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OBJETIVOS
1) Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los
siguientes circuitos de polarizacin Jfet.
I.
MARCO TERICO
A) Transistor JFET
Fig5.
Fig4. Curvas caracterstica del transistor JFET
Son dos las curvas que se manejan habitualmente para
caracterizar los transistores JFET. En primer lugar, en la
representacin de ID frente a VGS, para una VDS dada, se
aprecia claramente el paso de la regin de corte a la de
saturacin (Figura 6). En la prctica slo se opera en el
segundo cuadrante de la grfica, puesto que el primero
la VGS positiva hace crecer rpidamente IG.
Curvas caractersticas:
=
Cuando
entonces
B)
Transistor MOSFET
Caractersticas:
*Caractersticas y funcionamiento:
En tres sus principales caractersticas estan las similitudes
que hay en la apariencia entre las curvas de transferencia de
los JFET y de los MOSFET de tipo decremento permiten
un anlisis similar de cada uno en el dominio de Dc. La
diferencia ms importante entre los dos es el hecho de que
el MOSFET de tipo decremento permite puntos de
operacin con valores positivos de VGS y niveles de ID
que excedan lDSS.
*Caractersticas y funcionamiento:
Las caractersticas de transferencia del MOSFET de tipo
incremental son muy diferentes de las encontradas para el
JFET y los MOSFET de tipo decremental, pero se obtiene
una solucin grafica muy diferente a las encontradas en
secciones precedentes. Lo primero y quiz ms importante
es recordar que para el MOSFET de tipo incremental de
canal-n, la corriente de drenaje es cero para aquellos niveles
de voltaje compuerta-fuente, menores que el nivel del
umbral VGS (Th)
Datos:
1
2
))
))
))
Clculos:
DATOS
VDD=12V
VGS>VP
VGG
IG=0mA
Entonces como el punto de trabajo Q esta en el medio
decimos que:
(
( )
II.
Descripcin
Transitor MOSFET MPF 102
resistencia 1K
Cable multipar
TOTAL
III.
Cantidad
2
10
1m
Precio
$2.00
3.00
0.50
5.50
( )
MATERIALES Y HERRAMIENTAS
MALLA #1
1
1
( )
(
DESARROLLO
C) Clculos de la prctica:
MALLA #2
IG=0
VRG=0V
VDD
12V
RD
1.5 V
(1
(1
RD
Fig13. Circuito de polarizacin con doble fuente
)2
(1
1M
(1
)
)
(1
)
1
1
1
(
1
*Polarizacin por divisor de tensin
VDD
12V
12V
RD
RD
R1
RS
RG
R2
RS
Clculos:
(1
(1
(1
(1
)
)
)
(1
)
1
1
1
1
1
1
VDD
12V
1
1
RD
R7
120
Q5
1
BF510
RS
1
1
V1
-12V
R13
2.2k
1
RD
2
1
1
RS
Fig16. Circuito de polarizacin con doble fuente
simtrica
Datos:
2.58
1
1
Clculos:
*Con doble fuente simtrica
(1
(1
)
1
11
1
(
)
1
1
MOSFET INCREMENTAL
1
*Autopolarizacin o Polarizacion con gate a Tierra.
15
15V
RD
R7
850
Q5
BF510
MOSFET INCREMENTAL
Datos del Mosfet IRF 151
VGS (encendido)=10V
ID (encendido)=40A
VGS (TH)=3V
Datos:
DATOS
2.58
1
VDD=15V
IG=0mA
MALLA # 1
1
(
1
1
MOSFET DECREMENTAL
VDD
15V
VDD
R2
91
Entonces:
Para el clculo de RS
Q1
3
BSP149*
1
R3
1M
( )
R1
22
MOSFET DECREMENTAL
Para el clculo de RD
( )
DATOS
VDD=15V
IG=0mA
1
1
)
1
MALLA# 1
1
TABLA I
MEDIDAS PARA POLARIZACIN CON DOBLE
FUENTE
Valores
Valores
Valores
Parmetros
calculados
simulados
medidos
5mA
4.597 mA
5.15mA
6V
5.104
5.97V
6V
5.104V
5.97V
-0.87064V
-0.764
-0.78
VGS
ID
-1V
0mA
-0.3V
5mA
-0.5V
2.5mA
0V
10mA
U3
5.05m
DC 1e-009Ohm
RD
V4
15V
R15
1.3k
U4
+
-
DC 10MOhm
VD
VGS
+
-
R2
1M
-0.734
6.563
Q4
IDss=10mA
VP= -2.87V
2N3821*
U6
V
7.629
DC 10MOhm
U5
DC 10MOhm
VS
RS
R13
160
U8
+
-
0.808
DC 10MOhm
TABLA II
MEDIDAS PARA POLARIZACIN CON RESISTENCIA
AL SOURSE
Valores
Valores
Valores
Parmetros
calculados
simulados
medidos
5mA
5.05mA
5.15mA
V
4,97 V
5,2V
-7.5V
7.62V
7.59V
-0,84V
-0,734
-0,75
4.921m
VRD
DC 1e-009Ohm
RD
V4
15V
VD
R4
33k
Q2
IDss=10mA
VP= -2.58V
VGS
-0.766
VS
R13
330
7.474
DC 10MOhm
U5
DC 10MOhm
RS
U4
2N3821**
R2
2k
R15
1.2k
8.441m
VRD
DC 1e-009Ohm
RD
V3
15V
R10
850
Q1
IDss=8.73mA
VP= -2.58V
VD
U2
+
-
2N3821*
7.823
DC 10MOhm
VS
U9
+
-
DC 10MOhm
MOSFET DECREMENTAL
MOSFET INCREMENTAL
TABLA DE VALORES
ID(Q)
VDS(Q)
VRD
CALCULADO
SIMULADO
20A
7.5V
21.752A
6..29V
6V
5.987V
TABLA DE VALORES
CALCULADO
SIMULADO
ID(Q)
VDS(Q)
70mA
7.5V
63.5mA
7.56V
VRD
VRS
6V
1.5V
5.987V
1.447V
IV.
Simulacin del voltaje VRD en el circuito del Mofet
Decremental.
MOSFET DECREMENTAL
ANLISIS DE RESULTADOS
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
RECOMENDACIONES
VI.
BIBLIOGRAFA