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UNIDAD AZCAPOTZALCO
ELECTRNICA I
ELABORO:
JUREZ HERRERA AZUCENA
4SV2
1
Este componente est formado por una delgada capa de material semiconductor tipo
N denominado canal. A los lados de sta aparecen dos regiones de material
semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del canal se sita un terminal. As,
tenemos un terminal de fuente o surtidor (del ingls source) y otro de sumidero o
drenador (drain). Las dos regiones P se interconectan entre s, y hacia el exterior,
constituyendo el terminal de puerta o graduador (gate).
(drain)
MOSFET de deplexin o de
empobrecimiento
4.1.2 SIMBOLOGA
5
JFET
MOSFET
MOSFET ACUMULACIN
MOSFET DEPLEXIN
ecuacin
que
relaciona
la
ID
con
la
VGS
se
conoce
como ecuacin
MOSFET
Cuando ya existe canal inducido y V DS va aumentando, el canal se contrae en el lado del
Drenador, ya que la diferencia de potencial Puerta-canal es en ese punto, ms baja y la
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zona de transicin ms ancha. Es decir, siempre que exista canal estaremos en regin
de
Rds(on) = 1V = 10 Ohms
100mA
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As mismo, el transistor estar en la regin hmica, cuando VGS > Vt y VDS < ( VGS
Vt ).
El MOSFET equivale a una resistencia variable conectada entre el Drenador y
Surtidor. El valor de esta resistencia vara dependiendo del valor que tenga la tensin
entre la Puerta y el Surtidor (VGS).
Regin de Saturacin.
El transistor MOSFET entra en esta zona de funcionamiento cuando la tensin entre
el Drenador y el Surtidor (V DS) supera un valor fijo denominado tensin de saturacin
(Vds sat) Drenador-Surtidor; este valor viene determinado en las hojas caractersticas
proporcionadas por el fabricante. En esta zona, el MOSFET mantiene constante su
corriente de Drenador (ID), independientemente del valor de tensin que haya entre el
Drenador y el Surtidor (V DS). Por lo tanto, el transistor equivale a un generador de
corriente continua de valor ID.
Es decir; el MOSFET estar en esta regin, cuando VGS > Vt y VDS > ( VGS Vt ).
O sea, estaremos en la regin de saturacin cuando el canal se interrumpe o
estrangula, lo que sucede cuando:
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4.2 POLARIZACIN
Este componente funciona de la siguiente forma: en los transistores de unin
bipolares, la corriente de colector emisor se controlaba gracias a la variacin de la
pequea corriente que se aplica a la base, realizndose la conduccin tanto por
electrones como por huecos. Sin embargo, los transistores de efecto campo funcionan
solamente con un tipo de portadores de carga: huecos o electrones, segn el tipo de
canal. As, por ejemplo, en un JFET de canal N, lo portadores son los electrones.
El transistor de la figura de la derecha conduce siempre del terminal de surtidor al de
drenador (sentido electrnico de la corriente). El canal N posee suficientes
electrones libre como para que se pueda establecer un paso de corriente. Si ahora
sometemos al terminal de puerta a una tensin negativa, los electrones libres sern
expulsados por repulsin fuera del canal. Esto hace que el canal se quede con menos
portadores de carga y, por lo tanto, su resistencia aumente considerablemente, lo que
provoca una disminucin de la corriente que atraviesa el canal del surtidor al de
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14
MOSFET DE ACUMULACIN
MOSFET DE DEPLEXIN
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estar ubicado de tal forma que el dispositivo trabaje en zona activa (de
saturacin del canal o de corriente constante) y permitir suficiente variacin
de la seal sin que el dispositivo salga de esa zona de funcionamiento y entre en
MODELOS
EQUIVALENTES
APROXIMADOS:
aproximacin,
aproximacin y 3 aproximacin.
Hasta ahora hemos visto las 2 primeras, la tercera forma de analizarlos es de forma
grfica, esto es calculando su recta de carga.
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ESTADO ON
ESTADO OFF
Saturacin
Activa
Corte
Activa
Activa
Corte
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digitales suelen operar bajo las condiciones del modo 1, conmutando entre corte y
saturacin.
Para conmutar un transistor npn al estado ON, debemos suministrar carga a la base.
Se requiere que esta para neutralizar las cargas de la regin de carga espacial que
correspondan al estado OFF y para establecer una carga en exceso en la regin de la
base, suficiente para poder mantener cualquier corriente colectora solicitada por el
circuito cuando el transistor est en ON. Para conmutar el transistor al estado OFF
debemos extraer toda la carga en exceso en la base y las de las regiones de carga
espacial para que las uniones puedan soportar las tensiones solicitadas por el circuito
cuando el transistor est en OFF. De estas consideraciones se deduce que la
transicin entre estados no es instantnea. - Tiempo de almacenamiento. El tiempo de
almacenamiento es el tiempo transcurrido desde el flanco de bajada del impulso de
entrada (t=T) hasta el punto en que ic comienza justamente a disminuir hacia cero.
- Tiempo de cada. El tiempo de cada tf es el tiempo que tarda la corriente de
colector en disminuir desde Icsat hasta 0,1Icsat.
Los clculos del tiempo de retardo, tiempo de subida, tiempo de cada y tiempo de
almacenamiento implican varias aproximaciones y generalmente dan por resultado
valores que difieren apreciablemente de los publicados por los fabricantes. Adems, la
mayora de interruptores con transistor o puertas hoy da en uso son circuitos
integrados que contienen muchos transistores que no admiten un anlisis simple.
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donde debido a la alta impedancia de entrada del dispositivo (recordar que en el peor
de los casos es una juntura polarizada inversamente), la corriente que entra al mismo
(iG) es despreciable, y en consecuencia la resistencia RG no tiene una influencia
apreciable.
En estas condiciones, si el valor mximo de la seal senoidal de entrada (VM) es tal
que el dispositivo permanece funcionando en la zona de corriente constante para todo
instante de tiempo, zona donde el dispositivo responde en forma lineal, tanto la
corriente de salida (i D) como la tensin (vDSvO) resultan senoidales superpuestas a
los valores de continua (valores de polarizacin), y es posible expresarlas:
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de
transconductancia
variable (OTA)
es
un dispositivo
Esto se consigue con una alta impedancia de salida, a diferencia del amplificador
operacional (OA) que presenta una baja impedancia a la salida. Esto implica que el OTA
trabajar con bajas corrientes de salida.
OTAs clsicos son el CA3080 de Harris y el LM13600.
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Estos circuitos integrados (C.I.) disponen de una entrada de corriente ( Amplifier bias
gm
la
gm=
id
W
W
=k ' n ( V GSV t ) =k ' n V OV
v gs
L
L
Figura 6.2
gm=
iD
v GS
v GS=V
GS
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La ganancia de voltaje
v D=V DD i D R D
v D=V DD ( I D +i d ) R D
V
ID RD
DDi d R
v D=
v D=V D i d R D
v d =i d R D =g m v gs R D
AV =
vd
W
=g m R D =k ' n V OV R D
v gs
L
V DD
condiciones
v Dmin V GmaxV t
v Dmax <V DD
Grficamente se puede observar esto en la figura 6.3
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Figura 6.3
Mediante el anlisis anterior, se ve que mientras la seal
v gs
aplicar el principio de superpocision y separar los anlisis AC del DC, debido a que se
demostr que si la condicin de pequea seal se cumple
i D =I D +i d
v D=V D + v d
Donde el primer termino de las ecuaciones se refiere a la componente DC cuando la
fuente de seal no es tenida en cuenta y el segundo trmino se puede encontrar si
remplazamos el transistor por el modelo mostrado en la figura 6.4, denominado el
modelo
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Figura 6.4
Para utilizar este modelo como se dijo anteriormente se remplaza el transistor por el
modelo y las fuentes de de voltaje DC se cortocircuitan y las de corriente DC se
abren, luego se procede a realizar el clculo de los parmetros relevantes del circuito
como lo son la ganancia de voltaje, la resistencia de entrada y de salida entre otros.
La desventaja de este circuito es que considera la corriente de drenaje de saturacin
independiente del voltaje de drenaje, pero como se vio anteriormente esta corriente
aumenta un poco debido al incremento de
v DS
de
polarizacin
1
W
k ' n ( V GSV t )2
2
L
VA
sin
tener
en
cuenta
r o=
VA
I D , donde
ID
es la
la
modulacin
del
canal
100V.
Cabe resaltar que los parmetros de
del MOSFET. Y el modelo
gm
ro
Figura 6.5
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La transconducatancia
gm
gm=
id
W
W
=k ' n ( V GSV t ) =k ' n V OV
v gs
L
L
V GS
gm
V OV
, es decir que
V GSV t =
gm=k ' n
2I D
W
k 'n
L
W
W
V GSV t )=k ' n
(
L
L
gm=k ' n
gm
gm
2 ID
W
= 2 IDk 'n
W
L
k 'n
L
es cuando de remplaza
k 'n
2I D
W
=
L ( V GSV t )2
2ID
2ID
W
V GSV t )=
V
V
=
(
(
)
GS
t
2
L
V GSV t
( V GS V t )
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gm=0.35 mA /V
gm=35 mA /V
I D =0.5 mA
y un
k ' n =120 A /V 2
g m=
W / L=1 ,
W / L=100
I C 0.5 mA
=
=20 mA /V .
V T 25 mV
Figura 153. Circuito de polarizacin simple de un NJFET. (a) Diagrama circuital. (b)
Ecuaciones analticas. (c) Representacin grafica del punto de trabajo.
CONFIGURACIN DE AUTO POLARIZACIN.
La configuracin de autopolarizacin (figura 154), la cada de tensin en la resistencia
RS debida a ID permite generar una VGS<0.
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VG = R2 * VDD / R1 + R2 (5.1)
Luego, aplicando las leyes de Kirchhoff, y teniendo en cuenta que I R2 = IR1, entonces
podremos encontrar el valor del voltaje de la compuerta: V G.
VG VGS VRS = 0 (5.2)
VGS = VG VRS
Sustituyendo a VRS = IS * RS = IDRS, tenemos:
VGS = VG IDRS (5.3)
Los valores VG y RS los fija la red. Y la ecuacin No. 5.3 corresponde a una lnea recta
en el plano de ID VGS.
Cuando ID sea cero el valor de VGS ser igual a VG y cuando VGS sea cero, ID ser igual a
la relacin VG sobre RS.
De acuerdo a la figura No. 5.4, si R S se incrementa, entonces la recta cruzar por un
valor menor de ID cuando VGS sea cero. Pero esto ocasionar niveles menores de
estabilidad de los ID y ms negativos de VGS.
VDS = VDD ID (RD + RS) (5.4)
IR1 = IR2 = VDD / (R1 +R2) (5.5)
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da
informacin
acerca
de
la
capacidad
del
FET
de
deentrada Vi
produce
una
realimentacin
negativa
que
disminuye
del
FET,
pero
causa
una
disminucin
en
31
entrada
mucho
mayor
que
la
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ella
que
sale
de
la
fuente
de
seal
entra
en
1 - Se mide la tensin en la salida del amplificador operacional sin carga Vca. (Al no
haber carga, no hay corriente y por lo tanto, no hay cada de tensin en Zo.)
2 - Se coloca despus en la salida un resistor de valor conocido RL.
3 - Se mide la tensin en la carga (tensin nominal) = VRL
4 - Se obtiene la corriente por la carga con al ayuda de la ley de ohm: I = VRL / RL
5 - Se obtiene la impedancia de salida Zo con la siguiente formula: Zo = [VCA - VRL] /
I
Donde:
- Zo = impedancia de salida
- VCA = tensin de salida del operacional sin carga
- RL = resistencia de carga
- VRL = tensin de salida del amplificador operacional con carga
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- I = corriente en la carga
De
la anterior frmula
se deduce que
la ganancia de
tensin
en
este
tipo
BIBLIOGRAFA
http://unicrom.com/tut_MOSFET.asp
http://www.uhu.es/adoracion.hermoso/Documentos/tema-1-transistor-fet.pdf
http://pablin.com.ar/electron/cursos/fet1/index.htm
http://cvb.ehu.es/open_course_ware/castellano/tecnicas/electro_gen/presentacione
s-pdf/tema-7_traspas.pdf
http://www.hispavila.com/3ds/atmega/mosfets.html
http://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/TransistoresdeEfectoDeCampo.pdf
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