PROMs

Historia
La memoria PROM fue inventada en 1956 por Wen Tsing Chow, trabajando para la
Divisin Arma, de la American Bosch Arma Corporation en Garden City, Nueva
York. La invencin fue concebida a peticin de la Fuerza Area de los Estados
Unidos, para conseguir una forma ms segura y flexible para almacenar las
constantes de los objetivos en la computadora digital del Misil balstico
intercontinental (MBI) Atlas E/F.
La patente y la tecnologa asociadas fueron mantenidas bajo secreto por varios
aos mientras el Atlas E/F era el principal misil de Estados Unidos. El trmino
"quemar", refirindose al proceso de grabar una PROM, se encuentra tambin en
la patente original, porque como parte de la implementacin original deba
quemarse literalmente los diodos internos con un exceso de corriente para
producir la discontinuidad del circuito. Las primeras mquinas de programacin de
PROMs tambin fueron desarrolladas por ingenieros de la Divisin Arma bajo la
direccin del Sr. Chow y fueron ubicados el laboratorio Arma de Garden City, y en
la jefatura del Comandoestratgico areo de las Fuerzas Areas.
Programacin.
Una PROM comn se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por
defecto de fbrica; el quemado de cada fusible, cambia el valor del
correspondiente bit a 0. La programacin se realiza aplicando pulsos de altos
voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios). El
trmino Read-only (slo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras memorias,
los datos no pueden ser cambiados (al menos por el usuario final).
La programacin es bsicamente la misma que la de las ROM convencionales,
pero en este caso todas las celdas tienen diodos, por lo cual la memoria viene
programada de fbrica con todos 1.

Cada diodo tiene conectado un fusible, cuya funcionalidad es similar a la que

podemos ver en fuentes de alimentacin o estabilizadores de tensin. Cuando se
produce una sobretensin, el fusible se quema y, por lo tanto, el circuito se abre.
De esta manera, el diodo pierde contacto con el mundo exterior y el lector de
memoria nunca sabe de su existencia, as que a esa celda la interpreta como un
cero. Por lo tanto para programar un chip de memoria PROM; con un dispositivo
llamado programador xD, se les aplica a las celdas correspondientes una tensin
superior a la que son capaces de soportar los fusibles, y as quedan definidos
todos los bits de la memoria en cuestin.

La pastilla es insertada en un dispositivo que genera en las salidas de la ROM

(usadas como entradas) los valores lgicos de cada palabra. Para cada posicin,
se genera un pulso de hasta 30V por la entrada Vpp (la tensin de
programacin)=Vcc (la tensin que va al colector), que produce una circulacin de
corrientes que funden delgadas conexiones fusibles en serie con diodos o
transistores que se quiere desconectar. As se obtienen los ceros que deben
resultar en las salidas, dado que el chip virgen viene con todos los diodos
conectados. El proceso de quemado dura pocos minutos.

El proceso de programacin de una PROM generalmente se realiza con un equipo

especial llamado quemador. Este equipo emplea un mecanismo de interruptores
electrnicos controlados por software que permiten cargar las direcciones, los
datos y generar los pulsos para fundir los fusibles del arreglo interno de la
memoria

Construccin
La fabricacin econmica de memorias PROM exige su produccin masiva. Sobre
la superficie de una oblea de silicio se crean simultneamente varios cientos de
grupos de circuitos. El proceso de fabricacin de memorias consiste en una
sucesin de deposicin y eliminacin de capas finsimas de materiales
conductores, aislantes y semiconductores, hasta que despus de cientos de pasos
se llega a un complejo bocadillo que contiene todos los circuitos interconectados
de la memoria.
Para el circuito electrnico slo se emplea la superficie externa de la oblea de
silicio, una capa de unas 10 micras de espesor (unos 0,01 mm, la dcima parte del
espesor de un cabello humano). Entre las etapas del proceso figuran la creacin
de sustrato, la oxidacin, la litografa, el grabado, la implantacin inica y la
deposicin de capas.
La primera etapa en la produccin de una memoria PROM es la creacin de un
sustrato de silicio de enorme pureza, una rodaja de silicio en forma de una oblea
redonda pulida hasta quedar lisa como un espejo. En la actualidad, las obleas ms
grandes empleadas en la industria tienen 200 mm de dimetro
En la etapa de oxidacin se coloca una capa elctricamente no conductora,
llamada dielctrico, el tipo de dielctrico ms importante es el dixido de silicio,
que se cultiva exponiendo la oblea de silicio a una atmsfera de oxgeno en un
horno a unos 1.000 C. El oxgeno se combina con el silicio para formar una
delgada capa de xido de unos 75 angstroms de espesor.
Casi todas las capas que se depositan sobre la oblea deben corresponder con la
forma y disposicin de los transistores y otros elementos electrnicos.
Generalmente esto se logra mediante un proceso llamado fotolitografa, que
equivale a convertir la oblea en un trozo de pelcula fotogrfica y proyectar sobre
la misma una imagen del circuito deseado. Para ello se deposita sobre la
superficie de la oblea una capa fotosensible cuyas propiedades cambian al ser
expuesta a la luz. Los detalles del circuito pueden llegar a tener un tamao de slo
0,25 micras.
Como la longitud de onda ms corta de la luz visible es de unas 0,5 micras, es
necesario emplear luz ultravioleta de baja longitud de onda para resolver los
detalles ms pequeos. Despus de proyectar el circuito sobre la capa
fotorresistente y revelar la misma, la oblea se graba: esto es, se elimina la parte de
la oblea no protegida por la imagen grabada del circuito mediante productos
qumicos (un proceso conocido como grabado hmedo) o exponindola a un gas
corrosivo llamado plasma en una cmara de vaco especial.

En el siguiente paso del proceso, la implantacin inica, se introducen en el silicio

impurezas como boro o fsforo para alterar su conductividad. Esto se logra
ionizando los tomos de boro o de fsforo (quitndoles uno o dos electrones) y
lanzndolos contra la oblea a elevadas energas mediante un implantador inico.
Los iones quedan incrustados en la superficie de la oblea.
En el ltimo paso del proceso, las capas o pelculas de material empleadas para
fabricar una memoria PROM se depositan mediante el bombardeo atmico en un
plasma, la evaporacin (en la que el material se funde y posteriormente se
evapora para cubrir la oblea) o la deposicin de vapor qumico, en la que el
material se condensa a partir de un gas a baja presin o a presin atmosfrica. En
todos los casos, la pelcula debe ser de gran pureza, y su espesor debe
controlarse con una precisin de una fraccin de micra
Estructura.
La memoria PROM es un PLD en el que las uniones en la matriz de puertas AND
es fija, siendo programables las uniones en la matriz de puertas OR. Una PROM
es un sistema combinacional completo que permite realizar cualquier funcin
lgica con las n variables de entrada, ya que dispone de 2n trminos productos.
Estn muy bien adaptadas para aplicaciones tales como: tablas, generadores de
caracteres, convertidores de cdigos, etc. Generalmente las PROM tienen menos
entradas que las PAL y FPLA. Se pueden encontrar PROM con capacidades
potencia de 2, que van desde las 32 hasta las 8192 palabras de 4, 8 o 16 bit de
ancho.

Funcionamiento

La PROM (programable ROM), tiene un solo modo de funcionamiento ya que es

de slo lectura, los contenidos pueden ser ledos pero no modificados por un
programa de usuario. Sus contenidos no se construyen, como la ROM,
directamente en el procesador cuando ste se fabrica, sino que se crean por
medio de un tipo especial programacin, ya sea por el fabricante, o por
especialistas tcnicos de programacin del usuario. El proceso de programacin
es destructivo: una vez grabada, es como si fuese una ROM normal.

En esta memoria digital el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o
antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser
programada (los datos pueden ser escritos) solo una vez. Luego que la PROM ha
sido programada, los datos permanecen fijos y no pueden reprogramarse o
borrarse.

Fabricantes.
National Instrument
Motorola