UNIDAD 3. TRANSISTOR UNIPOLAR.

3.1. Configuraciones de polarizacin.

Una diferencia entre el anlisis de transistores BJT y FET es que: La variable de
control de entrada para un transistor BJT es un nivel de corriente, en tanto
que para el FET la variable de control es un voltaje.
En ambos casos, sin embargo, la variable controlada en el lado de salida es un
nivel de corriente que tambin define los niveles de voltaje importantes del circuito
de salida. Las relaciones generales que se pueden aplicar al anlisis de cd de
todos los amplificadores de FET son
(7.1)
(7.2)
La ecuacin de Shockley se
aplica a los JFET, a los
MOSFET tipo empobrecimiento y a los MESFET para relacionar sus cantidades de
entrada y salida:
(7.3)
Para los MOSFET tipo
la siguiente ecuacin es aplicable:

enriquecimiento y los MESFET,

(7.4)
Es en particular muy importante darse cuenta que todas las cantidades anteriores
son slo para el dispositivo! No cambian con cada configuracin de red mientras
el dispositivo se encuentre en la regin activa. La red simplemente define el nivel
de corriente y voltaje asociado con el punto de operacin mediante su propio
conjunto de ecuaciones. En realidad, la solucin de cd de redes con BJT y FET es
la solucin de ecuaciones simultneas establecidas por el dispositivo y la red. La
solucin se obtiene utilizando un mtodo matemtico o grfico.
3.1.1. Fija.
La configuracin de polarizacin ms simple para el JFET de canal n aparece en
la figura 7.1. Conocida como configuracin de polarizacin fija, es una de las
pocas configuraciones de FET de un modo directo tanto con un mtodo
matemtico como con un grfico.

La
configuracin de
la figura 7.1 incluye niveles de Vi y Vo y los capacitores de acoplamiento (C1 y
C2). Recuerde que los capacitores de acoplamiento son circuitos abiertos para el
anlisis de cd y bajas impedancias (en esencia cortocircuitos) para el anlisis de
ca. La presencia del resistor RG garantiza que Vi aparecer a la entrada del
amplificador de FET para el anlisis de ca. Para el anlisis de cd,

La cada de voltaje de cero volts a travs de RG permite reemplazar RC con un

equivalente de cortocircuito, como aparece en la red de la figura 7.2,
especficamente dibujada de nuevo para el anlisis de cd.

El hecho de que la terminal negativa de la batera est conectada directamente al

potencial positivo definido de VGS deja ver con claridad que la polaridad de VGS
es directamente opuesta a la de VGG.

La aplicacin de la ley de voltajes de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del

reloj de la malla indicada de la figura 7.2 da

(7.5)

Como VGG es una fuente de cd fija, la magnitud del voltaje VGS es fija, de ah la
designacin de configuracin de polarizacin fija. La ecuacin de Shockley
controla ahora el nivel resultante de la corriente de drenaje ID:

Como VGS es una cantidad fija para esta configuracin, su magnitud y signo
simplemente se sustituyen en la ecuacin de Shockley para calcular el nivel de ID.
sta es una de las pocas instancias en que la solucin matemtica de una
configuracin de FET es bastante directa.
Un anlisis grfico requerira una grfica de la ecuacin de Shockley como se
muestra en la figura 7.3. Recuerde que al seleccionar V GS=Vp /2 obtendr una
corriente de drenaje de

I DSS /4

cuando grafique la ecuacin. Para el anlisis de

este captulo, los tres puntos definidos por

I DSS , Vp y la interseccin que

acabamos de describir bastarn para trazar la curva.

En
la
figura
7.4,
el
nivel fijo
de VGS

se superpuso como una lnea vertical trazada por

de la lnea vertical, el nivel de

V GS

es

V GS=V . En cualquier punto

V : simplemente, el nivel de

I D se

determina en esta lnea vertical. El punto donde las dos curvas se cortan es la
solucin comn de la configuracin, comnmente conocido como punto de
operacin o quiescente. El subndice Q se aplicar a la corriente de drenaje y al
voltaje de la compuerta a la fuente para identificar sus niveles en el punto Q.
Observe en la figura 7.4 que el nivel quiescente de ID se determina trazando una
lnea horizontal del punto Q al eje vertical ID. Es importante darse cuenta que una
vez que se construya y opere la red de la figura 7.1, los niveles de ID y VGS que
leern los medidores de la figura 7.5 son los valores quiescentes definidos por la
figura 7.4.

3.1.2. Autopolarizacin.
La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad de dos fuentes de cd. El
voltaje de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a travs
de un resistor RS introducido en la rama de la fuente de la configuracin como se
muestra en la figura 7.8.

Para el anlisis de cd, de nueva cuenta, los capacitores pueden ser reemplazados
por circuitos abiertos y el resistor RG por un equivalente de cortocircuito, puesto
que I G =0 . El resultado es la red de la figura 7.9 para el importante anlisis de
cd. La corriente a travs de

RS

travs

I S=I D

de

la

fuente,

pero

es la corriente

IS

Para la malla indicada de la figura 7.9, vemos que

Observe en este caso que VGS es una funcin de la corriente de salida ID y no de

magnitud fija como ocurri para la configuracin de polarizacin fija. La
configuracin de la red define la ecuacin (7.10) y la ecuacin de Shockley
relaciona las cantidades de entrada y salida del dispositivo. Ambas ecuaciones
relacionan las mismas dos variables, lo que permite o una solucin matemtica o
una solucin grfica.
Se podra obtener una solucin matemtica con slo sustituir la ecuacin (7.10) en
la ecuacin de Shockley como sigue:

Al realizar el proceso de elevacin al cuadrado indicado y reordenando los

trminos, obtenemos una ecuacin de la siguiente forma:

Por consiguiente, la ecuacin cuadrtica se resuelve para obtener la solucin

apropiada para ID. La secuencia anterior define el mtodo matemtico. El mtodo
grfico requiere que primero establezcamos las caractersticas de transferencia
del dispositivo como se muestra en la figura 7.10

El segundo punto para la ecuacin (7.10) requiere que se seleccione un nivel de

VGS o ID y el nivel correspondiente de la otra cantidad se determine con la
ecuacin (7.10). Los niveles resultantes de ID e VGS definirn entonces otro punto
sobre la lnea recta y permitirn trazarla. Suponga, por ejemplo, que
seleccionamos un nivel de ID igual a la mitad del nivel de saturacin. Es decir,

El resultado es un segundo punto para la lnea recta como se muestra en la figura

7.11. Entonces se traza la lnea recta definida por la ecuacin (7.10) y el punto
quiescente se obtiene en la interseccin de la grfica de la lnea recta y la curva
caracterstica del dispositivo. Los valores quiescentes de ID y VGS se determinan
y utilizan para encontrar las dems cantidades de inters. El nivel de VDS se
determina aplicando la ley de voltajes de Kirchhoff al circuito de salida, con el
resultado de que

3.4. Polarizacin de MOSFET.

MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO
La semejanza entre las curvas de transferencia de los JFET y de los MOSFET tipo
empobrecimiento permite analizarlos de la misma manera en el dominio de cd. La
diferencia principal entre los dos es que los MOSFET tipo empobrecimiento
permiten puntos de operacin con valores positivos de VGS y niveles de ID
mayores que IDSS. En realidad, para todas las configuraciones descritas hasta
ahora, el anlisis es el mismo si al JFET lo reemplaza un MOSFET tipo
empobrecimiento. La nica parte indefinida del anlisis es cmo trazar la ecuacin
de Shockley para valores positivos de VGS. Qu tan adentro de la regin de
valores positivos de VGS y de valor de ID mayores que IDSS tiene que extenderse
la curva de transferencia? En la mayora de las situaciones, este intervalo
requerido quedar bien definido por los parmetros del MOSFET y la lnea de
polarizacin resultante de la red. Algunos ejemplos revelarn el efecto de los
cambios del dispositivo en el anlisis resultante.
MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO
Las caractersticas de transferencia del MOSFET tipo enriquecimiento son
bastante diferentes de las del JFET y de los MOSFET tipo empobrecimiento, que
llevan a una solucin grfica bastante diferente de las de las secciones
precedentes. Ante todo, recuerde que para el MOSFET tipo enriquecimiento de
canal n, la corriente de drenaje es cero con niveles del voltaje de la compuerta a
la fuente menores que el nivel de umbral VGS(Th), como se muestra en la figura
7.37. Para niveles de VGS mayores que VGS (Th), la corriente de drenaje se
define como

Como las hojas de especificaciones en general dan el voltaje de umbral y un nivel

de la corriente de drenaje (ID (encendido)) y su nivel correspondiente de VGS
(encendido), se definen dos puntos de inmediato como se muestra en la figura

7.37. Para completar la curva, se debe determinar la constante k de la ecuacin

(7.33) en la hoja de especificaciones y luego sustituyendo en la ecuacin (7.33) y
resolviendo para k como sigue:

Con k definida, se pueden determinar otros niveles de ID con valores

seleccionados de VGS. En general, un punto entre VGS(Th) y VGS(encendido) y
uno apenas mayor que VGS(encendido) sern suficientes para trazar la ecuacin
(7.33) (observe y en la figura 7.37).
Configuracin de polarizacin por realimentacin
La configuracin de la figura 7.38 es una configuracin de polarizacin muy
popular para los MOSFET tipo enriquecimiento. El resistor RG aporta un voltaje
apropiadamente grande a la compuerta para encender el MOSFET. Como IG =0
mA y VRG = 0 V, la red equivalente aparece como se muestra en la figura 7.39.

Ahora existe una conexin directa entre el drenaje y la compuerta, y el resultado

es

para el circuito de salida

la que se escribe como sigue despus de sustituir en la ecuacin (7.27):

(7.36)

El resultado es una ecuacin que relaciona las mismas dos variables que la
ecuacin (7.33), el cual permite trazarlas en el mismo sistema de ejes. Como la
ecuacin (7.36) es la de una lnea recta, se puede emplear el mismo
procedimiento antes descrito para determinar los dos puntos que definirn la curva
en la grfica. Sustituyendo ID = 0 mA en la ecuacin (7.36) se obtiene
(7.37)

Sustituyendo VGS = 0 V en la ecuacin (7.36), tenemos

(7.38)

Las curvas definidas por las ecuaciones (7.33) y (7.36) aparecen en la figura 7.40
con el punto de operacin resultante.