Podstawy

HBM, MM, CDM, czyli

adunki statyczne w natarciu
Ukady elektroniczne, a zwaszcza mikrosko
pijnej wielkoci struktury ukadw scalonych
atwo mog zosta uszkodzone przez due na
picia i prdy, wystpujce podczas rozado
wania adunkw elektrostatycznych (ESD
electrostatic discharge). adunki statyczne
powstaj wskutek tak zwanego efektu trybo
elektrycznego. Przykadowo, chodzc po dy
wanie lub wykadzinie ze sztucznego wkna,
czy nawet posugujc si najzwyklejszymi to
rebkami z polietylenu moemy naadowa
swoje ciao czy dotykane przedmioty do wy
sokiego napicia rzdu kilkuset woltw lub
nawet kilkunastu tysicy woltw. Z punktu
widzenia elektrycznoci chodzi tu o naado
wanie pojemnoci i zgromadzenie w niej
energii. Cho wchodzce tu w gr pojemnoci
s stosunkowo mae, ze wzgldu na due na
picie, zmagazynowana ilo energii jest
znaczna. Energia ta moe bardzo atwo do
prowadzi do nienaprawialnego uszkodzenia
struktury pprzewodnika. Potny impuls
prdu rozadowania moe po prostu stopi
poczenie, natomiast wysokie napicie moe
nieodwracalnie przebi zcze lub dielektryk.
Wikszoci elektronikw problem adun
kw statycznych kojarzy si z uszkodzeniami
ukadw CMOS i maych tranzystorw MO
SFET. Problem dotyczy take caych modu
w, na przykad kart i pamici komputero
wych. Mniej brana pod uwag jest moliwo
stopniowej degradacji parametrw, prowadz
ca w kocu do uszkodzenia, dotyczca wszel
kich delikatnych ukadw analogowych,
w tym take bipolarnych. Nieprzypadkowo
producenci ukadw analogowych, na przy
kad wzmacniaczy operacyjnych, umieszczaj
na opakowaniach i w specyfikacjach stosowne
ostrzeenia oraz zalecenia przechowywania
i montau, dotyczce ukadw bipolarnych.
Konstruktorzy wspczesnych ukadw
scalonych woyli wiele trudu, by zmniej
szy ich podatno na uszkodzenie. Na przy
kad we wszystkich ukadach CMOS na wej
ciach s umieszczone obwody zabezpiecza
jce. Jednak umieszczenie skutecznych ob
wodw ochronnych na wejciach ukadw

28

analogowych, na przykad ultraprecyzyjnych

wzmacniaczy operacyjnych mijaoby si
z celem, poniewa kady taki obwd pogar
sza w jaki sposb waciwoci ukadu. Ale
nawet ukady scalone z zabezpieczeniami nie
s cakowicie bezpieczne. W wyjtkowo nie
sprzyjajcych warunkach rozadowanie a
dunkw statycznych moe uszkodzi niemal
kady ukad scalony, ktry przecie zawiera
delikatne struktury mikroskopijnej wielkoci.
Cho dla wielu elektronikw temat wyda
je si bardzo tajemniczy, oglna zasada jest
oczywista: naadowana do wysokiego napi
cia pojemno rozadowuje si po zaistnieniu
sprzyjajcych okolicznoci przez kocwk
ukadu scalonego. Prd zawsze pynie w za
mknitym obwodzie. Ilustruje to w upro
szczeniu rysunek 1.
W praktyce jest wiele
rnych
moliwoci
i trudno byoby je wszyst
kie wymieni. Jedn
z czciej wystpujcych
sytuacji jest rozadowa
nie pojemnoci ciaa Rys. 1
ludzkiego przez kocw
k ukadu scalonego. Generalnie nie chodzi
o sam moment dotknicia do kocwki, tylko
o powstanie sytuacji umoliwiajcej przepyw
prdu w zamknitym obwodzie przez struktur
i przez ewentualne obwody zabezpieczajce.
Na przykad po dotkniciu palcami przez
osob naadowan (wzgldem ziemi) kilku
wyprowadze ukadu scalonego zwykle nie
dzieje si jeszcze nic strasznego. Maleka
pojemno tych kocwek i caego ukadu
scalonego szybko aduje si do napicia, do
ktrego naadowana jest osoba. Problem po
jawia si w chwil pniej, przy wkadaniu
kostki do podstawki. Przypumy, e naj
pierw kontakt z podstawk maj kocwki,
ktre nie s dotknite palcami. I wanie
w tym krtkim uamku sekundy moe popy
n duy prd rozadowania pojemnoci cia
a przez palce, dotknite kocwki i dalej
przez wewntrzne struktury ukadu, do in
nych kocwek, do podstawki i do masy.

Kwiecie 2002

Oczywicie w praktyce zazwyczaj sytua

cja nie jest a tak jasna, obwd masy nie
jest jednoznacznie okrelony (zwykle chodzi
o uziemienie), niemniej prd zawsze pynie
w zamknitym obwodzie, by moe przez ja
kie dodatkowe pojemnoci. Generalnie mo
na tu mwi najpierw o adowaniu pojemno
ci, a potem o jej rozadowaniu przez element.
Prd przepywa pomidzy kocwkami ele
mentu pprzewodnikowego przez struktur.
Ten sam prd rozadowania pynie te przez
inne obwody, np. rezystancj ciaa itp. Na do
kadniejszym schemacie zastpczym nalea
oby wic uwzgldni wystpujce dodatko
we rezystancje i indukcyjnoci. Ilustruje to
rysunek 2 w pozycji A przecznika S po
jemno C jest adowana do wysokiego na
picia. Potem, po przeczeniu S do pozycji
B, pojemno rozadowuje si przez rezystan
cj R, indukcyjno L i przez struktur p
przewodnikow naraanego elementu.

Rys. 2

Aby w powtarzalny sposb okreli od

porno ukadw na uszkodzenia, wprowa
dzono standardowe sposoby i warunki pomia
ru wanie wedug rysunku 2. Ju w pnych
latach 60. na potrzeby armii amerykaskiej
wprowadzono tzw. Human Body Model, czy
li model ludzkiego ciaa. Kondensator o po
jemnoci 100pF jest adowany do wysokiego
napicia (zwykle 400V ... 2kV) i potem roza
dowywany przez rezystor i badany element.
Schemat HBM z wartociami wedug amery
kaskiej normy (MILSTD883) pokazany
jest na rysunku 3a, a ksztat wyjciowego
impulsu prdowego na rysunku 3b. W zale
noci od napicia, przy ktrym badany ele
ment nie ulega uszkodzeniu, okrela si klasy

Elektronika dla Wszystkich

Podstawy
i oznaczenia, ewentualnie podaje si napicie
prby, w zakresie kilkuset woltw do kilku
kilowoltw. Tylko zupenie niezorientowani,
natrafiwszy w katalogu na wzmiank typu:
ESD 2kV sdz, e element wytrzyma bez
uszkodzenia dowolny impuls o napiciu 2kV.
Tymczasem dotyczy to zwykle sytuacji z ry
sunku 3a, gdzie prd jest relatywnie may.
Trzeba wiedzie, e model HBM odwzoro
wuje przecitne, inaczej rednie warunki spo
tykane w praktyce. Do dua rezystancja
ograniczajca prd, brak indukcyjnoci, stwa
rzaj stosunkowo agodne warunki testu, co
sabo odzwierciedla sytuacje skrajne wyst
pujce w rzeczywistych warunkach. Aby
sprawdza odporno dla takich skrajnych
przypadkw wprowadzono w 1976 nowy
model, nazwany MM (machine model). Ma
on zwizek z sytuacjami wystpujcymi pod
czas automatycznych testw ukadw scalo
nych za pomoc maszynautomatw, ale
odzwierciedla te skrajne przypadki zwiza
ne z dotkniciem przez czowieka. W mode
lu MM rezystancj ograniczajc prd
zmniejszono do zera, a za to wprowadzono
indukcyjno, przez co impuls prdowy ma
charakter tumionych oscylacji sinusoidal
nych. Schemat MM i ksztat impulsu testo
wego s pokazane na rysunku 4. Jak wida,
testy z pomoc modelu MM stawiaj badane
mu elementowi duo wysze wymagania, ni
przy modelu HBM.
a)

b)

Rys. 3

W pewnym uproszczeniu mona powie

dzie, e modele HBM i MM dotycz spraw
dzania odpornoci ukadu scalonego na
uszkodzenie na drodze midzy kocwkami
wejciowymi, a mas. Niewiele maj nato
miast wsplnego z samym dotkniciem przez
czowieka do kocwek. Tymczasem nie tyl
ko amatorzy intuicyjnie czuj, e ju samo
dotknicie kocwek, bez adnego pocze
nia z mas, niesie pewne zagroenie. W ta
kim intuicyjnym podejciu jest sporo praw
dy. W tym wypadku jednak nie chodzi
o przepyw prdu przez struktury scalone,
tylko przepyw prdu zwizany z adowa
niem si pojemnoci struktury scalonej. Cho
dzi o pojemno struktury wzgldem masy
(ziemi), ktra nie jest staa i wynosi zwykle
1...20pF. Rysunek 5 ilustruje adowanie tej
pojemnoci, oznaczonej Cs. W chwili do
tknicia dowolnej kocwki przez naado

Elektronika dla Wszystkich

wanego czowieka, w krtkim uamku se

kundy popynie prd i zostanie naadowana
maleka pojemno Cs (zamiast rda na
picia HV mona byoby te narysowa po
jemno ciaa ludzkiego, ktra jest znacznie
wiksza ni pojemno elementu Cs).

Rys. 4
Rys. 5

Uwzgldniajc takie zagroenie, zwiza

ne z adowaniem pojemnoci elementu
wzgldem ziemi, opracowano kolejny model,
zwany CDM (charged device model). Rysu
nek 6 ilustruje sposb przeprowadzania po
miarw i uzyskiwany impuls prdu.
Naley mie wiadomo, e omwione
modele i prowadzone przy ich pomocy cile
okrelone normami testy stosowane s gw
nie wzgldem elementw o specjalnym prze
znaczeniu (wojskowe, lotnicze, kosmiczne,
ewentualnie medyczne). Elementom po
wszechnego uytku powica si znacznie
mniej uwagi. Czsto w podstawowych kata
logach nie ma adnej informacji dotyczcej
ESD, ewentualnie wystpuje tylko krtka
wzmianka lub zalecenie ostronoci.
Warto jeszcze zwrci uwag, jakie para
metry maj impulsy testowe oraz te wystpu
jce w realnych warunkach. I wanie takie
krciutkie impulsy potrafi w uamku sekun
dy zniszczy kosztowny ukad scalony. Przy
kadowo w metodzie HBM ze wzgldu na
du warto rezystancji impuls prdu jest
stosunkowo niewielki, zwykle nie przekracza
1A, a czas trwania jest rzdu dziesitych cz
ci mikrosekundy. Przy modelu MM nawet
przy napiciu 400V szczytowy prd przekra
cza 5A, czas narastania pierwszego impulsu
prdowego wynosi typowo 14ns, a gasnce
drgania maj czstotliwo 10...15MHz. Przy
metodzie CDM (400V) impuls prdu ma na
wet ponad 2 ampery, a jego czas trwania wy
nosi tylko okoo 2 nanosekund.

Kwiecie 2002

Poniewa uszkodze wynikajcych

z ESD nie mona naprawi ani skompenso
wa, jedynym ratunkiem jest ZAPOBIEGA
NIE. Praktyka pokazuje, e uszkodzenia
zwizane z ESD nie s czste, co po czci
wynika z zastosowania obwodw ochron
nych, a po czci z przypadkowo sprzyjaj
cych warunkw przechowywania i montau.
Omiela to amatorw do zupenego lekcewa
enia niebezpieczestwa. O ile zdarzajce si
sporadycznie przypadki uszkodzenia uka
dw logicznych CMOS (raz na kilkadziesit
kostek) mona pomin choby ze wzgldu
na cen traconych ukadw, o tyle nie naley
lekceway szkodliwego wpywu ESD na
precyzyjne ukady analogowe. Kolejne roza
dowania nie uszkodz ukadu cakowicie,
tylko na przykad zwiksz prdy upywu
czy obni precyzj poniej granicy podanej
w katalogu. Powinni o tym pamita zwa
szcza konstruktorzy, bowiem o takie trudne
do uchwycenia przypadki najatwiej wanie
podczas eksperymentw i budowania proto
typw.

Rys. 6

Aby radykalnie zmniejszy prawdopodo

biestwo uszkodzenia podczas pracy warto:
uziemi grot lutownicy,
pracowa na metalowym, uziemionym bla
cie stou
przechowywa delikatne ukady w antysta
tycznych szynach, torebkach lub wetknite
w czarn gbk
nie nosi ubra z tworzyw sztucznych (np.
z polaru)
Przy pracy z najdelikatniejszymi i ko
sztownymi ukadami analogowymi i cyfro
wymi warto te uziemi nie tylko lutownic,
masy i obudowy przyrzdw pomiarowych,
ale i wasne ciao oraz zwikszy wilgotno
powietrza, np. z rozpylajc w pomieszczeniu
troch wody.

Piotr Grecki

29