410 Semiconductores

Semiconductores
Principios fsicos bsicos
FUNDAMENTOS DE SENSORES Y SEMICONDUCTORES

MAESTRA EN ELECTRNICA Y COMPUTACIN
UNIVERSIDAD VERACRUZANA
Prof. Jess Garca Guzmn, PhD

SEMICONDUCTORES: PRINCIPIOS BSICOS
Estructura atmica
Qu indica la tabla?

Estructura atmica
Nmero atmico y valencia
Un ncleo, con carga positiva, rodeado de una nube de electrones.

Nmero atmico:
nmero de protones en el ncleo = nmero de electrones en la nube.
Los electrones ocupan una serie de capas, que se llenan de dentro hacia fuera.
La ltima capa, llamada de valencia, puede quedar sin llenar.
Los electrones en esta capa se llaman electrones de valencia.
Cada fila de la tabla corresponde al llenado de una capa.
En la primera columna, los elementos tienen un electrn de valencia.
En la ltima columna, los elementos tienen llena la capa de valencia.

Estructura atmica
Qu indica la tabla?
En el primer grupo, los elementos tienen un electrn de valencia.
En el ltimo grupo, los elementos tienen llena la capa de valencia.
Los tomos tienden a completar su capa de valencia, ya sea negociando o

compartiendo electrones.
La atraccin electrosttica forma enlaces entre los tomos que ganan o comparten
electrones.
Enlaces qumicos
Metlico
Ocurre entre tomos de elementos metlicos, los cuales tienden a liberar sus
electrones para unirse en cristales con sus ltimas capas completas, sin aceptar a los
electrones de valencia, que quedan libres para moverse y contribuir a la conductividad
del metal.

Enlaces qumicos
Inico
Ocurre entre tomos de metales y no-metales.
El metal cede electrones de valencia y queda con carga positiva (in +). El no-metal
adquiere electrones y se convierte en un in -.
La atraccin entre los iones mantiene unidos a los tomos, dejando poca conductividad al
no haber electrones libres.
Enlaces qumicos
Covalente
Ocurre entre tomos de no-metales.
Los tomos comparten los electrones de valencia para llenar su ltima capa.
Los electrones compartidos forman los enlaces que mantienen unidos a los tomos del
cristal.

Teora de Bandas
Estructura atmica bandas de energa - conductividad

Teora de Bandas
Niveles cunticos de energa

Teora de Bandas
Estructura de las bandas de energa

Semiconductores
Conductores o aislantes, dependiendo del campo
Elementos
Grupo
Electrones en la
ltima capa
Cd
II A
2 e-
Al, Ga, B, In
III A
3 e-
Si, Ge
IV A
4e
P, As, Sb
VA
5 e-
Se, Te, (S)
VI A
6 e-

Cristal de silicio
Representacin bidimensional simplificada

Cristal de silicio
Representacin tridimensional simplificada

Cristal de silicio
Representacin tridimensional simplificada

Semiconductor intrnseco
Todos los tomos son del mismo elemento
A temperatura ambiente, algunos electrones ganan energa para saltar a la banda de

conduccin, dejando el correspondiente hueco en la banda de valencia.

A baja temperatura

Pares electrn hueco

Recombinacin
Adems del la generacin trmica de pares electrn-hueco, el proceso inverso, llamado

recombinacin, tambin se lleva a cabo.
Los electrones pueden caer desde su estado energtico en la banda de conduccin, a un
hueco en la banda de valencia, liberando energa.

Recombinacin

Semiconductores intrnsecos
Comportamiento con voltaje aplicado
Si se aplica voltaje, se establece una corriente que
consiste en el movimiento de electrones en un
sentido y en el desplazamiento de huecos en sentido
opuesto.
La corriente elctrica en un semiconductor es una
combinacin del movimiento de dos tipos de
portadores de carga.

Semiconductores extrnsecos
Contienen impurezas o contaminacin
Se obtienen aadiendo un pequeo porcentaje de
impurezas (tomos trivalentes o pentavalentes) a un
semiconductor intrnseco.
Las impurezas forman parte de la estructura cristalina
sustituyendo a los correspondientes tomos de silicio.
Pueden ser de tipo n, cuando las impurezas son
pentavalentes, como As, P o Sb.
Si las impurezas son elementos trivalentes, como Al,
B, Ga o In, los semiconductores extrnsecos son de
tipo p.

Semiconductores extrnsecos tipo n

Contienen impurezas pentavalentes
Las impurezas pentavalentes son

donadoras de electrones libres,
que no estn ligados a ningn
enlace.
En el semiconductor hay una
mayor cantidad de electrones
que de huecos y se dice que los
electrones son los portadores
mayoritarios.


Las impurezas pentavalentes son

donadoras de electrones libres,
que no estn ligados a ningn
enlace.
mayor cantidad de electrones
que de huecos y se dice que los
electrones son los portadores
mayoritarios.


Los electrones no-enlazados requieren muy poca energa para saltar a la banda de conduccin.
La conductividad aumenta enormemente con apenas un bajo porcentaje de impurezas.

Semiconductores extrnsecos tipo p

Contienen impurezas trivalentes
Las impurezas trivalentes

aportan una vacante y son
aceptoras de electrones.
mayor cantidad de huecos que
de electrones y se dice que los
huecos son los portadores
mayoritarios.


Las impurezas trivalentes

aportan una vacante y son
aceptoras de electrones.
mayor cantidad de huecos que
de electrones y se dice que los
huecos son los portadores
mayoritarios.


La energa de estos espacios vacantes es ligeramente superior a la de la banda de valencia, por lo
que son ocupados por los electrones que a su vez dejan ms huecos, los cuales de este modo se
convierten en portadores mayoritarios.

Estructuras cristalinas
Ordenacin peridica de estructuras idnticas
La estructura idntica que se repite se llama base cristalina.
La estructura sobre la que se repite, se llama red cristalina
Tres vectores, a, b y c definen una red cristalina a travs de tres enteros n1, n2 y n3
Las redes cristalinas se llaman tambin redes de Bravais y hay 14 diferentes agrupadas en 7
sistemas cristalinos
De ellos el sistema cbico es el de mxima simetra y adems el sistema de los semiconductores
usuales.
Tienen asociada, normalmente, una base cristalina de dos tomos que pueden ser iguales (como
en los semiconductores elementales: Silicio, Germanio) o diferentes (Arseniuro de Galio,
Fosfuro de Indio y otros semiconductores formados por asociacin de elementos de los grupos III
y V, o II y VI del sistema peridico).

Redes de Bravais
Sistema
Redes
Malla
Cbico
Simple
Centrado en cuerpo
Centrado en caras
a=b=c
= = = 90
Trigonal
Rombodrico
a=b=c
= = 90
Simple
a=bc
= = 90
120
Hexagonal

Redes de Bravais
Redes de Bravais
Sistema
Redes
Malla
Tetragonal
Simple
Centrado en
cuerpo
a=bc
= = = 90
Ortorrmbico
Simple
Centrado en bases
Centrado en
cuerpo
Centrado en caras
abc
= = = 90
Monoclnico
Simple
Centrado en bases
abc
= = 90

Redes de Bravais
Redes de Bravais
Sistema
Redes
Malla
Triclnico
Simple
abc

Redes de Bravais
Estructura del Silicio

Orientacin e ndices de Miller


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