais la valeur
exacte d'un paramtre (gain ou autre) mais la fourchette dans laquelle se situe ce
paramtre et ce sont ces valeurs qui sont garanties.
Le tableau n1 illustre ce propos:
Tableau N1: Exemple rsum de fiche technique :
Transistor
2N 2222A
BC 549C
2N 2904

minimum
100
420
20

typique

maximum
300
800

45

42
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2 Partie: L'AMPLIFICATION

Ainsi, pour prendre cet exemple, moins de mesurer au transistormtre le gain


d'un transistor, on ne connatra pas sa vraie valeur puisque le constructeur n'indique que
les valeurs limites ( la valeur typique est une valeur obtenue de manire statistique et
n'a donc pas plus de signification que les autres).
Cette situation pose le problme de l'interchangeabilit des lments car dans
un montage, il faudra penser d'abord que le transistor puisse tre dtruit et il faudra le
changer sans refaire les calculs de polarisation.
Ensuite, si on fabrique une srie de montages identiques, il est ncessaire
qu'ils fonctionnent tous de la mme faon.
En rsum,il faudra raliser un type de polarisation qui procure une certaine
stabilit du point de repos tant vis vis des variations de la temprature que vis vis
des variations des paramtres du transistor occasionnes par la dispersion de leurs
caractristiques.
On avait propos un schma pour tablir une quation gnrale de polarisation
valable pour tous les montages (*) comme le montre la figure 14.
Avec les facilits de calculs actuels, il
est peut-tre intressant de reprendre cette
tude mais dans notre cas nous estimons qu'il
est beaucoup plus simple de considrer les
exemples les plus courants.

R5
R7

R3
R1

R6

VCC

R2

R4

Calcul des circuits transistor par les


Ingnieurs de Texas Instruments, Ed. Radio

Figure 14
Schma gnral de polarisation

4) Stabilisation par rsistance d'metteur


VCC
R2

RC
IC

IE
R1

RE

On voit sur le schma de la figure 15 que si le courant IC


augmente pour une quelconque raison, la tension VE
augmente aussi (puisque VE = REIE REIC)
Comme la tension VB est constante (car fixe
R1
VCC par le pont de base), VBE=VB-VE diminue
R1 +R 2
entranant la diminution de IB et par voie de consquence,
celle de IC

Figure 15
Ce type de polarisation est aussi appel "auto-polarisation", probablement en
souvenir de la polarisation des anciens tubes lectroniques (triode, pentode, etc...).
Comme ce schma est le plus courant, nous allons traiter titre d'exemple l'exercice
suivant:
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2 Partie: L'AMPLIFICATION

EXERCICE D'APPLICATION:
Dans le montage de la figure 16, le transistor tant au Silicium, on dsire fixer
le point de fonctionnement VCE =8V et IC =5 mA, IC ne devant varier que de 20%
si la temprature passe de 25 35C et si passe de 50 100 ( cause de la
dispersion des caractristiques). Dterminer les rsistances R1 ,R2 et RE .
On prendra s'il le faut ICB0 =50 nA 25 C

VCC=15V
R2

RC
1k

R1

RE

Figure 16
Le schma quivalent de ce montage obtenu par application du thorme de
Thvenin (figure 17) nous permet d'crire:

RC

IB

IC
RB

VCC
VBE

VBB

IC+IB
RE

VBB=RBIB+VBE+RE(IC+IB)
(1)
Avec
R1
VBB =VCC
R1 +R 2
RR
et RB = 1 2
R1 +R 2
On en dduit alors, VBE tant
indpendant de IC :
dI B
RE
=dIC R E +R B

Figure 17
donc SI =

1+
RE
1+
R E +R B

Cette expression de SI montre que pour une bonne stabilisation par rapport au
courant de fuite (SI faible), il faudra que RB<< RE . Le facteur de stabilit S ne
dpendra plus alors que de SV et de S .
Dans le cas de cet exercice, on remarque que ICB0 est toujours ngligeable
devant IC et la variation de IC ne sera due qu'aux variations de VBE et de .

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2 Partie: L'AMPLIFICATION

Dterminons SV :

IC -(+1)ICB0

R +R
R +(1+)R E
IC
Et VBE =VBB + B E (+1)ICB0 - B

Alors:
I
-
SI

SV = C =
=R B +R E 1+
VBE R B +(1+)R E

On a IC = IB +( +1)ICB0

donc I B =

(2)

On remarque que la stabilisation n'est bonne que si SI est bon car SV est
proportionnel SI
Il nous reste dterminer S:
Nous tirons de l'quation (2):

R +R
VBB + B E (+1)ICB0 -VBE

= [ VBB +V-VBE ]
IC =
R B +(1+)R E
R B +(1+)R E
R B +R E
(+1)ICB0 (RB+RE )ICB0 =Cste

SI
On trouve alors S = I C
(1+)
En posant V=

SI IC

(1+)
Le problme qui se pose maintenant est qu'on ne sait pas quel utiliser dans
les expressions de SI , SV et S : 1 , 2 ou leur moyenne?
I -I
Pour lever cette quivoque, on crira: S = C2 C1
2 -1
La variation de IC due la variation de est donc: IC =S =

IC2 2 R B +(1+1 )R E
IC2

R B +R E
=
et
-1=( 2 -1)
IC1 1 R B +(1+ 2 )R E
IC1
1
R B +(1+ 2 )R E
I -I
S I
d'o: S = C2 C1 = I2 C1 (=0,04)
2 -1 1 (1+ 2 )
L'ambigut est ainsi tout fait leve.
Pour revenir cet exercice, on a VCC=VCE+(RC +RE )IC
avec:

VCC -VCE
=1400 do RE =400
IC
De l'expression de S , on tire SI2 =50,2 et de l'expression de SI2 , on tire
RB=39,4 k.
L'quation (2) nous donne enfin, avec ICB0 =50 nA et VBE=0,6V:
R C +R E =

VBB = 5,39 V
On tire enfin: R1=61,3 k et R2 = 109,6 k

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2 Partie: L'AMPLIFICATION

5) Polarisation par contre-raction collecteur


Dans ce cas (figure 18), on remarque
que laugmentation de IC entrane la
diminution de VCE car
VCE VCC-RCIC

RC
IB

(IC+IB) IC

RB

VCC

VCE
VBE

VCE -VBE VCE

, on
RB
RB
voit bien que IC va diminuer.
Et comme

IB =

RE

Dterminons dans ce cas le facteur de


stabilit SI :
On a IC =IB +(1+)ICB0 soit par
I 1+
Figure 18
donc :
drivation: 1= B +
I C SI
1+
SI =
I
1 B
I C
Cette formule est videmment gnrale.
Dans notre cas, on peut crire:
(1)
VCC =RC (IC +IB )+RB IB +VBE
d'o
VCC -R C IC -VBE
R C +R B

RC
I B
=IC R C +R E

1+
R C
1+
R C +R B
Il est facile de monter que pour un circuit polarisation par rsistance de base,
on a SI =1+.
On voit donc qu'il y a ici une stabilisation certaine mais condition que RC soit
trs suprieure RB (RC >> RB). Il n'en est malheureusement pas toujours ainsi, surtout
lorsque la charge est un transformateur (RC est alors trs faible) et la stabilisation est
alors insignifiante.
Dterminons SV et S :
I
(1) s'crit: VCC =R C IC +(R B +R C ) C +VBE donc, avec +1 :

SI
=SV = C =VBE R B +R C
R C +R B
En remplaant dans (1) IB par son expression tire de IC =IB +(1+)ICB0,
on trouve:
K
I B =
avec K = VCC -VBE +(RC +RB )ICB0
R B +KR C
En drivant par rapport , on trouve:
I
I
SI
RB
RB
S = C = C
= I 2C
I B R B +R C R B +R C
On voit bien sur cet exemple que SV et S sont proportionnels SI .
D'autres exemples de stabilisations vous sont proposs en exercices.
IB =

et

donc SI =

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2 Partie: L'AMPLIFICATION

III. COMPENSATIONS
L'amplificateur contre raction collecteur et celui avec rsistance d'metteur
(on dit aussi dgnration d'metteur) sont des exemples qui utilisent, pour la
stabilisation du courant collecteur, la contre-raction. C'est une technique que nous
tudierons dans la suite de ce cours mais prcisons tout de suite qu'elle entrane en
gnral une rduction de l'amplification de l'tage. Alors, pour certaines applications
dans lesquelles le maintien du gain est impratif, il faudra donc viter la contreraction et utiliser des techniques de compensation pour rduire le dplacement du
point de fonctionnement. Ces techniques font appel des dispositifs thermosensibles (diodes, transistors, thermistances) qui dlivrent des tensions de compensation telles que le point de fonctionnement soit maintenu constant.

1) Exemple de compensation pour ICB0


VCC

On voit que :
V -V
V
I= CC BE CC =Cste
R
R
et IB=I-I0
donc
IC=(I-I0)+( +1)ICB0
I + (ICB0-I)

RC

R
IC

(figure 19)

IB
I0

Il est clair que si la diode prsente le mme


courant de fuite que le transistor, une bonne
compensation sera assure.

(Comme diode, on prend souvent un transistor


de mme modle dont on court-circuite la
jonction collecteur- base).

Figure 19

2) Exemple de compensation pour VBE : (figure 20)


VCC

On a dans ce cas :

RC

IC =
RB

(VBB -VBE +V0 )+(R B +R E )(+1)ICB0


R B +(1+)R E

On voit donc que si VBE=V0 , le


courant IC ne dpendra plus de VBE
VBB

RE
RD
V0 D
+

VDD

Figure 20

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2 Partie: L'AMPLIFICATION

3) Exemple de compensation par thermistance


a) Les thermistances:
Ce sont des lments constitus par un matriau semi- conducteur possdant
un coefficient de temprature ngatif lev (CTN). Actuellement, il existe des thermistances avec un coefficient de temprature positif (les "sensistors" de Texas Ins. ou les
"Posistors" de Murata par exemple).
Les thermistances CTN ont la proprit d'avoir une rsistance qui diminue lorsque
la temprature augmente selon :
1 1
b( - )
T T0

R=R 0 e
R0 rsistance la temprature T0
b constante qui dpend du matriau utilis (gnralement entre 3000 et 5000 K)
1 dR
b
Le coefficient de temprature des CTN est dfini par: =
=- 2
R dT
T
Il varie de -2,5 -5 % par degr Celcius.
Pour utiliser convenablement une thermistance, il faudra connatre les paramtres suivants:
- L'intensit nominale pour laquelle la thermistance atteint la temprature maximale admissible dans une ambiance de 25C.
- La puissance nominale que dissipe la thermistance lorsqu'elle est parcourue
par l'intensit nominale (on pourra utiliser des systmes de refroidissement pour augmenter cette puissance).
- La constante de temps thermique, lie au temps ncessaire pour que la
temprature propre de la thermistance varie de 63% de la diffrence entre la
temprature initiale T0 et une temprature plus leve T1. Cette constante varie selon le
type de thermistance entre quelques secondes et plusieurs minutes).
Il est vident qu'en rgime transitoire, la thermistance se comporte comme une
rsistance pure.
La figure 21 montre l'allure de la caractristique lectrique des thermistances
CTN. Cette courbe est une courbe d'quilibre, atteinte aprs un certain temps de
stabilisation.

faible (<1%)

-tC
symbole

moyen (2%)

lev (>3%)
Point de
basculement
I

Figure 21
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2 Partie: L'AMPLIFICATION

b) Utilisation des thermistances:


Les thermistances sont utilises en thermomtrie, en
surintensits, dans les compensations.

protection contre les

- Protection contre les surintensits:


Nous savons que les mtaux possdent une faible rsistance froid. Ainsi,
lorsqu'on alimente une rsistance mtallique (c'est le cas par exemple du filament de
chauffage d'un tube lectronique), une surintensit se produit puis s'attnue au fur et
mesure que le mtal s'chauffe (courbe pleine de la figure 22). Evidemment, cette
surintensit risque de provoquer la fusion du filament moins de le surdimensionner,
ce qui n'est jamais recommand. En disposant une thermistance convenable en srie
avec le filament, ce problme sera rsolu (courbe en pointills).

I
Courant
nominal

RT
E

-tC

Rfilament

Figure 22
- Elment de compensation:
Un exemple de compensation par thermistance est illustr par la figure 23.
-VCC
R2

Si la temprature augmente, IC augmente


et IE aussi.

RC
IC

RT

IE
R1
RE

La rsistance RT diminuant, le courant I


qui la traverse augmente, se retranchant de
IE.
Ainsi, on compense laugmentation de IC

Figure 23
On trouve aussi d'autres types de montages avec
compensation par
thermistances mais il faut prciser que l'utilisation de ces lments n'est pas trs aise
car pour affiner les compensations, il faudra trouver la thermistance qui prsente la
variation inverse adquate. Ce n'est pas vident. C'est pourquoi on trouve en gnral
dans les montages ces thermistances associes des rsistances variables destines
ajuster au mieux les effets de compensation.
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2 Partie: L'AMPLIFICATION

IV. STABILITE THERMIQUE DES MONTAGES


Que se passe-t-il dans un transistor en fonctionnement, du point de vue
thermique ?
Le transistor s'chauffe car il dissipe une puissance lectrique :
PC =VCB IC +VBE IB VCE IC
Cet chauffement entrane l'augmentation de son courant collecteur IC donc
une augmentation de la puissance dissipe et ainsi de suite.
Une boucle risque de se fermer, conduisant videmment la destruction du
transistor, par fusion de sa jonction.
On dit qu'il y a emballement thermique.
On peut de ce point de vue assimiler le transistor un systme boucl (figure
24) et on sait que ce systme sera stable si le produit des fonctions de transfert est
infrieur 1.

IC

IC
Tj

P
IC
Tj

Condition de stabilit :

P T IC
1


IC P Tj

Tj
P

Figure 24
Nous devrions alors, pour chaque circuit, valuer chacune de ces transmittances
et vrifier que la condition de stabilit est assure. (En fait, ce sont les circuits de
puissance qui peuvent prsenter le phnomne d'emballement thermique).
Plutt que d'valuer directement ces transmittances, nous allons, ce qui
reviendra au mme, effectuer une autre approche aprs l'introduction de quelques
notions de thermique.

1) Rsistance thermique
Lorsque vous branchez votre fer souder, sa panne atteint une certaine temprature qui est proportionnelle essentiellement la puissance lectrique P de sa
rsistance.
On appelle rsistance thermique ce facteur de proportionnalit et on peut crire,
en appelant Tf la temprature atteinte par le fer,
Tf -Ti = Rth P

Ti tant la temprature initiale du fer.


Il en est de mme pour un transistor.
On aura pour sa temprature de jonction Tj, P tant la puissance dissipe:
Tj -Ta = Rth(j-a) P

Nous prcisons qu'il s'agit de la rsistance thermique entre la jonction et


l'ambiante puisque c'est de cette diffrence de temprature qu'il s'agit.
P est la puissance transforme en chaleur.
Cette quation qui rappelle la diffrence de potentiel aux bornes d'une
rsistance (VA -VB =RI) est connue sous le nom de "loi d'Ohm thermique", avec les
analogie videntes:
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2 Partie: L'AMPLIFICATION

V
I
R

T
P
Rth

Nous pouvons alors donner le schma thermique simplifi d'un transistor (figure 25):
Collecteur

Rth(j-c)

Tj

Rth(c-s)

Botier

Support
Ts

Tc

Rth(s-a)

Ambiante
Ta

Figure 25

Partant de la jonction ( la temprature Tj), on arrive au fond du botier la


temprature Tc (l'indice c vient de l'anglais "case") puis au support du botier la
temprature Ts . On arrive enfin l'air ambiant la temprature Ta .
A chaque niveau videmment, on rencontre une rsistance thermique.

2) Choix du point de fonctionnement


Si on regarde le rseau de sortie d'un transistor dans lequel on trace les hyperboles
de dissipation de puissance (figure 26), on remarque que si le point de fonctionnement
est choisi droite de M, milieu de la caractristique statique (point A), une
augmentation du courant IC correspondra une augmentation de la puissance dissipe
(donc une augmentation de la temprature de jonction) et le risque d'emballement
thermique est rel.

IC
VCC
RC+RE

Le point B passe en B
o la puissance dissipe
est plus petite

B
x
xB

Le point A passe en A
o la puissance dissipe
est plus grande

M
A x

P2>P1
P1

x
A

VCC
2

VCC

VCE

Figure 26

Par contre, si on se polarise gauche du point M (en B), on remarque qu' une
augmentation du courant IC correspond une diminution de la puissance dissipe et le
risque d'emballement est cart. Ainsi, pour prvenir l'emballement thermique, il faudra
V
choisir un point de fonctionnement tel que VCE CC
2
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2 Partie: L'AMPLIFICATION

3) Condition de stabilit thermique


Pour qu'il n'y ait pas d'emballement thermique, il faut que la puissance
transforme en chaleur la jonction collecteur-base soit infrieure la puissance
dissipe par le transistor, soit PC < PD
On peut alors crire
PC PD
PC
1
<
soit
<
Tj
Tj
Tj R th
Pour un montage classique, on a
PC =VCB ICVCE IC =[VCC -(RC +RE )IC ]IC
La condition de stabilit peut s'crire:
PC IC 1

I
T
C j Rth
P
avec: C = VCC -2 IC (RC +RE )
IC
IC
I
V

= S I CB0 + SV BE
Tj
Tj
Tj


+ S

Tj

Pour un transistor, toutes ces grandeurs sont connues. Il faudra alors choisir Rth
pour satisfaire la condition de stabilit.
Dans la pratique, seule la variation due ICB0 est prendre en compte.
Dans ce cas, la condition de stabilit s'crit:
PC ICB0 1

S I

T
T
j
j


Rth

On admet en gnral que ICB0 augmente de 7% par degr Celsius tant pour le
Germanium que pour le Silicium:
ICB0

0,07 ICB0
Tj
1
On a donc: [VCC -2(RC +RE )IC ]SI .0,07ICB0 <
R th
ICB0 , SI et Rth tant des quantits positives, cette ingalit sera toujours
satisfaite si le terme entre crochets est ngatif soit:
VCC
V
ce qui implique VCE CC
IC
2(R C +R E )
2
C'est le rsultat que nous avons trouv graphiquement et qui est une condition
suffisante (et non ncessaire) pour viter l'emballement thermique.

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2 Partie: L'AMPLIFICATION

Exemple :

VCC=9V

Soit lamplificateur de puissance de la figure


27 qui utilise un transistor au Germanium
pour lequel on prendra :
=40, ICB0=0,6 mA 25C
et Rth(j-a)=220C/W
Ce transistor est polaris VCE=6V.
Quelle est la valeur de R2 ?
Comment assurer la stabilit thermique de ce
montage?

R2

R1

RE
1,5

160

Figure 27
L'enroulement du transformateur tant suppos trs faible rsistance, la
tension metteur est de 3 V et la tension base sera donc de 3,2 V puisque le transistor
est au Germanium.
On en dduit:
I
V
I E =IC = E =2A do I B C = 50 mA
RE

Le courant dans R1 tant de 20 mA, le courant dans R2 sera de 70 mA.


Comme la tension ses bornes est VCC -VB =5,8 V , on a:
R2 83
Le transistor tant au Germanium, c'est essentiellement ICB0 qui cause les
problmes thermiques (ce serait VBE pour un transistor au Silicium).
La condition de stabilit thermique que nous avions pose donne, avec
PC
ICB0
-5
=VCC -2R E IC =3 , SI =39,6 et
=4,2 10 A/C
I C
Tj
Rth(j-a) < 200 C/W
Dans notre cas, Rth(j-a) =220 C/W et ce montage ne sera donc pas stable.
Pour le stabiliser, il faudra connatre la rsistance thermique jonction-botier
(donne par le constructeur, elle est de l'ordre de quelques C/W pour un transistor de
puissance) et en dduire la rsistance thermique du radiateur sur lequel il conviendra
d'installer ce transistor.
En plus clair, il faudra crire, en appelant Rth(r-a) la rsistance thermique du
radiateur :
Rth(j-a) = Rth(j-c)+Rth(r-a) < 200 C/W
Connaissant donc Rth(j-c) par les sheets du constructeur, on en dduit les
dimensions du radiateur convenable.

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2 Partie: L'AMPLIFICATION

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